KR102423378B1 - 기판 처리 장치， 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치， 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR102423378B1
KR102423378B1 KR1020150183716A KR20150183716A KR102423378B1 KR 102423378 B1 KR102423378 B1 KR 102423378B1 KR 1020150183716 A KR1020150183716 A KR 1020150183716A KR 20150183716 A KR20150183716 A KR 20150183716A KR 102423378 B1 KR102423378 B1 KR 102423378B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
process module
wafer
measurement interval
position detector
Prior art date
Application number
KR1020150183716A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160078901A (ko
Inventor
마사히로 누마쿠라
요시카즈 이시카와
도시히코 하마다
준야 사토
도시유키 고바야시
쇼우이치 오타케
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160078901A publication Critical patent/KR20160078901A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102423378B1 publication Critical patent/KR102423378B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

[과제] 위치 검출기에 대한 기판의 반송을 억제하여, 처리량의 향상을 도모한다.
[해결수단] 기판을 처리하는 프로세스 모듈과, 기판의 위치를 검출하는 위치 검출기와, 동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판 중에서, 설정된 프로세스 모듈의 측정 간격에 따라서 선택된 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.

Description

기판 처리 장치， 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체{SUBSTRATE TREATING DEVICE, SUBSTRATE TREATING METHOD, AND RECORDING MEDIUM HAVING SUBSTRATE TREATING PROGRAM RECORDED THEREIN}
본 발명은, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체에 관한 것이다.
정전 척 등의 기판 처리 장치 내의 파트의 시간 경과에 따른 변화로 인해, 프로세스 모듈 내에서 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 위치가 어긋나 버리는 경우가 있다. 따라서, 위치 어긋남의 유무 및 위치 어긋남량을 검출 가능한 위치 검출기가 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1, 2를 참조). 위치 검출기에서는, 프로세스 모듈에 대한 웨이퍼의 반입 전에 그리고 프로세스 모듈로부터의 웨이퍼의 반출 후에 웨이퍼의 위치를 측정하여 위치 어긋남량을 검출한다. 위치 검출기는, 검출한 위치 어긋남량에 기초하여 웨이퍼의 위치를 보정하고, 다음 프로세스 모듈에 반송한다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2002-43394호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2013-258260호 공보
그러나, 프로세스 모듈에 대한 웨이퍼의 반입 반출에 있어서 전체 웨이퍼에 대하여 위치 검출기를 경유시켜, 위치의 측정과 위치 어긋남의 보정을 행하면, 대략 위치 어긋남이 생기지 않는 프로세스에 대한 웨이퍼도 위치 검출기를 경유해 버려, 처리량(throughput)이 저하되어 버린다.
이러한 과제에 대하여, 일 측면에서, 본 발명은, 위치 검출기에 대한 기판의 반송을 억제하여, 처리량의 향상을 도모하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 하나의 양태에 의하면, 기판을 처리하는 프로세스 모듈과, 기판의 위치를 검출하는 위치 검출기와, 동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판 중에서, 설정된 프로세스 모듈의 측정 간격에 따라서 선택된 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.
하나의 양태에 의하면, 위치 검출기에 대한 기판의 반송을 억제하여, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 전체 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 2는 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 반입 반출부를 나타내는 도면.
도 3은 일 실시형태에 따른 위치 검출 조건의 설정 화면의 일례를 나타내는 도면.
도 4는 일 실시형태에 따른 위치 검출 처리의 일례를 나타내는 플로우차트.
도 5는 일 실시형태에 따른 위치 검출 타이밍을 설명하기 위한 도면.
도 6은 일 실시형태에 따른 복수의 PM에 대한 측정 타이밍을 설명하기 위한 도면.
도 7은 일 실시형태에 따른 기판 반송과 위치 검출의 관계를 설명하기 위한 도면.
도 8은 일 실시형태에 따른 위치 검출 시의 판정 처리의 일례를 나타내는 플로우차트.
도 9는 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 다른 구성의 일례를 나타내는 도면.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 관해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 관해서는 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
[기판 처리 장치의 전체 구성]
우선, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 전체 구성에 관해, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 전체 구성의 일례를 나타낸다. 기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼에 처리를 실시하는 처리부(12)와, 웨이퍼를 처리부(12)에 반입 및 반출하는 반입 반출부(14)와, 기판 처리 장치(10)를 제어하는 제어부(20)를 구비하고 있다. 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(10)는, 클러스터 툴(cluster tool)형(멀티 챔버 타입)의 기판 처리 장치이다. 단, 기판 처리 장치(10)는 클러스터 툴형에 한정되지 않는다.
처리부(12)는, 웨이퍼에 소정의 처리를 실시하는 프로세스 모듈 1, 2를 구비하고 있다. 이하, 프로세스 모듈을 PM이라고도 한다. PM 1, 2는 각각, 내부를 소정의 진공도로 감압 가능하게 구성된 챔버를 갖고 있다. 챔버 내에서는, 웨이퍼에 대하여 성막 처리나 에칭 처리 등의 처리가 행해진다. PM 1, 2는, 게이트 밸브(G)를 통해 트랜스퍼 모듈에 접속되어 있다. 이하, 트랜스퍼 모듈을 TM이라고도 한다.
TM의 내부에는, 로보트 아암에 의해 웨이퍼를 반송하는 반송 장치(13)가 배치되어 있다. 반송 장치(13)는, PM 1, PM 2, 로드록 모듈 1 및 로드록 모듈 2의 사이에서 웨이퍼의 반송을 행한다. 이하, 로드록 모듈을 LLM이라고도 한다.
또한, TM의 내부에는, 웨이퍼의 위치를 검출하는 위치 검출기(11)가 구비되어 있다. 정전 척 등의 기판 처리 장치(10) 내의 파트의 시간 경과에 따른 변화로 인해, PM 내에서 웨이퍼의 위치가 어긋나 버리는 경우가 있다. 따라서, 기판 처리 장치(10)는, PM 1, 2에 대한 웨이퍼의 반입 전에 그리고 PM 1, 2로부터의 웨이퍼의 반출 후에 소정의 간격으로 위치 검출기(11)를 경유시킬 웨이퍼를 선택한다. 위치 검출기(11)는, 선택된 웨이퍼의 위치 어긋남량을 측정하여 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정한 후, 다음 PM 또는 LLM으로 웨이퍼를 반송한다.
본 실시형태에서, 제어부(20)는, 동일한 PM 내에서 처리되는 웨이퍼의 처리 횟수를 카운트하고, 설정된 소정의 측정 간격으로(구체적으로는, 측정 간격의 배수의 처리 횟수마다) 웨이퍼를 선택하여, 그 웨이퍼의 위치를 위치 검출기(11)로 측정한다.
반입 반출부(14)는 반입 반출실(15)을 구비하고 있다. 반입 반출실(15)은, 내부가 대략 대기압으로 조압(調壓)되어 있다. 반입 반출실(15)에는, FOUP(Front Opening Unified Pod)가 부착되는 로드 포트 1∼3을 구비하고 있다. 이하에서는, 로드 포트를 LP이라고도 한다. LP 1∼LP 3에는, 웨이퍼가 수용된 FOUP, 또는 비어 있는 FOUP가 부착된다. 또한, 반입 반출실(15)은, 웨이퍼의 방향을 맞추기 위한 프리얼라이너(16; prealigner)를 구비하고 있다.
반입 반출실(15)의 내부에는, 로보트 아암에 의해 웨이퍼를 반송하는 반송 장치(17)가 배치되어 있다. 반송 장치(17)는, LP 1∼LP 3, 프리얼라이너(16) 및 LLM 1, 2의 사이에서의 웨이퍼의 반송을 행한다.
처리부(12)와 반입 반출부(14) 사이에는 2개의 LLM(LLM 1, 2)이 설치되어 있다. LLM 1, 2는 각각, 내부를 소정의 진공도 및 대기압 혹은 거의 대기압으로 전환할 수 있다. LLM 1, 2는 각각, 게이트 밸브(G)를 통해 TM 및 반입 반출실(15)에 접속되어 있다. 또한, PM, LLM, LP의 갯수는, 본 실시형태에서 나타내는 갯수에 한정되지 않는다.
제어부(20)는, CPU(Central Processing Unit)(21)과, ROM(Read Only Memory)(22), RAM(Random Access Memory)(23), HDD(Hard Disk Drive)(24) 등의 기억 영역과, 입출력 인터페이스(I/F)(25)와, 디스플레이(26)를 갖는다. 또한, 제어부(20)는, HDD(24)에 한정되지 않고 SSD(Solid State Drive) 등의 다른 기억 영역을 가져도 좋다.
CPU(21)는, 프로세스의 순서나 프로세스의 조건이 설정된 레시피에 따라서 각 PM에서의 웨이퍼의 처리를 제어한다. 레시피가 저장되는 기억 영역은, ROM(22), RAM(23) 및 HDD(24) 중 어느 것이어도 좋다. HDD(24)나 RAM(23)에는, 후술하는 위치 검출 처리 및 위치 검출 시의 판정 처리를 실행하기 위한 프로그램이 기억되어도 좋다. 레시피나, 위치 검출 처리 및 위치 검출 시의 판정 처리를 실행하기 위한 프로그램은, 기억 매체에 저장하여 제공되어도 좋다. 또한, 이들 레시피 및 프로그램은, 네트워크를 통하여 외부 장치로부터 제공되어도 좋다. 또한, 제어부(20)의 기능은, 소프트웨어를 이용하여 작동함으로써 실현되어도 좋고, 하드웨어를 이용하여 작동함으로써 실현되어도 좋다.
입출력 인터페이스(I/F)(25)는, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(10)를 관리하기 위해 행하는 커맨드(command) 조작으로부터 입출력 정보를 얻기 위한 인터페이스로서 기능한다. 디스플레이(26)는, 기판 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시하거나, 오퍼레이터에 의한 설정을 위해 위치 검출 조건의 설정 화면을 표시하거나 한다.
도 2는, 도 1의 기판 처리 장치(10)의 반입 반출부(14)를 확대하여 나타낸다. LP 1∼LP 3에는 각각 셔터(18)가 설치되어 있다. 웨이퍼(W)를 저장한, 또는 비어 있는 FOUP(30)가 LP 1∼LP 3에 부착되면 셔터(18)가 떨어진다. 이에 따라, 외기의 침입을 방지하면서, FOUP(30)의 내부와 반입 반출실(15)의 내부가 연통된다.
반송 장치(17)는, 길이 방향을 따라서 주행 가능한 쌍완형 다관절 아암식 로보트이다. 다관절 아암(17a)의 선단에는 웨이퍼(W)를 유지하는 하측 픽(17c)이 부착되고, 다관절 아암(17b)의 선단에는 상측 픽(17d)이 부착되어 있다. 이들 픽(17c, 17d)은, 다관절 아암(17a, 17b)의 선회에 의해 전진 후진 작동을 한다. 또한, 다관절 아암(17a, 17b)이 승강함으로써 픽(17c, 17d)은 승강 작동을 한다. 이와 같이 픽(17c, 17d)이 전진 후진 및 승강함으로써, 반송 장치(17)는 LP 1∼LP 3, 프리얼라이너(16) 및 LLM 1, 2의 사이에 있어서 웨이퍼의 반송을 행할 수 있다.
[위치 검출 방법]
다음으로, 본 실시형태에 의한 웨이퍼의 위치 검출 방법에 관해 설명한다. 처음에 위치 검출 조건의 설정에 관해 도 3을 참조하면서 설명한 후, 본 실시형태에 따른 위치 검출 처리에 관해 도 4를 참조하면서 설명한다.
(위치 검출 조건의 설정)
오퍼레이터는, 디스플레이(26)에 표시된 설정 화면으로부터 위치 검출 조건을 설정한다. 도 3은, 일 실시형태에 따른 위치 검출 조건의 설정 화면의 일례를 나타낸다. 도 3의 (a)는, 디스플레이(26)에 표시된 설정 화면 중, 전체 카운터만의 위치 검출 조건이 설정되어 있는 경우를 나타낸다. 전체 카운터는, 레시피의 종류에 상관없이, 동일한 PM 내에서 처리되는 웨이퍼의 처리 횟수(처리된 웨이퍼의 매수)를 카운트하여, 누적값으로서 RAM(23) 등에 기억하는 기능을 갖는다. 도 1에 나타내는 기판 처리 장치(10)에서는, PM 1의 전체 카운터, PM 2의 전체 카운터가 각각 설정되어도 좋다. 이 경우, 각 전체 카운터는, 각각의 PM 내에서 처리되는 웨이퍼의 처리 횟수를 따로따로 카운트한다.
오퍼레이터는, 위치 검출 조건의 하나로서 측정 간격을 설정한다. 제어부(20)는, 기판 처리 장치(10)의 전원을 켜고 나서 동일한 PM 내에서 처리한 웨이퍼의 처리 횟수를 나타내는 누적값 및 설정된 PM의 측정 간격에 기초하여, 위치 검출기(11)에서 위치를 측정하는 웨이퍼를 선택해도 좋다. 제어부(20)는, 기판 처리 장치(10)의 전원을 끄기 전에 동일한 PM 내에서 처리한 웨이퍼의 처리 횟수를 나타내는 누적값을 SRAM 등의 기억 매체에 기억시킴으로써, 전회(前回)에 전원을 끄기 전에 카운트한 누적값을, 전원을 켠 후에 계승할 수 있다. 이 경우, 제어부(20)는, 전원을 재투입한 후에 동일한 PM 내에서 처리한 웨이퍼의 처리 횟수를, 계승한 누적값에 가산하고, 그 누적값 및 설정된 PM의 측정 간격에 기초하여, 위치 검출기(11)에서 위치를 측정하는 웨이퍼를 선택할 수 있다.
위치 검출기(11)는, 동일한 PM 내에서 처리되는 기판 중에서, 선택된 웨이퍼의 위치를 측정한다.
예컨대, 도 3의 (a)에 표시되는 화면의 경우, 제어부(20)는, 설정된 측정 간격이 「100」인 것에 따라서, 누적값이 100의 배수에 도달했을 때의 웨이퍼를 위치 검출기(11)에 경유시킨다. 위치 검출기(11)는, 누적값이 100의 배수가 될 때마다 선택된 웨이퍼의 위치 어긋남을 검출한다. 위치 검출기(11)는, 다음에 반입되는 PM에서 웨이퍼가 정전 척의 중심에 놓이도록 위치를 보정하고, 다음 프로세스 모듈에 반송한다.
도 3의 (b)는, 디스플레이(26)에 표시된 설정 화면 중, 전체 카운터는 무효가 되고 개별 카운터의 위치 검출 조건이 설정되어 있는 경우를 나타낸다. 개별 카운터에서는, 프로세스 레시피명과 측정 간격을 설정할 수 있다. 오퍼레이터는, 위치 검출 조건의 하나로서 프로세스 레시피명과 측정 간격을 설정한다. 동일한 PM에서 복수 종류의 레시피에 따라서 상이한 프로세스로 웨이퍼가 처리되는 경우, 레시피에 따라서는 기판 처리 장치(10) 내에 배치된 정전 척 등의 파트의 시간 경과에 따른 변화가 큰 프로세스가 실행된다. 예컨대, 웨이퍼가 배치되는 스테이지에 인가되는 고주파 전력이 높은 레시피에서는, 웨이퍼의 온도가 상승한다. 이에 따라, 웨이퍼가 열팽창하여 스테이지 상의 정전 척의 시간 경과에 따른 변화에 큰 영향을 미치는 경우가 있다. 이와 같이, 레시피의 종류에 따라서는, 파트의 시간 경과에 따른 변화가 큰 프로세스와 파트의 시간 경과에 따른 변화가 거의 없는 프로세스가 있다. 따라서, 파트의 시간 경과에 따른 변화가 큰 프로세스를 위한 레시피가 적용되는 웨이퍼에 대해서는, 소정의 측정 간격으로 위치 검출을 행하도록 위치 검출 조건을 설정하는 것이 바람직하다. 한편, 파트의 시간 경과에 따른 변화가 거의 없는 프로세스를 위한 레시피가 적용되는 웨이퍼에 대해서는, 위치 검출을 행하지 않도록 그 레시피의 개별 카운터를 무효로 설정해도 좋다. 이에 따라, 파트의 시간 경과에 따른 변화가 작은 또는 거의 생기지 않는 프로세스를 위한 레시피에 따라서 처리된 웨이퍼에 관한 위치 검출을 행하지 않도록 할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 파트의 시간 경과에 따른 변화가 큰 프로세스를 위한 레시피에 관한 위치 검출 조건을 개별적으로 지정할 수 있게 되어 있다. 파트의 시간 경과에 따른 변화가 큰 프로세스를 위한 레시피로는, 정전 척의 시간 경과에 따른 변화뿐만 아니라, 포커스 링 등의 챔버 내의 파트의 시간 경과에 따른 변화에 의해 웨이퍼의 위치 어긋남에 영향을 미치는 마모가 생기거나, 반응 생성물이 부착되거나 하는 레시피를 들 수 있다.
개별 카운터의 경우, 동일한 PM 내에서 처리되는 웨이퍼 중, 프로세스 레시피명이 일치하는 레시피로 처리된 웨이퍼의 처리 횟수를 카운트하여, 누적값으로서 RAM(23) 등에 기억한다.
