JP3708940B2 - Cvd装置の反応室のコーティング方法 - Google Patents
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反応室から成膜を終了したガラス絶縁基板を搬出したのち、表1に示すように2段階に分けてクリーニングを行う。
反応室から成膜を終了したガラス絶縁基板を搬出したのち、表2に示すように2段階に分けてクリーニングを行う。
クリーニング終了後、表3に示すように、2段階に分けてコーティングを行う。
クリーニング終了後、表4に示すように、2段階に分けてコーティングを行う。
20:窒化シリコン膜
21:非晶質シリコン膜
22:窒化シリコン膜
26〜29:反応室
35:高周波電極
36:接地電極
37:昇降装置
39:ガス供給装置
Claims (3)
- プラズマCVD装置の反応室内でプラズマ放電により基体に薄膜を成膜する際に上記反応室内に付着した薄膜をエッチング性ガスのプラズマ放電によりクリーニングしたのち、成膜用ガスのプラズマ放電により上記反応室内を絶縁膜または半導体膜でコーティングする液晶表示素子のTFT生産のために使用される枚葉式CVD装置の反応室のコーティング方法において、
上記成膜用ガスのプラズマ放電を成膜用ガスの圧力が異なる複数段階に分けて行い、この複数段階の成膜用ガスの圧力差を0.1Torr以上、4Torr以下としたことを特徴とするCVD装置の反応室のコーティング方法。 - プラズマCVD装置の反応室内でプラズマ放電により基体に薄膜を成膜する際に上記反応室内に付着した薄膜をエッチング性ガスのプラズマ放電によりクリーニングしたのち、成膜用ガスのプラズマ放電により上記反応室内を絶縁膜または半導体膜でコーティングする液晶表示素子のTFT生産のために使用される枚葉式CVD装置の反応室のコーティング方法において、
上記成膜用ガスのプラズマ放電を電極間隔の異なる複数段階に分けて行い、この複数段階のプラズマ放電の電極間隔差を3mm以上、40mm以下としたことを特徴とするCVD装置の反応室のコーティング方法。 - 上記反応室内に付着した薄膜がSiNx膜またはa−Si膜であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のCVD装置の反応室のコーティング方法。
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