KR20070001360A - 반도체 기판의 결함 검출 방법 - Google Patents

반도체 기판의 결함 검출 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070001360A
KR20070001360A KR1020050056791A KR20050056791A KR20070001360A KR 20070001360 A KR20070001360 A KR 20070001360A KR 1020050056791 A KR1020050056791 A KR 1020050056791A KR 20050056791 A KR20050056791 A KR 20050056791A KR 20070001360 A KR20070001360 A KR 20070001360A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
histogram
semiconductor substrate
area
defect
pattern image
Prior art date
Application number
KR1020050056791A
Other languages
English (en)
Inventor
김박송
임규홍
조형석
박동진
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050056791A priority Critical patent/KR20070001360A/ko
Publication of KR20070001360A publication Critical patent/KR20070001360A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

반도체 소자의 제조 공정 중 발생하는 결함을 검출하기 위한 반도체 기판의 결함 검출 방법은 전자빔을 이용하여 반도체 기판을 스캐닝한 후, 반도체 기판으로부터 방출되는 이차전자를 이용하여 반도체 기판 상에 형성된 패턴의 이미지를 획득한다. 각각 그레이 레벨을 갖는 다수의 픽셀들로 이루어진 패턴 이미지를 그레이 레벨에 따른 픽셀 개수를 나타내는 히스토그램으로 변환하고, 히스토그램과 기 설정된 정상 패턴 이미지의 기준 히스토그램을 비교하여 상기 반도체 기판의 결함 여부를 판단한다. 반도체 기판의 결함을 자동으로 검출할 수 있다.

Description

반도체 기판의 결함 검출 방법{Method for detecting defect of semiconductor substrate}
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판 결함 검출 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 볼 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판의 결함을 검출하기 위한 반도체 기판 결함 검출 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 정상 상태의 패턴 이미지를 설명하기 위한 SEM 사진이다.
도 4는 결함 상태의 패턴 이미지를 설명하기 위한 SEM 사진이다.
도 5는 도 3의 패턴 이미지에 대한 히스토그램이다.
도 6은 도 4의 패턴 이미지에 대한 히스토그램이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
102 : 전자빔 소스 104 : 전자빔
104 : 전자빔 106 : 이차 전자
110 : 전자총 111 : 필라멘트
112 : 추출 전극 120 : 컬럼
121 : 축 조정 코일 122 : 조리개
123 : 주사 코일 124 : 자기 렌즈
125 : 집속 렌즈 126 : 대물 렌즈
130 : 스테이지 140 : 구동부
150 : 검출부 160 : 이미지 획득부
170 : 이미지 처리부 180 : 비교부
190 : 반도체 기판
본 발명은 패턴이 형성된 반도체 기판의 결함 검출 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자의 제조 공정 중 반도체 기판 상에 발생하는 결함을 전자빔을 이용하여 검출하는 반도체 기판의 결함 검출 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판 의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 반도체 기판 상에 형성된 막 또는 패턴의 결함을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 검사 공정은 상기 반도체 기판 상에 형성된 막 또는 패턴의 결함들을 검출하기 위해 수행된다. 상기 결함들은 반도체 장치의 동작 특성을 저하시키고, 경쟁력 향상을 위한 생산 효율을 감소시킨다. 상기 결함들은 스크레치, 파티클, 반도체 기판의 표면 상에 형성된 물질 막의 제거되지 않거나 많이 제거된 부분 등과 같이 다양한 형태를 가질 수 있으며, 검사 공정을 통해 검출되지 않은 결함들은 반도체 기판으로부터 제조되는 반도체 장치의 결함의 원인으로 작용한다.
