JP2008064505A - 電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、試料7を載置するステージ5と、試料7と対向して配置する光電子生成電極52と、紫外光を照射する紫外光照射手段53と、紫外光照射手段53に紫外光を所定の時間照射させて試料7及び光電子生成電極52から光電子を放出させ、光電子生成電極52に試料7が放出する光電子のエネルギーと光電子生成電極52が放出する光電子のエネルギーとの差に相当するエネルギーを供給する電圧を印加して、試料7の表面電位を0[V]にする制御手段20とを有する。前記制御手段20は、試料7の表面の電位を一定にした後、試料7の寸法測定を行う。
【選択図】図2
Description
図1は、本実施形態に係る電子ビーム寸法測定装置の構成図である。
次に、試料7の観察又は測長に先立って行う試料の表面の電位を一定にする処理について説明する。始めに、試料の帯電について説明し、その後、試料の電位を一定にする原理及び方法について説明する。
図3は、絶縁膜あるいはフローティング状態の金属表面が帯電する様子を模式的に示した図である。図3(a)は、二次電子放出比が1より大きい場合である。二次電子放出比が1より大きい範囲では、試料7から放出される二次電子42の数が試料に入射する一次電子41の数を上回るため、試料7の表面は正に帯電する。一方、図3(b)は、二次電子放出比が1より小さい場合である。二次電子放出比が1より小さい範囲では、試料7の表面に電子が多く残り、試料7の表面は負に帯電する。
本実施形態では、接地できない試料7の電位を制御するために試料7に対向して配置する電極及びその電極に印加する電圧に着目した。
れる事でエネルギーが増減する。試料7と光電子生成電極52の中心位置における各光電子のエネルギーを考えると試料7から放出された光電子のエネルギーは放出時に与えられたエネルギーEcrと中心まで加速したエネルギー−ΔV/2の和Ecr1になる。同様に光
電子生成電極52から放出された光電子のエネルギーも放出時のエネルギーEniとΔV/
2の和Eni1となる。
Ecr1 = Ecr − ΔV/2
Ecr1=Eni1となった時に光電子の移動が0になると考えられる。
Ecr −Eniとなる。ここでは光電子の位置を中心としたが、試料7と光電子生成電極52から各々放出された光電子が、同じ位置で重なる時のEni1 = Ecr1が成り立つ条件は、同様にΔV = Ecr − Eniとなる。
光電子生成電極52から試料7の方向となり試料7の電位が下降してΔVが小さくなる方
向に作用する。一方、ΔV < Ecr − Eniでは、ΔVは大きくなるように作用す
る。ΔV ≠ Ecr − Eniでは、光電子の移動がΔV = Ecr − Eniになるよ
うに作用するため、平衡状態としてはΔV = Ecr − Eniとなり、試料7における
光電子の放出と吸収が同量になり安定し、帯電の進行が停止する。
一定になる。ここで光電子生成電極52の電位を任意に設定すれば、試料7の電位を所望の値に制御する事が出来る。即ち、光電子生成電極52に電圧制御部54を制御して所定の値の電圧Vdを印加する。この電圧Vdを、ΔVを打ち消すように設定すれば、試料電
位は0[V]となる。例えば、図4においてはΔV = 0.2[V]であるからVd=
−0.2[V]とすれば良い。
次に、本実施形態の電子ビーム寸法測定装置100を用いて試料7上の電位を一定にして試料7の測長をする方法について図6のフローチャートを用いて説明する。
本実施形態では、電位一定化処理を試料室16から電位一定化処理室51に移動させて行う例について説明したが、これに限らず、試料室16において電位一定化処理を行うようにしてもよい。
Claims (11)
- 電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、
前記試料が載置されるステージと、
前記試料と対向して配置される光電子生成電極と、
紫外光を照射する紫外光照射手段と、
前記紫外光照射手段に紫外光を所定の時間照射させて前記試料及び光電子生成電極から光電子を放出させ、前記光電子生成電極に前記試料が放出する光電子のエネルギーと前記光電子生成電極が放出する光電子のエネルギーとの差に相当するエネルギーを供給する電圧を印加して、前記試料の表面電位を0[V]にする制御手段と
を有することを特徴とする電子ビーム寸法測定装置。 - 前記所定の時間は、前記試料と材質が同じで寸法が既知の校正試料を用いて寸法を測定した値を第1の測定値とし、前記紫外光を照射した後の前記試料を寸法測定した値を第2の測定値としたときに、前記第1の測定値と第2の測定値とが等しくなるときの時間であることを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム寸法測定装置。
- 前記紫外光は前記試料及び前記光電子生成電極の仕事関数よりも大きいエネルギーであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子ビーム寸法測定装置。
- 前記光電子生成電極は、前記試料の表面全体を覆うように対向して配置されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電子ビーム寸法測定装置。
- 更に、先端部に静電レンズを設置した対物レンズを有し、
前記制御手段は、前記対物レンズに電圧を印加しないで、前記紫外光照射手段に紫外光を照射させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電子ビーム寸法測定装置。 - 更に、先端部に静電レンズを設置した対物レンズを有し、
前記制御手段は、前記試料及び光電子生成電極のうち、前記対物レンズに電圧を印加して生成される電界の影響が及ばない範囲に紫外光を照射させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電子ビーム寸法測定装置。 - 前記制御手段は、前記試料の表面の電位を一定にした後、前記試料の寸法測定を行うことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の電子ビーム寸法測定装置。
- 電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、前記試料を載置するステージと、前記試料と対向して配置される光電子生成電極と、紫外光を照射する紫外光照射手段とを具備する電子ビーム寸法測定装置において、
前記光電子生成電極に印加する電圧を求めるステップと、
前記電圧を前記光電子生成電極に印加し、前記試料及び光電子生成電極に前記紫外光を所定の時間照射させて前記試料の電位を0[V]にするステップと、
前記試料の電位を0[V]にした後、当該試料の寸法測定を行うステップと
を含むことを特徴とする電子ビーム寸法測定方法。 - 前記所定の時間は、前記試料と材質が同じで寸法が既知の校正試料を用いて寸法を測定した値を第1の測定値とし、前記紫外光を照射した後の前記試料を寸法測定した値を第2の測定値としたときに、前記第1の測定値と第2の測定値とが等しくなるときの時間であることを特徴とする請求項8に記載の電子ビーム寸法測定方法。
- 前記紫外光は前記試料及び前記光電子生成電極の仕事関数よりも大きいエネルギーであることを特徴とする請求項8又は9に記載の電子ビーム寸法測定方法。
- 前記光電子生成電極に印加する電圧は、前記紫外光を照射したときに前記試料から放出される光電子のエネルギーと前記光電子生成電極から放出される光電子のエネルギーとの差に相当するエネルギーを供給する電圧であることを特徴とする請求項8から10のいずれか一項に記載の電子ビーム寸法測定方法。
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