CN111446182A - 一种机械手调度方法 - Google Patents

一种机械手调度方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111446182A
CN111446182A CN201910039496.6A CN201910039496A CN111446182A CN 111446182 A CN111446182 A CN 111446182A CN 201910039496 A CN201910039496 A CN 201910039496A CN 111446182 A CN111446182 A CN 111446182A
Authority
CN
China
Prior art keywords
scheduling
manipulator
wafer
time
atmospheric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910039496.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111446182B (zh
Inventor
张洪蛟
李爱兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority to CN201910039496.6A priority Critical patent/CN111446182B/zh
Publication of CN111446182A publication Critical patent/CN111446182A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111446182B publication Critical patent/CN111446182B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种机械手调度方法，包括第一调度过程，所述第一调度过程包括以下步骤：S1：获取半导体设备的晶片状态信息，所述晶片状态信息包括：晶片在所述半导体设备各个区域的分布状态以及加工状态；S2：基于所述晶片在各个区域的分布状态，检测优先区域是否有空置；若是，执行步骤S3；若否，执行步骤S4；S3：控制机械手向所述优先区域放置未加工的晶片；S4：根据所述晶片在各个区域的加工状态，检测是否有加工完成的晶片；若是，执行步骤S5；S5：控制机械手取出所述加工完成的晶片。通过本发明，保证了优先区域的使用效率。

Description

一种机械手调度方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种机械手调度方法。
背景技术
半导体设备中，清洗设备用来处理影响芯片良率的残留物，为下一步工序准备好最佳的表面条件。清洗设备主要模块如下：
片盒1用来装载硅片的容器，通常设有25个槽位，每个槽位可以放置一片硅片，片盒放置在加载口上。
脏缓冲区3用于暂存即将准备做清洗工艺的硅片。
净缓冲区4用于暂存已经做完清洗工艺的硅片。
工艺腔室6用于执行硅片的清洗工艺，图1中,该清洗设备包括8个工艺腔室6。
大气机械手2负责大气端不同工位间硅片传送的关键自动化设备，如图1所示，大气机械手2主要负责将硅片在片盒1，脏缓冲区2及净缓冲区4之间的传送。
真空机械手5负责真空端不同工位间硅片传送的关键自动化设备，如图1所示，真空机械手5负责硅片在工艺腔室6、脏缓冲区2及净缓冲区4之间的传送。
清洗设备工作流程如下：(1)大气机械手2从片盒1取待清洗硅片放到脏缓冲区3；(2)真空机械手5从脏缓冲区3取待清洗硅片放到工艺腔室6；(3)工艺腔室6对待清洗的硅片进行清洗工艺；(4)为了避免已完成清洗工艺的硅片受到污染，真空机械手5从工艺腔室6取清洗后的硅片放到净缓冲区4；(5)大气机械手从净缓冲区4抓取经过清洗工艺后的硅片，放到片盒1的指定槽位。
半导体清洗传输装置的片盒1最多可以装载25片硅片，每个工艺腔室可下发的工艺配方文件不一定相同，可下发相同工艺配方的工艺腔室可以看作是并行的，即当某一工艺腔室被占用，硅片可以放至任何一个并行工艺腔室中执行清洗工艺。除去片盒最多可以装载25片硅片，其余各个模块的最大容量均为1，即最多可装载1片硅片。大气机械手与真空机械手的取片时间为1秒，放片时间为1秒，工艺腔室的工艺时间由工艺配方决定。
为了满足不同工艺需求，提升产能，工艺腔室的数量也在不断的增加，然而随着工艺腔室数量的增加，机械手的调度显得尤其重要，在调度机械手的过程中，如何保障各工艺腔室晶片供给的同时最大限度地利用工艺腔室，以使设备的产能达到最大化是亟待解决的技术难题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种机械手调度方法。
为实现本发明的目的而提供一种机械手调度方法，包括第一调度过程，所述第一调度过程包括以下步骤：
S1：获取半导体设备的晶片状态信息，所述晶片状态信息包括：晶片在所述半导体设备各个区域的分布状态以及加工状态；
S2：基于所述晶片在各个区域的分布状态，检测优先区域是否有空置；若是，执行步骤S3；若否，执行步骤S4；
S3：控制机械手向所述优先区域放置未加工的晶片；
S4：根据所述晶片在各个区域的加工状态，检测是否有加工完成的晶片；若是，执行步骤S5；
S5：控制机械手取出所述加工完成的晶片。
优选地，所述第一调度过程应用于真空机械手的调度，所述优先区域为所有工艺腔。
优选地，还包括第二调度过程，所述第二调度过程应用于大气机械手的调度；所述第二调度过程包括以下步骤：
S101：获取缓冲腔的晶片状态信息；
S102：基于所述晶片状态信息，获取所述大气机械手的所有调度路径；
S103：计算各个调度路径的使用率，以使用率最高的路径作为当前调度路径；
S104：按当前调度路径对所述大气机械手进行调度。
优选地，所述步骤S104进一步包括以下步骤：
S1041：检测当前调度路径中所述大气机械手是否满足调度条件；若是，则执行步骤S1042；若否，则执行步骤S1043；
S1042：对所述大气机械手进行调度；
S1043：控制所述大气机械手等待，并返回所述步骤S1041。
优选地，所述使用率为：所述大气机械手的使用时间与总时间的比值；
所述总时间为所述大气机械手的空闲时间与所述使用时间的总和；
所述使用时间为取片时间、放片时间及传片时间的总和。
优选地，在所述步骤S104之后，所述方法还包括以下步骤：
S105：检测所述缓冲腔的脏缓冲区与净缓冲区是否还存在晶片；若是，返回执行步骤S101；若否，结束所述第二调度过程。
优选地，所述第一调度过程应用于大气机械手的调度；所述优先区域为缓冲腔的脏缓冲区，所述脏缓冲区为向各个工艺腔提供晶片的区域。
优选地，还包括第三调度过程，所述第三调度过程应用于真空机械手的调度；所述第三调度过程包括以下步骤：
S201：获取缓冲腔以及各个工艺腔的晶片状态信息；
S202：基于所述缓冲腔以及所述各个工艺腔的晶片状态信息，获取所述真空机械手的所有调度路径；
S203：计算各个调度路径的使用率，以使用率最高的路径作为当前调度路径；
S204：按当前调度路径对所述真空机械手进行调度。
优选地，所述步骤S204进一步包括以下步骤：
S2041：检测当前调度路径中所述真空机械手是否满足调度条件；若是，则执行步骤S2042；若否，则执行步骤S2043；
S2042：对所述大气机械手进行调度；
S2043：控制所述大气机械手等待，并返回所述步骤S2041。
优选地，所述使用率为：所述真空机械手的使用时间与总时间的比值；
所述总时间为所述真空机械手的空闲时间与所述使用时间的总和；
所述使用时间为取片时间、放片时间及传片时间的总和。
优选地，在所述步骤S204之后，所述方法还包括以下步骤：
S205：检测所述缓冲腔与所述各个工艺腔是否还存在晶片；若是，返回执行步骤S201；若否，结束所述第三调度过程。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的机械手调度方法，获取半导体设备的晶片状态信息，晶片状态信息包括：晶片在各个区域的分布状态以及加工状态；基于晶片在各个区域的分布状态，检测优先区域是否空置，并在优先区域空置时向空置的优先区域放置未加工的晶片；根据晶片在各个区域的加工状态，检测是否有加工完成的晶片，若是，控制机械手取出加工完成的晶片。本发明中，在优先区域空置时，优先向优先区域提供晶片，使优先区域不会长时间空置，从而保证了优先区域的使用效率。
附图说明
图1为现有技术中清洗设备的一种结构示意图；
图2为本发明实施例中第一调度过程的一种流程图；
图3为本发明实施例中第二调度过程的一种流程图；
图4为本发明实施例中第二调度过程的另一种流程图；
图5为本发明实施例中第三调度过程的一种流程图；
图6为本发明实施例中第三调度过程的另一种流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的机械手调度方法进行详细描述。
实施一
本发明提供了一种机械手调度方法，该方法包括：第一调度过程，具体地，如图2所示，第一调度过程包括以下步骤：
步骤S1：获取半导体设备的晶片状态信息，晶片状态信息包括：晶片在半导体设备各个区域的分布状态以及加工状态。
具体地，该区域是指半导体设备的各个腔室以及腔室中不同空间，比如，区域为半导体设备的工艺腔、片盒、缓冲腔中脏缓冲区以及缓冲腔中的净缓冲区，脏缓冲区为缓冲腔中向各个工艺腔提供晶片的区域，净缓冲区为缓冲腔中向片盒提供加工完成晶片的区域。
步骤S2：基于晶片在各个区域的分布状态，检测优先区域是否有空置；若是，执行步骤S3；若否，执行步骤S4。
具体地，优先区域为半导体设备中优先判断的区域，针对不同的半导体设备的不同机械手具有不同的优先区域。比如，针对半导体清洗设备的大气机械手调度，优先区域可以是缓冲腔中的脏缓冲区；针对半导体清洗设备的真空机械手调度，优先区域可以是所有工艺腔。
具体地，晶片在各个区域的分布状态是指：半导体设备的各个区域是否有晶片，当区域中无晶片，确定区域空置。
步骤S3：控制机械手向优先区域放置未加工的晶片。
步骤S4：根据晶片在各个区域的加工状态，检测是否有加工完成的晶片；若是，执行步骤S5；若否，结束第一调度过程。
具体地，晶片在各个区域的加工状态是指，各个区域中的晶片是否加工完成，进一步，加工状态还包括：已加工完成、未加工完成。
步骤S5：控制机械手取出加工完成的晶片。
本发明实施例提供的机械手调度方法，获取半导体设备的晶片状态信息，晶片状态信息包括：晶片在各个区域的分布状态以及加工状态；基于晶片在各个区域的分布状态，检测优先区域是否空置，并在优先区域空置时向空置的优先区域放置未加工的晶片；根据晶片在各个区域的加工状态，检测是否有加工完成的晶片，若是，控制机械手取出加工完成的晶片。本发明中，在优先区域空置时，优先向空置的优先区域提供晶片，使优先区域不会长时间空置，从而保证了优先区域的使用效率。需要说明的是，优先区域的使用效率是指最大限度的使用优先区域。
具体地，第一调度过程应用于真空机械手和/大气机械手的调度。本实施例本实施例中，由于大气机械手与真空机械手的工作互不干涉的，因此，第一调度过程可以同时应用于大气机械手与真空机械手的调度，当然，第一调度过程也可以单独应用于大气机械手或真空机械手的调度。
进一步，本发明另一个实施例中，当第一调度过程应用于真空机械手的调度时，优先区域为所有工艺腔，通过本实施例可以充分保障所有工艺腔的晶片供给，从而提高了工艺腔的使用率。进一步，针对半导体清洗设备，相对于机械手的移动速度，工艺腔室的工艺时间是其移动时间的几十到上百倍。影响设备产能的瓶颈在工艺腔室，因此对真空机械手的调度遵循工艺腔室优先原则，真空机械手负责从缓冲腔的脏缓冲区取片，将未清洗的晶片放置到工艺腔中，将完成清洗工艺的晶片放置到缓冲腔的净缓冲区中。首先当脏缓冲区中有晶片且存在着空置工艺腔室时，执行从脏缓冲区中取片，到工艺腔中放片的操作；如果脏缓冲区中有晶片且存在着空置工艺腔室的条件不成立，则再判断净缓冲区中无晶片且存在某工艺腔室完成硅片清洗的条件满足时，执行从某工艺腔中取片，到净缓冲区中放片的操作。通过上述方式最大限度的使用了工艺腔室。
进一步，本发明另一个实施例中，当第一调度过程应用于大气机械手的调度时，优先区域为缓冲腔的脏缓冲区，脏缓冲区为向各个工艺腔提供晶片的区域。通过本实施例可以充分保障脏缓冲区的晶片供给，从而使脏缓冲区可以有效地为工艺腔提供晶片，因此，本实施例提高了脏缓冲区的使用效率，保障了工艺腔的供片需求。为了保障工艺腔室晶片的及时供给，大气机械手采用脏缓冲区优先原则进行调度，即当有工艺腔室闲置且脏缓冲区上无硅片时，大气机械手优先执行从片盒中取片并放置到脏缓冲区上的操作；大气机械手负责从片盒的指定槽位取片，将未清洗的硅片放置到脏缓冲区中，将完成清洗工艺的硅片放回片盒的指定槽位。当脏缓冲区中无硅片，且存在着空置工艺腔室时，即便缓冲腔中净缓冲区中已经存在清洗完毕的硅片时，大气机械手也会优先执行从片盒取片并放置到脏缓冲区的操作。上述方式最大限度的保障了工艺腔室硅片供给。
实施二
本发明的另一个实施例中，当第一调度过程应用于真空机械手的调度时，本发明提供的机械手调度方法还可以包括：第二调度过程，第二调度过程应用于大气机械手的调度，具体地，如图3所示，第二调度过程包括以下步骤：
步骤S101：获取缓冲腔的晶片状态信息。
步骤S102：基于晶片状态信息，获取大气机械手的所有调度路径。
步骤S103：计算各个调度路径的使用率，以使用率最高的路径作为当前调度路径。
步骤S104：按当前调度路径对大气机械手进行调度。
具体地，步骤S104进一步包括以下步骤：
步骤S1041：检测当前调度路径中大气机械手是否满足调度条件；若是，则执行步骤S1042；若否，则执行步骤S1043。
具体地，调度条件是指机械手执行当前路径时是否满足调度要求，比如，当前路径中，晶片需要等待缓冲排气，此时大气机械手无法操作，即此时大气机械手不满足调度要求，需要等待。而等待的时间即为当前真空机械手的空闲时间，具体地等待时间由晶片工艺处理的类型与时间决定。
步骤S1042：对大气机械手进行调度。
步骤S1043：控制大气机械手等待，并返回步骤S1041。
本发明实施例提供的机械手调度方法，第一调度过程应用于真空机械手的调度，提高了工艺腔的使用效率；第二调度过程应用于大气机械手的调度，提高了大气机械手的使用率。
具体地，本实施例中调度路径的使用率即为大气机械手的使用率，进一步，调度路径的使用率为：大气机械手的使用时间与总时间的比值；进一步，总时间为大气机械手的空闲时间与使用时间的总和；而使用时间为取片时间、放片时间及传片时间的总和；或者大气机械手的使用时间为大气机械手处于使用状态的时间。是本实施例中，采用大气机械手的使用时间与总时间的比值用来评价大气机械手的使用效率，大气机械手的使用时间与总时间的比值越大代表大气机械手的使用效率越高。
进一步，为了保证第二调度过程可以有效终止，本发明的另一个实施例中，如图4所示，第二调度过程开始后，本实施的第二调度过程包括以下步骤：
步骤T101：获取缓冲腔的晶片状态信息。
步骤T102：基于晶片状态信息，获取大气机械手的所有调度路径。
步骤T103：计算各个调度路径的使用率，以使用率最高的路径作为当前调度路径。
步骤T104：按当前调度路径对大气机械手进行调度。
步骤T105：检测缓冲腔的脏缓冲区与净缓冲区是否还存在晶片；若是，返回执行步骤S101；若否，结束第二调度过程。
本发明实施例提供的机械手调度方法，第一调度过程应用于真空机械手的调度，提高了工艺腔的使用效率，即最大限度地使用了工艺腔；第二调度过程应用于大气机械手的调度，提高了大气机械手的使用率。进一步，当缓冲腔中的脏缓冲区与净缓冲区未存在晶片时，确定第二调度过程终止，从而有效结束了第二调度过程，提高了第二调度过程的整体效率。
实施例三
进一步，本发明的另一个实施例中，当第一调度过程应用于大气机械手的调度时，本发明提供的机械手调度方法还可以包括：第三调度过程，第三调度过程应应用于真空机械手的调度，具体地，如图5所示，第三调度过程包括以下步骤：
步骤S201：获取缓冲腔以及各个工艺腔的晶片状态信息。
步骤S202：基于缓冲腔以及各个工艺腔的晶片状态信息，获取真空机械手的所有调度路径。
步骤S203：计算各个调度路径的使用率，以使用率最高的路径作为当前调度路径。
步骤S204：按当前调度路径对真空机械手进行调度。
具体地，步骤S204进一步包括以下步骤：
步骤S2041：检测当前调度路径中真空机械手是否满足调度条件；若是，则执行步骤S2042；若否，则执行步骤S2043。
具体地，调度条件是指机械手执行当前路径时是否满足调度要求，比如，当前路径中，晶片需要首先在工艺腔进行工艺处理，真空机械手无法操作，即此时真空机械手不满足调度要求，需要等待。而等待的时间即为当前真空机械手的空闲时间，具体地等待时间由晶片工艺处理的类型与时间决定。
步骤S2042：对大气机械手进行调度。
步骤S2043：控制大气机械手等待，并返回步骤S2041。
本发明实施例提供的机械手调度方法，第一调度过程应用于大气机械手的调度，提高了缓冲腔中脏缓冲区的使用效率；第二调度过程应用于真空机械手的调度，提高了真空机械手的使用率。
具体地，本实施例中调度路径的使用率即为真空机械手的使用率，调度路径的使用率为：真空机械手的使用时间与总时间的比值；进一步，总时间为真空机械手的空闲时间与使用时间的总和；而使用时间为真空机械手取片时间、放片时间及传片时间的总和；或者真空机械手的使用时间为真空机械手处于使用状态的时间。本实施例中，采用真空机械手的使用时间与总时间的比值用来评价真空机械手的使用效率，真空机械手的使用时间与总时间的比值越大代表真空机械手的使用率越高。
进一步，为了保证第三调度过程可以有效终止，本发明的另一个实施例中，如图6所示，第三调度过程开始后，本实施例的第三调度过程包括以下步骤：
步骤T201：获取缓冲腔以及各个工艺腔的晶片状态信息。
步骤T202：基于缓冲腔以及各个工艺腔的晶片状态信息，获取真空机械手的所有调度路径。
步骤T203：计算各个调度路径的使用率，以使用率最高的路径作为当前调度路径。
步骤T204：按当前调度路径对真空机械手进行调度。
步骤T205：检测缓冲腔与各个工艺腔是否还存在晶片；若是，返回执行步骤T201；若否，结束第三调度过程。
本发明实施例提供的机械手调度方法，第一调度过程应用于大气机械手的调度，提高了缓冲腔中脏缓冲区的使用效率，即最大限度地使用了脏缓冲区；第三调度过程应用于真空机械手的调度，提高了真空机械手的使用率。进一步，当缓冲腔与各个工艺腔中均不存在晶片时，确定第三调度过程终止，从而有效结束了第三调度过程，提高了第三调度过程的整体效率。
半导体清洗设备是集成电路生产线中使用最多的设备之一。为了满足不同工艺需求，提升产能，设备的外部结构也在不断的发生变化，对半导体清洗设备的硅片调度提出了更高的要求。随着工艺腔室的增加，对机械手的调度显得尤其重要。而采用本发明提供的机械手调度方法，可以最大限度的利用了工艺腔室或/和缓冲的脏缓冲区，大幅度的提升了设备产能。采用本发明提供的机械手调度方法，还可以最大限度的在利用工艺腔的同时，提高大气机械手的使用率；采用本发明提供的机械手调度方法，还可以最大限度的在利用缓冲腔的脏缓冲区的同时，提高真空机械手的使用率，综述，采用本发明提供的机械手调度方法，可以有效提高半导体设备的产能以及生产效率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种机械手调度方法，其特征在于，包括第一调度过程，所述第一调度过程包括以下步骤：
S1：获取半导体设备的晶片状态信息，所述晶片状态信息包括：晶片在所述半导体设备各个区域的分布状态以及加工状态；
S2：基于所述晶片在各个区域的分布状态，检测优先区域是否有空置；若是，执行步骤S3；若否，执行步骤S4；
S3：控制机械手向所述优先区域放置未加工的晶片；
S4：根据所述晶片在各个区域的加工状态，检测是否有加工完成的晶片；若是，执行步骤S5；
S5：控制机械手取出所述加工完成的晶片。
2.根据权利要求1所述的机械手调度方法，其特征在于，所述第一调度过程应用于真空机械手的调度，所述优先区域为所有工艺腔。
3.根据权利要求2所述的机械手调度方法，其特征在于，
还包括第二调度过程，所述第二调度过程应用于大气机械手的调度；所述第二调度过程包括以下步骤：
S101：获取缓冲腔的晶片状态信息；
S102：基于所述晶片状态信息，获取所述大气机械手的所有调度路径；
S103：计算各个调度路径的使用率，以使用率最高的路径作为当前调度路径；
S104：按当前调度路径对所述大气机械手进行调度。
4.根据权利要求3所述的机械手调度方法，其特征在于，所述步骤S104进一步包括以下步骤：
S1041：检测当前调度路径中所述大气机械手是否满足调度条件；若是，则执行步骤S1042；若否，则执行步骤S1043；
S1042：对所述大气机械手进行调度；
S1043：控制所述大气机械手等待，并返回所述步骤S1041。
5.根据权利要求4所述的机械手调度方法，其特征在于，所述使用率为：所述大气机械手的使用时间与总时间的比值；
所述总时间为所述大气机械手的空闲时间与所述使用时间的总和；
所述使用时间为取片时间、放片时间及传片时间的总和。
6.根据权利要求3-5任一项所述的机械手调度方法，其特征在于，在所述步骤S104之后，所述方法还包括以下步骤：
S105：检测所述缓冲腔的脏缓冲区与净缓冲区是否还存在晶片；若是，返回执行步骤S101；若否，结束所述第二调度过程。
7.根据权利要求1所述的机械手调度方法，其特征在于，所述第一调度过程应用于大气机械手的调度；所述优先区域为缓冲腔的脏缓冲区，所述脏缓冲区为向各个工艺腔提供晶片的区域。
8.根据权利要求7所述的机械手调度方法，其特征在于，
还包括第三调度过程，所述第三调度过程应用于真空机械手的调度；所述第三调度过程包括以下步骤：
S201：获取缓冲腔以及各个工艺腔的晶片状态信息；
S202：基于所述缓冲腔以及所述各个工艺腔的晶片状态信息，获取所述真空机械手的所有调度路径；
S203：计算各个调度路径的使用率，以使用率最高的路径作为当前调度路径；
S204：按当前调度路径对所述真空机械手进行调度。
9.根据权利要求8所述的机械手调度方法，其特征在于，所述步骤S204进一步包括以下步骤：
S2041：检测当前调度路径中所述真空机械手是否满足调度条件；若是，则执行步骤S2042；若否，则执行步骤S2043；
S2042：对所述大气机械手进行调度；
S2043：控制所述大气机械手等待，并返回所述步骤S2041。
10.根据权利要求9所述的机械手调度方法，其特征在于，所述使用率为：所述真空机械手的使用时间与总时间的比值；
所述总时间为所述真空机械手的空闲时间与所述使用时间的总和；
所述使用时间为取片时间、放片时间及传片时间的总和。
11.根据权利要求8-10任一项所述的机械手调度方法，其特征在于，在所述步骤S204之后，所述方法还包括以下步骤：
S205：检测所述缓冲腔与所述各个工艺腔是否还存在晶片；若是，返回执行步骤S201；若否，结束所述第三调度过程。
CN201910039496.6A 2019-01-16 2019-01-16 一种机械手调度方法 Active CN111446182B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910039496.6A CN111446182B (zh) 2019-01-16 2019-01-16 一种机械手调度方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910039496.6A CN111446182B (zh) 2019-01-16 2019-01-16 一种机械手调度方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111446182A true CN111446182A (zh) 2020-07-24
CN111446182B CN111446182B (zh) 2023-06-16

Family

ID=71650490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910039496.6A Active CN111446182B (zh) 2019-01-16 2019-01-16 一种机械手调度方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111446182B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114843207A (zh) * 2022-04-14 2022-08-02 江苏京创先进电子科技有限公司 去环方法、系统及设备
CN115116909A (zh) * 2022-08-30 2022-09-27 江苏邑文微电子科技有限公司 半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199960A (ja) * 1996-11-15 1998-07-31 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の基板搬送制御方法
JP2009206345A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
US20100068009A1 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 Shingo Kimura Vacuum processing apparatus
US20150140798A1 (en) * 2013-11-15 2015-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor manufacturing method and equipment thereof
CN104752128A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 硅片加工处理的系统及方法
CN105304520A (zh) * 2014-07-23 2016-02-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片的调度方法及系统
JP2016096211A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199960A (ja) * 1996-11-15 1998-07-31 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の基板搬送制御方法
JP2009206345A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
US20100068009A1 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 Shingo Kimura Vacuum processing apparatus
US20150140798A1 (en) * 2013-11-15 2015-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor manufacturing method and equipment thereof
CN104752128A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 硅片加工处理的系统及方法
CN105304520A (zh) * 2014-07-23 2016-02-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片的调度方法及系统
JP2016096211A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114843207A (zh) * 2022-04-14 2022-08-02 江苏京创先进电子科技有限公司 去环方法、系统及设备
CN114843207B (zh) * 2022-04-14 2023-02-28 江苏京创先进电子科技有限公司 去环方法、系统及设备
CN115116909A (zh) * 2022-08-30 2022-09-27 江苏邑文微电子科技有限公司 半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置
CN115116909B (zh) * 2022-08-30 2022-11-11 江苏邑文微电子科技有限公司 半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111446182B (zh) 2023-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101135793B1 (ko) 대형 및 소형 로트 전자 장치 조립 설비를 통합하기 위한방법 및 장치
KR101423377B1 (ko) 제어 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템의 운용 방법, 로드 포트 제어 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 시스템
US9748088B2 (en) Method, storage medium and system for controlling the processing of lots of workpieces
CN102132393B (zh) 基材处理设备和在该设备中转移基材的方法
US20090013897A1 (en) System and method of improving throughput and vehicle utilization of monorail factory transport systems
CN111446182B (zh) 一种机械手调度方法
US20110153062A1 (en) Substrate-processing apparatus and method of transferring substrate in the same
CN112987674B (zh) 半导体加工设备的物料调度方法和装置
TWI610385B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20110264260A1 (en) Substrate-processing apparatus and method of transferring substrate in the same
CN105575853B (zh) 基板处理系统和基板处理装置的时效方法
US9250623B2 (en) Methods and systems for fabricating integrated circuits utilizing universal and local processing management
CN112106175B (zh) 衬底处理方法、衬底处理装置及记录媒介
JP5932537B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
CN114548708B (zh) 空晶圆盒管理方法、装置、计算机设备和存储介质
CN106694443B (zh) 硅片清洗的调度方法及调度系统
KR20010034990A (ko) 반도체 및 평판디스플레이용 멀티기능을 갖춘 집적제조장치
CN111446181B (zh) 一种机械手调度方法
TWI651797B (zh) 搬送條件設定裝置、基板處理裝置及搬送條件設定方法
CN110517975B (zh) 一种cmp后清洗装置及其清洗方法
CN103439893B (zh) 设备装载端口的预约使用控制方法
CN112151424A (zh) 一种用于在硅片上沉积背封膜的方法和系统
CN112582320B (zh) 一种交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统
US20130226325A1 (en) Methods and systems for fabricating integrated circuits with local processing management
TW200425259A (en) Manufacturing apparatus and manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant