JP2010056367A - 半導体製造装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】最適な処理条件変更を行い、歩留まりの面で更なる向上を図る。
【解決手段】
ウェハの識別情報に応じたウェハの処理条件を有する一ロットの処理条件テーブルであり、既に受信した処理条件テーブルに属する全てのウェハの識別情報と同一のウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを新たに受信すると、既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、ウェハの処理が完了したか未処理であるかを示すウェハの進捗状況に基づいて、既に受信したウェハの処理条件を、新たに受信したウェハの処理条件に変更可能か否かを判別し、変更可能なウェハの処理条件がある場合、そのウェハの処理条件を新たに受信したウェハの処理条件に変更する装置レシピ制御部１０４とを備えることを特徴とする半導体製造装置１０１を提供する。
これにより半導体製造装置１０１におけるウェハに応じた歩留まりの向上を図ることが可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造装置に関し、詳しくは、新たに一ロットの処理条件を受信した場合、ウェハ単位で処理条件を変更することが可能であり、さらに、優先度の高い新たな処理条件を割り込ませて、その処理を優先して実行させることが可能な半導体製造装置に関するものである。
半導体ウェハ（基板）に所定の処理を施す半導体製造装置は、一度の処理で、一枚、あるいは複数枚のウェハが処理される。また、ウェハの処理条件の指示や管理は、所定数のウェハからなるロットを単位として行われている。この種の半導体製造装置は、ユーザにより設定された当該一ロットの処理条件を、半導体製造装置と通信可能に接続された外部装置から、そのロットに属するウェハの処理を開始する前に予め取得し、その一ロットの処理条件に従って処理を実施する。すなわち、一つのロットは一つの処理条件に従って処理されている。
以下では、一ロットの処理条件に基づいて、半導体製造装置がウェハ毎に処理を施す方法を、図面を参照しながら説明する。図１２は、一ロットの処理条件に従って、ウェハ毎に処理を実行する従来の製造システムの構成を示す図である。
図１２に示すように、当該製造システムは、ロット管理を含め全て統括管理している製造実行システム１２０２（Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｅｘｅｃｕｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ：ＭＥＳ）と、ウェハに処理を施す製造設備１２０３との間のネットワーク経路にプロセス制御システム１２０１（Ａｄｖａｎｃｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｙｓｔｅｍ：ＡＰＣシステム）が挿入されている。プロセス制御システム１２０１は、ユーザにより製造実行システム１１０１に設定されたロット単位での処理条件を、ウェハ状態に応じたウェハ単位の処理条件に修正して製造設備１２０３に送信するよう構成されている。
プロセス制御システム１２０１から製造設備１２０３に送信されるウェハ単位の処理条件は、プロセス制御システム１２０１が、検査装置１１０５により測定された前工程における処理結果を蓄積したデータベース１２０４にアクセスして処理対象の各ウェハに関するデータを取得する。そして、予めプログラムされたアルゴリズムを使用して、ロット単位での処理条件からウェハ単位の処理条件を算出する。算出した処理条件に基づいて、ウェハ処理が実行される（例えば特許文献１参照）。
また、既に記憶されている一ロットの処理条件に従って処理を実行している半導体製造装置に対して、優先度の高いロットを投入する方法（割り込み処理方法）は、以下の構成により実現されている。
図１３は、優先度の高いロットの投入を行うシステムの構成を示す図である。
図１３に示すように、複数の製造装置１３０１（装置Ａ、装置Ｂ、装置Ｃ、、、）と、製造管理装置１３０２（製造管理サーバー）はＬＡＮ接続されており、複数の製造装置１３０１における稼動情報は、製造管理装置１３０２に収集され、スケジューラーデータベース１３０３（シミュレータ）に定期的に転送・記憶される。外部計算機１３０４は、スケジューラーデータベース１３０３に記憶された稼働情報と、ＬＡＮ接続された端末１３０５から送信される処理の指示とその内容とに基づいて、予めプログラムされたアルゴリズムを使用して、優先度の高いロットを投入する製造装置とタイミングとの制御を行い、製造管理装置１３０２を介して所定の製造装置（例えば、装置Ａ）に対して優先度の高いロットの投入指示を送信する。優先度の高いロットの投入指示を受信した所定の製造装置は、その投入指示に基づいて、ロット、すなわち、所定数のウェハに所定の処理を実行する（例えば特許文献２参照）。
特開２００６-２０２８２１号公報 特開２００２-２３８２３号公報
特許文献１に記載の技術では、ロット単位の処理条件を修正してウェハ単位の処理条件を算出するため、前工程完了時点でのウェハ状態に応じた処理条件での処理が可能である。しかしながら、特定のロットに対し、ロット単位の処理条件自体を変更したい場合には、当該変更したロット単位の処理条件が事前にプロセス制御システム１２０１に設定されている必要がある。すなわち、一旦、ロットに対する処理が開始されると、そのロットに属するウェハの処理が全て完了するまで、ロット単位の処理条件の修正・変更を行うことが出来ない。例えば、既に処理が完了した同一ロットに属するウェハの状態（処理結果）を検査装置１２０５にて取得し、当該取得した同一ロットに属するウェハに対する処理結果をリアルタイムで製造装置１２０３に反映させることができないという問題がある。
その結果、ウェハの処理条件を変更する場合は、予め蓄積された古い測定結果を用いて処理条件が変更されることになり、ウェハ単位での処理条件自体を最適な処理条件へ変更することができない。そのため、歩留まりの面で、ウェハ単位の処理条件の変更に関する技術の向上が切望されている。
また、特許文献２に記載の技術では、優先度の高いロットの処理を実行する所定の製造装置１３０１は、あくまでも外部計算機１２０４が優先度の高いロットを投入する旨の信号を受信した時点で、ロットの処理を即時に実行可能な製造装置に限定される。そのため、例えば、上記信号を受信した時点で、優先度の低いロットの処理を実行している製造装置が存在する場合に、優先度の低いロットの処理を一時停止させて、優先度の高いロットを先に処理させることはできないという問題がある。
その結果、優先度の低いロットの処理が終了した後、漸く製造装置は、優先度の高いロットの処理を開始することとなり、優先度の高いロットに応じた、ウェハの処理条件の送信からその処理条件で処理が実行されたウェハ処理の出力までの時間であるリードタイムが遅延するという可能性がある。
また、近年、半導体業界で予測されているウェハの大口径化、ウェハの微細加工化の傾向に対して、ウェハ１枚単位のコスト、経費は増加する可能性がある。そのため、ウェハに対する歩留まりの向上は更に重要となり、一枚のウェハ処理に対して出来る限り最適な条件で処理を実行する必要がある。また、半導体製造装置の状況変化に応じて、出来る限りリアルタイムでの対応、最新の測定結果を反映させた条件でのウェハ処理、さらに、その条件の微調整が必要となる。
そこで、本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、新たに一ロットの処理条件を受信した場合、ウェハ単位で処理条件を変更することが可能であり、さらに、優先度の高い新たな一ロットの処理条件を割り込ませて、その処理を優先して実行させることが可能な半導体製造装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体製造装置は、所定数のウェハを一ロット単位とし、外部装置から取得した一ロットの処理条件テーブルに基づいて所定数のウェハを処理する半導体製造装置を前提とする。
本発明に係る半導体製造装置は、ウェハの識別情報に応じたウェハの処理条件を有する一ロットの処理条件テーブルであり、既に受信した処理条件テーブルに属する全てのウェハの識別情報と同一のウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを新たに受信する手段を備える。さらに、当該半導体製造装置は、既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、ウェハの処理が完了したか未処理であるかを示すウェハの進捗状況に基づいて、既に受信したウェハの処理条件を、新たに受信したウェハの処理条件に変更可能か否かを判別する手段を備える。そして、当該半導体製造装置は、変更可能なウェハの処理条件がある場合、そのウェハの処理条件を新たに受信したウェハの処理条件に変更する手段を備える。
ロットとは、所定数のウェハを一単位とする単位を示し、当該所定数は、必要に応じて任意に設定することができる数である。所定数は、例えば、ウェハを収容する前面開放一体式ポッド（キャリアともいう）を基準に設定することができ、前面開放一体式ポッドに収容されるウェハの最大数を所定数とすることができる。
ロットの処理条件テーブルとは、ロットに属するウェハに対応付けられた複数の処理条件のことであり、一ウェハに一処理条件が対応付けられている。処理条件は、例えば、ウェハの処理に関するパラメータ（熱処理、処理時間、処理温度等）が該当する。パラメータは、項目（例えば、熱処理、洗浄処理、乾燥処理等）であっても、数値（例えば、処理時間ならば５分、処理温度ならば９０℃等）であっても構わない。処理条件は、例えば、加熱処理であれば、処理時間、処理温度（例えば、ユニットのチャンバー内で処理されるのであれば、そのチャンバー温度）等が挙げられるが、他の条件を必要に応じて追加しても構わない。また、処理条件は、処理の態様（洗浄処理、乾燥処理等）に応じて、適宜設計変更されても構わない。
