JP2001338878A

JP2001338878A - サセプタおよび表面処理方法

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Publication number: JP2001338878A
Application number: JP2001002081A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Nakabayashi; 哲也中林; Hitoshi Ujimasa; 仁志氏政; Kazuyuki Zaitsu; 一幸財津; Masafumi Ogura; 雅史小倉
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-03-21
Filing date: 2001-01-10
Publication date: 2001-12-07
Also published as: US20020033381A1; US6808645B2; US20050034675A1; TW569326B; KR100382585B1; KR20010092384A

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜生成装置の真空チャンバ内に液晶基板の
台座として設けられるサセプタを提供することを主要な
目的とする。【解決手段】サセプタ１は、サセプタ本体２と、サセ
プタ本体２の上に設けられ、基板４よりも一回り小さい
サイズで形成され、基板４を下から支える段差部３を備
える。段差部３を設けることにより、基板４の端面に形
成された膜５と、基板の周辺の回り込み部分に形成され
た膜６との導通を回避する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、一般にサセプタ
に関するものであり、より特定的には、基板の製造工
程、特にスパッタ装置と、薄膜形成を行なう真空装置の
チャンバ内に、基板の台座として設けられるサセプタに
関する。この発明は、また、そのようなサセプタなどの
被処理体の表面処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】サセプタの洗浄は、基板成膜ごとに行な
われず、基板数枚セット成膜終了ごとに洗浄されるのが
一般的である。このため、基板成膜時にサセプタに付着
した膜が積層されることになる。

【０００３】従来、一般に成膜工程終了後に行なわれる
サセプタの洗浄方法は、図７の工程の流れに沿って行な
われている。まず、基板成膜時にサセプタ上に付着し、
積層された積層膜を完全に除去するまで、エッチング工
程を行なう（図７のＡ）。その後、純水洗浄工程（図７
のＢ）、超純水洗浄工程（図７のＣ）、乾燥工程（図７
のＤ）、検査工程（図７のＥ）、梱包（図７のＦ）等の
工程を通り、再度使用するというサイクルを辿る。

【０００４】ところで、最近のインターネットの普及と
ともに、パソコンの売上は急激に伸び、新旧交代が激し
い中、それに搭載される液晶パネルの仕様に関しても、
より高輝度化、高精細化、高開口率化、高速応答化、低
消費電力化と厳しくなる一方で、また、値崩れする期間
も速いことから、歩留まり向上の達成が急務となってい
る。

【０００５】特に、高精細化・高開口率化に対応してい
くためには、ゲート、ソースラインの線幅は、今まで以
上に細くする必要がある。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
工程でいえば、スパッタ装置等、メタル配線形成装置で
の成膜時のパーティクルの低減は、ラインの断線率を抑
えることとなり、必須項目である。

【０００６】発塵源としては、やはり成膜時に、チャン
バ内の壁面、部材等に膜が付着し、それが剥がれるとい
うケースが最も多い。図８で示すようなチャンバ内で使
用される防着板に関しては、現在、Ａｌ、ＳＵＳ等の母
材にブラスト処理をしたり、また、表面にＡｌ溶射など
を行ない、剥がれを軽減させるのが一般である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示すようにチャンバ内に上記防着板では対応しきれない
サセプタ部分が存在する。サセプタとは、基板との導通
が許されず、表面の平坦度、耐熱性に優れていることが
条件である基板の台座部分であり、通常基板に傷をつけ
ないために、ＳｉＯ₂を主成分とするガラスで形成され
ているのが一般的である。そのため、割れ等の危険性か
ら、表面処理に関して特に顕著な工夫をこらされていな
いのが現状であった。

【０００８】すなわち、サセプタの洗浄は、基板の成膜
ごとに行なわれず、基板数枚を数セット成膜後にされる
のが一般的であるため、サセプタ上に付着し、積層され
た膜は、基板成膜時に基板上に剥がれ落ちる発塵源であ
った。

【０００９】そのため、今後の品質向上に関する要求お
よび材料費の低減を推進するためには、サセプタに付着
した膜の剥がれによる発塵を防止する必要性がでてき
た。

【００１０】特開平１０−０７００９９号公報には、サ
ンドブラストを施した半導体ウェハーの洗浄方法および
この方法で洗浄されてなる半導体ウェハーが開示されて
いる。サンドブラスト処理後に洗浄するフッ酸のエッチ
ング処理温度を規定することによってサンドブラストで
生じた汚染を確実に除去する方法が開示されている。ま
た、半導体自身にブラスト処理およびエッチング処理す
ることについても開示している。

【００１１】しかしながら、特開平１０−０７００９９
号に開示されているサンドブラストを施した半導体の洗
浄方法は、サセプタがＳｉＯ₂を主成分とする非常割れ
やすいガラスである場合にはそのままでは用いることが
できない。

【００１２】また、サセプタ上に付着し、積層した膜が
基板端面に成膜された膜と導通して異常放電をするとい
う問題もあった。

【００１３】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、サセプタに付着する膜の密着性を上
げることで、発塵を防ぐ表面処理方法および洗浄方法を
提供することにある。

【００１４】この発明の他の目的は、成膜時の積層膜の
応力に耐え、サセプタ上に付着し積層した膜が、基板端
面に成膜された膜と導通して異常放電しないように改良
されたサセプタを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
従う発明は、薄膜生成装置の真空チャンバ内に基板の台
座として設けられるサセプタに係る。当該サセプタは、
サセプタ本体を備える。上記サセプタ本体の上に、上記
基板よりも一回り小さいサイズで形成され、上記基板を
下から支える段差部が設けられている。

【００１６】この発明の第２の局面に従う表面処理方法
においては、まず、ＳｉＯ₂を成分とするサセプタの表
面をブラスト処理する。上記サセプタの表面をエッチン
グする。

【００１７】この発明の第３の局面に従う表面処理方法
においては、上記ブラスト処理をする前に、上記サセプ
タと上記基板が接触する上記サセプタ部分をマスキング
する。

【００１８】この発明の第４の局面に従う表面処理方法
においては、上記ブラスト処理をする前に、上記サセプ
タの表面を高圧水洗浄する。

【００１９】この発明の第５の局面に従う表面処理方法
においては、上記ブラスト処理を、ＳｉＯ₂あるいはＳ
ｉＣを用いて行なう。

【００２０】この発明の第６の局面に従う表面処理方法
においては、上記エッチングの後、上記サセプタの表面
を高圧水洗浄する。

【００２１】この発明の第７の局面に従う表面処理方法
は、半導体形成工程、プラズマディスプレイパネル（Ｐ
ＤＰ）形成工程、プラズマアドレスリキッドクリスタル
（ＰＡＬＣ）形成工程およびフラットパネルディスプレ
イ（ＦＰＤ）形成工程における基板、ウェハー周辺に使
用するＳｉＯ₂を主成分とするガラス治具の表面処理方
法に係る。

【００２２】まず、被処理体の表面をブラスト処理する
（第１工程）。上記被処理体の表面をエッチングする
（第２工程）。下記（ｉ）または（ii）の手段で、被処
理体を洗浄する（第３工程）。

【００２３】（ｉ）高圧水洗浄すること。（ii）純水洗浄および高圧水洗浄すること。

【００２４】この発明の第８の局面に従う表面処理方法
は、反射型液晶パネルの薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ
基板）の表面処理方法にかかる。

【００２５】まず、ＴＦＴ基板の表面をブラスト処理す
る（第１工程）。上記ＴＦＴ基板の表面をエッチングす
る（第２工程）。下記（ｉ）または（ii）の手段で、上
記被処理体を洗浄する（第３工程）。

【００２６】（ｉ）高圧水洗浄すること。（ii）純水洗浄および高圧水洗浄すること。

【００２７】この発明の第９の局面に従う表面処理方法
においては、上記ブラスト処理をする工程に先立ち、サ
セプタと上記基板が接触するサセプタ部分をマスキング
する工程をさらに備える。

【００２８】この発明の第１０の局面に従う表面処理方
法においては、上記ブラスト処理をする工程に先立ち、
サセプタの表面を高圧水洗浄する工程をさらに備える。

【００２９】

【発明の実施の形態】実施の形態１以下、この発明の実施の形態について、図について詳細
に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。

【００３０】図１は、実施例に係る基板の台座となるサ
セプタ１の形状を示す斜視図である。図２（Ａ）は基板
の台座となるサセプタ１の上面図、図２（Ｂ）は、図２
（Ａ）のサセプタ１をＡＡ切断線で切断した断面図、図
２（Ｃ）は、図２（Ｂ）の丸で囲んだ部分の拡大図であ
る。

【００３１】図１に示すように、サセプタ１は、本体部
２と段差部３を備える。本体部２の上に、基板４のサイ
ズＭ×Ｎよりも一回り小さいサイズｍ×ｎで段差部３を
設ける。

【００３２】一回り小さいとは、段差部の大きさｍおよ
びｎが、基板成膜時にサセプタ裏面に膜が付着しない程
度の大きさで、かつ、基板が成膜時の応力で反り、基板
とサセプタ表面が接触しない程度の大きさということで
ある。

【００３３】例えば、基板サイズが４００×５００ｍｍ
の場合、Ｍとｍの差（Ｍ−ｍ）およびＮとｎの差（Ｎ−
ｎ）が８ｍｍから１２ｍｍが好ましく、さらに１０ｍｍ
程度が好ましい。これは、（Ｍ−ｍ）および（Ｎ−ｎ）
の値が大きすぎると、基板が成膜時の応力で反り、基板
とサセプタ表面が接触し、異常放電が発生するため好ま
しくなく、また、（Ｍ−ｍ）および（Ｎ−ｎ）の値が小
さすぎると、基板成膜時にサセプタ表面のみでなく、裏
面にも膜が付着するために、基板とサセプタが導通し、
異常放電が発生するため好ましくないためである。ま
た、段差部３の高さは、たとえば、基板サイズが４００
×５００ｍｍの場合、２ｍｍから４ｍｍが好ましいが、
成膜時の応力による基板の反りに合わせることが好まし
い。

【００３４】すなわち、基板成膜時に、図１に示すよう
な基板４のサイズよりも一回り小さいサイズの段差部３
を設けたサセプタ１を用いて基板４を成膜することによ
り、図２（Ｂ）あるいは図２（Ｃ）に示すように、基板
４の端面の膜５と、基板成膜時に基板４上だけでなく、
サセプタ本体部の表面上に付着した膜６との間に段差が
設けられるので、基板４の端面の膜面５と本体部２（の
段差部のある側の面上）に付着した膜６との導通（異常
放電）が回避することができる。

【００３５】実施の形態２図３に、本発明の洗浄フローを示す。

【００３６】第１の改良点として、エッチングする膜厚
を低減させることでエッチング完了までにかける時間の
短縮を目的とし、エッチング工程（図３のＡ）の後に、
降圧水洗浄（図３のＧ）を導入し、このサイクルを繰返
すことにした。

【００３７】高圧水洗浄工程で、エッチング処理により
剥がれかかった膜を物理的な力で除去する。このため、
エッチング工程（図３のＡ）で剥がれかかった膜を、高
圧水洗浄（図３のＧ）工程で物理的な力で除去後、再度
エッチング工程（図３のＡ）に戻し、残膜処理を行なう
ことにより、エッチングする膜厚がさらに減少すること
になる。このように、エッチング工程（図３のＡ）の間
に高圧水洗浄（図３のＧ）を導入し、このサイクルを繰
返すことにより、サセプタ上に形成された膜のエッチン
グ時間は、従来の半分以下に抑えることが可能となっ
た。

【００３８】また、高圧水洗浄（図３のＧ）を導入する
ことにより、効果的に残膜除去を行なえるため、エッチ
ング時のマスク減肉量を低減させることが可能となり、
エッチング用材料費の低減にもつながり、非常に有効な
処理である。

