CN115116909A - 半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置 - Google Patents

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CN115116909A CN202211044354.7A CN202211044354A CN115116909A CN 115116909 A CN115116909 A CN 115116909A CN 202211044354 A CN202211044354 A CN 202211044354A CN 115116909 A CN115116909 A CN 115116909A
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Abstract

本申请提供一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置，其中方法包括：步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；步骤S2，基于机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制机械手将晶圆传送到第一目标位置；步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4；步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息。能够在不影响加工进度的基础上高效、准确地将晶圆取回晶圆盒卡槽。

Description

半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置
技术领域
本申请涉及自动控制技术领域，尤其涉及一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置。
背景技术
目前，在半导体加工设备（例如去胶机）中，晶圆的传送流程为：机械手将晶圆从晶圆盒中取出并放入工艺腔中进行工艺，工艺完成后放入冷却腔进行冷却，冷却完成后放回到晶圆盒中的初始位置。随着行业的不断发展，对于半导体加工设备的自动控制提出了越来越高的要求。但现有技术在加工过程中出现异常情况时，需要人工将机台运行模式从自动切换到手动，并人工控制机械手将晶圆取回对应的晶圆盒卡槽，以便进行半导体加工设备检修。
由于半导体加工设备中存在多个工艺腔、冷却腔和机械手，整个传送流程中晶圆可能出现在不同的腔室和机械手上，要完成全部晶圆的取回，流程极其复杂，采用人工操作将晶圆取回晶圆盒不但耗时耗力，影响晶圆的加工进度，同时可能导致放置晶圆的卡槽错位，进而影响后续晶圆工艺信息追溯。
基于此，如何在半导体加工设备出现异常的情况下，在不影响晶圆加工进度的基础上，高效、准确地将晶圆取回对应的晶圆盒卡槽，成为目前业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请提供一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置，以用于在半导体加工设备出现异常的情况下，在不影响晶圆加工进度的基础上，高效、准确地将晶圆自动取回对应的晶圆盒卡槽。
本申请提供一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，所述半导体加工设备包括至少一个机械手、工艺腔和冷却腔，其特征在于，所述方法包括：
所述半导体加工设备包括至少一个机械手、工艺腔和冷却腔，所述方法包括：
步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；
步骤S2，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制所述机械手将所述晶圆传送到第一目标位置；
步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4；
步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息。
根据本申请提供的一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，所述步骤S2具体包括：
基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，确定目标部位；所述机械手中晶圆的当前状态包括未进行工艺、已完成工艺和已完成冷却，所述目标部位指所述晶圆下一工艺节点对应的部位；
基于所述目标部位的当前状态，确定第一目标位置并控制所述机械手将所述晶圆传送到所述第一目标位置；在所述目标部位的当前状态为故障的情况下，所述第一目标位置为晶圆盒卡槽；在所述目标部位的当前状态为正常的情况下，所述第一目标位置为所述目标部位。
根据本申请提供的一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，所述目标腔室包括冷却腔和工艺腔，相应的，所述目标腔室中的目标晶圆分别指所述冷却腔中已完成冷却的第一目标晶圆和所述工艺腔中已完成工艺的第二目标晶圆。
根据本申请提供的一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，所述基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆，具体包括：
步骤S11，基于冷却腔中晶圆的当前状态，确定所述冷却腔中是否包括第一目标晶圆，若是，基于所述第一目标晶圆的工艺流程，控制目标机械手将所述第一目标晶圆传送到第二目标位置并跳转执行步骤S33；若否，执行步骤S22；
