CN113725070B - 一种用于背封硅片的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种用于背封硅片的方法和设备，所述方法包括：在将所述硅片以背面与用于承载硅片的托盘相邻的方式承载在所述托盘上的情况下针对所述硅片执行第一次常压化学气相沉积；在将所述硅片以正面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上的情况下针对所述硅片执行第二次常压化学气相沉积；将在所述第一次常压化学气相沉积期间以及所述第二次常压化学气相沉积期间沉积在所述硅片的正面和侧面上的沉积膜去除。

Description

一种用于背封硅片的方法和设备
技术领域
本发明涉及半导体硅片生产技术领域，尤其涉及一种用于背封硅片的方法和设备。
背景技术
外延硅片是集成电路产业的基础材料，大多数大规模集成电路均使用外延硅片制造而成，如互补型金属氧化物半导体图像传感器（CMOS （Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor）Image Sensor，CIS）芯片使用重掺外延片制造而成。但重掺外延硅片在外延生长过程中可不避免地会存在自掺杂现象，自掺杂现象会导致硅片电阻率漂移，从而严重影响外延硅片的品质。
为了防止自掺杂现象的发生，通常需要对硅片进行背封，背封技术是一种常用的阻止自掺杂现象出现的手段，该技术是指在硅片背面生长一层比如氧化硅薄膜之类的背封膜，从而有效抑制自掺杂，减小对电阻率的影响，改善外延硅片的品质。
通常采用常压化学气相沉积（Atmospheric Pressure Chemical VaporDeposition，APCVD）工艺来实现在硅片的背面生长背封膜，在该工艺中，硅片以正面与托盘相邻的方式被硅片承载，向硅片背面提供反应气体并且提供高温环境以使反应气体与硅片的不与托盘相邻的背面和侧面发生反应，从而在硅片背面以及侧面生长出或者说沉积背封膜，在将硅片边缘的背封膜去除并将硅片正面进行化学机械抛光（Chemical MechanicalPolishing，CMP）后，便可以获得适于外延生长的背封硅片。
由于上述工艺需要在高温环境下进行，因此硅片会发生软化进而在重力的作用下产生变形，导致硅片的中心区域与托盘发生接触，由此对硅片的正面造成损伤，而在随后对硅片正面进行化学机械抛光的过程中，为了消除损伤需要对硅片正面的材料进行大量的去除，而这又导致了硅片的平坦度难以控制的情况。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种用于背封硅片的方法和设备，避免在常压化学气相沉积期间对硅片的正面造成损伤，由此不需要在后续的化学机械抛光过程中对硅片正面的材料进行大量的去除，防止平坦度难以控制的情况发生。
本发明的技术方案是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种用于背封硅片的方法，所述方法包括：
在将所述硅片以背面与用于承载硅片的托盘相邻的方式承载在所述托盘上的情况下针对所述硅片执行第一次常压化学气相沉积；
在将所述硅片以正面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上的情况下针对所述硅片执行第二次常压化学气相沉积；
将在所述第一次常压化学气相沉积期间以及所述第二次常压化学气相沉积期间沉积在所述硅片的正面和侧面上的沉积膜去除。
第二方面，本发明实施例提供了一种用于背封硅片的设备，所述设备用于执行根据第一方面所述的方法，所述设备包括：
具有托盘的沉积装置，所述沉积装置用于在所述硅片承载在所述托盘中的情况下针对所述硅片执行常压化学气相沉积；
翻转装置，所述翻转装置用于对所述硅片进行翻转，使得所述硅片能够以背面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上并且能够以正面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上；
去除装置，所述去除装置用于将在所述常压化学气相沉积期间沉积在所述硅片的正面和侧面上的沉积膜去除。
本发明实施例提供了一种用于背封硅片的方法和设备，由于在硅片的背面上进行沉积膜的沉积之前，事先在硅片的正面上沉积了沉积膜，因此，即使在上述的第二次常压化学气相沉积的过程中硅片会因高温发生软化进而在重力的作用下产生变形，硅片的正面也不会与托盘直接接触，而是沉积在硅片的正面上的沉积膜与托盘直接接触，从而避免了对硅片的正面造成损伤；而且，仅需要实现对硅片进行翻转便可以利用同一沉积装置实现上述的两次不同的沉积。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种用于背封硅片的方法的流程图；
图2为根据本发明的实施例的用于背封硅片的方法中硅片相对于托盘的位置以及沉积在硅片上的沉积膜的转变过程示意图；
图3为本发明实施例提供的一种用于背封硅片的设备的示意图；
图4为根据本发明的实施例的用于背封硅片的设备的沉积装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参见图1并结合图2，本发明实施例提供了一种用于背封硅片W的方法，所述方法可以包括：
S101：在将所述硅片W以背面BS与用于承载硅片的托盘11相邻的方式承载在所述托盘11上的情况下针对所述硅片W执行第一次常压化学气相沉积；可以理解的是，由于硅片W的正面FS以及侧面LS处于暴露状态而硅片W的背面BS与托盘11一起形成基本上封闭的空间，因此在上述第一次常压化学气相沉积期间，主要会在硅片W的正面FS以及侧面LS上沉积第一沉积膜DF1，如在图2中通过小密度点填充的阴影区域示意性地示出的；
S102：在将所述硅片W以正面FS与所述托盘11相邻的方式承载在所述托盘11上的情况下针对所述硅片W执行第二次常压化学气相沉积；可以理解的是，由于硅片W的背面BS以及侧面LS处于暴露状态而硅片W的正面FS与托盘11一起形成基本上封闭的空间，因此在上述第二次常压化学气相沉积期间，主要会在硅片W的背面BS以及侧面LS上沉积第二沉积膜DF2，如在图2中通过大密度点填充的阴影区域示意性地示出的；
S103：将在所述第一次常压化学气相沉积期间以及所述第二次常压化学气相沉积期间沉积在所述硅片W的正面FS和侧面LS上的沉积膜DF去除；由此便可以获得在背面BS上沉积有沉积膜DF的硅片W，即完成硅片W的背封。
在上述方法中，由于在硅片W的背面BS上进行沉积膜的沉积之前，事先在硅片W的正面FS上沉积了沉积膜，因此，即使在上述的第二次常压化学气相沉积的过程中硅片W会因高温发生软化进而在重力的作用下产生变形，硅片W的正面FS也不会与托盘11直接接触，而是沉积在硅片W的正面FS上的沉积膜与托盘11直接接触，从而避免了对硅片W的正面FS造成损伤；而且，仅需要实现对硅片W进行翻转便可以利用同一沉积装置实现上述的两次不同的沉积。
在根据本发明的用于背封硅片W的方法的一个示例中，所述方法还可以包括在将沉积膜DF沉积至所述硅片W上之前对所述硅片W进行抛光。由此能够有利于将沉积膜DF沉积在硅片W上。
在常压化学气相沉积工艺中：温度越高，沉积膜的厚度均一性和致密性越好，这样的沉积膜对于用作背封膜是有利的，因为可以更好地阻止在硅片的外延生长过程中产生的自掺杂现象，而较高的温度又会导致硅片发生更严重的软化及变形，致使硅片的中心区域与托盘发生更严重的接触并且受到更严重的损伤；温度越低，沉积膜的厚度均一性越差并且较为疏松，这样的沉积膜对于用作背封膜是不利的，但较低的温度能够使硅片的软化及变形得到缓解，从而减少中心区域与托盘的接触并且使损伤降低。
基于此，在本发明的优选实施例中，所述第一次常压化学气相沉积可以在350℃至400℃的温度下执行。这样的温度对于常压化学气相沉积而言是较低的温度，由此减小了硅片的损伤，另外在硅片正面沉积的是疏松的沉积膜，对于在第二次常压化学气相沉积期间防止硅片正面与托盘直接接触是足够的，而疏松的沉积膜能够有利于在后续处理过程中进行去除。
基于此，在本发明的优选实施例中，所述第二次常压化学气相沉积可以在400℃至450℃的温度下执行。这样的温度对于常压化学气相沉积而言是较高的温度，由于硅片的正面已经沉积有沉积膜，因此即使硅片发生更严重的软化及变形，也不会导致硅片的中心区域与托盘发生更严重的接触并且受到更严重的损伤，而在这样的较高的温度下能够获得厚度均一性和致密性好的沉积膜，有利于阻止在硅片的外延生长过程中产生的自掺杂现象。
参见图3，本发明实施例还提供了一种用于背封上述的硅片W的设备1，所述设备1用于执行根据本发明实施例的方法，所述设备1可以包括：
具有上述的托盘11的沉积装置10，所述沉积装置10用于在所述硅片W承载在所述托盘11中的情况下针对所述硅片W执行常压化学气相沉积；
翻转装置20，所述翻转装置20用于对所述硅片W进行翻转，使得所述硅片W能够以背面BS与所述托盘11相邻的方式承载在所述托盘11上并且能够以正面FS与所述托盘11相邻的方式承载在所述托盘11上；
去除装置30，所述去除装置30用于将在所述常压化学气相沉积期间沉积在所述硅片W的正面FS和侧面LS上的沉积膜DF去除。
在本发明的优选实施例中，参见图4，所述沉积装置10可以包括：
传送带12，其中，多个所述托盘11以沿着所述传送带12的运行方向等间距排列的方式搁置在所述传送带12上，其中图4中示出了传送带12的一种具体实现方式，即传送带12呈绕制在两个滚轮上的环状，通过两个滚轮沿顺时针方向转动来驱动传送带12运行；
设置在所述传送带12下方的加热板13，所述加热板13用于对承载在所述托盘11中的硅片W进行加热，其中图4中仅示意性地示出了承载在单个托盘11中的单个硅片W；
设置在所述传送带12上方的供气机构14，所述供气机构14用于朝向所述传送带12供应气体，由此将气体供应至硅片W以执行气相沉积。
在常压化学气相沉积工艺中，通常需要两种反应气体来实现在硅片表面进行沉积膜的沉积，基于此，在本发明的优选实施例中，仍然参见图4，所述供气机构14可以包括用于喷射第一反应气体的多个第一喷头141和用于喷射第二反应气体的多个第二喷头142，其中，所述多个第一喷头141和所述多个第二喷头142沿着所述传送带12的运行方向交替排列，以将两种反应气体以混合得更为均匀的方式供应至硅片W。
在本发明的优选实施例中，所述第一反应气体可以为氧气并且所述第二反应气体可以为四氢化硅。
在本发明的优选实施例中，所述供气机构14还可以包括用于喷射保护性气体的两个第三喷头143，所述两个第三喷头143在所述传送带12的运行方向上分别设置在所述多个第一喷头141以及所述多个第二喷头142的两侧。这样，可以避免外界的污染颗粒对沉积过程产生不利影响。
在本发明的优选实施例中，所述保护性气体可以为氮气。
需要说明的是：本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种用于背封硅片的方法，其特征在于，所述方法包括：
在将所述硅片以背面与用于承载硅片的托盘相邻的方式承载在所述托盘上的情况下针对所述硅片执行第一次常压化学气相沉积，以将沉积膜沉积在所述硅片的正面上，使得当所述硅片以正面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上时，所述硅片的正面不与所述托盘直接接触并避免被损伤；
在将所述硅片以正面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上的情况下针对所述硅片执行第二次常压化学气相沉积；
将在所述第一次常压化学气相沉积期间以及所述第二次常压化学气相沉积期间沉积在所述硅片的正面和侧面上的沉积膜去除。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在将沉积膜沉积至所述硅片上之前对所述硅片进行抛光。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一次常压化学气相沉积在350℃至400℃的温度下执行。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二次常压化学气相沉积在400℃至450℃的温度下执行。
5.一种用于背封硅片的设备，所述设备用于执行根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述设备包括：
具有托盘的沉积装置，所述沉积装置用于在所述硅片承载在所述托盘中的情况下针对所述硅片执行常压化学气相沉积；
翻转装置，所述翻转装置用于对所述硅片进行翻转，使得所述硅片能够以背面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上并且能够以正面与所述托盘相邻的方式承载在所述托盘上；
去除装置，所述去除装置用于将在所述常压化学气相沉积期间沉积在所述硅片的正面和侧面上的沉积膜去除。
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述沉积装置包括：
传送带，其中，多个所述托盘以沿着所述传送带的运行方向等间距排列的方式搁置在所述传送带上；
设置在所述传送带下方的加热板，所述加热板用于对承载在所述托盘中的硅片进行加热；
设置在所述传送带上方的供气机构，所述供气机构用于朝向所述传送带供应气体。
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述供气机构包括用于喷射第一反应气体的多个第一喷头和用于喷射第二反应气体的多个第二喷头，其中，所述多个第一喷头和所述多个第二喷头沿着所述传送带的运行方向交替排列。
8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，所述第一反应气体为氧气并且所述第二反应气体为四氢化硅。
9.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，所述供气机构还包括用于喷射保护性气体的两个第三喷头，所述两个第三喷头在所述传送带的运行方向上分别设置在所述多个第一喷头以及所述多个第二喷头的两侧。
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述保护性气体为氮气。
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