【００３９】第２の改良点として、サセプタ表面に付着
する膜の密着力を上げて膜剥がれを防止することを目的
とし、ブラスト処理（図３のＨ）を導入した。ブラスト
材には、サセプタへのダメージ（割れ等）が懸念される
ため、サセプタの材質と近い材質を用いることが好まし
く、ＳｉＣあるいはＳｉＯ₂等を使用することとした。

【００４０】ただし、サセプタは基板と接触する部材で
あるので、ブラスト処理時に、基板との接触箇所をマス
キングすることが好ましい。これは、以下のような理由
による。

【００４１】成膜チャンバとして、ターゲットからのパ
ーティクルを基板に落下させないよう、基板を立ててサ
イドでポジションする装置が現在主流であり、中には図
８に示すように、サセプタごと水平から垂直近くまで立
ち上がり、サイドでポジションする構造のものもある。

【００４２】この構造の場合、基板は立ったときに基板
の自重によりサセプタピンで支えられる箇所まで移動す
る。そのため、図１の段差部３のようなサセプタの基板
との接触箇所を同様にブラスト処理してしまうと、サセ
プタの基板との接触箇所の摩擦係数が増加するため、サ
セプタ上の基板の自重落下にばらつきがでて、サセプタ
ピンに接触するタイミングがずれ、基板が左右に位置ず
れを生じる危険性が生じる。また、装置側から見ると、
左右均一に基板が自重落下した際の位置を、ロボットが
ティーチングポイントとしているため、搬送異常、基板
割れ等が発生する危険性が生じる。

【００４３】したがって、サセプタのブラスト処理時
に、基板との接触箇所にマスキングを施し、摩擦係数の
増加を回避することにより、基板の裏面への傷、および
搬送時の整列ミスを防止する機能を同時に持たせること
になる。

【００４４】そして、第３の改良点として、ブラスト時
に生じる潜傷部分のガラス粒子を除去することを目的と
し、エッチング工程（図３のＩ）および、その前後に洗
浄工程を導入した。すなわち、ブラスト処理（図３の
Ｈ）後、純水洗浄（図３のＢ）を行ない、ブラスト時に
発生した異物を除去した後、エッチング工程（図３の
Ｉ）、純水洗浄（図３のＪ）、高圧水洗浄（図３の
Ｌ）、超純水洗浄（図３のＣ）を導入することによっ
て、ブラスト時に生じる潜傷部分のガラス粒子を除去す
ることができる。

【００４５】

【実施例】以下、この発明の実施例について、図につい
て詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるもので
はない。

【００４６】実施例１本実施例に係る洗浄方法では、図３に示すように、エッ
チング工程（図３のＡ）の後に、高圧水洗浄（図３の
Ｇ）の工程を導入し、（図３のＡ）と（図３のＧ）の工
程を繰返し行なう。このとき、高圧水の圧力は５０〜８
０ｋｇｆ／ｃｍ²が望ましい。

【００４７】この工程を導入することにより、従来のエ
ッチング時間（約８時間）を、３時間から４時間に半減
させることに成功した。

【００４８】また、高圧水洗浄を導入することにより、
効果的に残膜除去を行なえるため、エッチング時のマス
ク減肉量を低減させることが可能となり、エッチング用
材料費の低減にもつながる。したがって、この方法は、
非常に有効な処理である。

【００４９】次に、膜付着部分（例えば、図２（Ａ）の
本体部２）の密着力の向上を目的とし、ＳｉＯ₂および
ＳｉＣ等のブラスト材を使用して、ブラスト処理（図３
のＨ）を行なう。ブラスト方法には、ドライブラスト、
ウェットブラストがある。しかし、ブラストする対象
が、石英またはパイレックス（登録商標）等、ＳｉＯ₂
を主成分とするガラスで作製されたサセプタであるた
め、割れの危険性を考慮すると、ウェットブラストを使
用する方が望ましい。本実施例では、ウェットブラスト
で使用するブラスト材の直径は、５０〜９０μｍのもの
を使用し、３〜５ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で、ブラスト処
理（図１のＨ）を行なった。