특히 반도체 소자의 제조 공정 중 반도체 기판 상에 발생하는 결함은 그 영역이 방대하다. 즉 다수의 다이에 걸쳐 결함이 발생한다. 따라서 광학 및 전자를 이용한 광학 및 전자를 이용하여 다이와 다이를 비교하여 결함을 검출하는데는 한계가 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 전자주사현미경(scanning electron microscope; SEM)을 이용하여 획득된 이미지를 기 설정된 기준 이미지와 비교하여 결함을 검출한다. 그러나 상기와 같이 이미지를 비교하여 결함을 검출하는 방법은 시간이 많이 소요되며 자동화가 어려운 문제점이 있다. 상기 결함 검출에 많은 시간이 소요되므로 결함 발생시 결함의 피드백(feedback)이 늦어지게 되는 문제점도 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 패턴의 이미지를 수치화하여 패턴의 선폭 결함 또는 공정 결함 등을 자동으로 검출할 수 있는 반도체 기판의 결함 검출 방법을 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 반도체 기판의 결함 검출 방법은 반도체 기판 상에 형성된 패턴 이미지를 획득한다. 각각 그레이 레벨을 갖는 다수의 픽셀들로 이루어진 상기 패턴 이미지를 그레이 레벨에 따른 픽셀 개수를 나타내는 히스토그램으로 변환한다. 상기 히스토그램과 기 설정된 정상 패턴 이미지의 기준 히스토그램을 비교하여 상기 반도체 기판의 결함 여부를 판단한다.
상기 패턴 이미지의 결함 여부는 상기 히스토그램과 상기 기준 히스토그램의 면적 및 피크값 중 적어도 하나를 비교하여 판단한다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 기판의 결함 검출 방법은 히스토그램을 이용하여 상기 반도체 기판의 결함을 검출한다. 따라서 상기 반도체 기판의 결함을 자동으로 신속하게 검출할 수 있다. 검출된 결함을 바로 공정에 적용할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판의 결함 검출 방법에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판 결함 검출 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 기판 결함 검출 장치(100)는 전자빔 소스(102), 스테이지(130), 구동부(140), 검출부(150), 이미지 획득부(160), 이미지 처리부(170) 및 디스플레이부(158)를 포함한다.
상기 전자빔 소스(102)는 전자들을 발생시키기 위한 전자총(110)과, 상기 전자들을 전자빔(104)으로 형성하고 상기 전자빔(104)을 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판(190)의 표면으로 조사하기 위한 컬럼(120)을 포함한다.
전자총(110)은 전자들을 발생시키기 위한 필라멘트(112)와 상기 전자들을 추출하기 위한 추출 전극(112)을 포함한다. 상기 컬럼(120)은 축 조정 코일(124), 자기 렌즈(124), 조리개(122), 주사 코일(123) 등을 포함한다.
상기 자기 렌즈(124)는 일반적으로 코일이 감겨진 원통형의 전자석으로, 자기장을 형성하여 전자들을 집속시킨다. 일반적으로, 전자총(110)에 의해 발생되는 전자빔의 단면적은 10 내지 50㎛ 정도이며, 반도체 기판(190) 상에 조사되는 전자빔의 스폿 사이즈는 약 5 내지 200㎚ 정도이다. 상기 자기 렌즈(124)는 한 쌍의 집속 렌즈(125)와 한 개의 대물 렌즈(126)를 포함한다. 상기 한 쌍의 집속 렌즈(125)는 전자총(110)으로부터 발생된 전자빔을 집속시키며, 전자빔의 세기를 조절한다. 상기 대물 렌즈(126)는 반도체 기판(190)의 표면에 조사되는 전자빔의 스폿 사이즈 및 초점 거리를 조절한다.
축 조정 코일(124)은 추출 전극(112)과 자기 렌즈(124) 사이에 배치되며 상기 추출 전극(112)에 의해 형성된 전자빔을 상기 자기 렌즈(124)의 중심축에 일치시킨다.
조리개(122)와 주사 코일(123)은 한 쌍의 집속 렌즈(125)와 대물 렌즈(126) 사이에 배치되며, 주사 코일(123)은 상기 전자빔이 기판(10)을 스캔하도록 상기 전자빔을 편향시킨다.
스테이지(130)는 반도체 기판(190)을 지지하며, 스테이지(130)와 연결된 구동부(140)는 반도체 기판(190) 상의 일정한 영역 또는 반도체 기판(190) 전면에 상기 전자빔(17)이 조사되도록 스테이지(130)의 위치를 조절한다. 상기 구동부(140)으로는 직교 좌표 로봇이 사용될 수 있다. 한편, 도시되지는 않았으나, 스테이지(130)의 하부에는 스테이지(130)의 높이를 조절하기 위한 제2 구동부가 연결될 수 있으며, 상기 제2 구동부로는 압전 소자가 사용될 수 있다.
검출부(150)는 전자빔(104)의 조사에 의해 반도체 기판(190)으로부터 방출되는 이차 전자(106)를 검출하며, 검출된 이차 전자와 대응하는 전류 신호를 전압 신호로 변환시키고, 상기 전압 신호를 증폭시킨다. 이때, 검출부(150)에는 상기 이차 전자(106)를 검출하기 위한 바이어스 전압이 인가된다.
이미지 획득부(160)는 검출부(150)와 연결되며, 상기 증폭된 전압 신호를 반도체 기판(190)의 검사 영역과 대응하는 이미지 정보로 변환시킨다. 상기 이미지 정보는 상기 반도체 기판(190)의 검사 영역과 대응하는 검사 이미지들을 이루는 다수의 픽셀들의 그레이 레벨들을 포함한다. 즉, 상기 이미지 획득부(160)는 아날로그형의 전압 신호를 디지털형의 이미지 정보로 변환시키는 AD 컨버터(analog digital convertor)로써 기능한다.
이미지 처리부(170)는 상기 이미지 획득부(160)와 연결되며, 상기 이미지 정 보를 히스토그램으로 변환한다. 상기 히스토그램의 가로축은 그레이 레벨이면, 세로축은 상기 그레이 레벨에 따른 픽셀의 수이다.
상기 그레이 레벨은 흑과 백의 농도차이에 따라 구별되며, 256 가지로 구분 가능하게 된다. 즉, 상기 그레이 레벨은 0에서 255로 나누어지고, 0이 가장 어두운 상태이고, 255가 가장 밝은 상태이다. 따라서 상기 가로축은 0에서 255까지 표시된다.
상기 검사 영역 내의 각 픽셀들은 각각 그레이 레벨 값을 갖는다. 상기 세로축은 상기 256 가지의 각 그레이 레벨 값을 갖는 상기 검사 영역 내의 픽셀 수를 나타낸다.
상기 이미지 획득부(160)에서 획득된 이미지가 밝은 이미지인 경우, 그레이 레벨이 높은 쪽에서 상기 히스토그램이 높게 나타난다. 상기 이미지 획득부(160)에서 획득된 이미지가 어두운 이미지인 경우, 그레이 레벨이 낮은 쪽에서 상기 히스토그램이 높게 나타난다.
비교부(180)는 상기 이미지 처리부(170)와 연결되며, 상기 히스토그램과 정상 상태의 이미지로부터 획득된 기준 히스토그램을 비교하여 상기 반도체 기판(190)의 검사 영역 상에 존재하는 결함들을 검출한다. 구체적으로, 상기 비교부(180)는 상기 히스토그램의 면적과 기준 히스토그램의 면적을 비교하거나, 상기 히스토그램의 피크값과 상기 기준 히스토그램의 피크값을 비교하여 상기 반도체 기판(190)의 결함을 검출한다. 상기 히스토그램의 면적과 기준 히스토그램의 면적의 비교시, 상기 면적들은 동일한 그레이 레벨 구간에서 상기 히스토그램의 구간 면적과 상기 기준 히스토그램의 구간 면적을 비교한다.
한편, 상기 비교부(180)는 상기 히스토그램의 면적 및 피크값과 기준 히스토그램의 면적 및 피크값을 비교하여 결함을 검출할 수도 있다.
도 2는 볼 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판의 결함을 검출하기 위한 반도체 기판 결함 검출 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 상기 전자빔 소스(102)에서 생성된 전자빔(104)이 상기 스테이지(130)에 지지된 반도체 기판(190) 상으로 조사된다. 상기 전자빔(104)이 조사되는 상태에서 상기 구동부(140)가 상기 스테이지(130)를 수평 방향, 즉 X축 및 Y축 방향으로 구동시킨다. 따라서 상기 전자빔(104)은 상기 반도체 기판(190)을 스캐닝한다.(S110)
상기 스캐닝은 상기 반도체 기판(190) 상에 설정된 결함 검출을 위한 검사 영역에 대해 이루어진다. 상기 검사 영역은 상기 반도체 기판(190)에 형성된 각 다이(die)인 것이 바람직하다.
상기 전자빔(104)이 상기 반도체 기판(190)의 검사 영역을 스캐닝하면 상기 검사 영역으로부터 이차 전자(106)가 방출된다. 상기 이차 전자(106)는 바이어스 전압이 인가된 검출부(150)에 의해 검출된다. 상기 검출기(150)는 검출된 이차 전자와 대응하는 전류 신호를 전압 신호로 변환시키고, 상기 전압 신호를 증폭시킨다.
상기 검출기(150)에 의해 증폭된 상기 전압 신호는 이미지 획득부(160)에 의해 디지털형의 이미지 정보로 변환된다. 상기 이미지 정보는 상기 검사 영역을 형 성하는 다수의 픽셀들의 그레이 레벨들을 포함한다.(S120)
상기에서는 전자빔 및 이차전자를 검출하는 검출기(150)를 이용하여 패턴 이미지를 획득하지만, 상기 패턴 이미지는 조명광 및 CCD 카메라를 이용하여 획득되거나 레이저 광원 및 레이저 산란광 및 반사광을 검출하는 검출 수단에 의해 획득될 수도 있다.
상기 이미지 정보를 바탕으로 상기 이미지 처리부(170)는 상기 검사 영역 내의 픽셀들을 동일한 그레이 레벨 값에 따라 분류한다. 상기 그레이 레벨 값에 따라 분류된 상기 픽셀들의 수를 히스토그램으로 나타낸다.(S130)
상기 검사 영역에 대한 히스토그램이 획득되면, 상기 비교부(150)는 상기 히스토그램과 정상 상태의 이미지로부터 동일한 방법으로 획득된 기준 히스토그램을 비교한다. 상기 히스토그램과 기준 히스토그램의 비교 결과 그 차가 오차 범위 이내인지 여부에 따라 결함을 판단한다.(S140)
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 히스토그램의 면적과 상기 기준 히스토그램의 면적을 비교한다. 상기 히스토그램의 면적과 기준 히스토그램의 면적은 동일한 그레이 레벨 구간에서 상기 히스토그램의 구간 면적과 상기 기준 히스토그램의 구간 면적이다. 비교 결과, 상기 히스토그램의 면적과 기준 히스토그램의 면적의 차가 기 설정된 오차 범위 이내인 경우, 상기 검사 영역에 형성된 패턴을 정상으로 판단한다. 상기 히스토그램의 면적과 기준 히스토그램의 면적의 차가 기 설정된 오차 범위를 벗어나는 경우, 상기 검사 영역에 형성된 패턴을 불량으로 판단한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 히스토그램의 피크값과 상기 기준 히스토그램의 피크값을 비교한다. 비교 결과, 상기 히스토그램의 피크값과 기준 히스토그램의 피크값의 차가 기 설정된 오차 범위 이내인 경우 상기 검사 영역에 형성된 패턴을 정상으로 판단하고, 상기 히스토그램의 피크값과 기준 히스토그램의 피크값의 차가 기 설정된 오차 범위를 벗어나는 경우, 상기 검사 영역에 형성된 패턴을 불량으로 판단한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 히스토그램의 면적 및 피크값과 상기 기준 히스토그램의 면적 및 피크값을 비교한다. 비교 결과, 상기 히스토그램의 면적과 기준 히스토그램의 면적의 차 및 상기 히스토그램의 피크값과 기준 히스토그램의 피크값의 차가 모두 기 설정된 오차 범위 이내인 경우 상기 검사 영역에 형성된 패턴을 정상으로 판단한다. 상기 히스토그램의 면적과 기준 히스토그램의 면적의 차 및 상기 히스토그램의 피크값과 기준 히스토그램의 피크값의 차 중 어느 하나가 기 설정된 오차 범위를 벗어나는 경우, 상기 검사 영역에 형성된 패턴을 불량으로 판단한다.
한편, 상기 기준 히스토그램은 정상인 반도체 기판을 이용하여 상기 히스토그램을 획득하는 방법과 동일한 방법으로 상기 반도체 기판(190)에 대한 결함 검사가 수행되기 전에 미리 획득되는 것이 바람직하다.
상기 반도체 기판의 결함 검사 방법은 전자빔을 이용하여 획득된 이미지를 수치화된 히스토그램으로 나타내고 이를 기준 히스토그램과 비교하여 결함을 검출한다. 따라서 상기 결함 검출 과정을 자동화할 수 있다.
그리고 상기 결함 검출 과정을 자동화하여 결함 검출에 소요되는 시간을 줄일 수 있다. 따라서 상기 결함 검출 결과를 빠르게 공정에 적용할 수 있다. 그러므로 상기 반도체 소자의 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있으며, 상기 반도체 소자에 대한 신뢰도도 향상시킬 수 있다.
도 3은 정상 상태의 패턴 이미지를 설명하기 위한 SEM 사진이고, 도 4는 도 3의 기준 패턴 이미지에 대한 히스토그램이다.
도 3은 정상적으로 공정이 수행된 상태의 기준 패턴 이미지이다. 상기 이미지를 그레이 레벨에 따른 픽셀 수의 히스토그램으로 변환하여 일정 그레이 레벨 구간에서의 제1 면적(S1) 및 제1 피크값(P1)을 갖는 기준 히스토그램이 획득하였다.
도 5는 결함 상태의 패턴 이미지를 설명하기 위한 SEM 사진이고, 도 6은 도 5의 패턴 이미지에 대한 히스토그램이다.
도 5는 과도한 화학적 기계적 연마로 인해 하부의 플로팅 게이트가 노출된 상태의 패턴 이미지이다. 상기 패턴 이미지를 그레이 레벨에 따른 픽셀 수의 히스토그램으로 변환하여 도 3의 그레이 레벨 구간과 동일한 구간에서의 제2 면적(S2) 및 제2 피크값(P2)을 갖는 히스토그램이 획득하였다.
도 3과 도 5를 비교하면, 도 3에 비해 도 5에서 노출된 플로팅 게이트가 매우 어둡게 나타나고 있다. 또한 도 3의 밝은 부분의 폭이 도 4의 밝은 부분의 폭보다 크게 나타나지만, 도 4의 밝은 부분이 도 3의 밝은 부분보다 더 밝게 나타나고 있다.
그 결과로서, 상기 기준 히스토그램 및 획득된 히스토그램을 비교하면, 상기 제1 면적(S1)이 상기 제2 면적(S2)보다 작게 나타났고, 상기 제1 피크값(P1)도 상기 제2 피크값(P2)보다 낮게 나타났다. 상기와 같이 면적의 차나 피크값의 차 또는 상기 면적 및 피크값의 차 모두를 이용하여 반도체 기판의 결함 여부를 판단할 수 있었다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판의 결함 검출 방법은 반도체 기판의 이미지를 그레이 레벨에 따른 픽셀수로 히스토그램화하고, 상기 히스토그램을 기준 히스토그램과 비교하여 반도체 기판의 결함을 자동으로 검출한다.
상기 반도체 기판의 결함 검출이 수치화된 히스토그램을 이용하므로 상기 반도체 기판의 결함 검출 과정을 자동화할 수 있다. 또한 자동화된 결함 검출 과정을 통해 상기 반도체 기판에 형성된 패턴의 선폭 결함 또는 공정 결함 등을 신속하게 검출할 수 있다.
결과적으로 상기 결함 검출 결과를 빠르게 반도체 소자의 제조 공정에 적용할 수 있다. 그리하여 상기 반도체 소자의 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있으며, 상기 반도체 소자에 대한 신뢰도 또한 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판 상에 형성된 패턴 이미지를 획득하는 단계;
    각각 그레이 레벨을 갖는 다수의 픽셀들로 이루어진 상기 패턴 이미지를 그레이 레벨에 따른 픽셀 개수로 표시되는 히스토그램으로 변환하는 단계; 및
    상기 히스토그램과 기 설정된 정상 패턴 이미지의 기준 히스토그램을 비교하여 상기 반도체 기판의 결함 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패턴 이미지의 결함 여부는 상기 히스토그램과 상기 기준 히스토그램의 면적 및 피크(peak) 값 중 적어도 하나를 비교하여 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검출 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 히스토그램과 상기 기준 히스토그램의 면적을 비교하는 경우, 동일한 그레이 레벨 구간에서의 구간 면적을 비교하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검출 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스캐닝은 반도체 기판의 다이 별로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검출 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 패턴 이미지 획득하는 단계는,
    전자빔을 이용하여 반도체 소자 제조 공정이 수행된 반도체 기판을 스캐닝하는 단계; 및
    상기 반도체 기판으로부터 방출되는 이차전자를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 결함 검출 방법.
KR1020050056791A 2005-06-29 2005-06-29 반도체 기판의 결함 검출 방법 KR20070001360A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050056791A KR20070001360A (ko) 2005-06-29 2005-06-29 반도체 기판의 결함 검출 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050056791A KR20070001360A (ko) 2005-06-29 2005-06-29 반도체 기판의 결함 검출 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070001360A true KR20070001360A (ko) 2007-01-04

Family

ID=37868771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050056791A KR20070001360A (ko) 2005-06-29 2005-06-29 반도체 기판의 결함 검출 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070001360A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101227116B1 (ko) * 2012-12-04 2013-01-29 주식회사 고영테크놀러지 검사 장치의 진단 및 측정변수 설정 방법
KR101227110B1 (ko) * 2010-04-14 2013-01-29 주식회사 고영테크놀러지 검사 장치의 진단 및 측정변수 설정 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101227110B1 (ko) * 2010-04-14 2013-01-29 주식회사 고영테크놀러지 검사 장치의 진단 및 측정변수 설정 방법
KR101227116B1 (ko) * 2012-12-04 2013-01-29 주식회사 고영테크놀러지 검사 장치의 진단 및 측정변수 설정 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4528014B2 (ja) 試料検査方法
JP4248382B2 (ja) 荷電粒子ビームによる検査方法および検査装置
US7626163B2 (en) Defect review method and device for semiconductor device
JP5500871B2 (ja) テンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置
JP2006332296A (ja) 電子ビーム応用回路パターン検査における焦点補正方法
WO2016002003A1 (ja) 基板検査装置及び方法
WO2010055610A1 (ja) パターンの検査装置、およびパターンの検査方法
JP7094782B2 (ja) 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法
US11676260B2 (en) Variation-based segmentation for wafer defect detection
JP2010206013A (ja) 半導体基板の検査方法および検査装置
JP2000067797A (ja) パターン検査装置およびその方法
JP2002511142A (ja) ディスク状対象物の構造化表面を結像する際の焦点合わせ方法
KR20070002249A (ko) 웨이퍼 결함 검출 방법
KR100542741B1 (ko) 전자빔 검사 장치 및 이의 동작 상태 검사 방법
KR20070001360A (ko) 반도체 기판의 결함 검출 방법
KR20060070003A (ko) 반도체 기판의 결함 검출 방법
JP4972472B2 (ja) 半導体検査装置
US6544692B1 (en) Black defect correction method and black defect correction device for photomask
KR20070010619A (ko) 웨이퍼 검사 장치
KR20070001301A (ko) 웨이퍼 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP2012068321A (ja) マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法
KR20050117710A (ko) 웨이퍼 결함 검출 방법
KR20080087427A (ko) 반도체 장치의 결함 검사 방법
US11610296B2 (en) Projection and distance segmentation algorithm for wafer defect detection
JP4797751B2 (ja) ステンシルマスクの検査方法およびその装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination