JPS6323320A - 縮小投影型露光装置 - Google Patents
縮小投影型露光装置Info
- Publication number
- JPS6323320A JPS6323320A JP61167585A JP16758586A JPS6323320A JP S6323320 A JPS6323320 A JP S6323320A JP 61167585 A JP61167585 A JP 61167585A JP 16758586 A JP16758586 A JP 16758586A JP S6323320 A JPS6323320 A JP S6323320A
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- Japan
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- focus position
- semiconductor substrate
- focus
- exposure
- spherical aberration
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造プロセス中フォ１へレジスト塗布後
の目合わけ露光工程で使用される縮小投影型露光装置、
特に露光時のウェハーと縮小レンズとの最適距離を自動
釣に決定する白勅焦点機々ｊ４に関するもので必る。
の目合わけ露光工程で使用される縮小投影型露光装置、
特に露光時のウェハーと縮小レンズとの最適距離を自動
釣に決定する白勅焦点機々ｊ４に関するもので必る。
［従来の技術］
従来、縮小投影型露光装置にあける自動焦点合わせ機構
としてはエアーマイクロメーターによる圧力検知方式、
容量センサ一方式、光センサーによる反射像結像方式等
がおる。各方式とも一長一短がおり一概には論じ得ない
が精度・信頼性の上から反射像結像方式が主流になりつ
つある。
としてはエアーマイクロメーターによる圧力検知方式、
容量センサ一方式、光センサーによる反射像結像方式等
がおる。各方式とも一長一短がおり一概には論じ得ない
が精度・信頼性の上から反射像結像方式が主流になりつ
つある。
［発明が解決しようとする問題点］
上ｉ［した従来の光センサーによる反射像結像方式の場
合、半導体基板上露光領域内の一点（通常露光中心〉に
光を当て、反射光を位置決めされたスリン１へ板等を通
して検出する方式となっているので、測定点における７
１１Ｍ１１方向の位置決め精度は高いが、露光領域内の
一点（通常露光中心）で焦点合わせ動作を行う為、測定
点では最適焦点が得られるが、露光領域内周辺では縮小
レンズの球面収差の影響の為に焦点ズレをおこし解像度
が低下してしまうという欠点がおる。
合、半導体基板上露光領域内の一点（通常露光中心〉に
光を当て、反射光を位置決めされたスリン１へ板等を通
して検出する方式となっているので、測定点における７
１１Ｍ１１方向の位置決め精度は高いが、露光領域内の
一点（通常露光中心）で焦点合わせ動作を行う為、測定
点では最適焦点が得られるが、露光領域内周辺では縮小
レンズの球面収差の影響の為に焦点ズレをおこし解像度
が低下してしまうという欠点がおる。
本発明の目的は縮小レンズの球面収差を考慮して焦点位
置を補正する縮小投影型露光装置を提供することにある
。
置を補正する縮小投影型露光装置を提供することにある
。
［問題点を解決するための手段１
本発明の縮小投影型露光装置は縮小レンズの球面収差を
装置定数として記憶する記憶部と、半導体基板上の露光
領域内の任意の一ケ所の結像点で焦点合わせを行なった
あと、前記球面収差定数により露光面積に対応した露光
領域内の焦点ズレ量を計算する演算部と、前記測定焦点
位置に対し、露光領域内の最大深度焦点位置と最小深度
焦点位置を求めその平均値をもって最適焦点位置とする
補正部とを有することを特徴とするものである。
装置定数として記憶する記憶部と、半導体基板上の露光
領域内の任意の一ケ所の結像点で焦点合わせを行なった
あと、前記球面収差定数により露光面積に対応した露光
領域内の焦点ズレ量を計算する演算部と、前記測定焦点
位置に対し、露光領域内の最大深度焦点位置と最小深度
焦点位置を求めその平均値をもって最適焦点位置とする
補正部とを有することを特徴とするものである。
［実施例］
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は焦点
合わぜ動作の状態を示す構成図である。
合わぜ動作の状態を示す構成図である。
第１図に示した様にレチクルブラインド２はレチクル内
パターンの面積に合わせて絞られており、レチクル３下
面の露光中心Ａ′点、露光最外周Ｂ’ 、 Ｃ’点に描
かれたパターンはそれぞれ露光軸１１．１２．１３を経
由し投影レンズ４の球面収差７の影響を受けてＡ、Ｂ、
Ｃ点に結像する。
パターンの面積に合わせて絞られており、レチクル３下
面の露光中心Ａ′点、露光最外周Ｂ’ 、 Ｃ’点に描
かれたパターンはそれぞれ露光軸１１．１２．１３を経
由し投影レンズ４の球面収差７の影響を受けてＡ、Ｂ、
Ｃ点に結像する。
焦点合わせ機、溝は発光素子５から発光した光が露光中
心Ａ点で焦点を結ぶ形で受光素子８へと導かれるように
設定されている。
心Ａ点で焦点を結ぶ形で受光素子８へと導かれるように
設定されている。
第１図に示すように本発明の縮小投影型露光装置は縮小
レンズ４の球面収差を装置定数として記憶する記憶部１
４と、半導体基板９上の露光領域内の任意の一ケ所（通
常露光中心）の結像点で焦点合わせを行なったあと、前
記球面収差定数により露光面積に対応した露光領域内の
焦点ズレ量を計算する演算部１５と、前記測定焦点位置
に対し、露光領域内の最大深度焦点位置と最小深度焦点
位置を求めその平均値をもって最適焦点位置とする補正
部１６と、補正部１６の出力によりステージ１０の駆動
機構１７の動作制御を行う制御部１８とを備えたもので
おる。
レンズ４の球面収差を装置定数として記憶する記憶部１
４と、半導体基板９上の露光領域内の任意の一ケ所（通
常露光中心）の結像点で焦点合わせを行なったあと、前
記球面収差定数により露光面積に対応した露光領域内の
焦点ズレ量を計算する演算部１５と、前記測定焦点位置
に対し、露光領域内の最大深度焦点位置と最小深度焦点
位置を求めその平均値をもって最適焦点位置とする補正
部１６と、補正部１６の出力によりステージ１０の駆動
機構１７の動作制御を行う制御部１８とを備えたもので
おる。
次に球面収差の影響を最小にする露光領域内の最適焦点
位置決定の方法を順を追って説明する。
位置決定の方法を順を追って説明する。
ステージ１０が下方より上昇して半導体基板９上のＡ
ｌＺ点がＡ点に重なったとき、発光素子５より出た光は
受光素子８に最大光度で入射し最適焦点位置となる（第
２図）。このとき、投影レンズ４の下面から半導体基板
９までの垂直方向位置をＺ とする。このハを演算部１
５に入力させて、このハに対し、あらかじめ記憶部１４
に記憶しておる球面収差定数により露光最外周Ｂ点、Ｃ
点を含む複数点で投影レンズ４下面から半導体基板９ま
での垂直方向位置を求め、半導体基板の露光面積に対応
した露光領域内の焦点ズレ量を計算する。
ｌＺ点がＡ点に重なったとき、発光素子５より出た光は
受光素子８に最大光度で入射し最適焦点位置となる（第
２図）。このとき、投影レンズ４の下面から半導体基板
９までの垂直方向位置をＺ とする。このハを演算部１
５に入力させて、このハに対し、あらかじめ記憶部１４
に記憶しておる球面収差定数により露光最外周Ｂ点、Ｃ
点を含む複数点で投影レンズ４下面から半導体基板９ま
での垂直方向位置を求め、半導体基板の露光面積に対応
した露光領域内の焦点ズレ量を計算する。
そのズレ川に基いて補正部１６にて前記測定焦点位置に
対し、露光領域内の最大焦点深度と最小焦点深度とを選
び出し、この２点の平均値を求め、この値を半導体基板
上の露光領域内の最適焦点位装置まで移動ざぜる。その
後露光動作が行なわれる。
対し、露光領域内の最大焦点深度と最小焦点深度とを選
び出し、この２点の平均値を求め、この値を半導体基板
上の露光領域内の最適焦点位装置まで移動ざぜる。その
後露光動作が行なわれる。
なお、本発明の一実施例においては図に示した様な構造
の焦点合わせ機構を用いたが本発明の特徴である自動焦
点合わせ機構が判断した焦点位置に対してあらかじめ球
面収差を測定し装置定数としてとり込んでおき、焦点ズ
レの補正を行ない最適焦点位置を見つける方式を用いて
いる限り形状・方法の如何は問わないものである。
の焦点合わせ機構を用いたが本発明の特徴である自動焦
点合わせ機構が判断した焦点位置に対してあらかじめ球
面収差を測定し装置定数としてとり込んでおき、焦点ズ
レの補正を行ない最適焦点位置を見つける方式を用いて
いる限り形状・方法の如何は問わないものである。
［発明の効果］
以上３１明した様に本発明は自動焦点合わせ機構が判断
した焦点位置に対して球面収差により発生する露光領域
内の焦点ズレの分を考慮して補正することにより、解像
度の低下を最小限に抑えることができ、更に複数の光セ
ンサーを使用した焦点結像方式により球面収差を補正す
る機能を有した焦点合わせ前溝に比べ短い時間で最適焦
点位置か求められ処理能力を向上できるという効果があ
る。
した焦点位置に対して球面収差により発生する露光領域
内の焦点ズレの分を考慮して補正することにより、解像
度の低下を最小限に抑えることができ、更に複数の光セ
ンサーを使用した焦点結像方式により球面収差を補正す
る機能を有した焦点合わせ前溝に比べ短い時間で最適焦
点位置か求められ処理能力を向上できるという効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は焦点
合わせの状態を示す構成図である。 １・・・露光中心軸 ２・・・レチクルブラインド
３・・・レチクル ４・・・縮小投影レンズ５・
・・発光素子 ６・・・焦点機構光軸７・・・球
面収差による最適焦点位置 ８・・・受光素子 ９・・・半導体装置１０・・
・ステージ １１〜１３・・・レチクル上各ポイントにおける露光軸
特許出願人 九州日本電気株式会社 第１図
合わせの状態を示す構成図である。 １・・・露光中心軸 ２・・・レチクルブラインド
３・・・レチクル ４・・・縮小投影レンズ５・
・・発光素子 ６・・・焦点機構光軸７・・・球
面収差による最適焦点位置 ８・・・受光素子 ９・・・半導体装置１０・・
・ステージ １１〜１３・・・レチクル上各ポイントにおける露光軸
特許出願人 九州日本電気株式会社 第１図
Claims (1)
- （１）縮小レンズの球面収差を装置定数として記憶する
記憶部と、半導体基板上の露光領域内の任意の一ケ所の
結像点で焦点合わせを行なったあと、前記球面収差定数
により露光面積に対応した露光領域内の焦点ズレ量を計
算する演算部と、前記測定焦点位置に対し、露光領域内
の最大深度焦点位置と最小深度焦点位置を求めその平均
値をもって最適焦点位置とする補正部とを有することを
特徴とする縮小投影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167585A JPS6323320A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 縮小投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167585A JPS6323320A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 縮小投影型露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6323320A true JPS6323320A (ja) | 1988-01-30 |
| JPH0577285B2 JPH0577285B2 (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=15852481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61167585A Granted JPS6323320A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 縮小投影型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008001998A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Ichikawa Co Ltd | 抄紙用フェルトの洗浄剤及び洗浄方法 |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61167585A patent/JPS6323320A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008001998A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Ichikawa Co Ltd | 抄紙用フェルトの洗浄剤及び洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0577285B2 (ja) | 1993-10-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |