JP4680517B2 - 基板検査方法及び装置 - Google Patents
基板検査方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4680517B2 JP4680517B2 JP2004042000A JP2004042000A JP4680517B2 JP 4680517 B2 JP4680517 B2 JP 4680517B2 JP 2004042000 A JP2004042000 A JP 2004042000A JP 2004042000 A JP2004042000 A JP 2004042000A JP 4680517 B2 JP4680517 B2 JP 4680517B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- laser beam
- light
- wavelength
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 168
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 33
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 98
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4738—Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
12…サンプリング領域、
14…異物質、
20…レーザービーム、
30…散乱された光、
100…基板検査装置、
110…レーザーソース、
112…ビーム拡張器、
114…ビーム偏向器、
116…フォーカシングレンズ、
120…検出器、
130…演算ユニット、
140…制御部、
150…イメージ処理ユニット、
160…移動ステージ、
164…駆動ユニット、
170…ディスプレーユニット。
Claims (15)
- 基板上にそれぞれ互いに異なる波長を有する第1レーザービームを前記基板上の一部に設定されたサンプリング領域に順次照射する段階と、
前記第1の照射により前記基板の表面から散乱された第1光と前記基板上の異物質から散乱された第2光を検出する段階と、
前記第1光の強度と前記第2光の強度をそれぞれ比べて差異値を算出する段階と、
前記差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を有する第2レーザービームを前記基板上に全体的に照射する段階と、
前記第2レーザービームの照射により前記基板の表面から散乱された第3光及び前記基板上の異物質から散乱された第4光に基づいて、前記基板に欠陥を検出する段階と、
を含むことを特徴とする基板検査方法。 - 前記第1レーザービームの波長は250〜700nmであることを特徴とする請求項1記載の基板検査方法。
- 前記第1レーザービームの波長は250〜400nmであることを特徴とする請求項1記載の基板検査方法。
- 前記基板の欠陥を検出する段階は、
前記第3光及び第4光に基づいて、前記基板の表面イメージを獲得する段階と、
前記イメージから前記基板の欠陥を検出する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の基板検査方法。 - 前記イメージを表示する段階をさらに含むことを特徴とする請求項4記載の基板検査方法。
- 前記第1レーザービームの波長は段階的に変化されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板検査方法。
- 前記第1レーザービームの波長は予め設定された波長分だけ段階的に増加されることを特徴とする請求項6記載の基板検査方法。
- i)基板上の一部に設定されたサンプリング領域で第1レーザービームを照射する段階と、
ii)前記第1レーザービームの照射によりサンプリング領域の表面から散乱された第1光及び前記サンプリング領域上の異物質から散乱された第2光を検出する段階と、
iii)前記第1光の強度と前記第2光の強度を比べて差異値を算出する段階と、
iv)前記第1レーザービームの波長を段階的に変化させながら前記i)からiii)段階を反復的に実施する段階と、
v)算出された差異値のうち最も大きい値と対応する波長を選択する段階と、
vi)選択された波長を有する第2レーザービームを前記基板上に全体的に照射する段階と、
vii)前記第2レーザービームの照射により前記基板の表面から散乱された第3光及び前記基板上の異物質から散乱された第4光を検出して、前記基板の欠陥を検出する段階と、を含むことを特徴とする基板検査方法。 - それぞれ互いに異なる波長を有するレーザービームを基板上に照射するためのレーザーソースと、
前記レーザービームの照射によって前記基板から散乱された光を検出するための検出器と、
前記散乱された光のうち前記基板の表面から散乱された第1光の強度と前記基板上の異物質から散乱された第2光の強度とを比較し、前記第1光の強度及び第2光の強度の間の差異値を算出し、前記差異値のうち最も大きい差異値と対応する波長を選択するための演算ユニットと、
前記レーザーソースが異なる波長の前記レーザービームを前記基板上の一部に設定されたサンプリング領域に順次照射し、前記選択された波長を有するレーザービームを前記基板上に全体的に照射するように前記レーザーソースの動作を制御するための制御部と、
前記選択された波長を有するレーザービームの照射により前記基板から散乱され、前記検出器により検出された光に基づいて前記基板の表面イメージを獲得し、前記イメージから前記基板の欠陥を検出するためのイメージ処理ユニットと、
を含むことを特徴とする基板検査装置。 - 前記レーザーソースは波長可変レーザーシステムであることを特徴とする請求項9記載の基板検査装置。
- 前記レーザービームの波長は250〜700nmであることを特徴とする請求項9または請求項10記載の基板検査装置。
- 前記基板を支持し、前記レーザービームが前記基板の表面をスキャンするように前記基板を移動させるための移動ステージをさらに含むことを特徴とする請求項9〜11のいずれか一項に記載の基板検査装置。
- 前記レーザービームが前記基板の表面をスキャンするように前記レーザービームを偏向させるためのビーム偏向器を含むことを特徴とする請求項9〜12のいずれか一項に記載の基板検査装置。
- 前記レーザーソースにより発生されたレーザービームの断面積を拡張させるためのビーム拡張器と、
前記レーザービームの焦点距離を調節するためのフォーカシングレンズと、
をさらに含むことを特徴とする請求項9〜13のいずれか一項に記載の基板検査装置。 - 前記イメージを表示するためのディスプレーユニットをさらに含むことを特徴とする請求項9〜14のいずれか一項に記載の基板検査装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0012824A KR100524213B1 (ko) | 2003-02-28 | 2003-02-28 | 기판 검사 방법 및 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004264299A JP2004264299A (ja) | 2004-09-24 |
JP4680517B2 true JP4680517B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=32906589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004042000A Expired - Lifetime JP4680517B2 (ja) | 2003-02-28 | 2004-02-18 | 基板検査方法及び装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7113274B2 (ja) |
JP (1) | JP4680517B2 (ja) |
KR (1) | KR100524213B1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4500641B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2010-07-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法およびその装置 |
US8254308B1 (en) | 2006-01-05 | 2012-08-28 | Sprint Spectrum L.P. | Method and system for acoustically triggering electronic coupon retrieval |
WO2008129755A1 (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | 半導体デバイスの検査方法および半導体デバイスの検査装置 |
KR100901925B1 (ko) * | 2007-09-17 | 2009-06-10 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼의 게터링 평가 방법 |
US7973921B2 (en) * | 2008-06-25 | 2011-07-05 | Applied Materials South East Asia Pte Ltd. | Dynamic illumination in optical inspection systems |
KR101253916B1 (ko) * | 2009-02-03 | 2013-04-16 | 큐셉트 테크놀로지스 인크. | 비 진동 접촉 전위차 센서를 이용한 패터닝된 웨이퍼 검사 시스템 |
US9146156B2 (en) * | 2011-06-29 | 2015-09-29 | Kla-Tencor Corporation | Light source tracking in optical metrology system |
US8643833B1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-02-04 | National Applied Research Laboratories | System for inspecting surface defects of a specimen and a method thereof |
JP6441252B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2018-12-19 | 東芝メモリ株式会社 | 熱レーザ刺激装置、熱レーザ刺激方法および記録媒体 |
CN113826001A (zh) * | 2019-05-28 | 2021-12-21 | 京瓷株式会社 | 光谱决定装置、光谱决定方法、光谱决定程序、照明系统、照明装置以及检查装置 |
CN116779497B (zh) * | 2023-08-23 | 2023-10-31 | 深圳超盈智能科技有限公司 | 芯片的筛选方法、装置、设备及存储介质 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63226937A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 異物検査装置 |
JPH0491452A (ja) * | 1990-08-01 | 1992-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 異物検査装置 |
JPH04324653A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-13 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
JPH06118009A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 異物検査装置および異物検査方法 |
JPH10293101A (ja) * | 1998-05-11 | 1998-11-04 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 半導体等における欠陥の検出方法 |
JP2000258348A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2001281162A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-10 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
JP2002116155A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Hitachi Ltd | 異物・欠陥検査装置及び検査方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5179422A (en) * | 1991-05-15 | 1993-01-12 | Environmental Research Institute Of Michigan | Contamination detection system |
US5563702A (en) * | 1991-08-22 | 1996-10-08 | Kla Instruments Corporation | Automated photomask inspection apparatus and method |
US5663569A (en) * | 1993-10-14 | 1997-09-02 | Nikon Corporation | Defect inspection method and apparatus, and defect display method |
US5883710A (en) * | 1994-12-08 | 1999-03-16 | Kla-Tencor Corporation | Scanning system for inspecting anomalies on surfaces |
AU6942998A (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-22 | Microtherm, Llc | Optical inspection module and method for detecting particles and defects on substrates in integrated process tools |
