JP4680517B2 - 基板検査方法及び装置 - Google Patents

基板検査方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4680517B2
JP4680517B2 JP2004042000A JP2004042000A JP4680517B2 JP 4680517 B2 JP4680517 B2 JP 4680517B2 JP 2004042000 A JP2004042000 A JP 2004042000A JP 2004042000 A JP2004042000 A JP 2004042000A JP 4680517 B2 JP4680517 B2 JP 4680517B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
laser beam
light
wavelength
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004042000A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004264299A (ja
Inventor
相 文 全
善 鎔 崔
忠 森 全
裕 信 梁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2004264299A publication Critical patent/JP2004264299A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4680517B2 publication Critical patent/JP4680517B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4738Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

本発明は、基板検査装置に関し、より詳細には、半導体基板上にレーザービームを照射し、半導体基板から反射された光を検出する半導体基板表面の欠陥を検出するための装置に関する。
一般に、半導体装置は半導体基板で使用されるシリコンウェーハ上に電気的回路を形成するFAB工程と、前記FAB工程で形成された半導体装置の電気的特性を検査するEDS工程と前記半導体装置をそれぞれエポキシ樹脂で封じ、個別化させるためのパッケージ工程を通じて製造される。
前記FAB工程は半導体基板上に膜を形成するための蒸着工程と、前記膜を平坦化するための化学機械的研摩工程と、前記膜上にフォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程と、前記フォトレジストパターンを利用して前記膜を電気的特性を有するパターンで形成するための食刻工程と、半導体基板の所定領域に特定イオンを注入するためのイオン注入工程と、半導体基板上の不純物を除去するための洗浄工程と、前記膜及びパターンが形成された半導体基板の欠陥を検出するための検査工程を含む。
前記半導体上に残留する異物質のような半導体基板の欠陥は半導体装置の高集積化により半導体装置の信頼度及び生産性を低下させる主な原因として認識され、前記異物質を検出するための検査工程がさらに重要視されつつある。
前記半導体基板上に残留する異物質を検出するための装置の一例として、レーザービームを半導体基板上に照射し、半導体基板の表面から散乱された光を検出して半導体基板の欠陥を検出する装置が開示されている(たとえば、特許文献1参照)。
半導体基板上にレーザービームを照射する場合、前記半導体基板上で散乱される光の強度は前記半導体基板上に形成された膜及びパターンを成す物質と前記レーザービームの波長により変化する。
図1はシリコンウェーハに対する屈折率と吸収率を示すグラフであり、図2は半導体基板上に形成された窒化膜に対する光の屈折率を示すグラフであり、図3は半導体基板上に形成された酸化膜に対する光の屈折率を示すグラフである。
図1乃至図3を参照すると、特定波長を有するレーザービームの散乱効率は物質の屈折率と吸収率により変化され、前記物質の屈折率と吸収率はレーザービームの波長により変化する。
従来の検査装置は特定波長を有するレーザービームを使用するので、半導体基板上に形成される多様な膜とパターンに対する検査効率が変化されてしまうという短所がある。すなわち、前記特定波長を有するレーザービームの照射により半導体基板から反射される散乱光の強度は、半導体基板上に形成された多様な膜とパターンによって多様に変化されるので、前記検査工程の信頼度が低下される。例えば、酸化膜が形成された半導体基板から散乱された光の強度と窒化膜が形成された半導体基板から散乱された光の強度が互いに異なるので、前記酸化膜上に残留する異物質と前記窒化膜上に残留する異物質に対する検査効率が互いに異なるようになる。また、異物質の種類により前記異物質から散乱された光の強度が異なるので検査効率の信頼度はさらに低下される。
米国特許第6215551号
前記のような問題点を解決するための本発明の目的は、半導体基板上に形成された膜及びパターン成分と前記膜及びパターン上の異物質の成分によりレーザービームの波長を選択し、選択された波長を有するレーザービームを使用して半導体基板の欠陥を検査する方法を提供することにある。
本発明の他の目的は前述した半導体基板の欠陥を検査する方法を実施するのに適合した装置を提供することにある。
前記目的を達成するための本発明は、基板上にそれぞれ互いに異なる波長を有する第1レーザービームを前記基板上の一部に設定されたサンプリング領域に順次照射する段階と、前記第1の照射により前記基板の表面から散乱された第1光と前記基板上の異物質から散乱された第2光を検出する段階と、前記第1光の強度と前記第2光の強度をそれぞれ比べて差異値を算出する段階と、前記差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を有する第2レーザービームを前記基板上に全体的に照射する段階と、前記第2レーザービームの照射により前記基板の表面から散乱された第3光及び前記基板上の異物質から散乱された第4光に基づいて、前記基板に欠陥を検出する段階と、を含むことを特徴とする基板検査方法を提供する。
前記のような基板検査方法を実施するための基板検査装置は、それぞれ互いに異なる波長を有する基板上に照射するためのレーザーソースと、前記レーザービームの照射により前記基板から散乱された光を検出するための検出器と、前記散乱された光のうち前記基板の表面から散乱された第1光の強度と前記基板上の異物質から散乱された第2光の強度をそれぞれ比較し、前記第1光の強度及び第2光の強度の間の差異値を算出し、前記差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を選択するための演算ユニットと、前記レーザーソースが前記レーザービームを順次的に前記基板上に照射し、前記選択された波長を有するレーザービームを前記基板上に照射するように前記レーザーソースの動作を制御するための制御部と、前記選択された波長を有するレーザービームの照射により前記基板から散乱され、前記検出器により検出された光から前記基板の表面イメージを獲得し、前記イメージから前記基板の欠陥を検出するためのイメージ処理ユニットを含む。
半導体基板上にはそれぞれ多様な波長を有する第1レーザービームが段階的に照射され、前記第1レーザービームの照射により半導体基板から散乱された光は検出器によって検出される。前記散乱された光のうち半導体基板の表面から散乱された第1光は第1レーザービームの波長により互いに異なる強度を有し、前記半導体基板上の異物質から散乱された第2光は第1レーザービームの波長により互いに異なる強度を有する。
前記選択された波長は前記第1光と第2光との間の差異値のうち最も大きい差異値と対応する。従って、前記選択された波長を有する第2レーザービームを使用して半導体基板の欠陥を検査する場合、半導体基板の検査工程効率が向上される。即ち、前記第2レーザービームの照射により半導体基板の表面から散乱された第3光の強度と半導体基板上の異物質から散乱された第4光の強度は最も大きい差異値を有するので半導体基板上の異物質を容易に検出することができる。
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
図4は本発明の一実施例による基板検査方法を示すフローチャートである。
図4を参照すると、前記一実施例による基板検査方法は互いに異なる複数個波長を有する第1レーザービームのうち半導体基板を検査するためのレーザービームの波長を選択するための第1工程と、選択された波長を有する第2レーザービームを使用して半導体基板の欠陥を検出するための第2工程を含む。
前記第1工程を詳細に説明すると、半導体基板の表面上で設定されたサンプリング領域に第1レーザービームを照射する(段階100)。ここで、第1レーザービームはサンプリング領域をx軸方向にスキャンし、半導体基板はx軸と直交するy軸方向に移動する。
前記第1レーザービームの照射により前記サンプリング領域の表面から散乱された第1光と前記サンプリング領域上に残留する異物質から散乱された第2光を検出する(段階120)。このとき、半導体基板上にはトランジスターまたはキャパシターを形成するための膜及びパターンが形成されている。
検出された第1光の強度と第2光の強度とを比べて前記第1光と第2光との間の差異値を算出する(段階S130)。
前記第1レーザービームの波長を段階的に変化させながらS110からS130段階を反復的に実施する(段階S140)。前記第1レーザービームの波長は250〜700nmの間で変化されることが望ましい。さらに望ましいことは250〜400nmの間で変化されることである。前記第1レーザービームの波長は初期の第1レーザービームの波長で10nmずつ段階的に増加されることが望ましい。
算出された差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を選択する(段階S150)。
前記第2工程を詳細に説明すると、選択された波長を有する第2レーザービームを前記基板上に全体的に照射する(段階S210)。このとき、第2レーザービームはx軸方向に半導体基板をスキャンし、半導体基板はy軸方向に移動する。
第2レーザービームの照射により半導体基板の表面から散乱された第3光及び半導体基板上の異物質から散乱された第4光を検出する(段階S220)。
前記第3光の強度及び第4光の強度を電気的信号に変更させ、前記電気的信号を映像信号で変更して半導体基板の表面イメージを獲得する(段階S230)。
前記イメージを分析して半導体基板の欠陥を検出する(段階S40)。ここで、前記第3光の強度と第4光の強度との差異値は他の第1光及び第2光の間の差異値より大きいので、半導体基板上に残留する異物質が容易に検出され、半導体基板検査工程の効率が向上される。
図5は図4に図示された基板検査方法を実施するための基板検査装置を説明するための概略的構成図であり、図6は図5に図示された基板検査装置を示すための斜視図である。図7及び図8は半導体基板から散乱された第1光及び第2光を示すための概略的正面図である。
図5乃至図8を参照すると、基板検査装置100はレーザービーム20を発生させるためのレーザーソースと、半導体基板10から散乱された光30を検出するための検出器120と、前記散乱された光30の強度を分析するための演算ユニット130と、レーザーソース110の動作を制御するための制御部140と、前記散乱された光30から半導体基板10の表面イメージを獲得するためのイメージ処理ユニット150を含む。
レーザーソース110は互いに異なる波長を有するレーザービーム20を半導体基板10上に順次的に照射する。即ち、レーザーソース110はレーザービーム20の波長を段階的に変化させながら半導体基板10上にレーザービーム20を照射する。前記レーザーソース110はレーザービーム20の波長を段階的にまたは線形的に変更させることができる波長可変レーザーシステム(tunable optical parametric oscillator laser system)を含む。前記波長可変レーザーシステムから前記半導体基板10上に照射されるレーザービームの波長は250〜700nmであることが望ましい。
半導体基板10は移動ステージ160上に支持され、移動ステージ160はレーザーソース110から発生されたレーザービーム20が半導体基板10の表面をスキャンするように水平方向に移動する。移動ステージ160は駆動軸162により移動ステージ160を移動させるための駆動ユニット164と連結される。駆動ユニット164は移動ステージ160を水平方向に移動させるための直交座標ロボットを含み、レーザービーム20が半導体基板10上に設定されたサンプリング領域12または半導体基板10の全体表面をスキャンするように移動ステージ160をx軸及びy軸方向に移動させる。
ビーム拡張器112はレーザーソース110から発生されたレーザービーム20の断面積を拡張させる。ビーム偏向器114はビーム拡張器112により拡張されたレーザービーム22が半導体基板10の表面をスキャンするように、前記拡張されたレーザービーム22を偏向させる。フォーカシングレンズ116はビーム偏向器114によって偏向されたレーザービーム24が照射される半導体基板10の表面上のスポットサイズの大きさを一定に保持するために、前記偏向されたレーザービーム24の焦点距離を調節する。
検出器120は前記レーザービームの照射による半導体基板10から散乱された光30を検出し、散乱された30を電気的な信号に変換して演算ユニット130及びイメージ処理ユニット150に伝送する。
演算ユニット130は前記電気的信号に基づいて半導体基板10の表面から散乱された第1光31の強度と前記半導体基板10上の異物質14から散乱された第2光32の強度とをそれぞれ比較し、前記第1光31の強度及び第2光32の強度の間の差異値を算出する。そして、前記差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を選択する。
制御部140は前記演算ユニット130と連結され、前記レーザーソース110が前記レーザービームを順次前記半導体基板10上に照射し、前記選択された波長を有するレーザービームを前記半導体基板10上に照射するように、レーザーソース110の動作を制御する。また、前記レーザービームが半導体基板10の表面をx軸方向にスキャンするようにビーム偏向器14の動作を制御し、前記レーザービームが半導体基板10の全体表面をスキャンするように駆動ユニット164の動作を制御する。
イメージ処理ユニット150は検出器120から伝送された電気的信号を映像信号に変換させ、ディスプレーユニット170を通じて半導体基板10の表面イメージを表示する。また、イメージ処理ユニット150は映像信号を分析して半導体基板10上に残留する異物質14の位置及び大きさを検出する。
以下、図5乃至8を参照して本発明の一実施例による基板検査方法を詳細に説明すると次のようである。
移動ステージ160上に半導体基板10が載置される。レーザーソース110から発生された第1レーザービーム拡張器112を通じて拡張され、ビーム偏向器114及びフォーカシングレンズ116を通じて予め設定された半導体基板10上のサンプリング領域12に照射される。ビーム偏向器114は第1レーザービームがサンプリング領域12の表面をx軸方向にスキャンするように第1レーザービームを偏向させ、駆動ユニット164は第1レーザービームがサンプリング領域12の表面をスキャンするように半導体基板10をy軸方向に移動させる。前記サンプリング領域12の幅はビーム偏向器114によって偏向された第1レーザービームのスキャン幅と対応し、長さは制御部140により制御される半導体基板10の移動距離によって調節される。
第1レーザービームの照射によりサンプリング領域12の表面から散乱された第1光31とサンプリング領域12上の異物質14から散乱された第2光32は検出器120によって検出される。検出器120は第1光31の強度及び第2光32の強度を電気的信号に変換して演算ユニット130に伝送し、演算ユニット130は第1光31の強度と第2光32の強度とを比較してその差異値を算出する。
続いて、レーザーソース110は予め設定された波長分だけ上昇された波長を有する第1レーザービームを発生させ、上昇された波長を有する第1レーザービームはビーム拡張器112、ビーム偏向器114とフォーカシングレンズ116を通じてサンプリング領域12に照射される。続いて、前記したような方法で前記上昇された波長を有する第1レーザービームに対応する差異値が算出される。
演算ユニット130は前記のような方法で算出された差異値のうち最も大きい差異値を選択する。
制御部140はレーザーソース110が前記選択された波長を有する第2レーザービームを発生させるようにレーザーソース110の動作を制御し、前記第2レーザービームが半導体基板10をx軸方向にスキャンするようにビーム偏向器114の動作を制御し、前記第2レーザービームが半導体基板10を全体的にスキャンするように半導体基板10をx軸方向及びy軸方向に移動させるために駆動ユニット164の動作を制御する。図6に示された矢印はビーム偏向器114による第2レーザービームのスキャン方向と、駆動ユニット164による第2レーザービームの移動方向をそれぞれ意味する。
第2レーザービームの照射により半導体基板10の表面から散乱された第3光及び半導体基板10上の異物質から散乱された第4光は検出器120により検出される。検出器120は第3光の強度及び第4光の強度を電気的信号に変換してイメージ処理ユニット150に伝送する。
イメージ処理ユニット150は前記電気的信号を映像信号に変換させ、ディスプレーユニット170は前記映像信号によって半導体基板10の表面イメージをディスプレーする。イメージ処理ユニット150は前記映像信号を分析して半導体基板10上に残留する異物質の位置及び大きさなどを検出する。このとき、半導体基板10の表面から散乱された第3光の強度と半導体基板10上の異物質から散乱された第4光との間の差異値は他の第1光の強度及び第2光の強度の間の差異値より相対的に大きいので半導体基板10上の異物質が容易に検出される。
前記のような本発明によると、それぞれ互いに異なる複数の波長を有する第1レーザービームのうち選択された波長を有する第2レーザービームが半導体基板に照射され、前記半導体基板から散乱された光により前記半導体基板の表面欠陥が検出される。従って、半導体基板上に形成された多様な膜上に残留する異物質を検出するための検査工程の効率及び信頼度が向上される。また、半導体装置の信頼度及び生産性が向上される。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
シリコンウェーハに対する光の屈折率と吸収率を示すグラフである。 半導体基板上に形成された窒化膜に対する光の屈折率と吸収率を示すグラフである。 半導体基板上に形成された酸化膜に対する光の屈折率を示すグラフである。 本発明の一実施例による基板検査方法を示すためのフローチャートである。 図4に図示された基板検査方法を実施するための基板検査装置を示すための概略的構成図である。 図5に図示された基板検査装置を示すための斜視図である。 半導体基板から散乱された第1光及び第2光を示すための概略的正面図である。 半導体基板から散乱された第1光及び第2光を示すための概略的正面図である。
符号の説明
10…半導体基板、
12…サンプリング領域、
14…異物質、
20…レーザービーム、
30…散乱された光、
100…基板検査装置、
110…レーザーソース、
112…ビーム拡張器、
114…ビーム偏向器、
116…フォーカシングレンズ、
120…検出器、
130…演算ユニット、
140…制御部、
150…イメージ処理ユニット、
160…移動ステージ、
164…駆動ユニット、
170…ディスプレーユニット。

Claims (15)

  1. 基板上にそれぞれ互いに異なる波長を有する第1レーザービームを前記基板上の一部に設定されたサンプリング領域に順次照射する段階と、
    前記第1の照射により前記基板の表面から散乱された第1光と前記基板上の異物質から散乱された第2光を検出する段階と、
    前記第1光の強度と前記第2光の強度をそれぞれ比べて差異値を算出する段階と、
    前記差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を有する第2レーザービームを前記基板上に全体的に照射する段階と、
    前記第2レーザービームの照射により前記基板の表面から散乱された第3光及び前記基板上の異物質から散乱された第4光に基づいて、前記基板に欠陥を検出する段階と、
    を含むことを特徴とする基板検査方法。
  2. 前記第1レーザービームの波長は250〜700nmであることを特徴とする請求項1記載の基板検査方法。
  3. 前記第1レーザービームの波長は250〜400nmであることを特徴とする請求項1記載の基板検査方法。
  4. 前記基板の欠陥を検出する段階は、
    前記第3光及び第4光に基づいて、前記基板の表面イメージを獲得する段階と、
    前記イメージから前記基板の欠陥を検出する段階と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の基板検査方法。
  5. 前記イメージを表示する段階をさらに含むことを特徴とする請求項4記載の基板検査方法。
  6. 前記第1レーザービームの波長は段階的に変化されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板検査方法。
  7. 前記第1レーザービームの波長は予め設定された波長分だけ段階的に増加されることを特徴とする請求項6記載の基板検査方法。
  8. i)基板上の一部に設定されたサンプリング領域で第1レーザービームを照射する段階と、
    ii)前記第1レーザービームの照射によりサンプリング領域の表面から散乱された第1光及び前記サンプリング領域上の異物質から散乱された第2光を検出する段階と、
    iii)前記第1光の強度と前記第2光の強度を比べて差異値を算出する段階と、
    iv)前記第1レーザービームの波長を段階的に変化させながら前記i)からiii)段階を反復的に実施する段階と、
    v)算出された差異値のうち最も大きい値と対応する波長を選択する段階と、
    vi)選択された波長を有する第2レーザービームを前記基板上に全体的に照射する段階と、
    vii)前記第2レーザービームの照射により前記基板の表面から散乱された第3光及び前記基板上の異物質から散乱された第4光を検出して、前記基板の欠陥を検出する段階と、を含むことを特徴とする基板検査方法。
  9. それぞれ互いに異なる波長を有するレーザービームを基板上に照射するためのレーザーソースと、
    前記レーザービームの照射によって前記基板から散乱された光を検出するための検出器と、
    前記散乱された光のうち前記基板の表面から散乱された第1光の強度と前記基板上の異物質から散乱された第2光の強度とを比較し、前記第1光の強度及び第2光の強度の間の差異値を算出し、前記差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を選択するための演算ユニットと、
    前記レーザーソースが異なる波長の前記レーザービームを前記基板上の一部に設定されたサンプリング領域に順次照射し、前記選択された波長を有するレーザービームを前記基板上に全体的に照射するように前記レーザーソースの動作を制御するための制御部と、
    前記選択された波長を有するレーザービームの照射により前記基板から散乱され、前記検出器により検出された光に基づいて前記基板の表面イメージを獲得し、前記イメージから前記基板の欠陥を検出するためのイメージ処理ユニットと、
    を含むことを特徴とする基板検査装置。
  10. 前記レーザーソースは波長可変レーザーシステムであることを特徴とする請求項9記載の基板検査装置。
  11. 前記レーザービームの波長は250〜700nmであることを特徴とする請求項9または請求項10記載の基板検査装置。
  12. 前記基板を支持し、前記レーザービームが前記基板の表面をスキャンするように前記基板を移動させるための移動ステージをさらに含むことを特徴とする請求項9〜11のいずれか一項に記載の基板検査装置。
  13. 前記レーザービームが前記基板の表面をスキャンするように前記レーザービームを偏向させるためのビーム偏向器を含むことを特徴とする請求項9〜12のいずれか一項に記載の基板検査装置。
  14. 前記レーザーソースより発生されたレーザービームの断面積を拡張させるためのビーム拡張器と、
    前記レーザービームの焦点距離を調節するためのフォーカシングレンズと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項9〜13のいずれか一項に記載の基板検査装置。
  15. 前記イメージを表示するためのディスプレーユニットをさらに含むことを特徴とする請求項9〜14のいずれか一項に記載の基板検査装置。
JP2004042000A 2003-02-28 2004-02-18 基板検査方法及び装置 Expired - Lifetime JP4680517B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0012824A KR100524213B1 (ko) 2003-02-28 2003-02-28 기판 검사 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004264299A JP2004264299A (ja) 2004-09-24
JP4680517B2 true JP4680517B2 (ja) 2011-05-11

Family

ID=32906589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004042000A Expired - Lifetime JP4680517B2 (ja) 2003-02-28 2004-02-18 基板検査方法及び装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7113274B2 (ja)
JP (1) JP4680517B2 (ja)
KR (1) KR100524213B1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4500641B2 (ja) * 2004-09-29 2010-07-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法およびその装置
US8254308B1 (en) 2006-01-05 2012-08-28 Sprint Spectrum L.P. Method and system for acoustically triggering electronic coupon retrieval
WO2008129755A1 (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Panasonic Corporation 半導体デバイスの検査方法および半導体デバイスの検査装置
KR100901925B1 (ko) * 2007-09-17 2009-06-10 주식회사 실트론 웨이퍼의 게터링 평가 방법
US7973921B2 (en) * 2008-06-25 2011-07-05 Applied Materials South East Asia Pte Ltd. Dynamic illumination in optical inspection systems
KR101253916B1 (ko) * 2009-02-03 2013-04-16 큐셉트 테크놀로지스 인크. 비 진동 접촉 전위차 센서를 이용한 패터닝된 웨이퍼 검사 시스템
US9146156B2 (en) * 2011-06-29 2015-09-29 Kla-Tencor Corporation Light source tracking in optical metrology system
US8643833B1 (en) * 2012-08-31 2014-02-04 National Applied Research Laboratories System for inspecting surface defects of a specimen and a method thereof
JP6441252B2 (ja) * 2016-03-16 2018-12-19 東芝メモリ株式会社 熱レーザ刺激装置、熱レーザ刺激方法および記録媒体
CN113826001A (zh) * 2019-05-28 2021-12-21 京瓷株式会社 光谱决定装置、光谱决定方法、光谱决定程序、照明系统、照明装置以及检查装置
CN116779497B (zh) * 2023-08-23 2023-10-31 深圳超盈智能科技有限公司 芯片的筛选方法、装置、设备及存储介质

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63226937A (ja) * 1987-03-16 1988-09-21 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 異物検査装置
JPH0491452A (ja) * 1990-08-01 1992-03-24 Mitsubishi Electric Corp 異物検査装置
JPH04324653A (ja) * 1991-04-25 1992-11-13 Hitachi Ltd 異物検査装置
JPH06118009A (ja) * 1992-10-05 1994-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 異物検査装置および異物検査方法
JPH10293101A (ja) * 1998-05-11 1998-11-04 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 半導体等における欠陥の検出方法
JP2000258348A (ja) * 1999-03-10 2000-09-22 Nidek Co Ltd 欠陥検査装置
JP2001281162A (ja) * 2000-04-03 2001-10-10 Topcon Corp 表面検査装置
JP2002116155A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Hitachi Ltd 異物・欠陥検査装置及び検査方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179422A (en) * 1991-05-15 1993-01-12 Environmental Research Institute Of Michigan Contamination detection system
US5563702A (en) * 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
US5663569A (en) * 1993-10-14 1997-09-02 Nikon Corporation Defect inspection method and apparatus, and defect display method
US5883710A (en) * 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
AU6942998A (en) * 1997-03-31 1998-10-22 Microtherm, Llc Optical inspection module and method for detecting particles and defects on substrates in integrated process tools
JP2000223541A (ja) * 1999-01-27 2000-08-11 Hitachi Ltd 欠陥検査装置およびその方法
US6570650B1 (en) * 2001-06-21 2003-05-27 Kla-Tenor Corporation Apparatus and methods for reducing thin film color variation in optical inspection of semiconductor devices and other surfaces

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63226937A (ja) * 1987-03-16 1988-09-21 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 異物検査装置
JPH0491452A (ja) * 1990-08-01 1992-03-24 Mitsubishi Electric Corp 異物検査装置
JPH04324653A (ja) * 1991-04-25 1992-11-13 Hitachi Ltd 異物検査装置
JPH06118009A (ja) * 1992-10-05 1994-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 異物検査装置および異物検査方法
JPH10293101A (ja) * 1998-05-11 1998-11-04 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 半導体等における欠陥の検出方法
JP2000258348A (ja) * 1999-03-10 2000-09-22 Nidek Co Ltd 欠陥検査装置
JP2001281162A (ja) * 2000-04-03 2001-10-10 Topcon Corp 表面検査装置
JP2002116155A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Hitachi Ltd 異物・欠陥検査装置及び検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040077312A (ko) 2004-09-04
KR100524213B1 (ko) 2005-10-27
US20040169851A1 (en) 2004-09-02
JP2004264299A (ja) 2004-09-24
US7113274B2 (en) 2006-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10460998B2 (en) Method for inspecting substrate, substrate inspection apparatus, exposure system, and method for producing semiconductor device
US9358637B2 (en) Laser beam spot shape detecting method
KR100516405B1 (ko) 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치
JP4680517B2 (ja) 基板検査方法及び装置
KR102411866B1 (ko) 레이저가공장치
JPH11183393A (ja) パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法
JP2018082120A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置
CN115428125A (zh) 检查装置以及检查方法
KR101345619B1 (ko) 낮은 대비 반도체 소자의 명시야 이미징을 위한 패턴 인식매칭
JP5420890B2 (ja) チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置計測装置
KR102312237B1 (ko) 펄스 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법
CN116209538A (zh) 激光加工装置、晶元处理系统和用于控制激光加工装置的方法
EP0735563B1 (en) Scanning electron microscope
JP2003017536A (ja) パターン検査方法及び検査装置
JP2000097872A (ja) 光学的検査装置
KR20060070003A (ko) 반도체 기판의 결함 검출 방법
JP3684943B2 (ja) ビーム走査形検査装置
TW202205403A (zh) 雷射加工裝置及雷射加工方法
KR20060132081A (ko) 웨이퍼 결함 검출 장치
KR20070021832A (ko) 웨이퍼 결함 검사 장치 및 방법
KR20020048096A (ko) 반도체 장치에서 단차 측정 방법 및 이를 수행하기 위한장치
KR20050014424A (ko) 기판 검사 방법 및 장치
WO2022153763A1 (ja) 半導体基板の検査装置および検査方法
KR20070016041A (ko) 더블 검출 방식을 이용한 기판 검사 방법
US20230367192A1 (en) Method of fast surface particle and scratch detection for euv mask backside

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060719

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090717

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100406

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110118

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4680517

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250