JP6185722B2 - 基板処理装置、基板移載方法及び半導体装置の製造方法並びに状態検知プログラム - Google Patents

Description

本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、酸化処理、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行い、特に基板及び基板を載置する保持部材の変形や割れの検知が可能な基板処理装置、基板移載方法及び半導体装置の製造方法並びに状態検知プログラムに関するものである。

基板を処理する処理装置として、縦型の反応炉と、所定数の被処理基板（以下ウェーハと称す）を水平姿勢で多段に保持する基板保持具であるボートと、該ボートにウェーハを移載する基板移載機とを具備し、前記ボートにウェーハを保持した状態で前記反応炉にてウェーハを処理するバッチ式の基板処理装置がある。

従来では、反応炉内での昇温時、該反応炉から取出された際の冷却時に、熱応力によりウェーハに割れや反り、ズレ等の異常が生じた場合、ウェーハに異常が生じた状態で基板処理が続行されない様、基板処理装置にウェーハの異常を検知する為のウェーハ割れ検知機構を設けている。

該ウェーハ割れ検知機構はフォトセンサを有し、前記ボート上に保持されたウェーハ周縁から５ｍｍ〜１０ｍｍ程度中心側でフォトセンサが水平方向に照射した光軸を上下させ、得られる光量の増減の波形により各スロットに於けるウェーハの有無や割れ、脱落等を検知している。

ウェーハが正常に保持されている場合には、ウェーハにより光軸がウェーハの下端から光量が減少し始め、上端で光量が回復する様になっており、この値が基準値内に存在しているかどうかでウェーハの状態を判断している。光軸とウェーハが重なる領域にウェーハ以外の物が存在する場合には、ウェーハ以外の物が光量の波形に反映され、ウェーハの状態が異常であると判定される。

又、プロセス性能条件向上の為、前記ボート上にリング状の保持部材を装着し、該保持部材上にウェーハを載置する基板処理装置もあるが、前記ボートに保持部材を装着した状態では、該保持部材がウェーハ割れ検知機構の光軸上に存在し、前記保持部材が光量の波形に影響する為、前記ウェーハ割れ検知機構を使用できないという問題があった。

又、前記保持部材は前記ボートに装着された状態で基板処理が行われる。従って、前記保持部材自体に対しても熱による形状の変化やズレが生じる為、該保持部材の変形やズレを事前に検知する仕組が求められている。

ＷＯ２００５／３１８５１号公報

斯かる実情に鑑み、本発明の目的は、保持部材が装着された基板保持具に基板が保持された場合でも、前記保持部材の異常及び前記基板の異常の発生を事前に検知する基板処理装置、基板移載方法及び半導体装置の製造方法並びに状態検知プログラムを提供することにある。

本発明の一態様によれば、基板を載置する保持部材を装着した基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を搬送する様に構成された基板搬送部と、前記基板保持具に装着された前記保持部材の状態を検知する検知部と、前記検知部により取得された前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較して前記保持部材自体の状態を判定する判定部と、前記判定部の判定結果に応じて前記基板搬送部を制御する搬送制御部とを具備する基板処理装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、基板が載置される保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する移載工程を少なくとも有する基板移載方法であって、前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較して前記保持部材自体の状態を判定する判定工程を有し、前記判定工程の判定結果に応じて前記基板保持具に基板を移載する基板移載方法が提供される。

本発明の更に他の態様によれば、基板が載置される保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する移載工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法であって、前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較して前記保持部材自体の状態を判定する判定工程を有し、前記判定工程の判定結果に応じて前記基板保持具に基板を移載する半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の更に他の態様によれば、保持部材の状態を検知する検知部に波形データを取得させ、判定部に前記波形データより前記保持部材の下端と上端を示すデータを取得させると共に、取得した各波形データと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較させることで前記保持部材の状態を判定させ、判定により異常が検知された際に処理を中断させる基板処理装置の保持部材状態検知プログラムが提供される。

本発明によれば、基板保持具に装着された保持部材に基板が載置される際、前記保持部材の状態検知と前記保持部材に載置された基板の状態検知を両立させることができるので、前記保持部材に起因する異常の発生と前記基板に起因する異常の発生の両方を事前に検知することができる。

本発明の実施例に係る基板処理装置を示す斜視図である。 本発明の実施例に係る基板処理装置を示す断面図である。 該基板処理装置に用いられる基板保持具を示す斜視図である。 本発明の実施例に係る基板処理装置に用いられる処理炉及びその周辺を示す断面図である。 本発明の実施例に係る基板処理装置に用いられる基板移載機を示す側面図である。 本発明の実施例に係る基板移載機に用いられる検知部による状態検知を示す平面図であり、（Ａ）は基板が載置されていない状態を示し、（Ｂ）は基板が載置された状態を示している。 本発明の実施例に係る基板移載機に用いられる検知部により保持部材のみを検知した場合を示す説明図である。 本発明の実施例に係る基板移載機に用いられる検知部により保持部材と該保持部材に載置された基板を検知した場合を示す説明図である。 本発明の実施例に係る基板処理の動作を説明するフローチャートである。 本発明の実施例に係る保持部材の状態検知を説明するフローチャートである。 本発明の実施例に係る保持部材と該保持部材に載置された基板の状態検知を説明するフローチャートである。 本発明の実施例に係る基板保持具の各スロットにおける保持部材と該保持部材に載置された基板の変形率の違いによる状態検知の判定結果の違いを説明する図である。 本発明の実施例２に係る基板保持具の各スロットにおける状態検知に使用する許容値範囲の設定を説明する図である。 本発明の実施例３に係る基板保持具の各スロットにおける状態検知に使用する許容値範囲をウェーハ種別に応じた設定を説明する図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。

先ず、図１、図２に於いて、本発明の実施例に係る基板処理装置１について説明する。

尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やＣＶＤ処理等を行う縦型炉を具備する縦型基板処理装置を適用した場合について述べる。

シリコン等からなるウェーハ２等の基板を収納した密閉式の基板収納容器（ＦＯＵＰ）（以下カセット３）を、外部から筐体４内へ搬入する為、及びその逆に該筐体４内から外部へ搬出する為のＩ／Ｏステージ（基板収納容器授受部）５が前記筐体４の前面に設けられ、該筐体４内には搬入された前記カセット３を保管する為のカセット棚（保管手段）６が設けられている。

又、ウェーハ２の搬送エリアであり、後述のボート（基板保持具）７のローディング、アンローディング空間となる気密室８が設けられている。

ウェーハ２に処理を行う時の前記気密室８の内部は、ウェーハ２の自然酸化膜を防止する為にＮ2 ガス等の不活性ガスが充満される様になっている。

前記カセット３としては、現在ＦＯＵＰというタイプが主流で使用されており、前記カセット３の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことで大気からウェーハ２を隔離して搬送でき、前記蓋体を取去ることで前記カセット３内へウェーハ２を入出させることができる。前記カセット３の蓋体を取外し、該カセット３内と前記気密室８とを連通させる為に、該気密室８の前面側には、カセット載置ステージ（基板収納容器載置手段）９，１１が複数組（図示では２組）設けられ、前記気密室８の前記カセット載置ステージ９，１１対峙部分にはそれぞれカセットオープナ１２，１３（開閉手段）が設けられている。該カセットオープナ１２，１３は独立して駆動可能となっており、前記カセット載置ステージ９，１１に載置された前記カセット３を個別に開閉可能となっている。

前記カセット載置ステージ９，１１、前記カセット棚６、及び前記Ｉ／Ｏステージ５間の前記カセット３の搬送は、カセット搬送機１４(キャリア搬送部)によって行われる。前記カセット搬送機１４による前記カセット３の搬送空間１５には、前記筐体４に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気をフローさせる様にしている。

前記気密室８の内部には、複数のウェーハ２を水平多段に積載する前記ボート７と、ウェーハ２のノッチ（又はオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合せる基板位置合せ装置１６が設けられ、又前記カセット載置ステージ９，１１上の前記カセット３と前記基板位置合せ装置１６と前記ボート７との間でウェーハ２の搬送を行うウェーハ移載機（基板搬送部）１７が１組設けられている。又、前記気密室８の上部にはウェーハ２を処理する為の処理炉１８が設けられており、該処理炉１８の下端開口部である炉口は炉口ゲートバルブ１９によって開閉される。該炉口ゲートバルブ１９の開状態で、前記ボート７はボートエレベータ（昇降部）２１によって前記処理炉１８へローディング、又は該処理炉１８からアンローディングされ、前記ボート７へのウェーハ２移載時には前記炉口ゲートバルブ１９が閉じられる様になっている。

図３は、本実施例に於ける前記ボート７を示している。

本実施例に於ける該ボート７はリングボートであり、円板状の天板（図示せず）と底板（図示せず）が、例えば石英、炭化ケイ素等からなる４本の円柱状の支柱２２によって連結されている。該支柱２２には所定の間隔で装着溝（図示せず）が刻まれ、該装着溝により装着部であるスロットが形成される。該スロットにウェーハ２を保持する保持部材である略リング状のプレート（以下、ウェーハ保持リング）２３が装着される様になっており、該ウェーハ保持リング２３は水平又は略水平状態となる様垂直方向に所定の間隔で積層して前記支柱２２に多数装着される。

前記ウェーハ保持リング２３には、ウェーハ２が挿入される側（図３中紙面に対して下側）にリングの一部を切欠いた第１切欠き部２４が形成されると共に、該第１切欠き部２４と対向する位置に外周側に突出する突出部２５が形成され、該突出部２５の内縁が切欠かれることで第２切欠き部２６が形成される。

前記第１切欠き部２４及び前記第２切欠き部２６により、前記ウェーハ保持リング２３上にウェーハ２を載置する際に、前記ウェーハ移載機１７のウェーハ支持部（ツイーザ）が前記ウェーハ保持リング２３に接触しない様になっている。

図４は、前記処理炉１８の周辺構成を示している。該処理炉１８は、例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料からなるアウタチューブ３１を有している。該アウタチューブ３１は有天筒状であり、該アウタチューブ３１内には上端及び下端が開放されたインナチューブ３２が同心に配置されている。又、前記アウタチューブ３１の外周には、加熱手段としてのヒータ３３が同心に配置され、該ヒータ３３はヒータベース３４を介して前記筐体４上に保持されている。

図５にも示す様に、前記ボート７は、装着された前記ウェーハ保持リング２３上でウェーハ２を保持する。前記ウェーハ移載機１７は、上下方向に移動し、回転する移載機本体３５と、該移載機本体３５上で往復動する主ツイーザ本体３６とを有している。該主ツイーザ本体３６には、例えば板状の４つのツイーザ３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄが平行に延びる様に固定されている。又、前記移載機本体３５上には、副ツイーザ本体３８が前記主ツイーザ本体３６と一体に往復動できると共に、該主ツイーザ本体３６とは独立して往復動できる様に設けられている。前記副ツイーザ本体３８には、ツイーザ３７ｅが前述した４つのツイーザ３７ａ〜３７ｄの下位置で平行に固定されている。この為、図５に示す様に、前記ウェーハ移載機１７は５つのツイーザ３７ａ〜３７ｅにより５枚のウェーハ２を一括移載することができ、又最下段の前記ツイーザ３７ｅを用いて１枚のモニタウェーハを移載（枚葉移載）することもできる。モニタウェーハを移載する場合には、図６に示す様に、一括移載した５枚のウェーハ２との間を１スロット分開け、通常のウェーハ２とは異なるカセット３からモニタウェーハを取出し、５枚のウェーハセット間に挿入する。

前記カセット３には、例えば２５枚のウェーハ２が収納されており、前記ウェーハ移載機１７によりウェーハ２を前記ボート７に装着された前記ウェーハ保持リング２３上に移載する、又は該ウェーハ保持リング２３上から回収する場合、ウェーハ２が載置された５つのウェーハ保持リング２３（スロット群）の中に異常状態のウェーハ保持リング２３、或はウェーハ２がない時には、５つのツイーザ３７ａ〜３７ｅにより５枚のウェーハ２を一括移載又は回収し、スロット群の中に異常状態の前記ウェーハ保持リング２３又はウェーハ２がある時には、正常状態のウェーハ２のみを最下段の前記ツイーザ３７ｅを用いて回収できる。尚、前記モニタウェーハについては、挿入時と同様に１枚ずつ回収してもよい。

ウェーハ２、前記ウェーハ保持リング２３を検出する検知部４１は、前記移載機本体３５に設けられている。該検知部４１は、平行な２つのアーム４２ａ，４２ｂを有し、該アーム４２ａ，４２ｂは前記移載機本体３５の両側面にそれぞれ回転可能に取付けられ、一体に回動できる様に設けられている。又、図６（Ａ）（Ｂ）に示される様に、該アーム４２ａ，４２ｂの先端付近には、一方が投光素子、他方が受光素子からなる透過型のフォトセンサ４３ａ，４３ｂが前記ボート７の前面側に配置される様に設けられており、該フォトセンサ４３ａ，４３ｂにより前記ウェーハ保持リング２３の状態、及び該ウェーハ保持リング２３上に載置されたウェーハ２の状態が検知される様になっている。

前記ボート７に装着された前記ウェーハ保持リング２３の状態を検知する場合は、前記アーム４２ａ，４２ｂを前記ボート７側に回動固定し、前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂの光軸が前記ウェーハ保持リング２３を通過する様にし、前記ウェーハ移載機１７を前記ボート７の下端から上端迄移動させ、前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂの検知出力をモニタする。一方、前記ウェーハ移載機１７によりウェーハ２を前記ボート７に移載する場合には、前記アーム４２ａ，４２ｂが前記ボート７の反対側に回動し、前記アーム４２ａ，４２ｂが前記ボート７や前記ウェーハ保持リング２３と干渉するのを防止する様になっている。

又、該ウェーハ保持リング２３上に載置されたウェーハ２の状態を検知する場合も、前記ウェーハ保持リング２３の場合と同様に、前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂの光軸が前記ウェーハ保持リング２３及び該ウェーハ保持リング２３上に載置されたウェーハ２を通過する様にし、前記ウェーハ移載機１７を前記ボート７の下端から上端迄移動させ、前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂの検知出力をモニタする。

図４に示される様に、前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂから出力されるアナログ信号は、例えばＰＣ等のコンピュータからなる制御装置４４に出力される。前記制御装置４４はＣＰＵ等の演算制御部４５と、メモリやＨＤＤ等からなる記憶部４６と、前記検知部４１により検知されたデータをＡ／Ｄ変換する等の信号処理をして後述する検出値を取得すると共に、該検出値と前記記憶部４６に格納されたデータを比較する判定部４７と、前記判定部４７の判定結果に基づき、例えばモータ等からなる駆動部４８を介して前記ウェーハ移載機１７(基板搬送部)を制御する搬送制御部４９とを有している。

前記記憶部４６は、データ格納領域５１とプログラム格納領域５２とを有し、前記データ格納領域５１には後述するマスターデータ等の各種データが格納される様になっている。又、前記プログラム格納領域５２には前記判定部４７にマスターデータと検出値との比較を行わせることで前記ウェーハ保持リング２３の状態検知を行う為の保持部材状態検知プログラム５３と、前記判定部４７にマスターデータと検出値の比較を行わせることで前記ウェーハ保持リング２３上に載置されたウェーハ２の状態検知を行う為の基板状態検知プログラム５４とが格納されている。尚、図示しないが、ウェーハ２の基板処理を行うための各種データ及び各種プログラムもそれぞれ前記データ格納領域５１及び前記プログラム格納領域５２に格納されている。

前記ウェーハ保持リング２３の状態検知、及び該ウェーハ保持リング２３上に載置されたウェーハ２の状態検知を行うにあたって、先ず前記判定部４７が判定を行う為のマスターデータが取得され、前記データ格納領域５１に格納される。

先ず、前記ウェーハ保持リング２３の状態検知を行う為の第１マスターデータの取得について説明する。該ウェーハ保持リング２３を前記ボート７に装着した後、ウェーハ２を載置しない状態で前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂを下から上へと移動させ、図７に示される様な、前記ウェーハ保持リング２３についての光量の波形データ(未載置波形データ）５５を取得し、ボート７の各スロットに装着されたウェーハ保持リング２３毎に関連付けられて前記データ格納領域５１に格納する。又、前記判定部４７が各未載置波形データ５５から、前記ウェーハ保持リング２３の下端、即ち光量が減少し始める点の光量をリング下基準値５６として取得し、前記ウェーハ保持リング２３の上端、即ち減少した光量が回復した点の光量をリング上基準値５７として取得し、前記データ格納領域５１に格納する。

又、前記ウェーハ保持リング２３の状態が正常であるとみなす範囲、即ち許容できるズレの許容範囲（リングズレ許容範囲）５８を設定し、前記データ格納領域５１に格納する。前記データ格納領域５１に格納された前記リング下基準値５６、前記リング上基準値５７、前記リングズレ許容範囲５８により第１マスターデータが構成され、該第１マスターデータは前記ボート７の各段のスロットに関連付けられて前記データ格納領域５１に格納される。

次に、前記ウェーハ２の状態検知を行う為の第２マスターデータの取得について説明する。前記ウェーハ保持リング２３を前記ボート７に装着した後、前記ウェーハ保持リング２３上にウェーハ２を載置した状態で、前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂを下から上へと移動させ、図８に示される様な、前記ウェーハ保持リング２３の波形データとウェーハ２の波形データが混ざり合った波形データ（載置波形データ）５９を装着部としてのスロット毎に取得し、前記スロットに関連付けられて前記データ格納領域５１に格納する。又、前記判定部４７は各載置波形データ５９から、前記ウェーハ保持リング２３の下端、即ち光量が減少し始める点の光量をウェーハ下基準値６１として取得し、ウェーハ２の上端、即ち減少した光量が回復した点の光量をウェーハ上基準値６２として取得し、前記データ格納領域５１に格納する。尚、前記ウェーハ下基準値６１は前記リング下基準値５６と等しいので、前記ウェーハ下基準値６１は省略してもよい。

又、第１マスターデータと同様、ウェーハ２の状態が正常であるとみなす範囲、即ち許容できるズレの許容範囲（ウェーハズレ許容範囲）６３を設定し、前記データ格納領域５１に格納する。

尚、前記ウェーハ保持リング２３上のウェーハ２の有無に拘らず、前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂの光軸が前記ウェーハ保持リング２３を通過することで波形データが取得される為、単純に波形データの有無によりウェーハ２の有無を判定することができない。従い、ウェーハ２を前記ボート７の各スロットへ移載するかどうかの設定に基づくウェーハ２の有無情報も必要である。そして、ウェーハ有無情報、前記リング下基準値５６、前記リング上基準値５７、前記リングズレ許容範囲５８、前記ウェーハ下基準値６１、前記ウェーハ上基準値６２、前記ウェーハズレ許容範囲６３により、ウェーハ２の有無や割れ、落下等の状態検知に用いる第２マスターデータが構成され、該第２マスターデータは前記ボート７の各段のスロットに関連付けられて前記データ格納領域５１に格納される。

(実施例１)
次に、本発明の第一の実施形態(実施例１)について、図９〜図１１のフローチャートを用いて説明する。図９は本発明の実施例に係る基板処理装置１の動作を説明するフローチャートである。図１０は、本発明の実施例に係る前記ウェーハ保持リング２３の状態検知処理を説明するフローチャートである。図１１は本発明の実施例に係る前記ウェーハ保持リング２３及び前記ウェーハ保持リング２３に載置されたウェーハ２の状態検知処理について説明するフローチャートである。尚、本実施形態における前記ウェーハ保持リング２３の状態検知処理及び前記ウェーハ２の状態検知処理は、前記プログラム格納領域５２に格納された前記保持部材状態検知プログラム５３及び前記基板状態検知プログラム５４のそれぞれを演算制御部４５により実行される。

ＳＴＥＰ：０１ 基板処理装置１の動作は、先ずＡＧＶやＯＨＴ等により前記筐体４の外部から前記Ｉ／Ｏステージ５に前記カセット３が載置されることにより開始される。前記Ｉ／Ｏステージ５に載置された前記カセット３は、前記カセット搬送機１４によって前記カセット載置ステージ９，１１上に搬送されるか、一旦、前記カセット棚６にストックされた後に前記カセット載置ステージ９，１１上に搬送される。前記カセット載置ステージ９，１１上に搬送された前記カセット３は、前記カセットオープナ１２，１３によって蓋体が取外され、前記カセット３の内部雰囲気が前記気密室８の雰囲気と連通される。

ＳＴＥＰ：０２ 次に、演算制御部４５により前記保持部材状態検知プログラム５３が起動される。起動されると、図１０のフローチャートに示される、前記ボート７に装着された前記ウェーハ保持リング２３の状態検知処理(以下、後述するＳＴＥＰ：１１〜ＳＴＥＰ１７)が行われる。

ＳＴＥＰ：１１ ウェーハ保持リング２３の状態検知処理が開始されると、前記保持部材状態検知プログラム５３を実行する演算制御部４５の指示に基づき、前記搬送制御部４９が前記駆動部４８を介して前記ウェーハ移載機１７を駆動させ、前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂにより前記ボート７のスロット毎に装着された前記ウェーハ保持リング２３の波形データが取得され、各スロットに関連付けられて前記データ格納領域５１に格納される。

ＳＴＥＰ：１２ 前記ウェーハ保持リング２３の波形データ取得後、該波形データより光量が減少し始める点の光量であるリング下検出値が取得され、前記判定部４７によりリング下検出値と第１マスターデータとが比較され、リング下検出値と前記リング下基準値５６が同等又は前記リングズレ許容範囲５８の範囲内であるかが判定される。

ＳＴＥＰ：１３ 前記ウェーハ保持リング２３が歪んでいる、或は装着されていない等、前記ウェーハ保持リング２３に異常がある場合には、ＳＴＥＰ：１２にてリング下検出値が前記リングズレ許容範囲５８の範囲外であると判定され、検知が行われた前記ウェーハ保持リング２３が装着されたスロットについてエラーが出力される。

ＳＴＥＰ：１４ ＳＴＥＰ：１２にてリング下検出値が前記リング下基準値５６と同等又は前記リングズレ許容範囲５８の範囲内であると判定された後、又はＳＴＥＰ：１３にてエラーが出力された後、前記ウェーハ保持リング２３の波形データより光量が回復した点の光量であるリング上検出値が取得され、前記判定部４７によりリング上検出値と第１マスターデータとが比較され、リング上検出値と前記リング上基準値５７が同等又は前記リングズレ許容範囲５８の範囲内であるかが判定される。

ＳＴＥＰ：１５ 前記ウェーハ保持リング２３が歪んでいる、装着されていない等の前記ウェーハ保持リング２３の異常、或はウェーハ２が載置されている場合には、ＳＴＥＰ：１４にてリング上検出値が前記リングズレ許容範囲５８の範囲外と判定され、検知が行われた前記スロットについてエラーが出力される。

ＳＴＥＰ：１６ ＳＴＥＰ：１４にてリング上検出値が前記リング上基準値５７と同等又は前記リングズレ許容範囲５８の範囲内であると判定された後、又はＳＴＥＰ：１５にてエラーが出力された後、全スロットについて前記ウェーハ保持リング２３の状態検知が行われたかどうかが判断され、全スロットで状態検知が行われていない場合には、次のスロットに装着された前記ウェーハ保持リング２３についてＳＴＥＰ：１２〜ＳＴＥＰ：１５の処理が行われる。

ＳＴＥＰ：１７ ＳＴＥＰ：１６にて全スロットについて前記ウェーハ保持リング２３の状態検知が行われたと判断されると、エラーが出力されたスロットが存在するかどうかが判断され、エラーが出力されたスロットが存在しない場合には基板処理が続行され、エラーが出力されたスロットが存在する場合には、基板処理が中断され、作業者により前記ウェーハ保持リング２３の交換等のリカバリ処理が行われる。

ＳＴＥＰ：０３ ＳＴＥＰ：０２の前記ウェーハ保持リング２３の状態検知処理で異常が検知されなかった場合には基板処理が続行され、前記ウェーハ移載機１７により、前記気密室８の雰囲気と連通した状態の前記カセット３内からウェーハ２を取出す。取出されたウェーハ２は、前記基板位置合せ装置１６によって任意の位置にノッチ又はオリエンテーションフラットが定まる様に位置合せが行われ、位置合せ後、前記ボート７へと搬送される。

ＳＴＥＰ：０４ 該ボート７へとウェーハ２が移載されると、前記基板状態検知プログラム５４が起動され、図１１のフローチャートに示される、前記ウェーハ保持リング２３上に載置されたウェーハ２の状態検知処理(ＳＴＥＰ２１〜ＳＴＥＰ３２)が行われる。

ＳＴＥＰ：２１ ウェーハ２の状態検知処理が開始されると、前記基板状態検知プログラム５４を実行する演算制御部４５の指示に基づき、前記搬送制御部４９が前記駆動部４８を介して前記ウェーハ移
載機１７を駆動させ前記フォトセンサ４３ａ，４３ｂにより前記ウェーハ保持リング２３、及び該ウェーハ保持リング２３上に載置されたウェーハ２の光量の波形データが取得され、前記ウェーハ保持リング２３がそれぞれ装着されている各スロットに関連付けられて前記データ格納領域５１に格納される。

ＳＴＥＰ：２２ 前記波形データの取得後、該波形データより光量が減少し始める点の光量であるウェーハ下検出値が取得され、前記判定部４７によりウェーハ下検出値と第２マスターデータとが比較され、ウェーハ下検出値と前記ウェーハ下基準値６１が同等又は前記ウェーハズレ許容範囲６３の範囲内であるかが判定される。

ＳＴＥＰ：２３ 前記ウェーハ保持リング２３に異常がある場合には、ＳＴＥＰ：２２にてウェーハ下検出値が前記ウェーハズレ許容範囲６３の範囲外であると判定され、検知が行われたスロットについてエラーが出力される。

ＳＴＥＰ：２４ ＳＴＥＰ：２２にてウェーハ下検出値が前記ウェーハ下基準値６１と同等又は前記ウェーハズレ許容範囲６３の範囲内であると判定された後、又はＳＴＥＰ：２３にてエラーが出力された後、ウェーハ有無情報に基づき前記ウェーハ保持リング２３上にウェーハ２が載置されたスロットかどうかが判断される。

ＳＴＥＰ：２５ ＳＴＥＰ：２４にて前記ウェーハ保持リング２３上にウェーハ２が載置されていないスロットであると判断されると、前記ウェーハ保持リング２３の波形データより光量が回復した点の光量であるリング上検出値が取得され、前記判定部４７によりリング上検出値と第２マスターデータとが比較され、リング上検出値と前記リング上基準値５７が同等又は前記リングズレ許容範囲５８の範囲内であるかが判定される。

ＳＴＥＰ：２６ 前記ウェーハ保持リング２３に異常がある、或はウェーハ２が載置されている場合には、ＳＴＥＰ：２５にてリング上検出値が前記リングズレ許容範囲５８の範囲外であると判定され、状態検知が行われたスロットについてエラーが出力される。

ＳＴＥＰ：２７ ＳＴＥＰ：２４にて前記ウェーハ保持リング２３上にウェーハ２が載置されたスロットであると判断されると、前記ウェーハ保持リング２３及び該ウェーハ保持リング２３上に載置されたウェーハ２の波形データより光量が回復した点の光量であるウェーハ上検出値が取得される。前記判定部４７によりウェーハ上検出値と第２マスターデータとが比較され、ウェーハ上検出値が前記リング上基準値５７と同等又は前記リングズレ許容範囲５８の範囲内であるかが判定される。

ＳＴＥＰ：２８ 前記ウェーハ保持リング２３上にウェーハ２が載置されていない場合には、ＳＴＥＰ：２７にてウェーハ上検出値が前記リング上基準値５７と同等又は前記リングズレ許容範囲５８の範囲内であると判定され、状態検知が行われたスロットについてエラーが出力される。

ＳＴＥＰ：２９ ＳＴＥＰ：２７にてウェーハ上検出値が前記リングズレ許容範囲５８外であると判定された後、又はＳＴＥＰ：２８でエラーが出力された後、前記判定部４７によりウェーハ上検出値と第２マスターデータとが比較され、ウェーハ上検出値が前記ウェーハ上基準値６２と同等又は前記ウェーハズレ許容範囲６３の範囲内であるかが判定される。

ＳＴＥＰ：３０ 前記ウェーハ保持リング２３からウェーハ２が落下している、ウェーハ２に割れが生じている等ウェーハ２に異常がある場合には、ＳＴＥＰ：２９にてウェーハ上検出値が前記ウェーハズレ許容範囲６３の範囲外であると判定され、状態検知が行われたスロットについてエラーが出力される。

ＳＴＥＰ：３１ ＳＴＥＰ：２５にてリング上検出値が前記リング上基準値５７の範囲内であると判定された後、又はＳＴＥＰ：２６でエラーが出力された後、又はＳＴＥＰ：２９にてウェーハ上検出値が前記ウェーハズレ許容範囲６３内であると判定された後、又はＳＴＥＰ：３０でエラーが出力された後、全スロットについてウェーハ２の状態検知が行われたかどうかが判断され、全スロットで状態検知が行われていない場合には、次のスロットに装着された前記ウェーハ保持リング２３上に載置されたウェーハ２について、ＳＴＥＰ：２２〜ＳＴＥＰ：３０の処理が行われる。

ＳＴＥＰ：３２ ＳＴＥＰ：３１にて全スロットについて前記ウェーハ保持リング２３の状態検知が行われたと判断されると、エラーが出力されたスロットが存在するかどうかが判断され、エラーが出力されたスロットが存在しない場合には基板処理が続行され、エラーが出力されたスロットが存在する場合には、基板処理が中断され、作業者により前記ウェーハ保持リング２３の交換、ウェーハ２の取出し等のリカバリ処理が行われる。

ＳＴＥＰ：０５ ＳＴＥＰ：０４のウェーハ２の状態検知処理で異常が検知されなかった場合には基板処理が続行される。次に、前記処理炉１８の前記炉口ゲートバルブ１９を開放し、ウェーハ２が移載された前記ボート７を前記ボートエレベータ２１により前記処理炉１８内にローディングした後、前記処理炉１８にてウェーハ２に所定の処理が実施される。

ＳＴＥＰ：０６ 前記処理炉１８内でウェーハ２に所定の処理が実施された後、前記処理炉１８内から前記ボート７がアンローディングされ、所定の温度まで冷却される。そして、前記基板状態検知プログラム５４が起動されることでウェーハ２に対して再度状態検知処理、即ち図１１のＳＴＥＰ：２１〜ＳＴＥＰ：３２の処理が行われる。

ＳＴＥＰ：０７ ＳＴＥＰ：０６のウェーハ２の状態検知処理で異常が検知されなかった場合には基板処理が続行され、前記ボート７から前記ウェーハ移載機１７によりウェーハ２が回収され、回収されたウェーハ２が前記カセット３内に搬送される。

ＳＴＥＰ：０８ ウェーハ２が回収された後、前記保持部材状態検知プログラム５３が再度起動され、前記ボート７に装着された前記ウェーハ保持リング２３に対して再度状態検知処理、即ち図１０のＳＴＥＰ：１１〜ＳＴＥＰ：１７の処理が行われる。

ＳＴＥＰ：０９ ＳＴＥＰ：０８の前記ウェーハ保持リング２３の状態検知処理で異常が検知されなかった場合には基板処理が続行され、前記カセット搬送機１４により前記カセット載置ステージ９，１１から前記Ｉ／Ｏステージ５を介して前記筐体４の外部へと払出され、基板処理が終了する。

尚、本実施例１に於いては、前記ウェーハ保持リング２３の状態検知処理、ウェーハ２の状態検知処理にて異常が検知された際に、基板処理を中断する様にしているが、例えば異常が検知されなかった前記ウェーハ保持リング２３に対してのみウェーハ２を移載し、又回収してもよいし、異常が検知されなかったウェーハ２のみを前記ボート７から前記カセット３に回収する様にしてもよい。

本発明の第一の実施形態(実施例１)において、以下の効果を奏する。

本発明の第一の実施形態では、ボート７に装着された前記ウェーハ保持リング２３にウェーハ２が載置される際、前記ウェーハ保持リング２３の状態検知と前記ウェーハ保持リング２３に載置されたウェーハ２の状態検知を両立させることができるので、前記ウェーハ保持リング２３に起因する異常の発生と前記ウェーハ２に起因する異常の発生の両方を事前に検知することができる。

又、本発明の第一の実施形態では、判定部４７に前記ウェーハ保持リング２３の検出値と、正常な該ウェーハ保持リング２３の基準値等を含む第１マスターデータを比較させ、判定させることで前記ウェーハ保持リング２３の状態検知を行い、該ウェーハ保持リング２３に異常があれば処理を中断する様にしているので、異常が検知された該ウェーハ保持リング２３に前記ウェーハ移載機１７のツイーザ３７ａ〜３７ｅが衝突することによるパーティクルの発生、前記ボート７の転倒等を防止することができる。

又、本発明の第一の実施形態では、前記ウェーハ保持リング２３の状態検知データを蓄積することで、基板処理後や処理回数による前記ウェーハ保持リング２３の変形の解析に利用することができ、該解析結果に基づき前記ウェーハ保持リング２３の交換等のメンテナンスの周期の基準値を決定することができる。更に、メンテナンスを行う為の基準値を決定し、前記ウェーハ保持リングの状態検知処理で前記基準値を超える異常が検知された場合に、作業者に対してアラームにて通知する様にすることで、無駄なくメンテナンスを行うことができ、作業性を向上させることができる。

又、本発明の第一の実施形態では、判定部４７にウェーハ２の検出値と、正常なウェーハ２や前記ウェーハ保持リング２３の基準値等を含む第２マスターデータを比較させ、判定させる様にしているので、ウェーハ２が前記ウェーハ保持リング２３上に載置されている場合であっても、ウェーハ２の状態検知を行うことができる。

又、本発明の第一の実施形態では、ウェーハ２に割れや変形等の異常があれば処理を中断する様にしているので、割れ、変形をしたウェーハ２と前記ツイーザ３７ａ〜３７ｅが衝突することによる前記ボート７の転倒等を防止することができる。

更に、本発明の第一の実施形態では、前記ウェーハ保持リング２３の状態検知と同様の構成でウェーハ２の状態を検知できるので、ウェーハ２の状態検知の為に別途機構を追加する必要がなく、コストの低減を図ることができる。

(実施例２)
次に、本発明の第二の実施形態(実施例２)について、図１２及び図１３を用いて説明する。尚、本実施例(実施例２)では、以下、実施例１と同じ構成である基板処理装置１と制御装置４４、実施例１と同じフローである図９及び図１０に示される状態検知を説明するフローチャート等について、同じ符号を用いて使用する場合があり、また、説明を省略する場合がある。

先ず、図１２を用いてボート７の各スロットにおける変形率の違いについて説明する。

保持部材としてのウェーハ保持リング２３の変形検知や前記ウェーハ保持リング２３上のウェーハ２の割れ検知はマスターデータと実測した検知データとの差を算出し、そして、算出された結果を検知許容値(実施例１では、リングズレ許容範囲５８、ウェーハズレ許容範囲にそれぞれ該当)を使用して判断している。前記ウェーハ保持リング２３の変形検知や前記ウェーハ保持リング２３上のウェーハ２の割れ検知において、ボート７の中心部と頂上部(トップ)及び下端部(ボトム)等で変形量の差異が発生し、パラメータ(マスターデータ)として保持している１つの許容値(リングズレ許容範囲５８、ウェーハズレ許容範囲６３)に固定されている場合には判断できないケース発生した。このような状況からリングボート２３の変形検知やリングボート２３上のウェーハ２の割れ検知において、ボート７のスロット(若しくは、スロット毎に装着されたリングボート２３)毎に判断する仕組みが必要になった。

まず、前記ウェーハ保持リング２３の変形検知に関して説明する。前記ウェーハ保持リング２３の変形検知の場合、現状は実測した検知データがマスターデータから検知許容値範囲(リングズレ許容範囲５８)内かどうかで変形異常を検知していたが、検知許容値が１つであった為、スロット毎に装着されたウェーハ保持リング２３の変形量に差異がある場合、正確にウェーハ保持リング２３の変形異常が検知できない場合があった。

図１３は、ボート７の全スロットに対して設定される検知許容値設定パターンを使用した、前記ウェーハ保持リング２３の変形検知及び前記ウェーハ保持リング２３上のウェーハ２の割れ検知をする際に検知許容値を設定する図である。図示されていないが、予め記憶部４６(データ格納領域５１)内に、各検知許容値設定パターンと、及び各検知許容値パターンが格納されている。

本実施の形態においては、ボート７の全スロットに対して、リング検知許容値設定パターンを用意し、リング検知許容値パターンNoを設定可能とし、該パターンNoに０が設定されている場合は既存の検知許容値を使用し、０以外が設定されている場合は、該当するリング検知許容値パターンに設定されている許容値を使用する方式とした。これにより、スロット毎に検知許容値を設定でき、且つリング検知許容値パターンの許容値を変更することによって、同じパターンが設定されているスロット全てに許容値を設定することが可能である。尚、ウェーハ保持リング２３の変形検知処理については、実施例１と同様に図９に示すフローチャートが実行される。従い、実施例１と同じ処理であるため、ここでは詳細説明を省略する。

次に、本実施の形態においては、ウェーハ保持リング２３上のウェーハ２割れ検知の場合も、同様に、全スロットに対してウェーハ割れ検知許容値設定パターンを用意し、ウェーハ割れ検知許容値パターンNoを設定可能とし、パターンNoに０が設定されている場合は既存の検知許容値を使用し、０以外が設定されている場合は、該当するウェーハ割れ検知許容値パターンに設定されている許容値を使用する。これにより、スロット毎に検知許容値を設定でき、且つウェーハ割れ検知許容値パターンの許容値を変更することによって、同じパターンが設定されているスロット全てに許容値を設定することが可能である。尚、ウェーハ保持リング２３上のウェーハ２の割れ検知処理については、実施例１と同様に図１０に示すフローチャートが実行される。従い、実施例１と同じ処理であるため、ここでは詳細説明を省略する。

本実施の形態における各検知許容値パターン(リング割れ検知許容値パターン、ウェーハ割れ検知許容値パターン)を使用した方式は、前記ウェーハ保持リング２３の変形検知の微上・微下、前記ウェーハ保持リング２３上のウェーハ２の割れ検知の微上・微下に関してそれぞれ許容値設定パターンと許容値パターンを持つことで設定が可能である。

本発明の第二の実施形態(実施例２)においては、上述した第一の実施形態における効果を奏するのに加え、以下の効果を奏する。

リング変形検知、ウェーハ割れ検知処理において、スロットの位置に関わらずボート７の全てのスロットに検知許容値を設定可能となることで、各スロットにおいて変形量が異なる場合での検知が行える。

ボート７のリング変形検知及びウェーハ割れ検知が行えるので、各スロットでの変形量の違いによる誤検知がなくなるので、不必要なエラーが発生すること無く、無駄に基板処理を停止させることがなくなる。

(実施例３)
次に、本発明の第三の実施形態(実施例３)について、図１４を用いて説明する。尚、本実施例(実施例３)では、以下、実施例１と同じ構成である基板処理装置１と制御装置４４、実施例１と同じフローである図９及び図１０に示される状態検知を説明するフローチャート等について、同じ符号を用いて使用する場合があり、また、説明を省略する場合がある。

次に、図１４を用いてウェーハ種別による変形率の差を考慮した厚み基準値パターンについて説明する。ウェーハ保持リング２３上のウェーハ２割れ検知に関しては、ウェーハ２の種類によって厚みが異なることで、判定に差異が出てくる場合がある為、ウェーハ種別毎に厚み基準値パターンの基準値を設定可能と指定した。つまり、検知データが、マスターデータ＋ウェーハ種別毎の厚み基準値＋スロット毎の検知許容値とマスターデータ＋ウェーハ種別毎の厚み基準値−スロット毎の検知許容値の範囲内かどうかで判定される。ウェーハ２の割れ検知処理については、実施例１と同様に図１０に示すフローチャートが実行される。尚、実施例１との違いは、図１０の許容範囲が上記計算式に入れ替わっただけで、後の処理は実施例１と同じ処理であるため、ここでは詳細説明を省略する。

これによって、前記ウェーハ保持リング２３上のウェーハ２割れ検知の判定時に、該当するスロットのウェーハ種別を判断し、この厚み基準値を加算することで、ウェーハ種別の違いによる検知誤差を無くすことが可能となった。この方式はリングボートを使用しない従来のウェーハ割れ検知におけるスロット毎のウェーハ変形検知判定においても使用可能である。

本発明の第三の実施形態(実施例３)においては、上述した第一の実施形態(実施例１)及び第二の実施形態(実施例２)における効果を奏するのに加え、以下の効果を奏する。

ウェーハ割れ検知の場合、ウェーハ種別における厚み基準値を加算することでウェーハ種別の違いによる検知誤差を無くすことができる。

この方式はリングボートを使用しない従来のウェーハ割れ検知におけるスロット毎のウェーハ変形検知判定においても使用可能であり、特別な構成を用いる必要も無いため、改造コストが低く抑えられる。

尚、本発明の実施形態に於ける前記基板処理装置１は、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置の様なガラス基板を処理する装置でも適用可能であり、又露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用した処理装置等の各種装置にも適用可能であるのは言う迄もない。

更に、成膜処理には、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤや酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理でも実施可能である。

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。

（付記１）本発明の一実施態様によれば、基板を載置する保持部材と、前記保持部材を装着して基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を搬送する様に構成された基板搬送部と、前記基板保持具に装着された前記保持部材の状態を検知する検知部と、前記検知部により取得された前記保持部材の状態を示すデータと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較して前記保持部材自体の状態を判定する判定部と、前記判定部の判定結果に応じて前記基板搬送部を制御する搬送制御部とを具備する基板処理装置が提供される。

（付記２）本発明の他の態様によれば、保持部材の状態を検知する検知部に波形データを取得させ、判定部に前記波形データより前記保持部材の下端と上端を示すデータを取得させると共に、取得した各波形データと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となるマスターデータとを比較させることで前記保持部材の状態を判定させ、判定により異常が検知された際に処理を中断させる基板処理装置の保持部材状態検知プログラムが提供される。

（付記３）本発明の更に他の態様によれば、基板を載置する保持部材と、前記保持部材を装着して基板を保持する基板保持具と、前記基板保持具に装着された前記保持部材と前記保持部材に載置された基板の状態を検知する検知部と、前記検知部により取得された検知データと予め正常な状態の前記保持部材及び該保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを比較して基板の状態を判定する判定部と、前記判定部の判定結果に応じて前記基板保持具への基板の移載を行う基板搬送部とを具備する基板処理装置が提供される。

（付記４）更に前記基板保持具は、前記保持部材を装着する装着部が所定数設けられ、前記判定部による比較が前記装着部の数だけ繰返し行われる付記１又は付記３の基板処理装置が提供される。

（付記５）前記判定部の判定結果が異常なしであれば、前記保持部材に対して基板の搬送が繰返し行われる付記４の基板処理装置が提供される。

（付記６）前記判定部の判定結果が異常有りであれば、前記装着部で発生した異常を解除する処理が終了する迄前記基板搬送部が待機する様に構成された付記４の基板処理装置が提供される。

（付記７）本発明の更に他の態様によれば、保持部材及び該保持部材に載置された基板の状態を検知する検知部に波形データを取得させ、判定部に前記波形データにより前記保持部材の下端と基板の上端を示すデータを取得させると共に、取得したデータと予め正常な状態の前記保持部材及び該保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを比較させることで前記保持部材及び基板の状態を判定させ、判定により異常が検知された際に処理を中断させる基板処理装置の基板状態検知プログラムが提供される。

（付記８）本発明の更に他の態様によれば、保持部材が装着された基板保持具に対して基板を移載する移載工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法であって、前記保持部材に基板が載置された状態での前記保持部材の下端と基板の上端を示すデータを検知手段に取得させるデータ取得工程と、前記データ取得工程で取得されたデータと予め正常な状態の前記保持部材及び該保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを判定部に比較させることで前記保持部材及び基板の状態を判定させる判定工程とを有し、前記判定工程で異常が検知された際に処理を中断する基板移載方法が提供される。

（付記９）本発明の更に他の態様によれば、保持部材が装着された基板保持具に対して基板を移載する移載工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法であって、前記保持部材に基板が載置された状態での前記保持部材の下端と基板の上端を示すデータを検知部に取得させるデータ取得工程と、前記データ取得工程で取得されたデータと予め正常な状態の前記保持部材及び該保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを判定手段に比較させることで前記保持部材及び基板の状態を判定させる判定工程とを有し、前記判定工程で異常が検知された際に処理を中断する半導体装置の製造方法。
（付記１０）更に、少なくとも前記保持部材の位置の基準となるデータを有する第１マスターデータ及び少なくとも前記基板保持部材に載置された基板の位置の基準となるデータを有する第２マスターデータを格納する記憶部を備えた付記１の基板処理装置が提供される。
（付記１１）前記記憶部は、基板保持具の全スロットに対して設定される検知許容値を微調整するための検知許容値設定パターン及び前記検知許容値を設定するための検知許容値パターンを格納する付記１０の基板処理装置が提供される。
（付記１２）前記記憶部は、基板の種別に応じて検知許容値を変更するための基準値パターンを格納する付記１０または付記１１の基板処理装置が提供される。

１ 基板処理装置
２ ウェーハ
７ ボート
１７ ウェーハ移載機
１８ 処理炉
４１ 検知部
４３ フォトセンサ
４４ 制御装置
４６ 記憶部
４７ 判定部
４９ 搬送制御部
５３ 保持部材状態検知プログラム
５４ 基板状態検知プログラム
５６ リング下基準値
５７ リング上基準値
５８ リングズレ許容範囲
６１ ウェーハ下基準値
６２ ウェーハ上基準値
６３ ウェーハズレ許容範囲

Claims (15)

1. 基板を載置する保持部材を装着された基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を搬送する様に構成された基板搬送部と、前記基板保持具に装着された前記保持部材及び前記保持部材に載置された基板の状態を検知する検知部と、前記検知部により取得された前記保持部材及び前記保持部材に載置された基板の状態を示すデータと、予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となる第１マスターデータ及び前記保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを比較して基板の載置状態を判定する判定部と、前記判定部の判定結果に応じて前記基板保持具への基板の移載を行う前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、少なくとも前記保持部材の位置の基準となるデータを有する第１マスターデータ、少なくとも前記保持部材に載置された基板の位置の基準となるデータを有する第２マスターデータ及び検知許容値を算出するための基準値を格納する記憶部と、を具備し、
   前記搬送制御部は、
   前記検知部に前記保持部材の状態を検知させて波形データを取得させ、
   前記保持部材の状態を示す波形データと前記第１マスターデータとを比較し、
   前記判定部の判定結果が異常なしであれば、前記保持部材に対して基板の搬送を前記基板搬送部に行わせ、
   前記判定部の判定結果が異常有りであれば、処理を中断して前記基板搬送部を待機させる様に構成され、
   前記基板保持具に前記基板を移載後、
   前記検知部に前記保持部材に載置された基板の状態を検知させて波形データを取得させ、
   前記判定部に前記保持部材に載置された基板の状態を示す波形データと前記記憶部に格納された前記第２マスターデータに前記基板の種別に応じて前記記憶部に格納された厚み基準値を加算した検知許容値データとを比較させ、前記基板の載置状態を判定させる基板処理装置。
2. 前記基板保持具は、前記保持部材を装着する装着部が所定数設けられ、前記判定部による比較が前記装着部の数だけ繰返し行われる請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記判定部の判定結果が異常なしであれば、前記保持部材に対して基板の搬送が繰返し行われる請求項１記載の基板処理装置。
4. 前記判定部の判定結果が異常有りであれば、前記装着部で発生した異常を解除する処理が終了する迄前記基板搬送部が待機する様に構成された請求項１記載の基板処理装置。
5. 前記第１マスターデータは、リング下基準値、リング上基準値、リングズレ許容範囲のうち少なくとも一つで構成されている請求項１記載の基板処理装置。
6. 前記記憶部は、基板保持具の全スロットに対して設定される検知許容値を微調整するための検知許容値設定パターン及び前記検知許容値を設定するための検知許容値パターンを格納する請求項１の基板処理装置。
7. 前記第２マスターデータは、リング下基準値、リング上基準値、リングズレ許容範囲、ウェーハ下基準値、ウェーハ上基準値、ウェーハズレ許容範囲のうち少なくとも一つで構成されている請求項１記載の基板処理装置。
8. 前記搬送制御部は、前記基板が処理された後、
   前記検知部に前記保持部材に載置された基板の状態を検知させて波形データを取得させ、
   前記基板の状態を示す波形データと前記第２マスターデータとを比較するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
9. 前記搬送制御部は、前記基板が処理された後、
   前記検知部に前記保持部材の状態を検知させて波形データを取得させ、
   前記保持部材の状態を示す波形データと前記第１マスターデータとを比較するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
10. 基板が載置される保持部材の状態を検知させて波形データを取得させ、前記保持部材の状態を示す波形データと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となる第１マスターデータとを比較し、前記保持部材自体の状態を判定する工程と、
    保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する移載工程と、
    前記保持部材に載置された基板の状態を検知させて波形データを取得させ、取得された前記基板の状態を示す波形データと、前記保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータに前記基板の種別に応じて前記記憶部に格納された厚み基準値を加算した前記検知許容値データとを比較して前記保持部材に載置された基板の載置状態を判定する判定工程を有し、
    前記保持部材自体の状態の判定結果が異常なしであれば、前記移載工程を実行し、
    前記保持部材自体の状態の判定結果が異常有りであれば、処理を中断する様に構成され、
    前記移載工程後、前記判定工程を実行する基板移載方法。
11. 基板が載置される保持部材の状態を検知させて波形データを取得させる工程と、
    前記保持部材の状態を示す波形データと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となる第１マスターデータとを比較し、前記保持部材自体の状態を判定する工程と、
    保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する移載工程と、
    前記保持部材に載置された基板の状態を検知させて波形データを取得させ、取得された前記基板の状態を示す波形データと、前記保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータに前記基板の種別に応じて前記記憶部に格納された厚み基準値を加算した前記検知許容値データとを比較して前記保持部材に載置された基板の載置状態を判定する判定工程と、前記基板保持具を処理炉内に装填して基板を処理する処理工程を有し、
    前記保持部材自体の状態の判定結果が異常なしであれば、前記移載工程は、実行され、
    前記保持部材自体の状態の判定結果が異常有りであれば、処理を中断する様に構成され、
    前記移載工程後、前記判定工程を実行する半導体装置の製造方法。
12. 前記処理工程は、
    前記保持部材に載置された基板の状態の判定結果が異常なしであれば実行されるよう構成されている請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記処理工程後、前記判定工程を実行するよう構成されている請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記処理工程後、前記検知部に前記保持部材の状態を検知させて波形データを取得させ、
    前記保持部材の状態を示す波形データと前記第１マスターデータとを比較するように構成されている請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
15. 基板を載置する保持部材を装着された基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を搬送する様に構成された基板搬送部と、前記基板保持具に装着された前記保持部材及び前記保持部材に載置された基板の状態を検知する検知部と、前記検知部により取得された前記保持部材及び前記保持部材に載置された基板の状態を示すデータと、予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となる第１マスターデータ及び前記保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータとを比較して基板の状態を判定する判定部と、前記判定部の判定結果に応じて前記基板保持具への基板の移載を行う前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、少なくとも前記保持部材の位置の基準となるデータを有する第１マスターデータ、少なくとも前記保持部材に載置された基板の位置の基準となるデータを有する第２マスターデータ及び検知許容値を算出するための基準値を格納する記憶部と、を具備する基板処理装置に、
    前記検知部に前記保持部材の状態を検知させて波形データを取得させ、前記保持部材の状態を示す波形データと予め正常な状態の前記保持部材を検知して取得した基準となる第１マスターデータとを比較して前記保持部材の状態を判定する第１判定手順と、
    前記保持部材が装着された基板保持具に対して、前記基板を移載する移載手順と、
    前記検知部に前記保持部材に載置された基板の状態を検知させて波形データを取得させ、前記保持部材に載置された基板を検知して取得した基準となる第２マスターデータに前記基板の種別に応じて前記記憶部に格納された厚み基準値を加算した前記検知許容値データとを比較して前記保持部材に載置された基板の載置状態を判定する第２判定手順と、を有する状態検知プログラムを実行させ、
    前記第１判定手順の結果が異常なしであれば、前記移載手順を実行させ、
    前記第１判定手順の結果が異常有りであれば、処理を中断させる様に構成され、
    前記移載手順後、前記第２判定手順を実行させるよう構成されている状態検知プログラム。