JP3198309B2 - 露光装置、露光方法およびワーク処理方法 - Google Patents
露光装置、露光方法およびワーク処理方法Info
- Publication number
- JP3198309B2 JP3198309B2 JP33075292A JP33075292A JP3198309B2 JP 3198309 B2 JP3198309 B2 JP 3198309B2 JP 33075292 A JP33075292 A JP 33075292A JP 33075292 A JP33075292 A JP 33075292A JP 3198309 B2 JP3198309 B2 JP 3198309B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- work
- reject
- pattern
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程で使用
するレチクルやマスク用のプレートあるいは半導体ウエ
ハ上のレジストに所望のパターンを露光する露光技術お
よびワーク処理方法に関する。
するレチクルやマスク用のプレートあるいは半導体ウエ
ハ上のレジストに所望のパターンを露光する露光技術お
よびワーク処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の装置では、露光しようとするプ
レートやウエハ等のワークがＸ−Ｙステージ上に搬入さ
れると、ワークをステージ上のホルダで真空吸着した上
で、露光位置を合わせるためにアライメント調整を行な
う。ワークの反りや欠損などにより吸着やアライメント
ができなかった場合は、リジェクト処理としてワークを
露光処理することなくステージから搬出する。リジェク
ト処理されたワークはそのまま現像機側へ送るか、正常
に露光処理されたワークを収納するキャリアに混載す
る。特にリジェクトされたワーク専用のキャリアが用意
されている場合はそこに収納する。
レートやウエハ等のワークがＸ−Ｙステージ上に搬入さ
れると、ワークをステージ上のホルダで真空吸着した上
で、露光位置を合わせるためにアライメント調整を行な
う。ワークの反りや欠損などにより吸着やアライメント
ができなかった場合は、リジェクト処理としてワークを
露光処理することなくステージから搬出する。リジェク
ト処理されたワークはそのまま現像機側へ送るか、正常
に露光処理されたワークを収納するキャリアに混載す
る。特にリジェクトされたワーク専用のキャリアが用意
されている場合はそこに収納する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に現像前の段階で
はワーク上のレジストが露光しているか否かを判別でき
ないので、リジェクト処理されたワークを現像機へ送っ
た場合および露光処理済のワークのキャリアに混載した
場合は、正常に露光処理されたワークとともにリジェク
ト処理された未露光のワークも現像処理せざるを得な
い。ところが、現像後であっても露光処理がされている
か否かを外観上判別し難い場合が多く、結局何等かの検
査工程を経るまでリジェクト処理されたワークを選別で
きず、この間に無駄な処理時間、費用が発生する。特に
何層にも渡ってパターン形成が繰り返されるウエハの場
合は、未露光のウエハといえども前回の処理で形成され
たパターンがその表面に残っているので、正常に露光処
理されたウエハと区別することが極めて困難である。一
方、リジェクトされたワーク専用のキャリアを設けた場
合には上述した問題は生じないが、専用キャリアを設置
するスペースを新たに確保する必要があり、露光装置の
専有面積が増大する。特に面積が大きいプレートを対象
としたときは問題が多い。
はワーク上のレジストが露光しているか否かを判別でき
ないので、リジェクト処理されたワークを現像機へ送っ
た場合および露光処理済のワークのキャリアに混載した
場合は、正常に露光処理されたワークとともにリジェク
ト処理された未露光のワークも現像処理せざるを得な
い。ところが、現像後であっても露光処理がされている
か否かを外観上判別し難い場合が多く、結局何等かの検
査工程を経るまでリジェクト処理されたワークを選別で
きず、この間に無駄な処理時間、費用が発生する。特に
何層にも渡ってパターン形成が繰り返されるウエハの場
合は、未露光のウエハといえども前回の処理で形成され
たパターンがその表面に残っているので、正常に露光処
理されたウエハと区別することが極めて困難である。一
方、リジェクトされたワーク専用のキャリアを設けた場
合には上述した問題は生じないが、専用キャリアを設置
するスペースを新たに確保する必要があり、露光装置の
専有面積が増大する。特に面積が大きいプレートを対象
としたときは問題が多い。
【０００４】本発明の目的は、正常に露光処理できなか
ったワークを後工程で容易に発見できる状態にして搬出
でき、かつ装置の専有面積も増加しない露光装置、露光
方法およびワーク処理方法を提供することにある。
ったワークを後工程で容易に発見できる状態にして搬出
でき、かつ装置の専有面積も増加しない露光装置、露光
方法およびワーク処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】一実施例を示す図１およ
び図３に対応付けて説明すると、請求項１の発明は、ス
テージ３上に搬入されたワークＰが正常に露光処理でき
る状態にあるか否かを判別するワーク状態判別手段７，
８，１０を備えた露光装置に適用される。そして、上述
した目的は、ワークＰが正常に露光処理できない状態に
あると判別されたとき、ワークＰに対して正常な露光処
理時の露光パターンとは異なるパターンＥｒ１を露光す
るリジェクト露光手段１０を設けることにより達成され
る。異なるパターンを露光する露光光学系は、正常な露
光処理を行なう露光光学系と別に設けてもよく、請求項
２の装置のように正常な露光処理を行なう露光光学系を
用いて異なるパターンを露光してもよい。請求項３の装
置では、リジェクト露光手段１０が、正常な露光処理時
における露光範囲の外に露光を行なう。請求項４の装置
では、リジェクト露光手段１０が、正常な露光処理時の
露光パターンを露光しつつステージ３を移動させて異な
るパターンを露光する。請求項５の発明は、ステージ上
にワークを搬入する搬入工程と、搬入工程で搬入された
ワークに所定のパターンを露光する露光工程とを備えた
露光方法に適用される。そして、ステージ上に搬入され
たワークが正常に露光処理できる状態にあるか否かを判
別する状態判別工程と、正常に露光処理できない状態に
あると状態判別工程で判別されたワークに対して、露光
工程とは異なる露光処理を行うリジェクト露光工程とを
備えることにより、上記目的を達成する。請求項６の露
光方法は、リジェクト露光工程時に、露光工程でのワー
クの露光領域外に露光工程とは異なる露光を行うことを
特徴とする。請求項７の露光方法は、リジェクト露光工
程を、露光工程でのワークの露光時間よりも長く設定し
たことを特徴とする。請求項８の発明は、ステージ上に
ワークを搬入する搬入工程と、搬入工程で搬入されたワ
ークに所定のパターンを露光する露光工程と、ワークを
搬出する搬出工程と、搬出工程で搬出されたワークを現
像する現像処理工程とを備えたワーク処理方法に適用さ
れる。そして、ステージ上に搬入されたワークが正常に
露光処理できる状態にあるか否かを判別する状態判別工
程と、正常に露光処理できない状態にあると状態判別工
程で判別されたワークに対して、露光工程とは異なる露
光処理を行うリジェクト露光工程と、現像処理工程で現
像されたワークがリジェクト露光工程で露光されたか否
かを判別する露光処理判別工程とを備えることにより、
上記目的を達成する。
び図３に対応付けて説明すると、請求項１の発明は、ス
テージ３上に搬入されたワークＰが正常に露光処理でき
る状態にあるか否かを判別するワーク状態判別手段７，
８，１０を備えた露光装置に適用される。そして、上述
した目的は、ワークＰが正常に露光処理できない状態に
あると判別されたとき、ワークＰに対して正常な露光処
理時の露光パターンとは異なるパターンＥｒ１を露光す
るリジェクト露光手段１０を設けることにより達成され
る。異なるパターンを露光する露光光学系は、正常な露
光処理を行なう露光光学系と別に設けてもよく、請求項
２の装置のように正常な露光処理を行なう露光光学系を
用いて異なるパターンを露光してもよい。請求項３の装
置では、リジェクト露光手段１０が、正常な露光処理時
における露光範囲の外に露光を行なう。請求項４の装置
では、リジェクト露光手段１０が、正常な露光処理時の
露光パターンを露光しつつステージ３を移動させて異な
るパターンを露光する。請求項５の発明は、ステージ上
にワークを搬入する搬入工程と、搬入工程で搬入された
ワークに所定のパターンを露光する露光工程とを備えた
露光方法に適用される。そして、ステージ上に搬入され
たワークが正常に露光処理できる状態にあるか否かを判
別する状態判別工程と、正常に露光処理できない状態に
あると状態判別工程で判別されたワークに対して、露光
工程とは異なる露光処理を行うリジェクト露光工程とを
備えることにより、上記目的を達成する。請求項６の露
光方法は、リジェクト露光工程時に、露光工程でのワー
クの露光領域外に露光工程とは異なる露光を行うことを
特徴とする。請求項７の露光方法は、リジェクト露光工
程を、露光工程でのワークの露光時間よりも長く設定し
たことを特徴とする。請求項８の発明は、ステージ上に
ワークを搬入する搬入工程と、搬入工程で搬入されたワ
ークに所定のパターンを露光する露光工程と、ワークを
搬出する搬出工程と、搬出工程で搬出されたワークを現
像する現像処理工程とを備えたワーク処理方法に適用さ
れる。そして、ステージ上に搬入されたワークが正常に
露光処理できる状態にあるか否かを判別する状態判別工
程と、正常に露光処理できない状態にあると状態判別工
程で判別されたワークに対して、露光工程とは異なる露
光処理を行うリジェクト露光工程と、現像処理工程で現
像されたワークがリジェクト露光工程で露光されたか否
かを判別する露光処理判別工程とを備えることにより、
上記目的を達成する。
【０００６】
【作用】請求項１の装置および請求項５の方法では、ワ
ークＰが正常に露光処理できない状態にあると判別され
ると、ワークＰ上に正常な露光処理時の露光パターンと
は異なるパターンＥｒ１が露光される。リジェクト露光
による露光パターンＥｒ１と正常な露光処理での露光パ
ターンとの差を大きくすれば、現像処理後のワークＰを
一見しただけで正常な露光処理がなされているか否かを
判別できる。請求項３の装置および請求項６の方法で
は、通常は露光パターンがあり得ない位置にリジェクト
露光による露光パターンＥｒ１が形成される。請求項４
の装置および請求項７の方法では、ステージ３の移動に
より正常な露光処理では得られない大きさの露光パター
ンＥｒ１が得られる。請求項８のワーク処理方法では、
露光を終えたワークに対して現像が行われ、現像された
ワークがリジェクト露光工程により露光されたかを判別
する。
ークＰが正常に露光処理できない状態にあると判別され
ると、ワークＰ上に正常な露光処理時の露光パターンと
は異なるパターンＥｒ１が露光される。リジェクト露光
による露光パターンＥｒ１と正常な露光処理での露光パ
ターンとの差を大きくすれば、現像処理後のワークＰを
一見しただけで正常な露光処理がなされているか否かを
判別できる。請求項３の装置および請求項６の方法で
は、通常は露光パターンがあり得ない位置にリジェクト
露光による露光パターンＥｒ１が形成される。請求項４
の装置および請求項７の方法では、ステージ３の移動に
より正常な露光処理では得られない大きさの露光パター
ンＥｒ１が得られる。請求項８のワーク処理方法では、
露光を終えたワークに対して現像が行われ、現像された
ワークがリジェクト露光工程により露光されたかを判別
する。
【０００７】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
【０００８】
【実施例】以下、図１〜図３を参照して本発明の一実施
例を説明する。図１に示すように本実施例の露光装置
は、水銀ランプ等を用いた光源１からの光でレチクルＲ
を照射してそのパターン像を投影レンズ２によりＸ−Ｙ
ステージ３上に載置したプレートＰ上に縮小投影するも
ので、光源１からプレートＰに至る光路上には、露光時
間を調整するシャッタ４、レチクルＲの照射範囲を調整
するブラインド５が設けられている。Ｘ−Ｙステージ３
は互いに直交する方向へ移動可能な２基のステージを組
合せてプレートＰを水平面内の任意位置に移動させるも
ので、その上面にはプレートＰを真空吸着する不図示の
ホルダが装着される。Ｘ−Ｙステージ３の側方には、一
対の腕６ａ（図では一方のみ示す）でプレートＰを把持
してホルダに対するプレートＰの搬入および搬出を行な
うローダ６が配置される。
例を説明する。図１に示すように本実施例の露光装置
は、水銀ランプ等を用いた光源１からの光でレチクルＲ
を照射してそのパターン像を投影レンズ２によりＸ−Ｙ
ステージ３上に載置したプレートＰ上に縮小投影するも
ので、光源１からプレートＰに至る光路上には、露光時
間を調整するシャッタ４、レチクルＲの照射範囲を調整
するブラインド５が設けられている。Ｘ−Ｙステージ３
は互いに直交する方向へ移動可能な２基のステージを組
合せてプレートＰを水平面内の任意位置に移動させるも
ので、その上面にはプレートＰを真空吸着する不図示の
ホルダが装着される。Ｘ−Ｙステージ３の側方には、一
対の腕６ａ（図では一方のみ示す）でプレートＰを把持
してホルダに対するプレートＰの搬入および搬出を行な
うローダ６が配置される。
【０００９】１０は露光装置の各部を制御する制御回路
であって、この制御回路１０にはシャッタ駆動回路１
１、ブラインド駆動回路１２、ステージ駆動回路１３、
ローダ駆動回路１４が接続される。シャッタ駆動回路１
１は制御回路１０から指令されるタイミングでシャッタ
４を駆動し、ブラインド駆動回路１２は制御回路１０か
ら指令される照射範囲に応じてブラインド５の開口量を
調整し、ローダ駆動回路１４は制御回路１０からの指令
に応答してローダ６のアクチュエータ（不図示）を駆動
する。ステージ駆動回路１３は、制御回路１０からのス
テージ駆動指令にしたがってＸ−Ｙステージ３のアクチ
ュエータ（不図示）を駆動するとともに、制御回路１０
からのプレート着脱指令に応答してホルダを駆動する。
ホルダによるプレートＰの吸着動作はセンサ７で監視さ
れ、このセンサ７はプレートＰが正常に吸着されたとき
所定の吸着完了信号を制御回路１０へ出力する。
であって、この制御回路１０にはシャッタ駆動回路１
１、ブラインド駆動回路１２、ステージ駆動回路１３、
ローダ駆動回路１４が接続される。シャッタ駆動回路１
１は制御回路１０から指令されるタイミングでシャッタ
４を駆動し、ブラインド駆動回路１２は制御回路１０か
ら指令される照射範囲に応じてブラインド５の開口量を
調整し、ローダ駆動回路１４は制御回路１０からの指令
に応答してローダ６のアクチュエータ（不図示）を駆動
する。ステージ駆動回路１３は、制御回路１０からのス
テージ駆動指令にしたがってＸ−Ｙステージ３のアクチ
ュエータ（不図示）を駆動するとともに、制御回路１０
からのプレート着脱指令に応答してホルダを駆動する。
ホルダによるプレートＰの吸着動作はセンサ７で監視さ
れ、このセンサ７はプレートＰが正常に吸着されたとき
所定の吸着完了信号を制御回路１０へ出力する。
【００１０】投影レンズ２の側方にはアライメント顕微
鏡８が設けられる。このアライメント顕微鏡８は、Ｘ−
Ｙステージ３上のプレートＰに設けたアライメントマー
クの位置を検出し、その座標値を制御回路１０へ送出す
る。制御回路１０は検出されたアライメントマークの位
置と正規のアライメントマーク位置とのずれ量を算出
し、その結果に応じた量だけＸ−Ｙステージ３を駆動す
べくステージ駆動回路１３へステージ駆動信号を出力す
る。これによりプレートＰのアライメント調整が行なわ
れる。
鏡８が設けられる。このアライメント顕微鏡８は、Ｘ−
Ｙステージ３上のプレートＰに設けたアライメントマー
クの位置を検出し、その座標値を制御回路１０へ送出す
る。制御回路１０は検出されたアライメントマークの位
置と正規のアライメントマーク位置とのずれ量を算出
し、その結果に応じた量だけＸ−Ｙステージ３を駆動す
べくステージ駆動回路１３へステージ駆動信号を出力す
る。これによりプレートＰのアライメント調整が行なわ
れる。
【００１１】図２は制御回路１０による露光処理手順を
示すフローチャートである。露光すべきパターンに対応
したレチクルＲがブラインド５と投影レンズ２との間に
介装され、露光装置の操作盤（不図示）から露光処理が
指令されると図２のプログラムによる処理が開始され
る。ステップＳ１ではローダ駆動回路１４にプレート搬
入命令を出力し、Ｘ−Ｙステージ３上にプレートＰを搬
入させる。次のステップＳ２では吸着動作の経過時間を
計時するタイマを起動し、ステップＳ３ではＸ−Ｙステ
ージ３上のホルダを駆動してプレートＰを吸着する。ス
テップＳ４ではセンサ７からプレートＰの吸着完了信号
が出力されたか否かを判断する。吸着未了と判断したと
きはステップＳ５に進み、ステップＳ２で起動したタイ
マの計時時間が所定の計時時間に達したか否かを判断す
る。所定の計時時間に達していないと判断したときはス
テップＳ３へ戻り、プレートＰの吸着動作を継続する。
示すフローチャートである。露光すべきパターンに対応
したレチクルＲがブラインド５と投影レンズ２との間に
介装され、露光装置の操作盤（不図示）から露光処理が
指令されると図２のプログラムによる処理が開始され
る。ステップＳ１ではローダ駆動回路１４にプレート搬
入命令を出力し、Ｘ−Ｙステージ３上にプレートＰを搬
入させる。次のステップＳ２では吸着動作の経過時間を
計時するタイマを起動し、ステップＳ３ではＸ−Ｙステ
ージ３上のホルダを駆動してプレートＰを吸着する。ス
テップＳ４ではセンサ７からプレートＰの吸着完了信号
が出力されたか否かを判断する。吸着未了と判断したと
きはステップＳ５に進み、ステップＳ２で起動したタイ
マの計時時間が所定の計時時間に達したか否かを判断す
る。所定の計時時間に達していないと判断したときはス
テップＳ３へ戻り、プレートＰの吸着動作を継続する。
【００１２】ステップＳ４で吸着完了と判断したとき
は、ステップＳ６へ進んでアライメント調整の経過時間
を計時するタイマを起動し、次のステップＳ７でアライ
メント調整を開始する。ステップＳ８ではアライメント
顕微鏡８が検出するアライメントマークの位置と正規の
アライメント位置とを比較してアライメント調整が完了
したか否かを判断する。アライメント未了と判断したと
きはステップＳ９へ進み、ステップＳ６で起動したタイ
マの計時時間が所定の計時時間に達したか否かを判断す
る。所定の計時時間に達していないと判断したときはス
テップＳ７へ戻り、アライメント調整を継続する。
は、ステップＳ６へ進んでアライメント調整の経過時間
を計時するタイマを起動し、次のステップＳ７でアライ
メント調整を開始する。ステップＳ８ではアライメント
顕微鏡８が検出するアライメントマークの位置と正規の
アライメント位置とを比較してアライメント調整が完了
したか否かを判断する。アライメント未了と判断したと
きはステップＳ９へ進み、ステップＳ６で起動したタイ
マの計時時間が所定の計時時間に達したか否かを判断す
る。所定の計時時間に達していないと判断したときはス
テップＳ７へ戻り、アライメント調整を継続する。
【００１３】ステップＳ８でアライメント完了と判断し
たときはステップＳ１０へ進み、予め制御回路１０に入
力された露光情報にしたがってＸ−Ｙステージ３、シャ
ッタ４およびブラインド５を制御してプレートＰ上の所
定位置にレチクルＲのパターン像に応じた露光パターン
を露光する。一方、ステップＳ５またはステップＳ９で
タイムアップと判断されたときはステップＳ１１へ進
み、ステップＳ１０での露光処理とは異なるリジェクト
露光処理を行なう。このリジェクト露光処理では、シャ
ッタ４を開放しかつブラインド５を全開した状態で、図
３に示すように「Ｘ」状の露光パターンＥｒ１がプレー
トＰ上に形成されるようにＸ−Ｙステージ３を駆動す
る。なお図３において点線で示す範囲ＺｓはＸ−Ｙステ
ージ３を停止した状態でブラインド５を全開したときの
露光範囲であり、ステップＳ１０の正常露光処理では、
かかる範囲Ｚｓ内での露光とＸ−Ｙステージ３の移動と
を交互に繰り返してレチクルＲのパターン像を多数形成
する。
たときはステップＳ１０へ進み、予め制御回路１０に入
力された露光情報にしたがってＸ−Ｙステージ３、シャ
ッタ４およびブラインド５を制御してプレートＰ上の所
定位置にレチクルＲのパターン像に応じた露光パターン
を露光する。一方、ステップＳ５またはステップＳ９で
タイムアップと判断されたときはステップＳ１１へ進
み、ステップＳ１０での露光処理とは異なるリジェクト
露光処理を行なう。このリジェクト露光処理では、シャ
ッタ４を開放しかつブラインド５を全開した状態で、図
３に示すように「Ｘ」状の露光パターンＥｒ１がプレー
トＰ上に形成されるようにＸ−Ｙステージ３を駆動す
る。なお図３において点線で示す範囲ＺｓはＸ−Ｙステ
ージ３を停止した状態でブラインド５を全開したときの
露光範囲であり、ステップＳ１０の正常露光処理では、
かかる範囲Ｚｓ内での露光とＸ−Ｙステージ３の移動と
を交互に繰り返してレチクルＲのパターン像を多数形成
する。
【００１４】ステップＳ１０またはステップＳ１１によ
る露光処理を終えた後は、ステップＳ１２へ進み、ホル
ダからプレートを開放してローダ６によりプレートＰを
Ｘ−Ｙステージ３から搬出する。搬出したプレートＰは
現像処理工程に送る。
る露光処理を終えた後は、ステップＳ１２へ進み、ホル
ダからプレートを開放してローダ６によりプレートＰを
Ｘ−Ｙステージ３から搬出する。搬出したプレートＰは
現像処理工程に送る。
【００１５】以上の処理手順では、反り等の変形によっ
てプレートＰをホルダに吸着できない場合はステップＳ
４が否定され続け、タイムアップによりステップＳ５が
肯定されてステップＳ１１でリジェクト露光処理が行な
われ、ステップＳ１２でプレートＰが搬出される。ま
た、アライメントマークの欠損やプレートＰの汚れによ
りアラメント顕微鏡８がアライメントマークを検出でき
ない場合、およびアライメントのずれ量が調整可能な範
囲を越えている場合はステップＳ８が否定され続け、タ
イムアップによりステップＳ９が肯定されてステップＳ
１１でリジェクト露光処理が行なわれ、ステップＳ１２
でプレートＰが搬出される。図３から明らかなように、
リジェクト露光処理による露光パターンＥｒ１は正常な
露光処理による露光パターンと全く異なるので、現像処
理後に一見しただけで正常な露光処理がされていないこ
とを判別できる。本実施例ではリジェクト露光処理した
プレートＰと、正常に露光処理したプレートとを区別す
ることなく現像工程へ送るので、正常に露光処理できな
かったプレート専用のキャリアを用意する必要がなく、
装置の専有面積は何等増加しない。
てプレートＰをホルダに吸着できない場合はステップＳ
４が否定され続け、タイムアップによりステップＳ５が
肯定されてステップＳ１１でリジェクト露光処理が行な
われ、ステップＳ１２でプレートＰが搬出される。ま
た、アライメントマークの欠損やプレートＰの汚れによ
りアラメント顕微鏡８がアライメントマークを検出でき
ない場合、およびアライメントのずれ量が調整可能な範
囲を越えている場合はステップＳ８が否定され続け、タ
イムアップによりステップＳ９が肯定されてステップＳ
１１でリジェクト露光処理が行なわれ、ステップＳ１２
でプレートＰが搬出される。図３から明らかなように、
リジェクト露光処理による露光パターンＥｒ１は正常な
露光処理による露光パターンと全く異なるので、現像処
理後に一見しただけで正常な露光処理がされていないこ
とを判別できる。本実施例ではリジェクト露光処理した
プレートＰと、正常に露光処理したプレートとを区別す
ることなく現像工程へ送るので、正常に露光処理できな
かったプレート専用のキャリアを用意する必要がなく、
装置の専有面積は何等増加しない。
【００１６】本実施例では、Ｘ−Ｙステージ３を移動さ
せつつリジェクト露光処理を行なっているので、一回の
正常な露光処理では得られない大きさの露光パターンＥ
ｒ１を露光でき、プレートの判別が一層容易となる。た
だし、本発明はこのような態様に限るものではなく、正
常な露光処理時の露光パターンとの相違を現像後に目視
で把握できるようなパターンであれば種々変更可能であ
る。正常な露光処理による露光範囲が図３の２点鎖線で
囲まれた範囲Ｚａ内であるとしたとき、かかる範囲Ｚａ
の外にリジェクト露光処理の露光パターンが形成される
ようにすれば、通常は露光パターンがあり得ない箇所に
露光パターンが存在することになるのでリジェクト露光
処理されたプレートＰの判別が一層容易となる。この
点、図３に示すように正常な露光パターンの露光範囲Ｚ
ａの内外にかけてリジェクト露光処理を行なう例に限ら
ず、例えば図４に示すように範囲Ｚａの外側にのみリジ
ェクト露光処理による露光パターンＥｒ２を形成しても
よい。リジェクト露光処理に用いる露光光学系は、正常
な露光処理を行なう露光光学系とは別に設けてもよい。
せつつリジェクト露光処理を行なっているので、一回の
正常な露光処理では得られない大きさの露光パターンＥ
ｒ１を露光でき、プレートの判別が一層容易となる。た
だし、本発明はこのような態様に限るものではなく、正
常な露光処理時の露光パターンとの相違を現像後に目視
で把握できるようなパターンであれば種々変更可能であ
る。正常な露光処理による露光範囲が図３の２点鎖線で
囲まれた範囲Ｚａ内であるとしたとき、かかる範囲Ｚａ
の外にリジェクト露光処理の露光パターンが形成される
ようにすれば、通常は露光パターンがあり得ない箇所に
露光パターンが存在することになるのでリジェクト露光
処理されたプレートＰの判別が一層容易となる。この
点、図３に示すように正常な露光パターンの露光範囲Ｚ
ａの内外にかけてリジェクト露光処理を行なう例に限ら
ず、例えば図４に示すように範囲Ｚａの外側にのみリジ
ェクト露光処理による露光パターンＥｒ２を形成しても
よい。リジェクト露光処理に用いる露光光学系は、正常
な露光処理を行なう露光光学系とは別に設けてもよい。
【００１７】リジェクト露光処理の露光時間について
は、正常な露光処理を行なうときの露光時間より長く設
定するとよい。露光時間が長くなればそれに応じてプレ
ートＰ上に形成される露光パターンが拡大するので、正
常な露光処理による露光パターンとリジェクト露光処理
による露光パターンとの差が一層鮮明となる。
は、正常な露光処理を行なうときの露光時間より長く設
定するとよい。露光時間が長くなればそれに応じてプレ
ートＰ上に形成される露光パターンが拡大するので、正
常な露光処理による露光パターンとリジェクト露光処理
による露光パターンとの差が一層鮮明となる。
【００１８】実施例ではプレートＰをワークとする露光
装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ウエハや
その他種々のワーク上のレジストに対して光学的にパタ
ーンを形成するあらゆる露光装置に適用される。
装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ウエハや
その他種々のワーク上のレジストに対して光学的にパタ
ーンを形成するあらゆる露光装置に適用される。
【００１９】以上の実施例では、センサ７、アライメン
ト顕微鏡８および制御回路１０がワーク状態判別手段
を、制御回路１０がリジェクト露光処理手段を構成す
る。
ト顕微鏡８および制御回路１０がワーク状態判別手段
を、制御回路１０がリジェクト露光処理手段を構成す
る。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、リジ
ェクト露光による露光パターンと正常な露光処理時の露
光パターンとの差を大きく設定することにより、現像処
理後にワークを一見しただけで正常な露光処理がなされ
ているか否かを判別できるようになるので、正常に露光
処理できなかったワークを現像直後の段階で取り除いて
無駄時間や無駄費用の発生を最小限に止めることができ
る。正常に露光処理できなかったプレート専用のキャリ
アを増設する必要がないので、装置の専有面積が増加す
ることもない。この点、請求項２の装置のように露光光
学系を共通とすれば、装置の専有面積の増加が一層確実
に防止される。請求項３の装置および請求項５の方法で
は、リジェクト露光により、通常は露光パターンがあり
得ない位置に露光パターンが形成されるので、正常に露
光処理できなかったプレートの判別が一層容易となる。
請求項４の装置および請求項７の方法では、ステージの
移動により１回の正常な露光処理では得られない大きさ
の露光パターンを露光でき、正常に露光処理できなかっ
たプレートの判別が一層容易となる。請求項８の方法で
は、リジェクト露光による露光パターンと正常な露光処
理時の露光パターンとの差を大きく設定して現像処理す
るので、現像後にそのパターンに基づいてリジェクト露
光されたか否かが判別できる。
ェクト露光による露光パターンと正常な露光処理時の露
光パターンとの差を大きく設定することにより、現像処
理後にワークを一見しただけで正常な露光処理がなされ
ているか否かを判別できるようになるので、正常に露光
処理できなかったワークを現像直後の段階で取り除いて
無駄時間や無駄費用の発生を最小限に止めることができ
る。正常に露光処理できなかったプレート専用のキャリ
アを増設する必要がないので、装置の専有面積が増加す
ることもない。この点、請求項２の装置のように露光光
学系を共通とすれば、装置の専有面積の増加が一層確実
に防止される。請求項３の装置および請求項５の方法で
は、リジェクト露光により、通常は露光パターンがあり
得ない位置に露光パターンが形成されるので、正常に露
光処理できなかったプレートの判別が一層容易となる。
請求項４の装置および請求項７の方法では、ステージの
移動により１回の正常な露光処理では得られない大きさ
の露光パターンを露光でき、正常に露光処理できなかっ
たプレートの判別が一層容易となる。請求項８の方法で
は、リジェクト露光による露光パターンと正常な露光処
理時の露光パターンとの差を大きく設定して現像処理す
るので、現像後にそのパターンに基づいてリジェクト露
光されたか否かが判別できる。
【図１】本発明の一実施例の全体構成を示す図。
【図２】図１の制御回路による露光処理の手順を示すフ
ローチャート。
ローチャート。
【図３】図１の装置でリジェクト露光処理されたプレー
トの平面図。
トの平面図。
【図４】図３の変形例を示す図。
３ Ｘ−Ｙステージ ７ センサ ８ アライメント顕微鏡 １０ 制御回路 Ｐ プレート Ｒ レチクル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−101830（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−18235（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−84921（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−276718（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (8)
- 【請求項１】 ステージ上に搬入されたワークが正常に
露光処理できる状態にあるか否かを判別するワーク状態
判別手段を備えた露光装置において、 前記ワークが正常に露光処理できない状態にあると判別
されたとき、前記ワークに対して正常な露光処理時の露
光パターンとは異なるパターンを露光するリジェクト露
光手段を設けたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記リジェクト露光手段は、前記正常な
露光処理を行なう露光光学系を用いて前記異なるパター
ンを露光することを特徴とする請求項１記載の露光装
置。 - 【請求項３】 前記リジェクト露光手段は、正常な露光
処理時における露光範囲の外に露光を行なうことを特徴
とする請求項１または２記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記リジェクト露光手段は、正常な露光
処理時の露光パターンを露光しつつ前記ステージを移動
させて前記異なるパターンを露光することを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項５】 ステージ上にワークを搬入する搬入工程
と、 前記搬入工程で搬入されたワークに所定のパターンを露
光する露光工程とを備えた露光方法において、 前記ステージ上に搬入されたワークが正常に露光処理で
きる状態にあるか否かを判別する状態判別工程と、 正常に露光処理できない状態にあると前記状態判別工程
で判別されたワークに対して、前記露光工程とは異なる
露光処理を行うリジェクト露光工程とを備えることを特
徴とする露光方法。 - 【請求項６】 前記リジェクト露光工程は、前記露光工
程での前記ワークの露光領域外に露光することを特徴と
する請求項５記載の露光方法。 - 【請求項７】 前記リジェクト露光工程は、前記露光工
程での前記ワークの露光時間よりも長く設定することを
特徴とする請求項５または６記載の露光方法。 - 【請求項８】 ステージ上にワークを搬入する搬入工程
と、 前記搬入工程で搬入されたワークに所定のパターンを露
光する露光工程と、 前記ワークを搬出する搬出工程と、 前記搬出工程で搬出されたワークを現像する現像処理工
程とを備えたワーク処理方法において、 前記ステージ上に搬入されたワークが正常に露光処理で
きる状態にあるか否かを判別する状態判別工程と、 正常に露光処理できない状態にあると前記状態判別工程
で判別されたワークに対して、前記露光工程とは異なる
露光処理を行うリジェクト露光工程と、 前記現像処理工程で現像されたワークが前記リジェクト
露光工程で露光されたか否かを判別する露光処理判別工
程とを備えることを特徴とするワーク処理方法 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33075292A JP3198309B2 (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 露光装置、露光方法およびワーク処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33075292A JP3198309B2 (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 露光装置、露光方法およびワーク処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177005A JPH06177005A (ja) | 1994-06-24 |
| JP3198309B2 true JP3198309B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=18236158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33075292A Expired - Lifetime JP3198309B2 (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 露光装置、露光方法およびワーク処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198309B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI598934B (zh) | 2003-10-09 | 2017-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP33075292A patent/JP3198309B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06177005A (ja) | 1994-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4477182A (en) | Pattern exposing apparatus | |
| JP3198309B2 (ja) | 露光装置、露光方法およびワーク処理方法 | |
| JP3097620B2 (ja) | 走査型縮小投影露光装置 | |
| JP2505952B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3195200B2 (ja) | 半導体露光装置および異物検出方法 | |
| JP2003186201A (ja) | 異物検査機能を備えた露光装置及びその装置における異物検査方法 | |
| JP2005338555A (ja) | 露光装置、露光方法および露光処理プログラム | |
| JP3815759B2 (ja) | 検出方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US9632432B2 (en) | Exposure apparatus, stage apparatus, and device fabrication method for transferring a pattern of a reticle onto a substrate | |
| KR100444263B1 (ko) | 노광장치 및 디바이스의 제조방법 | |
| US20020039845A1 (en) | Exposure apparatus, semiconductor device manufacturing method, exposure apparatus maintenance method and semiconductor manufacturing factory | |
| US20080129978A1 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| JPH09283403A (ja) | 露光装置 | |
| JP2752148B2 (ja) | ウエハの露光方法 | |
| JP2000195770A (ja) | 傾き補正方法およびデバイス製造方法 | |
| JP3531899B2 (ja) | 投影露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| KR100568589B1 (ko) | 노광 시스템 제어방법 | |
| JPS61219045A (ja) | 距離算出装置および自動焦点合わせ装置 | |
| JPH04214612A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH02230711A (ja) | 露光装置の監視方法 | |
| JPH09246150A (ja) | 露光装置 | |
| US6532057B1 (en) | Exposure apparatus and method | |
| JP3106920B2 (ja) | マスクパターンとワーク直線部の位置合わせ装置 | |
| JP3151915B2 (ja) | アライメント用レーザービームを備えた電子ビーム露光装置 | |
| JPH10106934A (ja) | 露光方法及び露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 12 |