제어부(20)는, 기판 처리 장치(10)의 전원을 켜고 나서 동일한 PM 내에서 처리되는 웨이퍼 중, 설정된 소정의 레시피에 의해 웨이퍼가 몇 회 처리되었는지에 따라서, 위치 검출기(11)를 경유하는 웨이퍼를 선택한다. 예컨대, 도 3의 (b)의 화면에 표시되는 「개별 카운터 1」의 경우, 프로세스 레시피명이 「RecipeClass/Recipe 1」에 대응하는 측정 간격은 「20」이다. 제어부(20)는, 설정된 측정 간격에 따라서, 개별 카운터 1의 누적값이 20의 배수가 될 때의 웨이퍼를 선택하여, 위치 검출기(11)에 반송시킨다.
동일하게, 개별 카운터 2의 프로세스 레시피명이 「RecipeClass/Recipe 2」에 대응하는 측정 간격은 「40」이다. 제어부(20)는, 개별 카운터 2에 설정된 측정 간격에 따라서, 개별 카운터 2의 누적값이 40의 배수가 될 때의 웨이퍼를 선택하여, 위치 검출기(11)에 반송시킨다.
이와 같이 전체 카운터와 개별 카운터인 2종류의 카운터를 구별하여 사용하는 것으로는, 예컨대 양산 공정에서 동일한 PM 내에 있어서 동일한 프로세스가 반복하여 행해진다. 이 경우, 전체 카운터를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 비해, 동일한 PM 내에 있어서 여러 종류의 다양한 공정에서 상이한 프로세스가 행해지는 경우에는, 개별 카운터를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 양산 공정과 여러 종류의 다양한 공정이 혼재하고 있는 경우에는, 전체 카운터와 개별 카운터를 병용하는 것이 바람직하다.
도 3의 (c)는, 전체 카운터와 개별 카운터를 병용하기 위해, 전체 카운터의 위치 검출 조건과 개별 카운터의 위치 검출 조건이 설정되는 예를 나타낸다. 도 3의 (d)는, 전체 카운터의 위치 검출 조건과 개별 카운터의 위치 검출 조건이 설정되는 다른 화면예이다. 도 3의 (b) 및 도 3의 (d)에 나타낸 바와 같이, 오퍼레이터는, 전체 카운터의 측정 간격(즉, PM의 측정 간격)의 설정 및 개별 카운터의 측정 간격(즉, 소정의 레시피의 측정 간격)의 설정의 유효 또는 무효를 개별적으로 설정할 수 있다. 제어부(20)는, 설정이 유효한 전체 카운터의 측정 간격 및 설정이 유효한 개별 카운터의 측정 간격에 따라서 위치를 측정하는 웨이퍼를 선택한다.
상기 위치 검출 조건의 설정의 타이밍에 상관없이, 언제라도 설정 및 변경할 수 있다. 기판 처리 장치(10)가 가동 중에 있어도, 아이들(idle) 중이라 하더라도 레시피명의 지정이나 측정 간격의 입력이나 각 카운터의 유효/무효의 설정이 가능하다. 단, 설정 및 변경된 위치 검출 조건은, 웨이퍼가 FOUP로부터 반출되고 나서, LLM로부터 웨이퍼가 반출될 때까지 보존된 조건에 관해 적용된다. LLM로부터 웨이퍼가 반출된 후의 변경 등에 관해서는, 다음 웨이퍼부터 적용된다. 따라서, LLM로부터 웨이퍼가 반출될 때까지 보존된 위치 검출 조건에 따라서 웨이퍼의 선택이 실행되고, 선택된 웨이퍼에 대하여 위치 검출기(11)에 의한 위치 어긋남의 검출 및 보정이 실행된다.
또한, 위치 검출기(11)는, 위치 검출 조건 설정을 자동으로 행해도 좋다. 이 경우, 제어부(20)는, 오퍼레이터에 의한 위치 검출 조건 설정과 위치 검출기(11)에 의한 위치 어긋남량의 검출 결과를 관련지어 축적한다. 제어부(20)는, 각 PM에서 처리되는 웨이퍼에 대하여 위치 어긋남량과 측정 간격의 상관관계의 데이터를 축적한다. 제어부(20)는, 동일한 PM 내에서 처리되는 웨이퍼에 대하여 레시피마다 위치 어긋남량과 측정 간격의 상관관계의 데이터를 축적해도 좋다. 위치 검출기(11)는, 축적된 상관관계의 데이터에 기초하여, 위치 검출 조건의 설정이나 갱신을 자동으로 행할 수 있다.
(위치 검출 처리)
본 실시형태에 따른 위치 검출 처리의 일례에 관해, 도 4를 참조하면서 설명한다. 본 실시형태에 따른 위치 검출 처리는 제어부(20)에 의해 제어된다. 이에 따라, 제어부(20)에 의해 위치 검출기(11)를 경유하여 위치 검출이 행해지는 웨이퍼가 선택된다.
우선, 제어부(20)는, 동일한 PM 내에서 처리되는 웨이퍼의 처리 횟수를 카운트한다(전체 카운트 : 단계 S10). 다음으로, 제어부(20)는, 동일한 PM 내에서 처리되는 웨이퍼 중, 설정된 레시피마다의 웨이퍼의 처리 횟수를 카운트한다(개별 카운트 : 단계 S12).