ウェハの識別情報とは、特定のウェハを識別することが可能な情報のことであり、例えば、ウェハを特定するための識別子であるウェハＩＤ、例えば、「ＷＡＦＥＲ０１」等が該当する。
ウェハの処理条件を変更可能か否かを判別する方法は、どのような方法でもよいが、例えば、一ウェハの処理が完了した時点で、半導体製造装置におけるウェハの処理状況をリアルタイムで検知したウェハの進捗状況を利用して、既に処理済のウェハと未処理のウェハを区別し、未処理ウェハを変更可能なウェハと判別する方法が挙げられる。
既に受信したウェハの処理条件を、新たに受信したウェハの処理条件に変更可能か否かを判別すると、変更の可否の結果を外部装置に送信する手段をさらに備えるよう構成することができる。
変更の可否の結果を送信する方法は、どのような方法で送信しても構わないが、例えば、処理対象となっている複数のウェハと、そのウェハの処理条件の変更の可否の結果とをテーブルとして関連付け、そのテーブルを外部装置に送信する方法が挙げられる。
さらに、上記半導体製造装置は、処理条件テーブルでのウェハの識別情報に関連付けられた、そのウェハの処理室への搬送を停止するか否かの情報である待機有無に基づいて、ウェハの処理を実行する前に、そのウェハの処理室への搬送を停止するか否かを判別する手段を備える。また、当該ウェハの処理室への搬送を停止すると判別した場合、そのウェハの識別情報に関連付けられた所定時間が経過するまで、当該ウェハの処理室への搬送を停止する手段を備えるよう構成することができる。
ウェハの処理室への搬送を停止するか否かの情報である待機有無は、どのような情報でも構わないが、例えば、ウェハの処理室への搬送を停止することを示す場合には「Ｗ」を、ウェハの処理室への搬送を停止しないことを示す場合には「−」を待機有無として用いることが可能である。他に、「○」、「×」等の文字、図形、記号等を利用しても構わない。
ウェハの処理室への搬送を停止するとは、半導体製造装置が、ウェハに関する一連の搬送・処理を停止することを意味し、例えば、所定時間経過するまで、ウェハの処理室への搬送を停止し、ウェハの処理を中断すること、半導体製造装置を待機させることも含まれる。一ウェハに対して、処理室への搬送が停止すると、そのウェハの後続のウェハの搬送・処理が停止する構成を採用しても構わないし、処理室への搬送が停止したウェハの前後のウェハの搬送・処理を停止するよう構成しても構わない。
所定時間は、半導体製造装置が待機する際の待機時間のことを意味し、タイムアウト時間とも言う。上記タイムアウト時間は、必要に応じて、ユーザ（他の半導体製造装置）が任意に設定変更することが出来る時間である。タイムアウト時間は、リードタイムに応じて、例えば、３分間、５分間、１０分間等に設定することができる。
また、本発明に係る他の態様は、所定数のウェハを一ロット単位とし、外部装置から取得した一ロットの処理条件テーブルに基づいて所定数のウェハを処理する半導体製造装置を前提とする。
本発明に係る半導体製造装置は、ウェハの識別情報に応じたウェハの処理条件を有する一ロットの処理条件テーブルであり、既に受信した処理条件テーブルに属する全てのウェハの識別情報と異なるウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを新たに受信する手段を備える。また、当該半導体製造装置は、既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、ウェハの処理が完了したか未処理であるかを示すウェハの進捗状況に基づいて、既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、未処理であるウェハの識別情報に関連付けられた、ウェハの処理の優先度を示す優先情報と、新たに受信した処理条件テーブルにおけるウェハの識別情報に関連付けられた優先情報とを相互に比較する手段を備える。さらに、当該半導体製造装置は、優先情報を比較した結果、優先度の高いウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを優先して実行する手段を備えるよう構成することができる。
ウェハの処理の優先度を示す優先情報は、ウェハ相互間で、優劣を判別できる情報であれば、どのような情報でも構わないが、例えば、アルファベットを優先情報として採用すると、「Ａ」が最優先の優先度となり、「Ｂ」が「Ａ」の次の優先順位を示す優先度となる。他に、優先度に数字（例えば、「１」、「２」、「３」等）を採用しても構わない。
優先情報を比較した結果、優先度の高いウェハの識別情報を有する処理条件テーブルが、新たに受信した処理条件テーブルである場合、既に受信した処理条件テーブルに基づいて実行していた処理を一時停止して、新たに受信した処理条件テーブルを優先して実行する手段をさらに備えるよう構成することができる。
一時停止するとは、ウェハの単位毎に処理を実行しているため、ウェハの単位毎に処理を一時停止することを意味する。例えば、新たに処理条件テーブルを受信した際に、ウェハの処理を実行している場合は、次のウェハの処理・搬送を一時停止することになる。処理を実行しているウェハは、その処理を完了することになる。
既に受信した処理条件テーブルに基づいて実行していた処理を一時停止した場合、一時停止したウェハの結果を外部装置に送信する手段をさらに備えるよう構成することができる。
一時停止したウェハの結果とは、一時停止した結果、処理が施されていないウェハのことを意味する。一時停止したウェハの結果を送信する方法は、どのような方法で送信しても構わないが、例えば、ウェハの識別情報と、一時停止の有無の情報とをテーブルとして関連付けて記憶するテーブルを外部装置に送信する方法が挙げられる。他のテーブル、例えば、処理を一時停止した、未処理のウェハの識別情報と、処理済のウェハの識別情報とを関連付けて記憶するテーブルを採用しても構わない。
ロットに属する所定数のウェハのうち、一ウェハに対して所定の処理が実行されると、実行された処理条件の結果をウェハ毎に外部装置に送信する手段をさらに備えるよう構成することができる。
なお、半導体製造装置は、ロードポートが複数存在する半導体製造装置を採用しても構わない。ロードポートとは、半導体製造工程において、ウェハを収容しているポッドと製造装置のインターウェースとの間で、ウェハを外気（大気）に曝すことなく移動させる機械のことである。
なお、半導体製造装置は、ウェハが格納されているポッド（キャリア）から、ウェハの搬送路を構成するユニットを経由し、ウェハの処理を行うチャンバーまで、ロボット等を用いてウェハ単位の搬送を行う半導体製造装置を採用しても構わない。
なお、半導体製造装置に対して、外部装置から送信される新たな一ロットの処理条件は、半導体製造装置の前後で行われる測定工程で測定されたデータを所定の演算処理により算出された値を反映させた一ロットの処理条件を採用しても構わない。
なお、半導体製造装置に対して、外部装置から送信される、ウェハに関連付けられた優先度は、半導体製造工場内における全ロットの進捗状況を管理するシステムを用いて算出されるロットの納期（ウェハの納期）等が反映された優先度を採用しても構わない。
本発明の半導体製造装置によれば、既に受信した処理条件テーブルに属する全てのウェハの識別情報と同一のウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを新たに受信すると、ウェハの進捗状況に基づいて、既に受信したウェハの処理条件を、新たに受信したウェハの処理条件に変更可能か否かを判別する。さらに、当該半導体製造装置は、変更可能なウェハの処理条件がある場合、そのウェハの処理条件を新たに受信したウェハの処理条件に変更する手段とを備えるよう構成している。
これにより、ウェハの進捗状況により、既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、未だに処理を実行していないウェハがあれば、そのウェハの処理条件は変更可能と判別し、新たに受信したウェハの処理条件に変更することとなる。そのため、今まで、ロット単位でしか処理条件テーブルを変更することが出来なかったものを、ウェハの進捗状況を利用し、リアルタイムで処理状況が変化するウェハに対応して、ウェハ単位でその処理条件を変更することが可能となる。例えば、新たなウェハの測定結果に基づいた処理条件（最適な処理条件）を、処理を実行しているロット内のウェハの処理に直ちに反映させることが可能となる。その結果、処理されるウェハの品質を高め、処理されたすべてのウェハに対して不良品でないウェハの割合を示す歩留まりを向上させることが可能となる。さらに、ウェハ単位で処理条件を変更することが可能であることから、処理条件の微小な変更（微調整）も容易に実行することが可能となる。
既に受信したウェハの処理条件を、新たに受信したウェハの処理条件に変更可能か否かを判別すると、変更の可否の結果を外部装置に送信する手段をさらに備えるよう構成することができる。
これにより、ユーザや他の半導体製造装置は、外部装置を介して、ウェハ単位で処理条件が変更されたか否かを確認することが可能となり、変更の可否の結果に基づいて、次の行動指針を容易に立てることを可能となり、思いも因らないトラブルに対しても迅速に対応することが可能となる。
また、本発明に係る半導体製造装置は、処理条件テーブルでのウェハの識別情報に関連付けられた待機有無に基づいて、ウェハの処理を実行する前に、そのウェハの処理室への搬送を停止するか否かを判別する。さらに、当該半導体製造装置は、当該ウェハの処理室への搬送を停止すると判別した場合、そのウェハの識別情報に関連付けられた所定時間が経過するまで、当該ウェハの処理室への搬送を停止する手段を備えるよう構成することができる。
これにより、所定のウェハに対しては、所定時間内、ウェハの処理室への搬送が停止することとなるため、半導体製造装置が、ユーザにより設定された新たなロットの処理条件テーブルを受信し易くなる。そのため、既に受信したウェハの処理条件の変更に対して、ある程度時間的に猶予を持たせることが可能となり、ウェハの新たな測定結果に基づいた処理条件（最適な処理条件）をウェハの処理に反映させ易くなり、結果として、ウェハの品質向上と歩留まり向上を達成し易くなる。
また、本発明に係る半導体製造装置は、既に受信した処理条件テーブルに属する全てのウェハの識別情報と異なるウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを新たに受信すると、ウェハの進捗状況に基づいて、既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、未処理であるウェハの識別情報に関連付けられた優先情報と、新たに受信した処理条件テーブルにおけるウェハの識別情報に関連付けられた優先情報とを相互に比較する。さらに、当該半導体製造装置は、優先情報を比較した結果、優先度の高いウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを優先して実行する手段とを備える。
これにより、半導体製造装置が既に受信したロットとは異なるロットの処理条件テーブルを新たに受信すると、優先度が高いウェハを有するロットの処理条件テーブルを優先して実行することとなる。そのため、即時に所定の処理条件を実行させたいウェハや緊急で処理を行う必要があるウェハが存在する場合、そのウェハが属するロットの処理条件テーブルを半導体製造装置に割り込ませて、その処理条件テーブルを迅速に実行させることが可能となる。
優先情報を比較した結果、優先度の高いウェハの識別情報を有する処理条件テーブルが、新たに受信した処理条件テーブルである場合、既に受信した処理条件テーブルに基づいて実行していた処理を一時停止して、新たに受信した処理条件テーブルを優先して実行する手段をさらに備えるよう構成することができる。
これにより、ユーザが指定した半導体製造装置において、優先度の低いウェハの処理を一時停止させて、優先度の高いウェハを先に処理させることが可能となる。そのため、半導体製造装置毎に生じる外乱やバラツキを防止し、ユーザの意図に沿った半導体製造装置にてウェハの処理を実行することが可能となるとともに、優先度の高いウェハに対応するリードタイムの遅延を解消し、緊急時のウェハ処理にも迅速に対応することが可能となる。
既に受信した処理条件テーブルに基づいて実行していた処理を一時停止した場合、一時停止したウェハの処理条件の結果を外部装置に送信する手段をさらに備えるよう構成することができる。
これにより、優先度の高いウェハを新たに割り込ませて処理を行わせた結果発生する一時停止したウェハの情報をユーザは容易に確認することが可能となり、次の行動指針を容易に立て易くなり、思いも因らないトラブルに対しても迅速に対応することが可能となる。
ロットに属する所定数のウェハのうち、一ウェハに対して所定の処理が実行されると、実行された処理条件の結果をウェハ毎に外部装置に送信する手段とをさらに備えるよう構成することができる。
これにより、ウェハの処理条件が変更された場合や優先度の高いウェハの処理が実行された場合に関わらず、ユーザは、実際に実行された処理条件をウェハ毎に確認することが可能となる。そのため、例えば、思いも因らずに発生したウェハのトラブルに対しても、ユーザが早期に発見することが可能となるため、次の行動指針を容易に立て易くなり、ウェハの品質の向上、歩留まりの向上を図ることが可能となる。
以下に、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。
＜半導体製造装置＞
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施形態における半導体製造装置を示すシステム構成図である。ただし、本発明に直接には関係しない各部の詳細は省略している。
本実施形態の半導体製造装置１０１は、装置オンライン制御部１０２と、ウェハオブジェクト制御部１０３と、装置レシピ制御部１０４と、装置動作制御部１０５と、装置駆動部１０６とから構成される。
半導体製造装置１０１は、外部装置１００と通信可能に接続されている。外部装置１００とは、例えば、半導体製造装置１０１が属する半導体製造工程を管理する製造実行システム（ＭＥＳ）である。装置オンライン制御部１０２は、上記外部装置１００とＬＡＮ接続したネットワークを介して通信を行う。ウェハオブジェクト制御部１０３は、現在、半導体製造装置１０１内で処理されているロットのうち、そのロットに属するウェハの処理の進捗状況、半導体製造装置１０１内部におけるウェハの位置、半導体製造装置１０１内部における処理履歴等のデータを、ウェハ単位で管理・保管（記憶）している。装置レシピ制御部１０４は、上記装置オンライン制御部１０２を介して外部装置１００とデータの送受信を行ったり、上記ウェハオブジェクト制御部１０３に記憶されているデータを取得して、上記装置動作制御部１０５に命令・指示を送信したり、外部装置１００より送信されたロット単位の処理条件を保管（記憶）する。装置動作制御部１０５は、上記装置レシピ制御部１０４に記憶されている処理条件に従って実際に半導体製造装置１０１の装置駆動部（処理部）１０６の動作を制御する。装置駆動部１０６は、ウェハが収納されているキャリアから実際にウェハを一枚ずつ取り出して、所定の処理（例えば、洗浄処理、加熱処理、乾燥処理等）を施す。
ここで、ロットとは、所定数のウェハ（例えば、２４枚のウェハ、２４枚のウェハ群ともいう）の単位を示し、その所定数は、例えば、前面開放一体式ポッドに収容されるウェハの数を最大数として設定される。また、装置駆動部１０６は、所定の処理を施す二つのチャンバーと、ウェハの搬送路を構成する複数のユニット（ユニット１、ユニット２、ユニット３、ユニット４等）と、一ロットに対応する所定数のウェハが収納されたキャリアとから構成される。
なお、半導体製造装置１０１の各部は、例えば、専用の演算回路や、プロセッサとＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等のメモリとを備えたハードウエア、および当該メモリに格納され、プロセッサ上で動作するソフトウエア等として実現することができる。
＜第一の実施形態＞
次に図１乃至図７を参照しながら、第一の実施形態の半導体製造装置１０１が、外部装置１００から新たに一ロットの処理条件を受信した場合、ウェハ単位で処理条件を変更する手順について説明する。図２は、第一の実施形態の実行手順を示すためのフローチャートである。なお、第一の実施形態に直接には関係しない各部の詳細は省略している。
半導体製造装置１０１の装置動作制御部１０５が、キャリア内の複数のウェハから一ウェハを取り出してウェハ毎に処理を開始する前に、ユーザにより設定された一ロット内の各ウェハに処理条件を関連付けた処理条件テーブルが、外部装置１００から半導体製造装置１０１の装置オンライン制御部１０２に送信される。
装置オンライン制御部１０２が上記処理条件テーブルを受信すると、装置レシピ制御部１０４が該装置オンライン制御部１０２を介して、処理条件テーブルを受信し、該処理条件テーブルを保管（記憶）する（図２：Ｓ１０１）。
処理条件テーブル３００には、図３に示すように、ウェハＩＤ３０１と、レシピＩＤ３０２と、待機有無３０３と、処理優先レベル３０４と、タイムアウト時間３０５と、第一チャンバー（ＣＨ１）における初期レシピパラメータ３０６と、第二チャンバー（ＣＨ２）における初期レシピパラメータ３０７とが関連付けて記憶されている。
ウェハＩＤ３０１は、ウェハを特定するための識別子である。レシピＩＤ３０２は、ユーザが予め作成した複数のウェハの処理条件のうち、所定の処理条件を特定するための識別子である。待機有無３０３は、ウェハの処理を実行する前に、そのウェハの処理を開始させずに、該ウェハの処理室への搬送を停止するか否かを示す情報であり、例えば、ウェハの処理室への搬送を停止することを示す場合には「Ｗ」３０３ａを、ウェハの処理室への搬送を停止しないことを示す場合には「−」３０３ｂを関連付けて記憶している。処理優先レベル３０４は、複数のウェハのうち、優先して処理を実行させることを示す項目である。タイムアウト時間３０５は、ウェハの処理室への搬送を停止する際の停止時間を示す時間である。なお、ウェハＩＤ３０１は、一ロット分の数、例えば、２４の数を最大数として、処理条件テーブルに関連付けて記憶される。
チャンバーとは、ウェハに所定の処理を施すための処理室のことであり、例えば、半導体製造装置の装置駆動部に二つのチャンバーが備えられている場合、一ウェハは第一チャンバーと第二チャンバーに順次搬送されて、所定の処理がそれぞれ実行されるか、または、一方のチャンバーのみに搬送されて一回のみ所定の処理が実行される。それぞれ処理が実行されるか、第一チャンバーまたは第二チャンバーのどちらかのチャンバーに搬送されて一回の処理が実行されるかは、処理を施すウェハの種類等に応じて、適宜設計変更される。
本実施形態では、一ウェハに対して、第一チャンバーと第二チャンバーに順次処理が施されるものとする。そのため、ウェハが第一チャンバーへ搬送されると、第一チャンバーで処理を施され、継続して、第二チャンバーへ搬送されて、第二チャンバーで処理を施されるものとする。
初期レシピパラメータ３０６、３０７とは、一ロットに属する所定数のウェハのうち、一ウェハの処理条件に関するパラメータであり、例えば、チャンバー内に滞在させる時間を示す処理時間と、チャンバー内の処理温度であるＣＨ温度とが該当する。他の処理条件が更に追加されても構わない。ここでは、ウェハに加熱処理が施されるものとする。
ウェハの処理室（チャンバー）への搬送の停止は、ウェハの搬送をそのまま停止することやウェハをチャンバーの前で待機させることに該当する。なお、一ウェハに対して、処理室への搬送が停止すると、そのウェハの後続のウェハの搬送・処理が停止する。一方、処理室への搬送が停止したウェハに対して従前のウェハは、搬送・処理等が実行される。
上記処理条件テーブル３００により、装置レシピ制御部１０４が、特定のウェハに応じた処理条件を装置動作制御部１０５に実行させることができるとともに、ウェハの処理を実行する前に、そのウェハのチャンバーへの搬送を停止するか否かを判別することが可能となる。
装置レシピ制御部１０２が処理条件テーブル３００を受信すると、処理条件テーブル３００の最上段に記憶されたウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」に対応する待機有無を参照し、当該ウェハの第一チャンバーへの搬送を停止するか否かの判別を行う（図２：Ｓ１０２→Ｓ１０３）。
図３に示す処理条件テーブル３００のウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」には、待機有無に「−」３０３ｂが関連付けて記憶されているため、装置レシピ制御部１０４が、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」のウェハに対して、第一チャンバーへの搬送を停止する必要がないと判別し、直ちに装置動作制御部１０５にウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」のウェハの処理を実行する旨の信号を送信する（図２：Ｓ１０３ＮＯ）。
当該信号を受信した装置動作制御部１０５は、処理条件テーブル３００から、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」に対応する処理条件（ＣＨ１初期レシピパラメータ３０６、ＣＨ２における初期レシピパラメータ３０７）を取得し、その条件に従って、ウェハの処理を開始（実行）する（図２：Ｓ１０４）。
例えば、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」に対応するウェハは、搬送経路であるユニットを経由して、第一チャンバーに搬送されて、ＣＨ１の初期レシピパラメータ３０６（処理時間「１０ｓｅｃ」、ＣＨ温度「１００℃」）に従って処理され、さらに、第二チャンバーに搬送されて、ＣＨ２の初期レシピパラメータ３０７（処理時間「１２ｓｅｃ」、ＣＨ温度「９２℃」）に従って処理される。
装置駆動部１０６が一ウェハに対して処理を完了すると、ウェハオブジェクト制御部１０３は、ウェハに対して実際に実行した処理条件の結果を装置レシピ制御部１０４に送信する。装置レシピ制御部１０４は、受信したウェハの処理条件の結果を、装置オンライン制御部１０２を介して、外部装置１００に送信する（図２：Ｓ１０５）。
送信されたウェハの処理条件の結果は、例えば、図４に示すように、処理を行ったウェハの識別子であるウェハＩＤ４０１「ＷＡＦＥＲ０１」と、そのウェハＩＤに対応するタイムアウト時間４０２と、ウェハＩＤ４０１の処理条件に対応する、ＣＨ１における実施レシピパラメータ４０３と、ＣＨ２における実施レシピパラメータ４０４とを関連付けて記憶する実施テーブル４００の形式で送信される。
上記ＣＨ１における実施レシピパラメータ４０３は、処理時間「１０ｓｅｃ」、ＣＨ温度「１００℃」であり、ＣＨ１における初期レシピパラメータに相当する。また、上記ＣＨ２における実施レシピパラメータ４０４は、処理時間「１２ｓｅｃ」、ＣＨ温度「９２℃」であり、ＣＨ２における初期レシピパラメータに相当する。
なお、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」では、ウェハの処理を実行する前に、該ウェハの搬送を停止していないため、タイムアウト時間４０２には、待機時間が０または待機時間がないことを示す「−」４０５が関連付けて記憶される。
また、本発明の実施形態では、一ウェハに対して、第一チャンバーと第二チャンバーとを使用するよう構成しているが、例えば、一ウェハに対して、第一チャンバーのみ使用するよう構成する場合、第二チャンバーは使用しないため、実施テーブルでは、その第二チャンバーに関連する処理条件を省略するよう構成しても構わない。
上記実施テーブル４００により、ユーザあるいは他の半導体製造装置は、ウェハ単位で処理が完了する毎に、実際に実行されたウェハＩＤと、その処理条件とを確認することが可能となる。
さらに、装置駆動部１０６が、ウェハの搬送を完了すると、装置駆動部１０６が、ウェハオブジェクト制御部１０３に記憶された、ウェハの進捗状況（ウェハの処理状況）を示すテーブルである処理状況テーブルの書き換え（更新）を行う（図２：Ｓ１０６）。
上記ウェハの搬送は、例えば、処理前のウェハが収納されたキャリアから第一チャンバーへの搬送、第一チャンバーから第二チャンバーへの搬送、第二チャンバーから処理後のウェハが収納されるキャリアへの搬送等が該当する。
また、装置駆動部１０６は、ウェハの搬送が完了すると、そのウェハが収納されていた搬送元へ、さらに後続のウェハが搬入可能な状態となるため、後続のウェハを当該搬送元に順次搬送するよう構成されている。例えば、ウェハが第一チャンバーで処理を完了し、第二チャンバーへの搬送が完了すると、装置駆動部１０６が、後続のウェハを第一チャンバーへ順次搬送するよう構成される。
処理状況テーブル５００には、図５に示すように、装置駆動部１０６で処理の対象となっているウェハの識別子であるウェハＩＤ５０１と、ウェハが搬送される場所（位置）を示す項目である搬送項目５０２とが関連付けて記憶されている。ウェハが搬送される搬送項目５０２には、キャリアに置かれたウェハが、そのキャリアから所定数のユニットを経由して、第一チャンバー、第二チャンバーに順次搬送・処理されて、再度元のキャリアに戻される順である搬送経路順を示すように、「処理前キャリア」、「第一チャンバー」、「第二チャンバー」、「処理後キャリア」が関連付けられて記憶される。
また、搬送項目５０２の欄には、既に所定のウェハが上述した搬送項目内に搬送されたことを示す場合に「○」５０２ａが、所定のウェハが未だに搬送項目内に搬送されていないことを示す場合に「−」５０２ｂが関連付けて記憶している。そのため、装置駆動部１０６が、ウェハの搬送完了毎に上記処理状況テーブル５００の書き換えを行うことによって、装置レシピ制御部１０４が、当該処理状況テーブル５００に基づいて、所定のウェハが装置駆動部１０６の搬送経路内のどこに存在するか（移動状況、進捗状況）を認識することが可能となる。さらに、ウェハの存在する位置に応じて、そのウェハの処理が完了したか未処理であるかを判別することも可能となる。
なお、本発明の実施形態では、処理状況テーブル５００の搬送項目に、「処理前キャリア」、「第一チャンバー」、「第二チャンバー」、「処理後キャリア」を関連付けて記憶するよう構成しているが、例えば、より詳細なウェハの移動状況を認識することが可能となるように、搬送項目に、さらに、搬送経路の各ユニット（例えば、ユニット１、ユニット２、ユニット３、ユニット４、ユニット２、ユニット１等）を関連付けて記憶するよう構成しても構わない。
例えば、図５に示すように、「ＷＡＦＥＲ０１」に対応する搬送項目「ＣＨ１（第一チャンバー）」の欄に「○」が記憶されている場合に、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」のウェハの処理が第一チャンバーで完了し、装置駆動部１０６が、当該ウェハの第一チャンバーから第二チャンバーへ搬送を完了すると、装置駆動部１０６が、ウェハオブジェクト制御部１０３に記憶された処理状況テーブルのうち、「ＷＡＦＥＲ０１」に対応する搬送項目「ＣＨ２（第二チャンバー）」の「−」を「○」に書き換える。
上記書き換えられた処理状況テーブルでは、搬送項目「ＣＨ１」（あるいは、「ＣＨ２」）に「○」が関連付けられて記憶されていないウェハＩＤ、言い換えると、搬送項目「処理前キャリア」にのみ「○」が関連付けられて記憶されているウェハＩＤ（例えば、「ＷＡＦＥＲ０２」から「ＷＡＦＥＲ２４」まで）のウェハが、未だウェハの処理を実行されていないウェハであることを意味する。
処理状況テーブル５００が書き換えられると、ウェハオブジェクト制御部１０３は、装置オンライン制御部１０２を介して、書き換えられた処理状況テーブル５００を外部装置１００に送信する（図２：Ｓ１０７）。上記構成により、ユーザあるいは他の半導体製造装置は、外部装置１００を介して、ウェハの搬送・処理が完了する毎に、そのウェハとウェハの属するロットの進捗状況を確認することが可能となる。
さらに、ウェハオブジェクト制御部１０３は、装置レシピ制御部１０４に、ウェハの搬送が完了した旨の信号を送信する。当該信号を受信した装置レシピ制御部１０４は、処理条件テーブル３００を参照し、次に処理すべきウェハを確認する。さらに、次に処理すべきウェハ（ウェハＩＤの番号順であれば、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０２」）に対応する待機有無を参照し、当該ウェハのチャンバーへの搬送を停止するか否かの判別を行う（図２：Ｓ１０８ＮＯ→Ｓ１０３）。
例えば、図３に示す処理条件テーブル３００のウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０２」、「ＷＡＦＥＲ０３」には、上述したウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」と同様に、待機有無に「−」３０３ｂが関連付けて記憶されているため、装置レシピ制御部１０４が、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０２」、「ＷＡＦＥＲ０３」のウェハは、チャンバーへの搬送を停止する必要がないと判別する。次に装置レシピ制御部１０４が、直ちに装置動作制御部１０５にウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０２」、「ＷＡＦＥＲ０３」のウェハの処理を実行する旨の信号を送信する。この後に、ウェハの処理が順に実行されることになるが、上述したウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」と同様であるため、省略する。
次に、処理条件テーブル３００のウェハＩＤに対応する待機有無に「Ｗ」３０３ａが関連付けられて記憶されている場合について説明する。
例えば、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０３」に対応するウェハの第一チャンバーから第二チャンバーへの搬送が完了し、ウェハオブジェクト制御部１０３が、装置レシピ制御部１０４に、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０３」に対応するウェハの第二チャンバーへの搬送が完了した旨の信号を送信すると、当該信号を受信した装置レシピ制御部１０４は、処理条件テーブル３００を参照し、次に処理すべきウェハを確認して、さらに、次に処理すべきウェハ（ウェハＩＤの番号順であれば、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」）に対応する待機有無を参照し、当該ウェハの第一チャンバーへの搬送を停止するか否かの判別を行う（図２：Ｓ１０８ＮＯ→Ｓ１０３）。
図３に示す処理条件テーブル３００のウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」には、待機有無３０３に「Ｗ」３０３ａが関連付けて記憶されているため、装置レシピ制御部１０４は、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」に対応するウェハのチャンバーへの搬送は停止する必要があると判別する（図２：Ｓ１０３ＹＥＳ→Ｓ１０９）。
停止する必要があると判別すると、装置レシピ制御部１０４が、チャンバーへの搬送を停止するウェハＩＤのタイムアウト時間を処理条件テーブル３００から取得し、そのタイムアウト時間を取得してから、該タイムアウト時間が経過するまでの間、装置動作制御部１０５に送信する信号を停止する。すなわち、装置動作制御部１０５がウェハの処理を開始させずに、ウェハのチャンバーへの搬送を停止する（待機する）。
図３に示す処理条件テーブル３００では、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」に対応するタイムアウト時間は「５ｍｉｎ」３０５ａであるので、この場合は、装置レシピ制御部１０４が処理条件テーブル３００から「５ｍｉｎ」３０５ａを取得し、５分間の時間をカウントする。
例えば、既に処理が完了した同一ロットに属するウェハの状態（処理結果）を取得し、当該取得した同一ロットに属するウェハに対する処理結果をリアルタイムで半導体製造装置１０１に反映させたい場合、または、特定のロットに対し、ロット単位の処理条件テーブル自体を変更したい場合を想定する。装置動作制御部１０５が待機している間に、ユーザにより設定された新たなロットの処理条件テーブルを外部装置１００（例えば、外部装置１００に接続されたパーソナルコンピュータ）が装置オンライン制御部１０２に送信すると、装置レシピ制御部１０４は、装置オンライン制御部１０２を介して、その新たなロットの処理条件テーブルを受信する（図２：Ｓ１１０ＹＥＳ）。新たなロットの処理条件テーブルは、例えば、図３に示すように、上述した処理条件テーブル３００の初期レシピパラメータに属する処理時間等が新たな処理時間等に変更されたテーブル（変更処理条件テーブルとする）の形式で受信される。
変更処理条件テーブル６００は、図６に示すように、処理条件テーブル３００と同様な構成であり、ウェハＩＤ６０１と、レシピＩＤ６０２と、待機有無６０３と、処理優先レベル６０４と、タイムアウト時間６０５と、ＣＨ１の変更レシピパラメータ６０６と、ＣＨ２の変更レシピパラメータ６０７とが関連付けて記憶されている。上記変更処理条件テーブル６００のうち、ユーザが新たに入力（変更）した箇所は、ＣＨ１とＣＨ２とに対応する変更レシピパラメータ６０６、６０７であり、ウェハＩＤ６０１は、処理条件テーブル３００のウェハＩＤ３０１と全て同一である。
装置レシピ制御部１０４が、新たな一ロットの処理条件テーブル（変更処理条件テーブル６００）を受信すると、既に受信した処理条件テーブル３００のウェハＩＤ３０１と、新たに受信した変更処理条件テーブル６００のウェハＩＤ６０１とが同一か否かの判別を行う（図２：Ｓ１１１）。判別する方法は、テーブル毎のウェハＩＤを相互に比較し、同一のウェハＩＤがあるか否かを判別する方法である。
なお、上記判別方法は、変更処理条件テーブルに対応するロットと、既に受信した処理条件テーブルに対応するロットとは、同一であることを判別する方法であるから、例えば、処理条件テーブルに、ロットを特定するための識別子であるロットＩＤを付与し、そのロットＩＤを相互に比較して、変更処理条件テーブルに対応するロットと、既に受信した処理条件テーブルに対応するロットとが同一であるか否かを判別するよう構成しても構わない。
上述したように、処理条件テーブル３００と変更処理条件テーブル６００とのウェハＩＤは全て同一であるため、言い換えると、同一のロットに対応する処理条件テーブルであるため、装置レシピ制御部１０４は、処理条件テーブル３００と変更処理条件テーブル６００とのウェハＩＤは全て同一であると判別し、既に受信したウェハの処理条件（処理条件テーブル３００のうち、ウェハ毎の処理条件）を新たに受信したウェハの処理条件（変更処理条件テーブル６００のうち、ウェハ毎の処理条件）に変更可能か否かの判別を行う（図２：Ｓ１１２）。
なお、処理条件テーブルのウェハＩＤと、変更処理条件テーブルのウェハＩＤとの相互に同一でないウェハＩＤがある場合、装置レシピ制御部１０４が、当該変更処理条件テーブルは、既に受信したロットとは別のロットの処理条件テーブルと判別し、処理条件テーブルの変更を行わず、そのまま処理条件テーブルの条件に従って、ウェハの処理が継続する。当該処理条件テーブルに対応する処理が全て完了すると、新たに受信した変更処理条件テーブルに対応する処理が実行される。
当該変更可能か否かの判別方法は、装置レシピ制御部１０４が、ウェハオブジェクト制御部１０３に記憶された処理状況テーブルを参照し、変更処理条件テーブルの受信時において、処理条件テーブルの複数のウェハのうち、ウェハの処理が完了したか未処理であるか（ウェハの進捗状況）を確認する。当該確認により、未だに処理を実行していないウェハ（第一チャンバー、第二チャンバーに搬送されていないウェハ、未処理ウェハとする）を確認し、確認した未処理ウェハは処理条件を変更することができると判別する。
装置レシピ制御部１０４が変更処理条件テーブルを受信した時点、言い換えると、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０３」のウェハの第一チャンバーから第二チャンバーへ搬送が既に完了している時点では、処理状況テーブルのうち、搬送項目「処理前キャリア」の欄のみに「○」が関連付けて記憶されたウェハＩＤは、「ＷＡＦＥＲ０４」から「ＷＡＦＥＲ２４」までとなるため、これらのウェハＩＤのウェハは未処理ウェハであり、処理条件を変更することができるウェハであると判別する。
未処理ウェハであることを判別すると、装置レシピ制御部１０４が、処理条件テーブル３００のうち、未処理ウェハに対応するウェハＩＤの処理条件を、変更処理条件テーブル６００の未処理ウェハに対応するウェハＩＤの処理条件に変更する（図２：Ｓ１１３）。
例えば、未処理ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」において、図３に示す処理条件テーブル３００のＣＨ１に対応する初期レシピパラメータ３０８ａ（処理時間「１１ｓｅｃ」、ＣＨ温度「１０５℃」）、ＣＨ２に対応する初期レシピパラメータ３０８ｂ（処理時間「１４ｓｅｃ」、ＣＨ温度「８８℃」）が、図６に示す変更処理条件テーブル６００のＣＨ１に対応する変更レシピパラメータ６０８ａ（処理時間「９ｓｅｃ」、ＣＨ温度「９８℃」）、ＣＨ２に対応する変更レシピパラメータ６０８ｂ（処理時間「１３ｓｅｃ」、ＣＨ温度「９０℃」）に変更される。上記変更処理は、変更可能なウェハＩＤ（未処理ウェハのウェハＩＤ）の全てについて行なわれる。
さらに、装置レシピ制御部１０４は、受信した変更処理条件テーブル６００のうち、処理条件を変更することが出来なかったウェハＩＤ（処理状況テーブルでは、「ＷＡＦＥＲ０１」から「ＷＡＦＥＲ０３」までのウェハＩＤ、言い換えると、全部または一部処理されているウェハのウェハＩＤ）に対応する、ＣＨ１とＣＨ２の変更レシピパラメータ６０９、６１０の欄に、処理条件を変更することが出来なかった情報を示す「×」を付与する。装置レシピ制御部１０４は、上記「×」を付与した変更処理条件テーブルを、返信テーブルとして、装置オンライン制御部１０２を介して、外部装置１００に送信する（図２：Ｓ１１４）。返信テーブルは、すなわち、変更の可否の結果に相当する。
上記返信テーブル７００は、図７に示すように、変更が出来なかったウェハＩＤ７０１「ＷＡＦＥＲ０１」〜「ＷＡＦＥＲ０３」に対応する、ＣＨ１とＣＨ２の変更レシピパラメータ７０２、７０３に「×」７０４が付与されたテーブルとなる。
外部装置１００は、上記返信テーブル７００を受信すると、外部装置１００が当該返信テーブル７００をユーザに表示する。あるいは、外部装置１００が当該返信テーブル７００を他の半導体製造装置に送信するよう構成しても構わない。
当該表示する方法はどのような方法でも構わないが、例えば、外部装置１００が、外部装置１００に備えられた液晶ディスプレイ上に上記返信テーブル７００を表示する。上記構成により、ユーザあるいは他の半導体製造装置は、変更された処理条件と変更されなかった処理条件（外部装置１００が先ほど送信した新たな一ロットの処理条件テーブル）に対する変更の可否の結果を、ウェハ単位で確認することが可能となる。
処理条件が変更された後に、先ほどからタイムアウト時間のカウントを継続している装置レシピ制御部１０４が、そのタイムアウト時間の経過を検知すると、装置レシピ制御部１０４が装置動作制御部１０５に、次のウェハ（待機時のウェハ）の処理を実行する旨の信号を送信する（図２：Ｓ１１５）。
当該信号を受信した装置動作制御部１０５は、変更された処理条件テーブル３００を参照し、待機時のウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」に対応する処理条件を取得し、その条件に従って、ウェハに処理を実行する（図２：Ｓ１０４）。
ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」のウェハ処理が開始される場合、新たに受信した処理条件、すなわち、ＣＨ１の変更レシピパラメータ６０８ａ（処理時間「９ｓｅｃ」、ＣＨ温度「９８℃」）とＣＨ２の変更レシピパラメータ６０８ｂ（処理時間「１３ｓｅｃ」、ＣＨ温度「９０℃」）に従って、当該ウェハに対して処理が施されることになる。
一方、装置動作制御部１０５が待機している間、言い換えると、タイムアウト時間が経過するまでに、新たなロットの処理条件テーブルを受信しなかった場合は（図２：Ｓ１０９→Ｓ１１０ＮＯ）、タイムアウト時間が経過した時点で、装置レシピ制御部１０４が、装置動作制御部１０５に、次のウェハ（待機時のウェハ）の処理を実行する旨の信号を送信し（図２：Ｓ１１５）、装置動作制御部１０５が、待機時のウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」に対応する処理条件に従って、ウェハに処理を実行する（図２：Ｓ１０４）。
この場合のウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」の処理条件は、既に受信した処理条件、すなわち、ＣＨ１の初期レシピパラメータ３０８ａ（処理時間「１１ｓｅｃ」、ＣＨ温度「１０５℃」）とＣＨ２の初期レシピパラメータ３０８ｂ（処理時間「１４ｓｅｃ」、ＣＨ温度「８８℃」）となり、その処理条件に従ってウェハに処理が施される。
なお、上述したように、処理条件が変更されたか否かに関わらず、一ウェハに対して処理が完了すると、装置レシピ制御部１０４は、実行した処理条件の結果に対応する実施テーブル（ここでは、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」に対応する実施テーブル）を、装置オンライン制御部１０２を介して、外部装置１００に送信することになる（図２：Ｓ１０５）。
さらに、装置駆動部１０６が、ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」のウェハを第二チャンバーからキャリアへ搬送するとともに、ウェハオブジェクト制御部１０３に記憶された処理状況テーブルの書き換え（更新）を行うことになる（図２：Ｓ１０６）。更新された処理状況テーブルは、ウェハオブジェクト制御部１０３によって、装置オンライン制御部１０２を介して、外部装置１００へ送信される（図２：Ｓ１０７）。
ウェハの処理が所定回数（合計２４回）実行され、装置駆動部１０６が、処理条件テーブルに記憶されたウェハＩＤの処理条件を全て実行すると、処理を施されたウェハが全てキャリア内の最初に収納されていた位置に配置されることになり、一ロットの処理は完了する（図２：Ｓ１０８ＹＥＳ）。
このように、既に受信した処理条件テーブルに属する全てのウェハの識別情報と同一のウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを新たに受信すると、ウェハの進捗状況に基づいて、既に受信したウェハの処理条件を、新たに受信したウェハの処理条件に変更可能か否かを判別する手段と、変更可能なウェハの処理条件がある場合、そのウェハの処理条件を新たに受信したウェハの処理条件に変更する手段とを備えるよう構成している。
これにより、ウェハの進捗状況により、既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、未だに処理を実行していないウェハがあれば、そのウェハの処理条件は変更可能と判別し、新たに受信したウェハの処理条件に変更することとなる。そのため、今まで、ロット単位でしか処理条件テーブルを変更することが出来なかったものを、ウェハの進捗状況を利用し、リアルタイムに処理状況が変化するウェハに対応して、ウェハ単位でその処理条件を変更することが可能となり、例えば、新たなウェハの測定結果に基づいた処理条件（最適な処理条件）を、処理を実行しているロット内のウェハの処理に直ちに反映させることが可能となる。
その結果、処理されるウェハの品質を高め、処理されたすべてのウェハに対して不良品でないウェハの割合を示す歩留まりを向上させることが可能となる。さらに、ウェハ単位で処理条件を変更することが可能であることから、処理条件の微小な変更（微調整）も容易に実行することが可能となる。
なお、第一の実施形態では、装置動作制御部が待機している間に、装置レシピ制御部が、新たな一ロットの処理条件テーブル（変更処理条件テーブル）を受信すると、既に受信した処理条件テーブルのウェハＩＤと、新たに受信した変更処理条件テーブルのウェハＩＤとが同一か否かの判別を行うよう構成しているが、他のタイミング、例えば、装置動作制御部がウェハの処理を実行している間に、装置レシピ制御部が変更処理条件テーブルを受信した場合でも、当該判別を行うよう構成しても構わない。
＜第二の実施形態＞
次に図８乃至図１１を参照しながら、第二の実施形態の半導体製造装置１０１が、外部装置１００から新たにロットの処理条件テーブルを受信した場合、優先度の高い新たなロットの処理条件テーブルを割り込ませて、その処理を優先して実行させる手順について説明する。
第一の実施の形態と比較して、第二の実施の形態の異なる点は、優先度が高いか否かの判別を行う点である。第一の実施の形態と同様であるため、第一の実施の形態の説明において用いた図面（図１乃至図７）も適宜参照しながら、第二の実施形態について説明する。
半導体製造装置１０１の装置動作制御部１０５が、キャリア内の複数のウェハから一ウェハを取り出してウェハ毎に処理を開始する前に、ユーザにより設定された一ロット内の各ウェハに処理条件を関連付けた処理条件テーブルが、外部装置１００から半導体製造装置１０１の装置オンライン制御部１０２に送信される。
装置オンライン制御部１０２が上記処理条件テーブルを受信すると、装置レシピ制御部１０４が該装置オンライン制御部１０２を介して、当該処理条件テーブルを受信し、該処理条件テーブルを保管（記憶）する（図８：Ｓ２０１）。
処理条件テーブル３００には、図３に示すように、ウェハＩＤ３０１と、レシピＩＤ３０２と、待機有無３０３と、処理優先レベル３０４と、タイムアウト時間３０５と、第一チャンバー（ＣＨ１）における初期レシピパラメータ３０６と、第二チャンバー（ＣＨ２）における初期レシピパラメータ３０７とが関連付けて記憶されている。
上記処理優先レベル３０４の欄に記憶される情報は、優先度（優先順位）を示す優先情報であればどのような情報でも構わないが、例えば、アルファベット順で優先度を示す場合では、「Ａ」が最優先を示す情報（優先度）となり、後続の「Ｂ」、「Ｃ」は、順次優先度が低下することを示す情報（優先度）として設計される。上記設計は、アルファベットに代えて、例えば、数字を基準にするよう適宜変更される。上記処理優先レベル３０４により、装置レシピ制御部１０４が、ウェハの処理を実行する前に、どのウェハを優先的に実行すべきかを判別することが可能となる。
装置レシピ制御部１０２が処理条件テーブル３００を受信すると、処理条件テーブル３００からウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０１」に対応する待機有無を参照し、当該ウェハのチャンバーへの搬送を停止するか否かの判別を行う。待機有無の判別から、ウェハの処理の実行までは、第一の実施形態と同様である（図８：Ｓ２０２）。
ユーザにより設定された、現在処理中のウェハのウェハＩＤが含まれる処理条件テーブル３００とは異なる別ロットの処理条件テーブル、すなわち、処理条件テーブル３００のウェハＩＤと同一でないウェハＩＤを有する処理条件テーブル（以下、新処理条件テーブルとする）が、外部装置１００から装置レシピ制御部１０４に新たに送信されると、装置レシピ制御部１０４は、当該新処理条件テーブルを一時記憶する（図８：Ｓ２０３）。
なお、新処理条件テーブル９００は、図９に示すように、処理条件テーブル３００と同様な構成であり、ウェハＩＤ９０１と、レシピＩＤ９０２と、待機有無９０３と、処理優先レベル９０４と、タイムアウト時間９０５と、ＣＨ１の初期レシピパラメータ９０６と、ＣＨ２の初期レシピパラメータ９０７とが関連付けて記憶されている。
上記新処理条件テーブル９００のうち、処理条件テーブル３００と大きく異なる点は、ウェハＩＤが相互に異なる点であり、それぞれのテーブルは、別個のロットに対する処理条件テーブルである。処理条件テーブル３００のウェハＩＤ３０１は「ＷＡＦＥＲ０１」から「ＷＡＦＥＲ２４」までであるが、新処理条件テーブル９００のウェハＩＤ９０１は「ＷＡＦＥＲ２５」から「ＷＡＦＥＲ４８」までである。なお、新処理条件テーブル９００のウェハＩＤ９０１に対応する処理優先レベル９０４の優先度は、全て「Ｂ」とする。
新処理条件テーブル９００を一時記憶すると、装置レシピ制御部１０４が、既に受信した処理条件テーブル３００のウェハＩＤ３０１と、新処理条件テーブル９００のウェハＩＤ９０１とが同一か否かの判別を行う（図８：Ｓ２０４）。判別する方法は、テーブル毎のウェハＩＤを相互に比較し、同一のウェハＩＤがあるか否かを判別する方法である。
なお、第一の実施形態と同様に、新処理条件テーブルに対応するロットと、既に受信した処理条件テーブルに対応するロットとが同一であるか否かを判別する方法は、例えば、処理条件テーブルと新処理条件テーブルに、ロットを特定するための識別子であるロットＩＤを付与し、処理条件テーブルのロットＩＤと新処理条件テーブルのロットＩＤとを相互に比較して、新処理条件テーブルに対応するロットと、既に受信した処理条件テーブルに対応するロットとが同一であるか否かを判別するよう構成しても構わない。
上述したように、処理条件テーブル３００と新処理条件テーブル９００とのウェハＩＤは異なっているため、装置レシピ制御部１０４が、処理条件テーブル３００と新処理条件テーブル９００とは別個のロットに対する処理条件テーブルと判別し、装置レシピ制御部１０４が、ウェハオブジェクト制御部１０３に記憶されている処理状況テーブルを確認し、ウェハの進捗状況を確認する（図８：Ｓ２０５）。
なお、処理条件テーブルのウェハＩＤと、新処理条件テーブルのウェハＩＤとが全て同一である場合は、第一の実施形態と同様であるため、割愛する。
例えば、処理状況テーブルの搬送項目「処理前キャリア」の欄のみに「○」が関連付けて記憶されたウェハＩＤが、「ＷＡＦＥＲ０４」から「ＷＡＦＥＲ２４」までである場合、装置レシピ制御部１０４が、これらのウェハＩＤのウェハは未処理ウェハであると確認する。
さらに、装置レシピ制御部１０４は、処理条件テーブル３００のうち、未処理ウェハのウェハＩＤに対応する処理優先レベルの優先度（例えば、「Ａ」、「Ｂ」等）と、新処理条件テーブルの全てのウェハＩＤに対応する処理優先レベルの優先度とを相互に比較し、どのウェハを優先的に実行すべきかを判別する（図８：Ｓ２０６→Ｓ２０７）。
優先度を相互に比較した結果、処理条件テーブル３００のうち、未処理ウェハのウェハＩＤに対応する全ての優先度が、新処理条件テーブルのウェハＩＤに対応する全ての優先度に対して、高いまたは同一である場合、装置レシピ制御部１０４は、処理条件テーブル３００のウェハを優先的に実行すべきと判別し、処理条件テーブル３００に対応するウェハを全て処理した後に、新処理条件テーブル９００に対応するウェハを処理するように、装置駆動制御部１０５を制御する（図８：Ｓ２０７ＹＥＳ→Ｓ２０８）。
例えば、図３と図９のように、処理条件テーブル３００の未処理ウェハのウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」から「ＷＡＦＥＲ２４」までについて、その処理優先レベル３０４の優先度全てに「Ｂ」が関連付けて記憶されており、新処理条件テーブル９００のウェハＩＤ９０１「ＷＡＦＥＲ２５」から「ＷＡＦＥＲ４８」までについて、その処理優先レベル９０４の優先度全てに「Ｂ」が関連付けて記憶されている場合、未処理ウェハのウェハＩＤに対応する全ての優先度が、新処理条件テーブル９００のウェハＩＤに対応する全ての優先度と同一であるため、装置レシピ制御部１０４は、未処理ウェハを優先的に実行すべきと判別する。
また、未処理ウェハのウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」から「ＷＡＦＥＲ２４」までの優先度に、新処理条件テーブル９００のウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ２５」から「ＷＡＦＥＲ４８」までの全ての優先度（例えば、「Ｂ」）よりも高い優先度（例えば、「Ａ」）が関連付けて記憶されている場合でも同様である。
さらに、処理条件テーブルのうち、未処理ウェハのウェハＩＤに対応する一部の優先度が、新処理条件テーブルのウェハＩＤに対応する全ての優先度に対して、高いまたは同一である場合も、装置レシピ制御部１０４は、処理条件テーブルのウェハを優先的に実行すべきと判別し、処理条件テーブルに対応するウェハを全て処理した後に、新処理条件テーブルに対応するウェハを処理するように、装置駆動制御部１０５を制御する。
例えば、処理条件テーブルのうち、未処理ウェハのウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」から「ＷＡＦＥＲ２４」までの一部の優先度に、新処理条件テーブルのウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ２５」から「ＷＡＦＥＲ４８」までの全ての優先度（例えば、「Ａ」、「Ｂ」）よりも高いまたは同一の優先度（例えば、一部の優先度に「Ａ」）が関連付けて記憶されている場合である。
装置駆動制御部１０５は、処理条件テーブル３００の未処理ウェハを継続して処理した後に、新処理条件テーブル９００のウェハを処理する（図８：Ｓ２０８→Ｓ２０９）。具体的には、ウェハの処理が所定回数実行され、装置駆動部１０６が、処理条件テーブル３００に対応するウェハが全て収納されたキャリアを搬出し、次に新処理条件テーブル９００に対応するウェハの処理を実行する。新処理条件テーブル９００に対応するウェハの処理が全て完了すると、装置駆動部１０６が、当該ウェハ全てが収納されたキャリアを搬出し、二ロットの処理は完了する。
一方、優先度を相互に比較した結果、処理条件テーブル３００のうち、未処理ウェハのウェハＩＤに対応する全ての優先度が、新処理条件テーブルのウェハＩＤに対応する全ての優先度に対して低い場合、装置レシピ制御部１０４が、新処理条件テーブル９００のウェハを優先的に実行すべきと判別し、処理条件テーブル３００に対応する未処理ウェハの処理を一時停止する旨の信号を装置駆動制御部１０５に送信する（図８：Ｓ２０７ＮＯ→Ｓ２１０）。
例えば、図３に示す処理条件テーブル３００において、未処理ウェハのウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」から「ＷＡＦＥＲ２４」までの全ての優先度に、図１０に示す新処理条件テーブル１０００のウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ２５」から「ＷＡＦＥＲ４８」までの全ての優先度（例えば、「Ａ」）よりも低い優先度（例えば、「Ｂ」）が関連付けて記憶されている場合である。
装置駆動制御部１０５は、当該信号を受信した時点で、処理中のウェハがあればそのウェハの処理とウェハの搬送とを完了させる。当該信号を受信した時点で、搬送中のウェハがあれば、装置駆動制御部１０５はその搬送を完了させる。一ウェハの搬送を完了させると、装置駆動制御部１０５は、当該信号に従って、次の未処理ウェハの搬送を停止する。
さらに、装置レシピ制御部１０４は、一時停止されたウェハＩＤが発生したことを示すテーブルである一時停止処理実施履歴テーブルを、装置オンライン制御部１０２を介して、外部装置１００に送信する（図８：Ｓ２１１）。一時停止処理実施履歴テーブルは、すなわち、処理を一時停止したウェハの結果に相当する。
一時停止処理実施履歴テーブル１１００には、図１１に示すように、ウェハＩＤ１１０１と、処理を一時停止したことを示す項目である一時停止１１０２とを関連付けて記憶しており、処理を一時停止したウェハＩＤに対応する一時停止１１０２の欄（ウェハＩＤ「ＷＡＦＥＲ０４」から「ＷＡＦＥＲ２４」までに対応する一時停止１１０２の欄）には、「○」１１０３が関連付けて記憶され、処理を一時停止しなかったウェハＩＤ（処理を実行したウェハのウェハＩＤ）に対応する一時停止１１０２の欄には、「−」１１０４が関連付けて記憶される。
外部装置１００は、受信した一時停止処理実施履歴テーブル１１００をユーザ（他の半導体製造装置）に表示する。上記構成により、新たな一ロットの処理条件テーブルを装置レシピ部１０４に割り込ませた場合に、ユーザあるいは他の半導体製造装置が、処理の一時停止したウェハＩＤを容易に認識することが可能となる。
次に、装置レシピ制御部１０４は、新処理条件テーブル１０００に対応するウェハを優先して実行する旨の信号を装置駆動制御部１０５に送信する。装置駆動制御部１０５は、当該信号に従い、ロボット等を利用して、未処理ウェハを格納しているキャリア（既に受信した処理条件テーブル３００に対応するキャリア）を一度、他のキャリアの搬送を阻害しない場所へ回避し、新処理条件テーブル１０００に対応するキャリアを、装置駆動部１０６内に搬入する。
装置駆動制御部１０５は、新処理条件テーブル１０００に対応するキャリアの搬入を完了すると、装置レシピ制御部１０４に一時記憶された新処理条件テーブル１０００を参照し、新処理条件テーブル１００のウェハの処理を実行する（図８：Ｓ２１２）。
ウェハの処理が所定回数実行され、装置駆動制御部１０５が新処理条件テーブル１０００のウェハの処理を完了すると、装置駆動部１０６が、新処理条件テーブル１０００に対応するウェハが全て収納されたキャリアを搬出する。さらに、装置駆動部１０６が、先ほど回避した未処理ウェハを格納しているキャリアをウェハの処理可能な位置に戻し、処理条件テーブル３００に基づいて、未処理ウェハの処理を実行する（図８：Ｓ２１３）。
ウェハの処理が所定回数実行され、装置駆動部１０６が、処理条件テーブル３００に対応するウェハが全て収納されたキャリアを搬出する。
このように、既に受信した処理条件テーブルに属する全てのウェハの識別情報と異なるウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを新たに受信すると、ウェハの進捗状況に基づいて、既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、未処理であるウェハの識別情報に関連付けられた優先度と、新たに受信した処理条件テーブルにおけるウェハの識別情報に関連付けられた優先度とを相互に比較する手段と、優先度を比較した結果、優先度の高いウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを優先して実行する手段とを備える。
これにより、半導体製造装置が既に受信したロットとは異なるロットの処理条件テーブルを新たに受信すると、優先度が高いウェハを有するロットの処理条件テーブルを優先して実行することとなる。そのため、即時に所定の処理条件を実行させたいウェハや緊急で処理を行う必要があるウェハが存在する場合、そのウェハが属するロットの処理条件テーブルを半導体製造装置に割り込ませて、その処理条件テーブルを迅速に実行させることが可能となる。
また、ユーザが指定した半導体製造装置において、優先度の低いウェハの処理を一時停止させて、優先度の高いウェハを先に処理することが可能となる。そのため、半導体製造装置別に生じるバラツキを防止し、ユーザの意図に沿った処理をウェハに施すことが可能となるとともに、優先度の高いウェハに対応するリードタイムの遅延を解消し、緊急時のウェハ処理にも迅速に対応することが可能となる。
なお、第二の実施形態では、処理条件テーブルに対応する未処理ウェハの優先度と新処理条件テーブルに対応するウェハの優先度とを相互に比較した結果、処理条件テーブルのうち、未処理ウェハのウェハＩＤに対応する全ての優先度（例えば、「Ｂ」）が、新処理条件テーブルのウェハＩＤに対応する全ての優先度（例えば、「Ａ」）に対して低い場合、装置レシピ制御部１０４が、新処理条件テーブルのウェハを優先的に実行すべきと判別するよう構成したが、他の構成を採用しても構わない。
例えば、処理条件テーブルのうち、未処理ウェハのウェハＩＤに対応する一部の優先度（例えば、一部の優先度が「Ｂ」、他の優先度が「Ａ」）が、新処理条件テーブルのウェハＩＤに対応する全ての優先度（例えば、「Ａ」）に対して低い場合（言い換えると、未処理ウェハのウェハＩＤに対応する一部の優先度が、新処理条件テーブルのウェハＩＤに対応する全ての優先度に対して高いまたは同一である場合に該当する）、装置レシピ制御部が、処理条件テーブルに対応する未処理ウェハのうち（例えば、優先度「Ａ」と「Ｂ」とが混在）、新処理条件テーブルのウェハＩＤに対応する全ての優先度（例えば、「Ａ」）に対して高いまたは同一である優先度（例えば、優先度「Ａ」）を有する未処理ウェハの処理を優先して実行するよう制御する。さらに、装置レシピ制御部が、その未処理ウェハの処理を全て完了すると、処理条件テーブルに対応する優先度の低い未処理ウェハ（例えば、優先度「Ｂ」）の処理を一時停止して、新処理条件テーブルに対応するウェハ（例えば、優先度「Ａ」）の処理を優先して実行するよう構成しても構わない。なお、上記構成とする場合、返信テーブルも、未処理ウェハのウェハＩＤのみに「○」を付したテーブルにすることは言うまでもない。
さらに、ユーザが条件を設定する外部装置が予め指定されたアルゴリズムと同一ロットの処理が完了したウェハの処理結果に基づいて、自動的に条件を設定する構成であってもよい。
なお、第一の実施形態では、待機有無と、処理優先レベルとを併せて関連付けて記憶する処理実行テーブル、変更優先処理実行テーブルを用意したが、必要に応じて、処理優先レベルを削除しても構わない。
なお、第二の実施形態では、待機有無と、処理優先レベルとを併せて関連付けて記憶する処理実行テーブル、新処理条件テーブルを用意したが、必要に応じて、待機有無を削除しても構わないし、例えば、所定の操作キーの押下によって、処理優先レベルのみを考慮する処理に切り換える切り替え手段を新たに設けるよう構成しても構わない。
なお、第一の実施形態乃至第二の実施形態では、処理優先レベルに応じて優先度を判別するよう構成したが、例えば、その処理優先レベルに代えて、ウェハＩＤに対応するレシピＩＤに応じて優先度を判別するよう構成しても構わない。例えば、レシピＩＤの番号順に優先度が高くなるよう構成して、装置レシピ制御部が、対象となる処理条件テーブルと変更処理条件テーブル乃至新処理条件テーブル）とのレシピ番号を相互に比較し、判別するよう構成しても構わない。
また、第一の実施形態と第二の実施形態とに採用されている手段を相互に組み合せるよう構成しても構わない。
さらに、半導体製造装置の各部が実施する上述の手順の一部あるいは全部をコンピュータに実行させるためのプログラムは、インターネットなどの電気通信回線を用いたり、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納したりすることで、関係者や第三者に提供することができる。例えばプログラムの指令を電気信号や光信号、磁気信号などで表現し、その信号を搬送波に載せて送信することで、同軸ケーブルや銅線、光ファイバのような伝送媒体でそのプログラムを提供することができる。またコンピュータ読み取り可能な記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭなどの光学メディアや、フレキシブルディスクのような磁気メディア、フラッシュメモリやＲＡＭのような半導体メモリを利用することができる。
以上のように、本発明に係る半導体製造装置は、ウェハの品質向上、ウェハの歩留まり向上、増大する半導体製造装置のコスト削減に有用であり、新たに一ロットの処理条件を受信した場合、ウェハ単位で処理条件を変更することが可能であり、さらに、優先度の高い新たな処理条件を割り込ませて、その処理を優先して実行させることが可能な半導体製造装置として有効である。
本発明の実施形態に係る半導体製造装置のシステム構成図。 第一の実施形態の実行手順を示すためのフローチャート。 第一の実施形態に係る処理条件テーブルの一例を示す図。 第一の実施形態に係る実施テーブルの一例を示す図。 第一の実施形態に係る処理状況テーブルの一例を示す図。 第一の実施形態に係る変更処理条件テーブルの一例を示す図。 第一の実施形態に係る返信テーブルの一例を示す図。 第二の実施形態の実行手順を示すためのフローチャート。 第二の実施形態に係る新処理条件テーブルの一例を示す第一の図。 第二の実施形態に係る新処理条件テーブルの一例を示す第二の図。 第二の実施形態に係る一時停止処理実施履歴テーブルの一例を示す図。 従来の処理条件の変更システムを示す構成図。 従来の優先度の高いロットの投入を行うシステムを示す構成図。
符号の説明
１００ 外部装置
１０１ 半導体製造装置
１０２ 装置オンライン制御部
１０３ ウェハオブジェクト制御部
１０４ 装置レシピ制御部
１０５ 装置動作制御部
１０６ 装置駆動部
１２０１ プロセス制御システム
１２０２ 処理実行システム
１２０３ 製造設備
１２０４ データベース
１２０５ 検査装置
１３０１ 製造装置
１３０２ 製造管理装置
１３０３ スケジューラーデータベース
１３０４ 外部計算機
１３０５ 端末

Claims (7)

  1. 所定数のウェハを一ロット単位とし、外部装置から取得した一ロットの処理条件テーブルに基づいて所定数のウェハを処理する半導体製造装置において、
    ウェハの識別情報に応じたウェハの処理条件を有する一ロットの処理条件テーブルであり、既に受信した処理条件テーブルに属する全てのウェハの識別情報と同一のウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを新たに受信する手段と、
    既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、ウェハの処理が完了したか未処理であるかを示すウェハの進捗状況に基づいて、既に受信したウェハの処理条件を、新たに受信したウェハの処理条件に変更可能か否かを判別する手段と、
    変更可能なウェハの処理条件がある場合、そのウェハの処理条件を新たに受信したウェハの処理条件に変更する手段と、
    を備えることを特徴とする半導体製造装置。
  2. 既に受信したウェハの処理条件を、新たに受信したウェハの処理条件に変更可能か否かを判別すると、変更の可否の結果を外部装置に送信する手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
  3. 処理条件テーブルでのウェハの識別情報に関連付けられた、そのウェハの処理室への搬送を停止するか否かの情報である待機有無に基づいて、ウェハの処理を実行する前に、そのウェハの処理室への搬送を停止するか否かを判別する手段と、
    当該ウェハの処理室への搬送を停止すると判別した場合、そのウェハの識別情報に関連付けられた所定時間が経過するまで、当該ウェハの処理室への搬送を停止する手段と
    をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造装置。
  4. 所定数のウェハを一ロット単位とし、外部装置から取得した一ロットの処理条件テーブルに基づいて所定数のウェハを処理する半導体製造装置において、
    ウェハの識別情報に応じたウェハの処理条件を有する一ロットの処理条件テーブルであり、既に受信した処理条件テーブルに属する全てのウェハの識別情報と異なるウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを新たに受信する手段と、
    既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、ウェハの処理が完了したか未処理であるかを示すウェハの進捗状況に基づいて、既に受信した処理条件テーブルに属する所定数のウェハのうち、未処理であるウェハの識別情報に関連付けられた、ウェハの処理の優先度を示す優先情報と、新たに受信した処理条件テーブルにおけるウェハの識別情報に関連付けられた優先情報とを相互に比較する手段と、
    優先情報を比較した結果、優先度の高いウェハの識別情報を有する処理条件テーブルを優先して実行する手段と
    を備えることを特徴とする半導体製造装置。
  5. 優先情報を比較した結果、優先度の高いウェハの識別情報を有する処理条件テーブルが、新たに受信した処理条件テーブルである場合、既に受信した処理条件テーブルに基づいて実行していた処理を一時停止して、新たに受信した処理条件テーブルを優先して実行する手段をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装置。
  6. 既に受信した処理条件テーブルに基づいて実行していた処理を一時停止した場合、一時停止したウェハの結果を外部装置に送信する手段をさらに備えることを特徴とする請求項４乃至５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
  7. ロットに属する所定数のウェハのうち、一ウェハに対して所定の処理が実行されると、実行された処理条件の結果をウェハ毎に外部装置に送信する手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
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