JPS61223604A - ギヤツプ測定装置 - Google Patents
ギヤツプ測定装置Info
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- JPS61223604A JPS61223604A JP60065466A JP6546685A JPS61223604A JP S61223604 A JPS61223604 A JP S61223604A JP 60065466 A JP60065466 A JP 60065466A JP 6546685 A JP6546685 A JP 6546685A JP S61223604 A JPS61223604 A JP S61223604A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
- G01C3/32—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders by focusing the object, e.g. on a ground glass screen
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/30—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line
- G02B7/32—Systems for automatic generation of focusing signals using parallactic triangle with a base line using active means, e.g. light emitter
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- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 技術分野
本発明は、ギャップ測定装置、特に半導体製造装置等に
於て用いられるギャップ測定装置に関する。
於て用いられるギャップ測定装置に関する。
（２） 従来技術
従来、光学的手法によって異なる２面の間隔を測定する
方法としては、２重焦点レンズを用いる方法（特開昭５
６−１３０９２２）や光ディスク等に用いられるＡＰ（
オートフオーカ・ス）の原理を利用した方法等がある。
方法としては、２重焦点レンズを用いる方法（特開昭５
６−１３０９２２）や光ディスク等に用いられるＡＰ（
オートフオーカ・ス）の原理を利用した方法等がある。
しかしながら、２重焦点レンズを用いる方法では固定焦
点である為に測定のダイナミックレンジが狭かったり、
通常のＡＦの原理を用いる方法では、測定対象面からの
反射光と残りの非測定面からの反射光が干渉し合い、精
確な測定を行なう事が困難であった。
点である為に測定のダイナミックレンジが狭かったり、
通常のＡＦの原理を用いる方法では、測定対象面からの
反射光と残りの非測定面からの反射光が干渉し合い、精
確な測定を行なう事が困難であった。
（３） 発明の概要
本発明の目的は、従来の欠点に鑑み、非常に微小な間隔
を有する２面の間隔を常時精度良く測定する事が可能な
ギャップ測定装置を提供する事にある。
を有する２面の間隔を常時精度良く測定する事が可能な
ギャップ測定装置を提供する事にある。
本発明は、異なる少なくとも２面の間隔を光学的に測定
する装置に於て、円環状光束を践 発生デ１手段と、該円環状光束を前記具なる少なくとも
２面の各面近傍へ順次集束させる光学系と、各面で反射
された前記円環状光束を検出する光検出手段とを有する
事により上記目的を達成せんとするものである。
する装置に於て、円環状光束を践 発生デ１手段と、該円環状光束を前記具なる少なくとも
２面の各面近傍へ順次集束させる光学系と、各面で反射
された前記円環状光束を検出する光検出手段とを有する
事により上記目的を達成せんとするものである。
本発明に係るギャップ測定装置に於ては、前記円環状光
束（以下、リングビームと記す、）を用いる事により、
測定面と非測定面からの反射光の干渉を防ぐ。・又、前
記光学系中に可変焦点距離レンズ等を配して各面近傍へ
前記リングビームを高速に順次集束させる事ができる為
、測定の７ｉ！Ｊｎ度化、高速化、及びダイナミックレ
ンジを広げる事が可能となる。
束（以下、リングビームと記す、）を用いる事により、
測定面と非測定面からの反射光の干渉を防ぐ。・又、前
記光学系中に可変焦点距離レンズ等を配して各面近傍へ
前記リングビームを高速に順次集束させる事ができる為
、測定の７ｉ！Ｊｎ度化、高速化、及びダイナミックレ
ンジを広げる事が可能となる。
更に、前記光検出手段へ達する反射光の光量を制御する
光量制御装置を付加する事により、前記光検出手段で測
定する光量を被測定面の反射率が異なる場合に於ても一
定にする事が出来、常時精度良く間隔を測定することが
可能となる。
光量制御装置を付加する事により、前記光検出手段で測
定する光量を被測定面の反射率が異なる場合に於ても一
定にする事が出来、常時精度良く間隔を測定することが
可能となる。
従って、本発明に係るギヤツブ測足装＃は、特に半導体
製造装置に於る半導体ウニノーとマスクの間隔を測定す
る場合等に好適である。
製造装置に於る半導体ウニノーとマスクの間隔を測定す
る場合等に好適である。
以下、本発明を実施例により詳述する。
（４）実施例
第１図は本発明に係るギャップ測定装置の構成例を示し
、１Ｆｉレーザ、２はコリメークレンズ、３は第１の円
錐形ミラー、４は第２の円錐形ミラー、５は可変焦点距
離レンズ、６は偏光ビームスプリッタ、７は３波長板、
８は集光レンズで、９は第１の測定面で本実施例ではマ
スクとし、１０は第２の測定面で本実施例ではウェハと
する。更に、１１は受光センサ、１２は処理装置、ｄは
マスク９とウェハ１０の間隔を示している。
、１Ｆｉレーザ、２はコリメークレンズ、３は第１の円
錐形ミラー、４は第２の円錐形ミラー、５は可変焦点距
離レンズ、６は偏光ビームスプリッタ、７は３波長板、
８は集光レンズで、９は第１の測定面で本実施例ではマ
スクとし、１０は第２の測定面で本実施例ではウェハと
する。更に、１１は受光センサ、１２は処理装置、ｄは
マスク９とウェハ１０の間隔を示している。
レーザ１から出射したレーザ光はコリメータレンズ２で
平行ビームとなる。この平行ビームは第１の円錐形ミラ
ー３と第２の円錐形ミラー４を介して光束中心が暗い所
謂りングビームとなシ、可変焦点距離レンズ５、ビーム
スプリッタ６を通過して′／４波長板７によって直線偏
光したリングビームを円偏光したビームに変換され、集
光レンズ８によ）マスク９もしくはウェハ１０の近傍に
集光される。
平行ビームとなる。この平行ビームは第１の円錐形ミラ
ー３と第２の円錐形ミラー４を介して光束中心が暗い所
謂りングビームとなシ、可変焦点距離レンズ５、ビーム
スプリッタ６を通過して′／４波長板７によって直線偏
光したリングビームを円偏光したビームに変換され、集
光レンズ８によ）マスク９もしくはウェハ１０の近傍に
集光される。
例えば、可変焦点距離レンズ５を調節してリングビーム
をマスク９近傍に集光させた場合、マスク９で反射され
たリングビーみの一部は、集光レンズ８を通り２波長板
によって再度入射時と直交する方向に直線偏光したビー
ムに変換された後、ビームスプリッタ−６によって反射
されて光路を変え、受光センサ１１で受光される。
をマスク９近傍に集光させた場合、マスク９で反射され
たリングビーみの一部は、集光レンズ８を通り２波長板
によって再度入射時と直交する方向に直線偏光したビー
ムに変換された後、ビームスプリッタ−６によって反射
されて光路を変え、受光センサ１１で受光される。
第２図は受光センサ１１の受光面を表わし、１３及び１
４はリング状センサで同心円を形成している。リング状
キンサ１３，１４の直径はマスク９の位置が集光点（結
像位置）にある時、反射されたリングビームが丁度リン
グ状センサ１３とリング状センサ１４の境界に投射すれ
、リング状センサ１３，１４の出力が零になるよう設定
されている。
４はリング状センサで同心円を形成している。リング状
キンサ１３，１４の直径はマスク９の位置が集光点（結
像位置）にある時、反射されたリングビームが丁度リン
グ状センサ１３とリング状センサ１４の境界に投射すれ
、リング状センサ１３，１４の出力が零になるよう設定
されている。
従って、マスク９の位置が焦光点より遠い位置にある場
合、反射されたリングビームは集光レンズ８を介して収
斂光となり、直径が小さくなったビームとして受光セン
サ１１に投射される。この時、リングセンサ１３の出力
はリングセンサ１４の出力より大きくなる。
合、反射されたリングビームは集光レンズ８を介して収
斂光となり、直径が小さくなったビームとして受光セン
サ１１に投射される。この時、リングセンサ１３の出力
はリングセンサ１４の出力より大きくなる。
逆に、マスク９の位置が集光点より前号に位置する場合
、反射されたリングビームは発散光となり直径が大きく
なったビームとして受光センサ１１に投射され、リング
センサ１４の出力はリング状センサ１３の出力より大き
くなる。このリング状センサ１５，１４の出力差は、処
理装置１２でりングセンサ１５，１４の出力和によ〕規
格化され合焦信号として処理される。即ち、一般に測定
面の位置と規格化された合焦信号とは第３図に示す様に
良好な線形関係にあ〕、合焦信号によってマスク９の位
置が検出できる。
、反射されたリングビームは発散光となり直径が大きく
なったビームとして受光センサ１１に投射され、リング
センサ１４の出力はリング状センサ１３の出力より大き
くなる。このリング状センサ１５，１４の出力差は、処
理装置１２でりングセンサ１５，１４の出力和によ〕規
格化され合焦信号として処理される。即ち、一般に測定
面の位置と規格化された合焦信号とは第３図に示す様に
良好な線形関係にあ〕、合焦信号によってマスク９の位
置が検出できる。
次に上述した方法と同様の方法で、ウエノ・１０の近傍
にリングビームを集光させてウェハ１０の位置を検出す
る事により、処理装置１１でマスク９の位置とウェハ１
０の位置の差、即ち間隔（ギャップ）ｄが求められる。
にリングビームを集光させてウェハ１０の位置を検出す
る事により、処理装置１１でマスク９の位置とウェハ１
０の位置の差、即ち間隔（ギャップ）ｄが求められる。
上記測定中、例えばマスク９の近傍にリングビームを集
光させた場合、一部は被測定面である所のマスク９によ
り反射されて信号光として検出されるが、残夛の光束は
マスク９を透過してウェハ１０で同様に反射される。
光させた場合、一部は被測定面である所のマスク９によ
り反射されて信号光として検出されるが、残夛の光束は
マスク９を透過してウェハ１０で同様に反射される。
このウェハ１０の位置はマスク９の所定の測定範囲外に
位置しており、又、リングビームの集光点から遠ざかっ
ている為、ウェハ１０で反射されたリングビームは集光
レンズ８を介して収斂光となり、直径がリング状センサ
１６の内径より小さくなったビームとして受光センサ１
１に投射される。従って、マスク９の位置を測定する際
に障害となるウェハ１０から反射光ハ、リング状センサ
Ｌ５，１４で検出される事はない。又、ウェハ１Ｇの位
置を測定する際には、リングビームはマスク９によって
一部反射されるが、このマスク９の位置はウェハ１０の
所定の測定領域外であって、ウェハ１０近傍に集光され
たリングビームの焦光点前方（集光レンズｉ側）に位置
している為、マスク９により反射されたリングビームは
集光レンズ８を介して発散光となり、直径がリング状セ
ンサ１４の外径より大きくなったビームとして受光セン
サ１１に投射される。従って、ウェハ１０の位置を測定
する際に障害となるマスク９からの反射光は、リング状
センナ１３．１４で検出される事はない。
位置しており、又、リングビームの集光点から遠ざかっ
ている為、ウェハ１０で反射されたリングビームは集光
レンズ８を介して収斂光となり、直径がリング状センサ
１６の内径より小さくなったビームとして受光センサ１
１に投射される。従って、マスク９の位置を測定する際
に障害となるウェハ１０から反射光ハ、リング状センサ
Ｌ５，１４で検出される事はない。又、ウェハ１Ｇの位
置を測定する際には、リングビームはマスク９によって
一部反射されるが、このマスク９の位置はウェハ１０の
所定の測定領域外であって、ウェハ１０近傍に集光され
たリングビームの焦光点前方（集光レンズｉ側）に位置
している為、マスク９により反射されたリングビームは
集光レンズ８を介して発散光となり、直径がリング状セ
ンサ１４の外径より大きくなったビームとして受光セン
サ１１に投射される。従って、ウェハ１０の位置を測定
する際に障害となるマスク９からの反射光は、リング状
センナ１３．１４で検出される事はない。
以上説明を行なった本実施例では、間隔を測定する対象
としてマスクとウェハの間隔を挙げたが、当然、複数の
面が存在する場合であっても、該複数の面に於る任意の
二面間の間隔を上記同様の方法で測定できる。又、各測
定面近傍へ順次リングビームを集光する手段として、本
実施例では可変焦点距離レンズを用いたが該手段はこれ
に限らず、焦点距離の異なるレンズを機械的に交換した
〕、集光レンズを移動させる等各種方法があシ、更に光
学系の配置も本発明の思想内に於て多くの構成が考えら
れる。
としてマスクとウェハの間隔を挙げたが、当然、複数の
面が存在する場合であっても、該複数の面に於る任意の
二面間の間隔を上記同様の方法で測定できる。又、各測
定面近傍へ順次リングビームを集光する手段として、本
実施例では可変焦点距離レンズを用いたが該手段はこれ
に限らず、焦点距離の異なるレンズを機械的に交換した
〕、集光レンズを移動させる等各種方法があシ、更に光
学系の配置も本発明の思想内に於て多くの構成が考えら
れる。
本発明ではリングビームを用いる事により、非測定面か
らの反射光が受光センサで受光されるのを防止した。更
にこのリングビームは測定面の若干の位置ずれによシ敏
感にその径を変化させる為、微小な間隔を測定する際、
非常に有効な手段となる。又、上記実施例では受光セン
サの受光面にリング状センサを設けているが、必ずしも
リング状に形成する必要はない。
らの反射光が受光センサで受光されるのを防止した。更
にこのリングビームは測定面の若干の位置ずれによシ敏
感にその径を変化させる為、微小な間隔を測定する際、
非常に有効な手段となる。又、上記実施例では受光セン
サの受光面にリング状センサを設けているが、必ずしも
リング状に形成する必要はない。
第４図は本発明に係るギャップ測定装置の他の構成例を
示す図であり、装置の基本的構成は第１図に示したもの
と同様で、同じ部材には同番号を付しである。同、１５
は光量制御装置であり、ＰＬＺＴ等の電気光学結晶を利
用したもの、ＮＤフィルターを用いたもの、液晶を利用
したものなど各種装置構成か可能である。
示す図であり、装置の基本的構成は第１図に示したもの
と同様で、同じ部材には同番号を付しである。同、１５
は光量制御装置であり、ＰＬＺＴ等の電気光学結晶を利
用したもの、ＮＤフィルターを用いたもの、液晶を利用
したものなど各種装置構成か可能である。
一般に、マスクとウェハの様な反射率が異なる二面間の
間隔を測定する場合、受光センサー１１で受光される光
束に違いが生じ、精確な測定が困難になる。即ち、通常
の受光センサは第５図に示す如く最適光量の範囲が限ら
れており、光量がこの範囲よシ少ない場合は暗電流の大
きさが無視できなくなり、光量がこの範囲よ〕大きい場
合はセンサが飽和してしまって誤差の原因となっていた
。従って、本実施例に係るギャップ測定装置に於ては、
光量制御装置１５によって受光センサ１１で受光される
光量を常時測定の最適光量に成るよう調節し、測定精度
を更に向上させる事が可能となる。
間隔を測定する場合、受光センサー１１で受光される光
束に違いが生じ、精確な測定が困難になる。即ち、通常
の受光センサは第５図に示す如く最適光量の範囲が限ら
れており、光量がこの範囲よシ少ない場合は暗電流の大
きさが無視できなくなり、光量がこの範囲よ〕大きい場
合はセンサが飽和してしまって誤差の原因となっていた
。従って、本実施例に係るギャップ測定装置に於ては、
光量制御装置１５によって受光センサ１１で受光される
光量を常時測定の最適光量に成るよう調節し、測定精度
を更に向上させる事が可能となる。
以下、本ギャップ測定装置に於る光量制御方法について
詳述する。
詳述する。
第６図は光量制御方法の説明図で、１３．１４はリング
状センサ、１５は光量制御装置、１６はマイコン、１７
はリング状センサ１３，１４からの信号をマイコン１５
へ入力する為のインタフェース、Ｄｌ、Ｄ２は各々リン
グ状センサ１３．１４からの出力信号を示す。
状センサ、１５は光量制御装置、１６はマイコン、１７
はリング状センサ１３，１４からの信号をマイコン１５
へ入力する為のインタフェース、Ｄｌ、Ｄ２は各々リン
グ状センサ１３．１４からの出力信号を示す。
被測定面（前記実施例に於るマスクやウエハ）で反射さ
れたリングビームが受光センサ１１［投射される時、そ
の投射位置に応じて生じるリング状センサ１３，１４か
らの信号Ｄ１゜Ｄ２ハ、インタフェース１７を介してマ
イコン１６へ入力される。マイコン１６に於て出力信号
Ｄ１とＤ２は差信号ＤＩ−Ｄ２を強度信号ＤＩ＋Ｄ２に
よって規格化され合焦信号となる。−万、強度信号Ｄ
Ｉ ＋Ｄ ２は受光センサ１１の最適光量範囲内にその
値が存在するかどうかを判別され、最適光量の下限値よ
りも強度信号の値が小さい場合は、光量制御装置１５へ
光ｆｔ増加を命令する制御する信号を送る。逆に最適光
量の上限値よりも強度信号の値が大きい場合、光量制御
装［１５へ光量減少を命令する制御信号を送る。又、強
度信号の値が最適光量の範囲内にあれば、制御信号が発
せられる事はなくその状態で測定を行なう。同、以上の
動作にマイコン１６に予め組み込まれたプログラムによ
って実行される。
れたリングビームが受光センサ１１［投射される時、そ
の投射位置に応じて生じるリング状センサ１３，１４か
らの信号Ｄ１゜Ｄ２ハ、インタフェース１７を介してマ
イコン１６へ入力される。マイコン１６に於て出力信号
Ｄ１とＤ２は差信号ＤＩ−Ｄ２を強度信号ＤＩ＋Ｄ２に
よって規格化され合焦信号となる。−万、強度信号Ｄ
Ｉ ＋Ｄ ２は受光センサ１１の最適光量範囲内にその
値が存在するかどうかを判別され、最適光量の下限値よ
りも強度信号の値が小さい場合は、光量制御装置１５へ
光ｆｔ増加を命令する制御する信号を送る。逆に最適光
量の上限値よりも強度信号の値が大きい場合、光量制御
装［１５へ光量減少を命令する制御信号を送る。又、強
度信号の値が最適光量の範囲内にあれば、制御信号が発
せられる事はなくその状態で測定を行なう。同、以上の
動作にマイコン１６に予め組み込まれたプログラムによ
って実行される。
上述の様に、受光センサ１１に投射される光量の減少も
しくは増加を命令する制御信号を光量制御装置１５へ送
る場合、初期状態から徐々に光量を変化させ、最適光量
へ近づけるぺ〈制御信号を段階的に送り判別を繰り返す
方法や、最適光量の上限値もしくは下限値と強度信号と
の差を計算し、最適光量の範囲内の値になる様に制御信
号を送る方法等がある。
しくは増加を命令する制御信号を光量制御装置１５へ送
る場合、初期状態から徐々に光量を変化させ、最適光量
へ近づけるぺ〈制御信号を段階的に送り判別を繰り返す
方法や、最適光量の上限値もしくは下限値と強度信号と
の差を計算し、最適光量の範囲内の値になる様に制御信
号を送る方法等がある。
２３７図は光量制御装置の一例で、１８はＫＨ２ＰＯ４
等の電気光学結晶、１９，２０１’！各々偏光子と検光
子、２１は電気光学結晶１８へ電界を印加する為のドラ
イバーを示す。電気光学電界の強さに依存する。従って
、マイコン１６から送られる制御信号に応じてドライバ
ー２１を駆動し、所定の電界を印加する事により、光量
制御装置１５を透過する光束の光量変調が可能となる。
等の電気光学結晶、１９，２０１’！各々偏光子と検光
子、２１は電気光学結晶１８へ電界を印加する為のドラ
イバーを示す。電気光学電界の強さに依存する。従って
、マイコン１６から送られる制御信号に応じてドライバ
ー２１を駆動し、所定の電界を印加する事により、光量
制御装置１５を透過する光束の光量変調が可能となる。
伺、前記実施例に於ては、光量制御装置をコリメータレ
ンズと円錐形ミラーの間に配置したが、受光センサに至
るまでの光学系中のどの位置に配置しても構わない。又
、光量制御装置としてレーザ等の光源出力を制御しても
良い。
ンズと円錐形ミラーの間に配置したが、受光センサに至
るまでの光学系中のどの位置に配置しても構わない。又
、光量制御装置としてレーザ等の光源出力を制御しても
良い。
（５） 発明の詳細
な説明した様に本発明に係るギャップ測定装置は、ダイ
ナミックレンジが広く、常時精確なギャップ測定を行な
える装置である。
ナミックレンジが広く、常時精確なギャップ測定を行な
える装置である。
第１図は本発明に係るギャップ測定装置の構成例を示す
図。第２図は受光センサの受光面を示す図。第３図は測
定面位置と合焦信号との関係を示す図。第４図は本発明
に係るギヤツブ測定製蓋の別の構成例を示す図。第５図
はセンサで受光される光量と合焦信号との関係を示す図
。 第６図は光量制御方法の説明図。第７図は光量装置の一
例を示す図。 １・・・レーザ ２・・・コリメータレンズ ３．４・・・円錐形ミラー ５・・・可変焦点距離レンズ ６・・・偏光ビームスプリッタ ７・・・′／４ｒｌ＆長板 ８・・・集光レンズ ９・・・マスク １０・・ｅウェハ １１・・・受光センサ １２・・・処理装置 １３．１４・・・リング状センサ １５・・・光量制御装置 １６畢・・マイコン １７・・・インタフェース １８・・・電気光学結晶 １９・・・偏光子 ２０・・・検光子 ２１ ・・・ドライバー 合焦惰号
図。第２図は受光センサの受光面を示す図。第３図は測
定面位置と合焦信号との関係を示す図。第４図は本発明
に係るギヤツブ測定製蓋の別の構成例を示す図。第５図
はセンサで受光される光量と合焦信号との関係を示す図
。 第６図は光量制御方法の説明図。第７図は光量装置の一
例を示す図。 １・・・レーザ ２・・・コリメータレンズ ３．４・・・円錐形ミラー ５・・・可変焦点距離レンズ ６・・・偏光ビームスプリッタ ７・・・′／４ｒｌ＆長板 ８・・・集光レンズ ９・・・マスク １０・・ｅウェハ １１・・・受光センサ １２・・・処理装置 １３．１４・・・リング状センサ １５・・・光量制御装置 １６畢・・マイコン １７・・・インタフェース １８・・・電気光学結晶 １９・・・偏光子 ２０・・・検光子 ２１ ・・・ドライバー 合焦惰号
Claims (2)
- （１）異なる少なくとも２面の間隔を光学的に測定する
装置に於て、円環状光束を発生させる手段と、該円環状
光束を前記異なる少なくとも２面の各面近傍へ順次集束
させる光学系と、各面で反射された前記円環状光束を検
出する光検出手段とを有する事を特徴とするギャップ測
定装置。 - （２）前記光検出手段で検出される光束の光量を制御す
る光量制御装置を有する事を特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載のギャップ測定装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065466A JPS61223604A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | ギヤツプ測定装置 |
| FR8515821A FR2572515B1 (fr) | 1984-10-25 | 1985-10-24 | Dispositif de detection de position |
| GB08526374A GB2167262B (en) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | A position detecting device |
| DE3538062A DE3538062C2 (de) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | Positionserfassungsgerät |
| US07/218,447 US4830498A (en) | 1984-10-25 | 1988-07-12 | Position detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065466A JPS61223604A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | ギヤツプ測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61223604A true JPS61223604A (ja) | 1986-10-04 |
| JPH0449887B2 JPH0449887B2 (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=13287922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065466A Granted JPS61223604A (ja) | 1984-10-25 | 1985-03-29 | ギヤツプ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61223604A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06120107A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-28 | Ushio Inc | 共焦点検出器による距離測定方法及びプロキシミティ露光装置におけるマスクとワークの距離測定方法。 |
| CN102175153A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-09-07 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 激光光束聚焦焦斑检测系统 |
| WO2016121081A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査装置 |
| WO2021004724A1 (en) * | 2019-07-11 | 2021-01-14 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for measuring substrate height |
Citations (2)
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| JPS5948262U (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-30 | 大野 剛一 | 家具転倒防止金具 |
| JPS59131369U (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | マツダ株式会社 | ラツクピニオン型ステアリング装置 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60065466A patent/JPS61223604A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| US11662669B2 (en) | 2019-07-11 | 2023-05-30 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for measuring substrate height |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0449887B2 (ja) | 1992-08-12 |
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