JP2000144453A - エッチングシステム及びエッチング方法 - Google Patents
エッチングシステム及びエッチング方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 累積処理枚数によってエッチング工程時間を
変化してＣＤ値を調節することによってエッチング溶液
の交換回数を減少させる。 【解決手段】 一つのエッチング液で複数の基板の上に
形成された層をエッチングして、それぞれ所定のパター
ンを形成するエッチング処理において、基板の累積処理
枚数によってエッチング時間を異なるようにする。
変化してＣＤ値を調節することによってエッチング溶液
の交換回数を減少させる。 【解決手段】 一つのエッチング液で複数の基板の上に
形成された層をエッチングして、それぞれ所定のパター
ンを形成するエッチング処理において、基板の累積処理
枚数によってエッチング時間を異なるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子や液晶表
示装置（liquid crystal display；以下ＬＣＤとする）
のようなマイクロエレクトロニクスデバイスのエッチン
グシステム及びエッチング方法に関する。なかでも、特
にマイクロエレトロニクスデバイスの累積枚数によって
エッチング時間を異なるようにするエッチングシステム
及びエッチング方法に関する。
示装置（liquid crystal display；以下ＬＣＤとする）
のようなマイクロエレクトロニクスデバイスのエッチン
グシステム及びエッチング方法に関する。なかでも、特
にマイクロエレトロニクスデバイスの累積枚数によって
エッチング時間を異なるようにするエッチングシステム
及びエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示装置のようなマイ
クロエレクトロニクスデバイスは、多数の微細なパター
ンを集積化して形成しており、これら微細なパターンは
多様な製造工程を通じて形成される。
クロエレクトロニクスデバイスは、多数の微細なパター
ンを集積化して形成しており、これら微細なパターンは
多様な製造工程を通じて形成される。
【０００３】前記製造工程の中の一つとしてエッチング
工程がる。エッチング工程は、エッチング溶液を用いた
湿式エッチングと、プラズマを用いた乾式エッチングと
に大別することができる。
工程がる。エッチング工程は、エッチング溶液を用いた
湿式エッチングと、プラズマを用いた乾式エッチングと
に大別することができる。
【０００４】以下、ＬＣＤを例に挙げ、従来用いられた
湿式エッチングについて説明する。
湿式エッチングについて説明する。
【０００５】液晶表示装置を製造する過程では、ゲート
線やデータ線などの金属パターンを形成する必要があ
る。このような金属パターンは、たとえば、硝酸が含有
されたエッチング溶液（エッチャント）でエッチングさ
れる。
線やデータ線などの金属パターンを形成する必要があ
る。このような金属パターンは、たとえば、硝酸が含有
されたエッチング溶液（エッチャント）でエッチングさ
れる。
【０００６】ＬＣＤ上に金属パターン（または他のパタ
ーン）を形成するためにエッチング溶液を用いる場合に
は、製造費用を減少させるために、一つのエッチング溶
液で多くのＬＣＤを製造する。
ーン）を形成するためにエッチング溶液を用いる場合に
は、製造費用を減少させるために、一つのエッチング溶
液で多くのＬＣＤを製造する。
【０００７】しかし、前記のように一つのエッチング溶
液で多くのＬＣＤをエッチングする場合には、エッチン
グに用いられたＬＣＤの枚数（以下、累積処理枚数とす
る）が増加することによって、エッチング溶液の中の硝
酸の成分が減少するので、エッチング比が減少する。
液で多くのＬＣＤをエッチングする場合には、エッチン
グに用いられたＬＣＤの枚数（以下、累積処理枚数とす
る）が増加することによって、エッチング溶液の中の硝
酸の成分が減少するので、エッチング比が減少する。
【０００８】したがって、累積処理枚数に関係なく、同
一な時間だけエッチングを行う場合には累積処理枚数が
増加することによって金属パターンのクリチカルディメ
ンジョン（critical dimension；以下ＣＤとする）が増
加するようになる。なお、ＣＤとは、エッチング工程後
のパターンの寸法である。通常ＣＤには、ＡＤＩ(After
Develop Inspection)とＡＣＩ(After Cleaning Inspec
tion)殿２種類がある。ＡＤＩは、ウェハやガラスの現
像パターンの寸法を測った値である。ＡＣＩは、ウェハ
やガラスのエッチング及びストリップ後のパターンの寸
法を測った値である。
一な時間だけエッチングを行う場合には累積処理枚数が
増加することによって金属パターンのクリチカルディメ
ンジョン（critical dimension；以下ＣＤとする）が増
加するようになる。なお、ＣＤとは、エッチング工程後
のパターンの寸法である。通常ＣＤには、ＡＤＩ(After
