JPH0323619A - 焦点合せ方法およびその装置 - Google Patents

焦点合せ方法およびその装置

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JPH0323619A
JPH0323619A JP1158802A JP15880289A JPH0323619A JP H0323619 A JPH0323619 A JP H0323619A JP 1158802 A JP1158802 A JP 1158802A JP 15880289 A JP15880289 A JP 15880289A JP H0323619 A JPH0323619 A JP H0323619A
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JP
Japan
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mark
light
lens
image
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP1158802A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoriyuki Ishibashi
石橋 頼幸
Osamu Kuwabara
桑原 理
Toshikazu Yoshino
芳野 寿和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Topcon Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Topcon Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Topcon Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1158802A priority Critical patent/JPH0323619A/ja
Publication of JPH0323619A publication Critical patent/JPH0323619A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の目的】 (産業上の利用分野) 本発明は、投影露光装置やマスク欠陥検査装置等に適用
できる焦点合せ方法およびその装置に関する。 (従来の技術) 周知のように、超LSIの製造工程では、縮小投影露光
装置が多用される傾向にある。縮小投影露光装置は、通
常、第11図に示すように、2軸方向に移動自在に配置
された2テーブル1上にウエハ2を固定するとともに、
その上方に投影レンズ3およびレチクル(マスク)4を
配置し、レチクル4の上方から露光光5を照射すること
によってレチクル4に描かれているLSIパターンをウ
ェハ2に転写する構戊となっている。なお、2テーブル
1は、z軸方向へ伸縮自在なアクチュエータ7を介して
x,y方向に移動自在なxyテ〜プル8上に支持されて
いる。また、レチクル4は、x+Y方向に移動自在なレ
チクルテーブル9上に固定されている。 ところで、このような縮小投影露光装置を使って実際に
、レチクル4に描かれているLSIパターンをウェハ2
に転写するときには、転写に先立ってウェハ2の転写面
を投影レンズ3の焦点位置に正確に位置合せする必要が
ある。このようなことから、従来の縮小投影露光装置で
は次のような焦点合せ装置を設けている。 すなわち、2テーブル1上にウェハ2とほぼ同一高さに
フィジシュアルマーク(以後、FMと略称する。)10
を設けている。このFMIOは、第12図に示すように
、透明部分11とスリット状に形成された複数の反射部
分12とで構成されている。反射部分12は、長手辺を
X方向に向けており、y方向に一定ピッチで配置されて
いる。 一方、レチクル4の斜め上方に、照明光学系13と検出
光学系14とを配置している。照明光学系13は、露光
光5と同一波長の光を送出する光源(通常は露光用光源
を共用している。)15と、この先源15から出た光1
6をレンズ17、ハーフミラー18、レンズ19、ミラ
ー20を介してレチクル4に設けられた透明のレチクル
マーク21に向けて斜めに照射する案内光学系とで構成
されている。なお、案内光学系は、レチクルマーク21
に向けて照射される照明光の光軸が、丁度、投影レンズ
3の入射@22の中心23を通るように設定されている
。検出光学系14は、ミラー20からハーフミラー18
に向かう光のうち、ハーフミラー18を透過した光をレ
ンズ24、25、26からなる拡大光学系を介してCC
Dセンサで代表される2次元受光センサ27に導入して
いる。そして、2次元受光センサ27の出力を画像処理
装置28に導入して波形処理した後、マイクロプロセッ
サ29に導入して解析し、この解析結果に基いて2テー
ブルコントローラ30からアクチュエータ7へ制御信号
を出力させるようにしている。 この焦点合せ装置は、次のようにして焦点合せを行なう
。すなわち、光源15から出た光がハーフミラー18、
ミラー20を介してレチクル4に設けられた透明のレチ
クルマーク21を斜め上方から照明する。この照明光の
光軸は、投影レンズ3の入射瞳22の中心23を通る。 このため、照明光は、投影レンズ3を透過してFMIO
に垂直に入射する。FMIOは、第12図に示すように
、透明部分11と反射部分12とを組み合わせて構成さ
れているので、反射部分12に入射した光は、そのまま
投影レンズ3側へと反射する。この反射された光は、投
影レンズ3を透過してレチクルマーク21側へと向かう
。したがって、レチクルマーク21上にはFM10の像
が形成される。この像は、検出光学系14の2次元受光
センサ27の受光面上に結像する。 第13図は、2次元受光センサ27の受光面上に結像し
たFMIOの像の受光面上の位置と光強度Iとの関係を
示している。ここで、光強度Iのピーク値と焦点位置(
z−0)からのずれfizとの間には第14図に示す関
係がある。従来の焦点合せ装置ではt上記関係を利用し
、光強度が最大となるようにアクチュエータ7を制御し
てFMIO、つまりウェハ2の転写面を投影レンズ3の
焦点に位置合せするようにしている。 しかしながら、上記のように構成された従来の焦点合せ
装置にあっては次のような問題があった。 すなわち、従来装置では、2次元受光センサ27で受光
されるFMパターンの光強度が最大となる位置を探す方
式を採用している。しかし、光源がたとえばエキシマレ
ーザ光源のような場合には、各パルス間の光量のばらつ
きが著しいので、光強度が最大となる点を高感度に検出
することが困難となり、これが原因して焦点合せ精度が
低いと言う問題があった。また、当初は、FMIOが投
影レンズ3の焦点位置より上にあるのか、下にあるのか
判明しない。このため、焦点合せに先立ちアクチュエー
タ7を伸縮させて、現在の位置関係を確認しなければな
らず、これが原因して焦点合せに長時間を要する問題も
あった。 (発明が解決しようとする課題) 上述の如く、従来の焦点合せ方法および装置にあっては
、本質的に高精度な焦点合せが困難であるばかりか、焦
点合せに長時間を要する問題があった。 そこで本発明は、構或の複雑化を招くことなく上述した
不具合を解消できる焦点合せ方法およびその装置を提供
することを目的としている。 [発明の構或] (課題を解決するための手段) 上記課題を解決するために、本発明の一例では、レンズ
を挟んで一方に第1の基板を配置するとともに他方にパ
ターンの描かれた第2の基板を配置し、上記パターンの
少なくとも一部を上記レンズを通して上記第1の基板上
に投影するために上記レンズの焦点位置に上記第1の基
板面あるいは第2の基板面を位置合せするための装置に
おいて、前記第1あるいは第2の基板を保持する移動テ
ーブルと、この移動テーブルを駆動するアクチュエータ
と、前記第1あるいは第2の基板のうちの一方の基板面
あるいはその近傍に形成あるいは配置された反射手段と
、他方の基板に設けられるとともに一部に不透明マーク
部を有したマーク手段と、このマーク手段に入射した照
明光が前記レンズを透過して前記反射手段に斜めに入射
する関係に照明光を照射する照明光学系と、この照明光
学系から照射された光のうち前記マーク手段、前記レン
ズを透過して前記反射手段に至り、この反射手段に斜め
に入射した後に反射されて上記レンズを再び透過し、前
記マーク手段を背面から照明して透過した背面照明光を
検出する受光手段と、この受光手段の受光面上に結像し
た前記マーク手段の不透明マーク部の像と前記背面照明
光中に含まれて上記受光面上に結像した反射不透明マー
ク部の像との相互関係から焦点ずれ量を検出する検出手
段と、この検出手段によって検出された結果に基いて前
記アクチュエータを制御する制御手段とを設けている。 (作 用) マーク手段に向けて前記関係に照明光を照射すると、こ
の光はマーク手段、レンズを透過して反射手段に至る。 したがって、反射手段にマーク手段の像が形成される。 この像は反射手段で反射され、レンズを通ってマーク手
段を背面から照明する。この背面照明光のうち、マーク
手段を透過した光が受光手段の受光面に入射する。 今、反射手段の高さと基板面の高さとを一致させている
場合を例にとると、反射手段がレンズの焦点位置(z=
0)にあるときには、背面照明光中の反射不透明マーク
部の像は、丁度、マーク手段に設けられた不透明マーク
部の背面に結像する。 この場合には、マーク手段の不透明マーク部の像だけが
受光手段の受光面に結像する。 一方、反射手段がレンズの焦点位置にないときには、前
述の如く照明光が反射手段に斜めに入射する関係となっ
ているため、マーク手段上において、背面照明光中の反
射不透明マーク部の像が不透明マーク部からずれた位置
に結像する。したがって、この場合には、受光手段の受
光面に不透明マーク部の像と反射不透明マーク部の像と
の両方が結像する。この場合、不透明マーク部の像の光
強度は、通常、反射不透明マーク部の像の光強度より低
い。また、受光面上において、反射不透明マーク部の像
が結像される位置は、反射手段の現在位置によって左右
される。反射手段がレンズの焦点位置より上に位置して
いるときには不透明マーク部の像よりたとえば左側に反
射不透明マーク部の像が結像し、反射手段がレンズの焦
点位置より下に位置しているときには不透明マ,−ク部
の像より右側に反射不透明マーク部の像が結像する。 本発明に係る焦点合せ方法およびその装置では、受光面
上に上記関係に結像する不透明マーク部の像と反射不透
明マーク部の像との相互関係、一例として位置関係から
反射手段、つまり基板面の焦点位置に対するずれ量を検
出し、このずれ量が零となるようにアクチュエータを制
御している。 (実施例) 以下、図面を参照しながら実施例を説明する。 第1図には本発明の一実施例に係る焦点合せ装置を組み
込んだ縮小投影露光装置の概略構成が示されている。こ
の図では第11図と同一部分が同一符号で示されている
。したがって、重複ナる部分の詳しい説明は省略する。 この実施例に係る黒点合せ装置は次のように構成されて
いる。 すなわち、2テーブル1の上面でウェハ2とほぼ同一高
さ位置に反射ミラー41を設けている。 なお、予め反射ミラー41の高さとウェハ2の高さとを
異ならせ、その位置を合焦点位置とすることも可能であ
る。そして、レチクル4の周辺部にレチクルマーク42
を設けている。 レチクルマーク42は、第2図に示すように、透明部分
43と、1本のスリット状の反射部分、つまり不透明マ
ーク部44とで構成されている。 不透明マーク部44は長手辺をX軸方向に向けている。 なお、第2図において、45はxy方向のアライメント
に供されるマーク部を示している。 一方、レチクル4の斜め上方に、照明光学系46と検出
光学系47とを配置している。照明光学系46は、露光
光5と同一波長の光を送出する光源48と、この光源4
8から出た光49をレンズ50、ハーフミラー51、レ
ンズ52、ミラー53を介してレチクル4に設けられた
レチクルマーク42に向けて斜めに照射する案内光学系
とで構成されている。なお、案内光学系は、レチクルマ
ーク42に向けて照射される照明光の光軸が、投影レン
ズ3の入射@22の中心23を通らないように設定され
ている。 検出光学系47は、ミラー53からハーフミラー51に
向かう光のうち、ハーフミラー51を透過した光をレン
ズ54に通し、このレンズ54から出た光をレンズ55
、56からなる高倍率拡大光学系を介してCCDセンサ
で代表される2次元受光センサ57に導入している。な
お、図中58はマーク部45を使ってxy方向のアライ
メントを行うときに用いられる低倍率拡大光学系を示し
ている。 2次元受光センサ57の出力は画像処理装置59に導入
されて波形処理された後、演算装置60に導入される。 この演算装置60は後述する演算を行い、その演算結果
をマイクロプロセッサ61に導入する。そして、マイク
ロプロセッサ61の出力に応じて2テーブルコントロー
ラ62からアクチュエータ7へ制御信号が出力される。 次に、上記のように構成された焦点合せ装置の動作を説
明する。 まず、xyテーブル8を制御し、反射ミラー41が図示
位置となるように2テーブル1をxy方向に移動させる
。この状態で光源48を動作状態にすると、光源48か
ら出た光49はレンズ50、ハーフミラー51、レンズ
52、ミラー53を介してレチクル4に設けられたレチ
クルマーク42に向けて照射される。この照明光の光軸
Pは、後述するように反射ミラー41に照明光を斜めに
入射させる必要から投影レンズ3の入射瞳22の中心2
3を通らない。 照明光はレチクルマーク42、投影レンズ3を透過して
を2テーブル1上に設けられた反射ミラー41に斜めに
入射する。したがって、反射ミラー41にレチクルマー
ク42の像が形成される。 この像は反射ミラー41で入射光と等しい角度に反射さ
れ、投影レンズ3を通ってレチクルマーク42を背面か
ら照明する。なお、第1図中反射ミラー41からの垂線
で示される反射光の光路は、背面照明光の光路を模式的
に示す仮想光路である。 この背面照明光のうち、レチクルマーク42を透過した
光がミラー53、レンズ52、ハーフミラー51、レン
ズ54、55、56を介して2次元受光センサ57の受
光面に入射する。 前述の如く、レチクルマーク42に照射される照明光の
光軸Pは投影レンズ3の入射6122の中心23を通ら
ず、反射ミラー4lに斜めに入射する関係となっている
。2テーブル1上に設けられた反射ミラー41が投影レ
ンズ3の焦点位置(2一〇)にあるときには、背面照明
光中の反射不透明マーク部の像44bが、丁度、レチク
ルマーク42に設けられた不透明マーク部44の背面に
結像する。この場合には、不透明マーク部44の像44
mだけが2次元受光センサ57の受光面に結像する。 一方、反射ミラー41が投影レンズ3の焦点位置にない
ときには、照明光が反射ミラー41に斜めに入射するた
め、背面照明光中の反射不透明マーク部の像44bはレ
チクルマーク42に設けられた不透明マーク部44から
ずれた位置に結像する。したがって、この場合には、不
透明マーク部44の像44aと反射不透明マーク部の像
44bとの両方が2次元受光センサ57の受光面に結像
する。不透明マーク部44の像44aの光強度は、通常
、反射不透明マーク部の像44bの光強度より低い。ま
た、受光面上において反射不透明マーク部の像44bが
結像される位置は、反射ミラー41の現在位置によって
左右される。すなわち、反射ミラー41が投影レンズ3
の焦点位置(zamO)より下(2−+Δf)に位置し
ているときには、第3図に示すように、不透明マーク部
44の像44aよりy方向右側に反射不透明マーク部の
像44bが結像する。また、反射ミラー41が投影レン
ズ3の焦点位置(z−0)より上に(z −一Δf)位
置しているときには、第3図中に2点鎖線で示すように
不透明マーク部44の像44aよりy方向左側に反射不
透明マーク部の像44bが結像する。 この結像情報は、画像処理装置59で波形成形された後
、演算装置60によって次のように処理される。 ffi4図(a)は反射ミラー41が投影レンズ3の焦
点位置(z−0)より下(z−+Δf)に位置している
ときに、不透明マーク部44の像44aと反射不透明マ
ーク部の像44bとの結像によって起こる受光面上の光
強度lの分布を示している。また、m4図(b)は反射
ミラー41が投影レンズ3の焦点位置(z−0)より上
(z −−Δf)に位置しているときの受光面上の光強
度■の分布を示している。さらに、第4図(C)は反射
ミラー41が投影レンズ3の焦点位置(Z−10)に位
置しているときに、不透明マーク部44の像44gの結
像によって起こる受光面上の光強度Iの分布を示してい
る。第4図から判るように、受光面上に結像した像44
bの位置は、投影レンズ3の焦点位置に対する反射ミラ
ー41のずれ量およびずれ方向を表している。 画像処理装置59は、2次元受光センサ57の出力に波
形処理を行って光強度が最低ILである点のy方向位置
Yoを検出する。この最低点位置y0は、前記説明から
判るように不透明マーク部44の像44aのy方向中心
位置である。画像処理装ri159は、さらに一定の光
強度レベル■。を設定し、この光強度レベル!。と光強
度分布曲線とが交わるy方向位置)’+1  3’21
  3/)l  Vaを検出する。そして、yoを基準
にし、yoの両側について、Yoから最も遠い交点位置
をそれぞれ抽出する。第4図(a)、(b)に示す場合
には、Y++74がそれぞれ抽出される。次にsY+ 
と’ioの間の距離Y,およびy0とy4との間の距離
Y2を検出する。この検出は間欠的に行われる。 そして、検出出力、つまりY,,Y2が演算装置60に
導入される。演算装置60は、Y,,Y2の大きさから
、投影レンズ3の焦点位置(z−0)を基準にして反射
ミラー41が現在どちらに位置している判定する。すな
わち% Yl <y,のときには焦点位置より下に位置
していると判定し、またYl >y,のときには焦点位
置より上に位置していると判定し、ざらにY,−Y.の
ときには焦点位置に位置していると判定する。Y,<Y
2、Y,>y2のときには判定信号をマイクロプロセッ
サ61に与える。マイクロプロセッサ61は、判定信号
に対応した+E,−Hの出力信号を2テーブルコントロ
ーラ62に与える。2テーブルコントローラ62は、十
Eの入力信号が与えられるとアクチュエータ7を一定の
速度で伸長させる制御信号を出力し、またーEの入力信
号が与えられるとアクチュエータ7を一定の速度で収縮
させる制御信号を出力する。したがって、ついには第4
図(c)に示すように、Y,一Y2、つまり投影レンズ
3の焦点位置に反射ミラー41が位置するように2テー
ブル1の高さが自動的に調整され、ここに焦点合わせ動
作が良好に行われることになる。 この場合、焦点ずれ量を検出する手段として、光強度レ
ベルではなく、2次元受光センサ57の受光面上に結像
する不透明マーク部44の像44aと反射不透明マーク
部の像44bとの相対的な関係から検出するようにして
いるので、照明光源がエキシマレーザ光源のような場合
でも、この光源の影響を受けずに焦点ずれ量を感度良く
検出することができる。その結果、高精度な焦点合わせ
が可能となる。また、当初の位置ずれ方向も直ちに検出
できるので、焦点合わせに要する時間も短くできる。 なお、上述した実施例では、マスクマーク42に、反射
形で、かつスリット状の不透明マーク部44を1つだけ
設けているが、第5図に示すように、マスクマーク42
gに反射形で、スリット状をなし、しかも同一寸法の2
つの不透明マーク部71、72を平行に設けるようにし
てもよい。このようなマーク構成であると、反射ミラー
41が投影レンズ3の焦点位置にないとき、つまり焦点
ずれのときには、2次元受光センサ57の受光面上に第
6図に示すように、不透明マーク部71、72の像71
a,72aと反射不透明マーク部の像7lb,?2bと
が結像する。この場合も像71Jl,72aより像7l
b,72bの方が常に明るい。したがって、両像を識別
することは容易である。 ′!J7図は、結像した像71a,72a,7lb,7
2bによって起こる受光面上の光強度lの分布を示して
いる。すなわち、第7図(a)は反射ミラー41が投影
レンズ3の焦点位置(z−0)より下(z−m+Δf)
に位置している場合を示し、第7図(b)は反射ミラー
41が投影レンズ3の黒点位置(z−0)に位置してい
る場合を示し、第7図(C)は反射ミラー41が投影レ
ンズ3の焦点位置(zmO)より上(z一−Δf)に位
置している場合を示している。 そこで、画像処理装置59および演算装置60で次のよ
うな処理を行なわせる。すなわち、第7図に示すように
像71a,72aについて光強度が最低ILの点のy方
向位置y。l+Yo2を検出する。また、所定の光強度
レベルI0を設定し、この1。と光強度分布曲線との交
点のy方向位置yt+ y21 yin y41 Vs
+ y61 )’71y8を検出する。そして、War
を基準とし、Yo1から距離Y。の範囲内で、かつy方
向に最も遠い交点位置、第7図(a)   (c)に示
す例ではy4までの距離Y,を検出する。同様に、Yo
zを基準とし、yo2から距離Y。の範囲内で、かつ反
y方向に最も遠い交点位置、第7図(a)、(c)に示
す例ではy5までの距M Y 2を検出する。これら検
出値Y,,Y2を演算装置60に導入し、この演算装置
60においてΔε−IY’+−IYzlの演算を行なわ
せる。このΔεは第7図および第8図に示すように、焦
点ずれ量とずれ方向とを含んだ値となる。このΔεがマ
イクロプロセッサ61に与えられる。マイクロプロセッ
サ61はΔεを零とする制御信号を2テーブルコントロ
ーラ62に与える。したがって、このようにしても前記
実施例と同様、良好に焦点合わせを行うことができる。 上述した実施例では、Y,とY2とが等しくなるように
アクチュエータ7を制御しているが、第7図(b)から
判るように、反射ミラー41が投影レンズ3の焦点位置
に位置したとき、像71a,72aの光強度分布は、光
強度の最低点位置y。I,Yo2を境にして対称となる
。したがって、位置)’ Ol+  )+ 02を基準
にし両側の光強度分布を積分し、この積分値の差が零と
なるようにアクチュエータ7を制御してもよい。たとえ
ば、第7図(a)、(c)に示す場合を例にとると、レ
ベル!。との交点位置y,から中心位置yo,までの光
強度分布(ただし、!。以下の領域のみ)を積分して積
分値SIを得る。同様に中心位置y0,から交点位置y
4までの光強度分布を積分して積分値S2を得る。また
、交点位置y,から中心位置Yo2までの光強度分布を
積分して積分値S3を得、さらに中心位置y0,から交
点位置y8までの光強度分布を積分して積分値S4を得
る。そして、S,−S2一〇あるいはSs−34−0と
なるようにアクチュエータ7を制御してもよい。勿論、
S2−S,一〇あるいはS.−S4 −0となるように
アクチュエータ7を制御してもよい。 また、第7図(b)から判るように、反射ミラー41が
投影レンズ3の焦点位置上にあるときには、レベルl。 との交点位置は中心位置Y Ol+”lo2を境にして
両側にそれぞれ1箇所しか現れない。そして、各像につ
いて上記交点を結ぶ距離jlt、fi2は、他の如何な
る条件の場合より最小となる。したがって、y1とy4
とを結ぶ距離p,を検出するとともにy,とy8とを結
ぶ距離fl2を検出し、flsあるいはp2が最小とな
るようにアクチュエータ7を制御するようにしてもよい
。 第9図は第1図における照明光学系46をより実用的に
構成した実施例を示すもので、第1図と同一部分が同一
符号で示してある。したがって、重複する部分の詳細な
説明は省略する。 この実施例における照明光学系46aでは、光源48か
ら出射された光49をレンズ50、プレーンパラレル8
1、ハーフミラー51、ミラー53、レンズ82を介し
てレチクル4に設けられたレチクルマーク42に向けて
斜めに入射させている。そして、先の実施例と同様に、
反射ミラー41に斜めに光を入射させるために照明光の
光軸が投影レンズ3の入射@22の中心23を通らない
ようにしている。 プレーンパラレル81は、従来の照明光学系でも用いら
れる場合が多い。この実施例では、そのブレーンパラレ
ル81を利用している。なお、初期状態を設定するため
に、照明光が入射瞳22の中心23を通るようにブレー
ンパラレル81の角度を一旦設定し、ブリアライメント
を行った後にプレーンパラレル81の角度を変えて照明
光が入射@22の中心23を通らないようにして本発明
のアライメントを行ってもよい。 第10図には本発明の焦点合わせ装置をマスク欠陥検査
装置に適用した実施例が示されている。 なお、この図では第1図および第9図と同一部分あるい
は相当する部分を同一符号で示してある。 したがって、重複する部分の詳しい説明は省略する。 検査対象となるレチクル91は、アクチュエータ7によ
って2軸方向の位置が可変される2テーブル92の上面
に支持されている。このマスク欠陥検査装置では、検査
照明系93でレチクル91を上面から照明し、レチクル
91のパターンの、たとえば一部を対物レンズ94を通
して拡大し、これを基準レチクル95面上に投影する。 そして、この基準レチクル95の投影面とほぼ同一高さ
に設けられたセンサ(たとえばCCDセンサ)96で投
影されたパターンを検出して検査するようにしている。 ここで、対物レンズ94の焦点に検査対象となるレチク
ル91の面を合わせるために本発明の焦点合せ方法が適
用されている。レチクルマーク42は基準レチクル95
の周辺部に設けられている。このレチクルマーク42に
光源48から出射した光49がレンズ50,プレーンパ
ラレル81、ハーフミラー51、ミラー53、レンズ8
2を介して斜めに照射される。この照射光は、対物94
の入射@97の中心98を通らずにレチクル91の面に
斜めに入射する。この実施例では、反射ミラー41を設
ける代りにレチクル91に形成された鏡面を利用してい
る。このレチクル91の面で反射した光は、先の実施何
と同様に対物レンズ94を通ってレチクル42を背面か
ら照明する。 この背面照明光のうち、レチクルマーク42を透過した
光が2次元受光センサ57の受光面に入射する。したが
って、前記実施例と同様の作用、効果が得られることな
る。 なお、上述した実施例では、反射手段としての反射ミラ
ー41あるいはレチクル面に照明光を斜めに入射させる
ために、対物レンズの入射瞳の中心を通らないように照
明光を照射しているが、これに限定されるものではなく
、従来と同様に入射瞳の中心を通るように照明光を照射
し、たとえば途中に設けた光路変更光学系等により光路
を変更させ、結果として反射手段に斜めに光が入射する
ようにしてもよい。また、反射ミラー41を用いずにウ
ェハ2の鏡面を利用してもよいことは明白である。また
、上記実施例はレンズが片テ−レセントリックの例であ
るが、両テレセントリックのものにも同様に適用できる
。 さらに、上記実施例では、レンズの焦点位置に位置合せ
すべき基板に反射手段を、他方の基板にマーク手段を設
けているが、逆の構成でも勿論よい。
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、焦点ずれ量を感度良く
検出できるので、その結果として精度の高い焦点合わせ
が実現できる。したがって、温度、圧力、照明光波長の
変動に伴う投影レンズの焦点位置変化に関係なく焦点合
わせを正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る焦点合せ装置を組み込
んだ縮小投影露光装置の概略構成図、第2図は同焦点合
せ装置の一部をなすレチクル(マスク)マークの平面図
、第3図は2次元受光センサの受光面に結像する不透明
マーク部の像および反射不透明マーク部の像の位置関係
と焦点ずれとの関係を説明するための図、第4図は同焦
点合せ装置の動作を説明するための図、第5図は本発明
の別の実施例に係る焦点合せ装置におけるレ゛チクルマ
ークの平面図、第6図は同装置における2次元受光セン
サの受光面に結像する不透明マーク部の像および反射不
透明マーク部の像の位置関係と焦点ずれとの関係を説明
するための図、第7図および第8図は同焦点合せ装置の
動作を説明するための図、第9図は本発明の別の実施例
に係る焦点合せ装置を組み込んだ縮小投影露光装置の概
略構成図、第10図は本発明のさらに別の実施例に係る
焦点合せ装置を組み込んだマスク欠陥検査装置の概略構
成図、jfill図は従来の焦点合せ装置を組み込んだ
縮小投影露光装置の概略構成図、第12図は同焦点合せ
装置で用いているフィジェシアルマークの平面図、第1
3図および第14図は同焦点合せ装置の原理を説明する
ための図である.1・・・2テーブル、2・・・ウエハ
、3、94・・・投影レンズ、4、91・・・レチクル
、5・・・露光光、7・・・アクチュエータ、22、9
7・・・入射瞳、23、98・・・入射瞳の中心、41
・・・反射ミラー、42、42a・・・レチクル(マス
ク)マーク、43・・・透明部、44、71、72・・
・不透明マーク部、44a,71a,72a−・・不透
明マーク部の像、44b,7lb,72b・・・反射不
透明マーク部の像、46、46a・・・照明光学系、4
7,478・・・検出光学系、57・・・2次元受光セ
ンサ、59・・・画像処理装置、60・・・演算装置、
61・・・マイクロプロセッサ、62・・・2テーブル
コントローラ。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レンズを挟んで一方に第1の基板を配置するとと
    もに他方にパターンの描かれた第2の基板を配置し、上
    記パターンの少なくとも一部を上記レンズを通して上記
    第1の基板上に投影するために上記レンズの焦点位置に
    上記第1の基板あるいは第2の基板面を位置合せするた
    めの装置であって、前記第1あるいは第2の基板を保持
    する移動テーブルと、この移動テーブルを駆動するアク
    チュエータと、前記第1あるいは第2の基板のうちの一
    方の基板面あるいはその近傍に形成あるいは配置された
    反射手段と、他方の基板に設けられるとともに一部に不
    透明マーク部を有したマーク手段と、このマーク手段に
    入射した照明光が前記レンズを透過して前記反射手段に
    斜めに入射する関係に照明光を照射する照明光学系と、
    この照明光学系から照射された光のうち前記マーク手段
    、前記レンズを透過して前記反射手段に至り、この反射
    手段に斜めに入射した後に反射されて上記レンズを再び
    透過し、前記マーク手段を背面から照明して透過した背
    面照明光を検出する受光手段と、この受光手段の受光面
    上に結像した前記マーク手段の不透明マーク部の像と前
    記背面照明光中に含まれて上記受光面上に結像した反射
    不透明マーク部の像との相互関係から焦点ずれ量を検出
    する検出手段と、この検出手段によって検出された結果
    に基いて前記アクチュエータを制御する制御手段とを具
    備してなることを特徴とする焦点合せ装置。
  2. (2)レンズを挟んで一方に第1の基板を配置するとと
    もに他方にパターンの描かれた第2の基板を配置し、上
    記パターンの少なくとも一部を上記レンズを通して上記
    第1の基板上に投影するために上記レンズの焦点位置に
    上記第1の基板あるいは第2の基板面を位置合せするた
    めの方法であって、その表面あるいはその近傍に光を反
    射する反射手段が形成あるいは設けられている前記第1
    あるいは第2の一方の基板と、一部に不透明マーク部を
    有したマーク手段が設けられた他方の基板とを準備する
    とともに、上記第1あるいは第2の基板の少なくとも一
    方をアクチュエータにより駆動される移動テーブルに保
    持し、照明光学系から照射された照明光が前記マーク手
    段に入射した後に前記レンズを透過して前記反射手段に
    斜めに入射するように照明光を照射し、この照明光が前
    記反射手段に入射した後に反射されて前記レンズを再び
    透過し、前記マーク手段を背面から照明して透過した背
    面照明光を受光手段で受光し、前記受光手段の受光面上
    に結像した前記マーク手段の不透明マーク部の像と前記
    背面照明光中に含まれて上記受光面上に結像した反射不
    透明マーク部の像との相互関係から焦点ずれ量を検出手
    段で検出し、この検出手段によって検出された結果に基
    いて前記移動テーブルを駆動するアクチュエータを制御
    して焦点位置合せを行なうことを特徴とする焦点合せ方
    法。
  3. (3)前記照明光は、光軸が前記レンズの入射瞳の中心
    を通らない関係に前記マーク手段に向けて照射されるこ
    とを特徴とする請求項2に記載の焦点合せ方法。
  4. (4)前記照明光は、光軸が前記レンズの入射瞳のほぼ
    中心を通る関係に照射された後に光路途中に設けられた
    光路変更手段によって光路を変えられ、前記反射手段に
    斜めに入射することを特徴とする請求項2に記載の焦点
    合せ方法。
  5. (5)前記検出手段は、前記受光面上に結像した象の位
    置関係を検出し、それに基いて焦点ずれ量を検出すると
    ともに合焦点位置からの位置ずれ方向をも検出すること
    を特徴とする請求項2に記載の焦点合せ方法。
  6. (6)前記反射手段は、前記移動テーブル上に設けられ
    た反射ミラーであることを特徴とする請求項2に記載の
    焦点合せ方法。
  7. (7)前記反射手段は、前記一方の基板のほぼ鏡面に形
    成されている表面を利用したものであることを特徴とす
    る請求項2に記載の位置合せ方法。
  8. (8)前記マーク手段の不透明マーク部は、少なくとも
    1本のスリット状に形成されてなることを特徴とする請
    求項2に記載の焦点合せ方法。
  9. (9)前記照明光学系の光源としてレーザ光を用いるこ
    とを特徴とする請求項2に記載の焦点合せ方法。
  10. (10)前記レーザ光は、エキシマレーザ光であること
    を特徴とする請求項9に記載の焦点合せ方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06112106A (ja) * 1992-09-01 1994-04-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> オブジェクト画像焦点合わせ装置及び方法、並びにマスク画像焦点合わせ装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06112106A (ja) * 1992-09-01 1994-04-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> オブジェクト画像焦点合わせ装置及び方法、並びにマスク画像焦点合わせ装置

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