KR920013652A - 광빔 작성방법, 장치, 그것을 이용한 길이 측정방법, 외관검사 방법, 높이 측정방법, 노광방법 및 반도체 집적회로 장치의 제조방법 - Google Patents

광빔 작성방법, 장치, 그것을 이용한 길이 측정방법, 외관검사 방법, 높이 측정방법, 노광방법 및 반도체 집적회로 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

광빔 작성방법, 장치, 그것을 이용한 길이 측정방법, 외관검사 방법, 높이 측정방법 노광방법 및 반도체 집적회로 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예인 광빔작성 장치의 광학계를 나타내는 구성도, 제2도는 본 광빔 작성장치에 설치된 빔분배 쉬프터의 구성을 나타내는 단면도, 제3도는 본 광빔 작성장치에 설치된 빔분배 쉬프터의 구성을 나타내는 평면도.

Claims (24)

  1. 광원에서 방사된 광을 대물렌즈로 수광하여 광빔을 작성하는데 있어서, 상기 광원에서 방사된 광을 2개의 광속으로 분할함과 동시에, 한쪽의 광속의 위상을 반전시킨후, 상기 2개의 광속을 상기 대물렌즈로 수광하도록한 것을 특징으로 하는 광빔작성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광을 강도가 다른 2개의 광속으로 분할하여, 강도가 큰 광속을 대물렌즈의 중심부에 입사시킴과 동시에, 강도가 적은 광속을 대물렌즈의 주변부에 입사시키는 것을 특징으로 하는 광빔작성방법.
  3. 시료와 광원을 연결하는 광로상에 대물렌즈를 배치하고, 상기 광원으로부터 방사된 광을 상기 대물렌즈로수광하여, 상기 시료상에 광빔을 조사하는 광빔작성장치에 있어서, 2개의 광투과영역을 가지는 빔분배 쉬프터를 상기 광원과 상기 대물렌즈와의 사이에 배치하는 동시에, 상기2개의 광투과영역의 한쪽에 위상쉬프터 수단을 설치하고, 상기 2개의 광속의 위상을 서로 역상으로 해서, 상기 2개의 광속을 상기 대물렌즈로 수광하는 것을 특징으로 하는 광빔작성장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 위상쉬프터 수단은, 빔분배 쉬프터를 구성하는 유리기판의 표면에 형성된 투명막으로되고, 상기 투명막은 두께 d1은, 투명막의 굴절율이n1, 광원에서 방사된 광의 파장을라고 할때, d1=λ2(n1-1)또는, n1의 기수배인 것을 특징으로 하는 광빔작성장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 위상쉬프터 수단은 빔분배 쉬프터를 구성하는 유리기판의 표면에 형성된 흠으로되고, 상기 흠의 깊이 d2는, 상기 유리기판의 굴절율을n2광원으로 부터 방사된 파장을으로 할때, λ2(n2-1)또는 n2의 기수배인것을 특징으로 하는 광빔작성장치.
  6. 소정의 패턴이 형성된 시표의 표면에 광빔을 조사하여 측정방향으로 주사시키고, 상기 패턴에서 산란광 또는 반사광을 검출해서 상기 패턴의 길이를 측정할때에, 제1항 기재의 광빔작성방법에 의해 얻어진2개의 광속을 상기 시료의 표면에 근접시켜 조사하여, 상기 2개의 광속의 궤적이 겹쳐지도록 주사하는 것을 특징으로하는 길이측정방법.
  7. 소정의 패턴이 형성된 시료의 광빔을 조사해서 측정방향으로 주사시키고, 상기 시료의 표면에서의산란광 또는 반사광을 검출해서 상기 시료의 표면의 이물 또는 결함의 유무를 검사하는 때에 제1항 기재의 광빔작성에 의해 얻어진2개의 광속을 상기 시료의 표면에 근접시켜서 조사하는 동시에, 상기 2개의 광속의 궤적이 겹쳐지도록 주사해서 상기 시표의 표면에서의 산란광 또는 반사광을 검출하고, 상기 시료의 표면의 소정 위치에서검출된 신호중, 지정레벨 이상의 강도를 가지는 신호의 수가 2개인 경우는, 상기 위치에 상기 패턴의 에지가 존재하고, 하나인 경우에는 상기 위치에 상기 이물 또는 결함이 존재하는 것으로 판정하는 것을 특징으로 하는 외관검사방법.
  8. 시표의 표면에 경사방향에서 조사된 광빔의 반사광의 광로의 상대위치를 검출하는 것에 의해 시료의 표면의높이를 측정하는 때에 제1항기재의 광빔작성 방법에 의해 얻어진2개의 광속을 상기 시료의 표면에 근절시켜서조사하여, 상기 2개의 광속의 반사광의 광로의 평균위치 또는 양자사이에 존재하는 암부의 위치를 검출하는 것을특징으로 하는 높이 측정장치.
  9. 포토레지스트가 도포된 시료의 표면에 광빔을 조사해서 상기 포토레지스트에 소정 패턴의 잠상을 형성하는때에, 제1항 기재의 광빔작성 방법에 의해 얻어진2개의 광속을 상기 포토레지스트의 표면에 근접시켜서 조사하여, 상기 광속의 량 또는, 상기 포토레지스트의 현상조건을 최적화 하는 것에 의해 상기 시표의 표면에 강도가 큰 광속의 조사흔적만을 남기는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  10. 반도체 기판의 표면에 광빔을 조사해서 그 표면을 가공할때, 제 1항 기재의 광빔작성방법에 의해 얻어진2개의 광속을 상기 반도체 기판의 표면에 근접시켜서 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  11. 광원과 시료를 연결하는 광로상에 대물렌즈를 배치하고, 상기 광원에서 방사된 광을 상기 대물렌즈에 의해수광해서 상기 시료상에 광빔을 조사하는 광빔작성장치에 있어서, 상기 광원과 대물렌즈와의 사이에는, (1)광원에서 방사된 광을 2개의 광속으로 분할하는 분할수단과: (2)상기 광분할 수단에 의해 분할된2개의 광속의 위상이서로 역상으로 하는 위상쉬프트 수단과: (3)상기 위상쉬프트 수단에 의해 서로의 위상이 역상으로 2개의 광속의 각각의 광로상에 배치되고, 한쪽의 포토마스크의 광투과영역을 투과한 광속과, 이미 한쪽의 포토마스크의 광투과영역을 투과한 광속들이 시료의 표면에서 근접해서 배치되도록 구성된2개의 포토마스트와: (4)상기 2개의 포토마스크의 각각을 투과한 광속을 합성하는 광합성수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 광빔작성장치.
  12. 제3항에 있어서, 상기 빔분배 쉬프터는 면적이 다른 2개의 광투과영역을 가지고, 상기 2개의 광투과영역의 어느 한쪽에 위상쉬프터가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광빔작성장치.
  13. 제3항에 있어서, 상기 빔분배 쉬프터는 면적이 같은 2개의 광투과영역을 가지고, 상기 2개의 광투과영역의 어는 한쪽에 위상쉬프터가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광빔작성장치.
  14. 제3항에 있어서, 상기 빔분배 쉬프터는 하나의 광투고영역의 일부에 위상 쉬프터가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광빔작성장치.
  15. 제3항에 있어서, 시료의 표면에 조산된 광범의 유무에 의해 상기 시료에 정보를 기록하는 광디스크장치 또는 광자기디스크장치의 일부를 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 광빔작성장치.
  16. 제3항에 있어서, 시료의 표면에 조사된 광빔의 반사광 또는 투과광을 검출하는 것에 의해서 상기 시료를 관찰하는 광학현미경장치의 일부를 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 광빔작성장치.
  17. 광빔의 조사의 유무에 의해 광디스크 기판 또는 광자기 디스크 기판의 표면에 정보를 기록할 때에, 상기광디스크 기판 또는 광자기디스크 기판의 표면에 도포된 포토레지스트에, 제2항 기재의 광빔작성방법에 의해 얻어진 2개의 광속을 근접시켜서 조사하고, 상기 광속의 량 또는 상기 포토레지스트의 현상 조건을 최적화하는 것에의해 상기 광디스크 기판 또는 광자기 디스크 기판의 표면에 강도가 큰 광속의 조사흔적만을 남기는 특징으로하는 정보기입 방법.
  18. 제15항에 있어서, 제15항 기재의 광디스크 장치 또는 광자기디스크 장치를 사용해서 정보가 기록되어 있는 광디스크 매체 또는 광자기디스크 매체.
  19. 반도체 기판상에 형성된 반도체 소자간의 배선에 레이져 빔을 조사해서 상기 배선을 전기적 절단할때, 제1항 기재의 광빔작성방법에 의하여 얻어진 광속을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 광속은 펄스레이져인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  21. 금속화합물의 가스기체 중에서 반도체 기판의 표면에 레이져 빔을 조사하여 상기 금속화합물을 분해하고, 상기 레이져 빔의 조사개소에 금속층을 석출시키는 반도체 소자간의 배선을 전기적으로 접속할때, 제1항 기재의 광빔작성방법에 의해서 얻어진 광속을 사용하는 것을 특징으로 하는 직접회로장치의 제조방법.
  22. 제7항에 있어서, 2개의 광속의 간격은 시료의 표면에 형성된 패턴의 예지의 경사각에 따라서 변하도록 하는 것을 특징으로 하는 외관검사방법.
  23. 레이져광에 대한 소정의 광학변환처리를 행하는 것에 의해서 소망의 형상의 미세한 광속을 작성하는 미세광속의 작성방법에 있어서, 상기 광학변환처리는 실효적인0차 회절광성분을 약하게 하는 것을 특징으로 하는 미세광속 작성방법.
  24. 레이져 광에 대해서 소정의 광학변환처리를 행하는 것에 의해서 소망의 형상의 미세한 광속을 생성하는 장치에 있어서, 상기 광학변환처리는 실효적인0차 회절광 성분을 약하게 하는 것을 특정으로 하는 미세광속작성장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910023219A 1990-12-19 1991-12-17 광빔 작성 방법, 장치, 그것을 이용한 길이 측정방법, 외관 검사방법, 높이 측정방법, 노광방법 및 반도체 집적회로장치의 제조방법 KR100193489B1 (ko)

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