Develop Inspection)とＡＣＩ(After Cleaning Inspec
tion)殿２種類がある。ＡＤＩは、ウェハやガラスの現
像パターンの寸法を測った値である。ＡＣＩは、ウェハ
やガラスのエッチング及びストリップ後のパターンの寸
法を測った値である。
【０００９】図１は、従来のＬＣＤ製造方法による累積
枚数とＣＤとの関係を示す図面である。
枚数とＣＤとの関係を示す図面である。
【００１０】図１に示したように、従来のＬＣＤ製造方
法では、累積処理枚数に関わらず一定の時間でエッチン
グ工程を進めている。この場合、累積処理枚数の増加に
よってＣＤは殆ど線形的に増加する。したがって、ＣＤ
値が所定の値（ＣＤO）にいたる累積処理枚数、たとえ
ば３００枚でエッチング溶液を交換している。
法では、累積処理枚数に関わらず一定の時間でエッチン
グ工程を進めている。この場合、累積処理枚数の増加に
よってＣＤは殆ど線形的に増加する。したがって、ＣＤ
値が所定の値（ＣＤO）にいたる累積処理枚数、たとえ
ば３００枚でエッチング溶液を交換している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のＬ
ＣＤ製造工程においては、累積処理枚数に関わらず一定
の時間でエッチング工程を進めているので、ＣＤ値が一
定の値に到達した場合、エッチング溶液を交換しなけれ
ばならず、これによって、エッチング溶液の浪費が激し
く、製造費用が増大するという問題点があった。
ＣＤ製造工程においては、累積処理枚数に関わらず一定
の時間でエッチング工程を進めているので、ＣＤ値が一
定の値に到達した場合、エッチング溶液を交換しなけれ
ばならず、これによって、エッチング溶液の浪費が激し
く、製造費用が増大するという問題点があった。
【００１２】本発明は前記のような問題点を解決するた
めのものであって、その目的は、累積処理枚数によって
エッチング工程時間を変化してＣＤ値を調節することに
よってエッチング溶液の交換回数を減少させることにあ
る。
めのものであって、その目的は、累積処理枚数によって
エッチング工程時間を変化してＣＤ値を調節することに
よってエッチング溶液の交換回数を減少させることにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の一つの特徴によるエッチング方法は、一つの
エッチング液で複数の基板の上に形成された層をエッチ
ングし、それぞれの所定のパターンを形成することにお
いて、前記基板の累積処理枚数によってエッチング時間
を異なるようにする。
の本発明の一つの特徴によるエッチング方法は、一つの
エッチング液で複数の基板の上に形成された層をエッチ
ングし、それぞれの所定のパターンを形成することにお
いて、前記基板の累積処理枚数によってエッチング時間
を異なるようにする。
【００１４】ここで、エッチング時間を異なるようにす
る方法としては、具体的に前記基板の累積処理枚数が１
からＮまでである場合にはＴ１のエッチング時間でエッ
チング工程を遂行し、前記基板の累積処理枚数がＮ＋１
以上である場合にはＴ１より大きいＴ２のエッチング時
間でエッチング工程を遂行する場合と、前記基板の累積
処理枚数の変化に１：１で対応するエッチング時間でエ
ッチング工程を遂行する場合がある。
る方法としては、具体的に前記基板の累積処理枚数が１
からＮまでである場合にはＴ１のエッチング時間でエッ
チング工程を遂行し、前記基板の累積処理枚数がＮ＋１
以上である場合にはＴ１より大きいＴ２のエッチング時
間でエッチング工程を遂行する場合と、前記基板の累積
処理枚数の変化に１：１で対応するエッチング時間でエ
ッチング工程を遂行する場合がある。
【００１５】一方、本発明の一つの特徴によるエッチン
グシステムは、一つのエッチング液で複数の基板の上に
形成された層をエッチングし、それぞれの所定のパター
ンを形成するためのエッチング処理部と前記基板を保管
しているカセットを臨時保存するためのローダ部とを有
するエッチング設備と、前記エッチング設備で行う作業
を制御する制御部とを含んでいる。ここで、エッチング
設備は、前記基板の累積処理枚数によってエッチング時
間を異なるようにする。この時、前記制御部は、前記基
板の累積処理枚数が１からＮまでである場合には、Ｔ１
のエッチング時間でエッチング工程を遂行するようにす
る第１作業レシピと、前記基板の累積処理枚数がＮ＋１
以上である場合にはＴ１より大きいＴ２のエッチング時
間でエッチング工程を遂行するようにする第２レシピと
を前記エッチング設備に伝送する。前記エッチング設備
は、前記第１及び第２作業レシピによってエッチング工
程を遂行する。
グシステムは、一つのエッチング液で複数の基板の上に
形成された層をエッチングし、それぞれの所定のパター
ンを形成するためのエッチング処理部と前記基板を保管
しているカセットを臨時保存するためのローダ部とを有
するエッチング設備と、前記エッチング設備で行う作業
を制御する制御部とを含んでいる。ここで、エッチング
設備は、前記基板の累積処理枚数によってエッチング時
間を異なるようにする。この時、前記制御部は、前記基
板の累積処理枚数が１からＮまでである場合には、Ｔ１
のエッチング時間でエッチング工程を遂行するようにす
る第１作業レシピと、前記基板の累積処理枚数がＮ＋１
以上である場合にはＴ１より大きいＴ２のエッチング時
間でエッチング工程を遂行するようにする第２レシピと
を前記エッチング設備に伝送する。前記エッチング設備
は、前記第１及び第２作業レシピによってエッチング工
程を遂行する。
【００１６】また、前記エッチング設備は、前記基板の
累積処理枚数の変化に１：１で対応するエッチング工程
を遂行することもできる。この場合、前記エッチング設
備は、前記基板の累積処理枚数に対するエッチング時間
の関数値を前もってメモリして保存した後、前記関数値
を利用してエッチング工程を遂行することもできる。ま
た、前記基板の累積処理枚数による最適のエッチング時
間を前もって実験的に測定して測定された値をメモリに
保存した後、前記累積処理枚数に対応するエッチング時
間を前記メモリから呼び出してエッチング工程を遂行す
ることもできる。
累積処理枚数の変化に１：１で対応するエッチング工程
を遂行することもできる。この場合、前記エッチング設
備は、前記基板の累積処理枚数に対するエッチング時間
の関数値を前もってメモリして保存した後、前記関数値
を利用してエッチング工程を遂行することもできる。ま
た、前記基板の累積処理枚数による最適のエッチング時
間を前もって実験的に測定して測定された値をメモリに
保存した後、前記累積処理枚数に対応するエッチング時
間を前記メモリから呼び出してエッチング工程を遂行す
ることもできる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態例を詳細に説明する。
の実施形態例を詳細に説明する。
【００１８】図２は、本発明の実施形態例に係るエッチ
ングシステムを示す図面である。
ングシステムを示す図面である。
【００１９】図２に示したように、本発明の実施形態例
によるエッチングシステムは、エッチング設備１００と
制御部２００とからなる。エッチング設備１００は、ロ
ーダ部１２０、処理部１４０及び返送ロボット１６０か
らなる。
によるエッチングシステムは、エッチング設備１００と
制御部２００とからなる。エッチング設備１００は、ロ
ーダ部１２０、処理部１４０及び返送ロボット１６０か
らなる。
【００２０】図２において、制御部２００は、エッチン
グ設備１００で行う作業を制御する。具体的に派、制御
部２００は、ローダ部１２０に該当カセットがロードさ
れると、前記カセット内のグラスが前記エッチング設備
で行うレシピ（ｒｅｃｉｐｅ）、たとえばエッチング時
間、エッチング液、エッチング液交換などを設備１００
に通知する。
グ設備１００で行う作業を制御する。具体的に派、制御
部２００は、ローダ部１２０に該当カセットがロードさ
れると、前記カセット内のグラスが前記エッチング設備
で行うレシピ（ｒｅｃｉｐｅ）、たとえばエッチング時
間、エッチング液、エッチング液交換などを設備１００
に通知する。
【００２１】ローダ部１２０は、自動運送装置（図示せ
ず）から移送されたカセットのうち、前記エッチング設
備で処理されるグラスを保管しているカセットを臨時保
存するためのものである。ローダ部１２０は、該当カセ
ットがローディングされると、カセットがローディング
されたことを制御部２００に通知する。
ず）から移送されたカセットのうち、前記エッチング設
備で処理されるグラスを保管しているカセットを臨時保
存するためのものである。ローダ部１２０は、該当カセ
ットがローディングされると、カセットがローディング
されたことを制御部２００に通知する。
【００２２】返送ロボット１６０は、前記カセットに保
管されたグラスの中から処理部１４０で処理しなければ
ならないグラスを取り出し、前記処理部１４０に移送す
るためのものである。
管されたグラスの中から処理部１４０で処理しなければ
ならないグラスを取り出し、前記処理部１４０に移送す
るためのものである。
【００２３】処理部１４０は、制御部２００から伝送さ
れる作業レシピに基づいて、前記グラスに対するエッチ
ング作業を遂行する。
れる作業レシピに基づいて、前記グラスに対するエッチ
ング作業を遂行する。
【００２４】本発明の実施形態例においてはグラスの累
積処理枚数によってエッチング時間を異なるようにする
が、この時、エッチング時間を異なるようにする方法と
して制御部で制御する方法と設備自体で制御する方法と
に分けることができる。
積処理枚数によってエッチング時間を異なるようにする
が、この時、エッチング時間を異なるようにする方法と
して制御部で制御する方法と設備自体で制御する方法と
に分けることができる。
【００２５】以下、制御部２００でエッチング時間を制
御する本発明の第１実施形態例について説明する。
御する本発明の第１実施形態例について説明する。
【００２６】本発明の第１実施形態例ではエッチング設
備で行われる作業レシピを二つ準備し、各レシピ毎にエ
ッチング時間（オーバエッチング率）を異なるようにす
る。この時、作業レシピは制御部２００が設備１００に
伝達する。
備で行われる作業レシピを二つ準備し、各レシピ毎にエ
ッチング時間（オーバエッチング率）を異なるようにす
る。この時、作業レシピは制御部２００が設備１００に
伝達する。
【００２７】たとえば、本発明の第１実施形態例では、
エッチング液を交換し、グラスを１枚から４００枚まで
はＴ１のエッチング時間（オーバエッチング率３０％）
を有する作業レシピでエッチング工程を遂行し、４０１
枚から１０００枚まではＴ２（Ｔ２＞Ｔ１）のエッチン
グ時間（オーバエッチング率６０％）を有する作業レシ
ピでエッチング工程を遂行する。
エッチング液を交換し、グラスを１枚から４００枚まで
はＴ１のエッチング時間（オーバエッチング率３０％）
を有する作業レシピでエッチング工程を遂行し、４０１
枚から１０００枚まではＴ２（Ｔ２＞Ｔ１）のエッチン
グ時間（オーバエッチング率６０％）を有する作業レシ
ピでエッチング工程を遂行する。
【００２８】前記のように、本発明の第１実施形態例に
おいては、累積処理枚数が所定の枚数（たとえば、４０
０枚）以下である場合と、以上である場合とでは互いに
異なるエッチング時間（オーバエッチング率）を有する
作業レシピでエッチング工程を遂行する。
おいては、累積処理枚数が所定の枚数（たとえば、４０
０枚）以下である場合と、以上である場合とでは互いに
異なるエッチング時間（オーバエッチング率）を有する
作業レシピでエッチング工程を遂行する。
【００２９】一方、本発明の第１実施形態例によると、
累積枚数の判断は制御部２００が設備のローダ部１２０
にカセットがロードされる時点で設備１００から現在ま
での累積枚数のデータを受けて行う。
累積枚数の判断は制御部２００が設備のローダ部１２０
にカセットがロードされる時点で設備１００から現在ま
での累積枚数のデータを受けて行う。
【００３０】したがって、制御部２００は累積枚数が４
００枚以下である場合にはオーバエッチング率が３０％
である作業レシピで、４０１枚以上である場合にはオー
バエッチング率が６０％である作業レシピでそれぞれエ
ッチング作業を進める。これを、図３を参照しながら詳
細に説明する。
００枚以下である場合にはオーバエッチング率が３０％
である作業レシピで、４０１枚以上である場合にはオー
バエッチング率が６０％である作業レシピでそれぞれエ
ッチング作業を進める。これを、図３を参照しながら詳
細に説明する。
【００３１】図３は、本発明の第１実施形態例に係る設
備１００と制御部２００との通信内容を示す図面であ
る。
備１００と制御部２００との通信内容を示す図面であ
る。
【００３２】先ず、エッチング設備１００は、制御部２
００にカセットのロード要求メッセージを送信する（Ｓ
１１）。カセット要求メッセージを受けた制御部２００
は、自体データベースを検索して前記エッチング設備１
００で遂行されなければならないグラスが保管されたカ
セットのＩＤを探し、自動運送装置（図示せず）を制御
して前記エッチング設備に前記カセットをローディング
するように命令する（Ｓ１２）。
００にカセットのロード要求メッセージを送信する（Ｓ
１１）。カセット要求メッセージを受けた制御部２００
は、自体データベースを検索して前記エッチング設備１
００で遂行されなければならないグラスが保管されたカ
セットのＩＤを探し、自動運送装置（図示せず）を制御
して前記エッチング設備に前記カセットをローディング
するように命令する（Ｓ１２）。
【００３３】すると、自動運送装置はストッカーから
（図示せず）該当カセットを取り出して、エッチング設
備のローダ部１２０に前記カセットを置く。該当設備１
００は、制御部２００にカセットのロード完了メッセー
ジを伝送する（Ｓ１３）。すると、制御部２００は、前
記設備１００にこれに対する応答信号を送り（Ｓ１
４）、設備で処理したグラスの累積処理枚数に対する情
報を要求する（Ｓ１５）。
（図示せず）該当カセットを取り出して、エッチング設
備のローダ部１２０に前記カセットを置く。該当設備１
００は、制御部２００にカセットのロード完了メッセー
ジを伝送する（Ｓ１３）。すると、制御部２００は、前
記設備１００にこれに対する応答信号を送り（Ｓ１
４）、設備で処理したグラスの累積処理枚数に対する情
報を要求する（Ｓ１５）。
【００３４】設備１００は、累積処理枚数を計算してこ
れを制御部２００に伝送する（Ｓ１６）、制御部２００
は、設備１００から伝送される累積処理枚数によるエッ
チング時間（オーバエッチング率）を含む作業レシピを
設備に伝送し、設備１００にスタート命令を送る（Ｓ１
７）。すると、設備１００は、前記制御部１００にこれ
に対する応答信号を送り（Ｓ１８）、処理を開始する
（Ｓ１９）。
れを制御部２００に伝送する（Ｓ１６）、制御部２００
は、設備１００から伝送される累積処理枚数によるエッ
チング時間（オーバエッチング率）を含む作業レシピを
設備に伝送し、設備１００にスタート命令を送る（Ｓ１
７）。すると、設備１００は、前記制御部１００にこれ
に対する応答信号を送り（Ｓ１８）、処理を開始する
（Ｓ１９）。
【００３５】前記のように、本発明の第１実施形態例に
よるエッチングシステムは、作業レシピの中でエッチン
グ時間を累積処理枚数によって異なるように設定して進
めることができるように多様な作業レシピを制御部２０
０に既に設置しており、ローダ部にグラスをローディン
グする時に設備１００から累積処理枚数を受けて多数の
レシピの中で適合なレシピを設備１００に送り、処理を
自動的にスタートさせる。
よるエッチングシステムは、作業レシピの中でエッチン
グ時間を累積処理枚数によって異なるように設定して進
めることができるように多様な作業レシピを制御部２０
０に既に設置しており、ローダ部にグラスをローディン
グする時に設備１００から累積処理枚数を受けて多数の
レシピの中で適合なレシピを設備１００に送り、処理を
自動的にスタートさせる。
【００３６】一方、本発明の第１実施形態例によるエッ
チングシステムはローダ部１２０にグラスが置かれた状
態でエッチング液の交換がある場合には累積処理枚数の
値が変わるので、スタート命令を受けて待機中であるグ
ラスに対しては自動的に作業を中止する。そして、エッ
チング液交換が完了すると中止したグラスに対して設備
から新しい累積処理枚数情報を受けて自動的に再スター
トさせる。
チングシステムはローダ部１２０にグラスが置かれた状
態でエッチング液の交換がある場合には累積処理枚数の
値が変わるので、スタート命令を受けて待機中であるグ
ラスに対しては自動的に作業を中止する。そして、エッ
チング液交換が完了すると中止したグラスに対して設備
から新しい累積処理枚数情報を受けて自動的に再スター
トさせる。
【００３７】図４は、本発明の第１実施形態例による累
積処理枚数、エッチング時間とＣＤとの関係を示してい
る。
積処理枚数、エッチング時間とＣＤとの関係を示してい
る。
【００３８】図４に示したように、本発明の第１実施形
態例によると、エッチング液を交換して累積処理枚数が
０から４００枚まではオーバエッチング率が３０％であ
るエッチング時間でエッチング工程を進めた。この場
合、ＣＤは、累積処理枚数が増加することによって一定
に増加するようになる。
態例によると、エッチング液を交換して累積処理枚数が
０から４００枚まではオーバエッチング率が３０％であ
るエッチング時間でエッチング工程を進めた。この場
合、ＣＤは、累積処理枚数が増加することによって一定
に増加するようになる。
【００３９】累積処理枚数が４０１枚以上である場合に
は、オーバエッチング率が６０％であるエッチング時間
でエッチング工程を進める。このようにすると、ＣＤ値
は累積処理枚数が４０１枚になると減少し、累積処理枚
数の増加によって再び増加するようになる。
は、オーバエッチング率が６０％であるエッチング時間
でエッチング工程を進める。このようにすると、ＣＤ値
は累積処理枚数が４０１枚になると減少し、累積処理枚
数の増加によって再び増加するようになる。
【００４０】したがって、図１に示した従来のエッチン
グ工程に比べて同一なＣＤの範囲内でさらに多くのＬＣ
Ｄを累積処理することができる。
グ工程に比べて同一なＣＤの範囲内でさらに多くのＬＣ
Ｄを累積処理することができる。
【００４１】表１は、従来のＣＤ値と、本発明の第１実
施形態例によるＣＤ値を示している。
施形態例によるＣＤ値を示している。
【表１】
【００４２】表１に示すように、従来は累積処理枚数に
関わらず３０％のオーバエッチング率を有するエッチン
グ時間でエッチング工程を進めている。その結果、ＡＣ
Ｉ（after- cleaning inspection）は４．３１２μmで
ある。これは目標値（４．１μm）より０．２１２μm大
きい値である。
関わらず３０％のオーバエッチング率を有するエッチン
グ時間でエッチング工程を進めている。その結果、ＡＣ
Ｉ（after- cleaning inspection）は４．３１２μmで
ある。これは目標値（４．１μm）より０．２１２μm大
きい値である。
【００４３】一方、本発明の第１実施形態例では、累積
処理枚数が１枚から４００枚までは３０％のオーバエッ
チング率を有するエッチング時間でエッチング工程を処
理し、累積処理枚数が４０１枚から１０００枚までは６
０％のオーバエッチング率を有するエッチング時間でエ
ッチング工程を処理した。その結果、それぞれのＡＣＩ
値はそれぞれ４．１３１μm、４．０８０μmとなった。
処理枚数が１枚から４００枚までは３０％のオーバエッ
チング率を有するエッチング時間でエッチング工程を処
理し、累積処理枚数が４０１枚から１０００枚までは６
０％のオーバエッチング率を有するエッチング時間でエ
ッチング工程を処理した。その結果、それぞれのＡＣＩ
値はそれぞれ４．１３１μm、４．０８０μmとなった。
【００４４】したがって、本発明の第１実施形態例によ
るＡＣＩの平均値は４．１μmであり、これは目標値と
一致することが分かる。
るＡＣＩの平均値は４．１μmであり、これは目標値と
一致することが分かる。
【００４５】前記のように、本発明の第１実施形態例に
よると、図１に示した従来のエッチング工程に比べて目
標値に近いＣＤの範囲内でさらに多くのＬＣＤを累積処
理することができる。
よると、図１に示した従来のエッチング工程に比べて目