다음으로, 제어부(20)는, 전체 카운트의 설정 조건이 「유효」한지를 판정한다(단계 S14). 제어부(20)는, 전체 카운트의 설정 조건이 「유효」하다고 판정된 경우, 전체 카운트수(누적값)가, 설정된 측정 간격의 배수인지를 판정한다(단계 S16). 제어부(20)는, 전체 카운트수(누적값)가, 설정된 측정 간격의 배수라고 판정된 경우, 위치 어긋남을 검출하는 웨이퍼로서 선택한다. 이에 따라, 위치 검출기(11)는, 선택된 웨이퍼에 대하여, 동일한 PM의 반입 전 위치와 반출 후 위치를 검출하여, 웨이퍼의 위치 어긋남량을 측정한다(단계 S18). 다음으로, 제어부(20)는, 웨이퍼의 위치 어긋남량을 HDD(24) 등에 기록하고(단계 S20), 단계 S22로 진행한다.
한편, 제어부(20)는, 단계 S14에 있어서, 전체 카운트의 위치 검출 조건이 「무효」로 설정되어 있다고 판정된 경우, 그대로 단계 S22로 진행한다. 또한, 제어부(20)는, 단계 S16에 있어서, 전체 카운트수(누적값)가, 설정된 측정 간격의 배수가 아니라고 판정된 경우, 단계 S22로 진행한다. 이에 따라, 위치 검출기(11)를 경유하지 않는 웨이퍼를 선택할 수 있고, 과잉으로 위치 검출을 행하지 않는 것에 의한 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
다음으로, 제어부(20)는, 개별 카운트의 설정 조건이 「유효」한 레시피가 있는지를 판정한다(단계 S22). 제어부(20)는, 개별 카운트의 설정 조건이 「유효」한 레시피가 없다고 판정된 경우, 본 처리를 종료한다.
한편, 제어부(20)는, 개별 카운트의 설정 조건이 「유효」한 레시피가 있다고 판정된 경우, 개별 카운트수(누적값)가, 설정된 측정 간격의 배수인지를 판정한다(단계 S24). 제어부(20)는, 개별 카운트수(누적값)가, 설정된 측정 간격의 배수라고 판정된 경우, 위치 어긋남을 검출하는 웨이퍼로서 선택한다. 이에 따라, 위치 검출기(11)는, 선택된 웨이퍼에 대하여, 동일한 PM의 반입 전 위치와 반출 후 위치를 검출하여, 웨이퍼의 위치 어긋남량을 측정한다(단계 S26). 다음으로, 제어부(20)는, 웨이퍼의 위치 어긋남량을 HDD(24) 등에 기록하고(단계 S28), 단계 S30으로 진행한다.
제어부(20)는, 단계 S24에 있어서, 개별 카운트수(누적값)가, 설정된 측정 간격의 배수가 아니라고 판정된 경우, 단계 S30으로 진행한다.
제어부(20)는, 단계 S30에 있어서, 개별 카운트의 설정 조건이 「유효」한 다른 레시피가 있는지를 판정한다. 제어부(20)는, 개별 카운트의 설정 조건이 「유효」한 다른 레시피가 없다고 판정된 경우, 본 처리를 종료한다. 제어부(20)는, 개별 카운트의 설정 조건이 「유효」한 다른 레시피가 있다고 판정된 경우, 단계 S24로 되돌아가 단계 S24∼S30의 처리를 반복한다. 단계 S24∼S30의 처리는, 개별 카운트의 설정 조건이 「유효」한 다른 레시피가 없을 때까지 반복된다.
또한, 본 처리에 있어서, 전체 카운터수가 측정 간격의 배수이고(단계 S16에서 「예」), 또한, 개별 카운터수가 측정 간격의 배수인(단계 S24에서 「예」) 경우, 동일한 웨이퍼에 대하여, 위치 검출기(11)에 의한 위치의 측정(단계 S18, S26) 및 위치 어긋남량의 기록(단계 S20, S28)의 처리가 2회 행해진다. 따라서, 단계 S18, S20의 처리가 행해진 웨이퍼에 대해서는, 단계 S26, S28의 처리를 생략해도 좋다.
본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(10) 및 기판 처리 장치(10)에 의해 실행되는 위치 검출 처리에 의하면, 전체 카운터 또는 개별 카운터가 측정 간격의 배수가 되었을 때, PM에 대한 웨이퍼의 반입 및 반송 전후로 웨이퍼의 위치를 측정하고, 그 차분(差分)으로부터 PM 내에서의 웨이퍼의 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 이와 같이 하여 PM의 반입 및 반출 시에 웨이퍼의 위치 어긋남을 측정함으로써, PM 내에서의 위치 어긋남의 변화를 추적할 수 있다. 이에 따라, PM 내의 파트의 시간 경과에 따른 변화를 추정할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 위치 검출 처리에 의하면, 설정된 측정 간격에 따라서, 처리되는 웨이퍼로부터 일정 간격으로 솎아내고 웨이퍼를 선택한다. 선택된 웨이퍼는, 위치 검출기(11)에 반송되어 위치가 측정된다. 이에 따라, 위치 검출기(11)에 대한 웨이퍼의 과잉 반송을 억제하여, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
예컨대, 도 5에 나타낸 바와 같이, 설정된 측정 간격이, 전체 카운터에서는 「5회」, 개별 카운터 1에서는 「2회」, 개별 카운터 2에서는 「3회」인 것으로 한다. 이 경우, 전체 카운터의 누적값에 기초하여, 처리되는 웨이퍼가 5장째, 10장째, 15장째, … 와 같이, 전체 카운터의 측정 간격의 배수일 때의 웨이퍼가 선택되고, 위치 검출기(11)에 반송되어, 웨이퍼의 위치 검출 및 위치 보정이 행해진다.
또한, 개별 카운터 1의 누적값에 기초하여, 개별 카운터 1에 지정한 레시피로 처리되는 웨이퍼가 2장째, 4장째, 6장째, … 와 같이, 개별 카운터 1의 측정 간격의 배수일 때의 웨이퍼가 선택되고, 위치 검출기(11)에서 위치의 검출 및 보정이 행해진다.
동일하게, 개별 카운터 2의 누적값에 기초하여, 개별 카운터 2에 지정한 레시피로 처리되는 웨이퍼가 3장째, 6장째, … 와 같이, 개별 카운터 2의 측정 간격의 배수일 때의 웨이퍼가 선택되고, 위치 검출기(11)에서 위치의 검출 및 보정이 행해진다. 그 결과, 위치 검출기(11)에 대한 웨이퍼의 반송을 억제하여, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 도 6에 나타낸 바와 같이, LLM로부터 반출된 웨이퍼(W)(도 6에서는 「W」로 표시)가 상류측 PM인 PM 1, 하류측 PM인 PM 2의 순으로 반송되는 경우이자, PM 1의 전체 카운터를 유효로 설정하고, PM 2의 전체 카운터를 무효로 설정하고, 모든 개별 카운터를 무효로 설정한 경우, PM 2에서는 웨이퍼의 위치 어긋남의 검증이 행해지지 않는다. PM 1에서는 설정된 측정 간격에 기초하여, 일정한 간격으로 선택된 웨이퍼에 대하여 PM 1에 대한 반입 전에 그리고 PM 1로부터의 반출 후에 위치 어긋남의 검증이 행해진다. 그 결과, PM 2에서 처리되는 웨이퍼의 위치 검출기(11)에 대한 반송을 억제할 수 있어, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
[변형예]
다음으로, 도 7 및 도 8을 참조하여, 상기 실시형태의 변형예에 따른 위치 검출 시의 판정 처리에 관해 설명한다.
PM 내에서의 웨이퍼의 위치 어긋남의 일례에서는, 정전 척으로부터 웨이퍼를 박리할 때 발생했다고 추측된다. 웨이퍼를 박리할 때 웨이퍼를 원활하게 이탈시킬 수 없는 경우, 웨이퍼가 튀어서 웨이퍼의 위치가 어긋난다. 또한, 웨이퍼가 크게 튀면, 웨이퍼의 균열이나 파손의 위험이 커진다.
따라서, 본 실시형태의 변형예에 따른 위치 검출 시의 판정 처리에서는, PM의 반입 반출 시의 웨이퍼의 위치 어긋남량을 PM마다 체크하여, 각 PM에 대한 반입 시, 반출 시에 있어서의 위치 어긋남이 각각의 허용 범위를 넘는 경우에는, 소정의 처리를 행한다. 소정의 처리로는, 오퍼레이터에 대한 통지나 인터록(interlock)에 의해 반송 장치(13)를 정지시키는 것을 들 수 있다. 이에 따라, 기판 처리 장치(10)의 이상에 대하여 신속히 대응할 수 있다.
예컨대, 본 변형예에 따른 위치 검출 시의 판정 처리는, 도 7의 (1)∼(3)의 반송 타이밍에 실행되는 것이 바람직하다.
(1) LLM 1, 2로부터 TM을 경유하여 PM 1, 2에 반송될 때.
(2) PM 1로부터 TM을 경유하여 PM 2에 반송될 때(PM 2로부터 TM을 경유하여 PM 1에 반송될 때).
(3) PM 1, 2로부터 TM을 경유하여 LLM 1, 2에 반송될 때.
본 변형예에서는, 웨이퍼의 위치 어긋남량의 허용 범위인 임계치가 PM마다 설정될 수 있다. 임계치는, PM의 시간 경과에 따른 변화가 허용 범위를 넘은 것을 나타내는 어긋남량의 값으로 설정된다. 또한, PM마다 웨이퍼를 반입할 때의 임계치와, 웨이퍼를 반출할 때의 임계치를 설정할 수 있다.
웨이퍼를 반입 및 반출할 때의 임계치는, 다음 PM에 웨이퍼를 넣으면 안 되는 위치 어긋남량의 한계치를 나타낸다. 또한, 웨이퍼를 반입 및 반출할 때의 임계치는, 좌우, 상하 및 회전 방향의 웨이퍼의 위치 어긋남을 나타내도 좋다. 본 변형예에 의하면, PM마다 반입 시의 임계치 및 반출 시의 임계치가 설정된다. 이와 같이 웨이퍼의 위치 어긋남을 PM마다, 반입 및 반출에 있어서 세밀하게 제어함으로써, 기판 처리 장치(10)를 보다 안전하게 사용할 수 있다.
(위치 검출 시의 판정 처리)
본 실시형태에 따른 위치 검출 시의 판정 처리의 일례에 관해, 도 8을 참조하면서 설명한다. 본 실시형태에 따른 위치 검출 처리는, 제어부(20)에 의해 제어된다. 본 처리가 실행되기 전에, PM마다 반입에서의 위치 어긋남의 임계치와, 반출에서의 위치 어긋남의 임계치가 미리 설정되어 있다. 예컨대, PM 1에 대한 반입에서의 위치 어긋남의 임계치가 임계치 「A」로서 설정되고, PM 1로부터의 반출에서의 위치 어긋남의 임계치가 임계치 「B」로서 설정되어 있다. 마찬가지로, PM 2에 대한 반입에서의 위치 어긋남의 임계치가 임계치 「C」로서 설정되고, PM 2로부터의 반출에서의 위치 어긋남의 임계치가 임계치 「D」로서 설정되어 있다.
도 8의 처리가 시작되면, 우선 제어부(20)는, PM 1에 반입하기 전에 위치 검출기(11)가 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치[예컨대 도 7의 (1) 참조]가, PM 1에 대한 반입에 있어서 허용되는 임계치 A를 초과했는지를 판정한다(단계 S50). 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치가 임계치 A를 초과했다고 판정된 경우, 오퍼레이터에게 통지하고(단계 S52) 본 처리를 종료한다. 한편, 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치가 임계치 A를 초과하지 않았다고 판정된 경우, 단계 S54로 진행한다.
