CN112582320B - 一种交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统，该方法包括：判断当前槽体的后置槽体的个数；当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，抓取当前槽体的晶圆。通过实施本发明，可以通过判断当前槽体的后置槽体中晶圆的剩余加工时间，当该剩余加工时间小于等于预设时间时，进行当前晶圆的抓取工作，实现了当前晶圆的抓取动作和后置槽体中剩余加工时间同时进行，由此，本发明实施例提供的交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统，通过抓取动作和加工动作的同时进行，实现了晶圆调度效率的提升。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统。
背景技术
化学机械抛光是半导体生产制造中重要的工艺流程，对实现晶圆表面全局平坦化起到至关重要作用。化学机械抛光系统通常包括两大模块，即研磨模块和清洗模块。其中，在清洗模块有5个不同的工艺槽体，涵盖着不同的加工工艺和清洁功能，所有进入清洗模块的晶圆都需要依次通过这些工艺槽体进行加工，加工完毕后将晶圆输出。
传统的清洗晶圆传输系统大多是整体机械手传送法，该方法局限性较大，在加工时只有等到所有工艺槽体都加工完毕后，才能进行一次整体传递。当各个工艺槽体的加工时间差异较大时，该方法会以其中最长的工艺时间为调度周期，从而出现传输效率的损耗。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统，以解决现有技术中清洗晶圆传输系统传输效率较低的技术问题。
本发明提出的技术方案如下：
本发明实施例第一方面提供一种交替式调度晶圆的方法，所述方法用于包括多个槽体的晶圆清洗传输系统，包括：判断当前槽体的后置槽体的个数；当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，抓取当前槽体的晶圆。
可选地，该交替式调度晶圆的方法还包括：当后置槽体中晶圆的剩余加工时间大于预设时间时，不抓取当前槽体的晶圆。
可选地，该交替式调度晶圆的方法还包括：当后置槽体的个数大于1时，判断后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于第n预设时间，其中n为1，2，3…N，N当前槽体的后置槽体的个数，第n预设时间＝T＊n，T表示预设时间；当后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于第n预设时间时，抓取当前槽体中的晶圆。
可选地，该交替式调度晶圆的方法还包括：当后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间大于第n预设时间时，不抓取当前槽体的晶圆。
可选地，判断后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于第n预设时间，包括：判断后置第1槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于一倍的预设时间；当后置第1槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于一倍的预设时间时，判断后置第2槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于两倍的预设时间；当后置第2槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于两倍的预设时间时，继续判断后置第3槽体中晶圆的剩余加工时间，直至将当前槽体的所有后置槽体判断完成。
可选地，所述晶圆清洗传输系统包括第一机械手和第二机械手，所述方法还包括：判断当前槽体的前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间和后置槽体中晶圆的剩余加工时间的大小；当前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间大于后置槽体中晶圆的剩余加工时间，且前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间与后置槽体中晶圆的剩余加工时间相差小于两倍的预设时间，等待前置第1槽体中晶圆加工完毕后，控制第一机械手先抓取前置第1槽体中的晶圆，第二机械手再抓取当前槽体中的晶圆。
可选地，所述预设时间为单次抓取晶圆所需的时间；判断当前槽体的后置槽体的个数之前，还包括：选取晶圆清洗传输系统的所有槽体中晶圆的剩余加工时间最短的槽体或者完成加工的槽体作为当前槽体。
本发明实施例第二方面提供一种交替式调度晶圆的装置，所述装置用于包括多个槽体的晶圆清洗传输系统，包括：第一判断模块，用于判断当前槽体的后置槽体的个数；第二判断模块，用于当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；抓取模块，用于当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，抓取当前槽体的晶圆。
本发明实施例第三方面提供一种晶圆清洗传输系统，包括：依次设置的多个槽体，用于对晶圆进行不同的清洗工艺；第一机械手和第二机械手，用于抓取和/或放置晶圆；控制器，用于判断当前槽体的后置槽体的个数；当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，控制第一机械手和/或第二机械手抓取当前槽体的晶圆。
本发明实施例第四方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行如本发明实施例第一方面及第一方面任一项所述的交替式调度晶圆的方法。
本发明提供的技术方案，具有如下效果：
本发明实施例提供的交替式调度晶圆的方法、装置及晶圆清洗传输系统，可以通过判断当前槽体的后置槽体中晶圆的剩余加工时间，当该剩余加工时间小于等于预设时间时，进行当前晶圆的抓取工作，实现了当前晶圆的抓取动作和后置槽体中剩余加工时间同时进行；同时，在当前槽体中晶圆的抓取动作完成后，后置槽体中晶圆也加工完成，可以将后置槽体中晶圆取出后放置当前槽体中取出的晶圆。由此，本发明实施例提供的交替式调度晶圆的方法，通过抓取动作和加工动作的同时进行，实现了晶圆调度效率的提升。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例的交替式调度晶圆的方法的流程图；
图2是根据本发明另一实施例的交替式调度晶圆的方法的流程图；
图3是根据本发明另一实施例的交替式调度晶圆的方法的流程图；
图4是根据本发明实施例的交替式调度晶圆的装置的结构框图；
图5是根据本发明实施例的晶圆清洗传输系统的结构示意图；
图6是根据本发明实施例提供的计算机可读存储介质的结构示意图；
图7是根据本发明实施例提供的晶圆清洗传输系统中控制器的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如在背景技术中所述，传统的清洗晶圆传输系统大多是整体机械手传送法，在加工时只有等到所有工艺槽体都加工完毕后，才能进行一次整体传递。例如，系统中包含五个槽体，只有当每个槽体中的晶圆均加工完毕后，才将槽体中的晶圆进行传递，因此，该方法会以其中最长的工艺时间为调度周期，从而出现传输效率的损耗。
本发明实施例提供的交替式调度晶圆的方法用于包括多个槽体的晶圆清洗传输系统，该系统中配备有第一机械手和第二机械手，两个机械手交替进行工作，即第一机械手进行抓取或放置动作时，第二机械手处于静止状态，当第一机械手动作完成后，第二机械手再进行抓取或放置动作。该系统中的多个槽体用于分别对晶圆进行不同的清洗工艺，在具体清洗过程中，多个晶圆依次通过每个槽体进行清洗，例如采用五个槽体进行清洗时，第一槽体中的晶圆清洗完毕后，放入第二槽体中进行清洗，同时再在第一槽体中放置需要清洗的晶圆进行清洗，从而实现流水线的清洗工艺。
本发明实施例提供一种交替式调度晶圆的方法，如图1所示，该方法包括如下步骤：
步骤S101：判断当前槽体的后置槽体的个数；在一实施例中，当在进行判断之前，可以先进行当前槽体的选取，例如，可以选取晶圆的剩余加工时间最短的槽体或者完成加工的槽体作为当前槽体。
在一具体实施方式中，可以预先获取系统中每个槽体加工所需时间，即晶圆在每个槽体中进行相应工艺的清洗所需的时间，同时可以在每个槽体中预先设置计时器，当相应槽体开始加工时，计时器开始计时，根据计时器显示的时间和加工所需时间确定每个槽体中晶圆的剩余加工时间。因此，在确定每个槽体中晶圆的剩余加工时间之后，可以从中选取当前槽体。在另一具体实施方式中，还可以判断所有槽体中是否有完成清洗加工的槽体，若有某一个槽体已经完成加工，则将该槽体作为当前槽体。
具体地，可以将当前槽体中晶圆取出后放入的槽体定义为当前槽体的后置槽体，将取出后需要放入当前槽体的晶圆所在的槽体定义为当前槽体的前置槽体。例如，该系统中包含五个槽体，即依次设置的第一槽体、第二槽体、第三槽体、第四槽体及第五槽体，晶圆需要依次经过这几个槽体进行清洗加工，若第三槽体为当前槽体，则第四槽体和第五槽体为当前槽体的后置槽体，第一槽体和第二槽体为当前槽体的前置槽体。
步骤S102：当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；具体地，当后置槽体的个数小于等于1，则说明当前槽体为倒数第二槽体或最后一个槽体，若系统中总共五个槽体，则此时的当前槽体为第四槽体或第五槽体。若当前槽体为第五槽体，则无需进行判断，可以直接取出晶圆。若当前槽体为第四槽体，则需要判断后置槽体即第五槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间。在一实施例中，预设时间可以是机械手单次抓取或放置晶圆所需的时间。
步骤S103：当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，抓取当前槽体的晶圆。具体地，当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，此时可以控制机械手进行抓取当前槽体中晶圆的工作。在一具体实施方式中，在确定后置槽体后，可以对后置槽体进行实时监测，当在某一时刻后置槽体中晶圆的剩余加工时间等于预设时间，此时可以进行当前槽体中晶圆的抓取。当当前槽体的晶圆抓取出后，后置槽体的晶圆也加工完成，此时可以控制另一机械手抓取后置槽体中的晶圆，然后再将抓取的当前槽体的晶圆放置在后置槽体中。
本发明实施例提供的交替式调度晶圆的方法，可以通过判断当前槽体的后置槽体中晶圆的剩余加工时间，当该剩余加工时间小于等于预设时间时，进行当前晶圆的抓取工作，实现了当前晶圆的抓取动作和后置槽体中剩余加工时间同时进行；同时，在当前槽体中晶圆的抓取动作完成后，后置槽体中晶圆也加工完成，可以将后置槽体中晶圆取出后放置当前槽体中取出的晶圆。由此，本发明实施例提供的交替式调度晶圆的方法，通过抓取动作和加工动作的同时进行，实现了晶圆调度效率的提升。
在一实施例中，该交替式调度晶圆的方法还包括：当后置槽体中晶圆的剩余加工时间大于预设时间时，不抓取当前槽体的晶圆。具体地，当后置槽体中晶圆的剩余加工时间大于预设时间时，若此时抓取当前槽体中的晶圆，则抓取中的晶圆会在槽体外滞留，无法放入后置槽体中，因此当后置槽体中晶圆的剩余加工时间大于预设时间时，不进行当前槽体中晶圆的抓取，由此可以避免晶圆在槽体外滞留对晶圆造成的不利影响。
在一实施例中，如图2所示，该交替式调度晶圆的方法还包括如下步骤：
步骤S201：当后置槽体的个数大于1时，判断后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于第n预设时间，其中n为1，2，3…N，N当前槽体的后置槽体的个数，第n预设时间＝T＊n，T表示预设时间；具体地，当后置槽体中的个数大于1时，若有五个槽体，说明当前槽体为第一槽体、第二槽体或第三槽体，以当前槽体为第二槽体为例，此时需要判断后置第一槽体、后置第二槽体和后置第三槽体，分别判断第三槽体、第四槽体和第五槽体。
在一实施例中，由于抓取每个槽体中晶圆都需要预设时间，因此需要判断第三槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；当小于预设时间时，再判断第四槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于两倍的预设时间；当小于两倍的预设时间时，再判断第五槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于三倍的预设时间。
步骤S202：当后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于第n预设时间时，抓取当前槽体中的晶圆。在一实施例中，在当前槽体为第二槽体时，若判断第三槽体、第四槽体和第五槽体中晶圆的剩余加工时间均小于相应的时间，则可以抓取当前槽体中的晶圆。这样可以按照先抓先放的原则进行晶圆的交替传递。若判断到某一槽体中晶圆的剩余加工时间大于相应的时间，则不进行抓取当前槽体晶圆的动作。
在一实施例中，如图3所示，该交替式调度晶圆的方法还包括如下步骤：
步骤S301：判断当前槽体的前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间和后置槽体中晶圆的剩余加工时间的大小；具体地，在判断当前槽体的所有后置槽体均满足条件后，还可以判断当前槽体的前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间，从而确定是否要进行前置槽体中晶圆的传输。
步骤S302：当前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间大于后置槽体中晶圆的剩余加工时间，且前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间与后置槽体中晶圆的剩余加工时间相差小于两倍的预设时间，等待前置第1槽体中晶圆加工完毕后，控制第一机械手先抓取前置第1槽体中的晶圆，第二机械手再抓取当前槽体中的晶圆。具体地，当前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间长于后置槽体中剩余加工时间，但是二者的时间相差小于两倍的预设时间时，此时，可以先不进行抓取，待前置第1槽体中晶圆加工完毕后，控制第一机械手先抓取前置第1槽体中的晶圆，第二机械手再抓取当前槽体中的晶圆，然后按照先抓先放的原则进行交替传递晶圆的动作。由此，可以实现传递效率的最大化，同时还可以避免某一晶圆在槽体外滞留时间过长。
在一实施例中，以系统中包括五个槽体为例，对该交替式调度晶圆的方法进行说明。当当前槽体为第五槽体时，可以直接进行当前槽体中晶圆的抓取，无需进行判断。当当前槽体为第二槽体、第三槽体或第四槽体时，需要判断当前槽体的后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于相应的时间，若所有槽体均满足条件时，还可以判断当前槽体的前置槽体中晶圆的剩余加工时间与后置槽体中的剩余加工时间的大小，若两者相差小于两倍的预设时间时，可以等前置槽体中的晶圆加工完毕后，先行抓取前置槽体的晶圆，然后按照先抓先放的规则进行交替传递晶圆的动作。当当前槽体为第一槽体时，则只需要判断所有后置槽体中每个槽体的剩余加工时间是否均满足条件，若均满足条件，则可以进行第一槽体中晶圆的抓取。
本发明实施例还提供一种交替式调度晶圆的装置，所述装置用于包括多个槽体的晶圆清洗传输系统，如图4所示，该装置包括：
第一判断模块1，用于判断当前槽体的后置槽体的个数；详细内容参见上述方法实施例中步骤S101的相关描述。
第二判断模块2，用于当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；详细内容参见上述方法实施例中步骤S102的相关描述。
抓取模块3，用于当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，抓取当前槽体的晶圆。详细内容参见上述方法实施例中步骤S103的相关描述。
本发明实施例提供的交替式调度晶圆的装置，可以通过判断当前槽体的后置槽体中晶圆的剩余加工时间，当该剩余加工时间小于等于预设时间时，进行当前晶圆的抓取工作，实现了当前晶圆的抓取动作和后置槽体中剩余加工时间同时进行；同时，在当前槽体中晶圆的抓取动作完成后，后置槽体中晶圆也加工完成，可以将后置槽体中晶圆取出后放置当前槽体中取出的晶圆。由此，本发明实施例提供的交替式调度晶圆的装置，通过抓取动作和加工动作的同时进行，实现了晶圆调度效率的提升。
本发明实施例提供的交替式调度晶圆的装置的功能描述详细参见上述实施例中交替式调度晶圆的方法描述。
本发明实施例还提供一种晶圆清洗传输系统，如图5所示，该系统包括：
依次设置的多个槽体10，用于对晶圆进行不同的清洗工艺；
第一机械手20和第二机械手30，用于抓取和/或放置晶圆；
控制器40，用于判断当前槽体的后置槽体的个数；当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，控制第一机械手和/或第二机械手抓取当前槽体的晶圆。
本发明实施例提供的晶圆清洗传输系统，可以通过判断当前槽体的后置槽体中晶圆的剩余加工时间，当该剩余加工时间小于等于预设时间时，进行当前晶圆的抓取工作，实现了当前晶圆的抓取动作和后置槽体中剩余加工时间同时进行；同时，在当前槽体中晶圆的抓取动作完成后，后置槽体中晶圆也加工完成，可以将后置槽体中晶圆取出后放置当前槽体中取出的晶圆。由此，本发明实施例提供的晶圆清洗传输系统，通过抓取动作和加工动作的同时进行，实现了晶圆调度效率的提升。
本发明实施例还提供一种存储介质，如图6所示，其上存储有计算机程序601，该指令被处理器执行时实现上述实施例中交替式调度晶圆的方法的步骤。该存储介质上还存储有音视频流数据，特征帧数据、交互请求信令、加密数据以及预设数据大小等。其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read－Only Memory，ROM)、随机存储记忆体(RandomAccess Memory，RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid－State Drive，SSD)等；所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read－Only Memory，ROM)、随机存储记忆体(Random AccessMemory，RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid－State Drive，SSD)等；所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
本发明实施例还提供的控制器，如图7所示，该控制器可以包括处理器51和存储器52，其中处理器51和存储器52可以通过总线或者其他方式连接，图7中以通过总线连接为例。
处理器51可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。处理器51还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field－Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。
存储器52作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的对应的程序指令/模块。处理器51通过运行存储在存储器52中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行处理器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的交替式调度晶圆的方法。
存储器52可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储处理器51所创建的数据等。此外，存储器52可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中，存储器52可选包括相对于处理器51远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器51。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
所述一个或者多个模块存储在所述存储器52中，当被所述处理器51执行时，执行如图1－2所示实施例中的交替式调度晶圆的方法。
上述控制器具体细节可以对应参阅图1至图2所示的实施例中对应的相关描述和效果进行理解，此处不再赘述。
虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (5)
1.一种交替式调度晶圆的方法，其特征在于，所述方法用于包括多个槽体的晶圆清洗传输系统，多个槽体按照流水线的方式进行晶圆清洗，包括：
选取晶圆清洗传输系统的所有槽体中晶圆的剩余加工时间最短的槽体或者完成加工的槽体作为当前槽体；
判断当前槽体的后置槽体的个数；
当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间，所述预设时间为单次抓取晶圆所需的时间；
当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，抓取当前槽体的晶圆；
当后置槽体中晶圆的剩余加工时间大于预设时间时，不抓取当前槽体的晶圆；
当后置槽体的个数大于1时，判断后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于第n预设时间，其中n为1,2,3…N，N当前槽体的后置槽体的个数，第n预设时间=T×n，T表示预设时间；
当后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于第n预设时间时，抓取当前槽体中的晶圆；
当后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间大于第n预设时间时，不抓取当前槽体的晶圆；
所述晶圆清洗传输系统包括第一机械手和第二机械手，所述方法还包括：
判断当前槽体的前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间和后置槽体中晶圆的剩余加工时间的大小；
当前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间大于后置槽体中晶圆的剩余加工时间，且前置第1槽体中晶圆的剩余加工时间与后置槽体中晶圆的剩余加工时间相差小于两倍的预设时间，等待前置第1槽体中晶圆加工完毕后，控制第一机械手先抓取前置第1槽体中的晶圆，第二机械手再抓取当前槽体中的晶圆。
2.根据权利要求1所述的交替式调度晶圆的方法，其特征在于，判断后置第n槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于第n预设时间，包括：
判断后置第1槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于一倍的预设时间；
当后置第1槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于一倍的预设时间时，判断后置第2槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于两倍的预设时间；
当后置第2槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于两倍的预设时间时，继续判断后置第3槽体中晶圆的剩余加工时间，直至将当前槽体的所有后置槽体判断完成。
3.一种基于权利要求1或2所述交替式调度晶圆的方法的交替式调度晶圆的装置，其特征在于，所述装置用于包括多个槽体的晶圆清洗传输系统，所述装置包括：
第一判断模块，用于判断当前槽体的后置槽体的个数；
第二判断模块，用于当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；
抓取模块，用于当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，抓取当前槽体的晶圆。
4.一种基于权利要求1或2所述交替式调度晶圆的方法的晶圆清洗传输系统，其特征在于，包括：
依次设置的多个槽体，用于按照流水线的方式对晶圆进行不同的清洗工艺；
第一机械手和第二机械手，用于抓取和/或放置晶圆；
控制器，用于判断当前槽体的后置槽体的个数；当后置槽体的个数小于等于1时，判断后置槽体中晶圆的剩余加工时间是否小于等于预设时间；当后置槽体中晶圆的剩余加工时间小于等于预设时间时，控制第一机械手和/或第二机械手抓取当前槽体的晶圆。
5.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行如权利要求1或2所述的交替式调度晶圆的方法。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW386976B (en) * | 1997-10-15 | 2000-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | Method for controlling semiconductor wafer-manufacturing equipment and semiconductor wafer-manufacturing equipment |
| KR20070067785A (ko) * | 2005-12-23 | 2007-06-29 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 투입 스케즐링 방법 |
| CN104752268A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体工艺设备中物料移动控制的方法及系统 |
| CN105336652A (zh) * | 2014-06-26 | 2016-02-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 硅片传输控制方法及系统 |
| CN105810618A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-07-27 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 提高晶圆传输效率的系统及方法 |
| CN107622965A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-01-23 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 一种晶圆传输方法及装置 |
| CN110797315A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-14 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种晶圆级封装分割方法及晶圆级封装器件 |
| CN111229679A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶圆清洗设备的控制方法、控制装置及晶圆清洗设备 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4347156B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2009-10-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP6002532B2 (ja) * | 2012-10-10 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| JP6216530B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-10-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置の運転方法 |
| JP6513508B2 (ja) * | 2015-07-01 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置、その制御方法及び基板処理システム |
-
2020
- 2020-12-08 CN CN202011461777.XA patent/CN112582320B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW386976B (en) * | 1997-10-15 | 2000-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | Method for controlling semiconductor wafer-manufacturing equipment and semiconductor wafer-manufacturing equipment |
| US6134482A (en) * | 1997-10-15 | 2000-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for controlling semiconductor wafer fabrication equipment based on a remaining process time applicable to the processors |
| KR20070067785A (ko) * | 2005-12-23 | 2007-06-29 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 투입 스케즐링 방법 |
| CN104752268A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体工艺设备中物料移动控制的方法及系统 |
| CN105336652A (zh) * | 2014-06-26 | 2016-02-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 硅片传输控制方法及系统 |
| CN105810618A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-07-27 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 提高晶圆传输效率的系统及方法 |
| CN107622965A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-01-23 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 一种晶圆传输方法及装置 |
| CN110797315A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-14 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种晶圆级封装分割方法及晶圆级封装器件 |
| CN111229679A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶圆清洗设备的控制方法、控制装置及晶圆清洗设备 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 基于模糊逻辑的晶圆制造整体式AMHS动态调度方法;吴立辉 等;组合机床与自动化加工技术(05);第157-160页 * |
| 炼钢-连铸中作业时间冲突的协调优化方法;罗小川 等;控制工程(01);第86-93页 * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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