標値に近いＣＤの範囲内でさらに多くのＬＣＤを累積処
理することができる。
【００４６】以下、設備１００でエッチング時間を制御
する本発明の第２実施形態例について説明する。
する本発明の第２実施形態例について説明する。
【００４７】本発明の第２実施形態例は、設備１００が
本来有するオフセットプログラムで制御する方法であ
る。設備１００は、同一作業レシピ内で累積処理枚数に
よって自動的にエッチング時間（オーバエッチング率）
を変化して進行する。
本来有するオフセットプログラムで制御する方法であ
る。設備１００は、同一作業レシピ内で累積処理枚数に
よって自動的にエッチング時間（オーバエッチング率）
を変化して進行する。
【００４８】つまり、本発明の第２実施形態例は、第１
実施形態例とは異なり、累積処理枚数が一定の個数にな
るとエッチング時間（或は作業レシピ）を変える、言い
かえると不連続的にエッチング時間を変えるのではな
く、同一な作業レシピ内で累積処理枚数の変化によって
これに対応するエッチング時間（オーバエッチング率）
でエッチングを遂行する。
実施形態例とは異なり、累積処理枚数が一定の個数にな
るとエッチング時間（或は作業レシピ）を変える、言い
かえると不連続的にエッチング時間を変えるのではな
く、同一な作業レシピ内で累積処理枚数の変化によって
これに対応するエッチング時間（オーバエッチング率）
でエッチングを遂行する。
【００４９】したがって、一つの作業レシピでエッチン
グを進めることができるので、ローダ部１２０に置かれ
たグラスに対して同一なレシピで作業をスタートさせる
ことができる。
グを進めることができるので、ローダ部１２０に置かれ
たグラスに対して同一なレシピで作業をスタートさせる
ことができる。
【００５０】前記のように、同一の作業レシピ内で累積
処理枚数の変化によってエッチング時間を異なるように
する方法としては次の二つの方法がある。
処理枚数の変化によってエッチング時間を異なるように
する方法としては次の二つの方法がある。
【００５１】先ず、ＣＤ値を最も安定にする累積処理枚
数に対する工程時間の関数値を利用して、エッチング作
業を進めることができる。
数に対する工程時間の関数値を利用して、エッチング作
業を進めることができる。
【００５２】次に、累積処理枚数による最適のエッチン
グ時間を前もって実験的に測定し、この値をテーブル方
式でメモリに保存する。したがって、設備１００は累積
処理枚数に対応するエッチング時間をメモリから呼び出
してエッチング作業を進めることができる。
グ時間を前もって実験的に測定し、この値をテーブル方
式でメモリに保存する。したがって、設備１００は累積
処理枚数に対応するエッチング時間をメモリから呼び出
してエッチング作業を進めることができる。
【００５３】図５は、本発明の第２実施形態例による累
積処理枚数、エッチング時間及びＣＤの関係を示してい
る。
積処理枚数、エッチング時間及びＣＤの関係を示してい
る。
【００５４】図５に示したように、本発明の第２実施形
態例によると、エッチング液を交換した後累積処理枚数
が増加するに従ってエッチング時間を増加し、ＣＤを一
定にすることができる。したがって、図１に示した従来
のエッチング工程に比べて同一のＣＤ範囲内でさらに多
くのＬＣＤを累積処理することができる。
態例によると、エッチング液を交換した後累積処理枚数
が増加するに従ってエッチング時間を増加し、ＣＤを一
定にすることができる。したがって、図１に示した従来
のエッチング工程に比べて同一のＣＤ範囲内でさらに多
くのＬＣＤを累積処理することができる。
【００５５】以上、本発明の実施形態例について説明し
たが、本発明は前記実施形態例に限られるわけでなく、
その他の多くの変更と変形とが可能であるのは当然のこ
とである。
たが、本発明は前記実施形態例に限られるわけでなく、
その他の多くの変更と変形とが可能であるのは当然のこ
とである。
【００５６】たとえば、本発明の第１実施形態例では、
二つのエッチング時間（作業レシピ）を有するエッチン
グシステムについて説明したが、三つ以上のエッチング
時間を有するエッチングシステムにも適用することがで
きる。
二つのエッチング時間（作業レシピ）を有するエッチン
グシステムについて説明したが、三つ以上のエッチング
時間を有するエッチングシステムにも適用することがで
きる。
【００５７】また、前記実施形態例ではＬＣＤを例とし
て説明したが、ＬＣＤ以外の半導体素子などのマイクロ
エレクトロニクスデバイスに適用することもできる。
て説明したが、ＬＣＤ以外の半導体素子などのマイクロ
エレクトロニクスデバイスに適用することもできる。
【００５８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によると、
累積処理枚数に応じてエッチング工程時間を自動的に調
節してエッチング工程を遂行することによって、エッチ
ング溶液の交換回数を減少させることができる。
累積処理枚数に応じてエッチング工程時間を自動的に調
節してエッチング工程を遂行することによって、エッチ
ング溶液の交換回数を減少させることができる。
【図１】従来のＬＣＤ製造方法による累積処理枚数とＣ
Ｄとの関係を示す図面。
Ｄとの関係を示す図面。
【図２】本発明の実施形態例によるエッチングシステム
を示す図面。
を示す図面。
【図３】本発明の第１実施形態例による設備と制御部と
の通信内容を示す図面。
の通信内容を示す図面。
【図４】本発明の第１実施形態例による累積処理枚数、
エッチング時間とＣＤとの関係を示す図面。
エッチング時間とＣＤとの関係を示す図面。
【図５】本発明の第２実施形態例による累積処理枚数、
エッチング時間とＣＤとの関係を示す図面。
エッチング時間とＣＤとの関係を示す図面。
１００；エッチング設備 １２０；ローダ部 １４０；処理部 １６０；返送ロボット ２００；制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 壽 元 大韓民国忠清南道天安市新芳洞郷村現代ア パート301棟1401号 (72)発明者 金 珍 秀 大韓民国忠清南道天安市雙龍洞567 市営 ２次アパート201棟611号
Claims (13)
- 【請求項１】一つのエッチング液で複数の基板の上に形
成された層をエッチングし、それぞれ所定のパターンを
形成するエッチング処理において、 前記基板の累積処理枚数によってエッチング時間を異な
るようにすることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】前記基板の累積処理枚数が１からＮまでで
ある場合にはＴ１のエッチング時間でエッチング工程を
遂行し、前記基板の累積処理枚数がＮ＋１以上である場
合はＴ１より大きいＴ２のエッチング時間でエッチング
工程を遂行することを特徴とする、請求項１に記載のエ
ッチング方法。 - 【請求項３】前記基板の累積処理枚数の変化に１：１で
対応するエッチング時間でエッチング工程を遂行するこ
とを特徴とする、請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項４】前記基板の累積処理枚数に対するエッチン
グ時間の関数値を用いてエッチング工程を遂行すること
を特徴とする、請求項３に記載のエッチング方法。 - 【請求項５】前記基板の累積処理枚数による最適のエッ
チング時間を前もって実験的に測定して測定値をメモリ
に保存した後、前記累積処理枚数に対応するエッチング
時間を前記メモリから呼び出してエッチング工程を進め
ることを特徴とする請求項３に記載のエッチング方法。 - 【請求項６】前記基板は液晶表示装置基板であることを
特徴とする、請求項１に記載のエッチング方法。 - 【請求項７】一つのエッチング液で複数の基板の上に形
成された層をエッチングし、それぞれ所定のパターンを
形成するためのエッチング処理部と、前記基板を保管し
ているカセットを臨時保存するためのローダ部を有する
エッチング設備と、 前記エッチング設備で行う作業を制御する制御部とを含
み、 前記エッチング設備は、前記基板の累積処理枚数によっ
て異なるエッチング時間でエッチングを行うことを特徴
とするエッチングシステム。 - 【請求項８】前記制御部は、前記基板の累積処理枚数が
１からＮまでである場合にはＴ１のエッチング時間でエ
ッチング工程を遂行するようにする第１作業レシピと、
前記基板の累積処理枚数がＮ＋１以上である場合にはＴ
１より大きいＴ２のエッチング時間でエッチング工程を
遂行するようにする第２作業レシピとを前記エッチング
設備に伝送し、 前記エッチング設備は、前記第１及び２作業レシピによ
ってエッチング工程を遂行することを特徴とする、請求
項７に記載のエッチングシステム。 - 【請求項９】前記制御部は前記ローダ部にカセットがロ
ードされると、前記エッチング設備から前記累積処理枚
数のデータを受信し、前記第１または第２作業レシピを
前記エッチング設備に伝送することを特徴とする、請求
項８に記載のエッチングシステム。 - 【請求項１０】前記エッチング設備は、前記基板の累積
処理枚数の変化に１：１で対応するエッチング時間でエ
ッチング工程を遂行することを特徴とする、請求項７に
記載のエッチングシステム。 - 【請求項１１】前記エッチング設備は、前記基板の累積
処理枚数に対するエッチング時間の関数値を予めメモリ
に保存しており、前記関数値を用いてエッチング工程を
遂行することを特徴とする、請求項１０に記載のエッチ
ングシステム。 - 【請求項１２】前記エッチング設備は、前記基板の累積
処理枚数による最適のエッチング時間を予め実験的に測
定して測定値をメモリに保存しており、前記累積処理枚
数に対応するエッチング時間を前記メモリから呼び出し
てエッチング工程を遂行することを特徴とする、請求項
１０に記載のエッチングシステム。 - 【請求項１３】前記基板は液晶表示装置基板であること
を特徴とする、請求項７に記載のエッチングシステム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1998P39635 | 1998-09-24 | ||
| KR1019980039635A KR100296553B1 (ko) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 누적처리매수에따라식각시간을달리하는식각시스템및식각방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000144453A true JP2000144453A (ja) | 2000-05-26 |
| JP2000144453A5 JP2000144453A5 (ja) | 2006-11-09 |
Family
ID=19551753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11270660A Pending JP2000144453A (ja) | 1998-09-24 | 1999-09-24 | エッチングシステム及びエッチング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6495055B2 (ja) |
| JP (1) | JP2000144453A (ja) |
| KR (1) | KR100296553B1 (ja) |
| CN (1) | CN1231612C (ja) |
| TW (1) | TW525244B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100672632B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2007-02-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치 |
| KR100940579B1 (ko) | 2009-02-12 | 2010-02-03 | 윤근천 | 오엘이디 제조설비의 증착챔버에 사용되는 마스크 프레임 |
| DE102010037870A1 (de) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Roth & Rau Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Laststabilisierung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221421A (en) * | 1992-03-25 | 1993-06-22 | Hewlett-Packard Company | Controlled etching process for forming fine-geometry circuit lines on a substrate |
| US5308447A (en) * | 1992-06-09 | 1994-05-03 | Luxtron Corporation | Endpoint and uniformity determinations in material layer processing through monitoring multiple surface regions across the layer |
| US5980771A (en) * | 1997-02-05 | 1999-11-09 | Aerochem, Inc. | Method and apparatus for regenerating an etch solution |
-
1998
- 1998-09-24 KR KR1019980039635A patent/KR100296553B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-05-20 TW TW088108297A patent/TW525244B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-22 US US09/337,735 patent/US6495055B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-24 JP JP11270660A patent/JP2000144453A/ja active Pending
- 1999-09-24 CN CNB99120400XA patent/CN1231612C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW525244B (en) | 2003-03-21 |
| US20020088774A1 (en) | 2002-07-11 |
| CN1231612C (zh) | 2005-12-14 |
| KR100296553B1 (ko) | 2001-11-30 |
| KR20000020845A (ko) | 2000-04-15 |
| CN1252457A (zh) | 2000-05-10 |
| US6495055B2 (en) | 2002-12-17 |
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