CN116487303B - 半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法及电子设备。该方法包括：从半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点；获取处于第一初始站点和第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次；从第一生产批次中确定尚未在第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次；从第一候选生产批次中确定第一目标生产批次；控制第一目标氮气吹扫站点对第一目标生产批次进行氮气吹扫，可以实现氮气吹扫智能化和提高半导体产品的产能。
Description
技术领域
本公开涉及半导体产品制造领域，具体而言，涉及一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法及电子设备。
背景技术
在半导体产品制造过程中，通常使用各种气体参与半导体器件电气特性所需的化学反应，在半导体器件制程过程中残留的气体极易形成气体冷凝（Gas Condense）。由残留气体形成的气体冷凝极其容易对关键尺寸很小的布图造成破坏，从而导致出现短路等不良情况。采用氮气吹扫（N2 Purge）可以防止气体冷凝，提高半导体产品的良率。但相关技术中控制氮气吹扫的方式不够灵活，需要预先手动在固定的制程工艺机台设置氮气吹扫站点，还会导致有些不需要氮气吹扫的场景执行了氮气吹扫，有些需要氮气吹扫的场景未执行氮气吹扫，降低了半导体产品的产能和良率。
发明内容
本公开实施例提供了一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法，包括：从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点；获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次；从所述第一生产批次中确定尚未在所述第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次；从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次；控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：设置批次类型。其中，获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次，包括：获取处于所述第一区间内的第一初始生产批次；从所述第一初始生产批次中确定满足所述批次类型的所述第一生产批次。
本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：设置吹扫类型；其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，包括：若所述吹扫类型为默认定时吹扫类型，则判定所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次。其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，包括：控制所述第一目标生产批次从其当前制程工艺机台转移至所述第一目标氮气吹扫站点，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；控制所述第一目标氮气吹扫站点根据所述默认定时吹扫类型，对所述第一目标生产批次执行预定时长的氮气吹扫。
本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：设置吹扫类型；若所述吹扫类型为持续吹扫类型，则设置等待时长和吹扫时长。其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，包括：判定在当前制程工艺机台的等待时长大于或等于所述等待时长的所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内。其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，包括：控制所述第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次执行所述吹扫时长的氮气吹扫。
本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：检测所述第一目标生产批次进行氮气吹扫的吹扫时长；当所述吹扫时长达到预定时长或吹扫时长，控制所述第一目标氮气吹扫站点停止对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫；控制所述第一目标生产批次转移至其当前制程工艺机台执行相应的制程工艺。
本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：在氮气吹扫期间，检测到为所述第一目标生产批次分配对应的当前制程工艺机台；若氮气吹扫未达到预定时长或吹扫时长，控制所述第一目标氮气吹扫站点停止对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫；控制所述第一目标生产批次转移至其当前制程工艺机台执行相应的制程工艺。
本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：获取承载所述第一目标生产批次的承载载体类型和/或污染等级标识；根据承载类型和/或污染等级确定所述第一目标生产批次的第一动态路由标识；根据所述第一动态路由标识控制将所述第一目标生产批次转移至所述第一目标氮气吹扫站点，以对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：设置所述第一动态路由标识对应的机台标识及其对应的吹扫配方参数；确定所述第一目标生产批次对应的当前制程工艺机台，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；根据所述机台标识确定与所述当前制程工艺机台对应的吹扫配方参数，以控制所述第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