【００５０】また、ブラスト処理（図３のＨ）を行なう
際には、基板と接触する面をマスキング処理し、摩擦係
数の増加を避けることとすることが好ましい。特に、図
１に示すようなサセプタ１のブラスト処理時に、基板と
の接触箇所である段差部３をマスキングすることが好ま
しい。

【００５１】そうすることにより、１つのサセプタ内
に、一部は、膜を剥がれさせないための密着力強化の働
きをする面（たとえば、図２の本体部２）と、もう一部
は、ガラスに傷をつけず、搬送異常を防ぐための摩擦係
数の増加の防止面（たとえば、図２の段差部３）という
ような２つの機能を同時に持ち合わせたものを作製する
ことができる。したがって、この方法は、非常に効果的
な処理である。

【００５２】その後、一度、純水洗浄（図３のＢ）を行
ない、ブラストにて発生した、異物を除去した後、エッ
チング工程（図３のＩ）に進む。

【００５３】その後のエッチング工程では、フッ酸を使
用し、常温にて、３０分間エッチングを実施する。検討
として、１５分間エッチングしたものも評価し、問題の
ないことを確認している。しかし、マージンを考えて３
０分品を使用する。実際は、液温を高く、濃度を上げれ
ば、エッチング時間の短縮にもつながることは、容易に
予想はつくが、本実施例では、特にその部分に関しての
追求は省いている。

【００５４】エッチングが終わった後は、純水洗浄（図
３のＪ）と超純水洗浄（図３のＣ）を行なうのだが、そ
れだけでは、エッチング後に残った異物の除去が十分に
行なわれないため、上記２種類の洗浄の間に高圧水洗浄
（図３のＬ）を導入した。

【００５５】高圧水の圧力に関しては、５０〜８０ｋｇ
ｆ／ｃｍ2で行ない、物理的な力を与えることで、効果
的に異物を除去することを目的とする。その後に、仕上
げ洗浄である超純水洗浄（図３のＣ）（比抵抗１５．０
ＭΩ／ｃｍ以上、ＴＯＣ（全有機物）５０ｐｐｂ以下）
を行ない、乾燥（図３のＤ）、検査（図３のＥ）工程を
経て、梱包（図３のＦ）するという工程を辿る。

【００５６】このように、本発明の洗浄フローを導入す
ることによって、エッチング時間が短縮され、ブラスト
処理により、サセプタ上に付着する膜の密着性を上げる
ことで、発塵を防ぎ、さらに、ブラスト処理後にエッチ
ング工程、洗浄工程を導入することで、潜傷部分のガラ
ス粒子の発塵を防ぐことができる。また、生産品の良品
率を向上させることができた。

【００５７】実施例２実際に、本発明に係る表面処理を施したサセプタと、従
来のタイプのものとの比較例を挙げる。

【００５８】第１に、まず、ブラストのみを導入したサ
セプタと現状のタイプを使用した際の、液晶パネル生産
品での不良発生率にて評価を行なった。

【００５９】評価対象号機は、ゲートライン形成処理号
機（複数チャンバを有しているため、比較例のサンプル
と、対策品をそれぞれのチャンバ）に設置し、その号機
の各チャンバで処理された生産品のラインの断線率、短
絡率についての発生率で評価した。今回は、比較例サン
プルの発生率を１とした場合の、対策品の割合について
触れることとする。

【００６０】実際、ブラストのみを実施したサセプタ
は、比較例サンプルの断線、短絡不良率をそれぞれ１と
すると、断線率は０．５倍、短絡率は１．８８倍となっ
た。使用後の表面観察では、明らかに膜剥がれがなくな
っているのだが、ミクロなレベルで悪影響を及ぼしてい
ることが判明した。

【００６１】図４は、ブラスト処理前のサセプタの断面
状態と表面状態、図５はブラスト処理後の断面状態と表
面状態、図６はブラスト処理＋エッチング処理後の断面
状態および表面状態を示す図である。

【００６２】図５を参照して、光学顕微鏡にて表面観察
をした結果、ブラストをすると、明らかに、表面状態
は、細かな凹凸状に変化している。しかし、潜傷と思わ
れる部分の入口が一部表面に面して、溝となっているの
が確認された。

【００６３】第２の評価として、ブラスト処理（図３の
Ｈ）後に、エッチング（図３のＩ）を施したサセプタ
と、比較例サンプルを用いて、生産品での不良率の比較
評価を行なった。

【００６４】今度は、第１の検討で使用したゲートライ
ン処理号機よりも、不良率の高い、ソースライン形成処
理号機および絵素電極形成処理号機に設置し、断線率の
比較を行なった。というのも、第１のゲートライン形成
処理号機での断線数は、ある母数に対し、対策品での発
生数が１ポイントで、比較例サンプルでの発生数は２ポ
イントしかなく、本発明の効果が明確化されないという
点と、短絡不良を解析した結果、別モードが混在してお
り、サセプタに起因するものなのか、判別しづらいもの
が含まれていたためである。

【００６５】実際に、ソースライン形成処理号機での断
線率は、比較例サンプルを１とすると、ブラスト処理＋
エッチング処理品は、０．５６倍であり、絵素電極形成
処理号機に関しては、比較例サンプルが１に対し、０．
５３倍と半減し、明らかに断線率の低減に効果があるこ
とが判明した。

【００６６】さらに、光学顕微鏡にて表面観察を行なう
と、図５のブラスト処理で、表面が見えかかっていた潜
傷部分が、エッチングされて図６に示すように溝部分が
はっきりと観察できるように変化した。

【００６７】図６の、ブラスト処理＋エッチング処理後
の表面状態は、また、繰返しブラスト処理による１回当
りの平均減肉量が約０．４μｍ程度であるため、通常使
用範囲（使用後の繰返し洗浄サイクル）でも、十分耐え
得る値であることを確認した。

【００６８】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。たとえば、上記実施例においては、液晶
パネル生産工程での薄膜形成に使用する真空装置内の治
具であるサセプタの形状、表面処理方法の場合を例に挙
げて説明したが、本発明は、これには限定されず、他の
半導体形成工程、ＰＤＰ、ＰＡＬＣ、ＦＰＤ工程等に
て、基板、ウェハー（ワーク）周辺に使用する治具に施
す処理であっても、本発明の形状、表面処理方法が適用
可能であることはいうまでもない。

【００６９】また、ガラス自身の下地処理に関しても、
一部、適用可能なプロセスがある。それは、反射型ディ
スプレイ用の基板であり、通常の透過型ディスプレイ
で、当表面処理を使用すると、ガラス自身の透過率が下
がり、輝度が低下する。また、基板表面が凹凸になるた
め、光が散乱し、ブラック表示の際に光漏れを生じると
いう不具合がある。

【００７０】しかし、反射型ディスプレイは、バックラ
イトによる透過光を使用しないため、当表面処理をガラ
ス表面の下地処理に利用することにより、各成膜工程に
おける薄膜の密着力の向上と、それに伴う良品率の向上
が実現されることはいうまでもない。

【００７１】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明のように、
サセプタ表面に段差を設けることにより、異常放電を回
避でき（機能１）、また、ブラスト処理とエッチング処
理を行なうことで、効果的に積層膜に耐え得る密着力を
確保し（機能２）、同時に潜傷からのガラス粒子等のパ
ーティクルを低減させる（機能３）ことが可能となる。

【００７３】さらには、ブラスト時のマスキング処理に
より、基板接触面の摩擦係数の増加防止による基板への
裏面傷や、搬送異常の低減（機能４）が可能となり、高
圧水洗浄を同時に行なうことにより、エッチング時間の
短縮による減肉量の低減（機能５）を達成することがで
きる。

【００７４】当発明を利用したサセプタを使用すること
により、膜剥がれが律速となっていたＯ・Ｈサイクルの
延長（機能６）、良品率の向上（機能７）、装置稼働率
の向上による原価の低減（機能８）も達成可能であり、
大きな効果をもたらす。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板とサセプタの寸法の関係を説明
する斜視図である。

【図２】（Ａ）は、サセプタの上面図、（Ｂ）は、
（Ａ）のＡＡ断面図、（Ｃ）は、（Ｂ）の部分拡大図で
ある。

【図３】本発明の洗浄方法の工程を示す図である。

【図４】ブラスト処理前のサセプタの断面状態と表面
状態を示す図である。

【図５】ブラスト処理後の断面状態と表面状態を示す
図である。

【図６】ブラスト処理＋エッチング処理後の断面状態
および表面状態を示す図である。

【図７】従来の洗浄方法の工程を示す図である。

【図８】サイドデポジション方式での、成膜時の基板
のずれを説明する装置構造図である。

【符号の説明】

１サセプタ、２サセプタ本体部、３段差部、４
基板、５端面の膜面、６サセプタ本体部の表面上に
付着した膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者財津一幸大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者小倉雅史大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 JA01 4K030 GA02 KA46 5F103 AA08 BB34 DD28 LL13 PP11 RR10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜生成装置の真空チャンバ内に基板の
台座として設けられるサセプタであって、サセプタ本体と、前記サセプタ本体の上に設けられ、前記基板よりも一回
り小さいサイズで形成され、前記基板を下から支える段
差部と、を備えるサセプタ。
【請求項２】ＳｉＯ₂を主成分とするサセプタの表面
をブラスト処理する工程と、前記サセプタ表面をエッチングする工程と、を備える表
面処理方法。
【請求項３】前記ブラスト処理する工程に先立ち、前
記サセプタと前記基板が接触する前記サセプタ部分をマ
スキングする工程を、さらに備える、請求項２に記載の
表面処理方法。
【請求項４】前記ブラスト処理をする工程に先立ち、
前記サセプタの表面を高圧水洗浄する工程を、さらに備
える、請求項２に記載の表面処理方法。
【請求項５】前記ブラスト処理は、ＳｉＯ₂あるいは
ＳｉＣを用いて行う、請求項２〜４に記載の表面処理方
法。
【請求項６】前記エッチングの後、前記サセプタの表
面を高圧水洗浄する工程をさらに備える、請求項２〜５
に記載の表面処理方法。
【請求項７】半導体形成工程、プラズマディスプレイ
パネル形成工程、プラズマアドレスリキッドクリスタル
形成工程、およびフラットパネルディスプレイ形成工程
における基板、ウェハー周辺に使用するＳｉＯ₂を主成
分とするガラス治具の表面処理方法であって、被処理体の表面をブラスト処理する第１工程と、前記被処理体の表面をエッチングする第２工程と、下記（ｉ）または（ii）の手段で、前記被処理体を洗浄
する第３工程とを、備える、表面処理方法。（ｉ）高圧水洗浄すること。（ii）純水洗浄および高圧水洗浄すること。
【請求項８】反射型液晶パネルの薄膜トランジスタ基
板（ＴＦＴ基板）の表面処理方法であって、ＴＦＴ基板の表面をブラスト処理する第１工程と、前記ＴＦＴ基板の表面をエッチングする第２工程と、下記（ｉ）または（ii）の手段で、被処理体を洗浄する
第３工程とを、備える、表面処理方法。（ｉ）高圧水洗浄すること。（ii）純水洗浄および高圧水洗浄すること。
【請求項９】前記ブラスト処理をする工程に先立ち、
サセプタと前記基板が接触するサセプタ部分をマスキン
グする工程を備える、請求項７または８に記載の表面処
理方法。
【請求項１０】前記ブラスト処理をする工程に先立
ち、サセプタの表面を高圧水洗浄する工程を備える、請
求項７〜９に記載の表面処理方法。