JP2007087639A - 電子線装置及びパターン評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 試料台を連続移動させパターン評価を行う電子線装置に於て、試料台の連続移動方向と直交する方向にはストライプ幅より大きく、試料台の連続移動方向には上記ストライプ幅の少くとも1/4の視野を有する電子光学系を有し、パターン評価に先立ち、試料台の移動方向にビームを移動させ、合焦条件を測定するための信号波形取得を行い、その結果得られた最適合焦条件でパターン評価を行う。
【選択図】 図1
Description
電子光学系の焦点深度及びZ位置変動の予測値とから1ストライプ内の合焦条件測定間隔を決めるステップ、
ストライプの合焦条件測定間隔分の走査時間と合焦条件測定及び算出時間からステージ速度を算出するステップ、
電子光学系のビームをストライプ幅の1/4以上試料台移動方向へ移動させるステップ、
対物レンズのレンズ条件を少なくとも3条件又は偏向中心を少くとも2条件変え1次元又は2次元の信号波形取得を行い、Z位置を算出するステップ、
上記Z位置に対応する合焦条件で上記測定間隔から決る距離だけ画像評価を行うステップ、
を有することを特徴とする。
ウェーハを準備するステップと、
ウェーハプロセスを行うステップと、
請求項1〜6、7のいずれかに示した電子線装置又はパターン評価方法を用いてプロセス後のウェーハを評価するステップとからなり、
上記ステップを必要な数くり返すことによりデバイスに組み上げることを特徴とする。
(電子線装置)
図1は本発明の実施の形態の電子線装置の該略図である。電子銃1から放出された電子線はコンデンサレンズ2で集束され、マルチ開口3を一様な強度で照射する。マルチ開口3を通過してマルチビームとなったビームは回転調整レンズ4と縮小レンズ5で2段に縮小され22の位置に縮小像を作る。この位置は軸上色収差補正レンズ6の物点になり、このレンズは23に等倍の負の軸上色収差を持つ像を作る。この像はさらに対物レンズ10で縮小され試料16上に縮小像を作る。[注:軸上色収差補正レンズ6は、12極の電極兼磁極が放射状に形成されたウィーンフィルターで、物点22から放出されたビームが一度フィルターの中央で結像し、さらに23で等倍の像を作る様電磁界を与える。するとこのウィーンフィルターは非分散即ち、エネルギーの異なるビームも23で同一x,y位置に結像する。この条件が非分散ウィーン条件と呼ばれ、電界と磁界が直交する様電磁界が与えられる。さらに、12極子に4極子電界と4極子磁場を与えることによって負の軸上色収差係数を発生させることができる。すなわち、23でエネルギーの高いビームが23の電子銃側で結像し、エネルギーの低いビームが23の試料側に結像する。この23の像を対物レンズ10で試料16に結像させると対物レンズの正の軸上色収差のため、すべてのエネルギーの電子線が同じ場所に結像する。定量的には、軸上色収差補正レンズ6が作る負の軸上色収差係数の絶対値と、対物レンズの物点での軸上色収差係数とを一致させると、試料面16で軸上色収差の無い像が得られる。]軸上色収差が有る場合は20mrad以下に制限されていた開口角が軸上色収差補正をすることにより30mrad以上と大きくしても25nm以下の解像度が得られ、60mradでも50nm以下の解像度が得られる。60mradとするとビーム電流が20mradの場合の9倍の値が得られ、高速評価ができる。9は電磁偏向器から成るビーム分離器で、7の電磁偏向器によって偏向色収差を補正される。試料面上を走査するのは静電偏向器8と13を用いて行う。パターン評価を行う時と、後述するようにフォーカス条件を変えてZ位置(Z方向位置、すなわち軸線方向位置)を測定する場合は試料面から38.7mmの位置24を偏向中心とした。この値はコマ収差と偏向色収差の和が最小になる様シュミレーションによって求めた。また、後述するように信号波形を取得してZ位置を測定する時は一次ビームが11又は12の軌道を取る様にし、17又は18を偏向中心とした。これらの位置は試料16に近い位置である。軸対称レンズ15には放電を起さない正の高電圧が印加され、球面収差を小さくした。14は100V前後の電圧で±50μm程度のフォーカス位置を調整できるダイナミックフォーカス用の円筒電極である。[注:レンズの焦点距離を高速で変化させたい場合、電磁レンズの場合はダイナミックフォーカスコイルを設けて、そのコイル電流を変化させる方法が良く用いられる。100V前後の電圧変化で焦点距離を必要な値変化できればより高速でダイナミックフォーカスができる。本実施例では、対物レンズの磁場がゼロでない場所に軸対称電極14を設けることによってフォーカス調整を行なっている。すなわち、この電極に正の電圧を与えると、ここを通るビームエネルギーが若干高くなり、焦点距離は少し長くなり、逆に負の電圧を与えると集束力が少し強くなり、焦点距離は短くなる。]ビーム分離器9で分離された2次電子は拡大レンズ19と20で倍率を調整され、マルチ検出器21で検出される。ここでレンズ20は回転レンズが使われ、2次電子像の方向と検出器の並び方向が合される。
次に、図2及び図3を用いてパターン評価中にZ位置を測定する方法について述べる。図3で31はダイシングライン、32は一つのストライプ、33は電子光学系の視野で、例えば200μm×50μmのサイズを有する、34はダイのパターン領域である。試料は45で示したy方向に連続移動している。視野33がパターン領域34に入ってくると、35で示した様な2本の幅の異るx方向又はy方向パターンがある場所へビームを移動させ、そこで偏向器8,13によりパターンの直角方向にビームを走査させる。その結果偏向中心が17で示すように試料面16より上にある場合は、ビームの走る方向が36の実線で示した方向となり、図3の38で示す様に最初に幅広パターンに相当する信号が出て次に幅狭パターンに相当する2次電子信号が得られたとする。次に偏向中心を18で示すように試料面より下へ移動させ、同じ走査信号を与えると、ビームが走る方向が37の点線で示した方向となり、2次電子信号は最初に幅狭パターンに相当する信号が出て次に幅広パターンに相当する信号が出るので39で示した信号波形が得られる。線間隔l1を信号波形の電圧間隔V1又はV2で割算した値、即ち走査感度(μm/V)、を縦軸にプロットすると図2(b)に示した様に直線上に乗る。[注:2段の偏向器で試料上を走査する時、上の偏向器8に与える電圧と、下の偏向器13に与える電圧比を固定して電圧を変えることによって偏向中心を固定した状態で走査が行なわれる。偏向中心を変える時この電圧比を変えるが、片側の電圧を固定し、他側の電圧のみ変化させて電圧比を変えるとする。走査感度を定義する時、この固定した側の電圧で定義すると、偏向中心を変えても共通に走査感度が定義できる。偏向中心を試料から遠くへ設けると走査感度は大きくなり、また、偏向中心を試料より下側に設けると負の値になる。]ここで電圧Vは、偏向中心を変える時電圧を変えなかった側の偏向器に与える電圧である。この走査感度を示すのは直線になるので偏向位置は任意の2点でよい。Z位置はこの直線が走査感度0を横切る点である。Z位置と対物レンズの励起電圧との関係は予め測定しリスト化してあるのでZ位置の値から対物レンズの励起電圧は上記リストから換算できる。
次に、ステージを連続移動させながら試料の評価を行う場合、何mm間隔でZ位置を測定し、フォーカスを微調整する必要があるかについて述べる。この場合、まず焦点深度を見積る必要がある。図1に示した様に軸上色収差を補正する場合は30mrad以上の開口角を利用する事ができる。その場合の焦点深度は、30nmのボケを許容するとして、焦点深度は30nm/30×10−3=1μmとなる。試料台或いは基板のZ位置の変動要因は、ウェーハの厚みムラの変動と、ステージのZ振動が主要因である。これらのZ位置変動の予測値から次に示すように、合焦条件を測定する周期或いは測定回数を求める。
次にステージ速度の決め方について述べる。この場合、条件は、ビーム数16、各ビームの走査ピクセル周波数50MHz/pix、走査整定時間:10μs、ストライプ:200μm、ピクセル寸法は50nm角とする。また、1mm間隔のZ位置測定周期とする。
[(1mm×200μm)/(16×50×10-9 ×50×10-9)]×20×10-9s
+ [(10μm×100)/(50×10-9m)]×20×10-9s
+ [1mm/(16×50×10-9)]×10μs
+ 5ms
= 0.1s + 0.004s + 0.0125s + 0.005s
ここで第1項は画素走査時間、第2項は信号波形取得時間、第3項は走査整定時間、第4項は焦点算出時間である。従ってステージ移動速度は
1mm/(0.1+0.004+0.0125+0.005)sec
=8.51mm/sec
と算出できる。
8.51mm/s×0.005s=42.5μm
である。
従って、Z位置を測定する前に、ストライプ幅の1/4以上ビームを試料台移動方向へ移動させた後Z位置測定を行う必要がある。
なお、上記実施例では、ステージが1mm移動する時間からステージ速度を求めているが、ステージ速度は合焦条件測定間隔分の走査時間と合焦条件測定及び算出時間から求めればよい。
図4は、上記実施形態で示した電子線装置又はパターン評価方法を半導体デバイス製造工程におけるウェーハの評価に適用したものである。
この製造工程例は以下の各主工程を含む。
(1) ウェーハを製造するウェーハ製造工程(又はウェハを準備する準備工程)(ステップ10)
(2) 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程(又はマスクを準備するマスク準備工程)(ステップ11)
(3) ウェーハに必要な加工処理を行うウェーハプロセッシング工程(ステップ12)
(4) ウェーハ上に形成されたチップを1個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程(ステップ13)
(5) 組み立てられたチップを検査するチップ検査工程(ステップ14)
なお、各々の工程は、更に幾つかのサブ工程からなっている。
(1) 絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVDやスパッタリング等を用いる)
(2) 形成された薄膜層やウェーハ基板を酸化する酸化工程
(3) 薄膜層やウェーハ基板等を選択的に加工するためにマスク(レチクル)を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程
(4) レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程(例えばドライエッチング技術を用いる)
(5) イオン・不純物注入拡散工程
(6) レジスト剥離工程
(7) 加工されたウェーハを検査する検査工程
なお、ウェーハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
(1) 前段の工程で回路パターンが形成されたウェーハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程(ステップ20)
(2) レジストを露光する露光工程(ステップ21)
(3) 露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程(ステップ22)
(4) 現像されたパターンを安定化させるためのアニール工程(ステップ23)
以上の半導体デバイス製造工程、ウェーハプロセッシング工程、リソグラフィー工程には周知の工程が適用される。
〔発明の効果〕
3:マルチ開口、 4:回転調整レンズ
5:縮小レンズ、 6:軸上色収差補正レンズ
7:電磁偏向器、 8,13:静電偏向器
9:ビーム分離器、 10:対物レンズ
11,12:軌道、 14:ダイナミックフォーカス用電極
15:軸対称レンズ、 16:試料
17,18,24:偏向中心、 19,20:拡大レンズ
21:検出器、 22:縮小像
23:軸上色収差補正レンズの像点、 31:ダイシングライン
32:ストライプ、 33:視野
34:ダイのパターン領域、 35:パターン
36,37:ビームの走査方向、 38,39:二次電子信号
40:パターンエッジ、 41,42,43:信号波形
44:信号の立上がり幅
Claims (7)
- 試料台を連続移動させパターン評価を行う電子線装置に於て、試料台の連続移動方向と直交する方向にストライプ幅より大きく、試料台の連続移動方向に上記ストライプ幅の少くとも1/4の視野を有する電子光学系を有し、試料台の連続移動方向にビームを移動させる偏向器と、合焦条件を測定するための信号波形取得装置とを有し、パターン評価に先立ち、試料台の移動方向にビームを移動させ、合焦条件を測定するための信号波形取得を行い、その結果得られた最適合焦条件でパターン評価を行う事を特徴とする電子線装置。
- 請求項1の電子線装置に於て、上記信号波形取得装置による信号波形取得は、少くとも3つの異る対物レンズ条件で信号波形取得を行う事を特徴とする電子線装置。
- 請求項1の電子線装置に於て、上記信号波形取得装置による信号波形取得は、レンズ条件を固定し、少くとも異る2条件の偏向中心でビームを走査して画像取得を行う事を特徴とする電子線装置。
- 請求項1の電子線装置に於て、上記信号波形取得装置による合焦条件の測定は、試料台のZ位置変動データ或いは基板のZ位置変動データと、電子光学系の焦点深度とから測定間隔を決める事を特徴とする電子線装置。
- 請求項1の電子線装置に於て、上記電子光学系は一次ビームの軸上色収差を補正するレンズを有し、ビームの収束半角を30mrad以上の条件でパターン評価を行う事を特徴とする電子線装置。
- 試料台を連続移動させながらパターン評価を行う方法であって、次のステップ、すなわち、
電子光学系の焦点深度及びZ位置変動の予測値とから1ストライプ内の合焦条件測定間隔を決めるステップ、
ストライプの合焦条件測定間隔分の走査時間と合焦条件測定及び算出時間からステージ速度を算出するステップ、
電子光学系のビームをストライプ幅の1/4以上試料台移動方向へ移動させるステップ、
対物レンズのレンズ条件を少なくとも3条件又は偏向中心を少くとも2条件変え1次元又は2次元の信号波形取得を行い、Z位置を算出するステップ、
上記Z位置に対応する合焦条件で上記測定間隔から決る距離だけ画像評価を行うステップ、
を有することを特徴とするパターン評価方法。 - デバイスを製造する方法であって、
ウェーハを準備するステップと、
ウェーハプロセスを行うステップと、
請求項1〜6、7のいずれかに示した電子線装置又はパターン評価方法を用いてプロセス後のウェーハを評価するステップとからなり、
上記ステップを必要な数くり返すことによりデバイスに組み上げることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005272181A JP2007087639A (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | 電子線装置及びパターン評価方法 |
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