JPS61219045A - 距離算出装置および自動焦点合わせ装置 - Google Patents
距離算出装置および自動焦点合わせ装置Info
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- JPS61219045A JPS61219045A JP60058534A JP5853485A JPS61219045A JP S61219045 A JPS61219045 A JP S61219045A JP 60058534 A JP60058534 A JP 60058534A JP 5853485 A JP5853485 A JP 5853485A JP S61219045 A JPS61219045 A JP S61219045A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/30—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line
- G02B7/32—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line using active means, e.g. light emitter
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
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- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
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- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体回路素子
製造用の投影焼付装置に適用する自動焦点合わせ装置に
関し、特にマスクの一部の像または全体の像をウェハ上
に形成する結像光学系に対し、マスクとウェハを所定の
位置に精度よく位置決めする自動焦点合わせ装置に関す
る。
製造用の投影焼付装置に適用する自動焦点合わせ装置に
関し、特にマスクの一部の像または全体の像をウェハ上
に形成する結像光学系に対し、マスクとウェハを所定の
位置に精度よく位置決めする自動焦点合わせ装置に関す
る。
［従来技術の説明］
従来、この種の焼付装置では、ウェハ等の平板状物体を
水平方向に移動させ、投影光学系とそれに対面する該物
体面の各領域との距離を測定し、その結果に基づいて該
物体あるいは投影光学系を垂直方向に動かす。そして、
この場合、複数個の距離測定手段により得られた結果を
平均し、その値を垂直方向の設定駆動ｍとしている。
水平方向に移動させ、投影光学系とそれに対面する該物
体面の各領域との距離を測定し、その結果に基づいて該
物体あるいは投影光学系を垂直方向に動かす。そして、
この場合、複数個の距離測定手段により得られた結果を
平均し、その値を垂直方向の設定駆動ｍとしている。
しかし、この時、複数の距離測定手段より得られた測定
値は、必ずしも全部が有効な値とはなり得ない場合が生
じる。１つは、複数存在する計測ポイントのうちのある
一部が該物体面から外れている場合で、いま１つは、計
測ポイントの該物体面上にゴミやキズ等による突起ある
いはへこみ等の異常があった場合である。従来の装置に
おいては、このような場合の対策として、測定結果を一
律な基準値（許容値）と比較して、異常値ならばその測
定値を除いて平均化し、その平均値を垂直方向の設定駆
動量とする方法をとっている。
値は、必ずしも全部が有効な値とはなり得ない場合が生
じる。１つは、複数存在する計測ポイントのうちのある
一部が該物体面から外れている場合で、いま１つは、計
測ポイントの該物体面上にゴミやキズ等による突起ある
いはへこみ等の異常があった場合である。従来の装置に
おいては、このような場合の対策として、測定結果を一
律な基準値（許容値）と比較して、異常値ならばその測
定値を除いて平均化し、その平均値を垂直方向の設定駆
動量とする方法をとっている。
しかしながら、上記方法で設定駆動量を算出すると、
１、個々の計測ポイントで１回計測するたびにその結果
を基準値と比較しなければならず、単位時間あたりの処
理層が低下する。すなわちスルーブツトが低下する。
を基準値と比較しなければならず、単位時間あたりの処
理層が低下する。すなわちスルーブツトが低下する。
２、該物体面上に異常があるのか、あるいは、計測ポイ
ントが該物体面から外れているのか判別できない。
ントが該物体面から外れているのか判別できない。
という問題点があった。
［発明の目的］
本発明は、前述従来例の問題点に鑑み、投影焼付装置の
スループットの向上を図るとともに、投影光学系に対面
する物体面の異常判定をサポートすることが可能な自動
焦点合わせ装置を提供することを目的とする。
スループットの向上を図るとともに、投影光学系に対面
する物体面の異常判定をサポートすることが可能な自動
焦点合わせ装置を提供することを目的とする。
［発明の算出］
以下、図面に従って本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る自動焦点合わせ装置
を具備した縮小投影装置の算出を示す。同図において、
１０は光源１０−ａより発したレチクル照明光を収束さ
せるための照明光学系であり、７は照明光学系１０より
発せられたレチクル照明光を任意時間透過させるように
制御されているシャッタである。１は集積回路パターン
を備えたレチクルであり、２はレチクル１を規定位置に
高精度に保持するレチクルチャックである。３は縮小投
影レンズ、４は感光層を備えるウェハ、５はウェハステ
ージである。ウェハステージ５により、ウェハ４は縮小
投影レンズ３の光軸に対して垂直な平面内においてＸＹ
方向に移動することが出来る。６はＺユニットでありウ
ェハステージ５の内部に内蔵されている。この２ユニツ
ト６により、ウェハ４を縮小投影レンズの光軸方向（Ｚ
方向）に移動させることができる。３４〜３１は縮小投
影レンズに取付けられた４ケのエアマイクロセンサのノ
ズルであり、ウェハ４の表面までの距離を測定している
。１１は、シャッタ７、ウェハステージ５およびＺユニ
ット６等の駆動部やエアマイクロセンサノズル３４〜３
７からの応答エア圧をデジタル処理する本体ユニット制
御系である。また１５は装置の操作を行なうコンソール
で、本体ユニット制御系１１と接続されている。本実施
例では、本体ユニット制御系１１、コンソール１５およ
び本体ユニット制御系１１に内蔵されているプログラム
により、本発明の特徴である情報判定手段と演算手段を
算出している。ここで情報判定手段とは、エアマイクロ
センサ３４〜３７によりウェハ４の位置を測定した値が
有効か無効かを判断する手段である。また演算手段とは
、有効とみなされた測定値をもとにウェハ４の移動量を
算出する手段である。
を具備した縮小投影装置の算出を示す。同図において、
１０は光源１０−ａより発したレチクル照明光を収束さ
せるための照明光学系であり、７は照明光学系１０より
発せられたレチクル照明光を任意時間透過させるように
制御されているシャッタである。１は集積回路パターン
を備えたレチクルであり、２はレチクル１を規定位置に
高精度に保持するレチクルチャックである。３は縮小投
影レンズ、４は感光層を備えるウェハ、５はウェハステ
ージである。ウェハステージ５により、ウェハ４は縮小
投影レンズ３の光軸に対して垂直な平面内においてＸＹ
方向に移動することが出来る。６はＺユニットでありウ
ェハステージ５の内部に内蔵されている。この２ユニツ
ト６により、ウェハ４を縮小投影レンズの光軸方向（Ｚ
方向）に移動させることができる。３４〜３１は縮小投
影レンズに取付けられた４ケのエアマイクロセンサのノ
ズルであり、ウェハ４の表面までの距離を測定している
。１１は、シャッタ７、ウェハステージ５およびＺユニ
ット６等の駆動部やエアマイクロセンサノズル３４〜３
７からの応答エア圧をデジタル処理する本体ユニット制
御系である。また１５は装置の操作を行なうコンソール
で、本体ユニット制御系１１と接続されている。本実施
例では、本体ユニット制御系１１、コンソール１５およ
び本体ユニット制御系１１に内蔵されているプログラム
により、本発明の特徴である情報判定手段と演算手段を
算出している。ここで情報判定手段とは、エアマイクロ
センサ３４〜３７によりウェハ４の位置を測定した値が
有効か無効かを判断する手段である。また演算手段とは
、有効とみなされた測定値をもとにウェハ４の移動量を
算出する手段である。
第２図は、縮小投影レンズ３とエアマイクロセンサのノ
ズルおよびウェハ４の上面図である。ノズル３４．３５
．３６．３１で測定した縮小投影レンズの端面からウェ
ハ４の表面までの距離を、各々ｄ１、ｄ２ 、ｄ３ 、
ｄ４とすると、その平均距離は、（ｄｌ ＋ｄ２ ＋ｄ
３ ＋ｄ４ ）／４となる。所定の縮小投影レンズ３の
結像面位置と縮小投影レンズ３の端面間の距離をｄＯと
すると、結像面位置にウェハ４を移動させるには Δｄ−ｄｏ −（ｄｌ ＋ｄ２ ＋ｄ３ ＋ｄ４ ）／
４なる思Δｄだけウェハ４を移動、させれば良い。この
結果ウェハ４の平均面が結像面位置となる。
ズルおよびウェハ４の上面図である。ノズル３４．３５
．３６．３１で測定した縮小投影レンズの端面からウェ
ハ４の表面までの距離を、各々ｄ１、ｄ２ 、ｄ３ 、
ｄ４とすると、その平均距離は、（ｄｌ ＋ｄ２ ＋ｄ
３ ＋ｄ４ ）／４となる。所定の縮小投影レンズ３の
結像面位置と縮小投影レンズ３の端面間の距離をｄＯと
すると、結像面位置にウェハ４を移動させるには Δｄ−ｄｏ −（ｄｌ ＋ｄ２ ＋ｄ３ ＋ｄ４ ）／
４なる思Δｄだけウェハ４を移動、させれば良い。この
結果ウェハ４の平均面が結像面位置となる。
第２図では、縮小投影レンズ３の光軸がウェハ４のほぼ
中心に位置している為、エアマイクロセンサのノズルは
４本とも測定が有効となる。しかし、この種の装置では
、ウェハ４をのせたウェハステージ５がＸＹ方向に移動
しながら露光を繰返す為、エアセンサノズル３４〜３７
とウェハ４の位置関係は、必ずしも第２図のようにはな
らない。
中心に位置している為、エアマイクロセンサのノズルは
４本とも測定が有効となる。しかし、この種の装置では
、ウェハ４をのせたウェハステージ５がＸＹ方向に移動
しながら露光を繰返す為、エアセンサノズル３４〜３７
とウェハ４の位置関係は、必ずしも第２図のようにはな
らない。
第３図は、どのようにウェハステージ５をステップさせ
て露光を繰返すかを示したショットレイアウト図である
。同図において、Ｐ１〜Ｐ２４はウェハステージ５の上
のウェハ４が各ステップ位置に移動した時の縮小投影レ
ンズ３の光軸位置を示している。
て露光を繰返すかを示したショットレイアウト図である
。同図において、Ｐ１〜Ｐ２４はウェハステージ５の上
のウェハ４が各ステップ位置に移動した時の縮小投影レ
ンズ３の光軸位置を示している。
第４図は、ウェハ４がＰ９ 、 ｐ１３． Ｐ２３の位
置に移動した時に、縮小投影レンズ３およびエアマイク
ロセンサノズル３４〜３７がどのように位置するかを示
した図である。Ｐ９においては、エアマイクロセンサノ
ズル３４〜３７がすべてウェハ４面上に位置するので、
縮小投影レンズ３との距離を測定する場合、これらすべ
てのエアマイクロセンサが有効となる。しかし、Ｐｌ３
の場合は左方向のエアセンサノズル３４が、またＰ２３
の場合は下方向のエアセンサノズル３６がそれぞれウェ
ハ４の面から外れ、有効な測定値は期待できない。
置に移動した時に、縮小投影レンズ３およびエアマイク
ロセンサノズル３４〜３７がどのように位置するかを示
した図である。Ｐ９においては、エアマイクロセンサノ
ズル３４〜３７がすべてウェハ４面上に位置するので、
縮小投影レンズ３との距離を測定する場合、これらすべ
てのエアマイクロセンサが有効となる。しかし、Ｐｌ３
の場合は左方向のエアセンサノズル３４が、またＰ２３
の場合は下方向のエアセンサノズル３６がそれぞれウェ
ハ４の面から外れ、有効な測定値は期待できない。
第１表は、ＰｌからＰ２４までの全ショットについて、
上記同様の吟味を行ない、各エアマイクロセンサの測定
値が有効か無効かを示したものである。同表において、
「左」はエアマイクロセンサノズル３４、以下同様に「
右」は３５、「下」は３６、「上」は３７の各エアマイ
クロセンサノズルに対応する。［ショットＮｏ、Ｊの欄
の「１」〜「２４」はそれぞれウェハ上のＰ１〜Ｐ２４
の位置に対応する。「○」は、それが表の中で記載され
た位置に該当する「ショットＮｏ、Ｊの露光の際に、該
当するエアマイクロセンサで測定した測定値が有効、「
×」は無効、と推測できることを示している。
上記同様の吟味を行ない、各エアマイクロセンサの測定
値が有効か無効かを示したものである。同表において、
「左」はエアマイクロセンサノズル３４、以下同様に「
右」は３５、「下」は３６、「上」は３７の各エアマイ
クロセンサノズルに対応する。［ショットＮｏ、Ｊの欄
の「１」〜「２４」はそれぞれウェハ上のＰ１〜Ｐ２４
の位置に対応する。「○」は、それが表の中で記載され
た位置に該当する「ショットＮｏ、Ｊの露光の際に、該
当するエアマイクロセンサで測定した測定値が有効、「
×」は無効、と推測できることを示している。
本実施例では、第１表に示すような推測情報を、前もっ
てコンソール１５に内蔵されるＣＰＵ（中央処理装置）
にて計算処理することにより生成し、その推測情報を、
本体ユニット制御系１１に伝達する。従ってこれまでは
、ウェハの位置を測定するたびに逐次その測定値が有効
か否かを判断する処理をしていたが、その処理は不必要
となり省くことができる。
てコンソール１５に内蔵されるＣＰＵ（中央処理装置）
にて計算処理することにより生成し、その推測情報を、
本体ユニット制御系１１に伝達する。従ってこれまでは
、ウェハの位置を測定するたびに逐次その測定値が有効
か否かを判断する処理をしていたが、その処理は不必要
となり省くことができる。
第５図は、本実施例に係る自動焦点合わせ装置のシステ
ムブロック図である。本実施例における装置の操作を司
どるのはコンソール１５である。オペレータはまず、入
カキ−１５ｃからウェハ４のサイズやＸＹ方向のステッ
プ距離あるいは露光時間等の諸情報をキーインする。こ
れらの情報はコンソール制御ＣＰ Ｕ １５ａを通じて
−Ｈメモリ１５ｂに記憶される。コンソール制御ＣＰ
ＩＪ １５ａはメモリ１５ｔ）に記憶された情報を基に
計算処理し、第３図に示すような各ショットの中心座標
や、−第１表のようなエアマイクロセンサの有効／無効
情報を算出する。その結果はふたたびメモリ１５ｂに記
憶される。また装置本体に起動をかける場合も、やはり
オペレータは入カキ−１５ｃから、起動指令なるコード
をキーインする。するとメモリ１５ｂに記憶された情報
は、コンソール制６０ ＣＰ Ｕ １５ａを通じて本体
制御ｃ ｐ ｕ １ｉａに伝達され、メモリ１１ｂに記
憶されて、本体に起動がかかる。本体装置の各ユニット
に対しては、本体ユニット制御系１１内の各インターフ
ェースを通じて、駆動あるいは信号処理が行なわれる。
ムブロック図である。本実施例における装置の操作を司
どるのはコンソール１５である。オペレータはまず、入
カキ−１５ｃからウェハ４のサイズやＸＹ方向のステッ
プ距離あるいは露光時間等の諸情報をキーインする。こ
れらの情報はコンソール制御ＣＰ Ｕ １５ａを通じて
−Ｈメモリ１５ｂに記憶される。コンソール制御ＣＰ
ＩＪ １５ａはメモリ１５ｔ）に記憶された情報を基に
計算処理し、第３図に示すような各ショットの中心座標
や、−第１表のようなエアマイクロセンサの有効／無効
情報を算出する。その結果はふたたびメモリ１５ｂに記
憶される。また装置本体に起動をかける場合も、やはり
オペレータは入カキ−１５ｃから、起動指令なるコード
をキーインする。するとメモリ１５ｂに記憶された情報
は、コンソール制６０ ＣＰ Ｕ １５ａを通じて本体
制御ｃ ｐ ｕ １ｉａに伝達され、メモリ１１ｂに記
憶されて、本体に起動がかかる。本体装置の各ユニット
に対しては、本体ユニット制御系１１内の各インターフ
ェースを通じて、駆動あるいは信号処理が行なわれる。
ウェハ４と縮小投影レンズ３との焦点合せは以下のよう
に行なう。まず、エアマイクロセンサノズル３４〜３７
からの応答圧力を電圧変換回路１１ｄによって、電気的
信号に変換する。この信号は、Ａ／Ｄコンバータ１１Ｃ
によりデジタルデータに変換され、本体制御ＣＰ Ｕ
１１ａに伝達される。ＣＰＵ１１ａにおいては、前もっ
てメモリＩｌｂに記憶されているエアマイクロセンサの
有効／無効情報をもとに、有効なエアマイクロセンサに
よる測定値のみを抽出して、瞬時に設定駆動量を計算し
、Ｚユニット駆動回路１１ｅに供給する。２ユニット駆
動回路１１ｅでは、この設定駆動量に応じてＺユニット
６を駆動する。
に行なう。まず、エアマイクロセンサノズル３４〜３７
からの応答圧力を電圧変換回路１１ｄによって、電気的
信号に変換する。この信号は、Ａ／Ｄコンバータ１１Ｃ
によりデジタルデータに変換され、本体制御ＣＰ Ｕ
１１ａに伝達される。ＣＰＵ１１ａにおいては、前もっ
てメモリＩｌｂに記憶されているエアマイクロセンサの
有効／無効情報をもとに、有効なエアマイクロセンサに
よる測定値のみを抽出して、瞬時に設定駆動量を計算し
、Ｚユニット駆動回路１１ｅに供給する。２ユニット駆
動回路１１ｅでは、この設定駆動量に応じてＺユニット
６を駆動する。
第６図は、本実施例における繰返し処理の一部を示す簡
略シーケンスフローチャートである。同図により、自動
焦点合わせ処理の流れを説明する。
略シーケンスフローチャートである。同図により、自動
焦点合わせ処理の流れを説明する。
ＳＯの時点では、第３図に示す各ショットの中心座標と
第１表に示す各ショットにおけるエアマイクロセンサの
有効／無効情報が本体側メモリ１１ｂに既に記憶されて
おり、ウェハ４はウェハステージ５上に乗せられている
状態にあるとする。まず、第１ショット位＠Ｐ１にウェ
ハステージ５がステップ移動しくＳｌ）、それが完了し
たところで、エアマイクロセンサノズル３４〜３１から
の測定値を取込む（Ｓ２）。その時エアマイクロセンサ
ノズル３４から取込んだ測定値をｄｌ、同じり３５．３
６．３７からの測定値をｄ２ 、ｄ３ 、ｄＪとし、縮
小投影レンズ３の結像面位置と縮小投影レンズ３の端面
間の距離をｄＯとする。第１シヨツト目においては、上
方のエアマイクロセンサ３１のみが無効である（第１表
参照）ことがメモリ１５ｂを参照することによりわかる
。従って、このときは設定駆動量Δｄを Δｄ＝ｄｏ −（ｄｌ ＋ｄ２ ＋６３ ）／３と瞬時
に計算しくＳ３）、Ｚユニット６を２６分駆動さぜた（
Ｓ４）後、露光を行なう（Ｓ５）。
第１表に示す各ショットにおけるエアマイクロセンサの
有効／無効情報が本体側メモリ１１ｂに既に記憶されて
おり、ウェハ４はウェハステージ５上に乗せられている
状態にあるとする。まず、第１ショット位＠Ｐ１にウェ
ハステージ５がステップ移動しくＳｌ）、それが完了し
たところで、エアマイクロセンサノズル３４〜３１から
の測定値を取込む（Ｓ２）。その時エアマイクロセンサ
ノズル３４から取込んだ測定値をｄｌ、同じり３５．３
６．３７からの測定値をｄ２ 、ｄ３ 、ｄＪとし、縮
小投影レンズ３の結像面位置と縮小投影レンズ３の端面
間の距離をｄＯとする。第１シヨツト目においては、上
方のエアマイクロセンサ３１のみが無効である（第１表
参照）ことがメモリ１５ｂを参照することによりわかる
。従って、このときは設定駆動量Δｄを Δｄ＝ｄｏ −（ｄｌ ＋ｄ２ ＋６３ ）／３と瞬時
に計算しくＳ３）、Ｚユニット６を２６分駆動さぜた（
Ｓ４）後、露光を行なう（Ｓ５）。
続いて、全ショットの処理が終了するまで（ＳＯ）８１
〜Ｓ６の処理を繰返す。
〜Ｓ６の処理を繰返す。
従来の方式においては、Ｓ３にて全測定値ｄ１、ｄ２
、ｄ３ 、ｄＪのそれぞれに対し、−律な基準値との比
較をして、有効／無効の判定を行なっていた。例えば、
有効値とみなす最大値をｄｈ、最小値をｄＪと設定して
いたとすれば、 １）ｄｌ＞ｄＪかつ ｄｌ ＜ｄｈならば有効２）ｄｌ
＞ｄｊかつ ｄｌ ＜ｄｈでなければ無効 といった判定が必要となっていたわけである。
、ｄ３ 、ｄＪのそれぞれに対し、−律な基準値との比
較をして、有効／無効の判定を行なっていた。例えば、
有効値とみなす最大値をｄｈ、最小値をｄＪと設定して
いたとすれば、 １）ｄｌ＞ｄＪかつ ｄｌ ＜ｄｈならば有効２）ｄｌ
＞ｄｊかつ ｄｌ ＜ｄｈでなければ無効 といった判定が必要となっていたわけである。
本発明によれば、これらの判定時間が短縮できる。また
同じショットレイアウトでのウェハ処理が多くなればな
る程、Ｓ３での処理時間短縮が積算されて、スルーブツ
ト向上に貢献するわけである。
同じショットレイアウトでのウェハ処理が多くなればな
る程、Ｓ３での処理時間短縮が積算されて、スルーブツ
ト向上に貢献するわけである。
さらに本発明においては、縮小投影レンズ３とウェハ４
間の位置決め精度を高く要求される場合は、従来の有効
値判定で設定していたｄｈ、ｄＪを任意最適なもの、例
えば有効測定値により近い値に設定することが可能とな
る。
間の位置決め精度を高く要求される場合は、従来の有効
値判定で設定していたｄｈ、ｄＪを任意最適なもの、例
えば有効測定値により近い値に設定することが可能とな
る。
［実施例の変形例］
本実施例においては、第５図に示すシステムブロック図
のように、コンソール１５と本体ユニット制御系１１に
各々ＣＰＵおよびメモリをもたせる体系をとったが、コ
ンソール１５を用いず、本体側のメモリ１１ｂに直接、
ショット中心座標およびエアマイクロセンサ有効／無効
情報等を書込むようにしてもよい。
のように、コンソール１５と本体ユニット制御系１１に
各々ＣＰＵおよびメモリをもたせる体系をとったが、コ
ンソール１５を用いず、本体側のメモリ１１ｂに直接、
ショット中心座標およびエアマイクロセンサ有効／無効
情報等を書込むようにしてもよい。
また本実施例では、投影光学系の結像面と物体面との距
離を測定する位置検知手段としてエアマイクロセンサを
使用しているが、投影光学系を通した光による位置検知
等の手段を用いるようにしてもよい。
離を測定する位置検知手段としてエアマイクロセンサを
使用しているが、投影光学系を通した光による位置検知
等の手段を用いるようにしてもよい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、ウェハ等の平面
状物体をステップ移動する前に測定値の有効／無効を判
定し、有効な測定値のみに基づいて焦点合わせを行なう
際の駆動量を算出するようにしたため、本発明を適用し
た投影焼付装置においては、投影光学系と平面物体面と
の自動焦点合せ所要時間を短縮し、スループットを大幅
に向上させることができる。また、最適な測定値判定が
可能となる。つまり、測定値の正常／異常判定基準値を
測定値により近い適切な値に設定することができ、物体
面の凹凸異常をより厳密に検出することができる。
状物体をステップ移動する前に測定値の有効／無効を判
定し、有効な測定値のみに基づいて焦点合わせを行なう
際の駆動量を算出するようにしたため、本発明を適用し
た投影焼付装置においては、投影光学系と平面物体面と
の自動焦点合せ所要時間を短縮し、スループットを大幅
に向上させることができる。また、最適な測定値判定が
可能となる。つまり、測定値の正常／異常判定基準値を
測定値により近い適切な値に設定することができ、物体
面の凹凸異常をより厳密に検出することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る自動焦点合わせ装置
を具備した縮小投影装置の算出図、第２図は、縮小投影
レンズとエアマイクロマイクロセンサのノズルおよびウ
ェハの上面図、第３図は、ショットレイアウト図、 第４図は、第３図に示すショットレイアウトの３点にお
けるエアマイクロセンサ位置を示した図、第５図は、本
実施例のシステムブロック図、第６図は、繰返し処理の
一部を示す簡略シーケンスフローチャートである。 ４：ウェハ、５：ウェハステージ、 ６ ： Ｚｌ二ｙ ト、１１：本体ユニットＩＩＪ ｍ
系、１５：コンソール、 Ｐ１〜Ｐ２４：露光時の縮少投影レンズの光軸位置。 第２図
を具備した縮小投影装置の算出図、第２図は、縮小投影
レンズとエアマイクロマイクロセンサのノズルおよびウ
ェハの上面図、第３図は、ショットレイアウト図、 第４図は、第３図に示すショットレイアウトの３点にお
けるエアマイクロセンサ位置を示した図、第５図は、本
実施例のシステムブロック図、第６図は、繰返し処理の
一部を示す簡略シーケンスフローチャートである。 ４：ウェハ、５：ウェハステージ、 ６ ： Ｚｌ二ｙ ト、１１：本体ユニットＩＩＪ ｍ
系、１５：コンソール、 Ｐ１〜Ｐ２４：露光時の縮少投影レンズの光軸位置。 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、平板状物体を水平方向にステップ移動させる移動手
段と、投影光学系の結像面と上記物体面との距離を測定
する複数の位置検知手段と、該位置検知手段の測定値出
力から算出される位置情報を設定駆動量として上記物体
または上記投影光学系を光軸方向に駆動する駆動手段と
を備え、各ステップ移動後、該物体面の各領域を順次投
影光学系の結像面に一致することを可能とする自動焦点
合わせ装置であつて、 上記各ステップ移動後に各位置検知手段で得ることので
きる測定値が有効とみなし得るか否かを各ステップ移動
前に判定する情報判定手段と、各ステップ移動後は該判
定結果で有効とみなし得る測定値のみに基づいて上記位
置情報を算出する演算手段と を備えたことを特徴とする自動焦点合わせ装置。 ２、前記情報判定手段は、各ステップ位置ごと、各位置
検知手段ごとにその測定値が有効であるか否かのデータ
をテーブルとして予め記憶している特許請求範囲第１項
記載の自動焦点合わせ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60058534A JPS61219045A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 距離算出装置および自動焦点合わせ装置 |
| US06/843,392 US4714331A (en) | 1985-03-25 | 1986-03-24 | Method and apparatus for automatic focusing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60058534A JPS61219045A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 距離算出装置および自動焦点合わせ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61219045A true JPS61219045A (ja) | 1986-09-29 |
| JPH0546695B2 JPH0546695B2 (ja) | 1993-07-14 |
Family
ID=13087099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60058534A Granted JPS61219045A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 距離算出装置および自動焦点合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61219045A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388920B2 (en) | 1996-02-29 | 2002-05-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device having faulty cells |
| JP2013187206A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-19 | Canon Inc | 検出装置、露光装置及びデバイスを製造する方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5634844A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Flume |
| JPS5947731A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 投影露光装置におけるオ−トフオ−カス機構 |
| JPS59121932A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Fujitsu Ltd | 自動焦点制御装置 |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP60058534A patent/JPS61219045A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5634844A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Flume |
| JPS5947731A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 投影露光装置におけるオ−トフオ−カス機構 |
| JPS59121932A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Fujitsu Ltd | 自動焦点制御装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388920B2 (en) | 1996-02-29 | 2002-05-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device having faulty cells |
| JP2013187206A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-19 | Canon Inc | 検出装置、露光装置及びデバイスを製造する方法 |
| US9523927B2 (en) | 2012-03-05 | 2016-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus with detection apparatus for detection of upper and lower surface marks, and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546695B2 (ja) | 1993-07-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |