CN105474356B - 基板处理装置、基板处理方法以及基板处理系统 - Google Patents
基板处理装置、基板处理方法以及基板处理系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105474356B CN105474356B CN201480045393.6A CN201480045393A CN105474356B CN 105474356 B CN105474356 B CN 105474356B CN 201480045393 A CN201480045393 A CN 201480045393A CN 105474356 B CN105474356 B CN 105474356B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- plan
- processing unit
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 743
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 701
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title claims description 83
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 159
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 154
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 63
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 52
- 238000012795 verification Methods 0.000 claims description 5
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 29
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 17
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 17
- 101710165590 Mitochondrial pyruvate carrier 1 Proteins 0.000 description 15
- 102100024828 Mitochondrial pyruvate carrier 1 Human genes 0.000 description 15
- 101710101695 Probable mitochondrial pyruvate carrier 1 Proteins 0.000 description 15
- 101001051031 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) Mitochondrial pyruvate carrier 3 Proteins 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000009471 action Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000013439 planning Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012384 transportation and delivery Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 108010078791 Carrier Proteins Proteins 0.000 description 1
- 101710165595 Mitochondrial pyruvate carrier 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100025031 Mitochondrial pyruvate carrier 2 Human genes 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 101710101698 Probable mitochondrial pyruvate carrier 2 Proteins 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009421 internal insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000012089 stop solution Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B15/00—Systems controlled by a computer
- G05B15/02—Systems controlled by a computer electric
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/32—Operator till task planning
- G05B2219/32078—Calculate process end time, form batch of workpieces and transport to process
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
Abstract
第二基板处理装置的第二控制装置判断基板的处理开始预想时刻是否在处理开始期限以前。如果处理开始预想时刻在处理开始期限以前,则第二控制装置使第二基板处理装置执行起初的第一计划以及第二计划。另一方面,在处理开始预想时刻在处理开始期限之后的情况下,第二控制装置以处理开始预想时刻变为处理开始期限以前的方式变更起初的第一计划以及第二计划,使第二基板处理装置执行变更后的第一计划以及第二计划。
Description
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及基板处理系统。作为成为处理对象的基板,包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display:场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置和液晶显示装置等制造工序中,对半导体晶片和液晶显示装置用玻璃基板等的基板进行包含清洗处理、热处理、成膜处理、蚀刻处理、抗蚀剂涂敷处理、曝光处理、以及显影处理中的2个以上的多个工序。
在专利文献1中公开了进行成膜处理的成膜处理装置、清洗通过成膜处理装置进行成膜处理后的基板的清洗装置、在成膜处理装置和清洗装置之间交接基板的中间交接部、将容纳多张基板的基板搬送用盒向成膜处理装置搬送的盒搬送装置。由成膜处理装置处理过的基板经由中间交接部搬送到清洗装置,并由清洗装置清洗。清洗装置具有放置基板搬送用盒的搬入搬出工作台。清洗装置对从中间交接部搬入的基板进行清洗,并对从清洗装置的搬入搬出工作台上的盒搬出的基板进行清洗。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平10-321575号公报
发明内容
发明所要解决的问题
如专利文献1所记载那样,为了提高基板的品质,想要缩短在某个基板处理装置结束基板的处理至在其他基板处理装置开始基板的处理的时间。例如,在专利文献1的结构中考虑有如下情况:在从盒搬出的基板的搬送或处 理在清洗装置执行时,追加基板从中间交接部搬入到清洗装置。在该情况下,由于基板搬送机构和清洗单元等的清洗装置的资源被用于从盒搬出的基板,所以导致追加基板的处理开始时刻超过处理开始期限,使基板的品质下降。
因此,本发明的一个目的在于,能够在处理开始期限以前开始基板的处理的基板处理装置、基板处理方法以及基板处理系统。
用于解决问题的手段
用于实现所述目的的本发明的一实施方式提供一种基板处理装置,与中间装置连接,该中间装置在对基板进行处理的第一基板处理装置的外部直接支撑由所述第一基板处理装置处理过的基板的状态下,搬送该基板,该基板处理装置包括:
多个第二加载口,分别保持能够容纳多张基板的多个运送器,
直接搬入口,接受从所述中间装置搬入的基板,
多个第二处理单元,对从所述多个第二加载口以及所述直接搬入口中的至少一方搬送来的基板进行处理,
第二搬送单元,在所述多个第二加载口、所述直接搬入口和所述多个第二处理单元之间搬送基板,
第二控制装置,对所述基板处理装置进行控制。
所述第二控制装置执行:
第一步骤,作成第一计划,该第一计划包括第一搬入工序、第一处理工序和第一搬出工序,在所述第一搬入工序中,使所述第二搬送单元将基板从所述多个第二加载口向所述多个第二处理单元搬送,
在所述第一处理工序中,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,
在所述第一搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第二步骤,作成第二计划,该第二计划包括第二搬入工序、第二处理工序、以及第二搬出工序,所述第二搬入工序、所述第二处理工序、以及所述第二搬出工序中的至少一个与所述第一搬入工序、第一处理工序、以及第一搬出工序中的至少一个同时执行,在所述第二搬入工序中,使所述第二搬送单元将由所述第一基板处理装置处理过的基板从所述直接搬入口向所述多 个第二处理单元搬送,
在所述第二处理工序,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,在所述第二搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第三步骤,判断所述第二计划所计划的基板的处理开始预想时刻是否在应该由所述基板处理装置对由所述第一基板处理装置处理过的基板进行处理的处理开始期限以前;
第四步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式变更所述第一计划以及第二计划,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划;
第五步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限以前的情况下,不变更所述第一计划以及第二计划而使所述基板处理装置执行所述第一计划以及第二计划。
根据该结构,第二控制装置以运送器内的基板从第二加载口搬送到第二处理单元,由第二处理单元处理过的基板从第二处理单元搬送到第二加载口的方式作成第一计划。进而,第二控制装置以由第一基板处理装置处理过的基板从直接搬入口搬送到第二处理单元,由第二处理单元处理过的基板从第二处理单元搬送到第二加载口的方式作成第二计划。第二控制装置以第二计划所包含的至少一个工序与第一计划所包含的至少一工序同时执行的方式作成第二计划。
第二控制装置在作成第二计划后,判断第二计划所计划的基板的处理开始预想时刻是否在应该由基板处理装置对由第一基板处理装置处理过的基板进行处理的处理开始期限以前。如果处理开始预想时刻在处理开始期限以前,则第二控制装置使基板处理装置执行起初的第一计划以及第二计划(在第一步骤以及第二步骤作成的第一计划以及第二计划)。另一方面,如果处理开始预想时刻在处理开始期限之后的情况下,第二控制装置以处理开始预想时刻变为处理开始期限以前的方式变更起初的第一计划以及第二计划,使基板处理装置执行变更后的第一计划以及第二计划。由此,能够在处理开始 期限以前开始第二计划所计划的基板的处理,能够防止基板的品质下降。
所述第二步骤可以是在由所述第一基板处理装置处理过的基板到达所述中间装置后作成所述第二计划的步骤。
根据该结构,在由第一基板处理装置处理过的基板到达中间装置后作成第二计划。第二计划所计划的基板的处理开始预想时刻是在基板处理装置开始基板的处理的预想时刻。也就是说,搬送机械手等的装置实施某个动作实际所需的时间和认为实施该动作所需的预想时间存在差,因此难以预想实际开始处理的准确的时间。特别是,当基板W的搬送距离长时,不确定主要原因增加,实际所需的时间和预想时间之差变大,处理开始预想时刻的准确度降低。因此,在基板W到中间装置到达后、即在基板W接近第二基板处理装置,基板W的搬送距离变短后作成第二计划,从而能够提高处理开始预想时刻的精度。由此,由于能够将更准确的处理开始预想时刻与处理开始期限比较,所以能够在处理开始期限以前开始第二计划所计划的基板W的处理。
所述基板处理装置还可以包括使基板退避的退避单元。所述第四步骤可以是如下步骤,即,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以基板从所述多个第二加载口经由所述退避单元搬送到所述多个第二处理单元的方式变更所述第一计划,并且以将从所述直接搬入口搬入的基板搬入到预定以变更前的所述第一计划对基板进行处理的所述第二处理单元的方式变更所述第二计划,由此,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式使所述处理开始预想时刻提前,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划。优选退避单元配置在从第二加载口或直接搬入口向多个第二处理单元搬送的基板的搬送路径(在基板处理装置内的搬送路径)外。
根据该结构,在处理开始预想时刻在处理开始期限之后的情况下,第二控制装置以基板经由退避单元从多个第二加载口向多个第二处理单元搬送的方式变更起初的第一计划。进而,第二控制装置以从直接搬入口搬入的基板搬入预定以变更前的第一计划对基板进行处理的第二处理单元的方式变更起初的第二计划,由此,以处理开始预想时刻变为处理开始期限以前的方式使处理开始预想时刻提前。并且,第二控制装置使基板处理装置执行变更 后的第一计划以及第二计划。由此,与第二计划对应的基板的处理比与第一计划对应的基板的处理优先,在处理开始期限以前开始与第二计划对应的基板的处理。
所述第二控制装置还可以执行第六步骤,根据检查单元的检查结果设定基板处理条件,该检查单元在由所述第一基板处理装置处理过的基板搬入所述基板处理装置之前检查该基板。所述第二步骤可以是以在所述第二处理工序中以所述基板处理条件对基板进行处理的方式作成所述第二计划的步骤。
根据该结构,根据检查单元的检查结果来设定基板处理条件,该检查单元在由第一基板处理装置处理的基板搬入基板处理装置之前检查该基板的品质。并且,第二控制装置以第二处理单元以与检查结果相应的基板处理条件对基板进行处理的方式作成第二计划。因此,能够以与基板的品质相应的条件处理基板,并能够提高清洁度等的基板的品质。
所述第六步骤可以是根据在所述第一基板处理装置以及中间装置中的一方设置的所述检查单元的检查结果来设定所述基板处理条件的步骤。
根据该结构,检查单元设置在第一基板处理装置以及中间装置中的一方,由第一基板处理装置处理过的基板的品质由第一基板处理装置以及中间装置中的一方检查。在检查单元设置于第一基板处理装置以及中间装置以外的装置的情况下,需要将基板搬送到第一基板处理装置以及中间装置外,产生相应的多余的搬送时间。因此,通过在第一基板处理装置以及中间装置中的一方设置检查单元,能够缩短从第一基板处理装置至基板处理装置的基板的搬送时间。
本发明的其他实施方式提供一种基板处理方法,由基板处理装置执行,该基板处理装置与中间装置连接,该中间装置在对基板进行处理的第一基板处理装置的外部直接支撑由所述第一基板处理装置处理过的基板的状态下,搬送该基板,
该基板处理装置具有:
多个第二加载口,分别保持能够容纳多张基板的多个运送器,
直接搬入口,接受从所述中间装置搬入的基板,
多个第二处理单元,对从所述多个第二加载口以及所述直接搬入口中的至少一方搬送来的基板进行处理,
第二搬送单元,在所述多个第二加载口、所述直接搬入口和所述多个第二处理单元之间搬送基板,
第二控制装置,对所述基板处理装置进行控制。
该基板处理方法包括:
第一步骤,作成第一计划,该第一计划包括第一搬入工序、第一处理工序和第一搬出工序,在所述第一搬入工序中,使所述第二搬送单元将基板从所述多个第二加载口向所述多个第二处理单元搬送,
在所述第一处理工序中,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,
在所述第一搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第二步骤,作成第二计划,该第二计划包括第二搬入工序、第二处理工序、以及第二搬出工序,所述第二搬入工序、所述第二处理工序、以及所述第二搬出工序中的至少一个与所述第一搬入工序、第一处理工序、以及第一搬出工序中的至少一个同时执行,在所述第二搬入工序中,使所述第二搬送单元将由所述第一基板处理装置处理过的基板从所述直接搬入口向所述多个第二处理单元搬送,
在所述第二处理工序,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,在所述第二搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第三步骤,判断所述第二计划所计划的基板的处理开始预想时刻是否在应该由所述基板处理装置对由所述第一基板处理装置处理过的基板进行处理的处理开始期限以前;
第四步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式变更所述第一计划以及第二计划,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划;
第五步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限以前的情况下,不变更所述第一计划以及第二计划而使所述基板处理装置 执行所述第一计划以及第二计划。
根据该方法,能够发挥与前述的效果相同的效果。
所述第二步骤可以是在由所述第一基板处理装置处理过的基板到达所述中间装置后作成所述第二计划的步骤。根据该方法,能够发挥与前述的效果相同的效果。
所述基板处理装置还可以包括使基板退避的退避单元。所述第四步骤可以是如下步骤,即,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以基板从所述多个第二加载口经由所述退避单元搬送到所述多个第二处理单元的方式变更所述第一计划,并且以将从所述直接搬入口搬入的基板搬入到预定以变更前的所述第一计划对基板进行处理的所述第二处理单元的方式变更所述第二计划,由此,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式使所述处理开始预想时刻提前,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划。根据该方法,能够发挥与前述的效果相同的效果。
该基板处理方法还可以包括第六步骤,根据检查单元的检查结果设定基板处理条件,该检查单元在由所述第一基板处理装置处理过的基板搬入所述基板处理装置之前检查该基板。所述第二步骤可以是以在所述第二处理工序中以所述基板处理条件对基板进行处理的方式作成所述第二计划的步骤。根据该方法,能够发挥与前述的效果相同的效果。
所述第六步骤可以是根据在所述第一基板处理装置以及中间装置中的一方设置的所述检查单元的检查结果来设定所述基板处理条件的步骤。根据该方法,能够发挥与前述的效果相同的效果。
本发明的又一其他实施方式提供一种基板处理系统,具有:
第一基板处理装置,对基板进行处理;
所述基板处理装置;
中间装置,在所述第一基板处理装置的外部直接支撑由所述第一基板处理装置处理过的基板的状态下,在所述第一基板处理装置和所述基板处理装置之间搬送该基板。根据该结构,能够挥发与前述的效果同样的效果。
本发明的前述的、或其他目的、特征以及效果通过参照附图进行的下述的实施方式的说明就更加清楚。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的基板处理系统1的示意性的俯视图。
图2是表示本发明的一实施方式的第二基板处理装置4的内部的结构的示意性的侧视图。
图3是表示本发明的一实施方式的中间装置3的内部的结构的示意性的主视图。
图4是用于说明第二基板处理装置4的电气结构的框图。
图5是基板W由第一基板处理装置2以及第二基板处理装置4处理时的流程图。
图6是从由第二基板处理装置4生成任务(Job)起到由第二基板处理装置4处理基板W为止的流程图。
图7是用于对任务优先顺序决定控制进行说明的流程图。
图8A是表示生成完PJ和登录完PJ的一览表。
图8B是表示生成完PJ和登录完PJ的一览表。
图8C是表示生成完PJ和登录完PJ的一览表。
图8D是表示生成完PJ和登录完PJ的一览表。
图9A是表示对与3个第一PJ1~PJ3分别建立关联的3张基板W进行处理的计划的时序图。
图9B是表示对与3个第一PJ1~PJ3分别建立关联的3张基板W进行处理的计划的时序图。
图9C是表示对与4个PJ(3个第一PJ1~PJ3和1个第二PJ)分别建立关联的4张基板W进行处理的计划(3个第一计划和1个第二计划)的时序图。
图9D是表示处理开始预想时刻超过处理开始期限的情况的计划(3个第一计划和1个第二计划)的时序图。
图9E是表示变更为处理开始预想时刻在处理开始期限以前的计划(3个第一计划和1个第二计划)的时序图。
图10是表示第一计划以及第二计划的执行与否判断的流程图。
图11是表示第一计划以及第二计划的变更处理的详细的流程图。
具体实施方式
图1是本发明的一实施方式的基板处理系统1的示意性的俯视图。图2是表示本发明的一实施方式的第二基板处理装置4的内部的结构的示意性的侧视图。图3是表示本发明的一实施方式的中间装置3的内部的结构的示意性的主视图。
如图1所示,基板处理系统1包括:单张式的第一基板处理装置2,对基板W一张一张进行处理;单张式的第二基板处理装置4,对基板W一张一张进行处理;中间装置3,将第一基板处理装置2和第二基板处理装置4相互连接;运送器搬送机械手5,将能够容纳多张基板W的运送器C(例如、FUOP)向第一基板处理装置2和第二基板处理装置4搬送。运送器C在内部具有隔开间隔在上下方向配置的多个槽(搁板)。运送器C利用多个槽对该多张基板W进行支撑,使得多张基板W以水平姿势隔开间隔上下层叠。
第一基板处理装置2既可以是清洗装置、热处理装置、成膜装置、蚀刻装置、抗蚀剂涂敷装置、曝光装置、以及显影装置中的任一装置,也可以是对基板W进行其他处理的装置。第二基板处理装置4也同样。另外,第一基板处理装置2以及第二基板处理装置4既可以是对基板W进行同种处理的装置,也可以是对基板W进行不同种类的处理的装置。以下,对第一基板处理装置2是干蚀刻装置而第二基板处理装置4是利用药液或冲洗液等的清洗液对干蚀刻后的基板W进行清洗的湿式清洗装置的例子说明。
如图1所示,第一基板处理装置2包括:多个第一加载口(Load port)LP1,以沿水平的排列方向D1排列的状态分别保持多个运送器C;单张式的第一处理模块7,对从在第一加载口LP1保持的运送器C搬出的基板W进行处理(干蚀刻);第一分度器模块6,在第一加载口LP1、第一处理模块7和中间装置3之间搬送基板W;第一控制装置8,对第一基板处理装置2所具有的装置的动作和阀的开闭进行控制。第一基板处理装置2还包括对由第一处理模块7处理的基板W进行检查的第一检查单元9。第一检查单元9的一例是具有对在处理后的基板W(干蚀刻后的基板W)的表面形成的图案的线宽进行测定的扫描型电子显微镜的单元。
如图1所示,第一分度器模块6包括:作为第一搬送机械手的第一分度器机械手IR1,将基板W以水平姿势搬送;第一分度器箱10,容纳第一分 度器机械手IR1以及第一检查单元9。第一分度器箱10与第一加载口LP1、第一处理模块7、以及中间装置3连接,第一处理模块7以及中间装置3的内部与第一分度器箱10的内部连接。第一分度器机械手IR1相对于运送器C、第一处理模块7、第一检查单元9、以及中间装置3进行基板W的搬入或搬出,在运送器C、第一处理模块7、第一检查单元9、以及中间装置3之间搬送基板W。
容纳未处理的基板W(由第一基板处理装置2处理前的基板W)的运送器C被运送器搬送机械手5载置在第一加载口LP1上。第一加载口LP1上的运送器C内的基板W由第一分度器机械手IR1从运送器C通过第一分度器箱10的内部搬送到第一处理模块7。并且,由第一处理模块7处理后的基板W由第一分度器机械手IR1从第一处理模块7搬送到第一分度器箱10。处理完的所有的基板W由第一分度器机械手IR1一张一张地搬入第一检查单元9,由第一检查单元9一张一张地检查。然后,处理以及检查完的基板W由第一分度器机械手IR1搬送到保持在第一加载口LP1上的运送器C或中间装置3。另外,搬入有处理以及检查完的基板W的运送器C由运送器搬送机械手5从第一加载口LP1搬送到第二基板处理装置4。
如图1以及图3所示,中间装置3包括:上游支撑构件11,能够将从第一基板处理装置2搬出的基板W支撑为水平姿势;下游支撑构件12,能够将向第二基板处理装置4搬入的多张基板W支撑为水平姿势;中间搬送机械手R3,在上游支撑构件11和下游支撑构件12之间将基板W以水平姿势搬送;中间箱14,容纳上游支撑构件11、下游支撑构件12、以及中间搬送机械手R3;中间控制装置13,对中间装置3所具有的装置的动作和阀的开闭进行控制。
如图1所示,作为缓存部发挥功能的下游支撑构件12包括两张支撑板12a,两张支撑板12a能够支撑多张基板W,多张基板W以水平姿势隔开间隔上下层叠。两张支撑板12a在两张支撑板12a之间具有隔开间隔在上下方向上配置的多个槽(搁板)。两张支撑板12a在与排列方向D1垂直的水平的垂直方向D2上隔开间隔相向。下游支撑构件12向中间搬送机械手R3侧开放,并向第二基板处理装置4侧开放。基板W通过两张支撑板12a之间的空间,由中间搬送机械手R3搬送到两张支撑板12a之间。
如图3所示,中间箱14包括与第一基板处理装置2连接的上游箱15、与第二基板处理装置4连接的下游箱17、与上游箱15和下游箱17连接的箱主体16。中间装置3还包括对连接箱主体16的内部和下游箱17的内部的开口进行密闭的上游闸门18、使上游闸门18开闭的第一开闭装置、对与在第二基板处理装置4设置的开口(直接搬入口25a)连接的下游箱17的开口进行密闭的下游闸门19、使下游闸门19开闭的第二开闭装置、排出下游箱17内的气体的排气管20。
上游闸门18除了在从箱主体16向下游箱17搬送基板W时以外被关闭。同样,下游闸门19除了在从下游箱17向第二基板处理装置4搬送基板W时以外被关闭。在上游闸门18以及下游闸门19被关闭的状态下,下游箱17的内部从箱主体16的内部和第二基板处理装置4的内部隔离。在该状态下,当下游箱17内的气体通过排气管20被排出时,下游箱17的内部被减压。在上游闸门18以及下游闸门19被关闭的状态下,下游箱17内的气压维持在比第一基板处理装置2内的气压(第一分度器模块6内的气压)低且在第二基板处理装置4内的气压(后述的第二分度器箱25内的气压)以上的值。
如图1所示,第一基板处理装置2内的基板W由第一分度器机械手IR1从第一基板处理装置2通过连接第一基板处理装置2的内部(第一分度器箱10的内部)和上游箱15的内部的开口(直接搬出口10a),搬送到上游支撑构件11。被上游支撑构件11支撑的基板W在上游闸门18打开的状态下,由中间搬送机械手R3以水平姿势从上游支撑构件11搬送到下游支撑构件12。然后,被下游支撑构件12支撑的基板W在下游闸门19打开的状态下,由后述的第二基板处理装置4的第二分度器机械手IR2从下游支撑构件12搬送到第二基板处理装置4。由此,基板W从第一基板处理装置2经由中间装置3搬送到第二基板处理装置4。
如图1所示,第二基板处理装置4包括:多个第二加载口LP2,以在排列方向D1上排列的状态分别保持多个运送器C;第二处理模块23,对从在第二加载口LP2保持的运送器C搬出的基板W进行处理(清洗);第二分度器模块22,在保持在第二加载口LP2上的运送器C、第二处理模块23和中间装置3之间搬送基板W;第二控制装置24,对第二基板处理装置4所具有的装置的动作和阀的开闭进行控制。
如图1所示,第二分度器模块22包括:作为第二搬送机械手的第二分度器机械手IR2,将基板W以水平姿势搬送;第二分度器箱25,容纳第二分度器机械手IR2。第二分度器机械手IR2、后述的第二中央机械手CR2以及临时保持单元27是第二搬送单元的一例。
第二分度器箱25与第二加载口LP2、第二处理模块23、以及中间装置3连接,第二处理模块23以及中间装置3的内部与第二分度器箱25的内部连接。连接第二分度器箱25的内部和中间箱14的内部的直接搬入口25a被下游闸门19密闭,由下游闸门19开闭。第二分度器机械手IR2相对于运送器C、第二处理模块23、以及中间装置3进行基板W的搬入或搬出,在运送器C、第二处理模块23、以及中间装置3之间搬送基板W。
如图1以及图2所示,第二分度器机械手IR2具有在不同的高度配置的2个手部H。在图1中示出2个手部H在俯视下重叠的状态。第二分度器机械手IR2使手部H在水平方向以及铅垂方向移动。进而,第二分度器机械手IR2通过围绕铅垂轴线旋转(自转),来改变手部H的朝向。进而,第二分度器机械手IR2沿着通过交接位置(图1所示的位置)的路径在排列方向D1上移动。交接位置是在俯视下第二分度器机械手IR2以及第二处理模块23(后述的临时保持单元27)在垂直方向D2相向的位置。
第二分度器机械手IR2通过使手部H在水平方向以及铅垂方向移动,使手部H与第二加载口LP2上的任意的运送器C相向。同样,第二分度器机械手IR2通过使手部H在水平方向以及铅垂方向上移动,使手部H与第二处理模块23(后述的临时保持单元27)和中间装置3相向。并且,第二分度器机械手IR2在手部H与运送器C、第二处理模块23、以及中间装置3中的某个相向的状态下,通过使手部H在水平方向以及铅垂方向移动,相对于运送器C、第二处理模块23、以及中间装置3中的某个进行基板W的搬入或搬出。
如图1所示,第二处理模块23具有对由第二分度器模块22从运送器C搬出的基板W一张一张进行处理(清洗)的单张式的多个第二处理单元MPC。在图1中示出在第二处理模块23设置有12个第二处理单元MPC的例子。第二处理模块23还具有:第二中央机械手CR2,在第二处理模块23内将基板W以水平姿势搬送;临时保持单元27,临时保持从在第二加载口 LP2保持的运送器C或中间装置3搬送来的基板W。第二分度器机械手IR2、第二中央机械手CR2、以及临时保持单元27是第二搬送单元的一例。
如图1所示,12个第二处理单元MPC在俯视下配置在包围第二中央机械手CR2的4个位置。12个第二处理单元MPC形成各自由上下层叠的3个第二处理单元MPC构成的4个塔。4个塔形成在俯视下沿垂直方向D2排列的2列。构成一列的2个塔分别与构成另一列的2个塔在排列方向D1上隔开间隔水平相向。第二中央机械手CR2配置在排列方向D1上的4个塔之间。临时保持单元27在俯视下配置在第二分度器机械手IR2的交接位置和第二中央机械手CR2之间。临时保持单元27以及第二中央机械手CR2在俯视下在垂直方向D2相向。
如图2所示,临时保持单元27包括在第二分度器机械手IR2和第二中央机械手CR2之间中继基板W的中继单元28和使从中间装置3搬出的基板W临时退避的退避单元29。中继单元28以及退避单元29在上下方向上排列,在俯视下重叠。在图2中示出中继单元28配置在退避单元29的下方的例子。中继单元28也可以配置在退避单元29的上方。
如图1所示,中继单元28包括通过与基板W的下表面周缘部接触来将该基板W支撑为水平姿势的一个以上的支撑构件30和容纳被支撑构件30支撑的基板W的中继箱31。中继箱31包括在第二分度器机械手IR2侧打开的开口和在第二中央机械手CR2侧打开的开口。第二分度器机械手IR2通过在第二分度器机械手IR2侧打开的开口,在中继箱31的内部和中继箱31的外部之间搬送基板W。同样,第二中央机械手CR2通过在第二中央机械手CR2侧打开的开口,在中继箱31的内部和中继箱31的外部之间搬送基板W。
如图2所示,退避单元29包括通过与基板W的下表面周缘部接触来将该基板W支撑为水平姿势的一个以上的支撑构件30和容纳被支撑构件30支撑的基板W的退避箱32。退避箱32包括在第二分度器机械手IR2侧打开的开口和在第二中央机械手CR2侧打开的开口。第二分度器机械手IR2通过在第二分度器机械手IR2侧打开的开口在退避箱32的内部和退避箱32的外部之间搬送基板W。同样,第二中央机械手CR2通过在第二中央机械手CR2侧打开的开口,在退避箱32的内部和退避箱32的外部之间搬送基板W。
如图1以及图2所示,第二中央机械手CR2具有配置在不同的高度上的 2个手部H。在图1中示出2个手部H在俯视下重叠的状态。第二中央机械手CR2使手部H在水平方向以及铅垂方向移动。进而,第二中央机械手CR2通过围绕铅垂轴线旋转(自转)来改变手部H的朝向。第二中央机械手CR2的基台部分固定在第二基板处理装置4上,不能相对于第二基板处理装置4移动。第二中央机械手CR2可以在垂直方向D2上移动。
第二中央机械手CR2通过使手部H在水平方向以及铅垂方向上移动,使手部H与任意的第二处理单元MPC相向。同样,第二中央机械手CR2通过使手部H在水平方向以及铅垂方向移动,使手部H与中继单元28或退避单元29相向。并且,第二中央机械手CR2在手部H与第二处理单元MPC、中继单元28、退避单元29中的某个相向的状态下,通过使手部H在水平方向以及铅垂方向上移动,能够相对于第二处理单元MPC、中继单元28、退避单元29中的某个进行基板W的搬入或搬出。
容纳未处理的基板W(由第二基板处理装置4处理前的基板W)的运送器C由运送器搬送机械手5放置在第二加载口LP2上。第二加载口LP2上的运送器C内的基板W由第二分度器机械手IR2从运送器C的内部搬送到第二分度器箱25的内部。并且,搬送到第二分度器箱25内的基板W由第二分度器机械手IR2从第二分度器箱25的内部搬送到中继箱31的内部,放置在中继单元28的支撑构件30上。被中继单元28支撑为水平姿势的基板W由第二中央机械手CR2从中继箱31的内部搬送到第二处理单元MPC的内部,由第二处理单元MPC处理(清洗)。然后,处理完的基板W由第二中央机械手CR2从第二处理单元MPC搬送到中继单元28,由第二分度器机械手IR2从中继单元28搬送到在第二加载口LP2保持的运送器C。
另外,被中间装置3的下游支撑构件12支撑的未处理的基板W(由第二基板处理装置4处理前的基板W)在下游闸门19打开的状态下,由第二分度器机械手IR2从中间装置3的内部搬送到第二分度器箱25的内部。然后,搬送到第二分度器箱25内的基板W由第二分度器机械手IR2从第二分度器箱25的内部搬送到中继箱31或退避箱32的内部,放置在中继箱31或退避箱32内的支撑构件30上。搬送到退避箱32内的基板W不经由第二处理单元MPC,由第二分度器机械手IR2从退避单元29搬送到在第二加载口LP2保持的运送器C上。另外,搬送到中继箱31内的基板W由第二中央机 械手CR2从中继箱31的内部搬送到第二处理单元MPC的内部,由该第二处理单元MPC处理。然后,处理完的基板W由第二中央机械手CR2从第二处理单元MPC搬送到中继单元28,由第二分度器机械手IR2从中继单元28搬送到在第二加载口LP2保持的运送器C。
图4是用于说明第二基板处理装置4的电气结构的框图。
如图4所示,第二控制装置24与中间装置3以及第二加载口LP2等的第二基板处理装置4所具有的多个装置连接。进而,第二控制装置24还与主计算机HC等的除了第二基板处理装置4以外的装置连接。第二控制装置24包括计算机主体33和与计算机主体33连接的周边装置36。计算机主体33包括执行程序的CPU(中央处理装置)34和与CPU34连接的主存储装置35。周边装置36包括与主存储装置35连接的辅助存储装置37和与主计算机HC等进行通信的通信装置38。
如图4所示,第二控制装置24包括:在线控制部39,与主计算机HC、中间装置3、以及第二加载口LP2等多个装置通信;装置管理部40,中继发送到线控制部39的指令;调度部41,根据从装置管理部40发送来的指令作成对基板W进行搬送及/或处理的计划,根据所作成的计划使第二基板处理装置4的资源动作。在线控制部39、装置管理部40、以及调度部41是通过CPU34执行在辅助存储装置37存储的程序来实现的功能块。
如图4所示,调度部41包括:任务管理部43,对与向第二基板处理装置4搬入的基板W建立关联的任务的识别信息按照规定的优先顺序登录而成的任务管理列表42进行管理;调度引擎44,按照任务的优先顺序从高至低依次作成对与在任务管理列表42登录的任务建立关联的基板W进行搬送及/或处理的计划;处理执行指示部45,根据调度引擎44所作成的计划(调度结果),使第二基板处理装置4的资源动作,由此使第二基板处理装置4的各资源执行基板W的搬送及/或处理。
辅助存储装置37存储对基板处理内容进行定义的多个基板处理信息(以下称为“处理方案”。)。处理方案包括识别信息、基板处理条件、以及基板处理顺序。更具体地说,处理方案包括并行处理单元信息、使用处理液信息、以及处理时间信息等。并行处理单元信息是指定能够使用的第二处理单元MPC的信息,表示能够利用所指定的第二处理单元MPC进行并行处理。换 言之,表示在指定处理单元中的一个无法使用时,利用除此以外的指定处理单元代替。“无法使用时”是指,该第二处理单元MPC处于用于处理其他基板W中时、该第二处理单元MPC处于故障中时、操作者不想由该第二处理单元MPC处理基板W时等。
如后面所述那样,处理方案的识别信息从主计算机HC发送到第二控制装置24。调度部41从在辅助存储装置37存储的多个处理方案中选择与从主计算机HC发送来的处理方案的识别信息对应的处理方案,并读取所选择的处理方案。然后,调度部41作成根据所读取的处理方案包含的基板处理条件以及基板处理顺序对基板W进行处理的计划,使第二基板处理装置4的资源执行所作成的计划。由此,多个基板处理工序(例如处理液供给工序和干燥工序)按照处理方案所指定的基板处理条件且按照处理方案所指定的基板处理顺序执行。
图5是基板W由第一基板处理装置2以及第二基板处理装置4处理时的流程图。
当容纳有未处理的基板W(由第一基板处理装置2处理前的基板W)的运送器C由运送器搬送机械手5放置在第一加载口LP1上时(步骤S1),第一基板处理装置2的第一控制装置8将第一运送器设置信息发送给主计算机HC(步骤S2),将设置有运送器C的情况传递给主计算机HC。第一运送器设置信息包括第一运送器C的识别信息、设置有第一运送器C的第一加载口LP1的识别信息和第一槽信息,第一槽信息示出在第一运送器C的多个槽中插入有基板W的槽的位置。因此,通过主计算机HC识别“在哪个第一加载口LP1”放置的“哪个运送器”的“哪个槽”配置有未处理的基板W,换言之,识别某个特定的基板W的位置信息。
当从第一控制装置8传递来设置有运送器C的情况时,主计算机HC将第一虚拟运送器生成指示发送给第二控制装置24(步骤S3),指示第二控制装置24生成与在第一加载口LP1设置的第一运送器C、即在第二基板处理装置4不实际存在的运送器对应的第一虚拟运送器。第二控制装置24接收来自主计算机HC的第一虚拟运送器生成指示,在第二控制装置24的内部生成第一虚拟运送器(逻辑信息)(步骤S4)。第一虚拟运送器生成指示中包括第一运送器C的识别信息、设置有第一运送器C的第一加载口LP1的 识别信息、示出在第一运送器C的多个槽中插入有基板W的槽的位置的第一槽信息。也就是说,第一虚拟运送器生成指示中包含与第一运送器设置信息同样的信息。
另一方面,要容纳由第二基板处理装置4处理过的基板W的第二运送器C由运送器搬送机械手5载置在第二加载口LP2上时(步骤S5),第二控制装置24在第二控制装置24的内部生成与第二加载口LP2上的第二运送器C、即在第二基板处理装置4实际存在的运送器对应的第二虚拟运送器(步骤S6)。进而,第二控制装置24将第二运送器设置信息发送给主计算机HC(步骤S7),将设置有第二运送器C的情况传递给主计算机HC。第二运送器设置信息中包括第二运送器C的识别信息、载置有第二运送器C的第二加载口LP2的识别信息、示出第二运送器C的多个槽中未插入基板W的槽的位置的第二槽信息(槽图)。
如后述那样,第二控制装置24在第二控制装置24的内部作成从第一虚拟运送器向第二虚拟运送器搬送基板W的计划,并使该第二基板处理装置4执行该计划。
当第一运送器设置信息以及第二运送器设置信息被主计算机HC接收时,主计算机HC将第一任务生成指示发送给第一控制装置8(步骤S8),指示第一控制装置8生成任务。在第一任务生成指示中包括任务的识别信息、处理方案的识别信息、容纳应处理的基板W的运送器(在此为第一运送器C)的识别信息、表示在该运送器的哪个槽插入有基板W的第一槽信息、容纳处理完的基板W的运送器(在此为第二运送器C)的识别信息、表示应在该运送器的哪个槽容纳基板W的第二槽信息。
同样,当第一运送器设置信息以及第二运送器设置信息被主计算机HC接受时,主计算机HC将第二任务生成指示(PJ·CJCreate)发送给第二控制装置24(步骤S9),指示第二控制装置24生成任务。第二任务生成指示中包括任务的识别信息、处理方案的识别信息、容纳应该处理的基板W的出发运送器(在此为第一运送器C)的识别信息、示出在该运送器的哪个槽插入有基板W的第一槽信息、容纳处理完的基板W的目的运送器(在此为第二运送器C)的识别信息、表示应该在该运送器的哪个槽容纳基板W的第二槽信息。
当从主计算机HC发送来的第二任务生成指示被第二控制装置24接收时,第二控制装置24在第二控制装置24的内部生成分别与多张基板W建立关联的多个PJ(处理任务)和与多个PJ建立关联的CJ(控制任务)(步骤S10)。例如,在第二任务生成指示中将“1”、“2”作为任务的识别信息分别指定给两张基板W的情况下,第二控制装置24在第二控制装置24的内部生成与两张基板W分别对应的PJ1、PJ2和与PJ1、PJ2对应的CJ。
在各PJ中包括第二任务生成指示所指定的处理方案的识别信息。处理方案的内容可能针对每个基板W都不同,也可能在多张基板W都共用。第二控制装置24从在辅助存储装置37存储的多个处理方案中选择与任务(PJ)所指定的处理方案的识别信息对应的处理方案,将所选择的处理方案读取到主存储装置35。由此,与多张基板W对应的处理方案由第二控制装置24准备(步骤S11)。
另外,CJ中包括出发运送器的识别信息、出发运送器的第一槽信息、目的运送器的识别信息、目的运送器的第二槽信息。这些信息是第二任务生成指示所指定的信息。第二控制装置24以如下方式作成计划,并使第二基板处理装置4执行所作成的计划:与对应于共用的CJ的多个PJ分别对应的多张基板W从CJ所指定的出发运送器(第一虚拟运送器)向CJ所指定的目的运送器(第二虚拟运送器)搬送。
在第二任务生成指示中,将在第一基板处理装置2配置的第一运送器C指定为出发运送器。相对于此,在第二任务生成指示中,将在第二基板处理装置4配置的第二运送器C指定为目的运送器。因此,在第二任务生成指示中,能够对第二基板处理装置4指示从在与第二基板处理装置4不同的装置即在第一基板处理装置2配置的第一运送器C向在第二基板处理装置4配置的第二运送器C搬送基板W。
第一控制装置8使第一分度器模块6和第一处理模块7等的第一基板处理装置2所具有的资源,将在第一加载口LP1保持的第一运送器C内的一张基板W搬送到第一处理模块7,使第一处理模块7处理基板W(步骤S12)。然后,第一控制装置8在由第一检查单元9检查处理完的基板W后,使第一基板处理装置2的资源将该基板W搬送到中间装置3。在多张基板W容纳在第一运送器C的情况下,第一控制装置8使第一基板处理装置2的资源 反复执行这些动作。另外,第一控制装置8当完成对基板W的处理以及检查时,针对每个基板W将第一处理结果信息发送给主计算机HC(步骤S13),将基板W的处理以及检查完成的情况传递给主计算机HC。在第一处理结果信息中包含表示在第一检查单元9的检查结果的检查信息。
当第一处理结果信息被主计算机HC接收时,主计算机HC选择与检查信息对应的处理方案的识别信息。然后,主计算机HC将包含所选择的处理方案的识别信息的处理方案替换指示发送给第二控制装置24(步骤S14),使任务(PJ)所指定的当前的处理方案的识别信息变更为所选择的处理方案的识别信息。因此,第二控制装置24从在辅助存储装置37存储的多个处理方案中选择与所替换的处理方案的识别信息对应的处理方案,将所选择的处理方案读取到主存储装置35。由此,已经准备的处理方案的内容被置换为其他处理方案的内容,由第二控制装置24针对各基板W准备包含反映了检查结果的处理方案(步骤S15)。
在第一加载口LP1设置的第一运送器C内容纳有多张基板W的情况下,第一控制装置8使进行了处理以及检查的多张基板W由第一分度器机械手IR1从第一基板处理装置2一张一张搬送到中间装置3的上游支撑构件11。中间控制装置13使由第一分度器机械手IR1放置在上游支撑构件11上的基板W,由中间搬送机械手R3搬送到下游支撑构件12中的某个槽(步骤S16)。当中间搬送机械手R3向下游支撑构件12中的某个槽插入基板W时,中间控制装置13将基板到达信息发送给主计算机HC(步骤S17),将基板W到达第二基板处理装置4的附近的情况传递给计算机HC。基板到达信息中包括下游支撑构件12的识别信息和表示在下游支撑构件12的哪个槽插入有基板W的第一槽信息。
当基板到达信息被主计算机HC接收时,主计算机HC将基板到达信息发送给第二控制装置24(步骤S18),将基板W到达第二分度器机械手IR2能够搬送基板W的可搬送范围内的情况传递给第二控制装置24。如前所述,基板到达信息中包括下游支撑构件12的识别信息和表示在下游支撑构件12的哪个槽插入有基板W的第一槽信息。当基板到达信息被第二控制装置24接收时,第二控制装置24变更在第二控制装置24保持的第一虚拟运送器(逻辑信息)。具体地说,第一虚拟运送器所包含的已有的信息(与第一加载口 LP1上的第一运送器C对应的位置信息)被置换为上游支撑构件11的识别信息和表示在上游支撑构件11上设置的多个槽中插入有基板W的槽的位置的第一槽信息。因此,从主计算机HC发送给第二控制装置24的第二任务生成指示变更为,从与第二基板处理装置4不同的装置即中间装置3的上游支撑构件11向在第二加载口LP2保持的第二运送器C搬送基板W。
如后述那样,第二控制装置24针对每个基板W作成将搬送到中间装置3的基板W搬送到第二处理模块23,并将由第二处理模块23处理的基板W搬送到在第二加载口LP2保持的运送器C的计划。并且,第二控制装置24使第二分度器模块22和第二处理模块23等的第二基板处理装置4所具有资源执行该计划(步骤S19)。因此,由第一基板处理装置2处理过的基板W经由中间装置3从第一基板处理装置2搬送第二基板处理装置4。也就是说,基板W并不是在容纳在运送器C的状态下由运送器搬送机械手5搬送,而是利用第一基板处理装置2、第二基板处理装置4、以及中间装置3从第一基板处理装置2搬送到第二基板处理装置4。并且,搬送到第二基板处理装置4的基板W在由第二基板处理装置4处理后,容纳于在第二加载口LP2保持的第二运送器C。然后,容纳有处理完的基板W的第二运送器C由运送器搬送机械手5搬送到进行下一工序的基板处理装置(步骤S20)。
图6是表示从由第二基板处理装置4生成任务起至由第二基板处理装置4处理基板W的流程图。
如上所述,当任务生成指示(PJCreate)从主计算机HC发送给第二控制装置24时,第二控制装置24生成识别号码在每个基板W都不同的任务(例如PJ1和PJ2)(步骤S31),从辅助存储装置37读取并准备与任务生成指示所指定的处理方案的识别信息对应的处理方案(步骤S32)。
当分别与多个PJ对应的多个任务登录指示(PJExecute)从主计算机HC发送给第二控制装置24时,第二控制装置24根据在以下说明的任务优先顺序决定控制来决定PJ的优先顺序,根据优选顺序将多个任务登录指示所指定的多个PJ登录在任务管理列表42(步骤S33)。
当与多个PJ对应的多个处理开始指示(PJ Start)从中间装置3、第二加载口LP2、以及主计算机HC中的某个发送给第二控制装置24时,第二控制装置24根据在任务管理列表42登录的顺序,针对每个基板W作成将基板 W在第二基板处理装置4进行搬送及/或处理的计划(Schedule)(步骤S34)。并且,第二控制装置24使第二分度器模块22和第二处理模块23等的第二基板处理装置4所具有的资源执行该计划(步骤S35)。
由第二控制装置24作成的计划的一例是,将在第二加载口LP2保持的运送器C内的基板W经由中继单元28搬送到第二处理单元MPC,并将由第二处理单元MPC处理过的基板W经由中继单元28搬送到在第二加载口LP2保持的运送器C的计划。也就是说,在该计划中,从第二基板处理装置4的某个位置向第二基板处理装置4的某个位置(与最初的位置相同的位置或不同的位置)搬送基板W。
由第二控制装置24作成的计划的另一例是,将在中间装置3保持的基板W经由中继单元28搬送到第二处理单元MPC,并将由第二处理单元MPC处理完的基板W经由中继单元28搬送到在第二加载口LP2保持的运送器C的计划。也就是说,在该计划中,从与第二基板处理装置4不同的装置(中间装置3)的某个位置向第二基板处理装置4的某个位置搬送基板W。
由第二控制装置24作成的计划的又一个例子是,将在中间装置3保持的基板W搬送到退避单元29,并将退避单元29内的基板W在不由第二处理单元MPC处理情况下,从退避单元29搬送到在第二加载口LP2保持的运送器C的计划。也就是说,在计划中,从与第二基板处理装置4不同的装置(中间装置3)的某个位置向第二基板处理装置4的某个位置搬送基板W。
图7是用于对任务优先顺序决定控制进行说明的流程图。
以下对如下例子进行说明,第二控制装置24作成或变更任务管理列表42,使得与从第一基板处理装置2经由中间装置3向第二基板处理装置4搬送的基板W对应的PJ(以下称为“第二PJ”。)优先于与第二加载口LP2上的运送器C内的基板W对应的PJ(以下称为“第一PJ”。)。
针对各PJ,向第二控制装置24发送任务登录指示(PJExecute)。第一PJ的任务登录指示在运送器C放置在第二加载口LP2上时以后发送。第二PJ的任务登录指示在该第二PJ起初所指定的处理方案被替换为反映了检查结果的处理方案,并且与该第二PJ建立关联的基板W的位置信息变更为下游支撑构件12的某个槽后发送。
第二控制装置24确认是否接收了任务登录指示(步骤S51)。当任务登 录指示从主计算机HC发送给第二控制装置24时(在步骤S51为“是”),第二控制装置24判断请求向任务管理列表42登录的PJ是第一PJ和第二PJ中的哪一个(步骤S52)。
在请求登录的PJ是第一PJ的情况(在步骤S52为否)下,第二控制装置24将请求登录的PJ登录在任务管理列表42的末尾。具体地说,在其他PJ(第一PJ以及第二PJ中的至少一方)已经登录在任务管理列表42中的情况下,第二控制装置24在登录完的所有的PJ之后登录PJ。另外,如果登录完的PJ没有位于任务管理列表42,则第二控制装置24在此时的相当于末尾的任务管理列表42的最前头登录新的PJ(步骤S53)。
另一方面,请求登录的PJ是第二PJ的情况(在步骤S52为是)下,第二控制装置24判断PJ是否已经登录在任务管理列表42(步骤S54)。如果登录完的PJ没有位于任务管理列表42(在步骤S54为是),则第二控制装置24将请求登录的PJ登录在任务管理列表42的最前头(步骤S55)。另外,在登录完的PJ位于任务管理列表42的情况(在步骤S54为否),第二控制装置24判断登录完的PJ是第一PJ和第二PJ中的哪一个(步骤S56)。
在登录完的所有的PJ都是第一PJ的情况(在步骤S56为否)的情况下,第二控制装置24以将请求登录的第二PJ登录在登录完的所有的第一PJ之前,第二PJ优先于所有的第一PJ的方式变更任务管理列表42(步骤S57)。
另外,在登录完的PJ中包含一个以上第二PJ的情况(在步骤S56为是)下,第二控制装置24以登录完的所有的第二PJ优先于新的第二PJ,新的第二PJ优先于登录完的所有的第一PJ的方式变更任务管理列表42。
具体地说,在登录完的PJ都是第二PJ的情况(在步骤S56为是1)下,第二控制装置24将新的第二PJ登录在任务管理列表42的末尾(步骤S58)。另外,在第一PJ和第二PJ已经登录在任务管理列表42的情况(在步骤S56为是2)下,第二控制装置24在末尾的第二PJ(优先顺序最低的第二PJ)之后登录新的第二PJ,使登录完的所有的第一PJ的优先顺序比新登录的第二PJ低(步骤S59)。
图8A~图8D是表示生成完PJ和登录完PJ的一览表。
在图8A~图8D中,以PJ1~PJ20中的某些表示第一PJ,以PJA、PJB中的某些表示第二PJ。另外,在图8A~图8D中,以“送出停止”、“停止解除”、 以及“处理中”中的某个状态表示登录完的PJ的状况。“送出停止”表示第二控制装置24接收PJ的处理开始指示(PJStart)之前的状况。“停止解除”表示从第二控制装置24接收PJ的处理开始指示之后开始进行有了处理开始指示的基板W的调度之前的状况。“处理中”表示计划的执行中且开始从运送器C或中间装置3搬送基板W后的状况。
图8A示出,在登录完的PJ没有位于任务管理列表42时,10个第一PJ(PJ1~PJ10)的任务登录指示依次发送给第二控制装置24,且10个第一PJ的处理开始指示依次发送给第二控制装置24后的任务管理列表42。在该情况下,如图8A所示,PJ1~PJ10从最前头开始依次登录在任务管理列表42。进而,由于10个第一PJ的处理开始指示发送给第二控制装置24,所以各第一PJ的状况变更为“停止解除”。
图8B示出,在10个第一PJ登录在任务管理列表42时,1个第二PJ的任务登录指示和处理开始指示发送给第二控制装置24后的任务管理列表42。在该情况下,在第二PJ请求登录之前,登录完的所有的PJ是第一PJ,因此,第二控制装置24以将请求登录的第二PJ登录在登录完的所有的第一PJ之前,第二PJ比所有的第一PJ优先的方式变更任务管理列表42。进而,由于第二PJ的处理开始指示发送给第二控制装置24,所以第二PJ的状况变更为“停止解除”。就登录完的10个第一PJ而言,优先顺序高的最前头至第5号这5个PJ1~PJ5的状况变化为“处理中”,开始搬送与PJ1~PJ5分别对应的5张基板W。
图8C示出,在10个第一PJ和1个第二PJ登录在任务管理列表42时,1个第二PJ的任务登录指示和处理开始指示发送给第二控制装置24后的任务管理列表42。在该情况下,第二控制装置24以在登录完的第二PJ(PJA)和登录完的10个第一PJ(PJ1~PJ10)之间配置新的第二PJ(PJB),登录完的第二PJ比新的第二PJ优先,新的第二PJ比登录完的10个第一PJ优先的方式变更任务管理列表42。
图8D是10个第一PJ和2个第二PJ登录在任务管理列表42时,10个第一PJ(PJ11~20)的任务登录指示依次发送给第二控制装置24后的任务管理列表42。在该情况下,由于10个第一PJ和2个第二PJ已经登录在任务管理列表42,所以第二控制装置24在登录完的所有的PJ之后依次登录新的 10个第一PJ(PJ11~20)。
如上所述那样,在任务管理列表42登录多个PJ(图6的流程图的步骤S33)。接着,当与多个PJ对应的多个处理开始指示(PJStart)从中间装置3、第二加载口LP2、以及主计算机HC中的某个发送给第二控制装置24时,第二控制装置24根据在任务管理列表42登录的顺序,针对各基板作成将基板W在第二基板处理装置4进行搬送及/或处理的计划。然后,执行将各计划的各要素以基板W彼此不干涉的方式分配给第二基板处理装置4的各资源的调度(图6的步骤S34)。
在调度完成后,第二控制装置24根据在步骤S34作成的计划,使第二分度器模块22和第二处理模块23等的第二基板处理装置4所具有的资源执行基板W的搬送及/或处理(图6的步骤S35)。
在之前使用图7以及图8A~图8D进行说明的例子中,说明了第二计划的PJ总是优先于第一计划的PJ来调度的例子,但是,也可能不以第二计划的PJ总是优先于第一计划的PJ的方式进行调度。
但是,在该情况下,在第二控制装置24根据第一计划执行基板W的搬送及/或处理(图6的步骤S35)的过程中追加有第二计划时,已有的第一计划和追加的第二计划的关联性可能成为问题。图10是更详细地表示以在任务管理列表登录任务(图6的步骤S33)时追加的第二计划未必优先于第一计划的方式设定的情况下的、图6所示的计划作成工序(步骤S34)和处理执行工序(步骤S35)的关联性的流程图。
具体地说,如图10所示,在第二控制装置24作成与多个PJ建立关联的第一计划(步骤S34)后,第二控制装置24根据该第一计划,依次执行处理(步骤S35)。与该处理执行工序(步骤S35)并行,第二控制装置24监视有无追加PJ(步骤S36)。在产生追加PJ时(在步骤S36为是的情况),第二控制装置24在作成与追加PJ建立关联的临时计划(步骤S37)后,研究已有计划和与追加PJ建立关联的计划的关联性,来采用必要的对策(步骤S38~步骤S41)。
此外,步骤S36~步骤S41的处理与步骤S35并行进行,直到第二基板处理装置4对基板的搬送及/或处理工序(步骤S35)结束为止(步骤S42)。
使用具体例子详细叙述步骤S36~步骤S41。
如图9A的时序图所示,假设在图6的步骤S34中作成对与3第一PJ1~第一PJ3分别建立关联的3张基板W进行处理的计划(3个第一计划)。此外,图9A所示的条B1~条B7的定义在以下的图9B~图9E也同样。另外,各条的编号中的分支号对应于PJ的编号。另外,在图9A~图9E中,将中继单元28(参照图2)记为“PASS”。
在以“条B1”图示的期间,执行从第二分度器机械手IR2开始从第二加载口LP2上的运送器C或中间装置3搬出基板W起至将基板W搬入临时保持单元27的第二分度器机械手IR2从中继单元28完成退避为止的“取出工序”。
在以“条B2”图示的期间,执行从基板W由第二分度器机械手IR2搬入中继单元28起至中继单元28内的基板W由第二中央机械手CR2搬出为止的“顺交接工序”。
在以“条B3”图示的期间,执行从第二中央机械手CR2开始从中继单元28搬出基板W起至将基板W搬入第二处理单元MPC的第二中央机械手CR2从第二处理单元MPC完成退避为止的“搬入工序”。
在以“条B4”图示的期间,执行从基板W由第二中央机械手CR2从中继单元28搬送到第二处理单元MPC起至由第二处理单元MPC处理过的基板W由第二中央机械手CR2从第二处理单元MPC搬出为止的“基板处理工序”。
在以“条B5”图示的期间,执行从第二中央机械手CR2开始从第二处理单元MPC搬出基板W起至将基板W搬入中继单元28的第二中央机械手CR2从中继单元28完成退避为止的“搬出工序”。
在以“条B6”图示的期间,执行从基板W由第二中央机械手CR2从第二处理单元MPC搬送到中继单元28起至中继单元28内的基板W由第二分度器机械手IR2搬出为止的”逆交接工序”。
在以“条B7”图示的期间,执行从第二分度器机械手IR2开始从中继单元28搬出基板W起至将基板W搬入第二加载口LP2上的运送器C的第二分度器机械手IR2从运送器C完成退避为止的“容纳工序”。
假设在第一PJ1~第一PJ3所指定的处理方案中,3个第二处理单元MPC1~MPC3被指定为执行处理方案所指定的基板处理的并行处理单元。因此,第二控制装置24在图6的步骤S34的阶段以各基板W由3个第二处理单元MPC1~MPC3中某个处理的方式作成第一计划。在图9A中计划成,第 一张基板W由第二处理单元MPC1处理,第二张基板W由第二处理单元MPC2处理,第三张基板W由第二处理单元MPC3处理。第二控制装置24根据在步骤S34作成的计划,使用第二基板处理装置4的各资源来执行各基板W的搬送及/或处理(图6的步骤S35)。
如前所述那样,第二控制装置24与步骤S35的处理并行地监视有无追加PJ(图10的步骤S36)。图9B表示在开始第一张基板W的搬出工序的时间点第二控制装置24保持的处理计划。在该时间点,没有追加的PJ,所以图10的步骤S36为否,第二控制装置24沿着在图6的步骤S34作成的已有的计划继续进行处理(图6以及图10的步骤S35)。
使用图9C、图9D以及图9E和图10以及图11来说明产生追加PJ的情况的处理。
假设在图9C的时序图的“当前时刻”的时间点,追加有与第四个PJ(第二PJ4)建立关联的计划(1个第二计划)。由此,图10的步骤S36为是,第二控制装置24转移到步骤S37。于是,第二控制装置24通过将与追加PJ建立关联的计划临时配置于在步骤S34作成的已有计划的后段,来作成第二PJ4(追加PJ)的临时计划。此外,与第一PJ1~第一PJ3所指定的处理方案同样,在第二PJ4所指定的处理方案中,3个第二处理单元MPC1~MPC3被指定为能够执行基板处理工序的并行处理单元。第二处理单元MPC1~MPC3中最先结束基板处理的是第二处理单元MPC1,因此,作成将第二PJ4所指定的基板W搬入第二处理单元MPC1的临时计划(参照图9C)。
具体地说,首先,将基板处理工序B4-4临时配置在基板处理工序B4-1刚刚之后。通过进行该临时配置,能够获取在基板处理工序B4-4使用的基板W的处理开始预想时刻。接着,为了能够将第二PJ4所指定的基板W在基板处理工序B4-4的开始时刻之前搬入第二处理单元MPC1,沿着时间轴配置利用第二分度器机械手IR2从中间装置3取出基板W的取出工序B1-4、从第二分度器机械手IR2经由PASS(中继单元28)向第二中央机械手CR2交付基板W的顺交接工序B2-4、利用第二中央机械手CR2向第二处理单元MPC1搬入基板的搬入工序B3-4。另外,在基板处理工序B4-4的后段沿着时间轴配置搬出工序B5-4、逆交接工序B6-4、容纳工序B7-4。由此,作成用于执行追加PJ即第二PJ4的临时计划(步骤S37)。
此外,在上述中,在最初临时配置基板处理工序B4-4的时间段后,依次临时配置作为前段工序的基板W的取出工序B3-4、基板W的顺交接工序B2-4以及搬入工序B1-4。在基板W到达中间装置3的时刻比临时配置的搬入工序B1-4的开始预想时刻晚的情况下,必须使基板W的顺交接工序B2-4、基板W的取出工序B3-4以及基板处理工序B4-4依次延迟。因此,与第二PJ4建立关联的临时计划的作成(步骤S37)期望在第二PJ4所指定的基板W到达中间装置3的时间确定后(例如该基板W实际到达中间装置3后)执行。
接着,对作为追加PJ的第二PJ4执行图10的步骤S38(处理开始预想时刻和处理开始期限的获取)。“处理开始预想时刻”相当于临时配置的基板处理工序B4-4的开始预想时刻,因此能够通过作成与追加PJ建立关联的临时计划来获取。“处理开始期限”是例如能够由第二基板处理装置4除去在第一基板处理装置2产生的污染(例如干蚀刻后产生的蚀刻残渣)的最晚的处理开始的预想时刻。当在处理开始期限之后开始在第二基板处理装置4的基板W的处理时,有可能无法从基板除去在第一基板处理装置2产生的污染。该“处理开始期限”的信息能够通过在从基板W搬入第一基板处理装置2起至由第一基板处理装置2处理的基板W经由中间装置3搬入第二基板处理装置4为止的期间从主计算机HC发送给第二控制装置24来获取。“处理开始期限”既可以包含在第一处理结果信息,也可以包含在基板到达信息。
接着,进入图10的步骤S39,对处理开始预想时刻和处理开始期限进行比较。在步骤S37所作成的临时计划中,基于追加PJ所指定的处理方案在第二基板处理装置4处理基板的开始预想时刻在处理开始期限的以前的情况下,判断为无需变更已有计划和临时计划。另一方面,在处理开始预想时刻处于处理开始期限之后的情况下,判断为需要变更已有计划和临时计划。
在图9C的例子中,由于处理开始预想时刻在处理开始期限以前,在图10的步骤S39中判断为是,进入步骤S40。在步骤S40中,不变更与第一PJ1、第一PJ2以及第一PJ3建立关联的已有的计划(第一计划)。另外,在步骤S37作成的与第二PJ4建立关联的临时计划(第二计划)也不变更。第二控制装置24在步骤S40之后根据在图6的步骤S34作成的计划和在图10的步骤S37作成的临时计划,使第二基板处理装置4的各资源执行基板W的 搬送及/或处理(步骤S35)。
此外,在与追加PJ建立关联的计划是第一计划的情况下,通常不存在上述的处理开始期限。因此,在步骤S37所作成的临时计划是第一计划的情况下,通常在步骤S39判断为是,从步骤S39转移到步骤S40。但是,即使与追加PJ建立关联的计划是第一计划,在该PJ指定有处理开始期限的处理方案的情况下,也可能在步骤S39判断为否,从步骤S39转移到步骤S41。
图9D表示在追加了处理开始期限比图9C的例子先到来的第二PJ4的情况下,执行图10的步骤S37(作成追加PJ的临时计划)后的时序图。在该例子中,基于追加PJ所指定的处理方案的在第二基板处理装置4的处理开始预想时刻在处理开始期限之后,因此在图10的步骤S39中判断为否,进入步骤S41(变更已有计划和追加PJ的临时计划)。
图11是对步骤S41的内容进行更详细说明的流程图。第二控制装置24根据图11所示的流程图,将图9D所示的时序图如图9E的时序图那样进行变更。
此外,在图9E中,在以“条B8”图示的期间,执行从第二中央机械手CR2开始从中继单元28搬出基板W起到将基板W搬入退避单元29的第二中央机械手CR2从退避单元29完成退避为止的“搬入工序”。
在以“条B9”图示的期间,执行从基板W由第二中央机械手CR2从中继单元28搬送到退避单元29起到退避单元29内的基板W由第二中央机械手CR2搬出为止的“退避工序”。
在以“条B10”图示的期间,执行第二中央机械手CR2开始从退避单元29搬出基板W起到将基板W搬入第二处理单元MPC的第二中央机械手CR2从第二处理单元MPC完成退避为止的“单元间移动工序”。
在图11的步骤S41a中,从多个第二处理单元MPC中选择能够执行追加PJ所指定的处理方案的第二处理单元MPC作为特定MPC。在作为追加PJ的第二PJ4所指定的处理方案中,3个第二处理单元MPC1~MPC3指定为能够执行基板处理工序的并行处理单元,因此,在步骤S41a中选择第二处理单元MPC1~MPC3作为特定MPC。
在接下来的步骤S41b中,选择既是由特定MPC执行的预定的基板处理工序又是处理开始预想时刻比当前时刻晚且处理开始预想时刻在处理开始 期限的以前的基板处理工序,并且生成使作为该基板处理工序的对象的基板W退避到退避单元29的计划。在图9D的例子中,由于第二处理单元MPC3执行的预定的基板处理工序B4-3满足该条件,因此,第二控制装置24生成使基板处理工序B4-3的对象的基板W退避到退避单元29的计划。在该图9E中,通过在退避单元29的时间轴上分配条B9-3来表现该计划变更。此外,以下,将如上述第二处理单元MPC3那样转用于与追加PJ建立关联的计划的第二处理单元MPC称为转用MPC。
在接下来的步骤S41c中,以将退避工序的对象的基板W搬送到退避单元29的方式变更已有计划。具体地说,以第一PJ3所指定的基板W从中继单元28搬出后,未被搬入第二处理单元MPC3而搬入退避单元29的方式,变更已有的计划。在图9D以及图9E中,通过将条B3-3(图9D)变更为条B8-3(图9E)来表现该计划变更。
在接下来的步骤S41d中,以追加PJ所指定的基板处理工序在处理开始期限之前由转用MPC开始的方式变更已有计划。具体地说,为了将第二PJ4所指定的基板W搬运到第二处理单元MPC3,在已有计划的时序图上沿着时间轴配置取出工序B1-4、顺交接工序B2-4、搬入工序B3-4的各时间段。另外,将第二PJ4所指定的基板W的基板处理工序B4-4分配给第二处理单元MPC3。
在接下来次的步骤S41e中,作成单元间移动工序的计划,即,一产生能够执行该基板W的基板处理的第二处理单元MPC,就将退避在退避单元29中的基板W从退避单元29取出,并使其移动到第二处理单元MPC。在本实施方式的事例中,作成使退避在退避单元29中的基板W从退避单元29移动到第二处理单元MPC1的计划。在图9E中,通过在从第二处理单元MPC1的基板搬出工序即条B5-1刚刚之后,配置从退避单元29取出基板W并搬入第二处理单元MPC1的单元间移动工序即条B10-3,来表现该计划作成。
在接下来的步骤S41f中,作成将移动到其他第二处理单元MPC的基板W由该第二处理单元MPC进行处理的基板处理工序的计划。在本实施方式的事例中,作成如在单元间移动工序B10-3刚刚之后,开始在第二处理单元MPC1的基板处理工序B4-3那样的计划。
在接下来的步骤S41g中,作成从转用MPC搬出基板W的搬出工序的计划。在本实施方式的事例中,作成如在第二处理单元MPC3的基板W的基板处理工序B4-4刚刚之后,依次执行与第二PJ4建立关联的基板W的搬出工序B5-4、逆交接工序B6-4、以及容纳工序B7-4那样的计划。
在接下来的步骤S41h中,进行因此前的已有计划的变更和与追加PJ建立关联的计划的追加产生的基板W的搬出工序的调整。在本实施方式的事例中,作成如下计划,即,伴随在步骤S41a~步骤S41g执行的调度,第一PJ2所指定的基板W的搬出工序B5-2、逆交接工序B6-2、以及容纳工序B7-2的实施时机比已有计划的实施时机推迟。
这样,在步骤S41进行在步骤S34所作成的计划(第一计划)和在步骤S37所作成的临时计划(第二计划)的变更后,第二控制装置24根据该变更的计划,使第二基板处理装置4的各资源执行基板W的搬送及/或处理(步骤S35)。
如上所述,在本实施方式中,第二控制装置24以如下方式作成第一计划,即,运送器C内的基板W从第二加载口LP2搬送到第二处理单元MPC,由第二处理单元MPC处理过的基板W从第二处理单元MPC搬送到第二加载口LP2。进而,第二控制装置24以如下方式作成第二计划,即,由第一基板处理装置2处理过的基板W从直接搬入口25a搬送到第二处理单元MPC,由第二处理单元MPC处理过的基板WCNG第二处理单元MPC搬送到第二加载口LP2。第二控制装置24以第二计划所包含的至少一个工序与第一计划所包含的至少一个工序同时执行的方式作成第二计划。
第二控制装置24在作成第二计划后,判断第二计划所计划的基板W的处理开始预想时刻是否在应由第二基板处理装置4处理由第一基板处理装置2处理过的基板W的处理开始期限以前。如果处理开始预想时刻在处理开始期限以前,则第二控制装置24使第二基板处理装置4执行起初的第一计划以及第二计划。另一方面,在处理开始预想时刻在处理开始期限之后的情况下,第二控制装置24以处理开始预想时刻变为处理开始期限以前的方式变更起初的第一计划以及第二计划,使第二基板处理装置4执行变更后的第一计划以及第二计划。由此,能够在处理开始期限以前开始第二计划所计划的基板W的处理,防止基板W的品质下降。
另外,在本实施方式中,在由第一基板处理装置2处理过的基板W到达中间装置3后作成第二计划。第二计划所计划的基板W的处理开始预想时刻是在第二基板处理装置4开始基板W的处理的预想时刻。也就是说,由于搬送机械手等的装置执行某动作实际所需的时间和认为实施该动作所需的预想时间存在差,因此难以预想实施开始处理的准确的时间。特别是,当基板W的搬送距离长时,不确定主要原因增加,因此实际所需的时间和预想时间之差变大,处理开始预想时刻的准确度降低。因此,在基板W到中间装置3到达后、即基板W接近第二基板处理装置4,基板W的搬送距离变短后,作成第二计划,从而能够提高处理开始预想时刻的精度。由此,由于能够将更准确的处理开始预想时刻与处理开始期限比较,所以能够在处理开始期限以前开始第二计划所计划的基板W的处理。
另外,在本实施方式中,在处理开始预想时刻在处理开始期限之后的情况下,第二控制装置24以基板W经由退避单元29从多个第二加载口LP2搬送到多个第二处理单元MPC的方式变更起初的第一计划。进而,第二控制装置24以从直接搬入口25a搬入的基板W被搬入到预定以变更前的第一计划处理基板W的第二处理单元MPC的方式变更起初的第二计划,从而能够以处理开始预想时刻变为处理开始期限以前的方式使处理开始预想时刻提前。然后,第二控制装置24使第二基板处理装置4执行变更后的第一计划以及第二计划。由此,与第二计划对应的基板W的处理比与第一计划对应的基板W的处理优先,与第二计划对应的基板W的处理在处理开始期限以前开始。
另外,在本实施方式中,根据第一检查单元9的检查结果设定基板处理条件,该第一检测单元9在由第一基板处理装置2处理过的基板W被搬入第二基板处理装置4之前检查该基板W的品质。并且,第二控制装置24以第二处理单元MPC在与检查结果相应的基板处理条件下对基板W进行处理的方式作成第二计划。因此,能够以与基板W的品质相应的条件处理基板W,能够提高清洁度等的基板W的品质。
另外,在本实施方式中,第一检查单元9设置在第一基板处理装置2,由第一基板处理装置2处理过的基板W的品质由第一基板处理装置2检查。在第一检查单元9设置在第一基板处理装置2以及中间装置3以外的装置、 即基板W的搬送路径外的情况下,需要将基板W搬送到第一基板处理装置2以及中间装置3外,因此,产生多余的搬送时间。因此,通过在第一基板处理装置2设置第一检查单元9,能够缩短从第一基板处理装置2至第二基板处理装置4的基板W的搬送时间。
以上说明了本发明的实施方式,但是本发明并不限于前述的实施方式的内容,在本发明的范围内能够进行各种变更。
例如在前述的实施方式中对如下情况进行了说明,即,在起初的第二计划中处理开始预想时刻在处理开始期限之后的情况下,以处理开始预想时刻变为处理开始期限以前的方式变更第一计划以及第二计划。但是,即使在起初的第二计划中,处理开始预想时刻超过处理开始期限的情况下,第二控制装置24也可以使第二基板处理装置4的资源执行起初的第二计划,将在处理开始期限之后开始处理基板W的情况传递给主计算机HC。或者,第二控制装置24可以以基板W不经由第二处理单元MPC从中间装置3搬送到第二加载口LP2的方式变更第二计划,并且将避开在第二基板处理装置4处理基板W的情况传递给主计算机HC。
另外,在前述的实施方式中,对如下情况进行了说明,即,PJ起初所指定的处理方案被替换为反映了第一检查单元9的检查结果的处理方案,变更在第二处理单元MPC的基板处理条件。也就是说,对无论是怎样的检查结果,基板W都由第二处理单元MPC处理的情况进行了说明。但是,也可以不进行处理方案的替换,利用起初指定的处理方案处理基板W。另外,第二控制装置24也可以基于第一检查单元9的检查结果(从主计算机HC发送来的检查信息),以基板W避开第二处理单元MPC从中间装置3搬送到第二加载口LP2的方式作成第二计划。
具体地说,第二控制装置24以经由直接搬入口25a搬入第二基板处理装置4的基板W由第二搬送单元(第二分度器机械手IR2、第二中央机械手CR2、临时保持单元27)避开多个第二处理单元MPC从第二基板处理装置4的外部搬送到第二加载口LP2的方式作成第二计划,使第二基板处理装置4的资源执行所作成的第二计划。或者,第二控制装置24以经由直接搬入口25a向第二基板处理装置4的基板W由第二分度器机械手IR2从中间装置3搬送到退避单元29的方式作成第二计划,使第二基板处理装置4的资源执 行所作成的第二计划。
另外,在前述的实施方式中,对第一检查单元9测定在处理后的基板W(干蚀刻后的基板W)的表面形成的图案的线宽的情况进行了说明,也可以由第一检查单元9进行线宽的测定以外的检查。例如在第一基板处理装置2为成膜装置的情况下,可以由第一检查单元9测定在第一基板处理装置2形成的薄膜的厚度。
另外,在前述的实施方式中,对检测基板W的品质的检查单元(第一检查单元9)设置在第一基板处理装置2的情况进行了说明,但是检查单元也可以设置在中间装置3。另外,第一检查单元9也可以从基板处理系统1省略。
另外,在前述的实施方式中,对第一检查单元9检查由第一基板处理装置2处理的所有的基板W的情况进行了说明,但是,也可以利用第一检查单元9仅对由第一基板处理装置2处理的一部分的基板W进行检查。
另外,在前述的实施方式中,对第一基板处理装置2、中间装置3、以及第二基板处理装置4依次沿水平的运送器C的排列方向D1排列的情况进行了说明,但是,也可以在与运送器C的排列方向D1垂直的水平的垂直方向D2依次排列第一基板处理装置2、中间装置3、以及第二基板处理装置4。
另外,在前述的实施方式中,对退避单元29的退避箱32具有在第二分度器机械手IR2侧打开的开口和在第二中央机械手CR2侧打开的开口的情况进行了说明,但是也可以以第二分度器机械手IR2以及第二中央机械手CR2中的仅一方仅访问退避单元29内的方式而省略2个开口中的一个。即,退避箱32构成为,第二分度器机械手IR2以及第二中央机械手CR2中的至少一个手部H能够进入退避箱32的内部即可。
另外,在前述的实施方式中,对如下情况进行了说明,即,第二处理模块23具有临时保持单元27,第二分度器机械手IR2、第二中央机械手CR2、临时保持单元27构成第二搬送单元,也可以省略临时保持单元27,第二分度器机械手IR2以及第二中央机械手CR2直接进行基板W的交接。
另外,在前述的实施方式中,对如下情况进行了说明,即,由对下游闸门19进行开闭的第二开闭装置由中间控制装置13控制,该下游闸门19对直接搬入口25a进行开闭,但是,第二开闭装置也可以由第二控制装置24 控制。
另外,也可以组合前述的所有的实施方式中的2个以上。
对本发明的实施方式进行了详细说明,但这些只不过是用于使本发明的技术的内容更加清楚的具体例,本发明并不应该限定于这些具体例来解释,本发明的精神以及范围仅由权利要求书限定。
本申请对应于2013年8月15日向日本国特许厅提出的特愿2013-168952号,该申请的全部内容通过引用而编入于此。
附图标记的说明
1:基板处理系统
2:第一基板处理装置
3:中间装置
4:第二基板处理装置
9:第一检查单元
11:上游支撑构件
12:下游支撑构件
13:中间控制装置
14:中间箱
15:上游箱
16:箱主体
17:下游箱
18:上游闸门
19:下游闸门
20:排气管
22:第二分度器模块
23:第二处理模块
24:第二控制装置
25:第二分度器箱
25a:直接搬入口
27:临时保持单元
28:中继单元
29:退避单元
41:调度部
42:任务管理列表
43:任务管理部
44:调度引擎
45:处理执行指示部
C:运送器
CR2:第二中央机械手
HC:主计算机
IR1:第一分度器机械手
IR2:第二分度器机械手
LP1:第一加载口
LP2:第二加载口
MPC:第二处理单元
R3:中间搬送机械手
W:基板
Claims (11)
1.一种基板处理装置,与中间装置连接,该中间装置在对基板进行处理的第一基板处理装置的外部直接支撑由所述第一基板处理装置处理过的基板的状态下,搬送该基板,其特征在于,
该基板处理装置包括:
多个第二加载口,分别保持能够容纳多张基板的多个运送器,
直接搬入口,接受从所述中间装置搬入的基板,
多个第二处理单元,对从所述多个第二加载口以及所述直接搬入口中的至少一方搬送来的基板进行处理,
第二搬送单元,在所述多个第二加载口、所述直接搬入口和所述多个第二处理单元之间搬送基板,
第二控制装置,对所述基板处理装置进行控制;
所述第二控制装置执行:
第一步骤,作成第一计划,该第一计划包括第一搬入工序、第一处理工序和第一搬出工序,在所述第一搬入工序中,使所述第二搬送单元将基板从所述多个第二加载口向所述多个第二处理单元搬送,在所述第一处理工序中,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,在所述第一搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第二步骤,作成第二计划,该第二计划包括第二搬入工序、第二处理工序、以及第二搬出工序,所述第二搬入工序、所述第二处理工序、以及所述第二搬出工序中的至少一个与所述第一搬入工序、第一处理工序、以及第一搬出工序中的至少一个同时执行,在所述第二搬入工序中,使所述第二搬送单元将由所述第一基板处理装置处理过的基板从所述直接搬入口向所述多个第二处理单元搬送,在所述第二处理工序,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,在所述第二搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第三步骤,判断所述第二计划所计划的基板的处理开始预想时刻是否在应该由所述基板处理装置对由所述第一基板处理装置处理过的基板进行处理的处理开始期限以前;
第四步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式变更所述第一计划以及第二计划,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划;
第五步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限以前的情况下,不变更所述第一计划以及第二计划而使所述基板处理装置执行所述第一计划以及第二计划。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二步骤是在由所述第一基板处理装置处理过的基板到达所述中间装置后作成所述第二计划的步骤。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还包括使基板退避的退避单元,
所述第四步骤是如下步骤,即,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以基板从所述多个第二加载口经由所述退避单元搬送到所述多个第二处理单元的方式变更所述第一计划,并且以将从所述直接搬入口搬入的基板搬入到预定以变更前的所述第一计划对基板进行处理的所述第二处理单元的方式变更所述第二计划,由此,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式使所述处理开始预想时刻提前,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二控制装置还执行第六步骤,根据检查单元的检查结果设定基板处理条件,该检查单元在由所述第一基板处理装置处理过的基板搬入所述基板处理装置之前检查该基板,
所述第二步骤是以在所述第二处理工序中以所述基板处理条件对基板进行处理的方式作成所述第二计划的步骤。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第六步骤是根据在所述第一基板处理装置以及中间装置中的一方设置的所述检查单元的检查结果来设定所述基板处理条件的步骤。
6.一种基板处理方法,由基板处理装置执行,该基板处理装置与中间装置连接,该中间装置在对基板进行处理的第一基板处理装置的外部直接支撑由所述第一基板处理装置处理过的基板的状态下,搬送该基板,
该基板处理装置包括:
多个第二加载口,分别保持能够容纳多张基板的多个运送器,
直接搬入口,接受从所述中间装置搬入的基板,
多个第二处理单元,对从所述多个第二加载口以及所述直接搬入口中的至少一方搬送来的基板进行处理,
第二搬送单元,在所述多个第二加载口、所述直接搬入口和所述多个第二处理单元之间搬送基板,
第二控制装置,对所述基板处理装置进行控制;
其特征在于,
该基板处理方法包括:
第一步骤,作成第一计划,该第一计划包括第一搬入工序、第一处理工序和第一搬出工序,在所述第一搬入工序中,使所述第二搬送单元将基板从所述多个第二加载口向所述多个第二处理单元搬送,在所述第一处理工序中,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,在所述第一搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第二步骤,作成第二计划,该第二计划包括第二搬入工序、第二处理工序、以及第二搬出工序,所述第二搬入工序、所述第二处理工序、以及所述第二搬出工序中的至少一个与所述第一搬入工序、第一处理工序、以及第一搬出工序中的至少一个同时执行,在所述第二搬入工序中,使所述第二搬送单元将由所述第一基板处理装置处理过的基板从所述直接搬入口向所述多个第二处理单元搬送,在所述第二处理工序,使所述多个第二处理单元对搬送到所述多个第二处理单元的基板进行处理,在所述第二搬出工序中,使所述第二搬送单元将由所述多个第二处理单元处理过的基板从所述多个第二处理单元向所述多个第二加载口搬送;
第三步骤,判断所述第二计划所计划的基板的处理开始预想时刻是否在应该由所述基板处理装置对由所述第一基板处理装置处理过的基板进行处理的处理开始期限以前;
第四步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式变更所述第一计划以及第二计划,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划;
第五步骤,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限以前的情况下,不变更所述第一计划以及第二计划而使所述基板处理装置执行所述第一计划以及第二计划。
7.如权利要求6所述的基板处理方法,其特征在于,
所述第二步骤是在由所述第一基板处理装置处理过的基板到达所述中间装置后作成所述第二计划的步骤。
8.如权利要求6或7所述的基板处理方法,其特征在于,
所述基板处理装置还包括使基板退避的退避单元,
所述第四步骤是如下步骤,即,在所述第三步骤中所述处理开始预想时刻在所述处理开始期限之后的情况下,以基板从所述多个第二加载口经由所述退避单元搬送到所述多个第二处理单元的方式变更所述第一计划,并且以将从所述直接搬入口搬入的基板搬入到预定以变更前的所述第一计划对基板进行处理的所述第二处理单元的方式变更所述第二计划,由此,以所述处理开始预想时刻变为所述处理开始期限以前的方式使所述处理开始预想时刻提前,使所述基板处理装置执行变更后的所述第一计划以及第二计划。
9.如权利要求6或7所述的基板处理方法,其特征在于,
该基板处理方法还包括第六步骤,根据检查单元的检查结果设定基板处理条件,该检查单元在由所述第一基板处理装置处理过的基板搬入所述基板处理装置之前检查该基板,
所述第二步骤是以在所述第二处理工序中以所述基板处理条件对基板进行处理的方式作成所述第二计划的步骤。
10.如权利要求9所述的基板处理方法,其特征在于,
所述第六步骤是根据在所述第一基板处理装置以及中间装置中的一方设置的所述检查单元的检查结果来设定所述基板处理条件的步骤。
11.一种基板处理系统,其特征在于,具有:
第一基板处理装置,对基板进行处理;
权利要求1~5中任一项所述的基板处理装置;
中间装置,在所述第一基板处理装置的外部直接支撑由所述第一基板处理装置处理过的基板的状态下,在所述第一基板处理装置和所述基板处理装置之间搬送该基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013-168952 | 2013-08-15 | ||
JP2013168952A JP6121846B2 (ja) | 2013-08-15 | 2013-08-15 | 基板処理装置、基板処理方法、および基板処理システム |
PCT/JP2014/068460 WO2015022826A1 (ja) | 2013-08-15 | 2014-07-10 | 基板処理装置、基板処理方法、および基板処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105474356A CN105474356A (zh) | 2016-04-06 |
CN105474356B true CN105474356B (zh) | 2018-03-30 |
Family
ID=52468216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480045393.6A Active CN105474356B (zh) | 2013-08-15 | 2014-07-10 | 基板处理装置、基板处理方法以及基板处理系统 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9673072B2 (zh) |
JP (1) | JP6121846B2 (zh) |
KR (1) | KR101802101B1 (zh) |
CN (1) | CN105474356B (zh) |
TW (1) | TWI545674B (zh) |
WO (1) | WO2015022826A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017010183A1 (ja) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | 村田機械株式会社 | 搬送制御装置及び搬送制御システム |
TWI569353B (zh) * | 2015-07-15 | 2017-02-01 | 精曜有限公司 | 取放腔室 |
JP6773497B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2020-10-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理管理装置、基板処理管理方法および基板処理管理プログラム |
JP6802903B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-12-23 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及びその表示方法並びに半導体装置の製造方法 |
JP7185671B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2022-12-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH097912A (ja) * | 1995-04-18 | 1997-01-10 | Nippondenso Co Ltd | 半導体基板の生産制御装置 |
JP2005223031A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
CN101335187A (zh) * | 2007-06-29 | 2008-12-31 | 株式会社迅动 | 基板处理装置 |
TW201243933A (en) * | 2011-03-16 | 2012-11-01 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing apparatus and power source management method |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5696689A (en) | 1994-11-25 | 1997-12-09 | Nippondenso Co., Ltd. | Dispatch and conveyer control system for a production control system of a semiconductor substrate |
JP3766177B2 (ja) | 1997-05-15 | 2006-04-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
JP4937459B2 (ja) * | 2001-04-06 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | クラスタツールおよび搬送制御方法 |
WO2008075404A1 (ja) * | 2006-12-19 | 2008-06-26 | Systemv Management Inc., | 半導体製造システム |
JP6005912B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2016-10-12 | 株式会社Screenホールディングス | 制御装置、基板処理方法、基板処理システム、基板処理システムの運用方法、ロードポート制御装置及びそれを備えた基板処理システム |
US9696711B2 (en) | 2011-07-15 | 2017-07-04 | Tokyo Electron Limited | Processing instructing device, processing instructing method, computer program and processing device |
JP6123740B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2017-05-10 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造ライン及び半導体装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-08-15 JP JP2013168952A patent/JP6121846B2/ja active Active
-
2014
- 2014-07-10 US US14/911,385 patent/US9673072B2/en active Active
- 2014-07-10 KR KR1020167006703A patent/KR101802101B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-10 WO PCT/JP2014/068460 patent/WO2015022826A1/ja active Application Filing
- 2014-07-10 CN CN201480045393.6A patent/CN105474356B/zh active Active
- 2014-08-11 TW TW103127451A patent/TWI545674B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH097912A (ja) * | 1995-04-18 | 1997-01-10 | Nippondenso Co Ltd | 半導体基板の生産制御装置 |
JP2005223031A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
CN101335187A (zh) * | 2007-06-29 | 2008-12-31 | 株式会社迅动 | 基板处理装置 |
TW201243933A (en) * | 2011-03-16 | 2012-11-01 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing apparatus and power source management method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI545674B (zh) | 2016-08-11 |
US9673072B2 (en) | 2017-06-06 |
JP2015037159A (ja) | 2015-02-23 |
JP6121846B2 (ja) | 2017-04-26 |
TW201526136A (zh) | 2015-07-01 |
KR101802101B1 (ko) | 2017-11-27 |
WO2015022826A1 (ja) | 2015-02-19 |
CN105474356A (zh) | 2016-04-06 |
KR20160043070A (ko) | 2016-04-20 |
US20160189991A1 (en) | 2016-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105474356B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及基板处理系统 | |
KR100300614B1 (ko) | 레지스트도포/현상장치및피처리체의처리장치 | |
US8377501B2 (en) | Coating and developing system control method of controlling coating and developing system | |
JP4760919B2 (ja) | 塗布、現像装置 | |
KR100375101B1 (ko) | 처리방법및처리장치 | |
US8236132B2 (en) | Substrate processing system and substrate transfer method | |
US8747949B2 (en) | Coating and developing system, method of controlling coating and developing system and storage medium | |
KR20200018682A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
JP2005294460A (ja) | 塗布、現像装置 | |
US8219233B2 (en) | Substrate treatment apparatus | |
US6963789B2 (en) | Substrate processing apparatus control system and substrate processing apparatus | |
CN105431923B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法、以及基板处理系统 | |
JP2003158056A (ja) | パターン形成システム | |
JP2006019622A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003100598A (ja) | 基板処理装置制御システムおよび基板処理装置 | |
JP4613604B2 (ja) | 自動搬送システム | |
JPH10256341A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP7465360B2 (ja) | 基板配置データの表示方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置並びにプログラム | |
JP2002033266A (ja) | 塗布、現像装置 | |
JP4611918B2 (ja) | 処理ユニットの傾き調整方法 | |
JP2003142374A (ja) | レジストパターン形成装置及びその方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |