JP2013251370A - 基板搭載装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】膜の堆積に起因する変形が抑制された基板搭載装置を提供する。
【解決手段】成膜処理対象の基板を搭載して成膜装置に格納される基板搭載装置であって、基板の搭載される搭載領域が定義された搭載面を有し、搭載面の少なくとも搭載領域の残余の領域である堆積領域の表面に、堆積領域に堆積される膜が堆積領域の全面に渡って連続的には搭載面と密着しないように凹凸構造が形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】成膜処理対象の基板を搭載して成膜装置に格納される基板搭載装置であって、基板の搭載される搭載領域が定義された搭載面を有し、搭載面の少なくとも搭載領域の残余の領域である堆積領域の表面に、堆積領域に堆積される膜が堆積領域の全面に渡って連続的には搭載面と密着しないように凹凸構造が形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、成膜処理対象の基板を搭載して成膜装置に格納される基板搭載装置に関する。
半導体装置の製造工程において、高精度のプロセス制御が容易であるという利点から、成膜、エッチング、アッシングなどの処理にプラズマ処理装置が用いられている。例えば成膜装置として、平行平板を構成するカソード電極とアノード電極間にプラズマを形成して成膜処理を行うプラズマ化学気相成長(CVD)成膜装置が知られている。
プラズマCVD成膜装置の基板処理方法は、基板を1枚ずつ処理する枚葉式と複数の基板を同時に処理するバッチ式に大別される。太陽電池は基板サイズが125mm〜156mm程度と小さく、また、基板1枚当たりにかけられるコストが小さいために単位時間当たりの処理基板枚数を多くする必要がある。このため、太陽電池用の成膜装置ではバッチ式が用いられることが多い。
バッチ式では、複数の基板を同時に成膜処理室に搬送するために、基板を基板搭載装置に移載する。基板搭載装置には、水平な板に基板を水平に並べるカートタイプや、基板を垂直に複数並べるボートタイプなどがある。
基板搭載装置は基板を搭載した状態で成膜処理室に搬送され、カソード電極又はアノード電極として使用される。成膜処理後に基板が基板搭載装置から取り外され、新たな基板が基板搭載装置に移載されて成膜処理室に搬送される。例えば、基板搭載装置から基板を容易に取り外すことができ、且つ基板が搭載される領域の磨耗を抑制するために、基板搭載装置の基板と接触する領域の表面に凹凸を形成する方法が提案されている(特許文献1参照。)。
成膜装置の連続運転中は常に基板を移載する必要があるため、基板搭載装置は、基板の移載における大気冷却と成膜処理における真空加熱とが連続的に繰り返される。その間、基板搭載装置のプラズマに曝されている箇所にも繰り返し薄膜が堆積する。基板搭載装置に数μm〜数十μmの薄膜が堆積した状態で基板に薄膜を形成すると、基板上の薄膜の膜厚分布の劣化、パーティクルの発生、不安定な放電などが生じるおそれがある。このため、基板搭載装置は定期的に溶液又はガスで洗浄され、堆積した膜が除去される。このようにして、基板搭載装置は繰り返し使用される。
基板搭載装置に堆積した膜は応力を持ち、基板搭載装置が十分な剛性を有しない場合には、基板搭載装置を変形させる要因となる。基板搭載装置が変形すると、成膜工程時のアノード電極とカソード電極間距離の不均一や基板が適切に搭載されないなどの問題が生じる。また、基板搭載装置に堆積された膜は、真空加熱と大気冷却の繰り返しによって局所的に剥離する。この局所的な剥離が発生すると、膜応力が偏ってしまい、これも基板搭載装置の変形を引き起こす原因となる。
したがって、一定量以上の変形が生じると基板搭載装置を洗浄して膜を除去する必要がある。この洗浄頻度が高くなると、成膜装置の稼働率低下やランニングコストの増大という問題が生じる。
上記問題点に鑑み、本発明は、膜の堆積に起因する変形が抑制された基板搭載装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、成膜処理対象の基板を搭載して成膜装置に格納される基板搭載装置であって、基板の搭載される搭載領域が定義された搭載面を有し、搭載面の少なくとも搭載領域の残余の領域である堆積領域の表面に、堆積領域に堆積される膜が堆積領域の全面に渡って連続的には搭載面と密着しないように凹凸構造が形成されている基板搭載装置が提供される。
本発明によれば、膜の堆積に起因する変形が抑制された基板搭載装置を提供できる。
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係る基板搭載装置10は、成膜処理対象の基板を搭載して成膜装置に格納される基板搭載装置であって、図1に示すように、基板の搭載される搭載領域101が定義された搭載面100を有する。成膜装置は、例えばプラズマ化学気相成長方式の成膜装置(プラズマCVD成膜装置)などである。
本発明の第1の実施形態に係る基板搭載装置10は、成膜処理対象の基板を搭載して成膜装置に格納される基板搭載装置であって、図1に示すように、基板の搭載される搭載領域101が定義された搭載面100を有する。成膜装置は、例えばプラズマ化学気相成長方式の成膜装置(プラズマCVD成膜装置)などである。
搭載面100の搭載領域101の残余の領域(以下において、「堆積領域102」という。)には基板が搭載されないため、基板の成膜処理時に膜が堆積される。基板搭載装置10では、基板の成膜処理時において搭載面100の堆積領域102に堆積される膜が、堆積領域102の全面に渡って連続的には搭載面100と密着しないように、搭載面100の少なくとも堆積領域102の表面に凹凸構造が形成されている。凹凸構造上に膜が堆積されるため、堆積領域102に堆積される膜は分断され、各堆積膜の面積は小さい。このため、堆積領域102に堆積される膜によって基板搭載装置10にかかる曲げ応力を低下させることができる。
なお、搭載領域101の表面には凹凸構造を形成するための表面加工処理を施さないことが好ましい。これは、基板の全体と搭載面100を密着させるためである。例えば基板の全体と搭載面100とが密着されずに点接触状態のようになった場合には、基板の保持が不安定になったり基板の熱伝導が不均一になったりする。その結果、基板上に形成される膜の膜質や膜厚分布が劣化するという問題が生じる。このため、凹凸構造は搭載面100の堆積領域102のみに形成することが好ましい。
なお、複数の基板を搭載できるにように、複数の搭載領域101が定義された搭載面100を複数有するボートタイプの基板搭載装置10を採用可能である。ボートタイプの基板搭載装置10は、例えば図2に示すように、搭載面100が定義された複数の基板取り付け板11が、搭載面100の法線方向に並行に配置された構造である。
図3(a)、図3(b)に、堆積領域102の表面に沿って延伸するストライプ状の複数の溝30によって凹凸構造を形成する例を示す。堆積される膜の連続する面積を小さくするために、例えば図3(a)に示すように、堆積領域102の表面に溝30を格子状に配置する。形成される溝30の深さや幅、配置間隔は、基板搭載装置10の基板取り付け板11の厚みなどに応じて、基板搭載装置10の強度を考慮して決定される。
例えば図4に示すように、基板取り付け板11の厚みDが2mm程度の場合には、溝30の深さdを0.5mm程度に設定する。溝30の間隔Pは1mm〜10mm程度、例えば5mm程度である。間隔Pを小さくするほど、堆積される膜の各面積を小さくできる。溝30の幅wは、0.1mm〜2mm程度、例えば0.5mm程度に設定される。溝30の深さdや幅wは、堆積領域102に堆積される膜が確実に分断されるように設定される。
プラズマCVD成膜装置によって基板に薄膜を形成する場合を以下に説明する。図5に示すように、基板1が移載された基板搭載装置10はプラズマCVD成膜装置20に格納され、基板1に薄膜が形成される。成膜後、基板搭載装置10がプラズマCVD成膜装置20から排出され、基板搭載装置10から成膜処理された基板1が取り出される。その後、処理対象の新たな基板1が移設された基板搭載装置10が、プラズマCVD成膜装置20に格納される。
このため、基板搭載装置10のプラズマに曝されている堆積領域102の表面に、繰り返し膜が堆積する。堆積された膜の膜厚が厚くなるに従って、膜の応力による基板搭載装置10を変形させようとする力が増大する。
しかし、基板搭載装置10では、溝30によって搭載面100の堆積領域102の表面に凹凸構造を形成することにより、堆積領域102に堆積された膜は分断され、堆積領域102の全面に渡って連続的には堆積膜が搭載面100と密着していない。このため、凹凸構造が形成されない場合と比較して、膜の応力による基板搭載装置10の変形が生じにくい。
