KR20200018682A - 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 - Google Patents

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Abstract

기판에 이상이 발생하는 상황에도 기판의 상태를 검지하는 기구가 기판에 접촉하지 않고 기판의 상태를 검지하는 기술을 제공한다. 본 발명의 일 형태에 따르면, 복수 매의 기판이 재치된 상태의 기판 보지구를 반응관 내에 반입하는 공정; 반응관 내에 가스를 공급하여 기판을 처리하는 공정; 기판을 처리한 후 기판 보지구를 반응관으로부터 반출하는 공정; 및 기판을 이재 가능한 위치를 기준으로 기판 보지구를 소정 각도 회전시킨 상태에서 기판 보지구에 재치된 기판을 검지하는 공정을 포함하는 기술이 제공된다.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
본 발명은 반도체 디바이스 등의 기판을 처리하기 위한 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램에 관한 것이다.
기판(이하, 웨이퍼라고도 부른다.)을 다단으로 보지(保持)하는 기판 보지구(이하, 보트라고도 부른다.)와, 이 보트에 기판을 이재하는 이재기를 포함하고, 보트에 다수의 기판을 보지한 상태에서 처리로에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치(이하, 단순히 처리 장치라고도 부른다.)는 공지(公知)이다. 이 처리 장치에서는 처리로 내에서 승온되었을 때 또는 처리로로부터 취출(取出)되어 냉각되었을 때, 열응력에 의해 기판에 균열, 굴절 등의 이상이 발생하는 경우가 있다. 이 균열이나 굴절이 기판 자동 반송 기구에 의해 자동 반송할 수 없는 수준에 있는 경우, 기판을 출입하는 기판 보지체(이하, 트위저라고도 부른다.)가 기판과 충돌하여 보트를 넘어뜨리고, 예컨대 석영제의 부품을 파손하는 등의 중대 사고로 이어진다.
이를 해결하기 위해서 기판의 상태를 검지하는 기구를 설치하는 것을 생각해볼 수 있다. 예컨대 특허문헌 1에는 이재기에 포토 센서를 설치하고, 이재기의 상하 축을 이용하여 포토 센서를 이동하고, 기판 보지구의 기판을 검지하는 것이 기재되어 있다.
1. 국제공개 2005-031851호 공보
본 발명의 목적은 기판에 이상(異常)이 발생하는 상황에도 기판의 상태를 검지하는 기구가 기판에 접촉하지 않고 기판의 상태를 검지하는 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 복수 매의 기판이 재치된 상태의 기판 보지구를 반응관 내에 반입하는 공정; 반응관 내에 가스를 공급하여 기판을 처리하는 공정; 기판을 처리한 후 기판 보지구를 반응관으로부터 반출하는 공정; 및 기판을 이재 가능한 위치를 기준으로 기판 보지구를 소정 각도 회전시킨 상태에서 기판 보지구에 재치된 기판을 검지하는 공정을 포함하는 기술이 제공된다.
본 발명에 따르면, 종래의 구성으로 하드 개조를 동반하지 않고 기판의 상태를 검지하는 기구가 기판과 접촉하지 않고 기판의 검지를 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치의 측면 투시도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 이재 정보 검출 수단의 일례로서의 웨이퍼 이상 검출 장치를 도시하는 해설도.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따라 복수의 기판 처리 장치를 제어하는 기판 처리 시스템의 컨트롤러의 일례를 도시하는 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따라, 기판 처리 시스템의 컨트롤러의 일례를 도시하는 블록도.
도 6은 도 3에 도시하는 웨이퍼 이상 검출 장치를 이용한 웨이퍼 검지 동작을 도시하는 일 실시예.
도 7은 도 6에 도시되는 웨이퍼 이상 검출 장치를 이용한 웨이퍼 검지 동작의 상면도를 도시하는 일 실시예.
도 8a는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 웨이퍼 이상 검출 장치를 이용한 웨이퍼 검지 동작의 상면도를 도시하는 일 실시예다.
도 8b는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 웨이퍼 이상 검출 장치를 이용한 웨이퍼 검지 동작을 도시하는 일 실시예.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 웨이퍼 검지 동작을 설명하기 위한 도면.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 바람직하게 이용되는 기판 처리 시퀀스예를 도시하는 도면.
본 발명을 실시하는 최량의 형태에서 기판 처리 장치는 기판에 산화, 확산 처리나 CVD 처리 등을 수행하는 종형의 기판 처리 장치(이하, 단순히 처리 장치라고도 부른다.)이며, 예컨대 반도체 장치(IC)의 제조 방법에서의 처리 장치로서 이용된다.
도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이 기판 처리 장치(100)에는 복수 매의 기판(웨이퍼)(200)을 수납하는 캐리어로서 기판 수용 용기(이하 포드라고 부른다.)(110)가 이용된다. 기판 처리 장치(100)의 광체(筐體)(111)의 정면벽(111a)의 정면 전방부(前方部)에는 메인터넌스를 가능하게 하기 위한 개구부(開口部)로서 정면 메인터넌스 구(103)가 개설된다. 정면 메인터넌스 구(103)에는 이것을 개폐하기 위해서 정면 메인터넌스 문(104, 104)이 각각 설치된다. 광체(111)의 정면벽(111a)에는 포드 반입반출구(112)가 광체(111)의 내외를 연통하도록 개설된다. 포드 반입반출구(112)는 프론트 셔터(113)에 의해 개폐되도록 이루어진다.
포드 반입반출구(112)의 정면전방측에는 로드 포트(114)가 설치된다. 로드 포트(114)는 포드(110)를 재치하여 위치를 맞추도록 구성된다. 포드(110)는 로드 포트(114) 상에 공정 내 반송 장치(미도시)에 의해 반입되고, 또한 로드 포트(114) 상으로부터 반출되도록 이루어진다.
광체(111) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에는 회전식 포드 선반(105)이 설치된다. 회전식 포드 선반(105)은 복수 개의 포드(110)를 보관하도록 구성된다. 즉 회전식 포드 선반(105)은 수직으로 입설되어 수평면 내에서 간헐 회전되는 기둥(116)과, 기둥(116)에 상중하단의 각 위치에서 방사상으로 지지된 복수 매의 선반판(기판 수용기 재치대)(117)을 구비하고, 각 선반판(117)은 포드(110)를 복수 개씩 각각 재치한 상태에서 보지하도록 구성된다.
광체(111) 내에서의 로드 포트(114)와 회전식 포드 선반(105) 사이에는 포드 반송 장치(118)가 설치되고, 포드 반송 장치(118)는 포드(110)를 보지한 상태에서 승강 가능한 포드 엘리베이터(포드 승강 기구)(118a)와 포드 반송 기구(118b)로 구성되고, 포드 반송 장치(118)는 포드 엘리베이터(118a)와 포드 반송 기구(118b)의 연속 동작에 의해 로드 포트(114), 회전식 포드 선반(105), 포드 오프너(121) 사이에서 포드(110)를 반송하도록 구성된다.
광체(111) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 하부에는 서브 광체(119)가 후단에 걸쳐서 구축된다. 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에는 기판으로서의 웨이퍼(200)를 서브 광체(119) 내에 대하여 반입반출하기 위한 웨이퍼 반입반출구(120)가 한 쌍, 수직 방향에 상하 2단으로 배열되어 개설되고, 상하단의 웨이퍼 반입반출구(120, 120)에는 한 쌍의 포드 오프너(121, 121)가 각각 설치된다. 포드 오프너(121)는 포드(110)를 재치하는 재치대(122)와, 포드(110)의 캡[개체(蓋體)]을 탈착하는 캡 탈착 기구(123)를 구비한다. 포드 오프너(121)는 재치대(122)에 재치된 포드(110)의 캡을 캡 탈착 기구(123)에 의해 탈착하는 것에 의해 포드(110)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 구성된다.
서브 광체(119)는 포드 반송 장치(118)나 회전식 포드 선반(105)의 설치 공간(이하, 포드 반송 공간이라고도 부른다.)으로부터 유체적으로 격리된 이재실(124)을 구성한다. 이재실(124) 전측 영역에는 웨이퍼 이재 기구(125)가 설치되고, 웨이퍼 이재 기구(125)는 웨이퍼(200)를 수평 방향으로 회전 내지 직동(直動) 가능한 웨이퍼 이재 장치(125a) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)를 승강시키기 위한 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)로 구성된다.
도 3에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 이재 장치(125a)에는 웨이퍼(200)의 이재 상태를 검지하기 위한 웨이퍼 이상 검출 장치(이후, 웨이퍼 검지 장치라고도 부른다.)(400)가 설치된다. 웨이퍼 이상 검출 장치(400)는 예컨대 도 3에 도시되는 바와 같이 웨이퍼 이재 장치(125a)의 양측부에 회전 가능하도록 설치된 한 쌍의 검지 암(401, 401)과, 한 쌍의 검지 암(401, 401)을 회전 구동시키기 위한 액츄에이터(미도시)로 구성된다. 검지 암(401)에는 웨이퍼 위치 검출 센서(S1)[이후, 센서(S1)라고 부른다.]와 웨이퍼 돌출 검출 센서(S2)[이후, 센서(S2)와 부른다.]가 설치된다. 이와 같이 웨이퍼 돌출이 발생해도 센서(S2)에 의한 검지가 가능하도록 이루어진다. 또한 보트(217)의 도시는 생략한다.
도 1에 모식적으로 도시되는 바와 같이 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)는 내압 광체(111) 우측 단부와 서브 광체(119)의 이재실(124) 전방 영역 우단부 사이에 설치된다. 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)의 연속 동작에 의해 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(기판 보지체)(125c)를 웨이퍼(200)의 재치부로서 보트(기판 보지구)(217)에 대하여 웨이퍼(200)의 장전(裝塡, charge) 및 회수(discharge) 하도록 구성된다.
이재실(124)의 후측 영역에는 보트(217)를 수용하여 대기시키는 대기부(126)가 구성된다. 대기부(126)의 상방(上方)에는 처리로(202)가 설치되고, 처리로(202)의 하단부는 노구(爐口) 셔터(노구 개폐 기구)(147)에 의해 개폐되도록 구성된다. 또한 내압 광체(111) 우측 단부와 서브 광체(119)의 대기부(126) 우단부 사이에는 보트(217)를 승강시키기 위한 보트 엘리베이터(115)가 설치된다. 보트 엘리베이터(115)의 승강대에 연결된 연결구로서의 암(128)에는 개체로서의 씰 캡(219)이 수평하게 설치된다. 그리고 씰 캡(219)에는 보트(217)를 회전시키는 보트 회전 기구(129)가 설치된다.
씰 캡(219)은 보트(217)를 수직으로 지지하고, 처리로(202)의 하단부를 폐색 가능하도록 구성된다. 보트(217)는 복수의 웨이퍼(200)를 다단으로 지지하기 위한 슬롯(홈[溝])을 포함하는 복수 개의 보지 부재로서의 지주(220)를 구비하고, 복수 매(예컨대 50매 내지 200매 정도)의 웨이퍼(200)를 그 중심을 맞춰서 수직 방향으로 정렬시킨 상태에서 각각 보트(217)의 슬롯에 수평하게 보지하도록 구성된다.
이재실(124)의 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)측 및 보트 엘리베이터(115)측과 반대측인 좌측 단부에는 청정화한 분위기 또는 불활성 가스인 클린 에어(133)를 공급하도록 공급 팬 및 방진 필터로 구성된 클린 유닛(134)이 설치되고, 웨이퍼 이재 장치(125a)와 클린 유닛(134) 사이에는 도시하지 않지만 웨이퍼(200)의 원주방향의 위치를 조정시키는 기판 정합 장치로서의 노치(notch) 맞춤 장치(135)가 설치된다.
클린 유닛(134)으로부터 분출된 클린 에어(133)는 노치 맞춤 장치(135) 및 웨이퍼 이재 장치(125a), 대기부(126)에 있는 보트(217)에 유통된 후에 미도시의 덕트에 의해 흡입되고, 광체(111)의 외부에 배기가 이루어지거나 또는 클린 유닛(134)의 흡입측인 일차측(공급측)에까지 순환되어 다시 클린 유닛(134)에 의해 이재실(124) 내에 분출되도록 구성된다.
다음으로 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)의 동작에 대해서 설명한다. 포드(110)가 로드 포트(114)에 공급되면, 포드 반입반출구(112)가 프론트 셔터(113)에 의해 개방되고, 로드 포트(114) 상의 포드(110)는 포드 반송 장치(118)에 의해 광체(111)의 내부에 포드 반입반출구(112)로부터 반입된다.
반입된 포드(110)는 회전식 포드 선반(105)의 지정된 선반판(117)에 포드 반송 장치(118)에 의해 자동적으로 반송되어 수도(受渡)되고, 일시적으로 보관된 후, 선반판(117)으로부터 재치대(122)에 이재되거나 혹은 로드 포트(114)로부터 직접 재치대(122)에 이재된다.
재치대(122)에 재치된 포드(110)는 그 개구측 단면이 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에서의 웨이퍼 반입반출구(120)의 개구 연변부(緣邊部)에 압부(押付)되는 것과 함께 그 캡이 캡 탈착 기구(123)에 의해 제거되어 웨이퍼 출입구가 개방된다. 포드(110)의 웨이퍼 출입구가 포드 오프너(121)에 의해 개방되면, 웨이퍼(200)는 포드(110)로부터 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(125c)에 의해 웨이퍼 출입구를 통해서 픽업되고, 미도시의 노치 맞춤 장치에서 웨이퍼(200)를 조정한 후, 이재실(124)의 후방에 있는 대기부(126)에 반입되고 보트(217)에 장전된다. 보트(217)에 웨이퍼(200)를 수도한 웨이퍼 이재 장치(125a)는 포드(110)에 돌아가 다음 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전한다.
이 일방(상단 또는 하단)의 재치대(122)에서의 웨이퍼 이재 기구(125)에 의한 웨이퍼(200)의 보트(217)로의 장전 작업 중에 타방(하단 또는 상단)의 재치대(122)에는 회전식 포드 선반(105)으로부터 다른 포드(110)가 포드 반송 장치(118)에 의해 이재되고, 포드 오프너(121)에 의한 포드(110)의 개방 작업이 동시 진행된다.
웨이퍼(200)의 보트(217)로의 장전이 종료되면, 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의해 이재 정보가 검출된다. 이때 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 이상 검출 장치(400)는 웨이퍼 이재 장치(125a)에 2개의 검지 암(401)을 설치한 구성으로 이루어진다. 도 6에 도시하는 바와 같이 검지 암(401)은 보트(217) 상의 웨이퍼 하방에 삽입되고, 웨이퍼를 검지 암(401)으로 끼워 넣도록 배치되고, 그 후 웨이퍼 이재 장치(125a)의 상하의 이동에 의해 웨이퍼 하면의 복수의 웨이퍼 균열 검출점에 순차 이동된다.
이에 의해 웨이퍼(200)의 유무는 센서(S1)의 차광에 의해, 웨이퍼(200)의 돌출은 센서(S2)의 차광에 의해 검출된다. 또한 보트 슬롯 위치가 적정인지 아닌지는 차광 시의 임계값으로부터 검출되고, 웨이퍼(200)의 균열은 각 점의 변위량(굴곡)의 비교 또는 각 웨이퍼 균열 검출점에서의 변위량과 허용 응력의 관계로 구해진다. 또한 도 6에서는 트위저(125c)는 생략된다.
보트(217)의 삽입 시에는 처리로(202)의 하단부를 개폐하는 노구 셔터(147)에 의해 개방된다. 계속해서 복수 매의 웨이퍼(200)를 보지한 씰 캡(219)이 보트 엘리베이터(115)에 의해 상승되는 것에 의해 보트(217)의 처리로(202) 내로의 삽입에 의해 웨이퍼(200)가 노 내에 반입된다.
웨이퍼(200)의 반입 후에는 처리로(202)에서 웨이퍼(200)에 임의의 처리, 예컨대 산화, 성막, 확산 처리 등이 수행된다. 처리 후는 미도시의 노치 맞춤 장치(135)에서의 웨이퍼(200)의 정합 공정과, 보트(217)의 언로드 후의 웨이퍼(200)의 이상 검출 공정을 제외하고, 대략 전술한 반대의 순서로 웨이퍼(200) 및 포드(110)가 기외(機外), 즉 광체(111)의 외부로 불출(拂出)된다.
후술하는 언로드 후의 웨이퍼 이상 검출 공정에서는 보트(217)로부터 처리완료된 웨이퍼(200)를 빼내기 전에 웨이퍼 이상(예컨대 웨이퍼 균열)이 검출된다. 예컨대 웨이퍼 균열이 검출된 경우에는 상기 웨이퍼 이재 장치(125a)에 의해 이재 상태에 이상이 있는 웨이퍼(이하, 이상 웨이퍼라고 부른다.)(200) 및 주변 웨이퍼가 포드(110)와는 다른 반송 용기에 충전된다. 그 후 균열이 없는 정상 웨이퍼(200)가 보트(217)로부터 회수(discharge)된다.
본 실시 형태에서는 웨이퍼 이상 검출 공정을 언로드 후에 실시하도록 설정된 경우에 대해서 기재했지만, 본 발명은 이러한 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전한 후이자 기판을 처리하기 전에 웨이퍼 이상 검출 공정을 실시해도 좋다. 이와 같이 설정하면, 웨이퍼(200)를 처리로(202) 내에 로드하기 전에 웨이퍼 균열의 검지를 수행할 수 있으므로, 웨이퍼 균열에 기인하는 사고, 예컨대 록아웃 등의 손실을 미연에 방지할 수 있다. 또한 웨이퍼 이상 검출 공정은 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전한 후와, 열처리 후의 보트(217)로부터 웨이퍼(200)를 회수하기 전의 양방(兩方)으로 수행할 수 있다. 이와 같이 설정하면, 열처리 전에 기준이 되는 데이터를 취득하고 나서 열처리 후에 웨이퍼 이상 검출 공정을 실시하므로, 최적의 조건으로 웨이퍼 균열 검지를 수행할 수 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이 기판 처리 시스템(300)에는 관리용 또는 해석용 컴퓨터(302)가 설치되고, 기판 처리 장치(100)에 프로세스 모듈 컨트롤러(이하, PMC: Process Module Controller라고 부른다.)(310)가 설치된다. PMC(310)는 통신을 위해서 LAN 등의 통신 회선(304)을 개재하여 관리용 또는 해석용 컴퓨터(302)에 접속된다. 일반적으로 관리용 컴퓨터(302)는 복수의 기판 처리 장치(100)의 운용 관리를 수행하고, 해석용 컴퓨터(302)는 복수의 기판 처리 장치(100)로부터 송신되는 데이터를 해석하기 위해서 이용되고, 일반적으로 클린 룸 외에 설치된다.
도 5에 도시하는 바와 같이 컨트롤러는 주 제어부(312), 부 제어부(314)를 포함해서 구성되고, 주 제어부(312)는 입출력 장치(306)와, CPU(316)와, 기억 수단으로서의 기억부(317)와, 관리용 또는 해석용 컴퓨터(302)의 데이터의 송수신을 수행하는 송수신 처리부(322)와, CPU(316)와 부 제어부(314)의 I/O 제어를 수행하는 I/O 제어부(324)로 구성된다. 또한 관리용 또는 해석용 컴퓨터(302)의 구성은 주 제어부(312)와 대략 마찬가지다.
부 제어부(314)는 예컨대 처리로(202)의 외주부에 설치된 히터(미도시)에 의해 처리실(201) 내의 온도를 기판 처리 온도로 제어하는 온도 제어부(326)와, 처리로(202)의 가스 배관(340)에 설치된 MFC(매스 플로우 컨트롤러)(342)로부터의 출력값(매스 플로우 컨트롤러의 검출값)에 기초하여 처리로(202) 내에 공급하는 반응 가스의 공급량 등을 제어하는 가스 제어부(328)와, 처리로(202)의 배기 배관(344)에 설치된 압력 센서(346)의 출력값(검출값)에 기초하여 밸브(348)의 개폐 또는 개도(開度)를 제어하는 것에 의해 처리로(202)의 처리실(201) 내의 압력을 기판 처리 압력으로 제어하는 압력 제어부(330)와, 기판의 반송계의 액츄에이터를 제어하는 반송 제어부(350)와, 상기 웨이퍼 이상 검출 장치(400)의 검출값에 기초하여 웨이퍼(200)의 이재 상태를 판정하는 이상 판정부(351)로 구성된다. 또한 이상 판정부(351)는 반송 제어부(350) 내에 내장되어 있어도 상관없다.
기억부(317)는 예컨대 ROM(Read Only Memory)(318), RAM(Random Access Memory)(320), 하드 디스크(HD)로 구성되고, 레시피 및 각종 프로그램, 참조 데이터를 격납한다. 또한 본 실시 형태에서 미리 측정되는 후술하는 마스터 데이터가 기억부(317)에 격납된다. 참조 데이터로서는 각 웨이퍼(200)의 웨이퍼 개별 정보, 웨이퍼 종별 정보, 웨이퍼 이재 정보, 웨이퍼 이재 상태의 보정 정보가 격납된다. 여기서 웨이퍼 개별 정보란 예컨대 웨이퍼(200)의 로트 번호를 나타내는 로트 ID, 포드(110)의 슬롯 삽입 위치를 나타내는 포드 슬롯 No, 보트(217)의 지정하는 보트(217)의 슬롯에 웨이퍼(200)를 삽입시키기 위한 보트 슬롯 No, 웨이퍼 종별을 포함하는 복수의 정보를 한 쌍으로서 편집된 편집 후의 데이터다. 또한 웨이퍼 종별 정보란 웨이퍼의 종별을 나타내는 정보, 구체적으로는 생산 웨이퍼, 모니터 웨이퍼, 사이드 더미 웨이퍼, 보충 더미 웨이퍼 등의 웨이퍼 종별을 나타내는 정보를 말한다. 웨이퍼 이재 정보란 각 웨이퍼(200)의 개별 정보로부터 얻어진 보트(217) 상의 웨이퍼(200)의 이재 상태를 나타내는 정보를 말한다. 또한 웨이퍼(200)의 이재 정보에는 검지 암(401)에 설치된 센서(S1)에 의한 검지 데이터와 미리 측정된 마스터 데이터를 비교해서 상기 이상 판정부(351)에 의해 판정된 판정 결과의 정보가 포함된다. 이 정보[웨이퍼(200)의 이상 정보]는 웨이퍼의 이재 상태의 정상 또는 이상으로 크게 구별된다. 이재 상태에 이상이 있는 경우에는, 보트(217)의 슬롯에 대한 웨이퍼(200)의 삽입 깊이가 얕고 웨이퍼(200)가 보트(217)로부터 돌출된 상태(이하, 웨이퍼 돌출이라고 부른다.), 웨이퍼(200)에 균열이 발생한 상태(이하, 웨이퍼 균열이라고 부른다.), 지정된 보트(217)의 슬롯이 아니라 별도의 보트(217)의 슬롯에 삽입된 상태(이하, 슬롯 차이라고 부른다.), 웨이퍼 이재 장치(125a)측에 웨이퍼(200)가 남겨져 지정된 보트(217)의 슬롯이 빈 슬롯이 된 상태(이하, 빈 슬롯이라고 부른다.) 등의 이상이 있는 상태를 나타내는 정보가 있다. 정상인 경우, 이상 없음의 상태를 나타내는 정보가 있다. 또한 웨이퍼(200)의 이재 상태의 보정 정보란 웨이퍼(200)의 이재 정보 중 이상의 경우에 보정에 의해 수정한 정보를 말한다. 이재 상태의 보정은 이재 상태를 메인터넌스에 의해 복구한 후, 기판 처리 장치의 하드웨어측의 데이터와, 컨트롤러측의 시스템 상의 데이터를 합치기 위해서 필요해진다.
입출력 장치(306)는 기억부(317)에 격납된 데이터 등을 표시시키는 표시부(334), 표시부(334)의 조작 화면으로부터의 오퍼레이터(사용자)의 입력 데이터(입력 지시)를 접수하는 입력부(332), 입력부(332)에 접수된 입력 데이터가 후술하는 표시 제어부(336)에 의해 송수신 처리부(322)에 송신될 때까지의 동안 일시적으로 기억하는 일시 기억부(335), 입력부(332)로부터의 입력 데이터(입력 지시)를 접수하고, 이 입력 데이터를 표시부(334) 또는 송수신 처리부(322)에 송신하는 표시 제어부(336)를 포함한다.
표시 제어부(336)는 송수신 처리부(322)를 개재하여 CPU(316)에 의해 기억부(317)에 격납된 복수의 레시피 중 임의의 레시피를 실행시키는 지시(실행 지시)를 접수하도록 구성되고, 표시부(334)는 레시피의 선택, 편집 및 실행의 각 화면, 커맨드의 실행 화면, 리커버리의 실행 화면, 기판 처리 장치(100)의 운전 상태의 모니터 화면 등, 기판 처리를 위해서 필요한 각종 표시 화면을 조작 화면상에 표시하도록 구성된다.
조작 화면상에서 입출력 장치(306)에서 작성 또는 편집된 레시피가 실행되면, 레시피의 설정값이 각 스텝 순으로 부 제어부(314)에 의해 참조되고, 기판 처리 장치의 기판 반송계, 기판 처리계의 액츄에이터의 피드백 제어에 의해 기판 처리, 예컨대 기판의 산화, 확산, 성막 처리가 실시된다.
반송 제어부(350)는 웨이퍼(200)를 보트(217)에 이재할 때 또는 보트(217)로부터 포드(110)에 웨이퍼(200)를 이재할 때는 기억부(317)에 미리 격납된 웨이퍼(200)마다의 웨이퍼 개별 정보(웨이퍼 ID)를 참조하고, 웨이퍼 이재 장치(125a)나 보트 엘리베이터(115)의 웨이퍼(200)의 반송계, 웨이퍼의 이재계를 제어하도록 구성된다. 또한 반송 제어부(350)는 보트(217)가 처리로(202) 내에 장입(裝入)되면, 실행 중인 레시피에 따라 보트 회전 기구(129)를 제어하여 소정 속도로 보트(217)를 회전시키도록 구성된다.
이상 판정부(351)는 레시피를 실행하여 웨이퍼(200)를 처리한 후이자, 보트(217)를 처리로(202)로부터 반출한 후 또는 보트(217)에 웨이퍼(200)를 장전하고 상기 보트(217)를 처리로(202) 내에 반입하기 전에 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의해 웨이퍼(200)마다 검출된 결과에 기초하여 웨이퍼(200)의 이재 상태를 판정한다.
도 6에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태에서 웨이퍼(200)를 검지 암(401)으로 개재하는 것에 의해 웨이퍼(200)를 검지한다. 이에 의해 보트(217) 상에 경사, 균열. 돌출, 2겹 등의 이상이 없고, 예정된 매수가 소정의 위치(홈)에 재치되어 있는지를 확인할 수 있다. 하지만 도 7에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(200)의 돌출이 발생하면 검지 암(401) 또는 웨이퍼 이재 장치(125a)에 충돌 또는 접촉해 피해가 커지는 경우가 있다.
도 7에 도시하는 바와 같이 보트(217)는 지주(220)가 3개(또는 4개) 있고, 보트(217)에 대하여 웨이퍼 이재 장치(125a)가 이재 가능한 위치(이재를 수행하는 위치)에서 웨이퍼(200)의 검지를 수행한다. 지주(220)가 있기 때문에 웨이퍼 돌출이 발생한 경우에는 웨이퍼 이재 장치(125a)의 방향을 향해서 돌출한다. 어느 정도의 돌출이라면 웨이퍼(200)가 검지 암(401) 내에 수용되고, 센서(S2)에 의해 검지 가능하다.
그러나 돌출한 웨이퍼(200)가 검지 암(401)에 충돌하면 다른 웨이퍼(200)까지 영향이 미쳐 손해가 커진다.
(제1 실시 형태)
본 실시 형태에 따르면, 도 8a에 도시하는 바와 같이 보트(217)를 소정 각도 회전시키고, 검지 암(401)에 의해 검지한다. 구체적으로는 웨이퍼(200)가 돌출한 개소(箇所)는 검지 암(401)에 설치된 센서(S1)에서 웨이퍼 없음으로서 검지할 수 있기 때문에 이상이 있는 것도 균열이 있는 웨이퍼와 마찬가지로 확인이 가능하다. 또한 센서(S1)로 검지가 가능해지도록, 보트 회전 기구(129)를 동작시켜서 미리 마스터 데이터로서 균열 검지 위치 데이터를 취득해두는 것이 필요하다. 도 6과 마찬가지로 도 8b에서도 이상(경사, 균열, 돌출, 2겹)이 없고 보트(217) 상에 예정된 매수가 소정의 위치(홈)에 재치되어 있는지 확인할 수 있다. 이에 의해 웨이퍼 돌출과 상관없이 기판 균열 검지를 수행할 수 있다.
이와 같이 본 실시 형태에 따르면, 보트 회전 기구(129)를 이용하여 보트(217)를 소정 각도 회전시키고, 보트(217)의 지주(220)와 지주(220) 사이에서, 또한 센서(S1)가 웨이퍼(200)나 지주(220)에 충돌하지 않는 개소[즉 센서(S1)에서 검지가 가능한 위치]에서 웨이퍼 검지 장치(400)에 의한 균열 검지 동작을 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200)가 돌출한 상태에서도 웨이퍼(200)에 접촉하지 않고 검지를 수행할 수 있다. 예컨대 보트(217)에 대하여 웨이퍼 이재 장치(125a)가 지주(220) 사이의 중심이 되는 위치가 되도록 보트(217)를 소정 각도 회전시킨다.
(실시예1)
다음으로 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)를 이용하여 반도체 디바이스의 제조 공정의 일 공정인 기판 처리 공정을 실시하는 경우를 예로 들어서 설명한다. 실시예 1에서는 보트 언로드 후에 웨이퍼 이상 검출 장치(400)의 검지 암(401)에 의한 검지 동작을 실행하도록 구성된다. 또한 도 10에 도시하는 기판 처리 시퀀스를 주 제어부(312)가 실행하도록 구성된다.
기판 처리 공정의 실시에 있어서 실시해야 할 기판 처리에 대응하는 기판 처리 레시피(프로세스 레시피)가 예컨대 주 제어부(312) 내의 메모리(317)에 전개된다. 그리고 필요에 따라서 주 제어부(312)로부터 온도 제어부(326), 가스 제어부(328), 압력 제어부(330)나 반송 제어부(350) 등의 부 제어부(314)에 동작 지시가 주어진다. 이렇게 하여 실시되는 기판 처리 공정은 반입 공정과 성막 공정과 반출 공정을 적어도 포함한다. 본 실시 형태에서는 이재 공정[후술하는 기판 처리 장치(100)로의 기판 투입 공정을 포함한다.]과 회수 공정을 기판 처리 공정에 포함한다.
(S101: 기판 투입 공정)
주 제어부(312)는 외부 관리 컴퓨터 등으로부터의 기판 투입 지시를 접수하면, 기판 처리 시퀀스를 시작하도록 구성된다. 구체적으로는 주 제어부(312)는 외부 반송 장치로부터 포드(110)가 로드 포트(114)에 재치되면, 포드(110)를 회전식 포드 선반(105)에 격납하는 기판 투입 공정의 시작 지시(투입 지시)를 반송 제어부(350)에 발신한다. 반송 제어부(350)는 로드 포트(114)와 회전식 포드 선반(105) 사이의 포드(110)의 반송을 포드 반송 장치(118)에 수행한다.
(S102: 이재 공정)
다음으로 주 제어부(312)로부터는 반송 제어부(350)에 대하여 웨이퍼 이재 기구(125)의 구동(驅動) 지시가 발해진다. 그리고 반송 제어부(350)로부터의 지시에 따르면서 웨이퍼 이재 기구(125)는 재치대(122) 상의 포드(110)로부터 보트(217)로의 웨이퍼(200)의 이재 처리를 시작한다. 이 이재 처리는 예정된 모든 웨이퍼(200)의 보트(217)로의 장전(웨이퍼 차지)이 완료될 때까지 수행된다.
(S103: 반입 공정)
지정 매수의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전되면, 보트(217)는 반송 제어부(350)로부터의 지시에 따라 동작하는 보트 엘리베이터(115)에 의해 상승되고, 처리로(202) 내에 형성되는 처리실(201)에 장입(보트 로드)된다. 보트(217)가 완전히 장입되면 보트 엘리베이터(115)의 씰 캡(219)은 처리로(202)의 매니폴드의 하단을 기밀하게 폐색(閉塞)한다.
(S104: 처리 공정)
그 후는 처리실(201)은 압력 제어부(330)로부터의 지시에 따르면서 소정의 처리 압력(진공도)이 되도록 진공 배기 장치에 의해 진공 배기된다. 또한 처리실(201)은 온도 제어부(326)로부터의 지시에 따르면서 소정의 온도가 되도록 히터에 의해 가열된다. 계속해서 반송 제어부(350)로부터의 지시에 따르면서 회전 기구(129)에 의한 보트(217) 및 웨이퍼(200)의 회전을 시작한다. 그리고 소정의 압력, 소정의 온도로 유지된 상태에서 보트(217)에 보지된 복수 매의 웨이퍼(200)에 소정의 가스(처리 가스)를 공급하여 웨이퍼(200)에 소정의 처리(예컨대 성막 처리)가 이루어진다.
(S105: 반출 공정)
보트(217)에 재치된 웨이퍼(200)에 대한 성막 공정이 완료되면, 반송 제어부(350)로부터의 지시에 따르면서, 그 후 보트 회전 기구(129)에 의한 보트(217) 및 웨이퍼(200)의 회전을 정지시키고, 보트 엘리베이터(115)에 의해 씰 캡(219)을 하강시켜서 매니폴드의 하단을 개구하는 것과 함께 처리 완료된 웨이퍼(200)를 보지한 보트(217)를 처리로(202)의 외부로 반출(보트 언로드)한다.
(S106: 회수 공정)
그리고 처리 완료된 웨이퍼(200)를 보지한 보트(217)는 클린 유닛(134)으로부터 분출되는 클린 에어(133)에 의해 매우 효과적으로 냉각된다. 그리고 예컨대 150℃ 이하로 냉각되면, 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의한 웨이퍼 검지가 수행되고, 특별한 이상이 없으면 보트(217)로부터 처리 완료된 웨이퍼(200)가 탈장(脫裝)(웨이퍼 디스차지)된다. 처리 완료된 웨이퍼(200)가 포드(110)에 이재된 후에 새로운 미처리 웨이퍼(200)의 보트(217)로의 이재가 수행된다.
본 실시 형태에서의 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의한 웨이퍼 검지는 도 9에 도시하는 바와 같이 보트(217)에 대하여 웨이퍼 재치 가능한 위치를 기준점(0ㅀ)으로부터 보트(217)의 회전 방향(도 9에 도시하는 화살표의 방향)으로 소정 각도 A(또는 B) 회전시켜서 균열 검지 위치에 이동시킨다. 그 후 웨이퍼 이재 장치(125a)에 설치된 검지 암(401)을 접동(摺動)시켜서 웨이퍼(200)를 개재하도록 배치시키고, 전술한 도 8b에 도시되는 바와 같은 측정이 수행된다.
또한 이 보트(217)의 회전 방향(R축 방향)의 균열 검지 위치의 데이터는 미리 마스터 데이터로서 취득해둔다. 즉 균열 검지 위치로서 소정 각도 A 및 소정 각도 B의 위치에 회전시켰을 때의 양방의 데이터에 대해서 취득해둔다. 또한 웨이퍼 이재 장치(125a)에 구비된 검지 암(401)에 설치된 센서(S1)로 웨이퍼 검지 가능하도록 티칭하여 웨이퍼 이재 장치(125a)의 웨이퍼 이재 가능한 위치의 데이터를 마스터 데이터로서 취득해둔다. 이들 마스터 데이터는 기억부(317)에 격납된다.
이와 같이 반송 제어부(350)는 웨이퍼 이재가 가능한 위치를 기준으로 보트 회전 기구(129)를 이용하여 균열 검지 위치에 보트(217)를 회전시킬 수 있고, 이상 판정부(351)는 보트(217)의 지주(220) 사이에서 센서(S1)가 지주(220)에 충돌하지 않는 개소에서 웨이퍼 검지가 가능하기 때문에 웨이퍼(200)가 돌출하는 상황이라도 웨이퍼(200)에 접촉하지 않고 웨이퍼(200)의 재치 상태를 검지할 수 있다.
본 실시 형태에서의 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의한 웨이퍼 검지의 결과, 이상이 발생한 웨이퍼(200)가 있는 경우, 이상 판정부(351)는 이상의 내용에 따라 반송 제어부(350)에 보트(217)로부터 처리 완료된 웨이퍼(200)를 탈장(웨이퍼 디스차지)하도록 구성된다. 이상 판정부(351)는 가령 이상이 웨이퍼 돌출이어도 웨이퍼(200)가 돌출된 개소는 전술한 도 8b에 도시되는 바와 같은 측정에 의해 센서(S1)에 의한 검출 결과가 웨이퍼(200) 없음으로 한 검지 결과로부터 판정할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(200)에 이상이 발생해도 이상이 발생한 웨이퍼(200) 또는 이상이 발생한 웨이퍼(200)와 그 상하의 웨이퍼(200)가 제거되어 이상의 요인이 해소되면, 이상 판정부(351)는 웨이퍼 이상을 해제한다. 그리고 반송 제어부(350)는 다른 정상인 처리 완료 웨이퍼(200)를 보트(217)로부터 회수하도록 웨이퍼 이재 기구(125)를 제어한다. 이에 의해 이상(특히 웨이퍼 돌출)에 의한 정상인 처리 완료 웨이퍼(200)로의 손해를 저감할 수 있다.
그리고 보트(217)로부터 포드(110)에 수납된 처리 완료 웨이퍼(200)는 재치대(122)로부터 회전식 포드 선반(105)에 일단 격납된 후, 장치 외로 회수된다. 여기서 모든 처리 완료 웨이퍼(200)가 보트(217)로부터 포드(110)로 반송되면, 주 제어부(312)는 기판 처리 시퀀스를 종료하도록 구성된다. 또한 회수 공정은 회전식 포드 선반(105)으로부터 로드 포트(114)까지 반송되는 공정과, 로드 포트(114)로부터 기판 처리에서 이용한 포드(110)가 장치 외로 반출되는 공정을 포함하고, 주 제어부(312)는 기판 처리 시퀀스를 종료해도 좋다.
(변형예 1)
실시예 1에서는 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의한 웨이퍼 검지는 보트(217)를 소정 각도 A(또는 B) 회전시켜서 기판의 검지를 수행했지만, 본 실시 형태에서의 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의한 웨이퍼 검지는 실시예 1과 마찬가지로 보트(217)를 소정 각도 A(또는 B) 회전시켜서 웨이퍼 균열을 검지한 후, 또한 보트(217)를 소정 각도 B의 위치까지 회전시켜서(소정 각도 B - 소정 각도 A 회전시켜서) 웨이퍼 균열 검지를 하도록 구성된다. 이에 의해 전술한 실시예 1에서의 효과를 갖는 것은 말할 필요도 없다. 또한 실시예 1보다 웨이퍼(200)에 발생한 미세한 변화[예컨대 웨이퍼(200)의 일부 결함]를 검출할 수 있다.
(변형예 2)
웨이퍼 돌출이 발생한 경우에 웨이퍼 이재 위치에서 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의한 웨이퍼 검지를 수행할 수 없기 때문에 실시예 1에서는 보트(217)를 소정 각도 A(또는 B) 회전시키고 나서 검지하고 있었다. 이때 웨이퍼 돌출이 발생했으면, 도 7에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 검지는 불가능하다. 하지만 웨이퍼 돌출이 발생하지 않았으면, 웨이퍼 이재 위치에서 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의한 웨이퍼 검지를 수행할 수 있다.
따라서 본 실시 형태에서의 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의한 웨이퍼 검지는 보트(217)를 소정 각도 A 회전시켜서 웨이퍼 균열 검지한 후, 또한 보트(217)를 소정 각도 A 역회전(또는 360°- 소정 각도 A 회전)시켜서 웨이퍼 이재 위치에 되돌려서 웨이퍼 균열 검지를 해도 좋다. 이에 의해 전술한 실시예 1에서의 효과를 갖는 것은 말할 필요도 없다. 또한 실시예 1보다 웨이퍼(200)에 발생한 미세한 변화[예컨대 웨이퍼(200)의 일부 결함]를 검출할 수 있다. 또한 웨이퍼 검지 후 보트(217)를 기준 위치(도 9의 좌측의 도면)까지 되돌릴 필요가 없기 때문에 이상이 없으면 바로 처리 완료 웨이퍼(200)를 회수할 수 있다.
(실시예 2)
본 실시 형태에서의 웨이퍼 이상 검출 장치(400)에 의한 웨이퍼 검지는 기판 처리 공정에서의 이재 공정 후이며, 반입 공정 전에 수행된다. 이에 의해 웨이퍼(200)를 처리로(202)에 반입하기 전에 웨이퍼(200)의 이상을 검출할 수 있으므로, 이상이 발생한 웨이퍼(200)를 제거하는 처리 또는 더미 웨이퍼와의 교환 처리, 또는 경미한 돌출이라면 지주(220)에 웨이퍼(200)를 장전하는 처리를 수행할 수 있다.
이와 같이 본 실시 형태에서는 처리로(202)에 반입하기 전에 검출된 이상의 내용에 따라 복구 처리를 수행하고, 다른 정상인 웨이퍼(200)는 보트(217)에 장전된 상태에서 다음 반입 공정을 수행할 수 있으므로, 이상 웨이퍼(200)의 영향을 저감하면서 기판 처리를 계속할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서 실시예 1을 방해하지 않고 실시예 1과 조합시킬 수 있다는 것은 말할 필요도 없다. 또한 전술한 변형예 1 및 변형예 2중 어느 일방(一方)과 조합시킬 수도 있다. 또한 이 실시예 1, 변형예 1, 변형예 2로부터 적어도 선택되는 일례와 조합할 수 있다.
(실시예 3)
기판 처리 공정에서의 이재 공정 전 또는 회수 공정 전에 이재 장치(125a)의 트위저(125c)의 피치를 확인한다. 피치의 확인 결과, 이상이 검출되면 이 이상이 해소될 때까지 이재 공정(웨이퍼 차지 공정)이나 회수 공정(웨이퍼 디스차지 공정)의 웨이퍼(200)의 반송 동작이 불가능해진다.
이에 의해 웨이퍼(200) 반송에서의 이상[예컨대 웨이퍼(200)로의 트위저(125c)의 충돌, 웨이퍼(200)의 낙하 등]을 예방할 수 있으므로, 반송 정지하지 않고 웨이퍼(200)를 처리할 수 있고, 결과적으로 장치 가동률의 향상을 기대할 수 있다. 또한 각 변형예를 포함하는 실시예 1 또는 실시예 2의 실시를 방해하지 않고, 이것들과 조합시켜서 실시하는 것에 의해 전술한 각 변형예를 포함하는 실시예 1 또는 실시예 2의 효과를 가질 수 있다.
(실시예 4)
기판 처리 공정에서의 이재 공정 중에 이재 장치(125a)의 트위저(125c)에 재치된 웨이퍼(200)가 보트(217)의 슬롯(홈)에 장전되고, 이재 장치(125a)가 미리 지정된 거리에서 일단 정지하고, 트위저(125c)에 웨이퍼(200)가 재치되어 있는지 확인한다. 확인 후 이재 장치(125a)를 원래 위치까지 이동시킨다.
이에 의해 트위저(125c)에서의 슬라이드 웨이퍼의 유무에 의한 반송 이상을 예방할 수 있다. 예컨대 트위저(125c)에 슬라이드 웨이퍼가 있어도[트위저(125c) 위로 웨이퍼(200)가 재치되어 있어도] 원래의 위치(반송 시작 시의 위치)까지 이동하지 않고 이재 장치(125a)를 정지하므로 웨이퍼(200)의 낙하를 예방할 수 있다. 또한 낙하까지는 아니더라도 웨이퍼(200)의 돌출 또는 웨이퍼 엇갈림의 요인이 될 수 있는 슬라이드 웨이퍼를 검지할 수 있다. 또한 슬라이드 웨이퍼가 있는 경우, 원래의 위치까지 이동하지 않고 다시 보트(217)에 장전하는 동작을 선택할 수 있다.
이와 같이 이재 장치(125a)가 초기 위치(원래 위치)로부터 장전 위치까지 이동해서 보트(217)에 웨이퍼(200)를 장전한 후, 장전 위치부터 초기 위치가 아닌 미리 지정된 거리에서 일단 정지하는 것에 의해 센서 등을 필요로 하지 않고 반송 이상을 예방할 수 있다.
또한 본 실시 형태는 각 변형예를 포함하는 실시예 1 내지 실시예 3의 실시를 방해하지 않고, 이것들과 조합시켜서 실시하는 것에 의해 전술한 각 변형예 포함하는 실시예 1 내지 실시예 3의 효과도 가질 수 있다.
본 실시 형태에서의 컨트롤러는 전용의 컴퓨터로서 구성되는 경우에 한정되지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어도 좋다. 예컨대 전술한 프로그램을 격납한 외부 기억 장치(예컨대 USB 메모리 등의 반도체 메모리 등)를 준비하고, 이 외부 기억 장치를 이용해서 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해 본 실시 형태의 컨트롤러를 구성할 수 있다. 단, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은 외부 기억 장치를 개재하여 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 외부 기억 장치를 개재하지 않고 프로그램을 공급해도 좋다. 기억 장치로서의 메모리(317)나 외부 기억 장치는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 이용한 경우는 기억 장치(317) 단체(單體)만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치 단체만을 포함하는 경우 또는 그것들의 양방을 포함하는 경우가 있다.
또한 본 발명의 실시 형태에서의 기판 처리 장치(100)는 반도체를 제조하는 반도체 제조 장치뿐만 아니라 LCD(Liquid Crystal Display) 장치의 같은 유리 기판을 처리하는 장치에도 적용 가능하다. 또한 노광 장치, 리소그래피 장치, 도포 장치, 플라즈마를 이용한 처리 장치 등의 각종 기판 처리 장치에도 적용 가능한 것은 말할 필요도 없다.
기판의 이재 상태를 검지하는 기판검지 기구를 구비한 기판 처리 장치에 적용된다.
100: 기판 처리 장치

Claims (12)

  1. 복수 매의 기판이 재치된 상태의 기판 보지구(保持具)를 반응관 내에 반입하는 공정;
    상기 반응관 내에 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하는 공정;
    상기 기판을 처리한 후 상기 기판 보지구를 상기 반응관으로부터 반출하는 공정; 및
    상기 기판을 이재 가능한 위치를 기준으로 상기 기판 보지구를 소정 각도 회전시킨 상태에서 상기 기판 보지구에 재치된 상기 기판을 검지하는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 보지구를 제2 소정 각도 회전시켜서 상기 기판 보지구에 재치된 상기 기판의 균열을 검지하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 보지구를 상기 소정 각도 역회전시켜서 상기 기판 보지구에 재치된 상기 기판의 균열을 검지하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판 보지구에 보지된 상기 기판 및 상기 기판 보지구가 배치된 이재실을 냉각하는 냉각 공정을 더 포함하고,
    상기 냉각 공정 후 상기 기판 보지구를 소정 각도 회전시키도록 구성된 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 기판을 상기 기판 보지구에 이재하는 공정을 더 포함하고,
    상기 이재하는 공정 후이며, 상기 반입하는 공정 전에 상기 기판 보지구를 소정 각도 회전시키도록 구성된 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    복수 매의 기판을 기판 보지체에 재치하고, 상기 기판보지체를 개재하여 상기 기판을 상기 기판 보지구에 이재하는 이재 공정을 더 포함하고,
    상기 이재 공정 전에 상기 기판 보지체에 이상이 발생하면, 상기 이상이 해소될 때까지 상기 기판을 이재하지 않도록 구성된 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 이재 장치에서는 초기 위치부터 상기 기판 보지체로부터 상기 기판을 상기 기판 보지구에 장전하는 장전 위치까지 이동하고, 미리 지정된 거리를 돌아간 부분에서 일단 정지하도록 구성된 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 복수 매의 기판이 재치된 상태의 기판 보지구를 반응관 내에 반입하는 공정;
    상기 반응관 내에 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하는 공정;
    상기 기판을 처리한 후 상기 기판 보지구를 상기 반응관으로부터 반출하는 공정; 및
    상기 기판 보지구를 반입하는 공정 전에 상기 기판을 이재 가능한 위치를 기준으로 상기 기판 보지구를 소정 각도 회전시킨 상태에서 상기 기판 보지구에 재치된 상기 기판을 검지하는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 복수 매의 기판이 재치된 상태의 기판 보지구를 반응관 내에 반입하는 공정;
    상기 반응관 내에 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하는 공정;
    상기 기판을 처리한 후 상기 기판 보지구를 상기 반응관으로부터 반출하는 공정;
    상기 기판을 이재 가능한 위치를 기준으로 상기 기판 보지구를 소정 각도 회전시킨 상태에서 상기 기판 보지구에 재치된 상기 기판을 검지하는 제1 공정; 및
    상기 기판의 이재 가능한 위치에서 상기 기판 보지구에 재치된 상기 기판을 검지하는 제2 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 반출하는 공정 후 상기 제2 공정보다 상기 제1 공정을 우선해서 실시하도록 구성된 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 복수의 기판을 보지하는 기판 보지구를 회전시키는 회전 기구와, 상기 기판을 보지하는 기판 보지체를 포함하는 이재 기구와, 상기 이재 기구와 상기 기판 보지구 사이에서 상기 기판의 반송을 제어하는 반송 제어부와, 상기 기판 보지구에 보지된 기판의 이재 상태를 검지하는 이상 검출 장치를 구비한 기판 처리 장치에서 실행되는 프로그램으로서,
    복수 매의 기판이 재치된 상태의 기판 보지구를 반응관 내에 반입하는 순서;
    상기 반응관 내에 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하는 순서;
    상기 기판을 처리한 후 상기 기판 보지구를 상기 반응관으로부터 반출하는 순서; 및
    상기 기판을 이재 가능한 위치를 기준으로 상기 기판 보지구를 소정 각도 회전시킨 상태에서 상기 기판 보지구에 재치된 상기 기판을 검지하는 순서
    를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 기록 매체에 기록된 프로그램.
  12. 복수의 기판을 보지하는 기판 보지구를 회전시키는 회전 기구;
    상기 기판을 보지하는 기판 보지체를 포함하는 이재 기구;
    상기 이재 기구와 상기 기판 보지구 사이에서 상기 기판의 반송을 제어하는 반송 제어부;
    상기 기판 보지구에 보지된 기판의 이재 상태를 검지하는 이상 검출 장치; 및
    상기 기판이 재치된 상태의 기판 보지구를 반응관 내에 반입하고, 상기 반응관 내에 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하고, 상기 기판을 처리한 후 상기 기판 보지구를 상기 반응관으로부터 반출하고, 상기 기판을 이재 가능한 위치를 기준으로 상기 기판 보지구를 소정 각도 회전시킨 상태에서 상기 기판 보지구에 재치된 상기 기판을 검지하도록 상기 이재 기구, 상기 회전 기구, 상기 이상 검출 장치, 상기 반송 제어부를 제어하도록 구성된 주 제어부
    를 구비한 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7246256B2 (ja) * 2019-05-29 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び搬送システム
US11915960B2 (en) * 2019-07-31 2024-02-27 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112786480A (zh) * 2019-11-08 2021-05-11 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆处理系统与防撞方法
US12063745B2 (en) * 2020-05-05 2024-08-13 Integrated Dynamics Engineering Gmbh Method for processing substrates, in particular wafers, masks or flat panel displays, with a semi-conductor industry machine
CN116195038A (zh) * 2020-09-25 2023-05-30 株式会社国际电气 基板配置数据的显示方法、半导体装置的制造方法以及基板处理装置和程序

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012707A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Kokusai Electric Co Ltd ボートに於けるウェーハ位置ずれ補正装置
JPH10135313A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Nec Kansai Ltd 縦型ボートの位置調整方法位置調整装置およびその位置調整装置を用いたウェーハ処理装置
KR20050031851A (ko) 2003-09-30 2005-04-06 삼성전자주식회사 원자층 증착 공정을 이용한 물질 형성 방법, 이를 이용한박막 형성 방법 및 캐패시터의 제조 방법
JP2010153906A (ja) * 2007-11-05 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理装置の表示方法及び半導体装置の製造方法。
JP2011018908A (ja) * 2010-07-15 2011-01-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2012146809A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014172161A (ja) * 2013-03-13 2014-09-22 Ebara Corp 基板割れ検知装置およびこれを備えた研磨装置並びに基板割れ検知方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565034A (en) 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
JP3240449B2 (ja) * 1993-11-05 2001-12-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2000091255A (ja) * 1998-07-17 2000-03-31 Asahi Glass Co Ltd ダミ―ウエハの移載方法
US7015492B2 (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Asm International N.V. Method and apparatus for mapping of wafers located inside a closed wafer cassette
WO2005031851A1 (ja) 2003-09-25 2005-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び基板の製造方法
KR100553710B1 (ko) * 2004-03-23 2006-02-24 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼를 검사하는 검사 시스템 및 검사 방법
US20090122304A1 (en) * 2006-05-02 2009-05-14 Accretech Usa, Inc. Apparatus and Method for Wafer Edge Exclusion Measurement
JP4842227B2 (ja) * 2006-09-13 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置における地震被害拡散低減システム
JP4616873B2 (ja) * 2007-09-28 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、基板保持方法及びプログラム
US20090114150A1 (en) 2007-11-05 2009-05-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP2009194046A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Hitachi High-Tech Control Systems Corp 基板搬送装置および基板の偏心補正方法
JP2011119504A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2011181817A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP6185722B2 (ja) * 2012-03-08 2017-08-23 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板移載方法及び半導体装置の製造方法並びに状態検知プログラム
JP5935676B2 (ja) * 2012-12-07 2016-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板装置の運用方法及び記憶媒体
CN104899887B (zh) * 2015-06-17 2018-06-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备承载区域的硅片分布状态图像检测方法及装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012707A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Kokusai Electric Co Ltd ボートに於けるウェーハ位置ずれ補正装置
JPH10135313A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Nec Kansai Ltd 縦型ボートの位置調整方法位置調整装置およびその位置調整装置を用いたウェーハ処理装置
KR20050031851A (ko) 2003-09-30 2005-04-06 삼성전자주식회사 원자층 증착 공정을 이용한 물질 형성 방법, 이를 이용한박막 형성 방법 및 캐패시터의 제조 방법
JP2010153906A (ja) * 2007-11-05 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理装置の表示方法及び半導体装置の製造方法。
JP2011018908A (ja) * 2010-07-15 2011-01-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2012146809A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014172161A (ja) * 2013-03-13 2014-09-22 Ebara Corp 基板割れ検知装置およびこれを備えた研磨装置並びに基板割れ検知方法

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