KR20060070003A - 반도체 기판의 결함 검출 방법 - Google Patents

반도체 기판의 결함 검출 방법 Download PDF

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KR20060070003A KR1020040108618A KR20040108618A KR20060070003A KR 20060070003 A KR20060070003 A KR 20060070003A KR 1020040108618 A KR1020040108618 A KR 1020040108618A KR 20040108618 A KR20040108618 A KR 20040108618A KR 20060070003 A KR20060070003 A KR 20060070003A
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Abstract

반도체 기판의 결함을 검출하는 반도체 기판 결함 검사 방법은 반도체 기판 상에 형성된 막의 깊이에 따라 포커스 렌즈의 초점 깊이를 가변하면서 상기 막을 스캐닝하도록 전자빔을 조사한 후, 상기 막으로부터 방출되는 이차전자를 분석하여 상기 막의 깊이에 따라 다수의 이미지들을 획득한다. 상기 획득된 이미지들을 기준 이미지들과 비교하고, 상기 막의 깊이에 따른 결함을 검출한다.

Description

반도체 기판의 결함 검출 방법{Method for detecting defect of semiconductor substrate}
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 기판의 결함 검출 방법을 설명하기 위한 반도체 기판의 단면도이다.
도 2는 전자빔을 이용한 반도체 기판 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판의 결함 검출 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 도 3의 반도체 기판의 결함 검출 방법을 설명하기 위한 구성도이다.
도 5 내지 도 7은 도 3의 반도체 기판 결함 검출 방법에 의한 깊이에 따른 반도체 기판의 이미지들이다.
도 8은 도 3의 반도체 기판의 결함 검출 방법에 의해 검출된 결함을 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 전자빔 검사 장치 110 : 전자빔 소스
112 : 전자총 114 : 컬럼
120 : 필라멘트 122 : 추출 전극
124 : 축 조정 코일 126 : 조리개
128 : 주사 코일 130 : 자기 렌즈
132 : 집속 렌즈 134 : 대물 렌즈
140 : 스테이지 142 : 구동부
144 : 검출부 146 : 이미지 획득부
148 : 이미지 처리부 150 : 디스플레이부
160 : 반도체 기판 170 : 전자빔
172 : 이차전자
본 발명은 반도체 기판 결함 검출 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 반도체 기판에 존재하는 결함을 전자빔을 이용하여 검출하는 반도체 기판 결함 검출 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴 을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 반도체 기판 상에 형성된 막 또는 패턴의 결함을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 검사 공정은 상기 반도체 기판 상에 형성된 막 또는 패턴의 결함들을 검출하기 위해 수행된다. 상기 결함들은 반도체 장치의 동작 특성을 저하시키고, 경쟁력 향상을 위한 생산 효율을 감소시킨다. 상기 결함들은 스크레치, 파티클, 반도체 기판의 표면 상에 형성된 물질 막의 제거되지 않은 부분 등과 같이 다양한 형태를 가질 수 있으며, 검사 공정을 통해 검출되지 않은 결함들은 반도체 기판으로부터 제조되는 반도체 장치의 불량의 원인으로 작용한다.
상기 검사 공정에는 다양한 검사 장치들이 사용될 수 있으며, 그 예로써, 전자빔(electron beam)을 이용하는 검사 장치로는 주사 전자 현미경(scanning electron microscope; SEM), 투과 전자 현미경(transmission electron microscope; TEM), 전자빔 검사 장치(electron beam inspection apparatus) 등이 있다. 또한, 이온빔을 이용하는 이차 이온 질량 분석기(secondary ion mass spectrometry; SIMS)가 있으며, 레이저빔을 이용하는 표면 검사 장치가 사용될 수 있다.
상기 검사 장치 및 검사 공정에 대한 일 예로써, 미합중국 등록특허 제5,917,588(issued to Addiego)에는 명시야 조명(bright field illumination)과 암시야 조명(dark field illumination)을 사용하여 반도체 기판의 결함을 찾는 검사 시스템 및 검사 장치가 개시되어 있고, 미합중국 등록특허 제6,215,551호(issued to Nikoonahad et al.)에는 포커싱된 레이저빔을 반도체 기판에 조사하여 반도체 기판으로부터 산란된 광을 통해 반도체 기판의 결함을 찾는 표면 검사 장치가 개시되어 있다. 또한, 주사 전자 현미경과 광학 현미경을 사용하여 반도체 웨이퍼 상의 결함을 검사하기 위한 장치와 방법이 미합중국 특허 제6,407,373호(issued to Dotan)에 개시되어 있다.
상기 검사 장치들 중에서 전자빔 검사 장치는 전자빔을 발생시키기 위한 전자빔 소스와, 실리콘웨이퍼와 같은 기판을 지지하기 위한 스테이지와, 상기 스테이지의 위치를 조절하기 위한 구동부과, 상기 전자빔의 스캐닝에 의해 상기 검사 영역으로부터 방출되는 이차 전자를 검출하기 위한 검출부와, 상기 검출부에 의해 검출된 이차 전자로부터 검사 이미지를 획득하기 위한 이미지 획득부과, 상기 검사 이미지들을 분석하여 상기 검사 영역에 존재하는 결함들을 검출하기 위한 이미지 처리부과, 상기 검사 이미지를 디스플레이하기 위한 디스플레이부를 포함한다.
상기 전자빔 소스는 전자들을 발생시키기 위한 전자총과, 상기 전자들을 추출하여 전자빔으로 형성하고 상기 전자빔의 거동을 제어하기 위한 자기 렌즈를 갖는 컬럼(column)을 포함한다. 전자총은 전자들을 발생시키기 위한 필라멘트와 상기 전자들을 추출하기 위한 추출 전극을 포함한다. 상기 추출 전극을 통해 추출된 전자들은 자기 렌즈를 통해 기판의 검사 영역 상으로 조사된다. 상기 자기 렌즈는 추출된 전자들을 집속하여 전자빔으로 형성하기 위한 한 쌍의 집속 렌즈와, 기판의 검사 영역 상으로 조사되는 전자빔의 스폿 사이즈(spot size)를 조절하기 위한 대 물 렌즈를 포함한다.
상기와 같은 집속 렌즈에 의해 형성된 전자빔은 한 쌍의 집속 렌즈와 대물 렌즈 사이에 배치되는 주사 코일에 의해 편향되며, 편향된 전자빔은 대물 렌즈를 통해 기판의 검사 영역을 스캔한다. 즉, 상기 전자빔은 자기 렌즈에 의해 형성되는 자기장 및 전기장에 의해 세기 및 스폿 사이즈가 조절된다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 기판의 결함 검출 방법을 설명하기 위한 반도체 기판의 단면도이다.
도 1을 참조하여 전자빔을 이용한 반도체 기판의 결함 검출 방법을 살펴보자.
우선 상기 검사 장치의 파라미터 중 포커스 오프셋(focus offset)을 설정하여 상기 반도체 기판 상에 형성된 막(10) 중에서 결함(20)을 검출하고자 하는 부위를 설정한다. 상기 막(10)에서 결함(20)을 검출하고자 하는 부위에 상기 초점(30)이 형성되도록 한다. 즉 상기 막(10)의 하부 부위의 결함(20)을 검출하기 위해서는 상기 막(10)의 하부 부위에 상기 초점(30)이 형성되도록 하고, 상기 막(10)의 상부 부위에 결함(20)을 검출하기 위해서는 상기 막(10)의 상부 부위에 초점(30)이 형성되도록 한다. 전자빔에 의해 형성된 상기 초점(30)은 초점 심도(40)를 갖는다. 따라서 초점(30)을 중심으로 일정한 폭에 걸쳐 막(10)의 결함(20)을 검출할 수 있다.
그러나 상기와 같은 방법으로 막(10)의 결함(20)을 검출하는 경우 상기 설정된 초점 깊이에 따른 초점 심도(40)의 결함(20) 만을 검출할 수 있다. 상기 막(10)의 다른 부위의 결함(20)을 검출하기 위해서는 다시 초점 깊이를 설정하여 결함 (20)을 검출해야 한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 기판 상에 형성된 막의 일정한 두께 폭 전체의 결함을 동시에 검사할 수 있는 반도체 기판의 결함 검사 방법을 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 기판 결함 검사 방법을 제공한다. 상기 반도체 기판 결함 검사 방법은 우선 반도체 기판 상에 형성된 막의 깊이에 따라 자기 렌즈의 초점 깊이를 가변하면서 상기 막을 스캐닝하도록 전자빔을 조사한다. 상기 막으로부터 방출되는 이차전자를 분석하여 상기 막의 깊이에 따라 다수의 이미지들을 획득한다. 이후 상기 획득된 이미지들을 기준 이미지들과 비교하고, 상기 막의 깊이에 따라 결함을 검출한다.
상기 반도체 기판 결함 검사 방법은 상기 결함 검출 결과를 디스플레이할 수 있다. 또한 상기 반도체 기판 결함 검사 방법에서 상기 자기 렌즈로 공급되는 전류의 크기를 변화시켜 상기 자기 렌즈의 초점 깊이를 가변한다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 기판의 결함 검사 방법은 반도체 기판 상에 형성된 막의 깊이에 따라 결함을 용이하게 확인할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판의 결함 검사 방법에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 전자빔을 이용한 반도체 기판 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 도시된 전자빔 검사 장치(100)는 전자빔 소스(110), 스테이지(140), 구동부(142), 검출부(144), 이미지 획득부(146), 이미지 처리부(148) 및 디스플레이부(158)를 포함한다.
상기 전자빔 소스(110)는 전자들을 발생시키기 위한 전자총(112)과, 상기 전자들을 전자빔(170)으로 형성하고 상기 전자빔(170)을 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판(160)의 표면으로 조사하기 위한 컬럼(114)을 포함한다.
전자총(112)은 전자들을 발생시키기 위한 필라멘트(120)와 상기 전자들을 추출하기 위한 추출 전극(122)을 포함한다. 상기 컬럼(114)은 축 조정 코일(124), 자기 렌즈(130), 조리개(126), 주사 코일(128) 등을 포함한다.
상기 자기 렌즈(130)는 일반적으로 코일이 감겨진 원통형의 전자석으로, 자기장을 형성하여 전자들을 집속시킨다. 일반적으로, 전자총(112)에 의해 발생되는 전자빔의 단면적은 10 내지 50㎛ 정도이며, 기판(10) 상에 조사되는 전자빔의 스폿 사이즈는 약 5 내지 200㎚ 정도이다. 상기 자기 렌즈(130)는 한 쌍의 집속 렌즈(132)와 한 개의 대물 렌즈(134)를 포함한다. 상기 한 쌍의 집속 렌즈(132)는 전자총(112)으로부터 발생된 전자빔을 집속시키며, 전자빔의 세기를 조절한다. 상기 대물 렌즈(134)는 기판(10)의 표면에 조사되는 전자빔의 스폿 사이즈 및 초점 거리를 조절한다.
축 조정 코일(124)은 추출 전극(122)과 자기 렌즈(130) 사이에 배치되며 상기 추출 전극(122)에 의해 형성된 전자빔을 상기 자기 렌즈(130)의 중심축에 일치 시킨다.
조리개(126)와 주사 코일(128)은 한 쌍의 집속 렌즈(132)와 대물 렌즈(134) 사이에 배치되며, 주사 코일(128)은 상기 전자빔이 기판(10)을 스캔하도록 상기 전자빔을 편향시킨다.
스테이지(140)는 반도체 기판(160)을 지지하며, 스테이지(140)와 연결된 구동부(142)는 반도체 기판(160) 상의 일정한 영역 또는 반도체 기판(160) 전면에 상기 전자빔(17)이 조사되도록 스테이지(140)의 위치를 조절한다. 상기 구동부(142)으로는 직교 좌표 로봇이 사용될 수 있다. 한편, 도시되지는 않았으나, 스테이지(140)의 하부에는 스테이지(140)의 높이를 조절하기 위한 제2 구동부가 연결될 수 있으며, 상기 제2 구동부로는 압전 소자가 사용될 수 있다.
검출부(144)는 전자빔(170)의 조사에 의해 반도체 기판(160)으로부터 방출되는 이차 전자(172)를 검출하며, 검출된 이차 전자와 대응하는 전류 신호를 전압 신호로 변환시키고, 상기 전압 신호를 증폭시킨다. 이때, 검출부(144)에는 상기 이차 전자(172)를 검출하기 위한 바이어스 전압이 인가된다.
이미지 획득부(146)는 검출부(144)와 연결되며, 상기 증폭된 전압 신호를 기판(10)의 검사 영역과 대응하는 이미지 정보로 변환시킨다. 상기 이미지 정보는 상기 기판(10)의 검사 영역과 대응하는 검사 이미지들을 이루는 다수의 픽셀들의 그레이 레벨들을 포함한다. 즉, 이미지 획득부(146)는 아날로그형의 전압 신호를 디지털형의 이미지 정보로 변환시키는 AD 컨버터(analog digital convertor)로써 기능한다.
이미지 처리부(148)는 상기 이미지 획득부(146)와 연결되며, 상기 이미지 정보와 기준 이미지 정보를 서로 비교하여 상기 반도체 기판(170)의 검사 영역 상에 존재하는 결함들을 검출한다. 구체적으로, 상기 이미지 처리부(148)는 기준 이미지를 구성하는 픽셀들의 그레이 레벨과 상기 검사 이미지를 구성하는 픽셀들의 그레이 레벨들을 서로 비교하여 상기 검사 영역 상에 존재하는 결함들의 수를 검출한다.
디스플레이부(150)는 이미지 처리부(148)에서 검출된 결함을 디스플레이한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판의 결함 검출 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 4는 도 3의 반도체 기판의 결함 검출 방법을 설명하기 위한 구성도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 우선 반도체 기판(160) 상에 형성된 막의 깊이에 따라 전자빔 검사 장치(100)의 초점 거리를 가변하면서 상기 막을 스캐닝하도록 전자빔을 조사한다.(S110)
구체적으로, 검사하고자하는 반도체 기판(160)을 스테이지(140) 상에 로딩한다. 구동 유닛(142)은 스테이지(140) 상에 지지된 반도체 기판(160)이 정해진 위치에 정렬되도록 스테이지(140)의 위치를 조절한다.
도 4에 도시된 바와 같이 상기 반도체 기판(160)에는 다수의 막(162)이 형성된다. 상기 막(162)에는 결함을 검출하기 위한 검사 영역(164)이 설정된다. 상기 검사 영역(164)은 단층막을 포함하거나 또는 다층막을 포함한다.
상기 검사 영역(164)의 두께가 상기 컬럼(114)에 의해 생성되는 전자빔(170)의 초점 심도보다 작은 경우를 살펴보자. 이 경우 상기 컬럼(114)에 의해 형성되는 초점(166)을 상기 검사 영역(164)의 중앙 부위에 위치시킨 상태에서 상기 반도체 기판(160)이 지지된 스테이지(140)를 수평 방향으로 이동시켜 상기 검사 영역(164)을 스캐닝한다.
상기 검사 영역(164)의 두께가 상기 컬럼(114)에 의해 생성되는 전자빔(170)의 초점 심도보다 큰 경우를 살펴보자. 이 경우 상기 컬럼(114)에 의해 형성되는 초점(166)을 상기 검사 영역(164)의 상부 부위에 위치시킨 상태에서 상기 반도체 기판(160)이 지지된 스테이지(140)를 수평 방향으로 이동시켜 상기 검사 영역(164)을 스캐닝한다.
상기 검사 영역(164)의 상부 부위에 대한 스캐닝이 완료되면 상기 컬럼(114)의 자기 렌즈(130)에 공급되는 전류를 변화시켜 상기 검사 영역(164)의 상부 부위에 형성된 초점(166)의 위치보다 초점 심도만큼 하부에 초점(166)을 형성한다. 상기와 같이 초점(166)을 위치시킨 상태에서 상기 스테이지(140)를 수평 방향으로 이동시켜 상기 검사 영역(164)을 스캐닝한다. 이때의 스캐닝은 상기 상부 부위의 스캐닝 궤적과 역으로 이루어지는 것이 바람직하다. 그러므로 두 번의 스캐닝이 완료되면 상기 반도체 기판(160)을 지지하는 스테이지(140)는 스캐닝을 시작하기 전과 동일한 위치에 있게된다. 이후 소정의 두께를 갖는 상기 검사 영역(164)을 모두 스캐닝할 때까지 상기와 같은 과정을 반복한다.
상기와 달리 상기 스캐닝은 상기 검사 영역(164)의 하부 부위에서부터 상부 부위로 이루어질 수도 있다.
상기 자기 렌즈(130)에 공급되는 전류가 0.1mA 만큼 변화하면 상기 초점(166)은 500Å 만큼 깊이가 변화된다. 즉 현재 자기 렌즈(130)에 공급되는 전류보다 0.1mA 만큼 더 큰 전류를 공급하면 상기 초점(160)은 500Å 정도 깊어진다. 또한 현재 자기 렌즈(130)에 공급되는 전류보다 0.1mA 만큼 작은 전류를 공급하면 상기 초점(160)은 500Å 정도 얕아진다.
한편 상기 스테이지(140)를 고정한 상태에서 상기 검사 영역(164)에 형성되는 초점의 깊이를 변화시키면서 상기 일정 영역, 예를 들면 스팟 사이즈의 검사 영역(160)을 깊이에 따라 스캐닝한다. 그 후, 상기 스테이지(140)를 이동시켜 상기 일정 영역과 인접한 영역에 대해 상기와 같은 스캐닝을 반복하여 상기 검사 영역(164) 전체에 대한 스캐닝을 수행할 수도 있다. 즉 상기 검사 영역(164)을 막(162)의 깊이 방향으로 파형을 이루도록 스캐닝할 수 있다.
상기 막으로부터 방출되는 이차전자에 대한 이미지를 상기 막의 깊이에 따라 검출한다.(S120)
상기 전자빔(170)을 조사하여 이루어지는 스캐닝에 따라 상기 검사 영역(164)으로부터 이차 전자(172)가 방출된다. 상기 이차 전자(172)는 바이어스 전압이 인가된 검출기(144)에 의해 검출된다. 검출기(144)는 검출된 이차 전자와 대응하는 전류 신호를 전압 신호로 변환시키고, 상기 전압 신호를 증폭시킨다.
검출기(144)에 의해 증폭된 상기 전압 신호는 이미지 획득부(146)에 의해 스캐닝시 상기 전자빔(170)의 초점 깊이에 각각 대응하는 다수의 이미지를 포함하는 디지털형의 이미지 정보로 변환된다. 상기 이미지 정보는 다수의 픽셀들의 그레이 레벨들을 포함한다.
도 5 내지 도 7은 도 3의 반도체 기판 결함 검출 방법에 의한 초점 깊이에 따른 반도체 기판의 이미지들이다.
도 5 내지 도 7은 일정한 검사 영역에서 초점 깊이에 따라 달라지는 검사 영역의 이미지를 나타낸다.
도 5는 초점 깊이가 얕은 상태의 검사 영역 이미지를 나타낸다. 도 6은 상기 자기 렌즈(130)에 공급되는 전류를 상기 도 5에서의 전류보다 크게 하여 상기 도 5의 초점 깊이보다 깊은 경우의 검사 영역 이미지를 나타낸다. 도 7은 상기 자기 렌즈(130)에 공급되는 전류를 상기 도 6에서의 전류보다 크게 하여 상기 도 6의 초점 깊이보다 깊은 경우의 검사 영역 이미지를 나타낸다. 따라서 일정한 검사 영역에서 초점 깊이를 달리하면서 깊이에 따라 각각 이미지를 얻을 수 있다.
상기 막의 깊이에 따른 이미지와 기준 이미지를 비교하여 결함을 검출한다.(S130)
이미지 처리부(148)는 상기 이미지 획득부(146)에서 얻어진 이미지 정보들과 기준 이미지 정보를 서로 비교한다. 즉 동일한 초점 깊이에서 얻어진 기준 이미지를 구성하는 픽셀들의 그레이 레벨과 상기 검사 이미지 정보들을 구성하는 픽셀들의 그레이 레벨을 서로 비교한다. 상기 비교 결과 상기 기준 이미지를 구성하는 픽셀의 그레이 레벨과 다른 그레이 레벨을 갖는 상기 검사 이미지의 픽셀을 결함으로 검출한다.
그리고 상기 검사 이미지 정보들은 상기 전자빔(170)의 초점 깊이에 따라, 즉 검사 영역의 깊이에 따라 각각 획득될 수 있으므로 상기 검사 이미지의 결함들도 상기 검사 영역의 깊이에 따라 각각 검출된다.
상기 이미지 처리부(148)에서의 결함 검출 결과를 디스플레이한다.(S140)
디스플레이부(150)는 상기 이미지 처리부(148)에서 검출된 검사 영역의 깊이에 따른 결함을 표시한다.
도 8은 도 3의 반도체 기판의 결함 검출 방법에 의해 검출된 결함을 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 2000Å의 두께를 갖는 깊이 대역별로 검출된 결함을 반도체 기판 전체에 대해 표시하였다. 따라서 각 깊이 대역별로 결함의 개수 및 위치를 파악할 수 있다.
상기에서는 깊이 대역을 2000Å으로 설정하여 결함을 검출하였지만, 상기 깊이 대역은 다양한 폭으로 설정될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판의 결함 검사 방법은 반도체 기판 상에 형성된 막의 깊이에 따라 전자빔의 초점 거리를 가변하면서 결함을 확인한다. 따라서 상기 반도체 기판의 깊이에 따른 결함의 존재 및 위치를 용이하게 확인할 수 있다.
또한 상기 반도체 기판 상에 형성된 막 전체 또는 일부의 막에 대하여 선택적으로 결함을 검사할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판 상에 형성된 막의 깊이에 따라 초점 거리를 가변하면서 상기 막을 스캐닝하도록 전자빔을 조사하는 단계;
    상기 막으로부터 방출되는 이차전자를 분석하여 상기 막의 깊이에 따라 다수의 이미지들을 획득하는 단계; 및
    상기 획득된 이미지들과 기준 이미지들을 각각 비교하여 상기 막의 깊이에 따라 결함을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 결함 검출 결과를 디스플레이하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검사 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 막의 깊이 방향과 수직한 방향으로 스캐닝이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검사 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 막의 깊이 방향으로 상기 스캐닝이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검사 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 초점 거리를 조절하는 자기 렌즈로 공급되는 전류의 크기를 변화시켜 상기 초점 거리를 가변하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검사 방법.
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