JPS59121932A - 自動焦点制御装置 - Google Patents

自動焦点制御装置

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JPS59121932A
JPS59121932A JP57228703A JP22870382A JPS59121932A JP S59121932 A JPS59121932 A JP S59121932A JP 57228703 A JP57228703 A JP 57228703A JP 22870382 A JP22870382 A JP 22870382A JP S59121932 A JPS59121932 A JP S59121932A
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light emitting
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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  • Variable Magnification In Projection-Type Copying Machines (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明はステッパーと呼ばれるウェーハを縮小露光する
ための露光装置に係り、特に露光装置用の自動焦点制御
装置に関する。
(2) 技術の背景 近時、集積回路や大規模集積回路の素子が微細化し、そ
のパターンも極めて微細なものが要求されるようになっ
てきて縮小レンズを持ったステッパーと呼ばれる装置が
ウェーハ露光に用いられている。該ステッパーに用いら
れている縮小レンズの焦点深度範囲は1μm程度である
が、露光するためのウェーハには反りまたはうねりがあ
り、これらの値は最小で5μm位大きいと10μmの値
を持つためにウェーハは縮小レンズをステップアンドリ
ピートして自動焦点調整を行なう必要がある。
このような焦点調整を行うためには露光しようとするウ
ェーハ部分の高さを測定する必要がある。
このような測定方法としてはエアマイクロを用いるもの
或いは静電容量を測定するものが知られている。エアマ
イクロの場合は露光するウェーハの中心にエアを吹きつ
けることができない(露光用のビームが来るため)ため
に、その周辺にエアを吹き付けて露光部分周辺の高さを
測定し、これより露光部分の高さを推定することになり
、更に静電容量型のものも同様にウェーハ上に配設する
静電容量センサも露光部分の上部に配置することが出来
ないために焼付けるべきチップの高さを測定していない
ことになり、さらにXYステージ上のウェーハの端面近
くのチップを焼きつげる時には端面を境に一方すなわち
ウェーハ側にエアマイクロまたは静電容量センサがあり
、他方すなわちXYステージ側に他のエアマイクロまた
は静電容量センサが配置されることになる場合にはXY
ステージ側のエアマイクロまたは静電容量センサは焼き
つけるべきチップ上の高さを検出しないためにレンズ等
が降下してきてウェーハを割る等の欠点があった。
これら欠点を除去するためには光を用いた検出方法であ
る反射光焦点検出方法がよい。
(3) 従来技術と問題点 第1図は従来の反射光焦点ヰ★出方法を用いた測定方法
を示す路線図、第21図及び第3図は反射光焦点検出方
法の欠点を説明するためのウェーハ表面の入射光と反射
光との関係を示すウェーハの側面図であり、第1図に於
いて1はXYステージで該XYステージ上にウェーハ2
を載置し、発光手段3よりの光を反射ミラー4を介しウ
ェーハ2上に入射させた入射光3aはウェーハ2表面で
反射し、反射光3bは反射ミラー6で再び反射されて検
出手段5でウェーハ2の表面状態が検出される。
いま、ウェーハ2の表面が点線図示位置まで上動したと
すれば入射光3aはウェーハ表面で反射して反射光3b
’となり反射ミラー6を介して検出手段5に検出される
ために△て示すずれ量によってウェーハの上下動状態、
すなわち高さの変化(凹凸状態〉を知ることができる。
このような反射光焦点検出方法を用いた場合に生ずる問
題を第2図及び第3図について説明する。
いま、第2図に示すようにウェーハを単純化してウェー
ハ2の反射面2a上に屈折率n=1.5〜2の透明膜7
があると考えると入射光3aは透明膜7上で一部が反射
波3Cとして反射し、後の大部分は透明膜7に入射する
。入射波3dは反射膜2aで反射され、該反射光は再び
透明膜上面に向ってn1=1の屈折率を有する空気中に
戻る。
従ってウェハー上よりの反射波は3C及び3eであり、
膜質、表面状態によって第1図の検出器5にはこの反射
光が受光され、フォーカスがあまくなってしまう。
透明膜7の上面に入射する光の入射角θ1は現在用いら
れているステッパーではθ=11°のものもある。この
場合の透明膜7への入射光3dの入射角θ3を求めると n +  5in79’ =n 2  sinθ3・−
・・(1)l x 5in79°= (1,5〜2) 
 sinθ3θ3=40.9°〜29.4゜ すなわち屈折率n 2 = 1.5で40.9°、屈折
率n2=2で29.4 ’となる。
次に反射膜2aで反射した反射光3dが透明膜2上面で
全反射するときの臨界角θ4を計算すると n  2 sinθ a / n  +  =  1 
   ・ ・ ・ ・ ・ ・ (2)(1,5〜2)
  sinθ4/1=1θa−41,8°〜30゜ すなわち屈折率n2=1.5で41.8°、n2=2で
30°である。
この臨界角は曲成(1)で求めた屈折角θ3と極めて近
い値で入射角θ1=11°ではレジスト及び二酸化シリ
コン(SiO2)等の膜上面で全反射する臨界角で極め
て不安定な角度である。
さらに第2の問題として第3図に示すようにウェーハ2
上の第2図で透明膜として表した焼付面(レジスト面)
7が点線図示のように傾いたときに誤動作を生ずる。現
在のステッパー(DSW)の焦点FA整装置ではフォー
カス調整用の測定入射光3aは上記したようにウェーハ
面で反射しウェーハの上下動のエラー検出を行っている
が、いま第3図の点線図示のようにウェーハの頭きをδ
とし対物レンズ9とウェーハ面迄の距離をLとすると入
射光3aは実線のようにウェーハ2が傾斜していなけれ
ばウェーハ2上のレジストすなわち透明膜7上面で3f
で示すように反射するが領いた場合は一点鎖線3gで示
す位置迄反射光が進みエラー分Δを生ずる また焼付パターン左右に反射率の違いがあると、同様に
エラーを生じる。
(4) 発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、ウェーハ上面のレジスト表面
から全反射するような値の入射角θ1を選択すると共に
ウェーハを傾けても誤動作せず、更に反射面の反射率が
入射光の光軸中心面で異なっていても検出が可能なステ
ツパーの自動焦点装置を提供することを目的とするもの
である。
(5) 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、ステージ上に載置さ
れた試料上にしンズ系の焦点を整合させるための自動焦
点調整制御装置において、第1及び第2の発光手段と、
上記試料からの反射光を受光する第1及び第2の検出手
段と、上記試料と第1及び第2の発光手段間に配設した
第1及び第2のハーフミラ−を具備し、上記第1及び第
2の発光手段よりの光を上記第1及び第2のハーフミラ
−に交互に照射して上記第1または第2の受光手段で交
互に受光し、該第1及び第2の受光手段に含まれた複数
の受光素子間の差出力信号を平滑化した出力によって上
記ステージまたは光学系を制御することを特徴とする自
動焦点制御装置を提供することによって達成される。
(6)発明の実施例 以下、本発明の実施例を図面によって詳述する。
第4図は本発明のウェーハ面上の焦点調整装置の原理的
な光学系の説明図を示すものであり、ウェーハ2の正常
なフォーカス面を符号11でインフォーカス状態を符号
13でアウトフォーカス状態を符号12で示している。
10は光ビーム投撮用の露光レンズを示し、検出手段5
.5としては光ビーム10aを軸中心とする対称位置に
ウェーハ3の露光点より所定距離L1を置いて4つの水
トセルa、b、c、dを配設する。検出手段5.5とウ
ェーハ2の露光面間には上記ウェーハの反射面と平行に
第1及び第2のハーフミラ−14、工5が配され、該ハ
ーフミラ−14,15の面にA、Bで示す二つの発光手
段3から光を交互に照射させる。
これら発光手段A、Bとホトセルa、b、c、dとの電
気回路を第12図に示す。
第12図において二つの発光素子A、Bには発振器23
よりの発振出力が切換回路2−4を通して与えられ、該
切換回路24の出力によって発光素子A、Bは交互に点
灯される。該切換回路24の切換出力は同期検波回路2
1にも与えられ、検出手段5の出力に応じた同期出力を
平滑化回路22に導く。検出手段3.3は4つのホトセ
ルa、b。
c、dよりなりホトセルa、d並にc、bの出力は各々
加算回路16.17で加算され交流増中器18.19で
増巾され該二つの交流増中器18.19の出力は減算回
路20で減算され、上記した同期検波回路21で同期検
波される。
上記平滑化回路22の出力はXYステージ1(第1図参
照)を駆動する駆動用モータ26をサーボアンプ25を
介してコントロールするようになされる。
上記した光学系並に回路系による本発明の動作を第4図
により説明する。
ウェーハ2の反射面での反射率を一定と考え、且つ一点
鎖線で示すようにウェーハ2の反射面13がインフォー
カス状態であるとすれば第5図に示す如き波形が得られ
る。
すなわち、発光素子Aが第5図(イ)の波形Aの如く発
光したとすれば発光素子Aよりの光はハーフミラ−14
で反射して16aで示すようにウェーハ2のインフォー
カス面13で反射されて一点鎖線で示す光16bとなさ
れハーフミラ−15を通過して受光手段5のホトセルC
にほとんどの反射光が入射するために、該ホトセルCで
の出力は第5図(ロ)の波形Cの如く大きくなる。
一方ホトセルdは反射光がほとんど入射しないために第
5図(ハ)の波形dに示すようにその出力レベルは小さ
い。
これらC及びdで示す出力波形を加算回路16.17と
減算回路20に加えて第5図(ニ)のc −dに示す差
信号波形が得られる。
次に切換回路24によって発光素子Aが消灯し、発光素
子Bが点灯することで発光素子Bよりの光はハーフミラ
−15で反射され17aで示すようにウェーハ2のイン
フォーカス面13で反射して一点鎖線17bで示す光の
経路で受光手段5のホトセルbにほとんどの光が照射さ
れてホトセルbの出力は第5図(ロ)の波形すの如く大
きな出力レベルで取り出される。
一方、検出手段5のホトセルaは第5図(ハ)の波形a
で示すように光がほとんど照射されないために小さなレ
ベルの出力波形aとなる。
上記す及びaの波形出力は加算回路16.17と減算回
路20で第5図(ニ)のb−aに示す波形となされる。
上述の如くA及びBの発光素子を交互に点灯するごとに
得られる波形を第12図に示す平滑化回路22で整流後
平滑化すれば第5図(ホ)に示すようなプラスの出力が
得られる。
すなわち、ウェーハの反射率が一定で且つインフォーカ
ス状態では平滑化回路22の出力はプラス出力であり、
該出力によりXYステージ1を降下させてフォーカス位
置にウェーハの反射面を持ち来すようにする。
勿論レンズ系を上記平滑化回路22よりのプラス出力に
よって降下させるようにコントロールすることで焦点調
整を行ってもよい。
第6図は上記したと同様の原理によってウェーハ2の反
射面11がフォーカス状態にある場合の検出手段並に平
滑化回路出力を示すもので発光素子Aの点灯時はホトセ
ルC及びdに照射される光の量は同量となり第6図(ロ
) (ハ)の波形C1dで示すような波形となり、減算
回路20で上記C及びdの差をとれば第6図(ニ)のc
−dで示す波形のように零となり平滑化回路出力は第6
図(ホ)のように零となる。発光素子Bの点灯時にはホ
トセルb及びaに照射される光の量は同量となり(第6
図(ロ)(ハ)の波形す、a参照)減算回路20で減算
された出力b−aは第6図(ニ)のb−aの波形の如く
零となり平滑化回路22を通した出力は第6図(ホ)の
如く零となる。
b+c、a+dの波形加算は第12図で加算回路16.
17で行なわれる。
この場合XYステージまたはレンズ系はコントロールさ
れない。
次に第4図にウェーハ2の反射面12を点線で示すよう
にアウトフォーカス状態とすればホトセルb及びC並に
a及びdに得られる出力波形と減算回路20の出力波形
は詳細な説明を省略するも上記と同様の原理に基づいて
第7図(イ)乃至(ホ)に示す如くなり平滑化回路22
よりの出力はマイナス電圧となる。
よって、上記マイナス電圧によりXYステージまたはレ
ンズ系を上動させるようにモーフ26をコントロールす
ればよい。
更に第8図に示すようにウェーハ2の反射面2aが点線
図示のように角度δだけ伸いた場合について考える。ウ
ェーハ2が平らな場合には実線で示すように発光素子A
、Bの交互の点灯で受光手段5.5のホトセルd、c並
にす、aに得ら共る出力は等しく第6図の波形の如くな
り事情後の出力は零である。次に点線で示すようにδだ
けウェーハ2が傾いたときには発光素子Aが点灯しBが
消灯している第9図(イ)の波形Aに於いてはハーフミ
ラ−14で反射された発光素子Aよりの光は光路27a
を通ってウェーハ2a表面で反射し点線で示す光路27
bを通って受光素子5のホトセルdにほとんどの光が照
射されるため、該ホトセルdの出力波形は第9図(ハ)
の波形dに示すように高レベルである。これに対しホト
セルCにはほとんど光が照射されないために第9図(ロ
)の波形Cに示すように低レベルであり波形c、dを減
算回路20にて差出力を取り出せば第9図(ニ)の波形
c−dの如くマイナスレベルの波形となる。
さらに発光素子Bが第9図(イ)のB波形のように点灯
し、Aが消灯すると発光素子Bよりの光はハーフミラ−
15で反射して光路28aを通ってウェーハ2の表面2
aで反射し点線図示の光路28bを通ってほとんどの光
が受光手段5のホトセルbに達する。このためホトセル
bの出力波形は第9図(ロ)の波形すのように高レベル
出力である。
一方ホトセルaにはほとんど光が達しないために該ホト
セルaの出力波形は第9図(ハ)の波形aのように低レ
ベルである。
上記した各波形すとaを減算回路20で減算すれば第9
図(ニ)の波形b−aが得られる。
これらb+c並にa+dの波形を平滑化すれば第9図(
ホ)のように零出力となりウェーハ2がイ頃いていても
零出力をとり出せる。
さらにフォーカス面で焦点が合っているかウェーハ上の
反射率が異なっている場合を第10図について考えてみ
る。
ウェーハ2の反射面2aで298で示す反射部分の反射
率がrl+で29bで示す反射率がn2でnl>n2で
あるとする。
上述したと同様に発光素子Aが点灯した状態ではハーフ
ミラ−14で反射した光はウェーハ2の互いに反射率の
異なる反射面29a、29bで反射してハーフミラ−1
5を通して光路30a、30bで示すように受光手段5
のホトセルd及びCに入射される。この場合292の反
射率n1が高いためにホトセルCに比べてdは多くの光
が入射し、ホトセルd及びCの出力波形は第9図(ロ)
及び(ハ)の波形c、dに示すように波形dの出力レベ
ルが大きい。
次に発光素子Bが発光してハーフミラ−15で反射した
光は光路30a、30bを通ってウェーハ2の反射率の
異なる29a、29bで反射し光路31a、31bとハ
ーフミラ−14を通して受光手段5のホトセルa、bに
入射される。この時反射率の高い292点で反射した光
を受けるホトセルbはホトセルaに比べより多くの光が
入射され、これらホトセルの出力波形は第9図(ロ)及
び(ハ)の波形す、aで表される如くなる。よって減算
回路並に平滑化回路出力は第9図(ニ)。
(ホ)の如く出力は零となる。
よってホトセルによれば検出面の反射率が異なっている
場合でも誤動作することはない。
さらにウェーハ2の反射面で反射率がn’sn2と異な
り且つインフォーカスのときは第10図で説明した第9
図(ロ)(ハ)の波形は多少変化する。
いま、Ax+By=発光素子A発光素子源射面積X!/
i、Ax−φ7’ tanθ、φ=ゼインォーカス量、
θ=入射角とすれば ホトセル aは n2(Bg  Ax)bは n+XB
y−n 2XAx Cは n l XAX−n 2 xBydは n+ (
Bg  Ax) 従って b−c=n+By−n2Ax− (n + Ax+n 2By) =rz  (By−Ax) −n2 (By−Ax) = (By  Ax) −(n + −n 2)a−d
=n 2  (By−Ax) −n+  (By−Ax) =(By−Ax)(n2−n+) となり第11図(ロ)に示すようにb−c波形と第11
図(ハ)に示すようにa−d波形の絶対値は等しくフォ
ーカス面が傾いた場合と同一で出力は零となる。但し反
射率が左右独立に同一であるとは考えられないので自動
感度調整用の可変調整器をホトセルの後の回路に付加す
る必要がある。
また、上記実施例においてはウェー71面の入射角θ1
については触れていないが反射面がレジストであるとす
れば反射率は第2図で示したように1.5〜2の値であ
り、この部分で全反射するようにθ1を11°以下に選
択するを可とする。これにより、レジスト表面にフォー
カス面をもって来ることができ、レジスト下の膜質に左
右されない。
(7) 発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明の焦点調整装置に
よればウェーハ等の反射面が傾いていてもまた反射面の
反射率が入射光の光軸中心で異なっていても誤動作せず
、入射角をレジスト表面で全反射するような11°以下
の値に選択したので不安定要素がなくなり、ステッパー
の自動焦点装置として極めて有効なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の焦点調整装置の検出手段とその光学系を
示す側面図、第2図及び第3図は従来の反射光焦点検出
方法の欠点を示すためのウェーハ表面の入射光と反射光
との関係を示すウェーハの側面図、第4図は本発明のウ
ェーハ面上の焦点調整装置の原理的な光学系の説明図、
第5図乃至第7図は第4図の波形説明図、第8図はウェ
ーハを伸ルノた場合の本発明の光学系を示す側面図、第
9図は第8図の波形説明図、第10図はウェーハの焦点
面の反射率の異なる場合の本発明の光学系を示す側面図
、第11図は第10図の波形説明図、第12図は本発明
の焦点調整装置をステッパーに適用した場合の回路図で
ある。 1・・・XYステージ、  2・・・ウェーハ、3・・
・発光手段、   4.6・・・反射ミラー、5・・・
検出手段、  7・・・透明膜、  9・・・対物レン
ズ、   10・・・露光レンズ、11・・・フォーカ
ス面、   12・・・インフォーカス面、   13
・・・アウトフォーカス面、14.15・・・ハーフミ
ラ−116,17・・・加算回路、   18.19・
・・交流増幅器、   20・・・減算回路、   2
1・・・同期検波回路、  22・・・平滑化回路、2
3・・・発振器、  24・・・切換回路、25・・・
サーボアンプ、   26・・・モータ。 す°、・〕−顎 第 2 図 へ4凹 第 5品 1)+ (−(a+d)  5ゝ(−一)″″″′7−
ゝ\−一/′111711111ゝヒ悌6(2) (ニ) l)+(−(add)     C−d   
 b  a   d −”(ホ)     0□ 肇 7 図 (ハ)     add      d      a
      d       (2)(−) b+c−
(add)  c−d  、 、0.7(h%)溪8回 / 劣9 凹 0□ 笛10

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ステージ上に載置された試料上にレンズ系の焦点を整合
    させるための自動焦点調整制御装置において、第1及び
    第2の発光手段と、上記試料からの反射光を受光する第
    1及び第2の検出手段と、上記試料と第1及び第2の発
    光手段間に配設した第1及び第2のハーフミラ−を具備
    し、上記第1及び第2の発光手段よりの光を上記第1及
    び第2のハーフミラ−に交互に照射して上記第1または
    第2の受光手段で交互に受光し、該第1及び第2の受光
    手段に含まれた複数の受光素子間の差出力信号を平滑化
    した出力によって上記ステージまたは光学系を制御する
    ことを特徴とする自動焦点調整制御装置。
JP57228703A 1982-12-28 1982-12-28 自動焦点制御装置 Granted JPS59121932A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57228703A JPS59121932A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 自動焦点制御装置
US06/563,655 US4570059A (en) 1982-12-28 1983-12-20 Automatic lens focus with respect to the surface of a workpiece
EP83307873A EP0115184B1 (en) 1982-12-28 1983-12-22 An automatic focus control device
DE8383307873T DE3374609D1 (en) 1982-12-28 1983-12-22 An automatic focus control device
IE3082/83A IE55043B1 (en) 1982-12-28 1983-12-29 An automatic focus control device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57228703A JPS59121932A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 自動焦点制御装置

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