JP2837837B2 - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents

半導体集積回路の製造方法

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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の製
造方法に関するもので、特に、その工程順の設定手法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術及びその問題点について以下便
宜上、半導体集積回路の製造工程のうちの酸化工程を引
用して説明する。一般に酸化工程は、シリコンを高温の
酸化雰囲気中に露出させて表面に均一でかつ物性的に安
定した酸化膜を形成する工程である。この酸化工程を終
了した後のウェーハ選別段階では、酸化工程を始めたウ
ェーハの数と成功したウェーハの数との比較によって歩
留りが計算される。この歩留りは半導体集積回路の製造
工程における核心的存在で、歩留りを少しでも上げるた
めに酸化工程における膜厚、抵抗等の物理的パラメータ
が測定され調節されることになる。そしてまた、半導体
集積回路の電気的性能はその物理的パラメータがどれく
らい仕様に合うようになっているかに左右される。そこ
で、工程上の変移を最小限に抑え、工程順をより弾力的
に設定して歩留りを上げることに関心が高まっている。
【０００３】図１のチャートは、半導体集積回路の製造
工程中の一つであるウェーハの酸化工程の工程順を示
す。図示のように、ウェーハを反応ソースキャビネット
のボート(boat)と呼ばれる水晶ホルダにセットするウェ
ーハイン工程１０と、セットしたウェーハを反応させて
適切な厚さの酸化膜を成長させる酸化膜形成工程１１
と、の制作工程が進められた後、形成した酸化膜の厚さ
を測定する膜厚測定工程１２と、粒子測定工程１３と、
シート抵抗測定工程１４と、の測定工程が順次に実施さ
れる。そしてその後、ウェーハ上の粒子、有機物、無機
汚染物等を高温の硫酸で取除く洗浄工程１５と、ウェー
ハをボートから取出すウェーハアウト工程１６と、の終
了工程を経ることにより、ウェーハの酸化工程が終了す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の酸化工程におい
て、膜厚測定工程１２、粒子測定工程１３、シート抵抗
測定工程１４からなる測定工程はその進行順が固定され
ており、予め定められた順でしか工程を進めることがで
きない。従って、粒子測定用の設備やシート抵抗測定用
の設備は常に利用可能であるにもかかわらず、膜厚測定
工程１２が完了しなければ可動させることができず、作
業時間や設備利用効率が良くない。
【０００５】そこで、作業時間短縮及び設備利用効率の
向上を図る半導体集積回路の製造方法の提供を本発明の
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、制作工程後
の測定工程に際し、その測定工程の順序を弾力的かつ伸
縮的に遂行可能な半導体集積回路の製造方法を提供す
る。即ち、制作工程の後に複数の測定工程を実施する半
導体集積回路の製造方法において、各測定工程に使用さ
れる設備の空き状態を確認して最適の測定工程を選択し
実行する第１工程後、実行済みの測定工程を除いた残り
の測定工程に使用される設備の空き状態を確認して最適
の測定工程を選択し実行する後続工程を、全測定工程を
少なくとも１回ずつ実施するまで行うことを特徴とす
る。
【０００７】具体的には、膜厚測定工程、粒子測定工
程、及びシート抵抗測定工程を制作工程後に実施する半
導体集積回路のウェーハ酸化工程において、前記各測定
工程に使用される設備の空き状態を確認して前記各測定
工程のうち最適の測定工程を選択し実行する第１工程
と、この第１工程後の残りの前記測定工程に使用される
設備の空き状態を確認して該残りの前記測定工程のうち
最適の測定工程を選択し実行する第２工程と、この第２
工程後に残った最後の前記測定工程を実行する第３工程
と、の３つの工程を少なくとも１回実施してから終了工
程へ進むことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき添
付図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】図２に本発明の製造方法による製造工程順
のチャートを示し、図３にこれをより具体的に示す。本
実施形態でも前述同様に酸化工程を例にしてある。
【００１０】図２に示すように、ウェーハを反応ソース
キャビネットのボートへセットするウェーハイン工程２
０と、製造工程中の特定工程としての酸化膜形成工程２
１と、の制作工程を経た後には、図３に示すように膜厚
測定工程１２、粒子測定工程１３、シート抵抗測定工程
１４の各測定工程中でその各設備の状態を確認した結
果、余裕度の高い最適の工程を１つ選択して実行する第
１工程２２がまず実施される。そして、この第１工程の
選択後に残った測定工程の中で最適の工程を１つ選択し
て実行する第２工程２３と、最後に残った測定工程を実
施する最終の第３工程２４と、のようにして、実行済み
の測定工程を除いた残りの測定工程に使用される設備の
状態を確認して最適の測定工程を選択し実行する後続工
程が実施され、全測定工程が行われる。このときに必要
であれば、設備の状況に応じて全測定工程や特定の測定
工程を繰り返すこともできる。このようにして測定工程
が終わった後には、洗浄工程２５と、ウェーハをボート
から取出すウェーハアウト工程２６と、の終了工程が実
施される。このように、３種の測定工程１２，１３，１
４を時には重複して伸縮的に且つ設備の空き状態に応じ
て順序を入替え弾力的に進行するようにしている。但
し、全測定工程をすべて実施したときにのみ次の工程へ
進行することが可能である。
【００１１】このような半導体集積回路のフレキシブル
製造方法についての制御は、例えばマイクロコンピュー
タを組み込んだ制御装置によって容易に実施可能であ
る。このような制御装置はフレキシブル製造方法を制御
できるようにプログラムされ、各工程をチェックし進行
させるためにセンサを通じて各設備と連結され、該当工
程の設備を可動する駆動命令を提供する。また、フレキ
シブル工程進行のために内部の記憶レジスタを多数用意
し、実際の駆動命令時にそのレジスタをチェックするこ
とにより進行の制御を行える。
【００１２】以上の説明では酸化工程の場合について説
明したが、その他の工程にも適用可能であることは勿論
である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、製造工程の各段階で測
定工程を遂行するときに、その測定工程の工程順を弾力
的且つ伸縮的に進行するようにしたので、作業時間短縮
や設備利用効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の製造方法による工程順を示すチャート。
【図２】本発明の製造方法による工程順を示すチャー
ト。
【図３】測定工程の順序入替えを具体的に示したチャー
ト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−275510（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−86110（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21365（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66 H01L 21/316

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 制作工程の後に複数の測定工程を実施す
    る半導体集積回路の製造方法において、各測定工程 に使用される設備の空き状態を確認して最適
    の測定工程を選択し実行する第１工程後、実行済みの測
    定工程を除いた残りの測定工程に使用される設備の空き
    状態を確認して最適の測定工程を選択し実行する後続工
    程を、全測定工程を少なくとも１回ずつ実施するまで行
    うようにしたことを特徴とする半導体集積回路の製造方
    法。
  2. 【請求項２】 膜厚測定工程、粒子測定工程、及びシー
    ト抵抗測定工程を制作工程後に実施する半導体集積回路
    のウェーハ酸化工程において、 前記各測定工程に使用される設備の空き状態を確認して
    前記各測定工程のうち最適の測定工程を選択し実行する
    第１工程と、この第１工程後の残りの前記測定工程に使
    用される設備の空き状態を確認して該残りの前記測定工
    程のうち最適の測定工程を選択し実行する第２工程と、
    この第２工程後に残った最後の前記測定工程を実行する
    第３工程と、の３つの工程を少なくとも１回実施してか
    ら終了工程へ進むようにしたことを特徴とする半導体集
    積回路のウェーハ酸化工程。
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