JPH10293101A - 半導体等における欠陥の検出方法 - Google Patents
半導体等における欠陥の検出方法Info
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- JPH10293101A JPH10293101A JP14513198A JP14513198A JPH10293101A JP H10293101 A JPH10293101 A JP H10293101A JP 14513198 A JP14513198 A JP 14513198A JP 14513198 A JP14513198 A JP 14513198A JP H10293101 A JPH10293101 A JP H10293101A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体等の内部欠陥の正確な検出。
【構成】 半導体等からなる被検物体１０５に所定のレ
ーザビーム１０１を入射させ、それによって生じる被検
物体１０５からの光情報を顕微鏡１０９で得て、得られ
た光情報に基づいて被検物体１０５の表面欠陥あるいは
内部欠陥を検出する方法において、予め計算により予想
された前記被検物体１０５における入射光の波長λに対
する反射率Ｒの関係を示した曲線１５１、あるいは実測
による前記被検物体１０５における入射光の波長λに対
する反射率Ｒを示した曲線１５３のグラフ図を作成して
反射率Ｒの極大値Ａの波長λ1 と反射率Ｒの極小値Ｂの
波長λ2 を夫々求め、これら双方の波長より夫々の光情
報を得て比較し、もって、前記被検物体１０５のごく表
層近傍の欠陥と表面の欠陥をも区別して検出するように
した半導体等における欠陥の検出方法。
ーザビーム１０１を入射させ、それによって生じる被検
物体１０５からの光情報を顕微鏡１０９で得て、得られ
た光情報に基づいて被検物体１０５の表面欠陥あるいは
内部欠陥を検出する方法において、予め計算により予想
された前記被検物体１０５における入射光の波長λに対
する反射率Ｒの関係を示した曲線１５１、あるいは実測
による前記被検物体１０５における入射光の波長λに対
する反射率Ｒを示した曲線１５３のグラフ図を作成して
反射率Ｒの極大値Ａの波長λ1 と反射率Ｒの極小値Ｂの
波長λ2 を夫々求め、これら双方の波長より夫々の光情
報を得て比較し、もって、前記被検物体１０５のごく表
層近傍の欠陥と表面の欠陥をも区別して検出するように
した半導体等における欠陥の検出方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の被検
物体の内部欠陥を、レーザ光等を用いて照明しその散乱
光等を観察して検出する方法に関するものである。
物体の内部欠陥を、レーザ光等を用いて照明しその散乱
光等を観察して検出する方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来公知の特開平４−２４５４１号公報の
第４図には、入射させるレーザビームの波長を適当に選
択することにより、ガリウムヒ素からなる被検物体にレ
ーザビームを入射させるその深さを制御することができ
ること、および、このような特性により、ガリウムヒ素
からなる被検物体の内部欠陥を測定する場合は、例えば
波長９００ｎｍ程度のレーザビームを用いたときは、被
検物体の表面から入射したレーザビームが、裏面付近で
充分減衰するようにできることが記載されている（６枚
目上段右欄１３行〜６枚目下段左欄１１行参照）。ま
た、特開平２−１６４３８号公報、特開平４−９５８６
１号公報、特開平２−１９０７４９号公報、特開昭５８
−１０６４４４号公報、特開昭６３−２１２９１１号公
報、特開平３−２３８３４８号公報、および特開平４−
２６８４５号公報にも、略前記公報と類似の技術が記載
されている。
第４図には、入射させるレーザビームの波長を適当に選
択することにより、ガリウムヒ素からなる被検物体にレ
ーザビームを入射させるその深さを制御することができ
ること、および、このような特性により、ガリウムヒ素
からなる被検物体の内部欠陥を測定する場合は、例えば
波長９００ｎｍ程度のレーザビームを用いたときは、被
検物体の表面から入射したレーザビームが、裏面付近で
充分減衰するようにできることが記載されている（６枚
目上段右欄１３行〜６枚目下段左欄１１行参照）。ま
た、特開平２−１６４３８号公報、特開平４−９５８６
１号公報、特開平２−１９０７４９号公報、特開昭５８
−１０６４４４号公報、特開昭６３−２１２９１１号公
報、特開平３−２３８３４８号公報、および特開平４−
２６８４５号公報にも、略前記公報と類似の技術が記載
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】 前記公知公報に記載
された技術は、入射させるレーザビームの波長を適当に
選択することにより、被検物体にレーザビームを入射さ
せるその深さを制御する技術であるが、この技術は、特
開平４−２４５４１号公報第４図に記載されているよう
に、ガリウムヒ素の吸収係数ｋは波長８７０ｎｍ付近ま
では殆ど変化せず、８７０ｎｍを越える９００ｎｍにか
けて急激に減少する。したがって、波長の選択だけで
は、被検物体の表面にごく近い例えば１μｍ付近の欠陥
を表面の欠陥と区別して観察をすることはできない。被
検物体のごく表層近傍の欠陥を表面の欠陥を区別して検
出するようにするには、入射したレーザビームの吸収特
性を応用するのではなく、レーザビームの表面欠陥およ
び内部欠陥からの散乱強度の変化特性を応用したらよ
い。
された技術は、入射させるレーザビームの波長を適当に
選択することにより、被検物体にレーザビームを入射さ
せるその深さを制御する技術であるが、この技術は、特
開平４−２４５４１号公報第４図に記載されているよう
に、ガリウムヒ素の吸収係数ｋは波長８７０ｎｍ付近ま
では殆ど変化せず、８７０ｎｍを越える９００ｎｍにか
けて急激に減少する。したがって、波長の選択だけで
は、被検物体の表面にごく近い例えば１μｍ付近の欠陥
を表面の欠陥と区別して観察をすることはできない。被
検物体のごく表層近傍の欠陥を表面の欠陥を区別して検
出するようにするには、入射したレーザビームの吸収特
性を応用するのではなく、レーザビームの表面欠陥およ
び内部欠陥からの散乱強度の変化特性を応用したらよ
い。
【０００４】
【課題を解決するための手段】よって、本願は、半導体
等からなる被検物体１０５に所定のレーザビーム１０１
を入射させ、それによって生じる被検物体１０５からの
光情報を顕微鏡１０９で得て、得られた光情報に基づい
て被検物体１０５の表面欠陥あるいは内部欠陥を検出す
る方法において、予め計算により予想された前記被検物
体１０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒの関
係を示した曲線１５１、あるいは実測による前記被検物
体１０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒを示
した曲線１５３のグラフ図を作成して反射率Ｒの極大値
Ａの波長λ1 と反射率Ｒの極小値Ｂの波長λ2 を夫々求
め、これら双方の波長より夫々の光情報を得て比較し、
もって、前記被検物体１０５のごく表層近傍の欠陥と表
面の欠陥をも区別して検出するようにした半導体等にお
ける欠陥の検出方法としたものである。
等からなる被検物体１０５に所定のレーザビーム１０１
を入射させ、それによって生じる被検物体１０５からの
光情報を顕微鏡１０９で得て、得られた光情報に基づい
て被検物体１０５の表面欠陥あるいは内部欠陥を検出す
る方法において、予め計算により予想された前記被検物
体１０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒの関
係を示した曲線１５１、あるいは実測による前記被検物
体１０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒを示
した曲線１５３のグラフ図を作成して反射率Ｒの極大値
Ａの波長λ1 と反射率Ｒの極小値Ｂの波長λ2 を夫々求
め、これら双方の波長より夫々の光情報を得て比較し、
もって、前記被検物体１０５のごく表層近傍の欠陥と表
面の欠陥をも区別して検出するようにした半導体等にお
ける欠陥の検出方法としたものである。
【０００５】
【実施例】本発明の半導体等における内部欠陥の検出方
法を実施しうる装置につき説明すると、図１、図２、図
１４、図１５、図１６、図１７が夫々該当し、図１にお
いて、１０３は、予め前記被検物体１０５における入射
光の波長λに対する反射率Ｒと散乱強度Ｓの関係を計算
と実測からグラフ図を作成し、該グラフ図から前記被検
物体１０５の表面における光情報を比較的多く発生させ
る波長λ1 と前記被検物体１０５の内部における光情報
を比較的多く発生させる波長λ2 を夫々照射するレーザ
装置であり、レーザビーム１０１を被検物体１０５に照
射するための集光レンズ１０７と、レーザビーム１０１
に起因する被検物体１０５からの散乱光を受光しその散
乱像を拡大する顕微鏡１０９と、その拡大散乱像を光電
変換してその散乱像の画像信号を得るための撮像素子１
１１と、被検物体１０５に対する顕微鏡１０９の焦点を
合わせるために用いるパターンの被検物体１０５上に投
影する投影手段１１３と、被検物体１０５をその法線１
０６の垂直線と顕微鏡１０９の光軸１０８がなす角度θ
が５〜３５度となるようの保持し、図示していない駆動
手段により移動されるステージ１１５を備える。
法を実施しうる装置につき説明すると、図１、図２、図
１４、図１５、図１６、図１７が夫々該当し、図１にお
いて、１０３は、予め前記被検物体１０５における入射
光の波長λに対する反射率Ｒと散乱強度Ｓの関係を計算
と実測からグラフ図を作成し、該グラフ図から前記被検
物体１０５の表面における光情報を比較的多く発生させ
る波長λ1 と前記被検物体１０５の内部における光情報
を比較的多く発生させる波長λ2 を夫々照射するレーザ
装置であり、レーザビーム１０１を被検物体１０５に照
射するための集光レンズ１０７と、レーザビーム１０１
に起因する被検物体１０５からの散乱光を受光しその散
乱像を拡大する顕微鏡１０９と、その拡大散乱像を光電
変換してその散乱像の画像信号を得るための撮像素子１
１１と、被検物体１０５に対する顕微鏡１０９の焦点を
合わせるために用いるパターンの被検物体１０５上に投
影する投影手段１１３と、被検物体１０５をその法線１
０６の垂直線と顕微鏡１０９の光軸１０８がなす角度θ
が５〜３５度となるようの保持し、図示していない駆動
手段により移動されるステージ１１５を備える。
【０００６】なお、前記顕微鏡１０９は、対物レンズ１
１７および結像レンズ１１９とを有する。また、前記投
影手段１１３は、空間変調素子パターン１２１と、光源
１２３と、光源１２３が発する光を空間変調素子パター
ン１２１に照射する凸レンズ１２５、拡散板１２７およ
び凸レンズ１２９、並びに、これにより照明された空間
変調素子パターン１２１を顕微鏡１０９の焦点位置に結
像させるための投光用レンズ１３１およびハーフミラー
１３３とを備える。空間変調素子パターン１２１はハー
フミラー１３３の焦点面に配置される。前記被検物体１
０５は傾斜している。
１７および結像レンズ１１９とを有する。また、前記投
影手段１１３は、空間変調素子パターン１２１と、光源
１２３と、光源１２３が発する光を空間変調素子パター
ン１２１に照射する凸レンズ１２５、拡散板１２７およ
び凸レンズ１２９、並びに、これにより照明された空間
変調素子パターン１２１を顕微鏡１０９の焦点位置に結
像させるための投光用レンズ１３１およびハーフミラー
１３３とを備える。空間変調素子パターン１２１はハー
フミラー１３３の焦点面に配置される。前記被検物体１
０５は傾斜している。
【０００７】図１４は、被検物体１０５が表面に微細構
造を有するウエハのような場合のものであり、前記微細
構造の部分は、それと等価的な厚さの層が存在するもの
として、同様にして各部欠陥および表面欠陥を観察する
ことができる。ただし、この場合は、微細構造による回
折光が観察光学系中に侵入して内部欠陥５０５が観察で
きなくなるのを防止するため、観察光学系中に回折光１
８３を遮断するためのフィルタ（マスク）１８１を設け
る。１８５は正反射光である。
造を有するウエハのような場合のものであり、前記微細
構造の部分は、それと等価的な厚さの層が存在するもの
として、同様にして各部欠陥および表面欠陥を観察する
ことができる。ただし、この場合は、微細構造による回
折光が観察光学系中に侵入して内部欠陥５０５が観察で
きなくなるのを防止するため、観察光学系中に回折光１
８３を遮断するためのフィルタ（マスク）１８１を設け
る。１８５は正反射光である。
【０００８】図１５〜１７はそれぞれ、本発明のさらに
他の実施例に係る欠陥検出装置の構成を示す概略図であ
る。これらの装置は、波長４００〜２０００ｎｍのレー
ザ光によって被検物体１０５の内部と表面の欠陥を検出
し、波長２００〜６５０ｎｍのレーザ光によって表面欠
陥を検出するものである。
他の実施例に係る欠陥検出装置の構成を示す概略図であ
る。これらの装置は、波長４００〜２０００ｎｍのレー
ザ光によって被検物体１０５の内部と表面の欠陥を検出
し、波長２００〜６５０ｎｍのレーザ光によって表面欠
陥を検出するものである。
【０００９】図１５の装置においては、レーザビーム１
０１は凹レンズ１６３によりビーム径が拡大され、コリ
メータレンズ１６１によって平行光とされ、そしてハー
フミラー１７１（１３３と同じ）を介して観察系の光路
に導入され、対物レンズ１１７を経て被検物体１０５に
照射される。そして、前記のように、予め前記被検物体
１０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒと散乱
強度Ｓの関係を計算と実測からグラフ図を作成し、該グ
ラフ図から前記被検物体１０５の表面における光情報を
比較的多く発生させる波長λ1 と前記被検物体１０５の
内部における光情報を比較的多く発生させる波長λ2 を
夫々入射させ、表面欠陥の正反射像と内部欠陥の正反射
像を、対物レンズ１１７、結像レンズ１１９および撮像
素子１１１を介し、電気信号として得るようになってい
る。
０１は凹レンズ１６３によりビーム径が拡大され、コリ
メータレンズ１６１によって平行光とされ、そしてハー
フミラー１７１（１３３と同じ）を介して観察系の光路
に導入され、対物レンズ１１７を経て被検物体１０５に
照射される。そして、前記のように、予め前記被検物体
１０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒと散乱
強度Ｓの関係を計算と実測からグラフ図を作成し、該グ
ラフ図から前記被検物体１０５の表面における光情報を
比較的多く発生させる波長λ1 と前記被検物体１０５の
内部における光情報を比較的多く発生させる波長λ2 を
夫々入射させ、表面欠陥の正反射像と内部欠陥の正反射
像を、対物レンズ１１７、結像レンズ１１９および撮像
素子１１１を介し、電気信号として得るようになってい
る。
【００１０】図１６の装置においては、波長λ1 と波長
λ2 のレーザ光をハーフミラー１６９を介して混合した
レーザビーム１０１を用いて被検物体１０５を照明し、
その正反射光をダイクロイックミラ−１７３により波長
λ1 成分と波長λ2 成分とに分割し、波長λ1 成分によ
り被検物体１０５表面を結像レンズ１１９および撮像素
子１１１を経て観察すると共に、波長λ2 成分により被
検物体１０５の内部からの正反射像を結像レンズ１６５
および撮像素子１６７を経て観察する。
λ2 のレーザ光をハーフミラー１６９を介して混合した
レーザビーム１０１を用いて被検物体１０５を照明し、
その正反射光をダイクロイックミラ−１７３により波長
λ1 成分と波長λ2 成分とに分割し、波長λ1 成分によ
り被検物体１０５表面を結像レンズ１１９および撮像素
子１１１を経て観察すると共に、波長λ2 成分により被
検物体１０５の内部からの正反射像を結像レンズ１６５
および撮像素子１６７を経て観察する。
【００１１】図１７の装置においては、レーザビーム１
０１の中央部分の光束をマスク１７５により遮断し、周
辺部分の光束のみをミラー１７７および対物レンズ１１
７の周辺部を介して被検物体１０５に照射し、その正反
射像を対物レンズ１１７の中央部分を介して得る。他
は、図１５の場合と同様である。
０１の中央部分の光束をマスク１７５により遮断し、周
辺部分の光束のみをミラー１７７および対物レンズ１１
７の周辺部を介して被検物体１０５に照射し、その正反
射像を対物レンズ１１７の中央部分を介して得る。他
は、図１５の場合と同様である。
【００１２】
【作用】つぎに観測の作用を述べる。図２は図１の装置
による被検物体１０５の観察原理を説明する原理図であ
る。図中、２０１は図１の撮像素子１１１と結像レンズ
１１９を含むＴＶカメラであり、ＴＶカメラ２０１と対
物レンズ１１７とにより観察系を構成する。被検物体１
０５の表面の法線（表面と平行の線）１０６と、観察系
の光軸１０８と、レーザビーム１０１の光軸１１０は、
上方から見ると同一平面内にあるように配置され、かつ
被検物体１０５と一側上方よりのレーザビーム１０１の
光軸１１０とのなす角度βは１０〜６０°、前記レーザ
ビーム１０１が被検物体１０５内で屈折するレーザビー
ム１０１の屈曲光１０４の光軸１０２と、被検物体１０
５の法線１０６の垂直線となす角度αは略１６％の傾斜
になるようにする。この屈折光１０４を、他側にθ角度
傾斜しているＴＶカメラ２０１で観察すると、その視野
２０３は、図２の取出図のように、被検物体１０５の層
１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂの各層の深さに対応した計測領
域１ａ、２ａ、３ａ、４ａに区切られて観察できるよう
になる。
による被検物体１０５の観察原理を説明する原理図であ
る。図中、２０１は図１の撮像素子１１１と結像レンズ
１１９を含むＴＶカメラであり、ＴＶカメラ２０１と対
物レンズ１１７とにより観察系を構成する。被検物体１
０５の表面の法線（表面と平行の線）１０６と、観察系
の光軸１０８と、レーザビーム１０１の光軸１１０は、
上方から見ると同一平面内にあるように配置され、かつ
被検物体１０５と一側上方よりのレーザビーム１０１の
光軸１１０とのなす角度βは１０〜６０°、前記レーザ
ビーム１０１が被検物体１０５内で屈折するレーザビー
ム１０１の屈曲光１０４の光軸１０２と、被検物体１０
５の法線１０６の垂直線となす角度αは略１６％の傾斜
になるようにする。この屈折光１０４を、他側にθ角度
傾斜しているＴＶカメラ２０１で観察すると、その視野
２０３は、図２の取出図のように、被検物体１０５の層
１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂの各層の深さに対応した計測領
域１ａ、２ａ、３ａ、４ａに区切られて観察できるよう
になる。
【００１３】この状態で、図１に戻って説明すると、ま
ず、光源１２３をオンにし、凸レンズ１２５と拡散板１
２７および凸レンズ１２９を介して空間変調素子パター
ン１２１に照射し、焦点合わせ用のパターン１２１の像
を被検物体１０５上に投影する。つぎに、空間変調素子
パターン１２１の投影像のコントラストが前記計測領域
２ａと３ａの中間において最大になるようにステージ１
１５を制御する。つぎに、この焦点位置が層２ｂと３ｂ
間の境界の深さ位置に対応するように、ステージ１１５
を所定の距離縦移動させる。つぎに、レーザ装置１０３
からのレーザビーム１０１の集光点２０５が、所望の検
出対象層である計測領域１ａ、２ａ、３ａおよび４ａに
対応するようにレーザビーム１０１の位置を調整する。
これにより、視野２０３内の計測領域１ａ〜４ａは層１
ｂ〜４ｂに対応し、したがって、観察系の焦点深度が被
検物体１０５における各層１ｂー４ｂをカバーする程度
であれば、視野２０３内の欠陥等の像がそれが存在する
層の情報とともに得られることになる。なお、この場合
の被写界深度は、例えば、観察系の倍率が２０倍におい
て約４０μｍ、５０倍で１５μｍ程度である。また、空
間変調素子パターン１２１の投影は、観察の妨げになら
ないように、不要になった時点で停止する。空間変調素
子パターン１２１として、観察に支障となる模様のない
ものを用いた場合はこの限りでない。
ず、光源１２３をオンにし、凸レンズ１２５と拡散板１
２７および凸レンズ１２９を介して空間変調素子パター
ン１２１に照射し、焦点合わせ用のパターン１２１の像
を被検物体１０５上に投影する。つぎに、空間変調素子
パターン１２１の投影像のコントラストが前記計測領域
２ａと３ａの中間において最大になるようにステージ１
１５を制御する。つぎに、この焦点位置が層２ｂと３ｂ
間の境界の深さ位置に対応するように、ステージ１１５
を所定の距離縦移動させる。つぎに、レーザ装置１０３
からのレーザビーム１０１の集光点２０５が、所望の検
出対象層である計測領域１ａ、２ａ、３ａおよび４ａに
対応するようにレーザビーム１０１の位置を調整する。
これにより、視野２０３内の計測領域１ａ〜４ａは層１
ｂ〜４ｂに対応し、したがって、観察系の焦点深度が被
検物体１０５における各層１ｂー４ｂをカバーする程度
であれば、視野２０３内の欠陥等の像がそれが存在する
層の情報とともに得られることになる。なお、この場合
の被写界深度は、例えば、観察系の倍率が２０倍におい
て約４０μｍ、５０倍で１５μｍ程度である。また、空
間変調素子パターン１２１の投影は、観察の妨げになら
ないように、不要になった時点で停止する。空間変調素
子パターン１２１として、観察に支障となる模様のない
ものを用いた場合はこの限りでない。
【００１４】また、視野２０３を越える範囲での検出を
行うために、レーザビーム１０１を被検物体１０５の最
大傾斜方向に対して直角な方向に往復移動させるととも
に、被検物体１０５をその最大傾斜方向に平行に移動さ
せることにより、図３に示すように、被検物体１０５
の、例えば、２００×２００×１６μｍ程度の立体領域
における欠陥の散乱像が、いずれの計測領域１ａ〜４ａ
において検出されたかという深さ位置の情報とともに得
られる。
行うために、レーザビーム１０１を被検物体１０５の最
大傾斜方向に対して直角な方向に往復移動させるととも
に、被検物体１０５をその最大傾斜方向に平行に移動さ
せることにより、図３に示すように、被検物体１０５
の、例えば、２００×２００×１６μｍ程度の立体領域
における欠陥の散乱像が、いずれの計測領域１ａ〜４ａ
において検出されたかという深さ位置の情報とともに得
られる。
【００１５】図４はこの検出における分解能を説明する
ための説明図である。同図に示すように、レーザビーム
１０１により走査における各走査線間の間隔によって規
定される被検物体１０５の表面方向の分解能を約０．４
μｍ、レーザビーム１０１の被検物体１０５における屈
折角αを約１６％とすれば、深さ方向の分解能は約１．
４μｍとなる。この深さ方向の分解能は、表面方向の分
解能を向上させれば１μｍ程度まで向上させることがで
きる。
ための説明図である。同図に示すように、レーザビーム
１０１により走査における各走査線間の間隔によって規
定される被検物体１０５の表面方向の分解能を約０．４
μｍ、レーザビーム１０１の被検物体１０５における屈
折角αを約１６％とすれば、深さ方向の分解能は約１．
４μｍとなる。この深さ方向の分解能は、表面方向の分
解能を向上させれば１μｍ程度まで向上させることがで
きる。
【００１６】図５は本発明の他の実施例に係る欠陥検出
方法を示す模式図である。ここではレーザ装置として、
波長可変レーザである色素レーザとか Titサファイヤレ
ーザ等を用い、それが発するレーザビーム１０１をコリ
メータ３０１を介して拡大して被検物体１０５に照射す
る。この場合は、ＴＶカメラ２０１の視野内における計
測領域の区分は不要である。また、被検物体１０５面の
方線方向はＴＶカメラ２０１の光軸方向と一致させる。
それ以外は図１の場合と同様の構成である。
方法を示す模式図である。ここではレーザ装置として、
波長可変レーザである色素レーザとか Titサファイヤレ
ーザ等を用い、それが発するレーザビーム１０１をコリ
メータ３０１を介して拡大して被検物体１０５に照射す
る。この場合は、ＴＶカメラ２０１の視野内における計
測領域の区分は不要である。また、被検物体１０５面の
方線方向はＴＶカメラ２０１の光軸方向と一致させる。
それ以外は図１の場合と同様の構成である。
【００１７】図６は、被検物体１０５として用いられ
る。Si結晶の多層構造を有するSOI(Silicon on Insulat
or) 構造ウエハの断面図である。このウエハはSi基板４
０１、その上に形成された厚さ 0.2μｍの酸化膜（Si
O2）層４０３、およびその上に形成された厚さ１μｍの
Si層４０５を有する。
る。Si結晶の多層構造を有するSOI(Silicon on Insulat
or) 構造ウエハの断面図である。このウエハはSi基板４
０１、その上に形成された厚さ 0.2μｍの酸化膜（Si
O2）層４０３、およびその上に形成された厚さ１μｍの
Si層４０５を有する。
【００１８】この構成において、欠陥を検出するには、
観察系の焦点を、上述と同様にしてウエハの表面に合わ
せる。ただし、ここでは、その焦点深度内のSi層４０５
およびSiO2層４０３に局在する欠陥を検出しようとする
ので、焦点位置を更に調整する必要はない。そして、レ
ーザビーム１０１を、その照射領域がＴＶカメラ２０１
の視野と一致するように照射して観察を行う。
観察系の焦点を、上述と同様にしてウエハの表面に合わ
せる。ただし、ここでは、その焦点深度内のSi層４０５
およびSiO2層４０３に局在する欠陥を検出しようとする
ので、焦点位置を更に調整する必要はない。そして、レ
ーザビーム１０１を、その照射領域がＴＶカメラ２０１
の視野と一致するように照射して観察を行う。
【００１９】図７はレーザビーム１０１を前記ウエハに
照射したときの様子を示した説明図である。図７(a) は
ウエハ表面での反射率が大きい場合を示し、図７(b) は
これが小さい場合を示す。また、図７(a) および図７
(b) の左側のグラフは入射強度１o のレーザビーム１０
１による屈折光の光強度１のウエハ深さＤに対る変化を
示すグラフである。なお、曲線５０９は吸収による減衰
カーブである。
照射したときの様子を示した説明図である。図７(a) は
ウエハ表面での反射率が大きい場合を示し、図７(b) は
これが小さい場合を示す。また、図７(a) および図７
(b) の左側のグラフは入射強度１o のレーザビーム１０
１による屈折光の光強度１のウエハ深さＤに対る変化を
示すグラフである。なお、曲線５０９は吸収による減衰
カーブである。
【００２０】図７に示すように、レーザビーム１０１
は、反射光５０１と屈折光５０３とに分離するが、ウエ
ハ表面（屈折率略３．５のSi結晶）とSiO2層４０３（屈
折率略１．５）表面での反射光の干渉によって、ウエハ
表面での反射率Ｒは、Si結晶のみのウエハの場合より
も、レーザ光の波長λに応じ、図８に示すように大きな
幅で変動する。そして反射率が大きな場合（λ2 、λ4
、…、λ12) は、図７(a)に示すように、Si層４０５お
よびSiO2層４０３との境界にある欠陥５０５からの散乱
光５０７の強度は小さく、反射率が小さい場合（λ2 、
λ3 、…、λ11) は、図７(b) に示すように、逆に大き
くなる。
は、反射光５０１と屈折光５０３とに分離するが、ウエ
ハ表面（屈折率略３．５のSi結晶）とSiO2層４０３（屈
折率略１．５）表面での反射光の干渉によって、ウエハ
表面での反射率Ｒは、Si結晶のみのウエハの場合より
も、レーザ光の波長λに応じ、図８に示すように大きな
幅で変動する。そして反射率が大きな場合（λ2 、λ4
、…、λ12) は、図７(a)に示すように、Si層４０５お
よびSiO2層４０３との境界にある欠陥５０５からの散乱
光５０７の強度は小さく、反射率が小さい場合（λ2 、
λ3 、…、λ11) は、図７(b) に示すように、逆に大き
くなる。
【００２１】したがって、反射率の低い波長λ1 、λ3
、…、λ11のレーザビーム１０１を用いて層４０５、
層４０３内部の欠陥からの散乱像を有効に検出し、反射
率の高い波長λ2 、λ4 、…、λ12のレーザ光を用いて
ウエハ表面の塵埃や傷からの散乱像を主体に検出する。
そして、これらの散乱像を比較することにより、表面の
欠陥と内部欠陥とを鮮明に区別する。また、図８に示す
ように、前記干渉による反射強度の上下振動は、波長４
００ｎｍ以上において観察される。したがって、層内部
には波長４００〜２０００ｎｍの光が十分入るので、こ
の波長範囲のレーザ光を使用して内部欠陥を観察し、一
方、波長４００ｎｍ未満の光は層内部に侵入しないの
で、波長２００〜６５０ｎｍのレーザ光または普通の光
を用いて表面欠陥を観察し、そして内部欠陥と表面欠陥
とを識別するようにしてもよい。
、…、λ11のレーザビーム１０１を用いて層４０５、
層４０３内部の欠陥からの散乱像を有効に検出し、反射
率の高い波長λ2 、λ4 、…、λ12のレーザ光を用いて
ウエハ表面の塵埃や傷からの散乱像を主体に検出する。
そして、これらの散乱像を比較することにより、表面の
欠陥と内部欠陥とを鮮明に区別する。また、図８に示す
ように、前記干渉による反射強度の上下振動は、波長４
００ｎｍ以上において観察される。したがって、層内部
には波長４００〜２０００ｎｍの光が十分入るので、こ
の波長範囲のレーザ光を使用して内部欠陥を観察し、一
方、波長４００ｎｍ未満の光は層内部に侵入しないの
で、波長２００〜６５０ｎｍのレーザ光または普通の光
を用いて表面欠陥を観察し、そして内部欠陥と表面欠陥
とを識別するようにしてもよい。
【００２２】なお、レーザビームの波長を変化させる代
わりに、図９に示すように、波長λのレーザ光８０１
を、２次高調波発生素子８０３を介して波長λ／２（＝
４００〜１３００ｎｍ）の基本波と波長λ（＝８００〜
２６００ｎｍ）の二次高調波発生素子８０５とし、これ
をウエハに入射させ、その表面欠陥と内部欠陥からの散
乱光を、それぞれ基本波と二次高調波の散乱光として別
の観察系を用いて画像化するようにしてもよい。
わりに、図９に示すように、波長λのレーザ光８０１
を、２次高調波発生素子８０３を介して波長λ／２（＝
４００〜１３００ｎｍ）の基本波と波長λ（＝８００〜
２６００ｎｍ）の二次高調波発生素子８０５とし、これ
をウエハに入射させ、その表面欠陥と内部欠陥からの散
乱光を、それぞれ基本波と二次高調波の散乱光として別
の観察系を用いて画像化するようにしてもよい。
【００２３】図１０はこのようにして得られた散乱像の
一例を示す。ただし、被検物体１０５であるウエハとし
ては、Si層４０５の厚さが１μｍ、SiO2層４０３の厚さ
が０．４〜０．５μｍであり、図１１に示すように、表
面の半分はそのままの面１１であるが、他の半分はエッ
チングにより内部欠陥のピット１３を露出させた面１４
としたものを用いている。図１０(a) は波長９４０ｎｍ
のレーザ光による内部散乱像が顕著に現れた５００μｍ
四方の視野の様子を示し、図１０(b) は波長１０００ｎ
ｍのレーザ光による表面散乱像が顕著に現れた同じ部分
の視野の様子を示している。部分１１ａは面１１に対応
し、部分１４ａは面１４に対応する。図１０(b) におい
ては、部分１１ａにおいて表面１１上の塵埃の像が現れ
ており、部分１４ａでは面１１上の微小な無数のピット
像が現れている。図１０(a) の部分１１ａおよび１４ａ
においては、微小なピット像は現れず、表面の大きなご
みや傷および内部欠陥が無数に現れている。
一例を示す。ただし、被検物体１０５であるウエハとし
ては、Si層４０５の厚さが１μｍ、SiO2層４０３の厚さ
が０．４〜０．５μｍであり、図１１に示すように、表
面の半分はそのままの面１１であるが、他の半分はエッ
チングにより内部欠陥のピット１３を露出させた面１４
としたものを用いている。図１０(a) は波長９４０ｎｍ
のレーザ光による内部散乱像が顕著に現れた５００μｍ
四方の視野の様子を示し、図１０(b) は波長１０００ｎ
ｍのレーザ光による表面散乱像が顕著に現れた同じ部分
の視野の様子を示している。部分１１ａは面１１に対応
し、部分１４ａは面１４に対応する。図１０(b) におい
ては、部分１１ａにおいて表面１１上の塵埃の像が現れ
ており、部分１４ａでは面１１上の微小な無数のピット
像が現れている。図１０(a) の部分１１ａおよび１４ａ
においては、微小なピット像は現れず、表面の大きなご
みや傷および内部欠陥が無数に現れている。
【００２４】図１２は、このウエハにおける入射光の波
長λに対する反射率Ｒ及ぶ散乱強度Ｓの変化を示したグ
ラフである。図中、曲線１５１は計算による反射率Ｒの
変化、曲線１５３は実測による反射率Ｒの変化、曲線１
５５は実測による表面欠陥からの散乱強度Ｓの変化、曲
線１５７は実測による内部欠陥からの散乱強度Ｓの変化
を示している。いま、このグラフの実測による反射率Ｒ
の変化曲線１５３をみると、反射率Ｒの極大値Ａは波長
１０００ｎｍ付近であり、反射率Ｒの極小値Ｂは波長９
４０ｎｍ付近であるから、波長１０００ｎｍのレーザ光
を用いると、内部に影響されずに表面の欠陥のみが検出
され、波長９４０ｎｍのレーザ光を用いると、表面に影
響されずに内部欠陥のみが検出される。それゆえ、公知
例では不可能であった被検物体１０５のごく表層近傍の
欠陥と表面の欠陥でも区別して検出できる。
長λに対する反射率Ｒ及ぶ散乱強度Ｓの変化を示したグ
ラフである。図中、曲線１５１は計算による反射率Ｒの
変化、曲線１５３は実測による反射率Ｒの変化、曲線１
５５は実測による表面欠陥からの散乱強度Ｓの変化、曲
線１５７は実測による内部欠陥からの散乱強度Ｓの変化
を示している。いま、このグラフの実測による反射率Ｒ
の変化曲線１５３をみると、反射率Ｒの極大値Ａは波長
１０００ｎｍ付近であり、反射率Ｒの極小値Ｂは波長９
４０ｎｍ付近であるから、波長１０００ｎｍのレーザ光
を用いると、内部に影響されずに表面の欠陥のみが検出
され、波長９４０ｎｍのレーザ光を用いると、表面に影
響されずに内部欠陥のみが検出される。それゆえ、公知
例では不可能であった被検物体１０５のごく表層近傍の
欠陥と表面の欠陥でも区別して検出できる。
【００２５】図１３(a) および (b)は別の被検物体１０
５の同じ場所を、その内部まで到達する波長１０００ｎ
ｍのレーザ光、および波長４５１ｎｍのレーザ光で観察
したときの５００μｍ四方の視野の様子をそれぞれ示
す。両者を比較することにより、内部欠陥からの散乱像
を認識することができる。
５の同じ場所を、その内部まで到達する波長１０００ｎ
ｍのレーザ光、および波長４５１ｎｍのレーザ光で観察
したときの５００μｍ四方の視野の様子をそれぞれ示
す。両者を比較することにより、内部欠陥からの散乱像
を認識することができる。
【００２６】図１４に示すように、被検物体１０５が表
面に微細構造を有するようなウエハである場合は、その
微細構造が存在する部分については、それと等価的な厚
さの層が存在するものとして、同様にして各部欠陥およ
び表面欠陥を観察することができる。ただしこの場合、
微細構造による回折光が観察光学系中に侵入して内部欠
陥５０５が観察できなくなるのを防止するため、観察光
学系中に回折光１８３を遮断するためのフィルタ（マス
ク）１８１が設けられる。正反射光１８５は何ら問題を
生じない。
面に微細構造を有するようなウエハである場合は、その
微細構造が存在する部分については、それと等価的な厚
さの層が存在するものとして、同様にして各部欠陥およ
び表面欠陥を観察することができる。ただしこの場合、
微細構造による回折光が観察光学系中に侵入して内部欠
陥５０５が観察できなくなるのを防止するため、観察光
学系中に回折光１８３を遮断するためのフィルタ（マス
ク）１８１が設けられる。正反射光１８５は何ら問題を
生じない。
【００２７】図１５〜１７はそれぞれ、本発明のさらに
他の実施例に係る欠陥検出装置の構成を示す概略図であ
る。これらの装置は、波長４００〜２０００ｎｍのレー
ザ光によって被検物体１０５の内部と表面の欠陥を検出
し、波長２００〜６５０ｎｍのレーザ光によって表面欠
陥を検出するものである。
他の実施例に係る欠陥検出装置の構成を示す概略図であ
る。これらの装置は、波長４００〜２０００ｎｍのレー
ザ光によって被検物体１０５の内部と表面の欠陥を検出
し、波長２００〜６５０ｎｍのレーザ光によって表面欠
陥を検出するものである。
【００２８】図１５の装置においては、レーザビーム１
０１の凹レンズ１６３によりビーム系が拡大され、コリ
メータレンズ１６１によって平行光とされ、そしてハー
フミラー１７１を介して観察系の光路に導入され、対物
レンズ１１７を経て被検物体１０５に照射される。そし
て前記のようにレーザビーム１０１の波長を変えて表面
欠陥の正反射像と内部欠陥の正反射像を、対物レンズ１
１７、結像レンズ１１９および撮像素子１１１を介し、
電気信号として得るようになっている。
０１の凹レンズ１６３によりビーム系が拡大され、コリ
メータレンズ１６１によって平行光とされ、そしてハー
フミラー１７１を介して観察系の光路に導入され、対物
レンズ１１７を経て被検物体１０５に照射される。そし
て前記のようにレーザビーム１０１の波長を変えて表面
欠陥の正反射像と内部欠陥の正反射像を、対物レンズ１
１７、結像レンズ１１９および撮像素子１１１を介し、
電気信号として得るようになっている。
【００２９】図１６の装置においては、波長λ1 とλ2
のレーザ光をハーフミラー１６９を介して混合したレー
ザビーム１０１を用いて被検物体１０５を照明し、その
正反射光をダイクロイックミラ−１７３により波長λ1
成分とλ2 成分に分割し、そして波長λ1 成分により被
検物体１０５表面を結像レンズ１１９および撮像素子１
１１を経て観察すると共に、波長λ2 成分により、被検
物体１０５の内部からの正反射像を結像レンズ１６５お
よび撮像素子１６７を経て観察する。
のレーザ光をハーフミラー１６９を介して混合したレー
ザビーム１０１を用いて被検物体１０５を照明し、その
正反射光をダイクロイックミラ−１７３により波長λ1
成分とλ2 成分に分割し、そして波長λ1 成分により被
検物体１０５表面を結像レンズ１１９および撮像素子１
１１を経て観察すると共に、波長λ2 成分により、被検
物体１０５の内部からの正反射像を結像レンズ１６５お
よび撮像素子１６７を経て観察する。
【００３０】図１７の装置においては、レーザビーム１
０１の中央部分の光束をマスク１７５により遮断し、周
辺部分の光束のみをミラー１７７および対物レンズ１１
７の周辺部を介して被検物体１０５に照射し、その正反
射像を対物レンズ１１７の中央部分を介して得る。他
は、図１５の場合と同様である。
０１の中央部分の光束をマスク１７５により遮断し、周
辺部分の光束のみをミラー１７７および対物レンズ１１
７の周辺部を介して被検物体１０５に照射し、その正反
射像を対物レンズ１１７の中央部分を介して得る。他
は、図１５の場合と同様である。
【００３１】
【発明の効果】公知の特開平４−２４５４１号公報に記
載されたものは、その第４図にあるように、入射させる
レーザビームの吸収特性を応用して被検物体に入り込む
深さの制御をしたものであり、この点は、特開平３−２
３８３４８号公報および特開平４−２６８４５号公報も
同様であるが、いずれも、被検物体に入り込むレーザビ
ームの深さの制御をするものである。しかし、被検物体
に入り込むレーザビームの深さの制御はできても、その
深さまでの欠陥はともに検出されるから、表面の欠陥の
みとかある深さの内部欠陥のみを正確に検出することは
できない。即ち、被検物体に入り込む深さの制御をした
としても、それは、制御された深さまでの情報が得られ
るということであって、その深さのみの情報を得られる
というものではない。しかるに、本発明は、半導体等か
らなる被検物体１０５に所定のレーザビーム１０１を入
射させ、それによって生じる被検物体１０５からの光情
報を顕微鏡１０９で得て、得られた光情報に基づいて被
検物体１０５の表面欠陥あるいは内部欠陥を検出する方
法において、予め計算により予想された前記被検物体１
０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒの関係を
示した曲線１５１、あるいは実測による前記被検物体１
０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒを示した
曲線１５３のグラフ図を作成して反射率Ｒの極大値Ａの
波長λ1 と反射率Ｒの極小値Ｂの波長λ2 を夫々求め、
これら双方の波長より夫々の光情報を得て比較し、もっ
て、前記被検物体１０５のごく表層近傍の欠陥と表面の
欠陥をも区別して検出するようにした半導体等における
欠陥の検出方法としたから、 （イ）予め前記被検物体１０５における入射光の波長λ
に対する反射率Ｒと散乱強度Ｓの関係を計算と実測から
グラフ図を作成し、該グラフ図から前記被検物体１０５
の表面における光情報を比較的多く発生させる波長λ1
と前記被検物体１０５の内部における光情報を比較的多
く発生させる波長λ2 を夫々求めたので、公知例では知
ることのできない、表層近傍の欠陥と表面の欠陥をも区
別して検出することができる。 （ロ）前記により求めた双方の波長より夫々の光情報を
得て比較するようにしたので、表面の欠陥と内部の欠陥
の情報を正確に知って、被検物体１０５の欠陥を確実鮮
明に検出できる効果を奏する。
載されたものは、その第４図にあるように、入射させる
レーザビームの吸収特性を応用して被検物体に入り込む
深さの制御をしたものであり、この点は、特開平３−２
３８３４８号公報および特開平４−２６８４５号公報も
同様であるが、いずれも、被検物体に入り込むレーザビ
ームの深さの制御をするものである。しかし、被検物体
に入り込むレーザビームの深さの制御はできても、その
深さまでの欠陥はともに検出されるから、表面の欠陥の
みとかある深さの内部欠陥のみを正確に検出することは
できない。即ち、被検物体に入り込む深さの制御をした
としても、それは、制御された深さまでの情報が得られ
るということであって、その深さのみの情報を得られる
というものではない。しかるに、本発明は、半導体等か
らなる被検物体１０５に所定のレーザビーム１０１を入
射させ、それによって生じる被検物体１０５からの光情
報を顕微鏡１０９で得て、得られた光情報に基づいて被
検物体１０５の表面欠陥あるいは内部欠陥を検出する方
法において、予め計算により予想された前記被検物体１
０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒの関係を
示した曲線１５１、あるいは実測による前記被検物体１
０５における入射光の波長λに対する反射率Ｒを示した
曲線１５３のグラフ図を作成して反射率Ｒの極大値Ａの
波長λ1 と反射率Ｒの極小値Ｂの波長λ2 を夫々求め、
これら双方の波長より夫々の光情報を得て比較し、もっ
て、前記被検物体１０５のごく表層近傍の欠陥と表面の
欠陥をも区別して検出するようにした半導体等における
欠陥の検出方法としたから、 （イ）予め前記被検物体１０５における入射光の波長λ
に対する反射率Ｒと散乱強度Ｓの関係を計算と実測から
グラフ図を作成し、該グラフ図から前記被検物体１０５
の表面における光情報を比較的多く発生させる波長λ1
と前記被検物体１０５の内部における光情報を比較的多
く発生させる波長λ2 を夫々求めたので、公知例では知
ることのできない、表層近傍の欠陥と表面の欠陥をも区
別して検出することができる。 （ロ）前記により求めた双方の波長より夫々の光情報を
得て比較するようにしたので、表面の欠陥と内部の欠陥
の情報を正確に知って、被検物体１０５の欠陥を確実鮮
明に検出できる効果を奏する。
【図１】 欠陥検出装置の第一実施例概略的構成図。
【図２】 第一実施例の観察原理を説明するための原
理図。
理図。
【図３】 被検物体をラスタ・スキャン的に走査した
説明図。
説明図。
【図４】 分解能の説明図。
【図５】 他の実施例の欠陥検出方法の模式図。
【図６】 多層構造のウエハの断面図。
【図７】 レーザビームを多層構造のウエハに照射し
たときの説明図。
たときの説明図。
【図８】 ウエハの表面および内部の反射率を示すグ
ラフ図。
ラフ図。
【図９】 基本波と２次高調波からなるレーザビーム
の説明図。
の説明図。
【図１０】 図９をより得られたウエハの模式図。
【図１１】 図１０の斜視図。
【図１２】 図８のグラフの詳細を示すグラフ図。
【図１３】 内部欠陥の散乱像の状態図。
【図１４】 観察原理を説明する第二実施例図。
【図１５】 観察原理を説明する第三実施例図。
【図１６】 観察原理を説明する第四実施例図。
【図１７】 観察原理を説明する第五実施例図。
１０１…照射レーザ光、１０２…屈折光の光軸、１０３
…レーザ装置、１０４…屈折光、１０５…被検物体、１
０６…被検物体の法線、１０７…集光レンズ、１０８…
観察光軸、１０９…顕微鏡、１１０…入射光軸、１１１
…撮像素子、１１３…投影手段、１１５…ステージ、１
１７…対物レンズ、１１９…結像レンズ、１２１…空間
変調素子パターン、１２３…光源、１２５…凸レンズ、
１２７…拡散板、１２９…凸レンズ、１３１…投光用レ
ンズ、１３３…ハーフミラー。１５１…曲線、１５３…
曲線、１５５…曲線、１６１…コリメータレンズ、１６
３…凹レンズ、１６５…結像レンズ、１６７…撮像素
子、１６９…ハーフミラー、１７１…ハーフミラー、１
７３…ダイクロイックミラ−、１７５…マスク、１７７
…ミラー、１８１…フィルタ（マスク）、１８３…回折
光、１８５…正反射光、２０３…視野、２０５…集光
点、４０１…Si基板、４０３…酸化膜（SiO2）層、４０
５…Si層、５０１…反射光、５０３…屈折光、５０５…
欠陥、５０７…散乱光、５０９…曲線、８０１…レーザ
光、８０３…２次高調波発生素子、８０５…二次高調波
発生素子、１ａ、２ａ、３ａ、４ａ…計測領域、Ｒ…反
射率、Ｓ…散乱強度。
…レーザ装置、１０４…屈折光、１０５…被検物体、１
０６…被検物体の法線、１０７…集光レンズ、１０８…
観察光軸、１０９…顕微鏡、１１０…入射光軸、１１１
…撮像素子、１１３…投影手段、１１５…ステージ、１
１７…対物レンズ、１１９…結像レンズ、１２１…空間
変調素子パターン、１２３…光源、１２５…凸レンズ、
１２７…拡散板、１２９…凸レンズ、１３１…投光用レ
ンズ、１３３…ハーフミラー。１５１…曲線、１５３…
曲線、１５５…曲線、１６１…コリメータレンズ、１６
３…凹レンズ、１６５…結像レンズ、１６７…撮像素
子、１６９…ハーフミラー、１７１…ハーフミラー、１
７３…ダイクロイックミラ−、１７５…マスク、１７７
…ミラー、１８１…フィルタ（マスク）、１８３…回折
光、１８５…正反射光、２０３…視野、２０５…集光
点、４０１…Si基板、４０３…酸化膜（SiO2）層、４０
５…Si層、５０１…反射光、５０３…屈折光、５０５…
欠陥、５０７…散乱光、５０９…曲線、８０１…レーザ
光、８０３…２次高調波発生素子、８０５…二次高調波
発生素子、１ａ、２ａ、３ａ、４ａ…計測領域、Ｒ…反
射率、Ｓ…散乱強度。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体等からなる被検物体１０５に所定
のレーザビーム１０１を入射させ、それによって生じる
被検物体１０５からの光情報を顕微鏡１０９で得て、得
られた光情報に基づいて被検物体１０５の表面欠陥ある
いは内部欠陥を検出する方法において、予め計算により
予想された前記被検物体１０５における入射光の波長λ
に対する反射率Ｒの関係を示した曲線１５１、あるいは
実測による前記被検物体１０５における入射光の波長λ
に対する反射率Ｒを示した曲線１５３のグラフ図を作成
して反射率Ｒの極大値Ａの波長λ1 と反射率Ｒの極小値
Ｂの波長λ2 を夫々求め、これら双方の波長より夫々の
光情報を得て比較し、もって、前記被検物体１０５のご
く表層近傍の欠陥と表面の欠陥をも区別して検出するよ
うにした半導体等における欠陥の検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14513198A JP3186695B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 半導体等における欠陥の検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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