JPS6052021A - 位置検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１） （技術分野） 本発明は、半導体焼付は装置のフォトマスクとウェハの
相対的アライメントのための位置検出、あるいはウェハ
ー検査装置のウェハーの絶対アライメントのための位置
検出等に使われる窩精雇の位置検出装置と方法に関する
。

（従来技術） ２物体の相対位臂合わせに適した方法は特開昭５３−９
０８７２や９１７５４号で知られている。例えばアライ
メントマーク・パターンを有する半導体製造用フォトマ
スクとウエノ１−を微示間隔を置いて、又は投影光学系
を挾んで配ｆｆＬ、フォトマスクとウェハーのマーク・
パターンをスポット状又は線状のレーザービームで走査
し、各マーク・パターンの相対位置を検出するととてマ
スクとウェハーの位青ず１を測定する。

第１図（ｌオートアライメントマーク・パターン（以下
、ＡＡパターン）の縁を形成する段差を示し、（Ｂ）　
（０）は段差で得らガるオードアライ（２） メント信号（以下、ＡＡ倍信号を示す。第１図（ａ）は
ウェハーの断面を拡大視しており、レーザービームを図
面に平行に走査すると、レーザービームは段差のエツジ
で回折散乱する。不図示の受光系で回折散乱光を受光し
、こガを電気信号に変換した４のを（Ｂ）図に示してお
秒、段差によるパルスが１′と２′である。これを所定
の識閾値Ｖで制限し、ニ値化して整形し九パルスが１′
と２′である。このパルスを、不図示のマスクからの信
号あるいけ受光系内の基準と比較することで、アライメ
ントを完了させるのに必要々誤差信号を測定できる。

処で半導体焼付は工程ではアライメント完了後、マスク
を照明してマスクの実素子パターンをウェハーに転写す
ふ。そして位置検出の時に既にウェハー上にフォトレジ
ストが一掃に塗布されており、この様な透光層を通して
ＡＡパターンを検出する場合、透光層の影響を無視でき
ないことがわかって来た。例えばＡＡパターンのエツジ
部から来る信号の幅が、７オトレジス（３） トを塗布する以前より広がる現象が発生し、こｆ’ｌけ
信号検出精度を低下させる。

第２図はこの現象のメカニズムを考察したものである。

第２図ｆＡ）で、１け段差のエツジで、フォトレジスト
３がとれを覆う様に塗布されているものとし、段差に従
って７オトレジストの表面は右下がりに傾斜している。

上述した公開特許に提案した、暗視野下の走査方法では
、走査用のレーザービームをウェハー表面に対して垂直
に入射させる。従ってエツジが無い時には入射光は鏡面
反射し、入射した４の領域を再び戻って行く。一方、パ
ター／のエツジがある時には入射光は散乱整、回折し、
広く５〜６の領域Ｋまでまたがった角度で反射し、広が
る。位置合せ受学系（アライメントスコープ）の瞳面で
空間周波数フィルタリングすることにより領からの光５
，６を透過させ光電検出器に導く事ができる。従来公知
の方法はこの様にして散乱（４） 光を検知器に導き、ムＡ信号として用いていた。

こζでレジストが塗布されている事によるエツジ検出の
影響について考える。レジストが斜めに塗布さガている
事で１例えばレーザービーム、７．８はウェハーの真の
エツジには当らない所でもレジスト面のプリズム作用で
方向を曲げられ、領域５或いは６の方向に向う様になる
。

この為第２図（Ｂ３に示す様なレジスト塗布前のＡＡ倍
信号、塗布後は（０）に示す様に信号幅が広がってしま
う。この信号幅の広がりはレジストの塗られ方によって
変化するので各ＡＡマークのエツジ部での信号の幅の変
動はエツジの位置検出の際重大な誤差要因となる。

この為、ムムパターンの箇所のみレジストをつけない様
にする事が考えられるが、工程の中に、Ａムパターン部
のレジストを除去するとい、う余分な工程が入るという
欠点がある。

（目的） 本発明は、被検物体上に透光層を設は九ことによる検出
信号の悪化を防止することにある。

（５） そしてこの目的を達成するための後述の実施例は、物体
上の検出用パターンを走査線に沿ってスポット状又は線
状のビームで光走査するための走査系と、検出用パター
ンから来る情報光を受光する丸めの受光系と、検出用パ
ターンが物体面から突出又は窪んでいること、更には検
出用パターンと他領域との段差のエツジの方向性に応じ
て情報光の不要部分が排除されるように受光系を制御す
る系を設けている。この制御系は情報光を取り入れて信
号化し先後、必要な信号のみを選択するか、あるいけ情
報光の不要な部分が受光系の検出器へ入射しない様に制
限する。

（実施例） 以下、本発明の詳細な説明する。

Ｍ２図（Ａ）に示すエツジ１を再び例として考える。入
射光線７，８について考えるとレジストによる影響は次
の様な２つの現象に分解される。

その１つけ７’　、　８’で示され、レジストを透過し
て、ウェハー基板で反射し、レジストを透過しく６） て行く直接反射光である。亀５１つはレジスト表面で表
面反射する光ｆ、８１である。良く知られている様にレ
ジストと空気の界面での反射率は４％前後と著しく小さ
く、殆どの光は直接反射光成分ｙ１．ｓｌと考えて良い
。一方エッジで散乱、し回折される光は中心光線１００
で示される様に広い範囲の角度にわたって広がる。従っ
て従来、領域５．６で示される光を一括してとってきた
のであるが、この方式をそのｆ−１使用している場合、
第２図（０）の様にパルス幅を大きくしてきた主要因は
透過反射光成分７１．ｓｌである事がわかる。この７１
．ｓｔは反射してから進む方向が領域５の方向である。

従ってこの時従来検出していた領域５の光を無視し、領
域６からの光のみを検出すれば、エツジに対応したＳ／
Ｎの良い信号が得られる事になる。

尚第２図のエツジは高い方から低い方への段差の場合で
あるが、第３図の例は低い方から高い方への段差のエツ
ジの場合である。この時パルス幅を広げる主要因となる
透過反射光９′は反（７） 射し死後右側の方向へ進む為、領域６′に入る光に対応
する。この場合には第２図の場合と逆に領域５′の方の
回折光を検知信号光とする事によってエツジとの対応の
良い信号を得る事ができる。

以上の要求を実現するための系を第４図に示す。図中、
Ａ８けレーザー光源と光走査器から成る周知の走査光学
系で、光源はレーザー以外のものも、可視不可視を問わ
ず使用でき、光走査器は回転多面鏡、ガルバノミラ−１
音響光学素子等種々のものが使用できる。Ｗはウェハー
で、左段差１と右段差２はＡＡパターンを構成する。マ
スクとウェハーの相対アライメントの場合、ウェハーＷ
から若干離れてマスクが配置さｎるが、マスクの検知に
ついては従来と同様であるから、これを省略した。１ｏ
は顕微鏡対物レンズ、１１はコンデンサーレンズであり
、１６はハーフミラ−で、投影光路と受光光路を分岐さ
せる。Ｐけ対物レンズ１１の焦点面に設けた絞りである
。

（８） １２は空間周波数フィルターで、不透明部１５と透明部
１５と１４　を持つ。この部材の詳細は後述する。

走査光学系Ａ８を発し手斜線を施し九ビームは走査時間
の前と陵のものを同時に描いている。

レーザービームがレジストの塗布さｎたウェハーＷを走
査し、段差１と２に入射すると、段差から回折した光５
，６、ｓｌ、６１けＡ８の一面装置イルター１２は走査
面に対してフーリエ変換面（＠而）に配置しであるので
被走査面から反射してくる角度成分が等しいもの（例え
ば回折光とになる。第２図、第３図で示し丸裸にレジス
トによる段差部からの直接反射光は、段差１で（９） け、回折光５の中に、段差２では回折光６′の中らの光
のみを検出すゐことにより段差部の検出を高精度に行な
うことが可能となる。

第５図はＡＡパターンの１例を示し、Ａムパターンを構
成するマークエレメント１７Ｊｊ８は走査線ＳＬに対し
て４５°と一４５°を成している。レーザービームのス
ポット状又は線型の照明域は走査線ＳＬ［沿ってＡＡパ
ターンを走査する。この時、４つの段差による回折光は
矢印２１．２１’、２２．２２−２３．２５’、２４．
２４’に示される方向に回折さガる。このＡＡパターン
では段差のエツジが走査線に対して斜の方向性を持つた
め、回折光は走査線に対して斜方間（エツジの線に垂直
方向）へ進む。

