CN112151424A - 一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统，所述方法可以包括：针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业；清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜，并在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业。
Description
技术领域
本发明涉及外延片生产技术领域，尤其涉及一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统。
背景技术
外延硅片半导体集成电路产业的关键基础材料，大规模集成电路多数产品工艺均使用外延硅片。外延硅片可以通过硅片的外延生长获得，但在该过程中可不避免地会存在自掺杂现象。自掺杂现象产生的一种可能的原因为：在硅片外延生长的高温环境下，硅片中含有的例如硼或磷的掺杂剂原子向外扩散并穿过硅片背面进入到用于外延生长的反应气体中，并沉积到硅片的外延层中。硅片的外延层中沉积有上述掺杂剂原子的情况下会导致电阻率漂移，从而严重影响外延硅片的品质。
硅片背封技术是一种常用的阻止自掺杂现象出现的手段，该技术是指在硅片背面沉积一层比如高纯二氧化硅薄膜之类的背封膜，以避免上述掺杂剂原子穿过硅片背面进入反应气体中，起到对掺杂剂原子封闭的作用，从而有效抑制自掺杂，减小对电阻率的影响，改善外延硅片的品质。
出于成本及成膜质量的考虑，通常采用常压化学气相沉积(AtmosphericPressure Chemical Vapor Deposition，APCVD)方式将背封膜沉积在将要进行外延生长的硅片的背面。现有的连续式APCVD系统一般包括硅片传送模块与沉积模块等，硅片被传送模块携带经过沉积模块以在硅片背面沉积背封膜。早期的APCVD系统传送模块采用合金材质的传送带，现出于金属污染的考虑更多选用非金属材料的硅片承载托盘。
如图1所示，在使用硅片承载托盘T对硅片W进行承载的情况下，在硅片W的背面沉积(如在图1中用向下的箭头示出的)背封膜F1时，托盘T的上表面中接触硅片W的区域T1不会被沉积薄膜，而除去接触硅片W的区域T1以外的区域T2不可避免地被沉积上一层沉积膜F2，沉积膜F2随着沉积次数的增加变厚，积累到一定程度时会对后续硅片的背封膜沉积造成不良影响。具体地，由于不同硅片的直径可能存在差别，且硅片被比如机械手放置在托盘的位置也不是完全一致，因此如在图2中示出的，硅片W可能通过沉积膜F2和区域T1被倾斜地支承在托盘T中，在沉积膜F2较厚的情况下将严重影响沉积在硅片W上的背封膜F1的均匀性。
因此，当如图2中示出的沉积膜F2积累到一定厚度(通常为10μm左右)时必须将其去除，以避免后续进行背封沉积时在硅片上形成均匀性差的背封膜。
通常，沉积在托盘上的沉积膜的厚度达到阈值时，需要将沉积系统中的所有托盘取下后置于清洗设备中进行清洗以将托盘上的沉积膜去除。在此期间，沉积系统处于停机状态，或者需要使用新的备用托盘来实现不停机生产。周期性的系统停机会导致生产效率的降低，而对额外的备用托盘的使用会导致生产成本的增加。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种在硅片上沉积背封膜的方法和系统，能够实现清洗托盘时不需要系统周期性地停机以避免生产效率降低的问题，并且在再次利用已清洗托盘的情况下能够实现不需要提供额外的备用托盘因此不会增大生产成本。
本发明的技术方案是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种用于在硅片上沉积背封膜的方法，所述方法包括：
针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业；
清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜，并在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业。
第二方面，本发明实施例提供了一种用于在硅片上沉积背封膜的系统，所述系统包括：沉积模块、清洗模块和运送模块，
所述沉积模块配置成针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业，
所述清洗模块配置成清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜，并且所述沉积模块还配置成在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业，
所述运送模块配置成所述第一托盘的沉积作业完成后将所述第一托盘从所述沉积模块运送至所述清洗模块。
本发明实施例提供了一种在硅片上沉积背封膜的方法和系统，实现了清洗托盘时不需要系统周期性地停机因此避免了生产效率降低的问题，并且在再次利用已清洗托盘的情况下实现了不需要提供额外的备用托盘因此不会增大生产成本，而且，托盘在每执行一次沉积作业后都会被实时地清洗，因此清洗前沉积在托盘上的沉积膜是相对较薄的，使得沉积膜更易于清除，不需要考虑沉积次数以及沉积膜的厚度，由于每次沉积作业都通过不具有沉积膜的托盘来承载硅片，因此得到的背封膜的厚度均匀性较好。
附图说明
图1为在硅片上沉积背封膜时会在托盘上沉积一层沉积膜的示意图；
图2为托盘沉积膜导致硅片上沉积的背封膜的厚度不均匀的示意图；
图3为现有的用于在硅片上沉积背封膜的系统的示意图；
图4为本发明实施例提供的一种用于在硅片上沉积背封膜的方法的示意图；
图5为本发明实施例提供的一种用于在硅片上沉积背封膜的系统的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参见图3，其示出了现有的用于在硅片W上沉积背封膜的系统10A。如图3所示，由托盘T承载着硅片W并一起被运送装置120A运送，硅片W在硅片沉积反应器110A的作用下沉积背封膜，期间会在托盘T上沉积一层沉积膜。沉积作业结束后托盘T和硅片W由第一机械手312A承载并与第一机械手312A一起沿着第一轨道311A移动，期间经由下料口313A将已背封的硅片从托盘取下。托盘T被运送装置260A运送后由第二机械手322A承载并与第二机械手322A一起沿着第二轨道321A移动，期间经由上料口323A将待背封的硅片放置在托盘上。之后，托盘T承载着硅片W并一起再次被运送装置120A运送，硅片W再次在硅片沉积反应器110A的作用下沉积背封膜。
当单个托盘T在生产系统10A中进行大约20余次(单次沉积膜厚约500～1000nm)循环时，即托盘T上被沉积的沉积膜的厚度超过10μm时，为避免背封膜厚度的不均匀问题就需要将沉积反应器关闭，并将空托盘送往独立的清洗装置，托盘因多次沉积作业因此沉积膜的厚度和致密度较大，需要将长时间才能去除，此时换下托盘后的系统处于停机状态或者需要备用的托盘实现连续作业。
因此，本发明实施例期望提供一种在硅片上沉积背封膜的方法和系统，能够实现清洗托盘时不需要系统周期性地停机以避免生产效率降低的问题，并且在再次利用已清洗托盘的情况下能够实现不需要提供额外的备用托盘因此不会增大生产成本。
参见图4，其示出了本发明实施例提供的一种用于在硅片上沉积背封膜的方法，所述方法可以包括：
S101：针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业；
S102：清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜，并在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业。
优选地，所述方法还可以包括：所述第一托盘被清洗完成后，将所述第一托盘作为待沉积作业的托盘。
优选地，所述清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜，可以包括：
用刻蚀液对所述第一托盘进行喷淋；
用超净水对所述第一托盘进行喷淋；
对所述第一托盘进行干燥处理。
优选地，所述方法还可以包括：运送所述第一托盘依次接受所述刻蚀液的喷淋、所述超净水的喷淋以及所述干燥处理。
优选地，所述方法还可以包括：真空抽吸在用刻蚀液对所述第一托盘进行喷淋以及用超净水对所述第一托盘进行喷淋时产生的飘浮物和反应气。
参见图5，本发明实施例还提供了一种用于在硅片W上沉积背封膜的系统10，所述系统10可以包括：沉积模块100、清洗模块200和运送模块300，其中，沉积模块100可以包括沉积反应器110和沿箭头A5执行运送作业的沉积运送装置120，
所述沉积模块100配置成针对承载于第一托盘T1的硅片W进行沉积作业；
所述清洗模块200配置成清洗所述第一托盘T1以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘T1上的沉积膜，并且所述沉积模块100还配置成在清洗所述第一托盘T1的过程中针对承载于第二托盘T2的硅片进行沉积作业，
所述运送模块300配置成所述第一托盘T1的沉积作业完成后将所述第一托盘T1从所述沉积模块100运送至所述清洗模块200，其中图5中示出了第一托盘T1已经被运送至清洗模块200的情形。
优选地，所述运送模块300还配置成所述第一托盘T1被清洗完成后，将所述第一托盘T1从所述清洗模块200运送至所述沉积模块100。
具体地，在图5中用虚线方框示出了沉积模块100、清洗模块200以及运送模块300所包括的第一运送模块310和第二运送模块320。
如图5中向下指向的箭头A1指示的，第一运送模块310用于将托盘T从沉积模块100运送至清洗模块200。具体地，第一运送模块310包括：设置在沉积模块100和清洗模块200之间的第一导轨311；能够沿着第一导轨311移动的第一机械手312，其中，图5中用实线示出了移动至沉积模块100处的第一机械手312以及所承载的托盘T和硅片W，用虚线示出了移动至清洗模块200处的第一机械手312以及所承载的托盘T；以及下料口313，已背封硅片W经由下料口313移出第一运送模块310，如在图5中用向右指向的箭头A3示出的。
当硅片W在沉积模块100中被沉积上背封膜后，第一机械手312将托盘T和由托盘T承载的硅片W一起从沉积模块100取出。接着，第一机械手312承载着托盘T和硅片W沿着第一导轨311朝向清洗模块200移动。当移动经过下料口313时，第一机械手312经由下料口313将已背封的硅片W移出第一运送模块310，此时托盘T不再承载硅片W，并且之后硅片W可以被存储至例如用于存储背封硅片的存储装置中，或者硅片W可以被直接输送至外延生长装置以在背封硅片上生长外延层。当移动至清洗模块200时，第一机械手312将托盘T放入到清洗模块200中。之后，第一机械手312可以例如通过沿着第一导轨311移动而返回至沉积模块100处，使得第一运送模块310能够执行下一次运送作业。
如图5中向上指向的箭头A2指示的，第二运送模块320用于将托盘T从清洗模块200运送至沉积模块100。具体地，第二运送模块320包括：设置在沉积模块100和清洗模块200之间的第二导轨321；能够沿着第二导轨321移动的第二机械手322，其中，图5中用实线示出了移动至沉积模块100处的第二机械手322以及所承载的托盘T和硅片W，用虚线示出了移动至清洗模块200处的第二机械手322以及所承载的托盘T；以及上料口323，第二运送模块320外部的待背封硅片W经由上料口323被放置到托盘T上，如在图5中用向右的箭头A4示出的。
当托盘T在清洗模块200中被清洗完成后，第二机械手322将托盘T从清洗模块200取出。接着，第二机械手322承载着托盘T沿着第二导轨321朝向沉积模块100移动。当移动经过上料口323时，第二机械手322经由上料口323将待背封的硅片W放置到托盘T上。当移动至沉积模块100时，第二机械手322将托盘T以及承载在托盘T上的硅片W一起放入到沉积模块100中。之后，第二机械手322可以例如通过沿着第二导轨321移动而返回至清洗模块200处，使得第二运送模块320能够执行下一次运送作业。
清除沉积膜通常利用刻蚀液完成，因此优选地，如图5所示，所述清洗模块200可以包括：
刻蚀装置210，配置成用刻蚀液对所述第一托盘T1进行喷淋；
漂净装置220，配置成用超净水对所述第一托盘T1进行喷淋；
干燥装置230，配置成对所述第一托盘T1进行干燥。
对第一托盘T1进行清洗的主要目的是将沉积在第一托盘T1上的如图1和图2中示出的沉积膜F2去除。因此，使用刻蚀装置210来实现上述目的。刻蚀装置210中使用的刻蚀液可以为稀HF溶液或混酸溶液，以对沉积膜F2产生较好的刻蚀作用。
在将沉积膜F2去除之后，刻蚀液会残留在第一托盘T1的表面，此时第一托盘T1并不适于承载硅片W以进行下一次的沉积作业。因此，在喷淋结束之后，使用漂净装置220将残留的刻蚀液清除。漂净装置220中使用的超净水可以为去离子水或超纯水。
在将残留的刻蚀液清除之后，水分会残留在第一托盘T1的表面，此时第一托盘T1仍不适于承载硅片W以进行下一次的沉积作业。因此，在漂净结束之后，使用干燥装置230将残留的水分清除。干燥装置230可以采用热压缩空气完成干燥或采用红外光完成干燥。至此，第一托盘T1适于对硅片W进行承载以进行下一次的沉积作业。
对于第一托盘T1的清洗，刻蚀结束后可以通过第一转移装置将第一托盘T1转移至适于接受漂净装置220的处理的位置处，漂净结束后可以通过第二转移装置将第一托盘T1转移至适于接受干燥装置230的处理的位置处。然而，在本发明的优选实施例中，如图5所示，清洗模块200还可以包括清洗运送装置260，该清洗运送装置260配置成例如沿图5中示出的箭头A6指示的方向运送所述第一托盘T依次接受刻蚀装置210、漂净装置220和干燥装置230的处理。在这种情况下，需要在运送装置260的运送方向上从上游到下游依次排列着刻蚀装置210、漂净装置220和干燥装置230。这样，第一运送模块310的第一机械手312可以将待清洗的托盘T放置在运送装置260中的刻蚀装置210上游的位置处，通过清洗运送装置260对托盘T进行运送可以实现托盘T的自动清洗。
在对托盘T进行喷淋时，刻蚀液可能会喷淋在清洗运送装置260上，因此，清洗运送装置260可以由耐酸耐腐蚀的材料制成，比如可以由PVC制成。另外，清洗运送装置260可以设置有通孔或缕空区域，以便及时将刻蚀液排离。
在刻蚀处理和漂净处理通过喷淋相应的液体实现的情况下，为了避免各个处理之间相互影响，在本发明的优选实施例中，如图5所示，刻蚀装置210、漂净装置220和干燥装置230被分别设置在彼此之间隔开的喷淋区域210A、漂净区域220A和干燥区域230A中。
优选地，如图5所示，所述清洗模块200还可以包括真空抽吸装置250，所述真空抽吸装置250配置成真空抽吸所述刻蚀装置210和所述漂净装置220在作业过程中产生的飘浮物和反应气。在刻蚀装置210、漂净装置220和干燥装置230被分别设置在彼此之间隔开的喷淋区域210A、漂净区域220A和干燥区域230A中，可以在喷淋区域210A、漂净区域220A和干燥区域230A中分别设置真空抽吸装置250。
用刻蚀液对托盘T进行喷淋或用超净水对托盘T进行喷淋都会产生废液，为了不影响环境，在本发明的优选实施例中，参见图5，所述清洗模块200还可以包括废液收集装置240，所述废液收集装置240配置成收集所述刻蚀装置210和所述漂净装置220在作业过程中产生的废液。
系统10还可以包括感测模块(附图中未示出)，感测模块配置成感测清洗模块200中是否存在有托盘T，当感测模块感测到清洗模块200中存在有托盘T时清洗模块200自动开始清洗作业，当感测模块感测到清洗模块200中不存在托盘T时清洗模块200自动停止清洗作业。
需要说明的是：本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种用于在硅片上沉积背封膜的方法，其特征在于，包括：
针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业；
清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜，并在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：所述第一托盘被清洗完成后，将所述第一托盘作为待沉积作业的托盘。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜，包括：
用刻蚀液对所述第一托盘进行喷淋；
用超净水对所述第一托盘进行喷淋；
对所述第一托盘进行干燥处理。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：运送所述第一托盘依次接受所述刻蚀液的喷淋、所述超净水的喷淋以及所述干燥处理。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：真空抽吸在用刻蚀液对所述第一托盘进行喷淋以及用超净水对所述第一托盘进行喷淋时产生的飘浮物和反应气。
6.一种用于在硅片上沉积背封膜的系统，其特征在于，包括：沉积模块、清洗模块和运送模块，
所述沉积模块配置成针对承载于第一托盘的硅片进行沉积作业，
所述清洗模块配置成清洗所述第一托盘以清除所述沉积作业期间沉积在所述第一托盘上的沉积膜，并且所述沉积模块还配置成在清洗所述第一托盘的过程中针对承载于第二托盘的硅片进行沉积作业，
所述运送模块配置成所述第一托盘的沉积作业完成后将所述第一托盘从所述沉积模块运送至所述清洗模块。
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述运送模块还配置成所述第一托盘被清洗完成后，将所述第一托盘从所述清洗模块运送至所述沉积模块。
8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述清洗模块包括：
刻蚀装置，配置成用刻蚀液对所述第一托盘进行喷淋；
漂净装置，配置成用超净水对所述第一托盘进行喷淋；
干燥装置，配置成对所述第一托盘进行干燥处理。
9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述清洗模块还包括清洗运送装置，所述清洗运送装置配置成运送所述第一托盘依次接受所述刻蚀装置、所述漂净装置和所述干燥装置的处理。
10.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述清洗模块还包括真空抽吸装置，所述真空抽吸装置配置成真空抽吸所述刻蚀装置和所述漂净装置在作业过程中产生的飘浮物和反应气。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725070A (zh) * | 2021-11-01 | 2021-11-30 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于背封硅片的方法和设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001107244A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-17 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体成膜装置の洗浄方法及び洗浄装置 |
| KR20110136956A (ko) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | 주식회사 원익아이피에스 | 태양전지용 박막증착공정장치의 트레이 세정방법 |
| CN110643974A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-03 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种托盘回传清洗机构及一种对托盘进行清洗的方法 |
-
2020
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001107244A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-17 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体成膜装置の洗浄方法及び洗浄装置 |
| KR20110136956A (ko) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | 주식회사 원익아이피에스 | 태양전지용 박막증착공정장치의 트레이 세정방법 |
| CN110643974A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-03 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种托盘回传清洗机构及一种对托盘进行清洗的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725070A (zh) * | 2021-11-01 | 2021-11-30 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于背封硅片的方法和设备 |
| CN113725070B (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-25 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于背封硅片的方法和设备 |
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