JP2005164451A - 荷電粒子ビームによる検査方法および検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 紫外光照射と帯電制御電極への電圧印加を連携して動作させることで、ウェハスケールで帯電を均一化する。
【選択図】図1
Description
前者1)の方法では、ウェハに電子ビームを照射することにより生成される二次電子の放出効率が所定の値になるように、電子ビームの電子エネルギーを制御する。帯電極性は二次電子放出効率により定まり、二次電子放出効率が1以上であれば正に、1以下であれば負に帯電する。二次電子放出効率と電子エネルギーの関係を図7に示す。
(1)負帯電の形成方法が原因となる場合、
(2)ウェハ表面に形成された回路パターンが原因となる場合、等がある。
以下、これら二つの例について説明する。
はじめに、負帯電形成方法が原因となって不均一な帯電を引起す理由を説明する。負帯電を形成する方法として帯電制御電極を利用する方法が特開平11−121561に開示されている。
不均一な帯電を均一にする帯電制御方法として、紫外光と電子ビームによるプリチャージを用いる方法が知られている。
紫外光による帯電制御方法は例えば、特開2003−151483に開示されている。この技術は試料に蓄積された電子を紫外光照射により、光電子放出もしくは試料表面を導電化することで帯電を均一にする。
(1)帯電を制御する領域の回路パターンや帯電を制御する方法によっては、不均一な帯電を引起すことがある。
(2)荷電粒子線装置内へ搬入される以前に、既にウェハが不均一に帯電している場合があり、帯電の極性も不明である。
これらの問題により、シェーディング、像の歪み、フォーカスのずれなどの問題が起こる。これらのシェーディング、像の歪み、フォーカスのずれなどの問題は、二次電子画像を応用した装置において種々の二次的な問題を引き起こし、例えば、SEM式外観検査装置では欠陥検査精度の劣化、レビューSEMでは電位コントラストの低下による検査スループットの低下、測長SEMではコントラストの低下による測長精度の低下といった問題を引起こす。
(i)帯電電位をウェハスケールで均一に、精確に制御する必要がある
(ii)正負、両方の極性に対応する必要がある
(iii)画像取得時、二次電子を効率的に検出する必要がある
といった課題がある。
帯電制御電極に正電位を印加する場合には、ウェハから放出される二次電子の検出効率が上がるという副次的な効果もある。図10には、この様子を示す。この結果、図11に示すようなシェーディングの無い像1401を取得することが可能である。
画像形成における電子ビームの照射条件および、検出系の各種検出条件は、あらかじめ検査条件設定時に設定され、ファイル化されてデータベースに登録されている。
まず、ステップ2201において、ウェハが任意の棚に設置されたウェハカセットを置く。操作画面50より、検査すべきウェハを指定するために、該ウェハがセットされたカセット内棚番号を指定する。そしてステップ2202において、モニタ50を含む入力手段により、各種検査条件を入力する。検査条件入力内容としては、電子ビーム電流、電子ビーム照射エネルギー、一画面の視野サイズ(FOV、Field of view)、リターディング電圧等である。個々のパラメータを入力することも可能であるが、通常は上記各種検査パラメータの組合わせが検査条件ファイルとしてデータベース化されており、それら範囲に応じた検査条件ファイルを選択して入力するだけでよい。
アライメントが完了したら、試料ホルダ上に載置された第二の校正用パターンに移動する。第二の校正用パターンは、信号強度を検査で得られる電位コントラスト像の信号に一致させるものである。そのパターンは、十分低抵抗なビアホールと十分高抵抗なビアホールが加工されたパターンである。該パターンの電位コントラスト像を用いて十分な低抵抗部および高抵抗部の信号値を校正する。十分な高抵抗部はパターンの無い絶縁部を用いても良い。この結果をふまえて、ウェハ9上に移動し、ウェハ上のパターン箇所の電位コントラスト像を取得し、キャリブレーションを実施する(ステップ2207)。
また、既に検査した領域の帯電の影響を除去するために、紫外光による帯電除去を再度行っても良い。
以上の検査方法により、従来問題になっていた検査前のウェハの帯電を除去することが可能になり、帯電によるシェーディングを無くすことができた。その結果、検査精度、欠陥検出感度を向上させることができた。
そのために、検査画像の取得直前に帯電制御電極に電子に対する電位障壁が−5Vになるような電圧を印加し、紫外光を照射しながら(図19ステップ2209)、ウェハ全面に紫外光が照射されるようにステージを走査した。帯電電位は、帯電制御電極の電位にほぼ等しくすることができ、かつウェハ全面に紫外光を照射するため、ウェハ全面を均等に−5V帯電させることができた。
図2に、測長SEMの構成の一例を示す。本装置は、電子光学系221、ステージ機構系222、ウェハ搬送系223、真空排気系224、光学顕微鏡225、制御系226、操作部227より構成されている。電子光学系221は、電子銃228、コンデンサレンズ229、対物レンズ230、二次電子検出器231、エネルギーフィルタ234、偏向器235、反射板236、ウェハ高さ検出器237より構成されている。ステージ機構系222は、XYステージ238、および試料としてのウェハを載置するためのホルダ239、ホルダ239およびウェハ251に負の電圧を印加するためのリターディング電源240より構成されている。
まず、ステップ2301において、ウェハ251が任意の棚に設置されたウェハカセットを、図2のウェハ搬送系223におけるカセット載置部241に置く。
次に、ステップ2302において、操作画面248より、測長すべきウェハ251を指定するために、該ウェハ251がセットされたカセット内棚番号を指定する。また、ウェハ加工データに基づいて測長すべきパターンの位置情報を格納している設定ファイルを操作画面248を選択する。選択においては、ネットワーク等による通信で設定ファイルを読み込む場合や、フレキシブルディスクのような記憶媒体より設定ファイルを読み込むことが可能である。
アライメントが完了したら、アライメント結果に基づき回転や座標値を補正し、ステップ2307において読み込んだ設定ファイルの各種情報に基づき、測長すべきパターンの位置に移動する。
ここで図22に示すように測長対象のウェハの電位分布2501が、帯電により面内で数10V程度ばらついている場合がある。この場合、帯電によってフォーカスがずれるため、図24に示すように測長対象パターン2701の輪郭が不明確になり、測長データ2702の精度が劣化するという問題があった。
なお、本実施例では図16に示すように紫外光を照射してウェハ全面の帯電を均一してから、図17に示すように測長パターンの画像および測長データを取得しているが、図15に示すように、欠陥画像を取得するつど紫外光を照射し、被測長パターンの帯電を均一にしてもよい。
上記、画像保存および測長データ取得操作を、ステップ2316に示すように以下の手順で繰返す。測長パターン位置へ移動(ステップ2311)→画像取得およびパターン測長(ステップ2312)→画像、測長データ保存(ステップ2313)。
1枚のウェハにおいて、測長を指定されたパターン全部について上記一連の動作が完了したら、ステップ2314において、ウェハをアンロードし、ステップ2315において測長を終了する。
図3に、レビューSEMの構成の一例を示す。本装置は、電子光学系321、ステージ機構系322、ウェハ搬送系323、真空排気系324、光学顕微鏡325、制御系326、操作部327より構成されている。電子光学系321は、電子銃328、コンデンサレンズ329、対物レンズ330、第一の検出器331、第二の検出器332、第三の検出器333、エネルギーフィルタ334、偏向器335、反射板336、ウェハ高さ検出器337より構成されている。ステージ機構系322は、XYステージ338、および試料としてのウェハを載置するためのホルダ339、ホルダ339およびウェハ351に負の電圧を印加するためのリターディング電源340より構成されている。
まず、ステップ2401において、ウェハ351が任意の棚に設置されたウェハカセットを、図3のウェハ搬送系323におけるカセット載置部341に置く。
次に、ステップ2402において、操作画面348より、レビューすべきウェハ351を指定するために、該ウェハ351がセットされたカセット内棚番号を指定する。また、レビューにおいては、他の検査装置により検査を実施され、欠陥等の位置情報を含む検査結果情報をもとに電子線画像による観察を実行するため、操作画面348より検査結果ファイルを選択する。選択においては、ネットワーク等による通信で検査結果ファイルを読み込む場合や、フレキシブルディスクような媒体より検査結果ファイルを読み込むことが可能である。
アライメントが完了したら、ステップ2407において、アライメント結果に基づき回転や座標値を補正し、既に読み込んだ検査結果ファイルの各種情報に基づき、レビューすべき欠陥の位置に移動する。
欠陥位置に移動したら、欠陥部周辺の帯電を均一にするためにステップ2408において紫外光を照射しつつ、帯電制御電位、リターディング電位を制御する。帯電制御電位は図12に示すように、時間とともにVcc電位の絶対値が小さくなるように制御する。紫外光を照射することにより、欠陥部周辺の帯電を均一にすることができた。また、この後、図13、図14に示すように帯電制御電位Vccを設定して、紫外光照射することにより、任意の電位に帯電させることも可能である。この帯電によりコンタクトホールの導通不良欠陥、ショート欠陥などの検出が可能になる。
なお、本実施例では図15に示すように、欠陥画像を取得するつど紫外光を照射し、欠陥部周辺の帯電を均一にし像を取得している。これは図13に示す帯電制御方法により実現される。まず,正帯電コントラスト像を取得する場合,帯電制御電圧を基板に対して正電圧に設定し,紫外光を照射する。これにより,試料を所望の電位に帯電させ,その後紫外光を消灯し,正帯電コントラスト像を取得する。この時,図10で示すように帯電制御電圧は基板に対して正に設定する。 以上の紫外光照射の制御と帯電制御電圧の制御の関係は図13中の上段と中段の時間経過図に示す通りである。
以上の紫外光照射の制御と帯電制御電圧の制御の関係は図13中の上段と中下段の時間経過図に示す通りである。これらの動作を図15に示すように観察する欠陥ごとに繰返す。紫外光照射のオンオフは紫外光源制御装置367により、帯電制御電極337への電圧印加のオンオフは電源制御部365により実行される。また、紫外光源制御装置367と電源制御部365の動作のタイミング調整は制御系326により実行される。
ステップ2412において、画像を保存すると同時に、画像処理部349では画像情報より欠陥の特徴を抽出して、欠陥の内容を自動的に分類する。分類された結果を、例えば0〜255の数値にコード化し、該コード番号を検査結果ファイルのなかの欠陥分類コードに対応する箇所に書き込む。
1枚のウェハにおいて、レビュー実施を指定された欠陥全部について上記一連の動作が完了したら、該ウェハの検査結果ファイル(分類結果を書き込まれたファイル)を自動的に保存し、指定された先に該検査結果ファイルを出力し、ステップ2414において、ウェハをアンロードし、ステップ2415においてレビューを終了する。
コンタクトホール底の残渣、形状欠陥、導通不良欠陥を分類するには正負、両方の電位コントラスト像を取得する場合がある。
ステップ2410において、図23に示すように帯電制御電極とウェハの電位差(ΔVcc)を1000Vに設定してまず正帯電コントラスト像2601を取得し異物2605及び形状欠陥2606を抽出する。
そこで、本実施例では、シェーディングの無い像を得るために、ΔVcc=2000Vに設定し、二次電子を引上げる電場を形成した。すると、シェーディングの無い像2603を得ることができ、導通不良欠陥2607を抽出することができた。続いて、導通不良欠陥2607の原因を特定するため、コンタクトホール底の正帯電コントラスト像2604を取得する。この時、コンタクトホール底からの二次電子を引上げるために、ΔVcc=2000Vに設定しているが、負帯電がウェハに残留しているため、従来は正帯電コントラストを得るまでに時間がかかっていた。この場合には、ウェハに紫外光を0.1s照射することで残留していた負帯電を除去し、正帯電コントラスト像2504を取得することができた。結果から、導通不良欠陥の原因が異物2608の付着であることを特定できた。
なお、本実施例では、ウェハを負帯電させるために帯電制御電極を用いたが、フラッドガンによるプリチャージ、紫外光照射を用いてもよい。
Claims (16)
- 回路パターンが形成された基板に対して電位を印加するための電極を有する荷電粒子線装置を用いた検査方法において、
前記電極の電位を基板に対して負にする工程と、
該基板表面の領域に紫外線を照射する工程と、
該領域から発生する光電子を該領域に引き戻し吸着させることで該領域を負帯電させる工程と、
該領域を一次荷電粒子ビームで走査し該領域から発生する二次電子の信号を検出する工程と、
検出された二次電子の信号から該領域の画像を形成する工程と、
形成された画像に基づき前記回路パターンの検査をする工程とを含むことを特徴とする検査方法。 - 請求項1に記載の検査方法において、
負帯電した前記領域を一次荷電粒子ビームで走査する際に、前記電極の電位をウェハに対して正にする工程を含むことを特徴とする検査方法。 - 回路パターンが形成された基板に対して電位を印加するための電極を有する荷電粒子線装置を用いた検査方法において、
前記電極の電位を基板に対して負にする工程と、
該基板表面の領域に電子線を照射する工程と、
該領域から発生する二次電子を該領域に引き戻し吸着させることで該領域を負帯電させる工程と、
該領域を一次荷電粒子ビームで走査し発生する二次電子を加速させる為に前記電極の電位をウェハに対して正にする工程と、
該領域から発生する二次電子の信号を検出する工程と、検出された二次電子の信号から該領域の画像を形成する工程と、
形成された画像に基づき前記回路パターンの検査をする工程とを含むことを特徴とする検査方法。 - 請求項1または3に記載の検査方法において、
前記画像を基準画像と比較することによってパターンの欠陥を検出する工程を含むことを特徴とする検査方法。 - 請求項1または3に記載の検査方法において、
前記第一の領域の画像と該第二の領域の画像を比較し異なる部分を判別する工程と、
該判別結果に基づき前記回路パターンの欠陥を判定する工程を含むことを特徴とする荷電粒子ビームによる検査方法。 - 請求項1または3に記載の検査方法において、
外観検査装置から得られる欠陥座標をもとに、該座標での画像を取得し、画像の形状、電位コントラスト、凹凸の情報を得て分類する工程を含んでなることを特徴とする荷電粒子ビームによる検査方法。 - 請求項1または3に記載の検査方法において、
前記画像に基づいて前記回路パターンの任意の部位を測長する工程を含むことを特徴とする荷電粒子ビームによる検査方法。 - 請求項1または3に記載の検査方法において、
前記荷電粒子ビームは電子ビームであることを特徴とする検査方法。 - 請求項1または3に記載の検査方法において、
検出された二次電子の信号から前記領域の画像を形成する工程と、
該画像からパターンのコントラストプロファイルを抽出する工程と、
該コントラストプロファイルからコントラストの強弱を判定する工程と、
該コントラストの強弱から前記負帯電させる工程によって再度所定領域を負帯電させるか否かを判定する工程を有することを特徴とする検査方法。 - 回路パターンが形成された基板に対して電位を印加するための電極を有する荷電粒子線装置を用いた検査方法において、
前記基板表面の領域に紫外線を照射し、かつ正負の極性を交互に変えながら前記電極へ電圧を印加する工程を電位の大きさを小さくしながら繰り返す工程を含むことを特徴とする検査方法。 - 請求項1、3ないし10に記載の検査方法において、
光電子もしくは二次電子を前記領域に引き戻し、所望の負帯電電位を得るために該電極電位を制御することを特徴とする荷電粒子ビームを用いた検査方法。 - 回路パターンの形成された被検査試料を搭載する試料台と、
一次荷電粒子ビームを前記被検査試料に照射するための電子ビーム加速エネルギー制御部と、
前記試料に紫外光を照射するための紫外光照射装置と、
前記一次荷電粒子ビーム減速手段の減速電圧を可変とする制御部と、
該試料から発生する二次電子もしくは光電子をウェハに吸着させるための帯電制御電極と、
該試料から発生する二次電子を検出する検出部と、
該検出部からの信号に基づき画像を表示するモニタ部とを具備することを特徴とする検査装置。 - 請求項12に記載の検査装置において、
前記検出部からの信号に基づき画像を形成し、検査されるべき該画像を他の同一回路パターンの画像と比較するための比較演算回路と、
該比較演算回路での比較結果から該試料の回路パターン上の欠陥部を判別するための演算回路とを具備することを特徴とする検査装置。 - 請求項12に記載の検査装置において、
前記検出部からの信号に基づき画像を形成し、欠陥種ごとに分類する計算機部を具備することを特徴とする検査装置。 - 請求項12に記載の検査装置において、
前記画像から回路パターンの寸法を測長する計算機を具備することを特徴とする検査装置。 - 請求項12に記載の検査装置において、
前記紫外光照射装置の制御装置と、前記帯電制御電極に所定の電圧を印加する電源および電源制御部とを有し、
前記被検査試料の帯電制御を行なう際には、
前記紫外線照射装置の制御装置は紫外光照射装置を発光させ、かつ前記電源制御部は前記帯電制御電極に正もしくは負の電圧を印加し、
前記被検査試料の二次電子像を取得する際には、
前記紫外線照射装置の制御装置は紫外光照射装置を消光させ、かつ前記電源制御部は前記帯電制御電極に正の電圧を印加することを特徴とする検査装置。
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