JP6516666B2 - ガス供給制御方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明の一実施形態にかかるガス供給制御システム1の全体構成の一例について、図1を参照しながら説明する。ガス供給制御システム1は、半導体製造装置10に供給するガスを制御するシステムである。
(半導体製造装置の構成例)
半導体製造装置10は、表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなる円筒形のチャンバCを有している。チャンバCは、接地されている。チャンバCの内部には載置台12が設けられている。載置台12は、ウェハWを載置する。
圧力式流量制御装置20は、ガス供給源30から半導体製造装置10にガスを供給するためのガス供給ライン15に接続されている。圧力式流量制御装置20は、コントロールバルブ21の開度を制御することでガス供給ライン15を流れ、チャンバC内に供給されるガスの流量を制御する。コントロールバルブ21の一例としては電磁弁駆動型のメタルダイヤフラムバルブが挙げられる。圧力式流量制御装置20は、コントロールバルブ21とコントロールバルブ21の開度を制御する制御回路22とオリフィス23と圧力計24、25とガス供給管15a及びガス供給管15bとを有する。オリフィス23は、ガス供給管15a及びガス供給管15bの間に設けられている。ガス供給管15aは、オリフィス23からコントロールバルブ21までの間のガス配管である。ガス供給管15bは、オリフィス23から第2のバルブVL2までの間のガス配管である。ガス供給管15a及びガス供給管15bは、ガス供給ライン15に接続されている。圧力式流量制御装置20は、ガス供給ラインに設けられた圧力制御流量計の一例である。
Q=CP1・・・(1)
圧力式流量制御装置20は、上記式(1)を利用するものであり、コントロールバルブ21により圧力P1を調整することにより、オリフィス23の下流側のガス流量Qをプロセス条件に合致した所望の値に保持するよう制御する。なお、上記式(1)のCはオリフィス23の口径やガス温度により決まる定数である。また、圧力P1及び圧力P2は、圧力計24及び圧力計25によりそれぞれ計測される。
次に、比較例にかかるガス供給制御方法について図2を参照しながら説明した後、本実施形態にかかるガス供給制御方法について図3を参照しながら説明する。比較例にかかるガス供給制御方法は、図2の(a)に示す各バルブの開閉制御によりガス供給を制御する。
(ステップ1)
ステップ1では、第1のバルブVL1及び第2のバルブVL2は全閉に制御され、コントロールバルブ21の制御は停止され、ガスの供給は停止している。
(ステップ2)
ステップ2では、第1のバルブVL1及び第2のバルブVL2は全開に制御され、その後コントロールバルブ21が制御中になり、ガスの供給が開始する。
(ステップ3)
ステップ3では、第1のバルブVL1及び第2のバルブVL2は全閉に制御され、その後コントロールバルブ21の制御は再び停止され、ガスの供給が停止する。
(ステップ1)
ステップ1では、第1のバルブVL1は全開に制御され、コントロールバルブ21は制御中である。第2のバルブVL2は全閉に制御され、ガスの供給は停止している。
(ステップ2)
ステップ2では、第1のバルブVL1は全開に制御され、コントロールバルブ21は制御中のまま維持されている。第2のバルブVL2は全開に制御され、ガスの供給が開始する。
(ステップ3)
ステップ3では、第1のバルブVL1は全開に制御され、コントロールバルブ21は制御中のまま維持されている。第2のバルブVL2は全閉に制御され、ガスの供給は停止する。
本実施形態では、圧力式流量制御装置20内のオリフィス23とその前後のコントロールバルブ21及び第2のバルブVL2との配置を変えて、ガス供給管15a及びガス供給管15bの容積比V1/V2を適正化する。具体的には、比較例では、ガス供給管15a及びガス供給管15bの容積比V1/V2は3/2であるのに対して、本実施形態では、ガス供給管15a及びガス供給管15bの容積比V1/V2は9/1以上にするようにコントロールバルブ21及び第2のバルブVL2の配置を変更する。
ガス供給管15a及びガス供給管15bの容積比V1/V2を変化させた場合の、ガス供給管15a内の圧力P1の初期圧力に対する平衡状態の圧力をプロットした図を図7に示す。上記に説明したように、ガス供給管15a及びガス供給管15bの容積比V1/V2が90/1に設定されている場合の圧力P1の平衡圧力/初期圧力は、図7のReにて示されるようにほぼ100%に近い値を示す。図7に示すプロットした値について具体的には、圧力P1の平衡圧力/初期圧力は、容積比V1/V2が1.5のとき62%、容積比V1/V2が3.0のとき75%、容積比V1/V2が9.0のとき90%、容積比V1/V2が18.0のとき95%、容積比V1/V2が30.0のとき97%、容積比V1/V2が90.0のとき99%である。
最後に、ガス供給及びガス供給の停止を高速で繰り返すようなプロセスの一例として、急速交互プロセスについて、図10を参照しながら簡単に説明する。図10に示す本実施形態のガス供給制御方法を用いた急速交互プロセスでは、エッチングプロセスとデポジションプロセスとが交互に、かつ急速に実行される。ただし、これは急速交互プロセスの一例であり、プロセスの種類はこれに限らない。また、急速交互プロセスを実行中、第1のバルブVL1は常に開に制御され、かつコントロールバルブ21は常に制御中に制御されている。図10に示す急速交互プロセスの処理は、制御回路22により制御される。
次に、本実施形態の変形例にかかるガス供給制御方法の一例について、図11及び図12を参照しながら説明する。図11は、本実施形態の変形例にかかるガス供給制御方法を説明するための図である。図12は、本実施形態の変形例にかかるガス供給制御システムの全体構成の一例を示す図である。
次に、本実施形態の変形例にかかる急速交互プロセスについて、図13を参照しながら簡単に説明する。図13に示す本実施形態の変形例のガス供給制御方法を用いた急速交互プロセスでは、エッチングプロセスとデポジションプロセスとが交互に、かつ急速に実行される。図13に示す急速交互プロセスの処理は、制御回路22により制御される。
次に、本実施形態の変形例にかかる急速交互プロセスのバリエーションについて、図14を参照しながら簡単に説明する。図14に示す本実施形態の変形例のガス供給制御方法を用いた急速交互プロセスでは、エッチングプロセスとデポジションプロセスとが交互に、かつ急速に実行される。図14に示す急速交互プロセスの処理は、制御回路22により制御される。
10:半導体製造装置
11:ガスシャワーヘッド(上部電極)
12:載置台(下部電極)
13:高周波電源
15:ガス供給ライン
15a、15b:ガス供給管
20:圧力式流量制御装置
21:コントロールバルブ
22:制御回路
23:オリフィス
24、25:圧力計
30:ガス供給源
VL1:第1のバルブ
VL2:第2のバルブ
C:チャンバ
Claims (5)
- ガス供給ラインに設けられた圧力制御式流量計と、前記ガス供給ラインの前記圧力制御式流量計よりも上流側に設けられた第1のバルブと、前記ガス供給ラインの前記圧力制御式流量計よりも下流側に設けられた第2のバルブと、を用いたガス供給制御方法であって、
前記圧力制御式流量計は、前記第1のバルブと第2のバルブとに接続されるコントロールバルブと、前記コントロールバルブと前記第2のバルブとの間に設けられるオリフィスとを有し、
前記オリフィスと前記コントロールバルブとの間のガス供給管の容積V1と、前記オリフィスと前記第2のバルブとの間のガス供給管の容積V2とは、V1/V2≧9の関係を有し、
前記オリフィスと前記コントロールバルブとの間のガス供給管の圧力P1と、前記オリフィスと前記第2のバルブとの間のガス供給管の圧力P2とは、ガスを供給する間P1>2×P2に維持され、
前記第1のバルブを開き、前記コントロールバルブを制御した状態で前記第2のバルブの開閉制御によりガスの供給を制御する、
ガス供給制御方法。 - 容積V1と容積V2とは、V1/V2≦200の関係を有する、
請求項1に記載のガス供給制御方法。 - 前記第1のバルブを開き、前記コントロールバルブを制御した状態で前記第2のバルブの開閉制御により第1のガスと第2のガスとを交互に供給し、該第1のガスによるプロセスと該第2のガスによるプロセスとを交互に実行する、
請求項1又は2に記載のガス供給制御方法。 - 前記第1のガスを供給するステップと前記第2のガスを供給するステップとの間の、ガスを供給しないステップにおいて、前記第2のバルブと前記コントロールバルブとの間のガス供給管の内部を真空引きする、
請求項3に記載のガス供給制御方法。 - 前記第1のガスの流量が、前記第2のガスの流量よりも多い場合、ガスを供給しないステップにおいて、前記第2のバルブと前記コントロールバルブとの間のガス供給管の内部を真空引きする、
請求項4に記載のガス供給制御方法。
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