JPH10256341A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH10256341A
JPH10256341A JP9069172A JP6917297A JPH10256341A JP H10256341 A JPH10256341 A JP H10256341A JP 9069172 A JP9069172 A JP 9069172A JP 6917297 A JP6917297 A JP 6917297A JP H10256341 A JPH10256341 A JP H10256341A
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Masao Aoyama
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Abstract

(57)【要約】 【課題】基板移載作業の効率化を図ることができる半導
体製造装置の提供を目的とする。 【解決手段】移載機14は、ボートの両端側にサイドダ
ミー基板をそれぞれ移載した後、両サイドダミー基板の
間に処理用基板を移載する。この移載機14が移載作業
を開始する前に、操作部3の移載方式選択手段8により
第1の移載方式を選択すると、処理用基板の移載状態に
関わらず、一旦ボートの所定位置に積載したサイドダミ
ー基板を移動させることがなく、短時間で基板の移載作
業を終了する。操作部3の移載方式選択手段8により第
2の移載方式を選択すると、処理用基板の移載状態に応
じて、一旦ボートの所定位置に積載したサイドダミー基
板を移動させ、処理用基板の処理に最適な位置へサイド
ダミー基板を配置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、マスクブランク
やウェーハ等の基板に各種の処理(例えば拡散や薄膜形
成処理)を施す半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置は、多数の基板を積載し
たボートを反応炉内に収容し、その反応炉内において基
板に所望の処理を施すが、この際、製品(基板)の品質
を所定範囲内に維持するため、基板に均一の処理を施す
必要がある。しかし、反応炉内における基板処理条件
は、必ずしも一定ではない。
【0003】例えば、図7に示すような、縦長のボート
10に多数の基板(S,M,P,F)を積載した状態で
は、図外の反応炉内においてボート10の上端側と下端
側の基板処理条件のばらつきが大きくなる。従って、従
来から、基板処理条件のばらつきが大きくなるような部
分(ボート10の上端側及び下端側の部分)には、処理
用基板Pではなく、ダミー基板(サイドダミー基板S)
を配置し、基板処理条件が均一となるような部分(ボー
ト10の中央側部分)には、処理用基板Pを配置するよ
うになっている。
【0004】尚、図8に示す半導体製造装置1におい
て、基板30(サイドダミー基板Sや処理用基板P)が
多数収容されたカセット31は、カセットローダ15に
よってカセットストッカ32の所定位置まで搬送され
る。次いで、カセット31内の基板30は、移載機14
によって取り出され、その移載機14によってボート1
0に順次積載されるようになっている。
【0005】図7は、このような半導体製造装置1にお
ける基板の移載パターンを示すものである。図7(a)
は、ボート10の上端側と下端側にそれぞれサイドダミ
ー基板Sを配置し、これら両サイドダミー基板S,S間
に処理用基板Pを不足無く積載した例を示している。
尚、サイドダミー基板Sと処理用基板P及び処理用基板
P,Pの間には、適当な間隔でもってモニター基板Mを
積載するパターンを示すものである。又、図7(b)
は、処理用基板Pが不足した部分に補充用ダミー基板F
を積載するパターンを示すものである。又、図7(c)
は、処理用基板Pが不足した部分に補充用ダミー基板F
を積載することなく、下側サイドダミー基板Sを所定位
置(ボート10の下端側)から移動させるパターンを示
すものである。
【0006】これらの図7(a)〜(c)は、いずれも
図7(d)に示すように、先ず、ボート10の上端側と
下端側の所定位置にサイドダミー基板Sを積載し、次い
で、これら両サイドダミー基板S,S間に処理用基板P
とモニター基板Mを積載するようになっている。そし
て、図7(c)に示すような場合には、処理用基板Pや
モニター基板M(場合によっては補充用ダミー基板F)
の総枚数に応じて、下側サイドダミー基板Sを処理用基
板P等の積載前に移動させるようになっている。尚、こ
こで、サイドダミー基板S,処理用基板P,補充用ダミ
ー基板Fは、複数枚を1単位として、それぞれS,P,
Fと表示している。又、モニター基板Mは、1枚づつ各
所定位置に配置されるようになっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体製
造装置1において、下側サイドダミー基板Sをボート1
0の所定位置に一旦積載した後、再度処理用基板P等の
枚数に応じて移動させるのは、反応炉内における処理用
基板Pの処理条件を良くするためであるが、場合によっ
ては、下側サイドダミー基板Sの移動が基板処理条件に
影響を与えず、処理用基板Pの処理品質に影響を与えな
いことがある。このような場合、下側サイドダミー基板
Sを移動させることは、移載機14に無駄な動作をさせ
ることになり、基板処理時間に無駄を生じることとな
る。そのため、移載機14を効率的に作動させ、基板処
理効率を向上させることができる半導体製造装置1の提
供が望まれていた。
【0008】そこで、本発明は、このような要望に応え
ることができる半導体製造装置を提供することを目的と
する。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、処理用基板を所望の処理条件で処理するため、ボー
トの両端側にそれぞれサイドダミー基板を移載機で積載
した後、両サイドダミー基板間に前記処理用基板を移載
機で積載する半導体製造装置であって、前記サイドダミ
ー基板を前記処理用基板の積載状態に関わりなくボート
上の所定位置に積載する第1の移載方式と、前記サイド
ダミー基板を前記処理用基板の積載状態に応じてボート
の所定位置から移動させる第2の移載方式と、を切り換
える移載方式選択手段と、該移載方式選択手段からの移
載方式選択信号に基づいて、前記移載機に作動制御信号
を出力する制御手段と、を備えたことを特徴としてい
る。
【0010】本発明は、このような構成を備える結果、
移載方式選択手段により第1の移載方式を選択した場合
には、一旦ボートに積載したサイドダミー基板を処理用
基板の移載後に移動させる必要がなくなり、基板の移載
作業が効率的に行われ、ひいては基板処理作業が効率的
に行われることになる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき詳述する。尚、半導体製造装置の要部構成は、
図8に示すものであり、その基本的構成を従来例と共通
にしているが、以下のような、従来例とは異なる構成を
備えている。
【0012】図1は、半導体製造装置1のブロック図で
ある。この図1に示すように、半導体製造装置1は、上
位コンピュータ2や操作部3から出力された信号が主制
御部4及びコントローラ5のデータ送受信部6を介して
CPU(制御手段)7に入力されるようになっている。
【0013】ここで、操作部3は、基板(図示せず)の
移載方式を選択するための移載方式選択手段8を備えて
いる。この移載方式選択手段8は、サイドダミー基板S
を処理用基板Pの積載状態に関わりなくボート10上の
所定位置に積載する第1の移載方式(図5乃至図6参
照)と、サイドダミー基板Sを処理用基板Pの積載状態
に応じてボート10の所定位置から移動させる第2の移
載方式(図7(c)参照)と、を切り換える機能を有し
ており、設定画面11及びキーボード(図示せず)等か
らなっている(図2参照)。
【0014】CPU7は、ROM12やRAM13から
読み出したデータと前記操作部3等からの入力信号に基
づき、動作制御部19を介して移載機14,カセットロ
ーダ15及びボートローダ16に作動制御信号を出力す
るようになっている。又、CPU7は、データ入出力部
17を介してソレノイド18やセンサ20に接続されて
おり、センサ20からの検知信号を取り込み、ソレノイ
ド18に制御信号を出力するようになっている。更に、
CPU7は、カセットローダパネル21にも接続され、
カセットローダパネル21からの出力信号が入力される
ようになっている。
【0015】図2は、移載方式選択手段によって第1の
移載方式を選択した後、サイドダミー基板Sの移載位置
を設定する作業と、補充用ダミー基板Fをボート10に
移載して処理用基板Pの不足分を補うか否かを選択する
作業と、を行う場合の設定画面11の例(図2(a)参
照)及びデータの設定方式(図2(b)参照)を示すも
のである。
【0016】尚、図2(a)は、ウェーハアレンジメン
トパラメータ編集画面(設定画面)11を示すものであ
る。そして、この設定画面11の処理用基板P及び補充
用ダミー基板Fの総枚数決定方式部分において、図2
(b)のデータの設定を行う(図2(a)の設定部分参
照)。ここで、図2(b)のは、ボート10下側のサ
イドダミー基板Sの固定位置(移載位置)を設定する場
合であって、補充用ダミー基板Fをボート10に移載し
ない場合の入力データを示すものである(図5参照)。
又、図2(b)のは、ボート10下側のサイドダミー
基板Sの固定位置(移載位置)を設定する場合であっ
て、補充用ダミー基板Fをボート10に移載する場合の
入力データを示すものである(図6参照)。そして、こ
れら図2(b)の,のデータは、操作部3から入力
するようになっており、主制御部4及びデータ送受信部
6を介してCPU7に入力される。
【0017】図3は、図2におけるサイドダミー基板S
の移載方式の設定が有効か否かを判断するためのフロー
チャートを示すものである。
【0018】この図3に示すように、操作部3の設定画
面(例えば、ウェーハアレンジメントパラメータ編集画
面)11において上述の基板移載方式が設定されて、そ
の設定データが操作部3からコントローラ5側に入力さ
れると(S1)、CPU7は第1の移載方式が選択され
た否か判断する(S2)。尚、第2の移載方式が選択さ
れた場合には、第2の移載方式に合致した設定値チェッ
クが行われる。
【0019】次に、CPU7は、第1の移載方式が選択
されたと判断すると、ボート10にサイドダミー基板S
とモニター基板Mを重なることなく移載することができ
るかどうか、サイドダミー基板Sの枚数及びモニター基
板Mの枚数チェックを行い(S3)、その枚数チェック
の結果、サイドダミー基板Sとモニター基板Mが重なら
ない適正な設定値であると判断すれば(S4)、その設
定値をラム13に記憶させ、移載方式の設定作業を完了
させる。尚、設定値はラム13に記憶させる他、メモリ
ーカード22にも記憶させることができる。
【0020】又、CPU7は、枚数チェックの結果、サ
イドダミー基板Sとモニター基板Mが重なる不適正な設
定値であると判断すると(S4)、操作部3の設定画面
11に設定値のエラー表示をする(S5)。
【0021】図4は、サイドダミー基板S,モニター基
板M,処理用基板Pや補充用ダミー基板Fの移載が可能
か否かの判断をするためのフローチャートを示すもので
ある。
【0022】図3の設定値チェックが終了すると、CP
U7は、再度第1の移載方式が設定されているか否かを
チェックし(S11)、第1の移載方式が設定されてい
ると判断すると、サイドダミー基板S,モニター基板
M,処理用基板P及び補充用ダミー基板Fがボート10
上で重なるのを防止するため、各基板の総枚数をチェッ
クする(S12)。そして、CPU7は、そのチェック
の結果、各基板の枚数が適正な枚数であり、各基板がボ
ート10上で重なることがないと判断すると(S1
3)、移載機14に作動制御信号を出力し、移載機14
による移載作業を開始させる(S14)。尚、CPU7
は、各基板の総枚数のチェックの結果、各基板の枚数が
不適正な枚数であり、各基板のうちのいずれかがボート
10上で重なると判断すると(S13)、操作部3の設
定画面11にエラー表示をし(S15)、移載機14に
よる各基板の移載作業を中止する。
【0023】図5は、各基板の移載パターンを示すもの
であり、補充用ダミー基板Fを補充しない移載パターン
を示すものである。
【0024】この図5において、の移載パターンは、
ボート10上端側と下端側のサイドダミー基板S,S間
にモニター基板Mと処理用基板Pが不足なく積載された
標準移載パターンを示している。,の移載パターン
は、処理用基板Pが不足している移載パターンを示すも
のである。の移載パターンは、サイドダミー基板S,
S間にモニター基板Mのみが積載された移載パターンを
示すものである。
【0025】図6は、各基板の移載パターンを示すもの
であり、補充用ダミー基板Fを補充する移載パターンを
示すものである。
【0026】この図6において、の移載パターンは、
サイドダミー基板S,S間にモニター基板Mと処理用基
板Pが不足なく積載された標準移載パターンを示してい
る。,,の各移載パターンは、処理用基板Pの不
足部分に補充用ダミー基板Fを移載する移載パターンを
示すものであるが、処理用基板Pの不足部分がそれぞれ
異なっているため、補充用ダミー基板Fの移載位置もそ
れぞれ異なっている。即ち、の移載パターンは、処理
用基板Pの約半数分が補充用ダミー基板Fで補充される
態様であり、補充用ダミー基板Fをカセット単位で補充
するパターンを示している。又、の移載パターンは、
処理用基板Pが下側の3カセット分不足しているため、
その3カセット分を補充用ダミー基板Fで補充する移載
パターンを示している。又、の移載パターンは、処理
用基板Pが各カセット毎に不足し、隙間を生じているた
め、その隙間に補充用ダミー基板Fを補充積載する移載
パターンを示している。の移載パターンは、サイドダ
ミー基板S,S間にモニター基板Mのみが7枚積載され
た移載パターンを示すものである。,,の各移載
パターンは、サイドダミー基板S,S間にモニター基板
Mが積載されない点において、前記〜の各移載パタ
ーンと異なる。この〜の各移載パターンは、いずれ
も処理用基板Pの不足部分に補充用ダミー基板Fを補充
積載する移載パターンを示している。
【0027】以上のような図5及び図6の移載パターン
において、サイドダミー基板Sは、いずれも処理用基板
Pの枚数に関わりなく、ボート10の所定の移載位置か
ら移動させることがない。即ち、サイドダミー基板S
は、ボート10の所定位置に固定されたようになってい
る。
【0028】以上のように、本実施の形態は、サイドダ
ミー基板Sのボート10上の積載位置が処理用基板Pの
処理条件に影響を与えないような場合、移載方式選択手
段8により第1の移載方式を選択すれば、処理用基板P
が不足していても、サイドダミー基板Sを処理用基板P
の移載位置に合わせて移動させる必要がなくなり、各基
板のボート10への移載作業時間を短縮することができ
る。
【0029】又、本実施の形態のように、処理用基板P
が不足していても、サイドダミー基板Sを所定の移載位
置から移動させることがなく、モニター基板Mの積載位
置も固定されるため、膜厚評価やパーティクル測定等の
処理データ収集を標準移載パターンと同一の条件下で行
うことが可能となる。
【0030】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、サイドダミー基板を処理用基板の積載状態に関わり
なくボート上の所定位置に積載する第1の移載方式と、
サイドダミー基板を処理用基板の積載状態に応じてボー
トの所定位置から移動させる第2の移載方式と、を切り
換える移載方式選択手段を備えているため、この移載方
式選択手段により第1の移載方式を選択した場合、サイ
ドダミー基板をボート上で移動させる必要がなくなり、
基板をボートに移載する作業時間を短縮することがで
き、基板処理の効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体製造装置の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】移載方式選択手段の操作例を示す図であって、
図2(a)は移載方式選択手段の設定画面を示す図であ
り、図2(b)は基板移載方式を選択するためのデータ
設定方式例を示す図である。
【図3】データ設定の有効性を確認するためのフローチ
ャート図である。
【図4】基板移載の実行をチェックするためのフローチ
ャート図である。
【図5】第1の移載パターン例を示す図である。
【図6】第2の移載パターン例を示す図である。
【図7】従来の半導体製造装置の移載パターン例を示す
図である。
【図8】半導体製造装置の要部構成図である。
【符号の説明】
1 半導体製造装置 7 CPU(制御手段) 8 移載方式選択手段 10 ボート 14 移載機 P 処理用基板 S サイドダミー基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理用基板を所望の処理条件で処理する
    ため、ボートの両端側にそれぞれサイドダミー基板を移
    載機で積載した後、両サイドダミー基板間に前記処理用
    基板を移載機で積載する半導体製造装置において、 前記サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態に関
    わりなくボート上の所定位置に積載する第1の移載方式
    と、前記サイドダミー基板を前記処理用基板の積載状態
    に応じてボートの所定位置から移動させる第2の移載方
    式と、を切り換える移載方式選択手段と、 該移載方式選択手段からの移載方式選択信号に基づい
    て、前記移載機に作動制御信号を出力する制御手段と、 を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
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