TWI545673B - A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a computer-readable recording medium - Google Patents

A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a computer-readable recording medium Download PDF

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Description

基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及電腦可讀取的記錄媒體
本發明是有關加熱基板來處理的基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式。
在製造大規模積體電路(Large Scale Integrated Circuit：以下LSI)等的半導體裝置的處理裝置中，為了抑制自然氧化膜往處理的基板的形成，而進行降低處理裝置內的氧濃度或被搬送至處理裝置的晶盒內的氧濃度(例如參照專利文獻1)。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-61156號公報
然而，在如此構成的處理裝置中，難以滿足最新的微細化技術所要求之一面抑制自然氧化膜的形成， 一面使半導體裝置的品質提升或使製造處理能力提升。
本發明是以提供一種可一面抑制自然氧化膜的形成，一面使半導體裝置的品質提升的同時，可使製造處理能力提升之基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式為目的。
若根據本發明之一形態，則可提供一種基板處理裝置，其係具有：處理容器，其係收容基板；基板收容器搬送裝置，其係搬送收容前述基板的基板收容器；淨化部，其係設於前述基板收容器搬送裝置；基板收容器待機部，其係收容前述基板收容器；淨化部接觸抑制部，其係設於前述基板收容器待機部，在與前述基板收容器搬送裝置之間進行前述基板收容器的交接時，形成抑制與前述淨化部的接觸；及控制部，其係控制前述基板收容器搬送裝置及前述淨化部。
若根據本發明的其他形態，則可提供一種半導體裝置的製造方法，其係具有：從被搬送基板收容器的容器移載室經由容器開閉裝置來將基板搬送至基板移載室之工程；從前述基板移載室來將前述基板搬送至前述處理容器 之搬送工程；及將前述基板收容器搬送至前述容器開閉裝置之前，以設於基板收容器搬送裝置的淨化部來淨化前述基板收容器內之淨化工程。
若根據本發明的其他形態，則可提供一種使下列程序實行於電腦的程式，從被搬送基板收容器的容器移載室經由容器開閉裝置來將基板搬送至基板移載室之程序；從前述基板移載室來將前述基板搬送至前述處理容器之搬送程序；將前述基板收容器搬送至前述容器開閉裝置之前，以設於基板收容器搬送裝置的淨化部來淨化前述基板收容器內之淨化程序；及將前述基板收容器載置於在對應於前述淨化部的位置設有淨化部接觸防止部的基板收容器待機部之程序。
若根據本發明的基板處理裝置，半導體裝置的製造方法，及程式，則可使半導體裝置的製造品質或半導體裝置的特性提升的同時，可使製造處理能力提升。
100‧‧‧基板處理裝置
105‧‧‧基板收容器待機部
110‧‧‧晶盒
111‧‧‧框體
114‧‧‧載埠
117‧‧‧架板
118‧‧‧晶盒搬送裝置
121‧‧‧晶盒開啟器
124‧‧‧基板移載室
125‧‧‧晶圓移載機構
150‧‧‧基板收容器移載室
202‧‧‧處理容器
203‧‧‧反應管
217‧‧‧晶舟
280‧‧‧控制部(控制器)
280a‧‧‧CPU
280b‧‧‧RAM
280c‧‧‧記憶裝置
280d‧‧‧I/O埠
281‧‧‧輸入裝置
282‧‧‧外部記憶裝置
410‧‧‧主氣體供給口
412‧‧‧主流量控制裝置
422‧‧‧主排氣閥
423‧‧‧氧濃度計
424‧‧‧露點計
510‧‧‧副氣體供給口
512‧‧‧副流量控制裝置
522‧‧‧副排氣閥
523‧‧‧氧濃度計
524‧‧‧露點計
圖1是本發明之一實施形態的基板處理裝置的斜透視 圖。
圖2是本發明之一實施形態的基板處理裝置的側面透視圖。
圖3是本發明之一實施形態的基板處理裝置所具備的處理容器的縱剖面圖。
圖4是表示本發明之一實施形態的主載置部的構成例圖。
圖5是本發明的晶盒110的底面圖。
圖6是本發明的基板收容器搬送板118c的上面圖。
圖7是本發明的基板收容器搬送板118c的立體圖。
圖8是表示本發明的基板收容器的搬送圖。
圖9是表示本發明之一實施形態的副載置部的構成例圖。
圖10是適用在本發明的實施形態的基板處理裝置的控制器的概略構成圖。
圖11是表示本發明之一實施形態的基板收容器的搬入工程的流程圖。
圖12是表示本發明之一實施形態的基板收容器的搬出工程的流程圖。
圖13是表示本發明之一實施形態的基板收容器內的氧濃度的推移例圖，(a)是表示第1淨化的晶盒內的氧濃度推移例圖，(b)是表示第2淨化的晶盒內的氧濃度推移例圖。
圖14是表示本發明之一實施形態的基板處理工程的 流程圖。
圖15是表示本發明的其他形態的基板收容器的搬送工程的流程圖。
圖16是表示本發明的其他形態的基板收容器的搬送工程的流程圖。
圖17是表示本發明的其他形態的基板收容器的搬送工程的流程圖。
圖18是表示本發明的其他形態的基板收容器的搬送工程的流程圖。
圖19是表示本發明的其他形態的基板收容器的搬送工程的流程圖。
圖20是表示本發明的其他形態的基板收容器待機部的構成例的第1例圖。
圖21是表示本發明的其他形態的基板收容器待機部的構成例的第2例圖。
圖22是表示本發明的其他形態的基板收容器待機部的構成例的第3例圖。
(基板處理裝置的構成)
首先，主要利用圖1及圖2來說明有關本實施形態的基板處理裝置100的構成。
圖1是本實施形態的基板處理裝置100的斜透視圖。 圖2是本實施形態的基板處理裝置100的側面透視圖。本實施形態的基板處理裝置是在製造半導體裝置或半導體元件的工程內，進行將膜形成於基板的工程或將膜改質的工程等。在此，所謂半導體裝置是上述LSI之類的積體電路，微處理器，半導體記憶體等。又，所謂半導體元件是二極體，電晶體，閘流體等。
如圖1及圖2所示般，本實施形態的基板處理裝置100是具備作為耐壓容器構成的框體111。在框體111的正面壁111a的正面前方是設有作為開口部的正面維修口103，其係設成可維修。在正面維修口103設有開閉正面維修口103的正面維修門104。
為了將作為基板的晶圓200往框體111內外搬送，而使用作為收納複數的晶圓200的晶圓載體(基板收容器)之晶盒110。晶盒亦被稱為晶圓傳送盒(FOUP)。在框體111的正面壁111a，晶盒搬入搬出口(基板收容器搬入搬出口)112會被開設成連通框體111內外。晶盒搬入搬出口112是構成藉由前遮擋板(基板收容器搬入搬出口開閉機構)113來開閉。在晶盒搬入搬出口112的正面下方側是設置有載埠(load port)(基板收容器交接台)114。晶盒110是構成藉由工程內搬送裝置來搬送，載置於載埠114上而被對位。另外，晶圓200是以矽(Si)等所構成。在晶圓200上是形成有構成半導體裝置的金屬配線及作為電極的金屬膜，自然氧化膜往金屬膜上的形成會成為問題。並且，形成於晶圓200的半導體裝置的構造有時構成複雜。 如此的半導體裝置的製造中的基板有時表面積會變大。例如，形成有高寬高比的凹凸。就如此複雜的構造或表面積變大的基板而言，會有局部地形成自然氧化膜的問題。並且，隨著晶圓的大型化所造成的表面積的增大，也可想像局部地形成自然氧化膜。
發明者等發現為了一面抑制自然氧化膜往如此的晶圓200的形成，一面進行使半導體裝置的品質提升的處理，一面使製造處理能力提升，需要使後述的氧濃度降低的技術。
(基板收容器移載室)
在框體111內，載埠114的後方，構成有成為晶盒110的搬送空間的基板收容器移載室150。
(基板收容器搬送裝置)
在框體111內的載埠114的近旁是設置有晶盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118。在框體111內的晶盒搬送裝置118的更深處，框體111內的前後方向的大略中央部的上方是設置有旋轉式基板收容器待機部(基板收容器載置架)105。
晶盒搬送裝置118是由：可原封不動保持晶盒110升降的晶盒升降機(基板收容器升降機構)118a，及作為搬送機構的晶盒搬送機構(基板收容器搬送機構)118b，及載置晶盒110的晶盒搬送板118c(在此是未圖 示)所構成。晶盒搬送裝置118是構成藉由晶盒升降機118a及晶盒搬送機構118b的連續動作，在載埠114及後述的旋轉式基板收容器待機部105以及晶盒開啟器(pod opener)121之間，互相搬送晶盒110。
利用圖4，圖5，圖6，圖7，圖8來說明有關本發明的晶盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118及晶盒110的詳細。在圖4中，118c是晶盒搬送板，設在晶盒搬送機構118b。在晶盒搬送板118c的上面，就此例而言是垂直設有3根的運動銷(kinematic pins)425。更設有惰性氣體埠420，410。
圖5是由底面側來看晶盒110者。在晶盒110的底面是設有與前述插入3根運動銷425的運動銷425同數的運動銷插入部1601，而且，在晶盒110底面，用以將淨化氣體(purge gas)導入/排出晶盒內的環境之淨化埠1602會設置複數處，本實施形態的情況是設置2處。
圖6是晶盒搬送板118c的上面圖，圖7是晶盒搬送板118c的立體圖。設於晶盒110的底面，對應於運動銷插入部1601的位置設有與運動銷插入部160同數的運動銷425，且用以導入淨化氣體的淨化氣體供給部1701會例如設置2處。此淨化氣體供給部1701是在進出於後述的基板收容器待機部105時，為了防止與設在基板收容器待機部側的淨化氣體埠的干擾，為了避開基板收容器待機部側的淨化埠，而經由退避機構1702來與晶盒搬送板118c連接。
在圖8顯示本發明的實施形態。利用圖8，例如舉將載埠114上的晶盒110搬送至基板收容器待機部105的情況為例，說明有關晶盒110內的淨化處理。
將晶盒搬送機構(基板收容器搬送機構)118b控制於上下，左右方向，以設在晶盒搬送機構118b的晶盒搬送板118c來由下撈起載埠114上的晶盒110，藉此將晶盒110載置於晶盒搬送板118c上。此時，晶盒搬送板118c上的運動銷425及淨化氣體供給部1701會分別被插入/連接至設在晶盒110的下面的運動銷插入部1601及淨化埠1602。被撈起的晶盒110是正在被搬送至搬送目的地的基板收容器待機部105的時候，從淨化埠供給淨化氣體至晶盒110的內部。如此在本發明中是藉由在晶盒110的搬送中對晶盒110內供給淨化氣體，可取得前述的效果。
從載埠114往晶盒開啟器(基板收容器開閉部)121搬送晶盒搬送裝置時，針對將基板收容器待機部105上的晶盒110搬送至晶盒開啟器(基板收容器開閉部)121時，也是同樣在晶盒的搬送中對晶盒110內供給淨化氣體。
並且，在對載置於基板收容器待機部105上的晶盒110供給淨化氣體時，使晶盒搬送板118c由下來撈起基板收容器待機部105上的晶盒110，正在撈起的時候(拾取動作)也可將淨化氣體供給至晶盒110內。
另外，有時在基板收容器待機部105存在淨化氣體供給部，該淨化氣體供給部是供以在基板收容器待機部105 載置晶盒110中對晶盒內供給淨化氣體。如此的情況，成為可使淨化氣體供給部1701退避的構造，而使本發明的晶盒搬送板118c上的淨化氣體供給部1701不會對基板收容器待機部105內的淨化氣體供給部干擾。
如此，藉由在搬送晶盒110的晶盒搬送板118c設置淨化氣體供給部1701，可在晶盒110的搬送中置換惰性氣體。並且，在載置於基板收容器待機部105，載埠114或晶盒開啟器(基板收容器開閉部)121的晶盒105進行惰性氣體置換時，只在晶盒搬送板118c拾取晶盒110，便可置換惰性氣體，因此搬送時的振動所造成微粒的發生可能性會被減低。
(第1淨化部)
如圖2所示般，在框體111內，靠框體的中央部前，設有作為第1淨化部(主載置部)的晶盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118，其係淨化晶盒110內的環境，使晶盒110內的氧濃度形成預定管理值以下，搬送晶盒110。在晶盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118設有晶盒搬送板118c，如圖4所示，設有主淨化埠。在主淨化埠設有主氣體供給口410，及主氣體排氣口420。在主氣體供給口410連接氣體供給管411。在氣體供給管411設有主流量控制裝置412，構成藉由後述的控制器280來控制流量。主流量控制裝置412是以閥(未圖示)及質量流控制器(未圖示)的任一個或雙方所構成。在主氣體排氣口連接氣體排 氣管421。又，亦可在氣體排氣管421設置主排氣閥422，構成可調整氣體排氣量。又，亦可在氣體排氣管421設置氧濃度計422，設置檢測出晶盒110內或來自晶盒110的排氣氣體中的氧濃度之氧濃度計423。又，亦可設置檢測出晶盒110內或來自晶盒110的排氣氣體中的濕度之露點計424。
(第2淨化部)
在框體111內，基板收容器移載室150內，設有作為第2淨化部(副載置部)的基板收容器待機部105，載埠114及晶盒開啟器(基板收容器開閉部)121。在基板收容器待機部105設有複數片的架板117(基板收容器載置台)，構成可保管複數個的晶盒110。並且，在複數的架板，載埠114及晶盒開啟器(基板收容器開閉部)121分別設有淨化埠，藉由將晶盒110內淨化(氣體置換)，可使晶盒110內的氧濃度形成預定管理值以下。另外，基板收容器待機部105是亦可構成旋轉式。在旋轉式的基板收容器待機部105是除了複數片的架板117外，還垂直立設有在水平面內間歇旋轉的支柱116。在圖9顯示基板收容器待機部105(載埠114，晶盒開啟器(基板收容器開閉部)121)，在淨化埠設有氣體供給口510及氣體排氣口520。在氣體供給口510設有氣體供給管511。在氣體供給管511設有流量控制裝置512，構成可用後述的控制器280來控制流量。流量控制裝置512是以閥(未圖示)及質量流控制器(未 圖示)的任一個或雙方所構成。在氣體排氣口設有氣體排氣管521。亦可在氣體排氣管521設置排氣閥522而構成可調整排氣量。又，亦可在氣體排氣管521設置檢測出晶盒110內的氧濃度或排氣氣體中的氧濃度之氧濃度計523。又，亦可設置檢測出晶盒110內的濕度或排氣氣體中的濕度之露點計524。
(預定管理值)
在管理晶盒110內的氧濃度的預定管理值是設定有第1管理值及第2管理值。第1管理值及第2管理值資料是記錄在後述的記錄媒體，構成可依據在後述的CPU280a的算出結果來變更。又，第1管理值及第2管理值是構成可以自輸入裝置281輸入的資料來設定。第1管理值是設定成比第2管理值範圍更低為理想。更理想是第1管理值為600ppm，第2管理值為600ppm以上1000ppm以下。在搬送晶盒110中(晶盒搬送板118c)是被淨化成第1管理值以下，在基板收容器待機部105上，載埠114上或晶盒開啟器(基板收容器開閉部)121上是被淨化成第2管理值範圍內(以下，將淨化成第1管理值以下的情形稱為第1淨化(預淨化)，將形成於第2管理值範圍內的情形稱為第2淨化)。
另外，在第1淨化時，從晶盒搬送板118c上的淨化埠1701，以第1流量來供給惰性氣體至晶盒110內。並且，在第2淨化時，從設於基板收容器待機部105 或晶盒開啟器(基板收容器開閉部)121的淨化埠，以第2流量來供給惰性氣體至晶盒110內。在此，第1流量是20slm~100slm，例如50slm。第2流量是0.5slm~20slm，例如5slm。
(晶盒內的氧濃度調整方法)
晶盒110內的氧濃度的調整是亦可利用上述的氧濃度計423，523來檢測出晶盒110內的氧濃度或排氣氣體中的氧濃度，根據檢測出的氧濃度值來反饋控制。並且，亦可事前求取惰性氣體的供給量，供給時間及晶盒110內的氧濃度的關係，藉由惰性氣體的供給量及供給時間的設定來調整。
如圖1，2所示般，在框體111內的下部，副框體119會從框體111內的前後方向的大略中央部設到後端。在副框體119的正面壁119a，將晶圓200搬送至副框體119內外的一對的晶圓搬入搬出口(基板搬入搬出口)120會上下二段排列設於垂直方向。分別在上下段的晶圓搬入搬出口120設置晶盒開啟器(基板收容器開閉部)121。
各晶盒開啟器121是具備：載置晶盒110的一對的載置台122，及將晶盒110的蓋(蓋體)予以裝卸的蓋裝卸機構(蓋體裝卸機構)123。晶盒開啟器121是藉由蓋裝卸機構123來將載置於載置台122上的晶盒110的蓋予以裝卸，藉此構成可將晶盒110的晶圓出入口予以開 閉。
在副框體119內是構成作為基板移載室的移載室124，該移載室是自設有晶盒搬送裝置118或旋轉式基板收容器待機部105等的空間隔絕流體。在移載室124的前側區域是設有晶圓移載機構(基板移載機構)125。晶圓移載機構125是由：可將晶圓200旋轉乃至直動於水平方向的晶圓移載裝置(基板移載裝置)125a，及使晶圓移載裝置125a升降的晶圓移載裝置升降機(基板移載裝置升降機構)125b(參照圖1)所構成。晶圓移載裝置升降機125b是設置在副框體119的移載室124前方區域右端部與框體111右側端部之間(參照圖1)。晶圓移載裝置125a是具備作為晶圓200的載置部的晶圓夾(基板保持體)125c。藉由該等晶圓移載裝置升降機125b及晶圓移載裝置125a的連續動作，構成可對晶舟(基板保持具)217裝填(charging)及脫裝(discharging)晶圓200。
在移載室124的後側區域是構成有收容晶舟217而使待機的待機部126。在待機部126的上方是設有處理晶圓200的處理容器202。處理容器202的下端部是構成可藉由爐口遮擋板(爐口開閉機構)147來開閉。另外，有關處理容器202的構成是在後述。
在副框體119的待機部126的右端部與框體111的右側端部之間是設置有用以使晶舟217升降的晶舟升降機(基板保持具升降機構)115(參照圖1)。晶舟升降機115的升降台是連結有作為連結具的懸臂128。在懸臂 128是作為爐口蓋體的密封蓋219會被水平安裝。密封蓋219是構成垂直支撐晶舟217，可將處理容器202的下端部閉塞。
晶舟217是在使複數片(例如50片~125片程度)的晶圓200的中心一致排列於垂直方向整列的狀態下構成分別保持於水平。
如圖1所示般，在移載室124之與晶圓移載裝置升降機125b側及晶舟升降機115側相反側的左側端部是設有以供給風扇及防塵過濾器所構成的清淨單元134，而使能夠供給清淨化後的環境或惰性氣體的清淨空氣。從清淨單元134吹出的清淨空氣133是在流動於位在缺口對準裝置，晶圓移載裝置125a，待機部126之晶舟217的周圍之後，藉由管路來吸入而排氣至框體111的外部，或被循環至清淨單元134的吸入側的一次側(供給側)，構成可藉由清淨單元134來再度吹出至移載室124內。
(處理容器的構成)
接著，利用圖3來說明有關本實施形態的處理容器202的構成。圖3是本實施形態的基板處理裝置100所具備的處理容器202的縱剖面圖。
(處理容器)
如圖3所示般，處理容器202是具備反應管203。反 應管203是例如由石英(SiO2)或碳化矽(SiC)等的耐熱性材料所構成，形成上端及下端開口的圓筒形狀。在反應管203的筒中空部是形成處理作為基板的晶圓200之處理室201。處理室201是構成可收容保持晶圓200的晶舟217。
作為基板保持具的晶舟217是構成使複數片的晶圓200以水平姿勢且彼此中心一致的狀態排列保持成多段。晶舟217是例如由石英或碳化矽的任一個或石英及碳化矽等的耐熱性材料所構成。在晶舟217的下部是設由例如由石英或碳化矽的任一個或石英及碳化矽等的耐熱性材料所構成隔熱體216，構成來自後述的加熱器207的熱不易傳達至密封蓋219側。
在反應管203的下方是設有作為爐口蓋體的密封蓋219，其係可將反應管203的下端開口氣密地閉塞。密封蓋219是可由垂直方向下側抵接於反應管203的下端。密封蓋219是例如由不鏽鋼等的金屬所構成，形成圓板狀。在密封蓋219的上面是設有作為密封構件的O型環，其係與反應管203的下端抵接。如上述般，密封蓋219是構成可藉由在反應管203的外部垂直設置之作為升降機構的晶舟升降機115來升降於垂直方向。藉由使密封蓋219升降，構成可將晶舟217往處理室201內外搬送。
在密封蓋219的中心部附近，與處理室201相反側，設有使晶舟217旋轉的旋轉機構254。旋轉機構254的旋轉軸是貫通密封蓋219來由下方支撐晶舟217。 旋轉機構254是使晶舟217旋轉，藉此構成可使晶圓200旋轉。
在旋轉機構254及晶舟升降機115是電性連接搬送控制部275。搬送控制部275是以旋轉機構254及晶舟升降機115能夠在所望的時機進行所望的動作之方式構成可控制該等。另外，搬送控制部275也電性連接至上述的晶盒升降機118a，晶盒搬送機構118b，晶盒搬送板118c，晶盒開啟器121，晶圓移載裝置125a，晶圓移載裝置升降機125b等，以該等構成各部能夠在所望的時機進行所望的動作之方式構成可控制該等。主要藉由晶舟升降機115，旋轉機構253，晶盒升降機118a，晶盒搬送機構118b，晶盒搬送板118c，晶盒開啟器121，晶圓移載裝置125a，晶圓移載裝置升降機125b來構成本實施形態的搬送系。
在反應管203的外側，以能夠包圍反應管203的側壁面之方式，設有作為加熱部的加熱器207，其係加熱反應管203內的晶圓200。加熱器207是圓筒形狀，被作為保持板的加熱器基座所支撐，藉此垂直安裝。
在反應管203內設有例如熱電耦等的溫度感測器225作為溫度檢測器。在加熱器207及溫度感測器225電性連接溫度控制部274。溫度控制部274是根據藉由溫度感測器225所檢測出的溫度資訊，以處理室201內的溫度能夠在所望的時機成為所望的溫度分布之方式，構成可調整往加熱器207的電力供給。
在反應管203與加熱器207之間設有處理氣體供給噴嘴220。處理氣體供給噴嘴220是配設成沿著反應管203的外壁的側部。處理氣體供給噴嘴220的上端(下游端)是氣密地設於反應管203的頂部(形成於上述反應管203的上端的開口)。在位於反應管203的上端關口的處理氣體供給噴嘴220是設有複數的處理氣體供給孔。
在處理氣體供給噴嘴220的上游端是連接供給處理氣體的處理氣體供給管221的下游端。在處理氣體供給管221是由上游側依序連接處理氣體供給源222，作為流量控制器的質量流控制器(MFC)223，作為開閉閥的閥224。
在MFC223是電性連接氣體流量控制部276。氣體流量控制部276是構成控制MFC223，而使供給至處理室201內的氣體的流量能夠在所望的時機成為所望的流量。
主要藉由處理氣體供給管221，MFC223及閥224來構成處理氣體供給系。另外，亦可思考將處理氣體供給噴嘴220或處理氣體供給源222含在處理氣體供給系中。
在反應管203是連接將反應管203(處理室201)內的環境排氣的排氣管231的上游端。在排氣管231中，從上游側依序設有作為檢測出處理室201內的壓力的壓力檢測器(壓力檢出部)之壓力感測器232，作為壓力調整裝置之例如APC(Auto Pressure Contoroller)閥233，及 作為真空排氣裝置的真空泵234。另外，APC閥233是可將閥開閉來進行反應管203內的真空排氣．真空排氣停止，且為可調整閥開度來進行反應管203內的壓力調整之開閉閥。
在APC閥233及壓力感測器232是電性連接壓力控制部277。壓力控制部277是構成根據藉由壓力感測器232所檢測出的壓力值，控制APC閥233，而使處理室201內的壓力能夠在所望的時機成為所望的壓力。
主要藉由排氣管231，壓力感測器232，及APC閥233來構成處理氣體排氣部。另外，亦可思考將真空泵234含在處理氣體排氣部中。
(控制部)
如圖10所示般，控制部(控制手段)的控制器280是構成具備CPU(Central Processing Unit)280a，RAM(Random Access Memory)280b，記憶裝置280c，I/O埠280d的電腦。RAM280b，記憶裝置280c，I/O埠280d是經由內部匯流排280e來構成可與CPU280a資料交換。控制器280是例如亦可連接觸控面板，滑鼠，鍵盤，操作終端機等作為輸出入裝置281。並且，控制器280是亦可例如連接顯示器等作為顯示部。
記憶裝置280c例如以快閃記憶體，HDD(Hard Disk Drive)，CD-ROM等所構成。在記憶裝置280c內是可讀出地儲存有控制基板處理裝置100的動作之控制程式 或記載基板處理的程序或條件等的製程處方等。另外，製程處方是使後述的基板處理工程的各程序實行於控制器280，組合成可取得預定的結果，作為程式機能。以下，也將此製程處方或控制程式等簡單總稱為程式。另外，在本說明書中稱程式時，有只包含製程處方單體時，只包含控制程式單體時，或包含其雙方時。並且，RAM280b是構成為藉由CPU280a所讀出的程式或資料等會被暫時性地保持的記憶體區域(工作區域)。
I/O埠280d是被連接至上述的質量流控制器210，223，閥211，224，遮擋板213，214，APC閥233，加熱器207，溫度感測器225，晶舟旋轉機構254，主流量控制裝置412，主排氣閥422，副流量控制裝置512，副排氣閥522，真空泵234，晶盒開啟器121，載埠114，晶盒搬送裝置118，晶圓移載機構125，清淨空氣單元134等。
CPU280a是構成從記憶裝置280c讀出控制程式來實行，且按照來自輸出入裝置281的操作指令的輸入等，從記憶裝置280c讀出製程處方。而且，CPU280a是構成經由訊號線A來控制根據溫度感測器207的加熱器207的溫度調整動作，經由訊號線B來控制晶舟旋轉機構254的旋轉速度調節動作，經由訊號線C來控制質量流控制器210，223之各種氣體的流量調整動作，經由訊號線D來控制閥211，224的開閉動作，遮擋板213，214的遮斷動作，APC閥233的開度調整動作，及真空泵234的起 動．停止等，而使能夠按照讀出後的製程處方的內容。
另外，控制器280是不限於作為專用的電腦構成時，亦可作為泛用的電腦構成。例如，準備儲存上述程式的外部記憶裝置(例如，磁碟，軟碟或硬碟等的磁碟，CD或DVD等的光碟，MO等的光磁碟，Universal Serial Bus(USB)記憶體(USB Flash drive)或記憶體卡等非揮發性的半導體記憶體)282，可利用該外部記憶裝置282來將程式安裝於泛用的電腦，構成本實施形態的控制器280。另外，用以對電腦供給程式的手段是不限於經由外部記憶裝置282來供給時。例如，亦可利用網際網路或專用線路等的通訊手段，不經外部記憶裝置282來供給程式。另外，記憶裝置280c或外部記憶裝置282是構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，也將該等簡單總稱為記錄媒體。另外，在本說明書中稱記錄媒體時，有只包含記憶裝置280c單體時，只包含外部記憶裝置282單體時，或包含其雙方時。
(基板處理裝置的動作與搬送工程)
其次，主要利用圖1，圖2，圖11來說明有關本實施形態的基板處理裝置100的動作及基板收容器的搬送工程及基板的搬送工程。本實施形態的基板收容器的搬送工程是形成圖11那樣。
(從載埠搬入(T110))
如圖1及圖2所示般，一旦晶盒110被供給至載埠114，則晶盒搬入搬出口112會藉由前遮擋板113來開放。然後，載埠114上的晶盒110是藉由晶盒搬送裝置118來從晶盒搬入搬出口112往框體111內部搬入。
(晶圓片數計數(T120))
往框體111內部搬入的晶盒110是藉由晶盒搬送裝置118來搬送至晶盒開啟器121，移載於晶盒開啟器121的載置台122上。晶盒開啟器121的晶圓搬入搬出口120是藉由蓋裝卸機構123所關閉，在移載室124內流通清淨空氣133且被充滿。例如，以惰性氣體等的清淨空氣133來充滿於移載室124內，藉此移載室124內的氧濃度會例如成為20ppm以下，設定成遠低於大氣環境之框體111內的氧濃度。
載置於載置台122上的晶盒110是其開口側端面會被推壓至副框體119的正面壁119a的晶圓搬入搬出口120的開口緣邊部，且其蓋會藉由蓋裝卸機構123來卸下，晶圓出入口會被開放。然後，藉由晶圓片數計數器裝置(未圖示)來計數晶盒110內的晶圓200的片數或檢查晶圓200的狀態。晶圓200的片數被計數後，藉由蓋裝卸機構123來關閉蓋。
(第2淨化(T130))
在晶盒開啟器121晶盒110內的晶圓200的片數被計 數後，晶盒110是被搬送載置於基板收容器待機部105。被載置於基板收容器待機部105的晶盒110是藉由淨化埠，以晶盒110內的氧濃度能夠形成第2管理值的範圍之方式，被第2淨化(淨化)。第2淨化是可在被載置的期間繼續進行，或在任意的時間間歇性進行。並且，將晶盒110從載埠114往基板收容器待機部105的搬送工程是亦可只可載置於基板收容器待機部105的晶盒數重複。
(第1淨化(T140))
被載置於基板收容器待機部105的複數的晶盒110之中，成為成膜對象的晶盒110會從基板收容器待機部105來搬送至晶盒搬送板118c。被搬送至晶盒搬送板118c的晶盒110是藉由設在晶盒搬送板118c的淨化埠來進行第1淨化，而使晶盒110內的氧濃度能夠形成第1管理值以下。
(往晶舟的晶圓裝填(T150))
在晶盒搬送板118c被第1淨化的晶盒110是從晶盒搬送板118c搬送至晶盒開啟器121，移載於晶盒開啟器121的載置台122上。載置於載置台122上的晶盒110是其開口側端面會被推壓於副框體119的正面壁119a的晶圓搬入搬出口120的開口緣邊部，且其蓋會藉由蓋裝卸機構123來卸下，晶圓出入口會被開放。此時，不像T120那樣進行淨化，被開放。一旦晶盒110被開放，則藉由晶 圓移載裝置125a的晶圓夾125c經晶圓出入口來從晶盒110內拾取，在缺口對準裝置進行圓周方向的對位之後，搬入至位於移載室124的後方的待機部126內，被裝填於晶舟217內。在晶舟217內裝填晶圓200後的晶圓移載裝置125a是回到晶盒110，將其次的晶圓200裝填於晶舟217內。
藉由晶圓移載機構125來從一方(上段或下段)的晶盒開啟器121往晶舟217裝填晶圓200的期間，在另一方(下段或上段)的晶盒開啟器121的載置台122上是別的晶盒110會從旋轉式基板收容器待機部105上藉由晶盒搬送裝置118來搬送移載，與上述晶圓200的裝填作業同時進行，進行晶盒開啟器121之晶盒110的開放作業。成空的晶盒110是從晶盒開啟器121搬送至基板收容器待機部105，載置於基板收容器待機部105。被載置於基板收容器待機部105之空的晶盒110是亦可施以上述的第2淨化。
如此進行往晶舟的晶圓裝填T150。
一旦預先被指定的片數的晶圓200裝填於晶舟217內，則藉由爐口遮擋板147來關閉的處理容器202的下端部會被開放。接著，密封蓋219會藉由晶舟升降機115來上昇，藉此保持晶圓200的晶舟217會被搬入至處理容器202內(晶舟裝載)。
晶舟裝載後是在處理容器202內對晶圓200實施後述的任意的基板處理工程。處理後是裝填晶圓200 的晶舟217會由處理室201內搬出(晶舟卸載)。晶舟卸載後，除了缺口對準裝置之晶圓200的對位以外，進行圖12所示的流程那樣的基板搬出工程。
(基板搬出工程)
接著，利用圖12來說明有關基板搬出工程。
(空晶盒的搬送(T210))
晶舟卸載後，空的晶盒110是從基板收容器待機部105搬送至晶盒開啟器121。
(往空晶盒的晶圓收容(T220))
一旦晶盒110被載置於晶盒開啟器121，則以和往晶舟的晶圓裝填T50工程相反的程序來將處理完成的晶圓200收容於晶盒110。收容完成的晶盒110是再度被搬送至基板收容器待機部105。晶盒110的基板收容器待機部105的再搬送是重複至從朝此晶盒110的晶圓200收容到被處理的晶圓200全部收容於晶舟217為止。例如，晶圓200被裝填100片於晶舟217，晶盒110可收容20片的晶圓200時，重複5次。另外，在本工程中，亦可在處理完成的晶圓200被收容於晶盒110時，在晶盒開啟器121進行第2淨化。
(從載埠搬出(T230))
收容處理完成的晶圓200之晶盒110預定的數量再搬送至基板收容器待機部105之後，從晶盒105往載埠114搬送晶盒110。
被搬送至載埠114的晶盒110是從載埠114往框體111之外搬出。從基板收容器待機部105經由載埠114來將晶盒110搬出至框體111之外的工程是上述那樣重複預定的數目。
如此，進行晶盒110的搬送及基板的搬送。
另外，可從此空晶盒的搬送T210重複至在搬出T230自載埠完全搬出被儲存於基板收容器待機部105的晶盒為止，或僅任意的個數搬出。並且，亦可在空的晶盒110收容處理完成的晶圓200之後，不再將晶盒110搬送至基板收容器待機部105，往載埠114搬送而搬出至框體111之外。
其次，利用圖13來說明有關晶盒110內的氧濃度的控制。圖13(a)是表示第1淨化時的晶盒內的氧濃度推移例圖。圖13(b)是表示第2淨化時的晶盒內的氧濃度推移例圖。如圖13(a)所示般，第1淨化是晶盒110內的氧濃度從比第1管理值更高的狀態進行淨化至第1管理值以下。如圖13(b)所示般，第2淨化是淨化成比第1管理值更高，且形成第2管理值以下的範圍內。
(基板處理工程)
接著，利用圖14來說明有關作為半導體裝置的製造 工程的一工程實施的基板處理工程。該基板處理工程是藉由上述的基板處理裝置100來實施。在此是說明有關藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法在晶圓200上形成薄膜的成膜工程，作為其一例。另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置100的各部的動作是藉由控制器280來控制。
(基板搬入工程(S10))
首先，將複數片的晶圓200裝填於晶舟217(晶圓裝載)，藉由晶舟升降機115來舉起保持複數片的晶圓200的晶舟217，而搬入至反應管203內(處理室201內)(晶舟裝載)。在此狀態下，反應管203的下端開口部的爐口是成為藉由密封蓋219來密封的狀態。
(壓力．溫度調整工程(S20))
藉由真空泵234來真空排氣，而使處理室201內能夠成為所望的壓力(真空度)。此時，以壓力感測器232測定反應管203內的壓力，根據此測定的壓力值來反饋控制APC閥233(的閥的開度)(壓力調整)。藉由加熱器207來加熱處理室201內，而使處理室201內能夠成為所望的溫度(例如500℃~1200℃，較理想是1000℃)。此時，根據溫度感測器225所檢測出的溫度值，反饋控制往加熱器207的供給電力(溫度調整)。
並且，一面加熱處理室201內，一面作動晶 舟旋轉機構254，開始晶舟217的旋轉，亦即晶圓200的旋轉。此時，藉由控制器280來控制晶舟217的旋轉速度。另外，晶舟旋轉機構254之晶舟217的旋轉是至少繼續至後述的成膜工程(S30)的終了為止。
(成膜工程(S30))
一旦處理室201內到達所望的壓力，所望的溫度，則開始從處理氣體供給管221往反應管203內供給處理氣體。亦即，打開閥224，一邊以MFC223來控制流量，一邊從處理氣體供給源222供給處理氣體至反應管203內。處理氣體是在通過處理室201內時與晶圓200的表面接觸，藉由熱CVD反應在晶圓200的表面上堆積(沈積)薄膜。一面對反應管203內供給處理氣體，一面調整APC閥233的開度，由真空泵234排氣。一旦經過預先被設定的處理時間，則關閉閥224，停止往反應管203內之處理氣體的供給。
(冷卻工程(S40))
一旦成膜工程(S30)終了，則停止往加熱器207的電力供給，開始冷卻工程(S40)。冷卻工程(S40)是進行往冷卻媒體流路205之冷卻媒體的供給，及來自冷卻媒體流路205之冷卻媒體的排出等。
一旦處理容器202的溫度形成可從處理容器202(處理室201)內搬出晶圓200的溫度(例如600℃以下， 較理想是600℃)，則停止往冷卻媒體流路205內之冷卻媒體的供給，終了冷卻工程(S40)。
(大氣壓恢復．基板搬出工程(S50，S60))
一旦冷卻工程(S40)終了，則調整APC閥233的開度來使處理室201內的壓力恢復至大氣壓。然後，依據與上述基板搬入工程所示的程序相反的程序來從處理室201內搬出晶舟217(晶舟卸載)。然後，從晶舟217脫裝處理完成的晶圓200(晶圓卸載)，收容至晶盒110內，完成本實施形態的基板處理工程。
(本實施形態的效果)
若根據本實施形態，則可取得以下所示的一個或複數的效果。
(a)若根據本實施形態，則藉由在晶盒的搬送中進行晶盒內的預淨化，可使氣體系統簡略化，可降低使用零件成本。
(b)若根據本實施形態，則藉由在往晶盒開啟器的搬送中進行預淨化，可省略在晶盒開啟器的蓋開閉時必要的淨化時間，可使搬送處理能力提升。
(c)若根據本實施形態，則可將晶盒110內的氧濃度保持於預定的管理值，可抑制氧往被收容於晶盒內的基板的表面露出的金屬膜吸附或自然氧化膜的形成，可使半導體裝置的製造品質提升。
(d)若根據本實施形態，則以惰性氣體淨化，使晶盒110內的氧濃度能夠在晶盒的搬送中形成第1管理值，例如在基板收容器待機部載置中形成第2管理值，藉此可降低惰性氣體的使用量。
(e)若根據本實施形態，則由於在搬入框體111內之後隨即確認晶盒110內的晶圓片數或晶圓狀態，因此可馬上確認晶圓的狀態，可省略對晶圓有缺損等的異常的晶盒的淨化，可降低被使用於淨化的惰性氣體的量。
(f)若根據本實施形態，則在第1淨化時，以第1流量(20slm~100slm)來對晶盒110內供給惰性氣體，藉此可一面抑制在晶盒110內的微粒的發生，一面使晶盒內形成低氧濃度環境。
(g)若根據本實施形態，則可將晶盒110內的氧濃度保持於預定的管理值，即使晶圓200的直徑形成450mm等的大小，還是可抑制往晶圓200之局部的自然氧化膜的形成，可使半導體裝置的製造品質提升。
(h)若根據本實施形態，則可將晶盒110內的氧濃度保持於預定的管理值，在晶圓200上形成高寬高比的溝，即使基板上的表面積變多，還是可抑制局部的自然氧化膜的形成，可使半導體裝置的製造品質提升。
(i)若根據本實施形態，則藉由進行以第1淨化來將氧濃度形成至第1管理值以下的淨化，即使在使晶盒110從載埠114移動至其他的場所的期間氧濃度上昇，還是可防止形成比第1管理值更高或形成第2管理值以上， 可抑制往晶圓200之自然氧化膜的形成。
<本發明的其他實施形態>
以上，具體說明本發明的實施形態，但本發明並非限於上述的實施形態，亦可在不脫離其要旨的範圍實施各種的變更。
例如，亦可像圖15所記的流程那樣進行搬送工程。說明圖15所記的搬送工程。
(從載埠搬入(T310))
一旦晶盒110被載置於載埠114，則晶盒搬入搬出口112會藉由前遮擋板113來開放。然後，載埠114上的晶盒110是藉由晶盒搬送裝置118來從晶盒搬入搬出口112搬入至框體111的內部。
(第2淨化T320))
從載埠114搬入至框體111的內部的晶盒110是藉由晶盒搬送裝置118來搬送至基板收容器待機部105。此搬送是僅可載置於基板收容器待機部105的晶盒數或基板處理工程所必要的晶盒數會被重複進行。被載置於基板收容器待機部105的晶盒110是被進行上述的第2淨化。另外，當被載置於基板收容器待機部105的時間為短時間時，亦可不進行第2淨化。
(第1淨化(T330))
被載置於基板收容器待機部105的晶盒110是從基板收容器待機部105載置於晶盒搬送板118c。被載置於晶盒搬送板118c的晶盒110是被進行上述的第1淨化。
(晶圓片數計數及往晶舟的晶圓裝填(T340))
在晶盒搬送板118c進行晶盒110內的氧濃度會形成第1管理值以下的淨化之晶盒110是藉由晶盒搬送板118c來搬送至晶盒開啟器121，載置於晶盒開啟器121的載置台122上。被載置於載置台122上的晶盒110是其開口側端面會被推壓於副框體119的正面壁119a的晶圓搬入搬出口120的開口緣邊部，且其蓋會藉由蓋裝卸機構123來卸下，晶圓出入口會被開放。此時是不像T120那樣進行淨化，被開放。一旦晶盒110被開放，則藉由晶圓片數計數器裝置(未圖示)來進行晶盒110內的晶圓200的片數的計數或檢查晶圓200的狀態。晶圓200的片數被計數後，晶圓200會以上述T150的程序裝填於晶舟217。
一旦裝填完了，則向上述那樣進行晶舟裝載。晶舟裝載後，進行上述的基板處理工程，進行上述的基板搬出工程。
(本實施形態的效果)
若根據本實施形態，則可取得上述的實施形態所示的1個或複數的效果。並且，也可取得以下所示的1個或複 數的效果。
(a)若根據本實施形態，則將需要處理的晶盒全部載置於基板收容器待機部之後，在基板收容器待機部淨化至第1管理值以下，在晶盒開啟器進行往晶舟的晶圓裝填，藉此可比上述的實施形態更降低晶盒搬送裝置118的待機時間，可使搬送處理能力提升。
(b)若根據本實施形態，則藉由將晶盒110內淨化至第1管理值以下之後在晶盒開啟器121進行晶圓片數計數及往晶舟的晶圓裝填工程T340，可在晶盒開啟器121之晶盒110的蓋的開閉減少必要的晶盒110的淨化次數。又，由於可省略在晶盒開啟器121的淨化，因此可縮短從基板收容器待機部往晶盒開啟器121的基板搬送時間。
<本發明的另外其他的實施形態>
以上，具體說明本發明的另外其他的實施形態，但本發明不限於上述的實施形態，亦可在不脫離其要旨的範圍實施各種的變更。
例如，亦可像圖16所示的流程那樣進行搬送。以下說明有關圖12所示的搬送工程。
(來自載埠的搬入(T410))
與上述的T100同樣進行。
(第1淨化(T420))
被搬入至框體111的內部的晶盒110是藉由晶盒搬送裝置118來搬送至晶盒搬送板118c上。被搬送至晶盒搬送板118c的晶盒110是與上述的T140同樣，被第1淨化。
(晶圓片數計數(T430))
藉由晶盒搬送板118c來將在晶盒搬送板118c所被淨化的晶盒110搬送至晶盒開啟器121，載置於晶盒開啟器121的載置台122上。被載置於載置台122上的晶盒110是其開口側端面會被推壓於副框體119的正面壁119a的晶圓搬入搬出口120的開口緣邊部，且其蓋會藉由蓋裝卸機構123來卸下，晶圓出入口會被開放。此時是像T120那樣不進行淨化，被開放。一旦晶盒110被開放，則藉由晶圓片數計數器裝置(未圖示)來進行晶盒110內的晶圓200的片數的計數或檢查晶圓200的狀態。
(第2淨化(T440))
被檢查晶圓片數或狀態的晶盒110是從晶盒開啟器121搬送至基板收容器待機部105，在基板收容器待機部105被施以第2淨化。此淨化是可在被載置的期間繼續進行，或間歇性進行。
(往晶舟的晶圓裝填(T450))
將在基板收容器待機部105待機的晶盒110再度搬送至晶盒開啟器121，將晶盒110內的晶圓裝填於晶舟217內。
(本實施形態的效果)
若根據本實施形態，則可取得上述的實施形態所示的1個或複數的效果。並且，也可取得以下所示的1個或複數的效果。
(a)若根據本實施形態，則由於在晶盒搬送板118c上，將晶盒110內淨化成第1管理值以下之後，搬送至晶盒開啟器121，因此可省略在晶盒開啟器121的蓋開放時必要的淨化，可使搬送處理能力提升。
(b)若根據本實施形態，則可縮短從基板收容器待機部105往晶舟217的搬送時的淨化時間，且無晶圓片數計數時間，因此可縮短從基板收容器待機部105往晶舟217的基板搬送時間。
(c)若根據本實施形態，則即使氧濃度高的狀態的晶盒110從載埠114搬入至框體111內，藉由在利用晶盒搬送板118c來從載埠114搬送中進行第1淨化工程，可減少氧濃度高的狀態的時間，可抑制自然氧化膜的形成。
<本發明的另外其他的實施形態>
以上，具體說明本發明的另外其他的實施形態，但本 發明不限於上述的實施形態，亦可在不脫離其要旨的範圍實施各種的變更。
例如，亦可像圖17所示的流程那樣進行搬送。以下說明有關圖17所示的搬送工程。
(從載埠搬入(T510))
與上述的T100同樣進行。
(第1淨化(T520))
與上述的T420同樣進行。
(第2淨化(T530))
在晶盒搬送板118c上將晶盒110內的氧濃度淨化成第1管理值以下的晶盒110會藉由晶盒搬送板118c來搬送至基板收容器待機部105。被載置於基板收容器待機部105的晶盒110是被第2淨化。另外，此淨化是可在待機中繼續進行，或間歇性進行。
(晶圓片數計數及往晶舟的晶圓裝填(T540))
將在基板收容器待機部105待機的晶盒110搬送至晶盒開啟器121。從被載置於晶盒開啟器121的晶盒110往晶舟217搬送晶圓200，像上述那樣進行基板處理。
(本實施形態的效果)
本實施形態也可取得上述的實施形態所示的1個或複數的效果。
<本發明的另外其他的實施形態>
以上，具體說明本發明的另外其他的實施形態，但本發明不限於上述的實施形態，亦可在不脫離其要旨的範圍實施各種的變更。
例如，亦可像圖18所示的流程那樣進行搬送。說明有關以下圖18所示的搬送工程。
(從載埠搬入(T610))
與上述的T110同樣進行。
(晶圓片數計數(T620))
與上述的T120同樣進行。
(第1淨化(T630))
被檢查晶圓片數或狀態的晶盒110是搬送至晶盒搬送板118c上。藉由晶盒搬送板118c搬送中的晶盒110是被第1淨化。
(第2淨化(T640))
被淨化至第1管理值以下的晶盒110是從晶盒搬送板118c搬送至基板收容器待機部105，而被第2淨化。此淨 化是可在被載置的期間繼續進行，或間歇性進行。
(往晶舟的晶圓裝填(T650))
將在基板收容器待機部105待機的晶盒110再度搬送至晶盒開啟器121，將晶盒110內的晶圓裝填於晶舟217內。
(本實施形態的效果)
本實施形態也可取得上述的實施形態所示的1個或複數的效果。
<本發明的另外其他的實施形態>
以上，具體說明本發明的另外其他的實施形態，但本發明不限於上述的實施形態，亦可在不脫離其要旨的範圍實施各種的變更。
例如，亦可像圖19所示的流程那樣進行搬送。圖19是省略圖18的第1淨化工程的工程。如此搬送也可能。然而，在晶盒開啟器121的淨化會比在晶盒搬送板118c的移載中的淨化時間更長，因此最好是像上述的實施形態那樣在晶盒搬送板118c上進行將晶盒內的氧濃度淨化成第1管理值以下的工程。
<本發明的另外其他的實施形態>
圖20是表示本發明的其他形態的基板收容器待機部 的構成例的第1例圖。
利用圖20來說明有關基板收容器待機部105的淨化部接觸防止部。圖20是從上面省略晶盒110來顯示晶盒搬送板118c對基板收容器待機部105上的晶盒110存取時的狀態。在基板收容器待機部105設有運動銷426，晶盒收納部427，淨化部接觸防止部428。在晶盒搬送板118c設有運動銷425，用以導入淨化氣體的淨化氣體供給部1701，使淨化氣體供給部1701退避的退避機構1702。晶盒搬送板118c從基板收容器待機部105的下方對晶盒110存取時，有時對基板收容器待機部105的一部分干擾。為了避免如此的事情，而於基板收容器待機部105形成淨化部接觸防止部428。圖21是表示本發明的其他形態的基板收容器待機部的構成例的第2例圖，圖22是表示本發明的其他形態的基板收容器待機部的構成例的第3例圖。
像圖21，22那樣，淨化部接觸防止部428只要是不干擾晶盒搬送板118c的淨化氣體供給部1701的形狀即可，哪種的形狀皆無妨。藉由在基板收容器待機部105設置淨化部接觸防止部428，可取得能夠抑制基板收容器待機部105的載置部與淨化部428的接觸之效果。
另外，本發明是只調整晶盒110內的氧濃度，但亦可調整晶盒110內的濕度。具體而言，將晶盒110內的濕度淨化成相對濕度5%以下。濕度的調整是亦可利用上述的露點計424，524來檢測出晶盒110內的濕 度或排氣氣體中的濕度，而根據檢測出的濕度值來反饋控制。並且，亦可事前求取惰性氣體的惰性氣體的供給量，供給時間及晶盒110內的濕度的關係，可藉由惰性氣體的供給量及供給時間的設定來調整。
另外，本發明是顯示利用晶盒搬送板118c作為第1淨化部的例子，但不限於此，亦可在晶盒開啟器121或載埠114構成具有同樣的機能，作為第1淨化部。並且，亦可將第1淨化部設於複數處。
另外，本發明是在別的場所實行第1淨化工程及第2淨化工程，但不限於此，亦可在同場所，進行第1淨化工程之後進行第2淨化工程。
另外，本發明除了適用在利用CVD(Chemical Vapor Deposition)法，ALD(Atomic Layer Deposition)法，PVD(Physical Vapor Deposition)法等形成氧化膜或氮化膜，金屬膜等進行各種膜的成膜處理時以外，亦可適用在進行電漿處理，擴散處理，退火處理，氧化處理，氮化處理，微影技術處理等進行其他的基板處理時。又，本發明除了薄膜形成裝置外，亦可適用在蝕刻裝置，退火處理裝置，氧化處理裝置，氮化處理裝置，曝光裝置，塗佈裝置，模製裝置，顯像裝置，切割裝置，打線接合裝置，乾燥裝置，加熱裝置，檢查裝置等的其他的基板處理裝置。又，本發明並不限於縱型的基板處理裝置100，亦可為橫型的基板處理裝置或，單片式的各種基板處理裝置。
又，本發明是不限於本實施形態的基板處理 裝置100那樣處理半導體晶圓的半導體製造裝置等，亦可適用在處理玻璃基板的LCD(Liquid Crystal Display)製造裝置或太陽電池製造裝置等的基板處理裝置。
<本發明的理想形態>
以下附記有關本發明的理想形態。
(附記1)
若根據一形態，則可提供一種基板處理裝置，其係具有：處理容器，其係收容基板；基板收容器搬送裝置，其係搬送收容前述基板的基板收容器；淨化部，其係於前述基板收容器搬送裝置對前述基板收容器內供給淨化氣體；基板收容器待機部，其係收容前述基板收容器；淨化部接觸抑制部，其係設於前述基板收容器待機部，在與前述基板收容器搬送裝置之間進行前述基板收容器的交接時，形成抑制與前述淨化部的接觸；及控制部，其係控制前述基板收容器搬送裝置及前述淨化部。
(附記2)
如附記1的基板處理裝置，較理想是前述淨化部具有 對前述基板收容器內供給淨化氣體的淨化氣體供給部。
(附記3)
如附記1及附記2的任一基板處理裝置，較理想是前述淨化部具有將前述基板收容器內的環境排氣的氣體排氣部。
(附記4)
如附記1及附記3的任一基板處理裝置，較理想是前述控制部是以能夠淨化前述基板收容器的方式控制前述基板收容器搬送裝置及前述淨化部。
(附記5)
如附記4的基板處理裝置，較理想是前述淨化是在將前述基板收容器從基板收容器投入平台搬送至前述基板收容器待機部時進行。
(附記6)
如附記4及附記5的任一基板處理裝置，較理想是前述淨化是在將前述基板收容器從前述基板收容器待機部搬送至容器開閉裝置時進行。
(附記7)
如附記4~6的任一基板處理裝置，較理想是前述淨 化是在前述基板收容器被載置於前述基板收容器待機部時進行。
(附記8)
如附記4~7的任一基板處理裝置，較理想是前述淨化是在前述基板收容器從前述基板收容器投入平台搬送至前述容器開閉裝置時進行。
(附記9)
如附記1~8的任一基板處理裝置，較理想是在前述基板形成有金屬膜。
(附記10)
如附記1~9的任一基板處理裝置，較理想是對於前述基板，前述淨化部是只設在前述基板收容器搬送裝置。
(附記11)
如附記4~8的任一基板處理裝置，較理想是前述預淨化是在將前述基板收容器的蓋開閉之前進行。
(附記12)
若根據其他形態，則可提供一種半導體裝置的製造方法，其係具有：從被搬送基板收容器的容器移載室經由容器開閉裝置來將基板搬送至基板移載室之工程； 從前述基板移載室來將前述基板搬送至前述處理容器之搬送工程；將前述基板收容器搬送至前述容器開閉裝置之前，以設於基板收容器搬送裝置的淨化部來淨化前述基板收容器內之淨化工程；及將前述基板收容器載置於在對應於前述淨化部的位置設有淨化部接觸防止部的基板收容器待機部之工程。
(附記13)
如附記12的半導體裝置的製造方法，較理想是在前述淨化工程中，在前述基板收容器搬送裝置設有淨化部，在載置有前述基板收容器的基板收容器待機部設有對應於前述淨化部的淨化部接觸防止部。
(附記14)
若根據另外其他的形態，則提供一種使下列程序實行於電腦的程式，從被搬送基板收容器的容器移載室經由容器開閉裝置來將基板搬送至基板移載室之程序；從前述基板移載室來將前述基板搬送至前述處理容器之搬送程序；將前述基板收容器搬送至前述容器開閉裝置之前，以設於基板收容器搬送裝置的淨化部來淨化前述基板收容器內之淨化程序；及 將前述基板收容器載置於在對應於前述淨化部的位置設有淨化部接觸防止部的基板收容器待機部之程序。
(附記15)
若根據另外其他的形態，則提供一種儲存有使下列程序實行於電腦的程式之記錄媒體，從被搬送基板收容器的容器移載室經由容器開閉裝置來將基板搬送至基板移載室之程序；從前述基板移載室來將前述基板搬送至前述處理容器之搬送程序；將前述基板收容器搬送至前述容器開閉裝置之前，以設於基板收容器搬送裝置的淨化部來淨化前述基板收容器內之淨化程序；及將前述基板收容器載置於在對應於前述淨化部的位置設有淨化部接觸防止部的基板收容器待機部之程序。
(附記16)
若根據其他的形態，則提供一種基板處理裝置，其係具有：處理容器，其係收容基板；基板移載室，其係連接至前述處理容器，成為前述基板的搬送空間；基板收容器搬送裝置，其係搬送收容有前述基板的基板收容器； 第1淨化部，其係設在前述基板收容器搬送裝置；基板收容器待機部，其係載置前述基板收容器，具有第2淨化部；退避機構，其係使前述第2淨化部退避；及控制部，其係在將前述基板收容容器搬送至前述基板收容器待機部時，以使前述第1淨化部或第2淨化部能夠退避的方式，控制前述基板收容器搬送裝置，前述第1淨化部及第2淨化部的任一個，前述基板收容器待機部，及前述退避機構。
100‧‧‧晶盒
104‧‧‧正面維修門
105‧‧‧基板收容器待機部
110‧‧‧晶盒
111‧‧‧框體
115‧‧‧晶舟升降機
118‧‧‧晶盒搬送裝置
118a‧‧‧晶盒升降機
118b‧‧‧晶盒搬送機構
119‧‧‧副框體
120‧‧‧晶圓搬入搬出口
121‧‧‧晶盒開啟器
123‧‧‧蓋裝卸機構
124‧‧‧基板移載室
125‧‧‧晶圓移載機構
125a‧‧‧晶圓移載裝置
125b‧‧‧晶圓移載裝置升降機
126‧‧‧待機部
133‧‧‧清淨空氣
134‧‧‧清淨單元
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
217‧‧‧晶舟
219‧‧‧密封蓋

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具有：基板收容器搬送裝置，其係搬送收容基板的基板收容器；淨化部，其係於前述基板收容器搬送裝置對前述基板收容器內供給淨化氣體；基板收容器待機部，其係收容前述基板收容器；淨化部接觸抑制部，其係設於前述基板收容器待機部，在與前述基板收容器搬送裝置之間進行前述基板收容器的交接時，形成抑制與前述淨化部的接觸；及控制部，其係控制前述基板收容器搬送裝置及前述淨化部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部係以能夠淨化前述基板收容器的方式控制前述基板收容器搬送裝置及前述淨化部。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部係於搬送前述基板收容器時，以能夠淨化前述基板收納容器內的方式控制前述基板收容器搬送裝置及前述淨化部。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述基板收納器載置部係更具有對前述基板收容器內供給淨化氣體的第2淨化部。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，前述控制部係以被載置於前述基板收納容器載置部時的前述 基板收納容器內的氧濃度能夠比搬送前述基板收容器時的前述基板收納容器內的氧濃度高的方式控制前述淨化部及前述第2淨化部。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：從被搬送基板收容器的容器移載室經由容器開閉裝置來將基板搬送至基板移載室之工程；從前述基板移載室來將前述基板搬送至前述處理容器之搬送工程；將前述基板收容器搬送至前述容器開閉裝置之前，以設於基板收容器搬送裝置的淨化部來淨化前述基板收容器內之淨化工程；及將前述基板收容器載置於在對應於前述淨化部的位置設有淨化部接觸防止部的基板收容器待機部之工程。
  7. 一種電腦可讀取的記錄媒體，其特徵係記錄使下列程序實行於電腦的程式，從被搬送基板收容器的容器移載室經由容器開閉裝置來將基板搬送至基板移載室之程序；從前述基板移載室來將前述基板搬送至前述處理容器之搬送程序；將前述基板收容器搬送至前述容器開閉裝置之前，以設於基板收容器搬送裝置的淨化部來淨化前述基板收容器內之淨化程序；及將前述基板收容器載置於在對應於前述淨化部的位置設有淨化部接觸防止部的基板收容器待機部之程序。
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