そしてＡＡパターンがウェハー表面から突出しているか
窪んでいるかによってレジスト表面の傾きが異なふから
１段差近傍で反射し、レジ（１０） スト層で屈折された透過反射光の方向は異なる。

第６図（Ａ）は凹部でＡＡパターンを作成した場合、（
狗は凸部で入Ａパターンを作成した場合である。

図中の矢印は直接反射光がレジスト層で屈折さねで進む
方向を指示しており、例えば体）図の左端の段差では２
１の方向へ進み、（Ｂ）図では２１′の方向へ進む。

従って、ウェハー上にＡムパターンを作成する際に、凹
形にするか凸形にするかを決定すれば、各段差ごとの直
接反射光の進む方向、従ってＡムパターンから来る光の
内、どの領域に混入されるか予測できることに表る。

第７図は瞳面に配置しｔフィルター１２の平面形態を描
いており、１３．１５’、１４．１４’は回折光を通過
させる透明部で、括弧で囲んだ番号は、第５図の矢印に
付した番号と対応し、その方向の光がその透明部を通過
する。

本例では、レジストで屈折され九直接反射光を取や込ま
ないように、フィルターの透明部１３゜１４．１５’、
１４’の内の１つからの光を検出する。即ち（１１） 第６図（〜の凹形Ａｔパターンの場合、この図に矢印を
書いた回折光を取りこまない様に、レーザービームが走
査さｎ、る段差の順序に従って１３′−１５−１４’−
Ｌ４の透明部の順に回折光を取り込むととＫより、正規
のＡＡ倍信号形成することができる。また第６図（均の
凸形ムＡ　ハターンの場合、１５−１３’−１４−１４
’の透明部の順に回折光を取９込むことにより、正規の
ＡＡ倍信号形成することができる。この様にＡＡパター
ンの凹凸に応じて＠面を透過する光を選択検出するとと
で正規のＡＡ倍信号得られる。

ＡＡパターンからの光を選択する場合、各透明部に対し
て独立の受光素子を設け、素子からの信号を選択する方
式と、受光素子は１個で透明部を通過する光を選択する
方式が取り得る。

着た独立の受光素子を使用すみときに本、ディスクリー
トの部材を個々独立に設けても良いし、４分割ディテク
ターを使用しても良い。

第５図に形状を示す入Ａパターンで、凹形と凸形で形成
した場合の透明部１５．１４　、１３’、Ｍ’　（第（
１２） ７図）を通過した信号を第８図（凹形）と第９図（凸形
）に順に示す。第８図（Ａ）は透明部１５の信号に対応
し、（Ｂ）け１４の信号に（０）は１３′の信号に、（
Ｄ）は１４′の信号に対応し、第９図（Ａ）は１３の信
号に、（Ｂ）は１４の信号Ｋ、（ｃ）は１３′の１８号
に、（Ｄ）Ｆｉ１４’の信号に対応する。

第８図において、（Ａ）　（０１に、第５図左下りのマ
ークエレメント１７のエツジからの回折光がそｎぞれ２
１．２２と２１’、２２’として取抄込まわる。

Ａムパターンの回折方向はエツジの方向によシ定゛まっ
ているため、この時には透明部１４と１４′（第７図）
からの光拡検出さ扛ない。次に右下りのマークエレメン
ト１８のエツジからの回折光が透明部１４と１４′を透
過して第８図の（ＢＨＤ）に２５’、２４’と２３．２
４として取り込１７する。そしてｆＡ１〜（Ｄ）までの
信号２１′、２２，２３，２４′を合成して図（Ｅ）に
示す信号を作り、これを基に演算すｎば良い。

凸形のＡＡパターンの場合も同様にして、直接反射光を
避け、第９図（Ｅ）に示す様に２１．２２：２６’。

２４の合成信号を基に演算すわば良い。

（１３） 第１０図は、第４図のコンデンサーレンズ１１以降の構
成例を示す。図（Ａ）はフィルター１２の透明部１４と
１５をプリズム３２と３２′でそれぞれ独立の光路に結
合し、集光レンズ３ｏと３０’を介して受光素子５１と
５１′へ導出す石。また図面と垂交する方向には同様の
プリズム、集光レンズ、受光素子を設けるものとし、４
つの透明部はそれぞれカバーされる。