JP2000223541A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
US6570650B1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-05-27 | Kla-Tenor Corporation | Apparatus and methods for reducing thin film color variation in optical inspection of semiconductor devices and other surfaces |
-
2003
- 2003-02-28 KR KR10-2003-0012824A patent/KR100524213B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-02-11 US US10/777,922 patent/US7113274B2/en active Active
- 2004-02-18 JP JP2004042000A patent/JP4680517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63226937A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 異物検査装置 |
JPH0491452A (ja) * | 1990-08-01 | 1992-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 異物検査装置 |
JPH04324653A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-13 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
JPH06118009A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 異物検査装置および異物検査方法 |
JPH10293101A (ja) * | 1998-05-11 | 1998-11-04 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 半導体等における欠陥の検出方法 |
JP2000258348A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2001281162A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-10 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
JP2002116155A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Hitachi Ltd | 異物・欠陥検査装置及び検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040077312A (ko) | 2004-09-04 |
KR100524213B1 (ko) | 2005-10-27 |
US20040169851A1 (en) | 2004-09-02 |
JP2004264299A (ja) | 2004-09-24 |
US7113274B2 (en) | 2006-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10460998B2 (en) | Method for inspecting substrate, substrate inspection apparatus, exposure system, and method for producing semiconductor device | |
US9358637B2 (en) | Laser beam spot shape detecting method | |
KR100516405B1 (ko) | 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치 | |
JP4680517B2 (ja) | 基板検査方法及び装置 | |
KR102411866B1 (ko) | 레이저가공장치 | |
JPH11183393A (ja) | パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 | |
JP2018082120A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
CN115428125A (zh) | 检查装置以及检查方法 | |
KR101345619B1 (ko) | 낮은 대비 반도체 소자의 명시야 이미징을 위한 패턴 인식매칭 | |
JP5420890B2 (ja) | チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置計測装置 | |
KR102312237B1 (ko) | 펄스 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법 | |
CN116209538A (zh) | 激光加工装置、晶元处理系统和用于控制激光加工装置的方法 | |
EP0735563B1 (en) | Scanning electron microscope | |
JP2003017536A (ja) | パターン検査方法及び検査装置 | |
JP2000097872A (ja) | 光学的検査装置 | |
KR20060070003A (ko) | 반도체 기판의 결함 검출 방법 | |
JP3684943B2 (ja) | ビーム走査形検査装置 | |
TW202205403A (zh) | 雷射加工裝置及雷射加工方法 | |
KR20060132081A (ko) | 웨이퍼 결함 검출 장치 | |
KR20070021832A (ko) | 웨이퍼 결함 검사 장치 및 방법 | |
KR20020048096A (ko) | 반도체 장치에서 단차 측정 방법 및 이를 수행하기 위한장치 | |
KR20050014424A (ko) | 기판 검사 방법 및 장치 | |
WO2022153763A1 (ja) | 半導体基板の検査装置および検査方法 | |
KR20070016041A (ko) | 더블 검출 방식을 이용한 기판 검사 방법 | |
US20230367192A1 (en) | Method of fast surface particle and scratch detection for euv mask backside |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060719 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4680517 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |