JPH04343004A - 配線パターン検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的手段により配線
パターンの検査を行う配線パターン検査装置に関する。

【０００２】近年、電子部品の高密度化、小型化が進む
につれて、物体の３次元形状を非接触で検査する方法の
開発が進められている。

【０００３】プリント基板においても高密度化は進めら
れており、配線パターンも数十μｍ〜数μｍ　の幅と厚
みとなってきている。このような微細な配線パターンを
外観検査しようとした場合、人手による目視検査では検
査の信頼度及び検査速度等の点で対応しきれなくなって
きている。

【０００４】よって、上記のような微細な配線パターン
を高い信頼性をもって、かつ迅速に検査し得る配線パタ
ーン検査装置が望まれている。

【０００５】

【従来の技術】図１１に従来の配線パターン検査装置の
構成図を示す。同図に示される配線パターン検査装置１
は、大略するとレーザ走査型光学系２と光検知系３とに
より構成されている。

【０００６】レーザ走査型光学系２はレーザ発生装置４
，ビームエクスパンダー５，一対の反射ミラー６（一方
の反射ミラーは図に現れず），ポリゴンスキャナー７，
スキャンレンズ８等により構成されている。また、光検
知系３は、結像レンズ９，光分割ユニット１０，光電子
増倍管（ホトマル）１１，１２等により構成されている
。また、１３は配線パターン検査装置１により検査が行
われる被検査基板である。被検査基板１３の上部には配
線パターン１４が形成されている。

【０００７】レーザ発生装置４から発射されるコリメー
トレーザ光はビームエクスパンダー５で拡大され反射ミ
ラー６を介してポリゴンスキャナー７に入射される。こ
れによりコリメートレーザ光は所定範囲をスキャンする
走査光となる。この走査光は、例えばｆθレンズ等のス
キャンレンズ８で絞られ、反射ミラー１５を介して被検
査基板１３に所定の角度で照射される。

【０００８】被検査基板１３で反射された反射光は結像
レンズ９で集光され、続いて光分割ユニット１０により
異なる２方向の反射光に分割された上で、ホトマル１１
，１２に入射される。このホトマル１１，１２が出力す
るホトマル信号出力より、被検査基板１３に形成された
配線パターン１４の高さ（Ｈ）及び明るさ（Ｉ）を検出
することができる。いま、ホトマル１１のホトマル信号
出力をＡ，ホトマル１２のホトマル信号出力をＢとする
と、 　　高さ　　：Ｈ＝α・（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　（１）　　明るさ：Ｉ＝α・（Ａ＋Ｂ）　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　（２）で求めることができる。こ
こで、αはホトマル１１，１２における増幅率を示す。

【０００９】ここで、図１２に、従来の光分割を説明す
るための図を示す。図１２（Ａ）は、図１１における光
分割ユニット１０を示したもので、光軸方向に対し斜め
方向に設置した画像スプリッタにより構成される。この
画像スプリッタ１０は、光遮光部１０ａと光透過部１０
ｂにわかれ、光遮光部１０ａに当たった反射光は、透過
出来ず、反射する。従って、画像スプリッタ１０での結
像位置が、光分割位置と一致した場合に光が２つに分割
される。

【００１０】また、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の側
面図、及び、任意の光軸位置での計測範囲と計測感度の
関係を示したもので、図のように結像ビームの焦点位置
に設置すると最も高感度が得られる。しかし、計測範囲
は狭くなる。また、画像スプリッタを焦点位置０に設置
すると狭くなり焦点位置からＺだけ離した場合、計測範
囲は広くなるが、感度は悪くなるという関係がある。

【００１１】また、図１３に、従来の２分割画像スプリ
ッタによるパターン高さ計測を説明するための図を示す
。対象のパターンの厚みがｈとすると、高さ計測範囲は
、それ以上の幅ｗが必要となる。従って、この画像スプ
リッタ１０を焦点面に設置することは出来ない。そこで
、図１３に示すように、画像スプリッタ１０をＺ０　だ
け動かし、目標計測範囲（ｗ）をえるもので、それぞれ
の反射光ａ，ｂは、画像スプリッタ１０でＲ１　，Ｒ２
　に分割される。

【００１２】一方、画像スプリッタ１０には、他にもう
一つの反射光も入射する。ここで、図１４に、図１１に
おける配線パターンの画像を説明するための図を示す。 図１４において、被検査基板１３は基材１３ａ上の透明
物質の絶縁層１３ｂ上に配線パターン１４が形成された
もので、レーザ光の照射により、その位置に応じてパタ
ーン１４からの反射光ａ，絶縁層１３ｂ表面からの反射
光ｂ，及び絶縁層１３ｂを透過して基材１３ａ表面から
の無効な反射光ｃが得られる。そして、これらの反射光
ａ〜ｃが２分割ユニット１０上に結像し、前述の（１）
　式、（２）　式より高さ、明るさが求められる。

【００１３】ところで、パターン高さ、及び、基材高さ
を計測する場合、２分割画像スプリッタでは、ｃの反射
光をホトマルＡは、検知するため基材（下層電源層）で
の反射光は誤差成分となり、高精度な高さ計測は望めな
い。

【００１４】そこで、図１５に、従来における反射光を
３つの領域に分割することを説明するための図を示す。 図１５において、反射光ａ，ｂに対して反射光ｃの結像
面（焦点位置）Ｆは前方にずれており、高精度に高さ計
測を行うために２つの光分割位置を設けている。すなわ
ち、第１の画像スプリッタ１６と第２の画像スプリッタ
１７が光進行方向と斜めに平行（幅ｄ）して設けられる
。第１の画像スプリッタ１６の下方に反射率の高い第１
のマスク部１６ａを設けて第１の光分割位置とし、第２
の画像スプリッタ１７の上方に反射率の高い第２のマス
ク部１７ａを設けて第２の光分割位置としている。

【００１５】第１の光分割位置は、パターン１４の高さ
計測を行うもので、反射光ａ，ｂの焦点位置よりデフォ
ーカス量Ｄだけずらした位置に設置され、この位置にお
いて高さ計測範囲ｗが決定する。換言すれば、デフォー
カス量Ｄは必要高さ範囲より決定される値である。いま
、Ｚ方向から進行する反射光ａは第１のマスク部１６ａ
により２つの方向に分割され、不要な反射光ｃは第２の
マスク部１７ａにより遮光される。これにより、パター
ン高さを計測するにあたり、反射光ｃを遮光して反射光
ａ，ｂにより高精度に計測を行えるものである。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図１３に示す
画像スプリッタ１０による高さ計測は、該画像スプリッ
タ１０が焦点位置よりＺ０　の距離だけずれていること
から、感度が悪くなると共に、反射光ａ，ｂの分割位置
が反射光（ビーム）の中心からずれており、感度がさら
に悪くなるという問題がある。

【００１７】また、図１５に示す場合は、第１及び第２
の画像スプリッタ１６，１７が位置される幅ｄは数十〜
数百μｍ　であり、２つの分割スプリッタを等間隔ｄで
設置することが非常に困難であると共に、反射光ａ，ｂ
の分割ラインを平行にアライメントすることができない
という問題がある。

【００１８】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、配線パターンの高さ及び明るさを容易かつ高精
度に検査する配線パターン検査装置を提供することを目
的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題は、配線パター
ンが形成された被検査体上にレーザ光照射手段によりレ
ーザ光を照射し、該被検査体で反射された表面反射光と
パターン反射光を光分割手段により分割し、該分割され
た光を複数の光検出手段で検出し、該複数の光検出手段
の出力より該被検査体に形成された配線パターンの検査
を行う配線パターン検査装置において、前記光分割手段
は、透明部材の一方面の下方に第１の遮光部を形成する
と共に、該透明部材の他方面の上方に無効反射光のみを
反射させる第２の遮光部を形成し、該第１及び第２の遮
光部の間に光透過領域を設け、又は、前記透明部材の一
方面の上方に、該第１の遮光部との間に光透過領域を介
在させて第３の遮光部を形成することにより解決される
。

【００２０】一方、配線パターンが形成された被検査体
上にレーザ光照射手段によりレーザ光を照射し、該被検
査体で反射された表面反射光とパターン反射光を光分割
手段により分割して該被検査体に形成された配線パター
ンの検査を行う配線パターン検査装置において、前記光
分割手段は、前記反射光を所定方向に屈折させる光分割
板により構成し、該光分割板からの屈折光を検出する光
位置検出手段を設け、適宜前記光分割板を、２種類の異
なるホログラムにより形成する。

【００２１】

【作用】上述のように、光分割手段の透明部材に設けた
第２の遮光部により無効反射光を反射させ、第１の遮光
部により有効反射光を反射及び透過させる。この有効反
射光の反射された光及び透過させた光をそれぞれの光検
出手段により検出させ、この出力により配線パターンの
高さ及び明るさを検査する。また、第３の遮光部を設け
、無効反射光を透明部材の内部で第２及び第３の遮光部
間を反射させる。一方、光分割手段を光分割板、例えば
２種類の異なるホログラムにより構成する。このホログ
ラムにより反射光を屈折させ、有効反射光を光位置検出
手段により検出し、この出力により配線パターンの高さ
及び明るさを検査する。

【００２２】これにより、無効反射光の影響を受けるこ
となく、配線パターンの高さ及び明るさを容易かつ高精
度に検査することが可能となる。

【００２３】

【実施例】図１に、本発明の第１の実施例の構成図を示
す。図１は、配線パターン検査装置１の構成図を示した
もので、図１１と同一の構成部分には同一符号を付す（
以下の図において同じ）。図１において、配線パターン
検査装置１は、レーザ走査型光学系２，及び、光検知系
３から成る。レーザ発生装置４からのコリメートレーザ
光を、ビームエクスパンダー５で拡大し、ポリゴンスキ
ャナー７に入射し、レーザ光を走査するものである。 この走査光を、スキャンレンズ８（例えばｆθレンズ）
で絞り、被検査体であるプリント基板１３の配線パター
ン１４に対し、反射ミラー１５により所定の角度で照射
する。配線パターン１４からの反射光は、所定の検知角
度で設置した光学系３で検知され、結像レンズ９により
集光される。この集光位置付近であって光軸上に光分割
手段である３分割画像スプリッタ２０（後述する）を設
置する。この画像スプリッタ２０による分離後の透過光
、反射光は光検出手段てあるホトマルチプライヤ（以下
「ホトマル」という）１１，１２により検知し、該ホト
マル１１，１２の画像信号に基づいて演算部２１により
配線パターン１４の高さ（Ｈ）及び明るさ（Ｉ）を算出
するものである。

【００２４】ここで、図２に、図１の３分割画像スプリ
ッタを説明するための図を示す。図２（Ａ）は３分割画
像スプリッタ２０の光路図であり、図２（Ｂ）は配線パ
ターン１４の反射を示したものである。図２（Ａ）にお
いて、３分割画像スプリッタ２０は、表面が平坦な厚さ
ｄ，屈折率ｎ２　の透明部材であるガラス板２５の一方
面の下方に第１の遮光部２６ａが設けられ、他方面の上
方に第２の遮光部２６ｂが設けられたものである。

【００２５】いま、図１におけるレーザ発生装置４から
のレーザ光がスキャンされてプリント基板１３（絶縁層
１３ｂ，図１４参照）上及び配線パターン１４上を照射
する。図２（Ｂ）に示すように、配線パターン１４上の
反射光Ｐにおける計測範囲がｗ１　であり、絶縁層１３
ｂ上の反射光Ｓによる計測範囲がｗ２　である。

【００２６】そこで、配線パターン１４からの反射光Ｐ
は、ガラス板２５内を透過し、第２の光遮光部２６ｂの
点Ｎの位置で分割され、一部は透過（ＴＰ　）し、その
他は反射（ＲＰ　）する。また、基材（絶縁層１３ｂ）
表面からの反射光Ｓも同様に、第１の遮光部２６ａの点
Ｍの位置で分割され、一部は透過（ＴＳ　）し、その他
は反射（ＲＳ　）する。このそれぞれの透過光ＴＰ　，
ＴＳ　及びＲＰ　，ＲＳが図１におけるホトマル１１，
１２により光強度として検出されて、配線パターン１４
の高さ（Ｈ）及び明るさ（Ｉ）を計測するものである。

【００２７】すなわち、配線パターン１４の高さが変化
することにより、３分割画像スプリッタ２０に入射され
るパターン反射光Ｐの入射位置も変化し、これによりホ
トマル１１とホトマル１２に入射されるパターン反射光
Ｐの割合は変化する。具体的には、ホトマル１１に入射
するパターン反射光Ｐの割合が大きい程、配線パターン
１４の高さは高くなり、逆にホトマル１２に入射するパ
ターン反射光Ｐの割合が大きい程、配線パターン１４の
高さは低くなる。また、各ホトマル１１，１２は入射さ
れる光の光量に対応したホトマル信号を生成する。従っ
て、各ホトマル１１，１２が出力するホトマル信号より
演算部２１で配線パターン１４の高さＨを検出すること
ができる。また、パターン反射光Ｐの明るさＩは各ホト
マル１１，１２に入射されたパターン反射光Ｐの総和で
求められるため、各ホトマル１１，１２が出力するホト
マル信号を加算することによりパターン反射光Ｐの明る
さＩを求めることができる。

【００２８】ここで、図２（Ａ）中、計測範囲ｗはｗ＝
ｗ１　＋ｗ２　であり、光透過領域Ｓ２　は入射角θ１
　，２つの光の光軸ずれＸ，及びガラス板２５の厚みｄ
により定まる値である。すなわち、Ｓ２　は、 　　　　　　　　　　Ｓ２　＝ｄ・ｔａｎ　〔ｓｉｎ　
−１｛（ｎ２　／ｎ１　）・ｓｉｎ　θ１　｝〕　　　
　　　　　　　　　　　＋Ｘ／ｃｏｓ　θ１　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　…　（３）で表わされる。

【００２９】一般的に配線パターン１４の幅が数μｍ　
程度であると、図２（Ａ）中Ｘの値が数μｍ　〜数十μ
ｍ　となり、Ｍ点及びＮ点をそれぞれ通る分割線（紙面
上垂直方向）は、その空間位置関係を数μｍ　以下の精
度で製作する必要があると共に、全光走査領域（数十ｍ
ｍ，図１参照）に対して直線であり、かつ、２つの線は
平行でなければならない。

【００３０】そこで、図３に、図１及び図２における３
分割画像スプリッタの製造工程図を示す。図３において
、まず、厚さｄ、屈折率ｎ２　のガラス板２５の一方面
（Ａ面）に、例えばアルミニウム等の金属でスパッタリ
ングにより第１の遮光膜２６ａを形成する（図３（Ａ）
）。次に、ガラス板２５の他方面（Ｂ面）にレジスト２
７を塗布し、Ａ面側から角度φ１　の方向で露光を行う
（図３（Ｂ））。この場合、Ｂ面のレジスト２７は、第
１の遮光部２６ａの影により、露光される部分と露光さ
れない部分に分かれる。すなわち、第１の遮光部２６ａ
の直下と、Ｍ点から露光方向への距離Ｓ２　までの部分
が露光されない領域となる。このＳ２　は、　　Ｓ２　
＝ｄ・ｔａｎ　〔ｓｉｎ　−１｛（ｎ１　／ｎ２　）・
ｓｉｎ　φ１　｝〕　　　　　　　　　　　　…　（４
）で表わされる。ここで、光入射角φ１　は、図２にお
けるｘ，ｄ，θ１　が定まれば求められるものであり、
次式で表わされる。

【００３１】 　　φ１　＝ｓｉｎ　−１〔（ｎ２　／ｎ１　）・ｓｉ
ｎ　｛ｔａｎ　−１（Ｔ）｝〕　　　　　　　　　　　
　…　（５）ここで、Ｔは、 　　Ｔ＝｛ｄ・ｔａｎ　〔ｓｉｎ　−１（（ｎ１　／ｎ
２　）・ｓｉｎ　θ１　）〕　　＋（ｘ／ｃｏｓ　θ１
　）｝／ｄ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…　（６）
である。なお、ｎ１　ｓｉｎ　φ１　＝ｎ２　ｓｉｎ　
φ２　の関係を有する。

【００３２】そして、ガラス板２５の現像を行い、露光
部分のレジストを除去した後、例えばアルミニウム等の
金属をスパッタリングにより第２の遮光部２６ｂを形成
し、残りのレジストを剥離するものである（図３（Ｃ）
）。従って、予めφ１　の入射角で第２の遮光部２６ｂ
を形成し、使用時にはθ１　の入射角で用いるものであ
る。但し、この場合の実際の反射光透過領域はＳ１　の
範囲である（図２（Ａ））。

【００３３】これにより、第２の遮光部２６ｂは第１の
遮光部２６ａの影により形成することから、ガラス板２
５に高精度に２つの分割ラインを形成することができる
。

【００３４】次に、図４に、本発明の第２の実施例の構
成図を示す。図４は、図１における配線パターン検査装
置１の３分割画像スプリッタ２０を置換えたもので、他
の構成は図１と同様である。図４の３分割画像スプリッ
タ２０ａは、図１における３分割画像スプリッタ２０の
ガラス板２５の一方面（Ａ面）の上方に第３の遮光部２
６ｃを形成したもので、第１〜第３の遮光部２６ａ〜２
６ｃを有するものである。いま、図１４に示すようなプ
リント基板１３からの反射光には、配線パターン１４か
らの反射光Ｐ（図１４のａに相当）、絶縁層１３ｂ表面
からの反射光Ｓ（図１４のｂに相当）及び基材（下層の
電源層等）１３ａ表面からの反射光Ｑ（図１４のｃに相
当）がある。従って、３分割画像スプリッタ２０ａでは
、反射光Ｐの一部は第１の遮光部２６ａにより反射（Ｒ
Ｐ　）し、一部は透過（ＴＰ　）する。また、反射光Ｓ
も同様に第１の遮光部２６ａにより一部が反射（ＲＳ　
）し、一部が透過（ＴＳ　）する。そして、反射光Ｑは
第２及び第３の遮光部２６ｂ，２６ｃ間を反射して減衰
消滅するものである。この、透過光ＴＰ　，ＴＳ　が図
１におけるホトマル１１に入射し、反射光ＲＰ　，ＲＳ
　がホトマル１２に入射する。

【００３５】ここで、図５に、図４の３分割画像スプリ
ッタを説明するための図を示す。図５の３分割画像スプ
リッタ２０ａは、Ｚ軸方向からの反射光Ｐ，Ｓ，Ｑは、
３つの領域に分割される。光遮光領域Ｃは反射光Ｑを遮
光するためである。反射光Ｑは、図に示すようにガラス
板２５内で屈折し、Ｐ点で第２の遮光部分２６ｂで反射
し、その反射光は第３の遮光部２６ｃで反射し、これら
を順次繰り返して反射し、この領域の光は外に出ること
ができずに減衰消滅する。即ち、光トラップをかけるこ
とが可能となる。次に、光透過領域Ｂは反射光Ｐ，Ｓを
ガラス板２５内を通過させ、また、光反射領域Ａは第１
の遮光部２６ａのＫ点で反射させてＺ方向からの光を、
この３つの領域に分割する。すなわち、図４に示すよう
に、反射光Ｐ，Ｓ，ＱはＲＰ　，ＲＳ　及びＴＰ　，Ｔ
Ｓ　の反射光に分割されるものである。

【００３６】そこで、図６に、図５の３分割画像スプリ
ッタ２０ａの製造の最終工程図を示す。ガラス板２５に
おける第１及び第２の遮光部２６ａ，２６ｃの形成は、
図３（Ａ）〜（Ｃ）と同様であり、最終工程として、Ａ
面の遮光部２６ｂの分割ラインＮより距離Ｓ３　の位置
に例えばアルミニウム等の金属をスパッタリングにより
形成するものである。この場合、光透過領域Ｂの幅をｘ
（Ｓ１　）とすると、第１の遮光部２６ａの影となる距
離Ｓ２　（Ｓ１　＋Ｓ４　）は前述の式（４），（５）
，（６）　で決定されると共に、上記Ｓ３　においても
幅ｘ，ガラス板２５の厚さｄ及び露光入射角φ１　によ
り決定される。

【００３７】次に、図７に、本発明の第３の実施例の構
成図を示す。図７は、図１における結像レンズ９の反射
光を光分割手段である３分割画像スプリッタ２０ｂに入
射させ、この屈折光をレンズ３０を介してＰＳＤ（光位
置検出素子）３１に入射させて、その出力Ａ，Ｂに基づ
いて演算部２１により配線パターン１４の高さ、明るさ
等を検査するものである。この３分割画像スプリッタ２
０ｂは、例えばホログラムを利用した光分割板３２によ
り構成され、該光分割板３２は後述するように２種類の
異なったホログラムＡ３２ａとホログラムＢ３２ｂによ
り構成される。

【００３８】そこで、図８に、ホログラムによる反射光
３分割を説明するための図を示す。図８において、光軸
方向（結像レンズ９，図１）から進行した入射光Ｉ１　
〜Ｉ８　（図４における反射光Ｐ，Ｓ，Ｑ）は、まず、
Ｉ１　，Ｉ２　の入射光の０次光は直進し、１次光は、
ホログラムＢにより偏向角θ１　，θ２　でＴ１　，Ｔ
２　の方向に進む。また、Ｉ３　〜Ｉ８　の入射光は、
０次光は直進するが、１次光は、ホログラムＡにより偏
向角θ３　〜θ８　でＴ３　〜Ｔ８　の方向に進む。こ
の光は、ＰＳＤ３１で検知し高さ、及び、明るさ情報を
得る。

【００３９】ここで、図９にホログラムの偏向特性を示
す。ホログラムＢについては、一定の偏向角で、ホログ
ラムＡは、反対方向に進むように製作する。これにより
、不要反射成分（図４では反射光Ｑに相当）とその他の
光を分離することが可能となる。また、ホログラムＡに
ついては、図に示したような特性とする。光の入射位置
（図８ではＸ軸方向）に対し偏向角が変化する特性とす
る。

【００４０】そこで、図１０に、図９のホログラムの製
造工程図を示す。図１０（Ａ）において、ホログラム用
感板３３のホログラムＢに相当する領域３３ｂをマスク
３４ａで覆い、ホログラムＡに相当する領域３３ａに、
平行レーザ光の参照光と、焦点位置０１　を手前に設定
したレーザ光を照射して図９の偏向特性を得る干渉縞を
形成する。

【００４１】また、図１０（Ｂ）において、領域３３ａ
をマスク３４ｂで覆い、領域３３ｂに同様に参照光とレ
ーザ光を照射して図９の偏向特性を得る干渉縞を形成す
るものである。

【００４２】このように、ホログラムを用いた３分割画
像スプリッタ２０ｂにより、配線パターン１４の高さ方
向の微小な位置変化がホログラムＡにより拡大されて計
測されることとなり、パターンの欠け、突起、断線、凹
み等が数μｍ　の精度で計測することができ、計測精度
を向上させることができる。

【００４３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、光分割手
段を、単一の透明部材に第１及び第２の遮光部を形成し
、また適宜第３の遮光部を形成し、一方で反射光を屈折
させる光分割板により構成することにより、配線パター
ンの高さ及び明るさを無効反射光の影響を受けることな
く容易かつ高精度に検査することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の構成図である。

【図２】図１の３分割画像スプリッタを説明するための
図である。

【図３】図２の３分割画像スプリッタの製造工程図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施例の構成図である。

【図５】図４の３分割画像スプリッタを説明するための
図である。

【図６】図５の３分割画像スプリッタの製造の最終工程
図である。

【図７】本発明の第３の実施例の構成図である。

【図８】ホログラムによる反射光３分割を説明するため
の図である。

【図９】ホログラムの偏向特性のグラフである。

【図１０】図９のホログラムの製造工程図である。

【図１１】従来の配線パターン検査装置の構成図である
。

【図１２】従来の光分割を説明するための図である。

【図１３】従来の２分割画像スプリッタによるパターン
高さ計測を説明するための図である。

【図１４】図１２における配線パターンの画像を説明す
るための図である。

【図１５】従来における反射光を３つの領域に分割する
ことを説明するための図である。

【符号の説明】 １　　配線パターン検査装置 ４　　レーザ発生装置 １３　　プリント基板 １４　　配線パターン ２０，２０ａ，２０ｂ　　３分割画像スプリッタ２５　
　ガラス板 ２６ａ　　第１の遮光部 ２６ｂ　　第２の遮光部 ２６ｃ　　第３の遮光部 ３１　　ＰＳＤ ３２　　光分割板 ３３　　ホログラム用感板 ３２ａ　　ホログラムＡ ３２ｂ　　ホログラムＢ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　配線パターン（１４）が形成された被
   検査体（１３）上にレーザ光照射手段（４）によりレー
   ザ光を照射し、該被検査体（１３）で反射された表面反
   射光とパターン反射光を光分割手段（２０，２０ａ）に
   より分割し、該分割された光を複数の光検出手段（１１
   ，１２）で検出し、該複数の光検出手段（１１，１２）
   の出力より該被検査体（１３）に形成された配線パター
   ン（１４）の検査を行う配線パターン検査装置において
   、前記光分割手段（２０）は、透明部材（２５）の一方
   面の下方に第１の遮光部（２６ａ）を形成すると共に、
   該透明部材（２５）の他方面の上方に無効反射光のみを
   反射させる第２の遮光部（２６ｂ）を形成し、該第１及
   び第２の遮光部（２６ａ，２６ｂ）の間に光透過領域（
   ｘ）を設けることを特徴とする配線パターン検査装置。
2. 【請求項２】　　前記光分割手段（２０ａ）は、前記透
   明部材（２５）の一方面の上方に、前記第１の遮光部（
   ２６ａ）との間に光透過領域（ｘ）を介在させて第３の
   遮光部（２６ｃ）を形成することを特徴とする請求項１
   記載の配線パターン検査装置。
3. 【請求項３】　　配線パターン（１４）が形成された被
   検査体（１３）上にレーザ光照射手段（４）によりレー
   ザ光を照射し、該被検査体（１３）で反射された表面反
   射光とパターン反射光を光分割手段（２０ｂ）により分
   割して該被検査体（１３）に形成された配線パターン（
   １４）の検査を行う配線パターン検査装置において、前
   記光分割手段（２０ｂ）は、前記反射光を所定方向に屈
   折させる光分割板（３２）により構成し、該光分割板（
   ３２）からの屈折光を検出する光位置検出手段（３２）
   を設けることを特徴とする配線パターン検査装置。
4. 【請求項４】　　前記光分割板（３２）を、２種類の異
   なるホログラム（３２ａ，３２ｂ）により形成すること
   を特徴とする請求項３記載の配線パターン検査装置。