JP2005311057A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 露光対象物の材質に関わらずに、再現性よく、精度のよい焦点調整が可能な露光装置を提供する。
【解決手段】 基板5上に感光材4が塗布されてなる露光対象物にレーザ光を照射するレーザ光源1と、該光源1からのレーザ光を露光対象物上に集光する対物レンズ3と、露光対象物上におけるレーザ光の集光状態を検出する光検出器7と、光検出器7からの出力をもとにアクチュエータ10を駆動して対物レンズ3と露光対象物との距離を制御するフォーカスサーボ制御部13と、光検出器7にて得られる露光対象物からの反射光量と感光材4表面からの反射光量とを用いて光検出器7からの出力を補正するオフセット量Eを求めてフォーカスサーボ制御部13へと与える補正部11と、を備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板5上に感光材4が塗布されてなる露光対象物にレーザ光を照射するレーザ光源1と、該光源1からのレーザ光を露光対象物上に集光する対物レンズ3と、露光対象物上におけるレーザ光の集光状態を検出する光検出器7と、光検出器7からの出力をもとにアクチュエータ10を駆動して対物レンズ3と露光対象物との距離を制御するフォーカスサーボ制御部13と、光検出器7にて得られる露光対象物からの反射光量と感光材4表面からの反射光量とを用いて光検出器7からの出力を補正するオフセット量Eを求めてフォーカスサーボ制御部13へと与える補正部11と、を備えている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えば一面に形成された感光材に対してレーザ光を照射することにより、感光材にレーザ光の照射軌跡に応じたパターンを形成する露光装置に関するもので、特に、露光対象物上におけるレーザ光の集光状態の制御に関するものである。
レーザ描画による露光を行う露光装置では、感光材に照射するレーザ光の焦点を制御するフォーカス制御が行われている。該フォーカス制御の方式としては、露光用ビームの戻り光を光検出器により検出し、フォーカスサーボを行う方法がある。
光検出器による焦点合わせの方法の1つとして、非点収差法がある。非点収差法では、図7(a)に示すような4分割光検出器を用いてフォーカスエラー信号を検出する。ここでフォーカスエラー信号は、右上と左下の2つの光検出素子14a・14cで検出される反射光量の和と、左上と右下の2つの光検出素子14d・14bで検出される反射光量の和との差分信号により求められる。このときのフォーカスエラー信号は、図6に示すように、露光対象物に対する光軸方向の焦点ずれに対して、S字カーブ特性を持った信号である。
非点収差法の他に、フォーカスエラー信号を検出する方法としては、ナイフエッジ法や、臨界角法、フーコー法等もある。このうち、ナイフエッジ法では、図7(b)に示すような2分割光検出器を用いてフォーカスエラー信号を検出する。ここでフォーカスエラー信号は、光検出素子15a・15bで検出される反射光量の差分信号により求められる。
露光装置では、このように種々の方法で求めたフォーカスエラー信号を用いて、該信号が0となる位置に光軸方向に対する焦点を合わせるフォーカスサーボを行う。
しかしながら、フォーカスエラー信号を検出する反射光に、感光材表面からの反射光だけでなく、感光材とその下層にある基板との界面からの反射光が含まれてしまうと、フォーカスエラー信号が0となる位置は、感光材表面からずれた位置となり、目的の形状を得るための焦点の最適位置とはならない。
そこで、従来、最適な形状を得るために、フォーカスエラー信号を参照してフォーカスサーボをかけて描画を行う際、オフセット電圧を加えることで光軸方向に対する焦点を補正して描画を行うことが行われている。
従来、オフセット電圧(オフセット量)を決定する方法としては2つの方法が知られている。第1の方法は、感光材を塗布したテスト用基板を用い、該基板に対してオフセット電圧を数段階に変化させてテスト描画を行って、テスト描画後に当該基板を現像して基板上に形成された感光材の形状を測定することで、最適なオフセット電圧を決定する方法である。
また、第2の方法は、オフセット電圧を数段階に変化させて、基板からの描画ビームの戻り光を顕微鏡などで観察する方法である。図8に示すように、描画用レーザ116からの光C1を対物レンズ117で集光して感光材を塗布した基板118に照射する。そして、集光されたレーザ光C1aの基板118からの戻り光(反射光)C2の一部をビームスプリッタ119により分割してレーザ光C2bとし、これを凸レンズ120で絞って顕微鏡121で観察する。これによれば、オフセット電圧を変えたときのビーム形状やスポット強度の変化を観察することによって、テスト用基板を用いた描画を行わずに、オフセット電圧をある程度の範囲で定めることができる。
また、該第2の方法では、ビーム形状C2bの確認として、往路の描画用レーザ光C1の一部がビームスプリッタ119から平行平面板122に導かれて反射され、該反射光がビームスプリッタ119を透過してレーザ光C1bとして顕微鏡121に入るようになっており、基板118からの戻り光C2bと往路の描画用レーザ光C1bとの形状を比較することも行われている。
しかしながら、上記した第1及び第2の方法には、以下のような欠点がある。第1の方法には、感光材が塗布されたテスト用基板を用意する必要があると共に、描画・現像・測定などの作業が必要であり、時間と労力が費やされるという欠点がある。また、該第2の方法には、干渉縞の間隔やスポット径の大きさを目視により観察し、オフセット電圧の最適値を決めるという方法であるため、オフセット電圧の最適値を判断することが非常に難しく、再現性よく精度を出すことが困難であるという欠点がある。
一方、特許文献1においては、光ディスクのマスタリング工程で使用する原盤露光装置において、記録原盤からの戻り光の光路中における記録用レーザ光の合焦位置と共役の位置にピンホールを配置し、前記ピンホールを通過した前記戻り光の光量を測定し、前記戻り光の光量が最大となるようにオフセット電圧を加えるというオフセット決定方法が提案されている。
特開2000−21002号公報(公開日:平成12年1月21日)
しかしながら、従来のオフセット決定方法では、テスト用基板を用いて露光・現像・測定する、時間と労力を必要とする方法(上記第1の方法)以外の方法では、焦点位置が感光材表面以外の任意の位置にくるように制御して、目的に応じて一定かつ最適な形状を形成するといったことができない。
例えば、露光、現像後の感光材の形状を最高解像度の線幅で矩形とする場合、感光材の膜厚が焦点深度の1/2以下ならば、光軸方向に対する焦点の位置が感光材表面であっても感光材・基板の界面であっても、感光材は焦点深度内に収まっている。そのため、露光、現像後の感光材の形状は同様に矩形となり、特許文献1による方法でも、感光材表面に焦点が一致するため、最高解像度の線幅で矩形を得ることが可能である。
しかしながら、感光材の膜厚が焦点深度の1/2よりも大きいときは、光軸方向に対する焦点の位置が感光材表面の場合と感光材・基板の界面の場合とでは、感光材が焦点深度内に収まらないため、露光、現像後に得られる感光材の形状は異なってしまう。そのため、焦点深度内に収まるように焦点位置を制御する必要があり、特に、焦点深度と感光材の膜厚が同等の場合、矩形の形状を得るためには、光軸方向に対する焦点位置を感光材の中心となるようオフセットを決定する必要がある。したがって、特許文献1による方法では、感光材表面に焦点が一致するため、最高解像度の線幅で矩形を得ることは困難である。
また、上記第2の方法及び特許文献1による方法は、感光材表面に焦点を一致させるための技術である。そのため、光軸方向に対する焦点の位置を任意制御し、感光材上におけるビームスポットの大きさを変化させることにより、露光面積を変化させ、形成するパターンの形状や線幅を制御するといったことはできない。
また、感光材の下地となる基板の材質を変化させた場合、材質の反射率により、得られるフォーカスエラー信号が異なる。そのため、光軸方向に対する焦点を任意位置に保持するには、材質に応じてそれぞれ異なったオフセット電圧を加えなければならず、従来のフォーカス制御方法では対応することができない。
図9は、フォーカスエラー信号変化に伴うオフセット電圧量変化について説明した図である。フォーカスエラー信号F1を検出し、位置f1に光軸方向に対する焦点を合わせる場合、オフセット電圧E1を印加することで、光軸方向に対する焦点位置を補正する。しかしながら、基板の材質が変化すると、感光材・基板の界面からの反射光量が変化し、検出されるフォーカスエラー信号がF1からF2に変化するため、光軸方向に対する焦点は、位置f1からf2に変化してしまう。そのため、位置f1に光軸方向に対する焦点を合わせるためには、印加するオフセット電圧をE1からE2に変える必要がある。つまり、基板の材質にかかわらず任意位置に光軸方向に対する焦点を合わせるためには、材質の変化に対応したオフセット電圧を求める必要がある。
以上のように、目的に応じて最適なパターンを再現性よく実現するためには、光軸方向に対する焦点を下地基板の材質にかかわらず任意位置に補正する技術が不可欠である。
本発明は、上記課題に鑑み成されたものであって、露光対象物の材質に関わらずに、再現性よく、精度のよい焦点調整が可能な露光装置を提供することを目的としている。
本発明の露光装置は、上記課題を解決するために、基板上に感光材が塗布されてなる露光対象物に対してレーザ光を照射し、上記感光材にレーザ光の照射軌跡に応じたパターンを形成する露光装置であって、上記露光対象物にレーザ光を照射する光源と、該光源から照射されたレーザ光を上記露光対象物上に集光する対物レンズと、露光対象物上における前記レーザ光の集光状態を検出する光検出器と、該光検出器からの出力をもとにアクチュエータを駆動して上記対物レンズと露光対象物との距離を制御するフォーカスサーボ制御部とを備え、さらに、上記光検出器にて得られる上記露光対象物からの反射光量と上記感光材表面からの反射光量とを用いて上記光検出器からの出力を補正する補正値を求めて上記フォーカスサーボ制御部へと与える補正手段を備えることを特徴としている。
これによれば、感光材の屈折率等から計算される反射率により計算される感光材からの反射光量と、露光時の基板と感光材からの反射光量(露光対象物からの反射光量)とから、光軸方向に対する焦点を任意位置に合わせるために必要なオフセット量を正確に求めることができる。
また、露光対象物である基板が複数の材質で構成されており、感光材の下地となる基板の材質がステージの駆動に応じて変化する場合においても、材質に合わせて随時オフセット量を変化させることができるため、露光時には常に所望の位置に光軸方向に対する焦点を保持し、描画パターンに再現性を持たせることができる。
本発明の露光装置では、上記補正手段が、上記フォーカスサーボ制御部がアクチュエータを駆動して上記対物レンズと露光対象物との距離をフォーカスエラー信号が0となる位置に制御した後に、光軸方向に対する焦点を任意位置に補正する補正値を求めるようになっていることを特徴とすることもできる。
このように、まずはアクチュエータを一旦フォーカスエラー信号Sが0となる位置に制御した後で、光軸方向に対する焦点を任意位置に補正することで、焦点位置がフォーカスエラー信号のダイナミックレンジの範囲内にすることが可能となり、感光材表面及び感光材と基板の界面からの反射光量を正確に計算でき、必要なオフセット量をより正確に求めることができる。
本発明の露光装置では、上記感光材表面からの反射光量は予め測定されメモリに格納されていることを特徴とすることもできる。
このように、感光材からの反射光量は予め測定しておいた値を用いることで、さらに正確なオフセット量の計算が可能となる。なお、感光材からの反射光量は必ずしも測定しておく必要はなく、感光材の屈折率から計算により求めてもよい。ただし、計算値と実測値の間には誤差が生じるため、予め測定しておいた値を用いる方がより正確である。
本発明の露光装置では、上記補正手段が、予め測定して得た上記感光材表面からの反射光量、上記感光材の膜厚、上記光源から発せられるレーザ光に対する上記感光材の屈折率、フォーカスエラー信号検出のダイナミックレンジ、及び定数を格納したメモリと、光検出器にて検出される露光対象物からの反射光量と上記感光材表面からの反射光量より、上記感光材と上記基板との界面における反射光量を演算する減算器と、該減算器にて演算された上記感光材と上記基板との界面における反射光量と、メモリに格納されている、上記感光材の膜厚、上記感光材の屈折率、上記定数、上記ダイナミックレンジより、上記感光材と上記基板との界面からの反射光による第1フォーカスエラー信号を演算する第1演算器と、メモリに格納されている、上記感光材表面からの反射光量、上記定数、上記ダイナミックレンジより、感光材表面の反射光による第2フォーカスエラー信号を演算する第2演算器と、第1演算器にて演算された第1フォーカスエラー信号と第2演算器にて演算された第2フォーカスエラー信号とを加算して第3フォーカスエラー信号を求める加算器と、光軸方向に対する焦点の補正目的位置を出力する目的位置指定部と、上記加算器にて求められた第3フォーカスエラー信号と上記制御部からの補正目的位置とによりオフセット量を演算する第3演算器とを備えていることを特徴とすることもできる。
このような構成とすることで、上記した補正手段を容易に実現して、上記した作用を奏する本発明の露光装置を得ることができる。
本発明の露光装置は、以上のように、基板上に感光材が塗布されてなる露光対象物に対してレーザ光を照射し、上記感光材にレーザ光の照射軌跡に応じたパターンを形成する露光装置であって、上記露光対象物にレーザ光を照射する光源と、該光源から照射されたレーザ光を上記露光対象物上に集光する対物レンズと、露光対象物上における前記レーザ光の集光状態を検出する光検出器と、該光検出器からの出力をもとにアクチュエータを駆動して上記対物レンズと露光対象物との距離を制御するフォーカスサーボ制御部とを備え、さらに、上記光検出器にて得られる上記露光対象物からの反射光量と上記感光材表面からの反射光量とを用いて上記光検出器からの出力を補正する補正値を求めて上記フォーカスサーボ制御部へと与える補正手段を備える構成である。
これにより、露光対象物の材質に関わらずに、再現性よく、精度のよい焦点調整が可能な露光装置を提供することができるという効果を奏する。
本発明の実施の一形態について図1ないし図5に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
図1は、本発明に係る実施の一形態である露光装置の構成図である。露光装置は、レーザ光源1、ビームスプリッタ2、対物レンズ3、集光レンズ6、光検出器7、アクチュエータ10、ステージ12、フォーカスサーボ制御部13、及び補正部(補正手段)11を備えている。このうち、レーザ光源1、ビームスプリッタ2、対物レンズ3、集光レンズ6、光検出器7、及びアクチュエータ10にて、露光装置の光学系が構成されている。
レーザ光源1から発せられたレーザ光A1は、ビームスプリッタ2を通り、対物レンズ3により集光される。対物レンズ3にて集光されたレーザ光A1aは、光学系と基板5とを相対移動させるステージ12上に載置された基板5に垂直に照射される。基板5は、少なくとも一種類以上の材質により構成されており、レーザ光A1aが照射される側の面に、感光材4が塗布されている。
対物レンズ3を経て感光材4の塗布された基板5に照射されたレーザ光A1aは、感光材4の表面と、感光材4及び基板5の界面とにより反射され、戻り光A2となる。該戻り光A2は、入射したときの光路を逆に進み、ビームスプリッタ2により分割され、分割された戻り光A2aは集光レンズ6で集光されて光検出器7に入射する。
光検出器7は、ここでは非点収差法を用いてフォーカスエラー信号Sを検出する構成であるので、戻り光A2aに非点収差を与えるシリンドリカルレンズ8と4分割光検出器9とから構成されている。シリンドリカルレンズ8によって非点収差が与えられた戻り光A2aは、スポット形状を楕円形にして4分割光検出器9に入射する。光検出器7では、4分割光検出器9を構成する複数の光検出素子の信号から、非点収差法によりフォーカスエラー信号Sが検出され、該フォーカスエラー信号Sがフォーカスサーボ制御部13へと送られる。
アクチュエータ10は対物レンズ3を光軸方向に駆動させるもので、対物レンズ3が光軸方向に移動することで、上記4分割光検出器9上のスポット形状が変化する。フォーカスサーボ制御部13は、フォーカスエラー信号Sに基づいて上記アクチュエータ10を制御し、フォーカスサーボを行う。
なお、フォーカスエラー信号Sを検出する方法としては、非点収差法の他に、ナイフエッジ法や、臨界角法、フーコー法等がある。ナイフエッジ法による検出では、光検出器7を、ナイフエッジと2分割光検出器とから構成し、臨界角法による検出では、光検出器7を、臨界角プリズムと2分割光検出器とから構成すればよい。また、フーコー法による検出では、光検出器7を、ビーム分割プリズムと2分割光検出器とから構成すればよい。
そして、上記光検出器7では、フォーカスエラー信号Sとともに、4分割光検出器9を構成する複数の光検出素子で検出される光量の合計、すなわちトータル光量Tも検出され、検出されたトータル光量Tが補正部11へと送られる。
補正部11は、光軸方向の焦点を任意位置に補正するために、上記光検出器7から出力されるフォーカスエラー信号Sを補正するものであって、光検出器7より入力される基板5と感光材4とからなる露光対象物からの反射光量である上記トータル光量Tと、感光材4表面からの反射光量である後述するトータル光量T1とを用いて、フォーカスエラー信号Sの補正値を決定するものである。そして、ここでは、フォーカスエラー信号Sが0となる位置から加えるオフセット量Eを決定するようになっている。
前述したように、露光対象物が単層であれば、フォーカスエラー信号Sが0となるときの光軸方向に対する焦点位置は、露光対象物の表面に一致するので、光軸方向に対する焦点位置が露光対象物に対してどの位置にあるかを知ることができる。しかしながら、露光対象物が、感光材4の塗布された基板5のように複数の層で形成されている場合は、感光材4と基板5との界面からの反射光が影響するため、フォーカスエラー信号Sが0となるときの光軸方向に対する焦点位置は、感光材4表面とは一致しない。したがって、光軸方向に対する焦点位置が感光材4に対してどの位置にあるのかについては分からず、またフォーカスエラー信号Sは、露光対象物である感光材4、および感光材4の下地となる基板5の材質が変化して反射光量が変化することで変化するので、フォーカスエラー信号Sのみを参照にした場合では、基板5の材質変化に対応して光軸方向に対する焦点を任意位置に保持することができず、同様の形状パターンを形成することができなくなる。つまり、常に光軸方向に対する焦点を任意位置に合わせるためには、感光材4および基板5の材質に応じて、オフセット量Eを決定する必要がある。
そこで、ここでは、上記フォーカスサーボ制御部13がアクチュエータ10を制御して、フォーカスエラー信号Sが0となる位置に光軸方向の焦点を保持した後、補正部11が、光軸方向の焦点を任意位置に補正するために必要なオフセット量Eを後述のように決定し、決定したオフセット量Eを用いて、フォーカスサーボ制御部13がアクチュエータ10の駆動をさらに制御し、決定したオフセット量分だけ対物レンズ3を光軸方向に駆動させ、光軸方向の焦点位置を制御するようになっている。
フォーカスエラー信号Sが0となる位置に光軸方向の焦点を保持する理由としては、光軸方向に対する焦点位置を常にフォーカスエラー信号検出のダイナミックレンジDの範囲内に押さえ込む必要があるからである。光軸方向に対する焦点位置をダイナミックレンジDの範囲内に押さえ込む理由については後述する。
図2は、オフセット量Eを決定する上記補正部11の構成図である。補正部11は、減算器21、第1演算器22、加算器23、第2演算器24、第3演算器25、制御部(目的位置指定部)26及びメモリ27を備えている。図において、Tは、光検出器7にて検出される感光材4と基板5とからなる露光対象物からの反射光のトータル量である。また、T1は、感光材4の表面における反射光より検出されるトータル光量であり、dは、基板5に塗布された感光材4の膜厚、nはレーザ光源1から発せられるレーザ光に対する感光材4の屈折率、Dはダイナミックレンジ、CはC=SMAX/Tで定められる定数である。ここで、SMAXは、光検出器7により検出されるフォーカスエラー信号Sの最大値である。これらトータル光量T1、ダイナミックレンジD、定数C、感光材4の膜厚d、及び感光材の屈折率nは、メモリ27に格納されている。
上記減算器21は、光検出器7より入力されるトータル光量Tと、メモリ27に格納されているトータル光量T1より、後述のトータル光量T2を演算するものである。また、第1演算器22は、減算器21より入力されるトータル光量T2と、メモリ27に格納されている膜厚d、屈折率n、定数C、ダイナミックレンジDより、後述するフォーカスエラー信号(第1フォーカスエラー信号)S2(x)を演算するものである。第2演算器24は、メモリ27に格納されているトータル光量T1、定数C、ダイナミックレンジDより、後述するフォーカスエラー信号(第2フォーカスエラー信号)S1(x)を演算するものである。
加算器23は、第1演算器22より入力されるフォーカスエラー信号S2(x)と第2演算器24より入力されるフォーカスエラー信号S1(x)とを加算して、後述するフォーカスエラー信号(第3フォーカスエラー信号)S(x)を求めるものである。
制御部26は、第3演算器25へと、光軸方向に対する焦点の補正目的位置fを出力するものであり、第3演算器25は、加算器23より入力されるフォーカスエラー信号S(x)と制御部23からの補正目的位置fとにより、後述するようにオフセット量Eを演算するものである。
図3は、フォーカスエラー信号の合成を説明するものである。図において、横軸は対物レンズ3の変位量であり、右方向が感光材4から基板5に近づく方向である。光検出器7により検出されるフォーカスエラー信号Sは、感光材4の表面からの反射により検出されるフォーカスエラー信号S1と、感光材4と基板5の界面からの反射により検出されるフォーカスエラー信号S2の合成信号となるため、以下の式が成立する。
S=S1+S2
レーザ光源1から発せられたレーザ光に対する感光材4の表面からのトータル光量をT1、感光材4と基板5との界面からのトータル光量をT2とし、フォーカスエラー信号S1及びフォーカスエラー信号S2をsin関数で近似すると、以下の式となる。
レーザ光源1から発せられたレーザ光に対する感光材4の表面からのトータル光量をT1、感光材4と基板5との界面からのトータル光量をT2とし、フォーカスエラー信号S1及びフォーカスエラー信号S2をsin関数で近似すると、以下の式となる。
S1(x)=T1×Csin(xπ/D)
S2(x)=T2×Csin{(x−nd)π/D}
ここで、T1及びCについては、予め測定しておき、既知の値とする必要がある。T1とCの測定方法については後述する。また、T2の計算方法についても後述する。
S2(x)=T2×Csin{(x−nd)π/D}
ここで、T1及びCについては、予め測定しておき、既知の値とする必要がある。T1とCの測定方法については後述する。また、T2の計算方法についても後述する。
sin関数で近似したS1(x)とS2(x)との和より、光検出器7により検出されるフォーカスエラー信号S(x)は以下の式(4)ように近似される。
S(x)=C〔(T1)sin(xπ/D)
+(T2)sin{(x−nd)π/D}〕
以上の近似式から、補正目的位置fに光軸方向に対する焦点を補正するために必要なオフセット量Eは以下のようになる。
+(T2)sin{(x−nd)π/D}〕
以上の近似式から、補正目的位置fに光軸方向に対する焦点を補正するために必要なオフセット量Eは以下のようになる。
E=S(f)
また、ダイナミックレンジDが、感光材4の膜厚d、感光材4の表面から光軸方向に対する焦点までの距離kよりも十分大きい場合、
S1(x)=(T1)×Cxπ/D
S2(x)=(T2)×C(x−nd)π/D
と、より単純な式で直線近似することができる。
また、ダイナミックレンジDが、感光材4の膜厚d、感光材4の表面から光軸方向に対する焦点までの距離kよりも十分大きい場合、
S1(x)=(T1)×Cxπ/D
S2(x)=(T2)×C(x−nd)π/D
と、より単純な式で直線近似することができる。
S1、S2の和より、フォーカスエラー信号Sの近似式が求められ、補正目的位置fに補正するために必要なオフセット量Eは、前述と同様にE=S(f)となる。
基板5としてガラス基板とシリコン基板の2種類を用い、これらに感光材4としてレジストを塗布して実際に描画を行って得たオフセット量と、上記近似式を用いて求めたオフセット量とを比較検討した。基板5がガラス基板の場合、フォーカスエラー信号S=0の位置から、対物レンズ3を基板方向に1.0μm補正したときに矩形形状が得られた。また、基板5がシリコン基板の場合は、フォーカスエラー信号S=0の位置から、対物レンズを基板方向に0.6μm補正したときに、ガラス基板の時と同様の矩形形状が得られた。ガラス基板の描画時に印加したオフセット電圧をEg、シリコン基板の描画時に印加したオフセット電圧をEsとすると、Eg/Es=550mV/690mV≒0.8であった。
一方、上述の近似式を用いて、ガラス基板の場合にフォーカスエラー信号S=0の位置から、対物レンズを基板方向に1.0μm補正するために必要なオフセット電圧量Egと、シリコン基板の場合にフォーカスエラー信号S=0の位置から、対物レンズを基板方向に0.6μm補正するために必要なオフセット電圧量Esとを計算したところ、Eg=3.4C、Es=5Cであり、Eg/Es≒0.7となった。
以上説明したオフセット量の決定法では、露光対象物からのトータル光量Tより、光軸方向に対する焦点を任意位置に補正するのに必要なオフセット量Eを決定するものである。したがって、露光時に感光材4の下地材質(ここでは基板5の材質)が変化した場合でも、トータル光量Tの変化を検出し、該Tの変化に対応してオフセット量Eを決定するので、下地材質に関わらず光軸方向に対する焦点を任意位置に補正することができ、再現性の良い露光が可能となる。
ここで、オフセット量Eの決定に必要なフォーカスエラー信号S2を求めるためには、感光材4と基板5との界面からのトータル光量T2を検出する必要がある。
図4は、トータル光量T2を検出する方法を説明するための図である。感光材4と基板5とからなる露光対象物のトータル光量Tは、感光材4の表面からのトータル光量T1と、感光材4と基板5との界面からのトータル光量T2の合計となり、以下の式で表される。
T=T1+T2
T1は、予め測定を行った既知の値であるので、該式よりT2の値が求められる。T2を検出する際、T、T1、T2の値は、ダイナミックレンジDの範囲内における値を参照とする必要がある。
T1は、予め測定を行った既知の値であるので、該式よりT2の値が求められる。T2を検出する際、T、T1、T2の値は、ダイナミックレンジDの範囲内における値を参照とする必要がある。
ダイナミックレンジDの範囲内における値を参照する理由としては、ダイナミックレンジDの範囲外では、図4に示すように、光軸方向に対する焦点位置の変化に伴い、T1、T2両方の値が変化してしまい、T1、T2それぞれの変化量が分からないため、T2を検出することができないからである。ダイナミックレンジDの範囲内においては、T、T1、T2は略一定となるので、T=T1+T2の式より、T2を検出することができる。
以上のように、トータル光量T2の検出は、光軸方向に対する焦点位置が常にダイナミックレンジDの範囲内であれば可能である。
なお、ここでは、フォーカスサーボ制御部13が、アクチュエータ10によりフォーカスエラー信号Sが0となる位置に光軸方向の焦点を保持した後、補正部11により光軸方向の焦点を任意位置に補正するために必要なオフセット量Eを決定するとした。しかしながら、アクチュエータ10が保持する光軸方向の焦点位置はダイナミックレンジDの範囲内であれば、フォーカスエラー信号が0ではない位置においても、本発明におけるオフセット量決定方法は成立する。
最後に、感光材4表面のトータル光量T1と定数Cについて説明する。T1とCとは、図1で説明した露光装置による露光の前にあらかじめ測定し、既知の値としておく必要がある。図5は、感光材4の表面からの反射光よりトータル光量T1および定数Cを検出するための装置の構成図である。
反射のない吸収体14に感光材4を塗布し、レーザ光A1aを感光材4に照射する。感光材4の表面で反射された戻り光A2は入射したときの光路を逆に進み、ビームスプリッタ2により分割され、分割された戻り光A2aは集光レンズ6で集光され、光検出器7に入射される。
シリンドリカルレンズ8により戻り光A2aに非点収差を与え、スポット形状を楕円形にし、4分割光検出器9に入射させる。アクチュエータ10を駆動し、フォーカスエラー信号S1、ダイナミックレンジD内で得られるトータル光量T1を検出し、データを取る。また、ここで検出されるフォーカスエラー信号S1から、フォーカスエラー信号の近似式の定数CをC=S1MAX/T1として求めることができる。以上の方法で、トータル光量T1、定数Cを測定し、ここでの測定結果を用いてオフセット量Eを決定する。
なお、感光材4表面からのトータル光量T1は、必ずしもこのように予め測定しておく必要はなく、感光材4の屈折率から計算により求めてもよい。ただし、計算値と実測値の間には誤差が生じるので、このように予め測定しておいた値を用いることで、さらに正確なオフセット量の計算が可能となる。
また、本発明は、換言すれば以下のように表現することもできる。つまり、少なくとも一種類以上の材質により構成されている基板と、前記基板上に塗布された感光材からなる露光対象物と、前記感光材にレーザ光を照射する光源と、前記光源から照射されたレーザ光を前記感光材に集光する対物レンズと、露光対象物上における前記レーザ光の集光状態を検出する光検出器と、前記光検出器からの出力をもとに前記対物レンズと露光対象物の距離を一定に制御するアクチュエータとを有する露光装置において、前記感光材表面からの反射光量と、前記基板と前記感光材からなる露光対象物からの反射光量を用いて、前記光検出器からの出力を補正する補正部を有することを特徴としている。
これによれば、感光材の屈折率等から計算される反射率により計算される感光材からの反射光量と、露光時の基板と感光材からの反射光量から、光軸方向に対する焦点を任意位置に合わせるため、必要なオフセット量を正確に求めることができる。また、露光対象物である基板が複数の材質で構成されており、感光材の下地となる基板の材質がステージの駆動に応じて変化する場合においても、材質に合わせて随時オフセット量を変化させることができるため、露光時には常に所望の位置に光軸方向に対する焦点を保持し、描画パターンに再現性を持たせることができるという効果がある。
また、この場合、上記アクチュエータを、フォーカスエラー信号が0となる位置に制御した後に、光軸方向に対する焦点を任意位置に補正する補正部を有することを特徴とすることもできる。
これによれば、まずアクチュエータを一旦フォーカスエラー信号Sが0となる位置に制御した後で、光軸方向に対する焦点を任意位置に補正しているため、焦点位置がフォーカスエラー信号のダイナミックレンジの範囲内にすることが可能となり、感光材表面及び感光材と基板の界面からの反射光量を正確に計算でき、必要なオフセット量をより正確に求めることができる。
さらに、上記感光材表面からの反射光量は予め測定して記憶するメモリを有することを特徴とすることもでき、これによれば、感光材からの反射光量は予め測定しておいた値を用いるので、さらに正確なオフセット量の計算が可能となる。
本発明は、フォトマスクを用いずに高速、高精細な露光を必要とする液晶ディスプレイや、IC、LSI等の製造等、露光の必要な半導体装置の製造に適用することができる。
1 レーザ光源
2 ビームスプリッタ
3 対物レンズ
4 感光材
5 基板
6 集光レンズ
7 光検出器
8 シリンドリカルレンズ
9 4分割光検出器
10 アクチュエータ
11 補正部(補正手段)
12 ステージ
13 フォーカスサーボ制御部
21 減算器
22 第1演算器
23 加算器
24 第2演算器
25 第3演算器
26 制御部(目的位置指定部)
27 メモリ
2 ビームスプリッタ
3 対物レンズ
4 感光材
5 基板
6 集光レンズ
7 光検出器
8 シリンドリカルレンズ
9 4分割光検出器
10 アクチュエータ
11 補正部(補正手段)
12 ステージ
13 フォーカスサーボ制御部
21 減算器
22 第1演算器
23 加算器
24 第2演算器
25 第3演算器
26 制御部(目的位置指定部)
27 メモリ
Claims (4)
- 基板上に感光材が塗布されてなる露光対象物に対してレーザ光を照射し、上記感光材にレーザ光の照射軌跡に応じたパターンを形成する露光装置であって、
上記露光対象物にレーザ光を照射する光源と、
該光源から照射されたレーザ光を上記露光対象物上に集光する対物レンズと、
露光対象物上における前記レーザ光の集光状態を検出する光検出器と、
該光検出器からの出力をもとにアクチュエータを駆動して上記対物レンズと露光対象物との距離を制御するフォーカスサーボ制御部とを備え、
さらに、上記光検出器にて得られる上記露光対象物からの反射光量と上記感光材表面からの反射光量とを用いて上記光検出器からの出力を補正する補正値を求めて上記フォーカスサーボ制御部へと与える補正手段を備えることを特徴とする露光装置。 - 上記補正手段は、上記フォーカスサーボ制御部がアクチュエータを駆動して上記対物レンズと露光対象物との距離をフォーカスエラー信号が0となる位置に制御した後に、光軸方向に対する焦点を任意位置に補正する補正値を求めるようになっていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 上記感光材表面からの反射光量は予め測定されメモリに格納されていることを特徴とする請求項1、2に記載の露光装置。
- 上記補正手段は、予め測定して得た上記感光材表面からの反射光量、上記感光材の膜厚、上記光源から発せられるレーザ光に対する上記感光材の屈折率、フォーカスエラー信号検出のダイナミックレンジ、及び定数を格納したメモリと、
光検出器にて検出される露光対象物からの反射光量と上記感光材表面からの反射光量より、上記感光材と上記基板との界面における反射光量を演算する減算器と、
該減算器にて演算された上記感光材と上記基板との界面における反射光量と、メモリに格納されている、上記感光材の膜厚、上記感光材の屈折率、上記定数、上記ダイナミックレンジより、上記感光材と上記基板との界面からの反射光による第1フォーカスエラー信号を演算する第1演算器と、
メモリに格納されている、上記感光材表面からの反射光量、上記定数、上記ダイナミックレンジより、感光材表面の反射光による第2フォーカスエラー信号を演算する第2演算器と、
第1演算器にて演算された第1フォーカスエラー信号と第2演算器にて演算された第2フォーカスエラー信号とを加算して第3フォーカスエラー信号を求める加算器と、
光軸方向に対する焦点の補正目的位置を指定する目的位置指定部と、
上記加算器にて求められた第3フォーカスエラー信号と上記制御部からの補正目的位置とによりオフセット量を演算する第3演算器とを備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004125628A JP2005311057A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004125628A JP2005311057A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005311057A true JP2005311057A (ja) | 2005-11-04 |
Family
ID=35439475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004125628A Withdrawn JP2005311057A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005311057A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20190045564A (ko) * | 2017-10-24 | 2019-05-03 | 한국기계연구원 | 공초점 리소그래피 장치 |
WO2020096731A1 (en) * | 2018-11-08 | 2020-05-14 | Applied Materials, Inc. | Signal recognition during substrate patterning via digital photolithography |
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-
2004
- 2004-04-21 JP JP2004125628A patent/JP2005311057A/ja not_active Withdrawn
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