本公开的一些示例性实施例中，该方法还包括：从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第二初始站点和第二结束站点；获取处于所述第二初始站点和所述第二结束站点之间的第二区间内的第二生产批次，所述第一区间与所述第二区间无重叠；从所述第二生产批次中确定尚未在所述第二区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第二候选生产批次；从所述第二候选生产批次中确定第二目标生产批次；控制第二目标氮气吹扫站点对所述第二目标生产批次进行氮气吹扫。
根据本公开的再一个方面，提供一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现装置，包括：设置单元，用于从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点；获取单元，用于获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次；确定单元，用于从所述第一生产批次中确定尚未在所述第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次；所述确定单元，还用于从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次；控制单元，用于控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
根据本公开的又一个方面，提供一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储器，配置为存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如本公开任一实施例所述的方法。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
图1是动态随机存取存储器中因气体冷凝而形成的位线接触颈缩的结构示意图。
图2是本公开一示例性实施例的半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法的流程图。
图3是OHB（Over Head Buffer，储存货架）氮气吹扫装置。
图4是本公开一示例性实施例的半导体产品制造过程中氮气吹扫实现装置的框图。
图5是本公开一示例性实施例中的氮气吹扫实现系统的架构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。
在半导体产品制造过程中，例如动态随机存取存储器（Dynamic Random AccessMemory，DRAM）的制造过程中，需要制造用于存储电荷的电容和存取电容中电荷的晶体管。在上述过程中，通常使用各种气体参与半导体器件电气特性所需的化学反应，其中在存储器蚀刻/薄膜制程过程中残留的气体极易形成气体冷凝（Gas Condense）。
由残留气体形成的气体冷凝极其容易对关键尺寸很小的布图造成破坏，从而导致出现短路等不良情况，例如，如图1中所示的位线接触颈缩（Bit Line Contact Necking，简称BLC Necking）100。为解决上述技术问题，通常会采用氮气吹扫功能来冲洗在器件制造过程中残留的气体，从而减少气体冷凝的发生。
相关技术中，在设定半导体产品各个生产批次（Lot）的跑货逻辑（Basic Record，简称BR）的时候，需要预先在BR系统相关制程站点逐一添加氮气吹扫站点，一方面，在BR系统相关制程站点逐一添加氮气吹扫站点会降低跑货逻辑设置时的效率，提升跑货逻辑设置的复杂度；另一方面，跑货逻辑一旦设定，无法根据BR系统相关制程站点的实际氮气吹扫需求对氮气吹扫机台的设置做实时调整。在某些制程站点不需要进行氮气吹扫的时候，预先设置的氮气吹扫站点处于闲置状态，造成产能上的浪费。或者，在某些制程站点需要氮气吹扫时，由于没有提前添加氮气吹扫站点，导致良率降低。此外，相关技术中氮气吹扫站点的吹扫时长无法根据实际需要进行灵活设置，由此导致吹扫时长过长或者吹扫时长不足的问题。
为有效提高在半导体制造过程中自动物料输送系统（Automatic MaterialHandling System，简称AMHS）的产能和提高氮气吹扫站点的使用率，本公开实施例提供一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法及电子设备，通过对半导体产品各个生产批次的跑货逻辑进行智能干预，有效改善自动物料输送系统中天车系统输送的利用率，提高产能，以及对氮气吹扫时间进行智能调整，进而能够提高AMHS的产能以及氮气吹扫站点的利用率，进而有效的保护半导体产品。
为了便于整体理解本公开实施例提供的技术方案，接下来先对本公开实施例提供的氮气吹扫实现方法及电子设备进行说明。
如图2所示，本公开实施例提供的半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法可以包括如下步骤。可以理解的是，本公开实施例提供的方法可以由任意的电子设备执行。
在S210中，从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点。
本公开实施例中的半导体产品可以是任意的半导体芯片或器件，例如DRAM，本公开对半导体产品的类型不做限定。制程工艺机台可以包括用于制作该半导体产品所涉及的任意机台，例如刻蚀机台，光刻机台，薄膜沉积机台等，本公开不对制程工艺机台的数量和类型做限定，根据实际制程工艺进行确定。
本公开实施例中，可以从该半导体产品的制程工艺机台中设置其中一个制程工艺机台作为第一初始站点，将另一个制程工艺机台设置为第一结束站点，以指示对该第一初始站点和该第一结束站点之间的制程工艺机台（包括该第一初始站点对应的制程工艺机台和该第一结束站点对应的制程工艺机台）进行检测，判断到达这些制程工艺机台的生产批次是否需要执行氮气吹扫以及如何执行氮气吹扫。第一初始站点可以是任意一制程工艺机台，第一结束站点可以是按照制程顺序处于该第一初始站点之后的任意一制程工艺机台。
在S220中，获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次。
在示例性实施例中，本公开实施例提供的方法还可以包括：设置批次类型。其中，获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次，可以包括：获取处于所述第一区间内的第一初始生产批次；从所述第一初始生产批次中确定满足所述批次类型的所述第一生产批次。
本公开实施例中，第一初始生产批次是指处于该第一区间内的任意制程工艺机台的生产批次。批次类型用于指示对何种类型的生产批次执行氮气吹扫，或者对何种类型的生产批次不执行氮气吹扫。例如批次类型可以为重要批次，即将各生产批次分类为重要批次和不重要批次，只将被标记为重要批次的第一初始生产批次挑选出来作为第一生产批次，以执行后续的氮气吹扫。对于标记为不重要批次的第一初始生产批次，则不执行氮气吹扫。
本公开实施例中，可以根据实际生产需要来确定何种类型的生产批次为重要批次，何种类型的为不重要批次，例如生产之后面向客户的批次确定为重要批次，用于试验研究的批次确定为不重要批次，或者，生产之后面向客户的批次确定为不重要批次，用于试验研究的批次确定为重要批次，本公开对此不做限定。
本公开实施例可以通过设置批次类型来选择重要批次执行氮气吹扫，由此可以进一步提升氮气吹扫的效率，提升制程工艺机台的产能。
在S230中，从所述第一生产批次中确定尚未在所述第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次。
实际生产中，每种制程工艺机台的数量是有限的，而同时到达制程工艺机台的生产批次数量较多，无法并行地同时处理该多个生产批次，即有一部分生产批次处于等待状态。例如，假设第一生产批次包括100个Lot，而制程工艺机台只有10台，则有90个Lot处于等待状态，即将这90个Lot确定为第一候选生产批次，用于后续判断是否要执行氮气吹扫。
在S240中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次。
在S250中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
本公开实施方式提供的方法，通过从半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点，即可实现自动检测处于该第一初始站点和第一结束站点之间的第一区间内的各制程工艺机台的第一生产批次，从中确定出采用第一目标氮气吹扫站点对其中的第一目标生产批次进行氮气吹扫，一方面，由于不需要在BR系统相关制程站点预先设置固定的氮气吹扫机台，提升了BR系统相关制程站点设置的效率，降低了BR系统相关制程站点的设置复杂度；另一方面，可以仅对有氮气吹扫需求的第一目标生产批次执行氮气吹扫，提升了氮气吹扫的效率，避免了氮气吹扫站点的闲置，同时可以防止气体冷凝，提升了产品良率。
在示例性实施例中，本公开实施例提供的方法还可以包括：设置吹扫类型。其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，可以包括：若所述吹扫类型为默认定时吹扫类型，则判定所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次。其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，可以包括：控制所述第一目标生产批次从其当前制程工艺机台转移至所述第一目标氮气吹扫站点，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；控制所述第一目标氮气吹扫站点根据所述默认定时吹扫类型，对所述第一目标生产批次执行预定时长的氮气吹扫。
在示例性实施例中，本公开实施例提供的方法还可以包括：设置吹扫类型；若所述吹扫类型为持续吹扫类型，则设置预设等待时长和预设吹扫时长。其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，可以包括：判定在当前制程工艺机台的等待时长大于或等于所述预设等待时长的所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内。其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，可以包括：控制所述第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次执行所述预设吹扫时长的氮气吹扫。
本公开实施例中，可以设置吹扫类型，吹扫类型可以为默认定时吹扫类型或持续吹扫类型，其中默认定时吹扫类型是指默认执行预定时长的氮气吹扫，该预定时长可以根据实际需求设置，例如7分钟（min）、10分钟、15分钟，本公开对预定时长的取值不做限定。持续吹扫类型是指可以自由设置所需的预设等待时长和预设吹扫时长，针对不同的目标生产批次可以设置不同的预设等待时长和/或不同的预设吹扫时长，以满足不同批次产品的实际吹扫需求。其中，预设等待时长是指检测各生产批次在其所到达的制程工艺机台的等待的时长是否超过了该预设等待时长，若未超过该预设等待时长，则不对其执行氮气吹扫，只有当其等待的时长等于或大于该预设等待时长时，才执行氮气吹扫。
本公开实施例中在设置吹扫类型为持续吹扫类型时，可以进一步设置预设等待时长和预设吹扫时长，由此可以为不同的生产批次设置不同的预设等待时长和/或预设吹扫时长，具体每个生产批次所设置的预设等待时长可以根据同类型的历史生产批次的数据来确定，例如根据历史生产批次的数据确定某种类型的生产批次在等待30分钟后才会产生气体冷凝，则该类型的生产批次的预设等待时长可以设置为30分钟，而另一类型的生产批次在等待300分钟后才会产生气体冷凝，则该另一类型的生产批次的预设等待时长可以设置为300分钟。由此可以进一步提升氮气吹扫站点的有效利用率，并提升半导体产品的良率和产能。
在示例性实施例中，本公开实施例提供的方法还可以包括：检测所述第一目标生产批次进行氮气吹扫的吹扫时长；当所述吹扫时长达到预定时长或预设吹扫时长时，控制所述第一目标氮气吹扫站点停止对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫；控制所述第一目标生产批次转移至其当前制程工艺机台执行相应的制程工艺。
在示例性实施例中，本公开实施例提供的方法还可以包括：在氮气吹扫期间，检测到为所述第一目标生产批次分配对应的当前制程工艺机台；若氮气吹扫的吹扫时长未达到预定时长或预设吹扫时长，控制所述第一目标氮气吹扫站点停止对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫；控制所述第一目标生产批次转移至其当前制程工艺机台执行相应的制程工艺。
本公开实施例中，当之前分配了制程工艺机台的Lot处理完之后，有空闲的制程工艺机台，则此时即使该第一目标生产批次执行氮气吹扫的吹扫时长未达到上述预定时长或预设吹扫时长，也会控制停止对该第一目标生产批次的氮气吹扫，以进一步提升氮气吹扫机台的利用效率和制程工艺机台的产能。
在示例性实施例中，本公开实施例提供的方法还可以包括：获取承载所述第一目标生产批次的承载载体类型和/或污染等级标识；根据承载载体类型和/或污染等级标识确定所述第一目标生产批次的第一动态路由标识；根据所述第一动态路由标识控制将所述第一目标生产批次转移至所述第一目标氮气吹扫站点，以对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
本公开实施例中，承载载体类型是指用于承载生产批次的载体所采用的材料的类型，下面以承载载体为前开式晶圆传送盒（Front Opening Unified Pod，简称为FOUP）为例，但本公开并不限定于此。污染等级标识用于指示不同的污染等级。本公开实施例中可以根据承载载体类型和/或污染等级标识来为不同的生产批次配置不同的动态路由标识，动态路由标识用于指示各生产批次所对应的氮气吹扫站点，由此可将具有相同承载载体类型和/或相同污染等级标识的生产批次使用同一类型或相同的氮气吹扫站点执行氮气吹扫，可以防止半导体产品之间的交叉污染。
在示例性实施例中，本公开实施例提供的方法还可以包括：设置所述第一动态路由标识对应的机台标识及其对应的吹扫配方参数；确定所述第一目标生产批次对应的当前制程工艺机台，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；根据所述机台标识确定与所述当前制程工艺机台对应的吹扫配方参数，以控制所述第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
本公开实施例中，吹扫配方参数是指用于指示氮气吹扫站点执行氮气吹扫时所采用的方式，例如是从正面吹扫，还是反面吹扫，氮气的浓度，氮气的流速，气压等等参数。通过将各个动态路由标识和对应的机台标识及其吹扫配方参数预先映射，可以在确定第一目标生产批次所对应的第一动态路由标识之后，确定该第一目标生产批次所对应的当前制程工艺机台的机台标识所对应的吹扫配方参数，从而可以实现自动根据该吹扫配方参数控制第一目标氮气吹扫站点对该第一目标生产批次执行氮气吹扫，由此可以实现针对不同的目标生产批次、在不同的制程工艺机台和不同的目标氮气吹扫站点采用不同的吹扫配方参数。
在示例性实施例中，本公开实施例提供的方法还可以包括：从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第二初始站点和第二结束站点；获取处于所述第二初始站点和所述第二结束站点之间的第二区间内的第二生产批次，所述第一区间与所述第二区间无重叠；从所述第二生产批次中确定尚未在所述第二区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第二候选生产批次；从所述第二候选生产批次中确定第二目标生产批次；控制第二目标氮气吹扫站点对所述第二目标生产批次进行氮气吹扫。
本公开实施例中，在设置不同的初始站点和结束站点对时，通过让不同的初始站点和结束站点对之间无重叠，可以避免氮气吹扫之间的冲突，提升氮气吹扫的控制准确性。
本公开实施例中的氮气吹扫站点可以采用独立的氮气吹扫机台，也可以采用通过AMHS的天车系统输送的氮气注入货架（N2 Purge Overhead Buffer，N2 OHB），置于天车轨道下方，是对FOUP具有氮气注入保护功能的储存货架，图3中以OHB为例，但本公开并不限定于此。
在半导体制造过程中，在使用晶圆制成芯片时，气体是制程工艺的重要组成部分，例如，当将装载有生产批次的前开式晶圆传送盒（FOUP）传送到制程工艺机台进行相应的制程工艺时，例如光刻、刻蚀、沉积、以及清洗等制程工艺，前开式晶圆传送盒在进入当前所需的制程工艺机台时处于等待状态，在此等待阶段，需要通过氮气吹扫站点对前开式晶圆传送盒进行氮气吹扫。
在制造过程中，可以将待加工的晶圆分为不同的生产批次传送至相应的制程工艺机台，同一生产批次的晶圆被装载到一个FOUP中。
在半导体产品的制程中，设置有多个不同的制程工艺机台，来对晶圆进行不同的制程工艺，并在需要进行氮气吹扫的BR系统相关制程等站点逐一添加N2 AMHS站点，例如，在序号为A1的制程工艺站点之后添加编号为A2的氮气吹扫站点，在序号为B1的制程工艺站点之后添加编号为B2的氮气吹扫站点，还在序号为C1的制程工艺站点之后添加编号为C2的氮气吹扫站点。
表1
可以理解的是，表1以位线接触结构制程工艺进行举例说明，但本公开并不限定于此。此外，上述第一制程工艺至第十七制程工艺可以是蚀刻、关键尺寸（criticaldimension，CD）量测、灰化、清洗、光刻、薄膜生长、扩散、深度量测、缺陷量测、厚度量测等中的任意几种的组合，部分制程工艺可以相同，部分制程工艺可以不同，具体的每种制程工艺可以根据实际生产需要进行设置，本公开对此不做限定。
从表1中可以看出，从编号为B3的站点到编号为C1的站点区间内，由于未预先设置N2吹扫站点，当此区间内的生产批次处于长时等待不能进入相应的制程工艺机台进行制程工艺操作时，无法对处于长时等待的生产批次进行氮气吹扫，这很有可能会导致晶圆上形成的半导体器件会形成如图1所示出的位线接触颈部缩问题。
此外，当BR系统的跑货逻辑一旦设定后，当生产批次在离开上一个制程工艺站点与进入下一个制程工艺站点这期间的等待时长即便很短，并不需要进行氮气吹扫，然而由于BR系统的跑货逻辑事先已经设定好，无法再根据等待时长来做更改，生产批次只能到达处于上述两个制程工艺站点之间的氮气吹扫站点，并进行氮气吹扫。并且，在BR系统的跑货逻辑设定中，无法根据实际氮气吹扫的需要，对氮气吹扫时长进行自由设定。
本公开提供了一种改进的氮气吹扫实现方式，不需要在BR系统相关制程等站点逐一添加氮气吹扫站点，这样可以节省BR系统作业时间。采用本公开实施例提供的方法，在BR系统相关制程站点均未添加氮气吹扫站点，而是只需要为氮气吹扫注册相应的氮气吹扫初始站点和结束站点，当生产批次在初始站点和结束站点的区间内的任一制程工艺站点的等待时长超过预设等待时长，都会将对应的生产批次自动切入氮气吹扫。更具体地，从半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点，例如，可以设置编号为A2的站点为第一初始站点，编号为C2的站点为第一结束站点。有若干生产批次位于等待区，从等待区获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次，从所述第一生产批次中确定尚未在所述第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次，这些第一候选生产批次处于等待状态，等待进入第一区间内的任一制程工艺机台上执行相应的制程工艺，其中，有些生产批次的等待时长已经超过了预设等待时长，即从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，然后通过天车系统，将第一目标生产批次运送到第一目标氮气吹扫站点，以对第一目标生产批次进行氮气吹扫。
在有些情况下，生产批次从上一个制程工艺机台运送到当前制程工艺机台的过程中所经历的等待时间非常短，并不需要进行氮气吹扫，这种情况下，就不对生产批次进行氮气吹扫。只有当在当前制程工艺机台的等待时长大于或等于预设等待时长，才对生产批次进行氮气吹扫。
如图4所示，本公开实施例还提供一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现装置400，可以包括：设置单元410，可以用于从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点；获取单元420，可以用于获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次；确定单元430，可以用于从所述第一生产批次中确定尚未在所述第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次；确定单元430，还可以用于从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次；控制单元440，可以用于控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
图4实施例中提供的装置的其他内容可参考上述其他实施例，在此不再赘述。
本公开的氮气吹扫实现系统，如图5所示，由位于插件主机520（可以是任意的电子设备）中的插件软件来生成动态路由标识，包括设置动态路由标识对应的机台标识及其对应的吹扫配方参数，其中吹扫配方参数包括吹扫风向和流速等参数，插件主机520将动态路由标识指令发送给物料管理（Material Management，简称MM）系统510，MM系统510根据每一条动态路由标识中包含的信息，发送具体的调送生产批次的指令，将生产批次调送到对应的制程工艺机台530或氮气吹扫机台540中，由此，生产批次在不同的制程工艺机台530和氮气吹扫机台540之间来回运送。其中，相关的制程工艺机台处于动态路由标识中所设置的初始站点和结束站点限定的区间内。
此外，动态路由标识中还包括目标生产批次的承载载体类型和/或污染等级标识。图5实施例中提供的系统的其他内容可参考上述其他实施例，在此不再赘述。
根据本公开的又一个方面，提供一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储器，配置为存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如本公开任一实施例提供的方法。
本公开实施例的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。此外，术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、装置、产品或设备没有限定于已列出的步骤或模块，而是可选地还包括没有列出的步骤或模块，或可选地还包括对于这些过程、方法、装置、产品或设备固有的其他步骤单元。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在该说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开的范围。
本公开实施例提供的方法及相关装置是参照本公开实施例提供的方法流程图和/或结构示意图来描述的，具体可由计算机程序指令实现方法流程图和/或结构示意图的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。这些计算机程序指令可提供到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程应用显示设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程应用显示设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或结构示意图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程应用显示设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或结构示意图一个方框或多个方框中指定的功能。这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程应用显示设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或结构示意一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和构思由权利要求指出。
Claims (10)
1.一种半导体产品制造过程中氮气吹扫实现方法，其特征在于，包括：
从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第一初始站点和第一结束站点；
获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次；
从所述第一生产批次中确定尚未在所述第一区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第一候选生产批次；
从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次；
控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
设置批次类型；
其中，获取处于所述第一初始站点和所述第一结束站点之间的第一区间内的第一生产批次，包括：
获取处于所述第一区间内的第一初始生产批次；
从所述第一初始生产批次中确定满足所述批次类型的所述第一生产批次。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
设置吹扫类型；
其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，包括：
若所述吹扫类型为默认定时吹扫类型，则判定所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次；
其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，包括：
控制所述第一目标生产批次从其当前制程工艺机台转移至所述第一目标氮气吹扫站点，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；
控制所述第一目标氮气吹扫站点根据所述默认定时吹扫类型，对所述第一目标生产批次执行预定时长的氮气吹扫。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
设置吹扫类型；
若所述吹扫类型为持续吹扫类型，则设置预设等待时长和预设吹扫时长；
其中，从所述第一候选生产批次中确定第一目标生产批次，包括：
判定在当前制程工艺机台的等待时长大于或等于所述预设等待时长的所述第一候选生产批次为所述第一目标生产批次，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；
其中，控制第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫，包括：
控制所述第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次执行所述预设吹扫时长的氮气吹扫。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，还包括：
检测所述第一目标生产批次进行氮气吹扫的吹扫时长；
当所述吹扫时长达到预定时长或预设吹扫时长时，控制所述第一目标氮气吹扫站点停止对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫；
控制所述第一目标生产批次转移至其当前制程工艺机台执行相应的制程工艺。
6.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，还包括：
在氮气吹扫期间，检测到为所述第一目标生产批次分配对应的当前制程工艺机台；
若氮气吹扫的吹扫时长未达到预定时长或预设吹扫时长，控制所述第一目标氮气吹扫站点停止对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫；
控制所述第一目标生产批次转移至其当前制程工艺机台执行相应的制程工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
获取承载所述第一目标生产批次的承载载体类型和/或污染等级标识；
根据承载载体类型和/或污染等级标识确定所述第一目标生产批次的第一动态路由标识；
根据所述第一动态路由标识控制将所述第一目标生产批次转移至所述第一目标氮气吹扫站点，以对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
设置所述第一动态路由标识对应的机台标识及其对应的吹扫配方参数；
确定所述第一目标生产批次对应的当前制程工艺机台，所述当前制程工艺机台处于所述第一区间内；
根据所述机台标识确定与所述当前制程工艺机台对应的吹扫配方参数，以控制所述第一目标氮气吹扫站点对所述第一目标生产批次进行氮气吹扫。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
从所述半导体产品的制程工艺机台中设置第二初始站点和第二结束站点；
获取处于所述第二初始站点和所述第二结束站点之间的第二区间内的第二生产批次，所述第一区间与所述第二区间无重叠；
从所述第二生产批次中确定尚未在所述第二区间内的制程工艺机台上执行制程工艺的第二候选生产批次；
从所述第二候选生产批次中确定第二目标生产批次；
控制第二目标氮气吹扫站点对所述第二目标生产批次进行氮气吹扫。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：
一个或多个处理器；
存储器，配置为存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如权利要求1至9任一项所述的方法。
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