以下に、堆積領域102の表面に溝30を形成した基板搭載装置10と、溝30を形成しない比較例の基板搭載装置10Aについて、プラズマCVD法による成膜工程を繰り返すことにより生じる変形の程度を調査した結果を示す。
調査に用いた基板搭載装置10と基板搭載装置10Aは、搭載面100の面積が200mm×200mmであり、厚みDが2mmのカーボン製の基板取り付け板11をそれぞれ有する。そして、搭載面100の内側の156mm×156mmの領域を搭載領域101とし、その周囲を堆積領域102とした。基板搭載装置10の堆積領域102には、5mmピッチで幅0.5mm、深さ0.5mmの溝を図3(a)に示すように格子状に形成した。比較例の基板搭載装置10Aの堆積領域102には、溝形成処理を施さない。
基板搭載装置10と基板搭載装置10Aのそれぞれの搭載領域101に面積が156mm×156mmの基板1を搭載した状態で、図6(a)、図6(b)に示すようにプラズマCVD法によって窒化シリコン(SiNx)膜を同時に形成した。成膜ガスには、シラン(SiH4)とアンモニア(NH3)の混合ガスを用いた。
比較例の基板搭載装置10Aでは、連続放電を4日間行って図7に示すSiNx膜200の累積膜厚tが48μmに達した時点で、基板取り付け板11の反り量Cが1mmであった。
一方、基板搭載装置10では、30日間の連続放電を行ってSiNx膜200の累積膜厚tが360μmに達した時点で反り量Cが1mmであった。つまり、堆積領域102に溝30を形成することにより、溝30を形成しない場合に比べて、反り量Cが1mmに達するまでの時間が7.5倍に改善された。
なお、図3(a)では、溝30が基板1の外縁と平行に延伸する例を示した。しかし、図8に示すように、溝30が基板1の外縁と斜めに、例えば45度の角度で交差するように延伸してもよい。
以上に説明したように、本発明の第1の実施形態に係る基板搭載装置10では、搭載面100の堆積領域102の表面に溝30を形成して凹凸構造を実現することにより、堆積される膜が堆積領域102の全面に渡って連続的には搭載面100と密着しない。つまり、堆積領域102の表面に堆積される膜が堆積領域102上で分断されることによって、膜の堆積に起因する変形が抑制された基板搭載装置10を実現できる。その結果、基板搭載装置10では、変形が始まるまでに堆積される膜の許容膜厚が増加する。このため、膜の堆積に起因する変形を防止するために基板搭載装置10を洗浄する頻度の増大が抑制される。したがって、基板搭載装置10によれば、成膜装置の稼働率低下やランニングコストの増大が抑制される。
(第2の実施形態)
堆積領域102に凹凸構造を形成するためには、溝30を形成する方法以外にも、例えばブラスト加工処理によって堆積領域102の表面に凹凸構造を形成してもよい。ブラスト加工処理により凹凸構造を実現することにより、堆積領域102の表面粗度が増大する。これにより、堆積領域102上に堆積される膜が分断され、堆積領域102の全面に渡って連続的には堆積膜と搭載面100とが密着することがない。図9(a)、図9(b)に、堆積領域102にブラスト加工処理を施した基板搭載装置10の例を示す。
堆積領域102に凹凸構造を形成するためには、溝30を形成する方法以外にも、例えばブラスト加工処理によって堆積領域102の表面に凹凸構造を形成してもよい。ブラスト加工処理により凹凸構造を実現することにより、堆積領域102の表面粗度が増大する。これにより、堆積領域102上に堆積される膜が分断され、堆積領域102の全面に渡って連続的には堆積膜と搭載面100とが密着することがない。図9(a)、図9(b)に、堆積領域102にブラスト加工処理を施した基板搭載装置10の例を示す。
ただし、堆積領域102の表面の粗さが大きすぎると、プラズマCVD成膜処理中のプラズマの状態に影響を及ぼす可能性がある。一方、堆積領域102の表面の粗さが小さすぎると、堆積領域102に堆積される膜の堆積領域102との密着性が高くなる問題が生じる。調査の結果、発明者らは、算術平均粗さRaが10〜20μm程度になるように堆積領域102の表面をブラスト加工処理することが好ましいことを見出した。
以下に、堆積領域102の表面をブラスト加工処理を施した基板搭載装置10と、ブラスト加工処理を施していない比較例の基板搭載装置10Aについて、プラズマCVD法による成膜工程を繰り返すことにより生じる変形の程度を調査した結果を示す。
調査に用いた基板搭載装置10と基板搭載装置10Aは、搭載面100の面積が200mm×200mmであり、厚みDが2mmのカーボン製の基板取り付け板11をそれぞれ有する。そして、搭載面100の内側の156mm×156mmの領域を搭載領域101とし、その周囲を堆積領域102とした。基板搭載装置10の堆積領域102にブラスト加工処理を施し、堆積領域102の表面の算術平均粗さRaは12μmであった。一方、比較例の基板搭載装置10Aのブラスト加工処理を施さない堆積領域102の表面の算術平均粗さRaは2μmであった。
基板搭載装置10と基板搭載装置10Aそれぞれの搭載領域101に面積が156mm×156mmの基板1を搭載した状態で、プラズマCVD法によって窒化シリコン(SiNx)膜を同時に形成した。成膜ガスには、SiH4とNH3の混合ガスを用いた。
比較例の基板搭載装置10Aでは、連続放電を4日間行ってSiNx膜200の累積膜厚tが48μmに達した時点で、基板取り付け板11の反り量Cが1mmであった。
一方、基板搭載装置10では、15日間の連続放電を行ってSiNx膜200の累積膜厚tが180μmに達した時点で反り量Cが1mmであった。つまり、堆積領域102をブラスト加工処理することにより、ブラスト加工処理をしない場合に比べて、反り量Cが1mmに達するまでの時間が3.8倍に改善された。
本発明の第2の実施形態に係る基板搭載装置10では、堆積領域102の表面にブラスト加工処理を行うことによって凹凸構造が実現される。このため、堆積される膜が堆積領域102の全面に渡って連続的には搭載面100と密着せず、堆積領域102の表面に堆積される膜は分断される。その結果、膜の堆積に起因する変形が抑制された基板搭載装置10を実現できる。他は、第1の実施形態と実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
なお、堆積領域102に溝30を形成し、且つブラスト加工処理を施すことによって凹凸構造を実現してもよい。
(その他の実施形態)
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
既に述べた実施形態の説明においては、基板搭載装置10が基板1を垂直に複数並べるボートタイプである場合について説明したが、基板搭載装置10が図10に示すような、水平な板上に基板1を配列して搭載するカートタイプであってもよい。
また、プラズマCVD法によって成膜する場合を説明したが、他の成膜方法によって基板1に成膜する場合にも、堆積領域102上の堆積膜による基板搭載装置10の変形を緩和することができる。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
1…基板
10…基板搭載装置
11…基板取り付け板
20…プラズマCVD成膜装置
30…溝
100…搭載面
101…搭載領域
102…堆積領域
10…基板搭載装置
11…基板取り付け板
20…プラズマCVD成膜装置
30…溝
100…搭載面
101…搭載領域
102…堆積領域
Claims (7)
- 成膜処理対象の基板を搭載して成膜装置に格納される基板搭載装置であって、
前記基板の搭載される搭載領域が定義された搭載面を有し、
前記搭載面の少なくとも前記搭載領域の残余の領域である堆積領域の表面に、前記堆積領域に堆積される膜が前記堆積領域の全面に渡って連続的には前記搭載面と密着しないように凹凸構造が形成されていることを特徴とする基板搭載装置。 - 前記搭載領域の表面には前記凹凸構造が形成されていないことを特徴とする請求項1に記載の基板搭載装置。
- 前記堆積領域の表面に沿って延伸するストライプ状の複数の溝によって前記凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板搭載装置。
- 前記複数の溝が、前記堆積領域の表面に格子状に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の基板搭載装置。
- 前記溝の幅が0.5mm〜2mmであることを特徴とする請求項3又は4に記載の基板搭載装置。
- 前記堆積領域の表面がブラスト加工処理されて前記凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板搭載装置。
- 前記堆積領域の算術平均粗さが10μm〜20μmであることを特徴とする請求項6に記載の基板搭載装置。
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