図（Ｂ）はフィルター１２の直後に４分割ディテクター
（一体化されているが、４つの区域が独立に測定できる
ディテクター）の２区域５５．５５’部１Ｂ、１４．１
３’、１４’力４区域３５，５４．３３′、５４’に重
’ｉっている。なお、４分割ディテクターの感応域の形
状をフィルター１２の透明部の形状に一致させれば、フ
ィルターは省略できる。図ｒＤ）　Ｆｉこの様な形状の
感応域を持った４分割ディテクターの側面図であり、図
（均が正面図で、付番３５の部分が感応域である。他方
１図（Ｆ’Ｈの構成では受（１４） 光素子を１個とする替りに液晶等のシャッターでフィル
ター１２の透明部を選択的に開閉する。

フィルター１２のｉａ後にはシャッター４０を配置し、
その後の集光レンズ５０でシャッターを通過した光は受
光素子３１へ入射する。

レーザービームの走査で、段差からの信号が検出さｔま
た直後に交換的にシャッター４０の一部を開放又は透明
にしてフィルター１２（第７図）の透明域１３，１４．
１５’、１４’中の１つの透明部の通過光のみを受光す
ることで、上の配置と同じ作用を達成する。例えばフィ
ルター１２の透明部を１３’−１５−１４’−１４の順
に開放しようとす仮にシャッターの開放に比べてビーム
の走査を高速にした場合は１回の走程で１つの区域を開
放し、４回走査することで全ての信号を敗込むことがで
きる。この場合は第８図あるいは第９図の（Ａ）〜ｆＤ
）信号を順に記憶しておき、４つ検出し死後１図（Ｋ）
の様に合成すれば良い。また４個（１５） 独立に測定する場合は透明部を通過する順序にこだわる
必要がなく、要は特定の段差と使用する透明部とが関連
付けられていれば良く、またで、不要な透明部を辿断す
れば良い。

以上の例は、著しく微細なＡＡパターンを使ｔｎ、　ｔ
たミクロン、サブミクロンオーダーの許容誤差でアライ
メントする場合の構成を述べ九が、若干許容誤差が大き
い場合には、瞳面で正確にフィルタリングしなくても正
確な信号検出が可能である。

第１１図で、ＰＭはポリゴンミラー、Ｌは走査レンズ、
ＰｌとＰ、は回折光の進む方向に直接配さ−ｎた受光素
子である。またＥｌとＥ２は段差である。図においてポ
リゴンミラーが回転し、レーザービームが物体上を走査
すると、レーザービームが段差に当ったとき、回折光は
所定の方向へ進む。図の場合、ＡＡマークのエツジ線は
図面に垂直であるから受光素子は走査方向に（１６） ２個配されているが、第５図のＡＡパターンの場合は走
査線に対して斜になる様に４個設ける。

段差引、幻を順に走査した時の信号全第１２図に示す０
図（Ｂ）にレジストを塗布してない時、図（０）はレジ
ストを塗布した時のものである。レジスト層がない時の
信号で、Ｐｌが検出し良信号のＥｌの出力はｌ１ｃ２の
出力よシ大きく、Ｐ２が検出し良信号の１！！２の出力
はＥｌの出力より大きい。

しかしながら、レジスト層を設けた時の信号、図（０）
でレジスト層で屈折した直接反射光が、段差Ｅ１では素
子Ｐ２に入射し、Ｅ２では素子Ｐ１に入射する為、Ｐ１
信号ではＥ２の出力が、Ｐ２信号で１ｊＥ１の出力が大
きくなることがある。

その九め、段差Ｅ１け素子Ｐ１の出力を、段差瓦２は素
子Ｐ２の出力を正規の信号として採用すれば正しい計測
が可能となる。第１５図は本発明をステッパー型の半導
体焼付装置に適用した例を示す。

図中、５０はマスク、５１けウェハーで、投（１７） 影レンズ５２はマスク５０の像をウェハー５１上に等倍
又は縮小投影する。ま九アライメントべ 光と露光×を別波長先にし九場合は、アライメント時に
λ／４板５２ａを挿着し、露光時はレンズ５２１１を交
換的に挿着する。レンズ５２ｔ）は波長を異ならせたこ
とによるピントのずれを補償し、λ／４板は偏光方向に
よってマスク反射とウェハー反射を分けるために設ける
。なお、アライメ九々 ント光と露見鷹が同一波長である時又は投影レンズが２
波長補正されている時は、レンズ５２１）は不要となり
、λ／４板５２Ｌを固設する。

マスク５０とウェハー５１には、第１４図に示すムムパ
ターンを各２個ずつ設ける。例えば実線のエレメントを
ウェハーＫ、破線のエレメントをマスクに設ける。

５３はレーザー光源で、紙面に垂直方向に直で、レーザ
ービームを等速走査するのに役立つ。

５６け観察系であり、５７はビームスプリッタ（１Ｂ） −である。５８は走査範囲分割プリズムで、このプリズ
ムはビームの一回の走査の前半と後半を２つのＡＡパタ
ーンのそれぞれに充当する。

以下の系は左手系と右手系が対称であるから同じ番号を
付ける。

５９は偏光ビームスプリッタ−で、直線偏光状態に応じ
て反射と透過に分ける作用を持つ、６０は光路を曲折け
るための反射部材、６１け集光レンズ、６２は第７図に
示すようなフィルター、６３は分割ディテクターである
。フィルター６２の透明部はＡＡマークの方向に応じて
曾するものとし、ウェハー５１から来る光を受光する。

６４は反射率の小さな半透鏡、６５Ｆｉソ 偏光ビームスプリｌター、６６はコンデンサーレンズ、
６７は観察用光源である。６８はリレーレンズ、６９は
反射部材、７０は空間周波数フィルター、７１は集光レ
ンズ、７２は受光素子で、マスク５０から来る光を受光
する。７３（１９） ＃′ｉ顕微鏡対物レンズ（以下、対物レンズ）で、マス
ク５０とウェハー５１とのムＡマークヲ見込む位置にセ
ットされている。

以上の構成で、レーザー光源からのレーザービームはポ
リゴンミラー５４へ入射してここで走査される。振れ走
査されたレーザービームはへ入射し１例えば始めプリズ
ム５８の左斜面で反射して左側へ向い、途中から右斜面
で反射して右側へ向う。プリズム５Ｂで反射したビーム
は偏光ビームスプリッタ−で反射し、半透鏡６４を透過
して対物レンズ７３へ入射してマスク５゜上に集光され
、更に投影し／ズ５２を介してウェハー５１上に集光さ
れ１両者を走査する。まずマスク５０のＡＡパターンで
反射さｎた光は対物レンズ７３へ入射し、続いて半透鏡
６４で反射する。その際、半透鏡６４を透過し九光は、
ウェハー検出用の４分割ディテクター６３へ向うが、こ
の光は図面に垂直な直線偏光であるか（２０） ら偏光ビームスプリッタ−５９で阻止される。

半透鏡６４で反射した光は偏光ビームスプリッタ−６５
へ入射し、マスク５０で反射し図面に垂直な直線偏光は
反射するが雑音（後述するウェハー５１で反射し図面に
平行な直線偏光）＃′ｉ阻止さｒる。反射光はリレーレ
ンズ６８と反射部材６９を経た後、直接反射成分はフィ
ルター７０で遮断され、ムムパターンで散乱された成分
は集光レンズ７１で集光されて受光素子７２に入射し、
マスク側のＡム信号となる。

次にマスク５０を透過した走査ビームは投影レンズ５２
を屈折透過する際に４７λ板５２ａに入射し、円偏光に
変換され、ウェハー５１上を走査スル。ウェハー５１の
ＡＡパターンで反射され九九は逆方向から４／λ板５２
ａを透過する際に先程とは位相が９０’回転した直線偏
光となり、対物レンズ７３と半透＠６４を経て偏光ビー
ムスプリッタ−５９へ入射する。λ／４板５２ａによっ
て図面に平行な直線偏光になっているからウェハー５１
の反射光は偏光ビームスプリッタ−（２１） ５９を透過し１反射部材６１と集光レンズ６１を経てフ
ィルター６２の透明部で通過して４分割ディテクター６
３へ入射する。

制御演算回路８ｏは４分割ディテクター６３からの出力
信号を選択してウェハー５１に関するムム信号を確定す
るが、これは上述して来九規則に従って４分割ディテク
ター６３の感応区域を順次作動させるか、あるいけ全て
の感応区域の出力信号を全て記憶した後、選択構成する
かあるいは両者の中間的な方法のいずガも採用し得る。

この様にして取り入れたＡム信号と受光素子７２のマス
ク側Ａム信号に基づいて演算を笑行し、その結果（”１
７１θ誤差）により補正機構８１を駆動し、マスクチャ
ック８２を移動させてマスク５ｏとウェハー５１のアラ
イメントを達成する。但し、マスク５ｏの替夛にウェハ
ー側を移動しても良い。

する非平行のエレメント数の２倍の透明部を設（２２） ければ、種々の形状に対処できる。

また、仮に信号のＳ／Ｎ特性を厳しく制限しなくて本良
い場合には、第５図のＡ入パターンでえ も信号を４つに分けて取込まずに所望の信号が得ること
もできる。例えば、第８図の（Ａ）と（Ｂ）に示す信号
を一緒に、またｒＣ）と（Ｄｉの信号を一緒にｉ２＞ 取９入んでも良く、その場合ｉｊ２分割ディテクターで
済むわけである。

（効果） 以上述べた本発明によれば被検出物体上にレジスト層の
様な透光層が設けられている場合でも、冗長な信号を信
号処理に使用することがないから、アライメントマーク
パターンの位置を極めて正確に決定することが可能とな
る効果があり、更にアライメント操作を行った場合、著
しく高い精度で達成され、あるいは信号が正確であるか
らアライメント完了までの動作時間や繰作Ｖ回数を減少
させらｊ、る効果があゐ。

【図面の簡単な説明】

ｗｃ１図（Ａ）けウエノ１−の段差の断面図で、（Ｂ）
　（ｏ）（２３） は出力信号図。第２図（Ａ）は光学挙動を説明する図で
、　（Ｂ）（０）は出力信号図。第３図は光学挙動を説
明する図。第４図は本発明の実施例の要部を示す光学断
面図。第５図はＡムパターン例を示す平面図。第６図ｆ
Ａ）（Ｂ）けＡＡパターン部の断面図。第７図はフィル
ターの平面図。第８図（Ａ）〜（Ｋ）　＃ｉ出力信号図
。第９図（Ａ）〜（Ｋ）　ｉｊ出力信号図。 第１０図（Ａ）　（ｇＩｆＤ）　（’）は受光部の断面
図で、　Ｃｏ）（１！ｉ）は平面図、（Ｇｌ　（Ｈ）は
ジッターの資化を示す図。第１１図は変形例の断面図、
第１２図（Ａ）は合成系のブロック図で、ｆＢ）（０）
　（Ｄ）Ｆｉ出力信号図。第１３図は別実施例の光学断
面図。第１４図はＡＡパターンの平面図。 図中１と２は段差、４は鏡面反射の領域、５と６Ｆ１敗
乱反射の領域、７′と８：９１は屈折された直接反射光
、Ａ８は走査光学系、１０は顕微鏡対物レンズ、１１は
コンデンサーレンズ、１２は空間周波数フィルター、１
３と１４．１５’、１４’は透明部、１５は不透明部、
１７と１Ｂは＆Ａパターンのエレメント、２１〜２４と
２１′〜２４′は先の（２４） 進行方向とパルス名、３１と３１′は受光素子、３３と
３３′は４分割ディテクターの区域、４０は液晶シャッ
ターである。 （２５） ９１

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）物体上の検出用パターンを光走査するための手段
   と、検出用パターンから来る情報光を受光するための受
   光手段と、物体面に対する検出用パターンの凹凸に応じ
   て情報光の不要部分が排除さすＬるように受光手段を制
   御する手段を具備した位置検出手段。
2. （２）　前記制御する手段は、情報光の所望部分圧対応
   する信号のみが出力する様に制御する特許請求の範囲第
   １頃記畝の位置検出−４Ａ置。
3. （３）前記制御゛する手段は、情報光の所望部分のみが
   受光手段へ入射する様に制御する特許請求の範囲第１項
   記載の位置検出装置。
4. （４）透光喘に橿わｎた物体上のパターンの凹凸に対応
   してパターンの縁による夫々一方向のみの回折光を検出
   し、検出した各信号を合成してパターン噴出信号を形成
   する方法。