步骤S22，基于工艺腔中晶圆的当前状态，确定所述工艺腔中是否包括第二目标晶圆，若是，基于所述第二目标晶圆的工艺流程控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到第二目标位置并执行步骤S33；若否，跳转执行步骤S11；
步骤S33，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，跳转执行S11，若否，执行步骤S4。
根据本申请提供的一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆需要冷却，所述第二目标晶圆对应的第二目标位置为冷却腔；若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆无需冷却，所述第二目标晶圆对应的第二目标位置为晶圆盒卡槽，相应的，所述基于所述第二目标晶圆的工艺流程控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到第二目标位置，具体包括：
若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆需要冷却，在所述冷却腔空闲的情况下，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到所述冷却腔；
若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆无需冷却，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到对应的晶圆盒卡槽。
根据本申请提供的一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，所述步骤S22还包括：
在多个工艺腔均包括第二目标晶圆且所述第二目标晶圆需要冷却的情况下，基于所述多个工艺腔分别对应的工艺温度确定所述第二目标晶圆的传送优先级；
基于所述第二目标晶圆的传送优先级，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆依次传送到所述冷却腔。
根据本申请提供的一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，所述基于所述多个工艺腔分别对应的工艺温度确定所述第二目标晶圆的传送优先级，具体包括：
对于所述多个工艺腔中的目标工艺腔，所述目标工艺腔对应的工艺温度越高，其对应的第二目标晶圆的传送优先级越高。
根据本申请提供的一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，若所述目标工艺腔中存在多个第二目标晶圆，基于所述多个第二目标晶圆的工艺完成时刻，确定所述多个第二目标晶圆的传送优先级。
本申请还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法的步骤。
本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法的步骤。
本申请还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法的步骤。
本申请提供的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置，步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；步骤S2，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制所述机械手将所述晶圆传送到第一目标位置；步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4；步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息，能够在半导体加工设备出现异常的情况下，高效、准确地将晶圆取回对应的晶圆盒卡槽，且在取回晶圆的同时，最大限度降低对晶圆加工进度的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法的流程示意图；
图2是本申请提供的半导体加工设备的结构示意图；
图3是本申请提供的机械手中晶圆的调度流程示意图；
图4是本申请提供的冷却腔和工艺腔中晶圆的调度流程示意图；
图5是本申请提供的半导体加工设备异常工况下针对机械手的晶圆调度控制方法的流程示意图；
图6是本申请提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1为本申请提供的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法的流程示意图，所述半导体加工设备包括至少一个机械手、工艺腔和冷却腔，如图1所示，该方法包括：
步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；
步骤S2，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制所述机械手将所述晶圆传送到第一目标位置；
步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4。
步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息。
具体的，图2为本申请提供的半导体加工设备的结构示意图。如图2所示，所述半导体加工设备包括至少一个机械手、至少一个工艺腔和至少一个冷却腔，例如去胶机通常包括两个机械手（其具体形式可以是两个独立机械手，也可以是一个机械手上包括两个机械手臂）、多个工艺腔和一个冷却腔，设置多个工艺腔的目的在于不同类型晶圆对应的工艺需求（例如工艺温度）不同，因此设置多个工艺腔能够尽可能满足不同类型晶圆的工艺需求。所述冷却腔中包括多层冷却腔体，可以供多块晶圆进行冷却处理。可以理解的是，基于加工需要，所述半导体加工设备中的机械手、工艺腔和冷却腔的数量均可以设置多个，同时，所述多个工艺腔并不局限于只完成一种工艺，例如，对于去胶机而言，可能存在两种类型的工艺腔，第一种工艺腔用于去胶预处理（例如采用物理方法先去除晶圆上较厚的光刻胶），第二种工艺腔则继续进行全面去胶处理（例如湿法去胶）。同时，所述半导体加工设备还包括相应的软件程序以进行设备硬件的自动控制。正常情况下，半导体加工设备会基于预设的工艺流程对晶圆进行调度，所述工艺流程中包括各晶圆的加工时序、工艺节点以及各工艺节点对应的操作，基于所述工艺流程，半导体加工设备能够实现晶圆的有序加工。本申请出于方便介绍的考虑，后续将基于上述去胶机结构对本申请实施例提供的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法进行详细说明。
传统方法中，在半导体加工设备出现异常情况时，需要人工将机台运行模式从自动切换到手动，并观察工艺腔、冷却腔和机械手中是否有晶圆。若有晶圆，则基于所述晶圆的标识信息确定所述晶圆对应的晶圆盒卡槽，再人工操作机械手将晶圆放回到对应的晶圆盒卡槽内。取回晶圆的顺序为：机械手、冷却腔、工艺腔，即先将机械手中的晶圆全部取回晶圆盒，再利用空闲的机械手将冷却腔中的晶圆全部取回晶圆盒，最后再控制机械手将工艺腔中的晶圆取出并放入冷却腔中，待冷却完成再取回晶圆盒。该操作过程不仅耗时耗力，且容易出现放置的晶圆盒卡槽错位的情况，对操作人员的专业程度也有一定门槛，同时，采用这种“一刀切”的方式将全部晶圆取回晶圆盒，待半导体加工设备检修完毕再继续工艺，将严重影响晶圆的加工进度。
基于此，本申请实施例提出了一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，能够在在半导体加工设备处于异常工况的情况下，基于软件界面的“回退晶圆”控件的触发操作，自动确定所述半导体加工设备中各晶圆的传送路径，并基于所述传送路径将全部晶圆取回对应的晶圆盒卡槽，能够在不影响晶圆加工进度的基础上，高效、准确地将晶圆取回对应的晶圆盒卡槽。
具体的，本申请实施例在半导体加工设备工作过程中会通过后台软件记录全部晶圆的工艺历史信息，包括晶圆的传送路线以及对应的时间节点，基于此，结合半导体加工设备的工作状态，即可准确确定各晶圆的当前位置（例如机械手中、晶圆盒中、工艺腔中或冷却腔中）以及当前状态（例如，未进行工艺、已完成工艺、已完成冷却、工艺中、冷却中）。因此，在所述半导体加工设备处于异常工况的情况下，后台软件能够快速获取各晶圆的工艺历史信息，并基于所述工艺历史信息确定各晶圆的当前位置和当前状态，进而确定晶圆的传送方案。可以理解的是，所述半导体加工设备的工作状态是通过设置于半导体加工设备不同部位的检测设备检测得到的。在所述半导体加工设备出现异常工况时，机台会基于检测设备反馈的检测信息，输出对应的报警信息，基于所述报警信息即可准确定位发生故障的设备。
更具体地，在所述半导体加工设备处于异常工况的情况下，本申请实施例首先基于各晶圆的工艺历史信息确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制所述机械手将所述晶圆传送到第一目标位置，即首先对机械手中的晶圆进行调度，以保证机械手处于空闲状态，以便对冷却腔和工艺腔中的晶圆进行调度，以确保半导体加工设备中的晶圆以最快的速度放回晶圆盒。
相应的，若机械手中不包括晶圆，则进一步确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆，即对冷却腔和工艺腔中的晶圆进行调度。待所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆时，说明半导体加工设备中的晶圆已全部取回晶圆盒，此时输出晶圆调度完成提示信息，以提醒相关工作人员进行设备检修。
本申请实施例提供的方法，步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；步骤S2，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制所述机械手将所述晶圆传送到第一目标位置；步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4；步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息，能够在半导体加工设备出现异常的情况下，高效、准确地将晶圆取回对应的晶圆盒卡槽，且在取回晶圆的同时，最大限度降低对晶圆加工进度的影响。
基于上述实施例，图3为本申请提供的机械手中晶圆的调度流程示意图，如图3所示，所述步骤S2具体包括：
步骤S201，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，确定目标部位；所述机械手中晶圆的当前状态包括未进行工艺、已完成工艺和已完成冷却，所述目标部位指所述晶圆下一工艺节点对应的部位；
步骤S202，基于所述目标部位的当前状态，确定第一目标位置并控制所述机械手将所述晶圆传送到所述第一目标位置；在所述目标部位的当前状态为故障的情况下，所述第一目标位置为晶圆盒卡槽；在所述目标部位的当前状态为正常的情况下，所述第一目标位置为所述目标部位。
具体的，对于机械手中的晶圆，首先基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，确定目标部位，其中所述机械手中晶圆的当前状态包括未进行工艺、已完成工艺和已完成冷却，所述目标部位指所述晶圆下一工艺节点对应的部位。可以理解的是，若晶圆的当前状态为未进行工艺，则目标部位为工艺腔；若晶圆的当前状态为已完成工艺，由于晶圆根据工艺要求的不同，有可能需要冷却，也可能不需要，因此目标部位可能为晶圆盒或冷却腔；若晶圆的当前状态为已完成冷却，则目标部位为晶圆盒。
确定目标部位之后，即可基于所述目标部位的当前状态，确定第一目标位置并控制所述机械手将所述晶圆传送到所述第一目标位置；在所述目标部位的当前状态为故障的情况下，所述第一目标位置为晶圆盒卡槽；在所述目标部位的当前状态为正常的情况下，所述第一目标位置为所述目标部位。
值得注意的是，本申请实施例会基于晶圆和目标部位的当前状态确定晶圆的传送位置（即第一目标位置），在所述目标部位的当前状态为正常的情况下，所述第一目标位置为所述目标部位，即若判断异常工况不会影响晶圆工艺的情况下，控制机械手调度晶圆继续进行工艺，而并非在异常工况下将全部晶圆“一刀切”地直接取回晶圆盒。基于此，可以在完成晶圆取回的同时，最大限度地保证晶圆加工进度。可以理解的是，由于半导体加工设备在正常工作的情况下，仅在确定下一工艺节点对应的腔室空闲的情况下，机械臂才会进行晶圆的取出操作，基于此，机械手可以顺利将所述晶圆传送到所述第一目标位置。
本申请实施例提供的方法，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，确定目标部位；所述机械手中晶圆的当前状态包括未进行工艺、已完成工艺和已完成冷却，所述目标部位指所述晶圆下一工艺节点对应的部位；基于所述目标部位的当前状态，确定第一目标位置并控制所述机械手将所述晶圆传送到所述第一目标位置；在所述目标部位的当前状态为故障的情况下，所述第一目标位置为晶圆盒卡槽；在所述目标部位的当前状态为正常的情况下，所述第一目标位置为所述目标部位，能够在完成晶圆取回的同时，最大限度地保证晶圆加工进度。
基于上述实施例，所述目标腔室包括冷却腔和工艺腔，相应的，所述目标腔室中的目标晶圆分别指所述冷却腔中已完成冷却的第一目标晶圆和所述工艺腔中已完成工艺的第二目标晶圆。
具体的，基于前述实施例可知，本申请在进行晶圆取回时，会让工艺过程不受影响的晶圆继续进行工艺，基于此，半导体加工设备的冷却腔和工艺腔中会包括冷却中和工艺中的晶圆。因此，本申请实施例会持续对冷却腔和工艺腔中的目标晶圆（即所述冷却腔中已完成冷却的第一目标晶圆和所述工艺腔中已完成工艺的第二目标晶圆）进行处理，以确保晶圆工艺有序进行，进而在不影响晶圆加工进度的前提下，保证晶圆取回的效率。
基于上述实施例，图4是本申请提供的冷却腔和工艺腔中晶圆的调度流程示意图，如图4所示，所述基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆，具体包括：
步骤S11，基于冷却腔中晶圆的当前状态，确定所述冷却腔中是否包括第一目标晶圆，若是，基于所述第一目标晶圆的工艺流程，控制目标机械手将所述第一目标晶圆传送到第二目标位置并跳转执行步骤S33；若否，执行步骤S22；
步骤S22，基于工艺腔中晶圆的当前状态，确定所述工艺腔中是否包括第二目标晶圆，若是，基于所述第二目标晶圆的工艺流程控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到第二目标位置并执行步骤S33；若否，跳转执行步骤S11；
步骤S33，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，跳转执行S11，若否，执行步骤S4。
具体的，待机械手中的晶圆处理完毕之后，本申请实施例首先基于冷却腔中晶圆的当前状态，确定所述冷却腔中是否包括第一目标晶圆，若是，基于所述第一目标晶圆的工艺流程，控制目标机械手将所述第一目标晶圆传送到第二目标位置，即优先对冷却腔中已完成冷却的晶圆进行调度，以确保冷却腔空闲，基于此，可以避免工艺腔中已完成工艺的第二目标晶圆长时间等待冷却，在确定所述工艺腔中不包括第二目标晶圆的情况下，再基于工艺腔中晶圆的当前状态，确定所述工艺腔中是否包括第二目标晶圆，若是，基于所述第二目标晶圆的工艺流程控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到第二目标位置，能够最大限度地保证工艺腔和冷却腔中晶圆的调度效率。
值得注意的是，本申请实施例会持续检测冷却腔和工艺腔中晶圆的位置和状态，以便进行及时调度，同时在机械臂每一次取放片过程结束时判断冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，在确定冷却腔和工艺腔中不包括晶圆的情况下（即冷却腔和工艺腔中的晶圆全部取回晶圆盒），执行步骤S4。
本申请实施例提供的方法，步骤S11，基于冷却腔中晶圆的当前状态，确定所述冷却腔中是否包括第一目标晶圆，若是，基于所述第一目标晶圆的工艺流程，控制目标机械手将所述第一目标晶圆传送到第二目标位置并跳转执行步骤S33；若否，执行步骤S22；步骤S22，基于工艺腔中晶圆的当前状态，确定所述工艺腔中是否包括第二目标晶圆，若是，基于所述第二目标晶圆的工艺流程控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到第二目标位置并执行步骤S33；若否，跳转执行步骤S11；步骤S33，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，跳转执行S11，若否，执行步骤S4，能够最大限度地保证冷却腔和工艺腔中晶圆的调度效率，进而高效地将晶圆取回晶圆盒。
基于上述实施例，若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆需要冷却，所述第二目标晶圆对应的第二目标位置为冷却腔；若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆无需冷却，所述第二目标晶圆对应的第二目标位置为晶圆盒卡槽，相应的，所述基于所述第二目标晶圆的工艺流程控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到第二目标位置，具体包括：
若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆需要冷却，在所述冷却腔空闲的情况下，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到所述冷却腔；
若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆无需冷却，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到对应的晶圆盒卡槽。
具体的，本申请实施例基于第二目标晶圆的工艺流程能够快速确定第二目标位置，并基于目标位置的状态进行准确地晶圆调度，能够保证第二目标晶圆的调度效率，进而保证晶圆的整体调度效率。
本申请实施例提供的方法，若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆需要冷却，所述第二目标晶圆对应的第二目标位置为冷却腔；若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆无需冷却，所述第二目标晶圆对应的第二目标位置为晶圆盒卡槽，相应的，所述基于所述第二目标晶圆的工艺流程控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到第二目标位置，具体包括：若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆需要冷却，在所述冷却腔空闲的情况下，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到所述冷却腔；若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆无需冷却，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到对应的晶圆盒卡槽，能够保证第二目标晶圆的调度效率，进而保证晶圆的整体调度效率。
图5为本申请提供的半导体加工设备异常工况下针对机械手的晶圆调度控制方法的流程示意图，由于晶圆的传送需要依赖机械手完成，基于此，下面将从机械手控制的角度对本申请实施例提供的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法进行介绍。如图5所示，机械手视角的晶圆调度控制方法具体包括：
步骤S401，确定目标机械手中是否包括晶圆；若包括，执行步骤S402，若不包括，跳转执行步骤S405；
具体的，对于机械手而言，对应的晶圆传送策略包括两种情形，一种是机械手中包括晶圆，一种是机械手中不包括晶圆。因此，首先需要确定目标机械手中是否包括晶圆；若包括，则需要确定所述晶圆的传送路径，若不包括，则需要确定取片位置，即去哪个设备（例如工艺腔或冷却腔）中取晶圆。
步骤S402，若所述晶圆的当前状态为未进行工艺，确定所述晶圆对应的工艺腔是否故障（即是否正常）；若是，跳转执行步骤S407，若否，执行步骤S403；
若所述晶圆的当前状态为已完成工艺，确定所述晶圆是否需要冷却；若是，跳转执行步骤S404，若否，跳转执行步骤S407；
若所述晶圆的当前状态为已完成冷却，跳转执行步骤S407；
具体的，由于后台软件记录了全部晶圆的工艺历史信息，因此，当确定目标机械手中包括晶圆的情况下，即可基于所述工艺历史信息快速确定所述目标机械手中的晶圆的当前状态，所述晶圆的当前状态分为以下三种情形：未进行工艺（对应于从晶圆盒中取出的晶圆）、已完成工艺（对应于从工艺腔中取出的晶圆）和已完成冷却（对应于从冷却腔中取出的晶圆）。
对于当前状态为未进行工艺的晶圆，传统方法是直接人工控制机械手将其取回晶圆盒，待半导体加工设备检修完毕再继续进行工艺，这种做法将会大大延误晶圆的加工进度，基于此，本申请实施例对于该情形，首先确定所述晶圆对应的工艺腔是否故障，若故障，则将其取回晶圆盒，若未故障，则继续进行工艺。基于此，可以最大化利用故障检修期间的时间进行晶圆工艺过程，在不与故障检修冲突的情况下最大限度地保证晶圆的加工进度。可以理解的是，后台软件中还会记录有全部晶圆的初始加工计划，包括其预定传送路线及对应的时间节点，因此，所述晶圆对应的工艺腔可以通过所述初始加工计划确定。
对于当前状态为已完成工艺的晶圆，传统方法是直接人工控制机械手将其放入冷却腔中，待冷却完成再人工控制机械手将其取回晶圆盒中。但本申请发明人发现，由于不同类型晶圆对应的工艺温度存在差异，并不是所有的晶圆都需要进行冷却处理，基于此，本申请实施例对于该种情形，首先确定所述晶圆是否需要冷却，若需要，则对其进行冷却，若不需要，则不对其进行冷却。基于此，能够提高晶圆的取回效率，进而节约半导体设备的检修时间，进一步保证晶圆的加工进度。
对于当前状态为已完成冷却的晶圆，则直接将其取回晶圆盒。
基于上述内容，本申请实施例能够对不同状态下的晶圆进行针对性地自动传送，能够保证晶圆的加工进度以及晶圆取回的效率。
值得注意的是，对于前述存在多种类型的工艺腔的情形，例如，前述示例中的去胶机，第一种工艺腔用于去胶预处理（例如采用物理方法先去除晶圆上较厚的光刻胶），第二种工艺腔则继续进行全面去胶处理（例如湿法去胶），对于此情形，所述晶圆的当前状态还包括第四种情形，即已完成部分工艺，对于该种情形，与未进行工艺的情形类似的，确定所述晶圆下一步工艺对应的工艺腔是否故障；若是，跳转执行步骤S407，若否，执行步骤S403。
步骤S403，将所述晶圆放入对应的工艺腔，并跳转执行步骤S401；
具体的，对于未进行工艺且对应的工艺腔未故障的晶圆，控制所述目标机械手将所述晶圆放入对应的工艺腔。同时，执行该操作后，所述目标机械手中将不包括晶圆，基于此，跳转执行步骤S401，能够自动控制所述目标机械手进行取片操作，即所述目标机械手始终在进行取放片工作，以保证晶圆取回晶圆盒的效率。
步骤S404，将所述晶圆放入对应的冷却腔，并跳转执行步骤S401；
具体的，对于已完成工艺且需要冷却的晶圆，控制所述目标机械手将所述晶圆放入对应的冷却腔。与步骤S403类似的，放完晶圆后跳转执行步骤S401以自动控制所述目标机械手进行取片操作，保证晶圆取回晶圆盒的效率。
步骤S405，判断所述冷却腔中是否包括已完成冷却的晶圆，若是，取出所述晶圆并跳转执行步骤S401；若否，执行步骤S406；
具体的，在所述目标机械手中不包括晶圆的情况下，首先判断所述冷却腔中是否包括已完成冷却的晶圆，若是，则控制所述目标机械手取出所述晶圆并跳转执行步骤S401，即将其取回晶圆盒。基于此，能够优先将已完成冷却（即完成加工流程）的晶圆取回晶圆盒，以便待冷却的晶圆进行冷却处理，避免冷却腔中无空闲腔体导致已完成工艺的晶圆无法及时进行冷却处理的情况，进一步提高了晶圆取回的效率。
步骤S406，判断所述工艺腔中是否包括已完成工艺的晶圆，若是，在所述晶圆需要冷却且所述冷却腔空闲或所述晶圆不需要冷却的情况下，取出所述晶圆并跳转执行步骤S401；
具体的，若所述冷却腔中不包括已完成冷却的晶圆，则进一步判断所述工艺腔中是否包括已完成工艺的晶圆，若是，则在所述晶圆需要冷却且所述冷却腔空闲或所述晶圆不需要冷却的情况下，取出所述晶圆，基于此，对于不需要冷却的晶圆，取出所述晶圆后可以直接放回晶圆盒中，对于需要冷却的晶圆，能够避免所述冷却腔非空闲导致所述晶圆取出后需要等待冷却腔空闲的情况，进一步保证了晶圆取回的效率。
步骤S407，将所述晶圆放入对应的晶圆盒卡槽，并判断所述半导体加工设备中是否包括晶圆，若否，输出晶圆传送完成提示信息，若是，跳转执行步骤S401。
具体的，基于前述内容可知，后台软件记录了全部晶圆的工艺历史信息，包括晶圆的传送路线以及对应的时间节点，因此，基于所述工艺历史信息可以快速确定所述晶圆对应的晶圆盒卡槽（即所述晶圆在晶圆盒中的初始放置卡槽）。基于此，能够避免人工操作机械手导致晶圆卡槽错位的问题。同时，将所述晶圆放入对应的晶圆盒卡槽后，本申请实施例会继续判断所述半导体加工设备中是否包括晶圆，若否，则代表半导体加工设备中的晶圆已全部取回，输出晶圆传送完成提示信息，若是，跳转执行步骤S401，继续对半导体加工设备中的晶圆进行取回操作。
综上所述，基于本申请实施例提供的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，能够在异常工况下对半导体加工设备中的晶圆进行高效准确的自动调度，在取回晶圆的同时，最大限度降低对晶圆加工进度的影响。
基于上述实施例，所述步骤S22还包括：
在多个工艺腔均包括第二目标晶圆且所述第二目标晶圆需要冷却的情况下，基于所述多个工艺腔分别对应的工艺温度确定所述第二目标晶圆的传送优先级；
基于所述第二目标晶圆的传送优先级，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆依次传送到所述冷却腔。
具体的，在多个工艺腔均包括已完成工艺且需要进行冷却的第二目标晶圆的情况下，本申请实施例优先基于所述多个工艺腔分别对应的工艺温度确定所述第二目标晶圆的传送优先级。由于工艺温度越高，需要的冷却时间越长，因此，本申请实施例基于所述多个工艺腔分别对应的工艺温度确定所述第二目标晶圆的传送优先级，工艺温度越高，所述第二目标晶圆对应的传送优先级越高，基于此，能够优先将工艺温度高的晶圆送入冷却腔中进行冷却，进一步缩短了晶圆取回操作的整体用时，进而提高了晶圆的取回效率。
可以理解的是，根据实际需要，本申请实施例也可以采用其它指标确定所述第二目标晶圆的传送优先级，例如根据所述第二目标晶圆放入工艺腔进行工艺的时间先后顺序，先进行工艺的先进行冷却或是根据所述第二目标晶圆的重要程度，重要程度越高的晶圆传送优先级越高，本申请实施例对此不作具体限定。
本申请实施例提供的方法，在多个工艺腔均包括第二目标晶圆且所述第二目标晶圆需要冷却的情况下，基于所述多个工艺腔分别对应的工艺温度确定所述第二目标晶圆的传送优先级；基于所述第二目标晶圆的传送优先级，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆依次传送到所述冷却腔，能够进一步缩短晶圆取回操作的整体用时，进而提高晶圆的取回效率。
基于上述任一实施例，所述基于所述多个工艺腔分别对应的工艺温度确定所述第二目标晶圆的传送优先级，具体包括：
对于所述多个工艺腔中的目标工艺腔，所述目标工艺腔对应的工艺温度越高，其对应的第二目标晶圆的传送优先级越高。
具体地，所述目标工艺腔可以是所述多个工艺腔中的任一个，所述目标工艺腔对应的工艺温度越高，则其对应的已完成工艺的第二目标晶圆的温度越高，因此，所述第二目标晶圆的传送优先级也越高，基于此，能够优先将温度高的晶圆送入冷却腔中进行冷却，能够充分利用冷却腔的冷却资源，进一步缩短晶圆取回操作的整体用时，进而提高晶圆的取回效率。
本申请实施例提供的方法，对于所述多个工艺腔中的目标工艺腔，所述目标工艺腔对应的工艺温度越高，其对应的第二目标晶圆的传送优先级越高，能够充分利用冷却腔的冷却资源，进一步缩短晶圆取回操作的整体用时，进而提高晶圆的取回效率。
基于上述任一实施例，若所述目标工艺腔中存在多个第二目标晶圆，基于所述多个第二目标晶圆的工艺完成时刻，确定所述多个第二目标晶圆的传送优先级。
具体地，若所述目标工艺腔中存在多个已完成工艺的第二目标晶圆，基于所述多个已完成工艺的第二目标晶圆的工艺完成时刻，确定所述多个已完成工艺的第二目标晶圆的传送优先级，即越早完成工艺的晶圆，其传送优先级越高，基于此，可以保证已完成工艺的晶圆被及时取出，进而降低未进行工艺的晶圆等待工艺的时间，在保证加工进度的基础上进一步缩短了晶圆取回操作的整体用时，进而提高了晶圆的取回效率。
本申请实施例提供的方法，若所述目标工艺腔中存在多个第二目标晶圆，基于所述多个第二目标晶圆的工艺完成时刻，确定所述多个第二目标晶圆的传送优先级，能够在保证加工进度的基础上进一步缩短晶圆取回操作的整体用时，进而提高晶圆的取回效率。
下面结合前述示例中的去胶机，以一个具体的例子介绍所述半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法的具体过程，所述去胶机包括两个机械手、多个工艺腔和一个冷却腔，所述多个工艺腔包括两种工艺类型，第一类型工艺腔用于去胶预处理，第二类型工艺腔用于进行深度去胶处理。所述方法的具体流程为：
步骤S501，在所述半导体加工设备处于异常工况的情况下，响应于软件操作界面中“回退晶圆”按钮的触发操作，获取全部晶圆的工艺历史信息。
步骤S502，基于全部晶圆的工艺历史信息，确定目标机械手中是否包括晶圆；若包括，执行步骤S503，若不包括，跳转执行步骤S506；
步骤S503，基于所述目标机械手中的晶圆的工艺历史信息，确定所述晶圆的当前状态：
若所述晶圆的当前状态为未进行工艺或已完成部分工艺，基于所述晶圆的初始加工计划，确定所述晶圆对应的工艺腔（即所述晶圆下一步处理采用的工艺腔），再基于所述异常工况对应的报警信息，确定所述晶圆对应的工艺腔是否故障；若是，跳转执行步骤S508，若否，执行步骤S504；
若所述晶圆的当前状态为已完成工艺，确定所述晶圆是否需要冷却；若是，跳转执行步骤S505，若否，跳转执行步骤S508；
若所述晶圆的当前状态为已完成冷却，跳转执行步骤S508；
步骤S504，控制所述目标机械手将所述晶圆放入对应的工艺腔，并跳转执行步骤S502；
步骤S505，控制所述目标机械手将所述晶圆放入对应的冷却腔，并跳转执行步骤S502；
步骤S506，基于全部晶圆的工艺历史信息以及所述半导体加工设备的工作状态监测信息，判断所述冷却腔中是否包括已完成冷却的晶圆，若是，取出所述晶圆并跳转执行步骤S502；若否，执行步骤S507；
步骤S507，基于全部晶圆的工艺历史信息以及所述半导体加工设备的工作状态监测信息，判断所述工艺腔中是否包括已完成工艺的晶圆，若是，在所述晶圆需要冷却且所述冷却腔空闲或所述晶圆不需要冷却的情况下，取出所述晶圆并跳转执行步骤S502，同时，在所述晶圆需要冷却且所述冷却腔非空闲的情况下，跳转执行步骤S506；若否，跳转执行步骤S502；
步骤S508，控制所述目标机械手将所述晶圆（即前述未进行工艺、已完成部分工艺、已完成工艺或已完成冷却的晶圆）放入对应的晶圆盒卡槽，并判断所述半导体加工设备的机械手、工艺腔和冷却腔中是否包括晶圆，若否，在所述软件操作界面输出晶圆传送完成提示信息，若是，跳转执行步骤S502。
值得注意的是，所述全部晶圆的工艺历史信息是实时更新的，即只要晶圆的状态（包括当前位置和当前状态）发生变化，所述工艺历史信息会对应更新。同时，当半导体加工设备中存在多个机械手，且各机械手取放晶圆的动作存在冲突时（例如工艺腔当前时刻存在多个已完成工艺的晶圆，需要基于晶圆的优先级进行取片，而此时空闲的机械手有多个，无法确定各机械手的取片顺序），则基于预设的机械手动作优先级确定各机械手的动作执行顺序。
图6示例了一种电子设备的实体结构示意图，如图6所示，该电子设备可以包括：处理器(processor)601、通信接口(Communications Interface)602、存储器(memory)603和通信总线604，其中，处理器601，通信接口602，存储器603通过通信总线604完成相互间的通信。处理器601可以调用存储器603中的逻辑指令，以执行上述各方法所提供的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，该方法包括：步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；步骤S2，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制所述机械手将所述晶圆传送到第一目标位置；步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4；步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息。
此外，上述的存储器603中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面，本申请还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序，计算机程序可存储在非暂态计算机可读存储介质上，所述计算机程序被处理器执行时，计算机能够执行上述各方法所提供的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，该方法包括：步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；步骤S2，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制所述机械手将所述晶圆传送到第一目标位置；步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4；步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息。
又一方面，本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，该方法包括：步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；步骤S2，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制所述机械手将所述晶圆传送到第一目标位置；步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4；步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，所述半导体加工设备包括至少一个机械手、工艺腔和冷却腔，其特征在于，所述方法包括：
步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；
步骤S2，基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制所述机械手将所述晶圆传送到第一目标位置；
步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4；
步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息。
2.根据权利要求1所述的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：
基于所述机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，确定目标部位；所述机械手中晶圆的当前状态包括未进行工艺、已完成工艺和已完成冷却，所述目标部位指所述晶圆下一工艺节点对应的部位；
基于所述目标部位的当前状态，确定第一目标位置并控制所述机械手将所述晶圆传送到所述第一目标位置；在所述目标部位的当前状态为故障的情况下，所述第一目标位置为晶圆盒卡槽；在所述目标部位的当前状态为正常的情况下，所述第一目标位置为所述目标部位。
3.根据权利要求1所述的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述目标腔室包括冷却腔和工艺腔，相应的，所述目标腔室中的目标晶圆分别指所述冷却腔中已完成冷却的第一目标晶圆和所述工艺腔中已完成工艺的第二目标晶圆。
4.根据权利要求3所述的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至所述工艺腔和冷却腔中不包括晶圆，具体包括：
步骤S11，基于冷却腔中晶圆的当前状态，确定所述冷却腔中是否包括第一目标晶圆，若是，基于所述第一目标晶圆的工艺流程，控制目标机械手将所述第一目标晶圆传送到第二目标位置并跳转执行步骤S33；若否，执行步骤S22；
步骤S22，基于工艺腔中晶圆的当前状态，确定所述工艺腔中是否包括第二目标晶圆，若是，基于所述第二目标晶圆的工艺流程控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到第二目标位置并执行步骤S33；若否，跳转执行步骤S11；
步骤S33，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，跳转执行S11，若否，执行步骤S4。
5.根据权利要求4所述的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，其特征在于，若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆需要冷却，所述第二目标晶圆对应的第二目标位置为冷却腔；若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆无需冷却，所述第二目标晶圆对应的第二目标位置为晶圆盒卡槽，相应的，所述基于所述第二目标晶圆的工艺流程控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到第二目标位置，具体包括：
若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆需要冷却，在所述冷却腔空闲的情况下，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到所述冷却腔；
若所述第二目标晶圆的工艺流程指示所述第二目标晶圆无需冷却，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆传送到对应的晶圆盒卡槽。
6.根据权利要求5所述的半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述步骤S22还包括：
在多个工艺腔均包括第二目标晶圆且所述第二目标晶圆需要冷却的情况下，基于所述多个工艺腔分别对应的工艺温度确定所述第二目标晶圆的传送优先级；
基于所述第二目标晶圆的传送优先级，控制所述目标机械手将所述第二目标晶圆依次传送到所述冷却腔。
7.根据权利要求6所述的晶圆半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，其特征在于，所述基于所述多个工艺腔分别对应的工艺温度确定所述第二目标晶圆的传送优先级，具体包括：
对于所述多个工艺腔中的目标工艺腔，所述目标工艺腔对应的工艺温度越高，其对应的第二目标晶圆的传送优先级越高。
8.根据权利要求7所述的晶圆半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法，其特征在于，若所述目标工艺腔中存在多个第二目标晶圆，基于所述多个第二目标晶圆的工艺完成时刻，确定所述多个第二目标晶圆的传送优先级。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至8任一项所述半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法的步骤。
10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至8任一项所述半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法的步骤。
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