다음으로, 제어부(20)는, PM 1로부터 반출한 후에 위치 검출기(11)가 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치[예컨대 도 7의 (2) 참조]가, PM 1로부터의 반출에 있어서 허용되는 임계치 B를 초과했는지를 판정한다(단계 S54). 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치가 임계치 B를 초과했다고 판정된 경우, 오퍼레이터에게 통지하고(단계 S56) 본 처리를 종료한다. 한편, 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치가 임계치 B를 초과하지 않았다고 판정된 경우, 단계 S58로 진행한다.
다음으로, PM 2에 반입하기 전에 위치 검출기(11)가 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치[예컨대 도 7의 (2) 참조]가, PM 2에 대한 반입에 있어서 허용되는 임계치 C를 초과했는지를 판정한다(단계 S58). 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치가 임계치 C를 초과했다고 판정된 경우, 오퍼레이터에게 통지하고(단계 S60) 본 처리를 종료한다. 한편, 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치가 임계치 C를 초과하지 않았다고 판정된 경우, 단계 S62로 진행한다.
다음으로, PM 2로부터 반출한 후에 위치 검출기(11)가 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치[예컨대 도 7의 (3) 참조]가, PM 2로부터의 반출에 있어서 허용되는 임계치 D를 초과했는지를 판정한다(단계 S62). 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치가 임계치 D를 초과했다고 판정된 경우, 오퍼레이터에게 통지하고(단계 S64) 본 처리를 종료한다. 한편, 측정한 웨이퍼의 위치의 측정치가 임계치 D를 초과하지 않았다고 판정된 경우, 그대로 본 처리를 종료한다.
본 변형예에 의하면, 각 PM에 대한 반입 전에 각 PM에서 설정된 임계치를 초과하는 위치 어긋남이 웨이퍼에서 나타나는 경우, 각 PM에 대한 웨이퍼의 반입은 행하지 않고 오퍼레이터에게 통지를 행함으로써, 위치 어긋남이 허용 범위를 초과한 것을 오퍼레이터에게 알릴 수 있다. 이에 따라, 다음 PM에 웨이퍼를 반입하여 프로세스를 행하는 것을 방지하여, 위치 어긋남에 의해 정전 척으로부터 웨이퍼가 튀거나 파손되는 것을 방지할 수 있다. 통지를 받은 오퍼레이터는, 육안으로 웨이퍼의 위치 어긋남 상태를 확인하고, 대책을 신속하게 행할 수 있다.
예컨대, PM 1로부터의 반출 시의 위치를 검출할 때에 오퍼레이터에 대한 통지가 행해진 경우이자, 통지를 받은 오퍼레이터의 판단으로 웨이퍼의 처리를 중지하는 지시가 있는 경우에는, PM 2에 대한 웨이퍼의 반입은 행하지 않고 웨이퍼는 LP로 반환된다. 본 변형예에서는, 임계치 A∼D는 반송 한계를 나타내는 값일 필요는 없고, 반송 한계보다 작은 위치 어긋남에 대해서도 세심하게 대책을 취할 수 있다. 또한, 웨이퍼를 LP로 반환할 때의 반송 경로에서의 다른 파트와 웨이퍼의 간섭의 위험성이 있는 경우에는, 시스템을 인터록하는 등의 수단을 취해도 좋다. 또한, 본 변형예에서 사용되는 임계치는 기판 처리 장치(10)의 가동 개시 시에 설정되어도 좋다.
[기판 처리 장치의 다른 구성]
본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(10)는, 도 1에 나타내는 클러스터 툴형의 기판 처리 장치(10)에 한정되지 않는다. 예컨대, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(10)는, 도 9에 나타내는 구성의 기판 처리 장치(10)이어도 좋다.
도 9의 기판 처리 장치(10)의 전체 구성에 관해 간단히 설명한다. 도 9의 기판 처리 장치(10)는, 트랜스퍼 챔버(TC)에 로드록 모듈(LLM 1, LLM 2) 및 프로세스 모듈(PM 1, PM 2)을 착탈 가능하게 나란히 설치한 것이다. TC, LLM 및 PM의 기능은 상기 실시형태의 TM, LLM 및 PM의 각각의 기능과 동일하다. LLM 1에는 반송 아암(19a)이 설치되고, LLM 2에는 반송 아암(19b)이 설치되어 있다. 또한, TC에는 반송 장치(17)가 구비되어 있다. 또한, TC에는, 웨이퍼의 방향을 맞추기 위한 프리얼라이너(16)가 설치되어 있다.
도 9의 기판 처리 장치(10)에서는, 필요로 하는 처리에 따라서, 예를 들면 LP 1∼LP 3의 어느 FOUP로부터 복수의 PM(PM 1, PM 2)에 웨이퍼를 연속적으로 반송하는 소위 직렬 반송을 행할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)에서는, LP 1∼LP 3 중 2개 이상의 FOUP로부터 복수의 PM에 웨이퍼(W)를 병렬적으로 반송하는 소위 병렬 반송을 행할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)에서는, LP 1∼LP 3 중 어느 FOUP로부터 하나의 PM에 웨이퍼(W)를 반송하는 OR 반송을 행할 수 있다. 도 9의 기판 처리 장치(10)에 있어서도 도 1과 동일하게 제어부에 의해 웨이퍼의 처리나 반송이 제어된다.
정전 척 등의 기판 처리 장치(10) 내의 파트의 시간 경과에 따른 변화에 따라, PM 내에서 웨이퍼의 위치가 어긋나 버리는 경우가 있다. 따라서, 위치 어긋남의 유무 및 위치 어긋남량을 검출 가능한 위치 검출기(11)가 TC 내에 구비되어 있다. 이상, 일 실시형태 및 그 변형예에 따른 기판 처리 장치(10) 및 그 기판 처리 장치(10)에서 행해지는 위치 검출 처리에 관해 설명했다.
전체 웨이퍼에 대하여 위치 검출기(11)로 위치의 측정과 위치 어긋남의 보정을 행하면, 정전 척 등의 파트에 영향을 미치지 않는 프로세스에 대한 웨이퍼의 반입 및 반출 시에 있어서도 위치 검출기(11)를 경유하여, 위치 검출기(11)에 있어서 위치 검출 등의 처리가 행해져, 처리량이 저하되어 버린다.
따라서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체에 의하면, 정전 척 등의 PM 내의 파트에 영향을 미치는 프로세스를 위한 레시피에 따라서 처리되는 웨이퍼가, 소정의 간격으로 제어부(20)에 의해 자동 선택된다. 선택된 웨이퍼는, 위치 검출기(11)에 의한 위치 검출의 대상이 된다. 이에 따라, 위치 검출기(11)에 과잉으로 웨이퍼를 반송하는 것을 억제하여, 처리량을 향상시킬 수 있다.
이상, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체를 상기 실시형태에 의해 설명했지만, 본 발명에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체는 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지 변형 및 개량이 가능하다. 이상의 복수의 실시형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 조합될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 PM은, 용량 결합형 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma) 장치, 유도 결합형 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma), 레이디얼 라인 슬롯트 안테나를 이용한 플라즈마 처리 장치, 헬리콘파 여기형 플라즈마(HWP : Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR : Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치 등이어도 좋다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의해 처리되는 기판은, 웨이퍼에 한정되지 않고, 예컨대 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display)용의 대형 기판, EL 소자 또는 태양 전지용의 기판이어도 좋다.
10 : 기판 처리 장치 12 : 처리부
14 : 반입 반출부 15 : 반입 반출실
20 : 제어부 21 : CPU
22 : ROM 23 : RAM
24 : HDD 25 : 입출력 I/F
26 : 디스플레이 PM : 프로세스 모듈
TM : 트랜스퍼 모듈 LLM : 로드록 모듈
LP : 로드 포트

Claims (6)

  1. 기판을 처리하는 프로세스 모듈과,
    기판의 위치를 검출하는 위치 검출기와,
    동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판 중에서, 설정된 프로세스 모듈의 측정 간격에 따라서 선택된 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 프로세스 모듈은, 복수의 레시피 중 어느 것에 설정된 순서에 따라서 기판을 처리하고,
    상기 제어부는,
    동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판 중 미리 정해진 레시피에 의해 처리되는 기판 중에서, 설정된 미리 정해진 레시피의 측정 간격에 따라서 선택된 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하고,
    동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판에 대하여, 레시피마다 축적된 위치 어긋남량과 측정 간격의 상관관계의 데이터에 기초하여 위치 검출 조건의 설정이나 갱신을 자동으로 수행하도록 상기 위치 검출기를 제어하는 것인 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 프로세스 모듈마다 설정된, 반입 시 및 반출 시의 각각의 위치 어긋남의 임계치에 기초하여, 상기 프로세스 모듈의 반입 시 및 반출 시 중 적어도 어느 쪽에 있어서 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하고,
    상기 측정된 기판의 위치의 어긋남이 임계치보다 큰 경우 통지를 행하는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 프로세스 모듈의 측정 간격의 설정 및 상기 레시피의 측정 간격의 설정의 유효 또는 무효를 설정하고,
    상기 설정이 유효한 프로세스 모듈의 측정 간격 및 상기 미리 정해진 레시피의 측정 간격에 따라서 선택된 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하는 것인 기판 처리 장치.
  4. 기판을 처리하는 프로세스 모듈과, 기판의 위치를 검출하는 위치 검출기와, 제어부를 갖는 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법으로서,
    상기 제어부에 의해, 동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판 중에서, 설정된 프로세스 모듈의 측정 간격에 따라서 선택된 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하고,
    상기 프로세스 모듈은, 복수의 레시피 중 어느 것에 설정된 순서에 따라서 기판을 처리하고,
    상기 제어부에 의해,
    동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판 중 미리 정해진 레시피에 의해 처리되는 기판 중에서, 설정된 미리 정해진 레시피의 측정 간격에 따라서 선택된 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하고,
    동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판에 대하여, 레시피마다 축적된 위치 어긋남량과 측정 간격의 상관관계의 데이터에 기초하여 위치 검출 조건의 설정이나 갱신을 자동으로 수행하도록 상기 위치 검출기를 제어하는 것인 기판 처리 방법.
  5. 기판을 처리하는 프로세스 모듈과, 기판의 위치를 검출하는 위치 검출기와, 제어부를 갖는 기판 처리 장치를 사용하여 컴퓨터에서 실행시키는, 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체로서,
    상기 프로세스 모듈은, 복수의 레시피 중 어느 것에 설정된 순서에 따라서 기판을 처리하고,
    상기 제어부에 의해, 동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판 중에서, 설정된 프로세스 모듈의 측정 간격에 따라서 선택된 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하고,
    상기 제어부에 의해,
    동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판 중 미리 정해진 레시피에 의해 처리되는 기판 중에서, 설정된 미리 정해진 레시피의 측정 간격에 따라서 선택된 기판의 위치를 측정하도록 상기 위치 검출기를 제어하고,
    동일한 프로세스 모듈 내에서 처리되는 기판에 대하여, 레시피마다 축적된 위치 어긋남량과 측정 간격의 상관관계의 데이터에 기초하여 위치 검출 조건의 설정이나 갱신을 자동으로 수행하도록 상기 위치 검출기를 제어하는
    처리를, 컴퓨터에서 실행시키는, 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체.
  6. 삭제
KR1020150183716A 2014-12-25 2015-12-22 기판 처리 장치， 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체 KR102423378B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-262860 2014-12-25
JP2014262860A JP6415971B2 (ja) 2014-12-25 2014-12-25 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラムを記録した記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160078901A KR20160078901A (ko) 2016-07-05
KR102423378B1 true KR102423378B1 (ko) 2022-07-22

Family

ID=56165072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150183716A KR102423378B1 (ko) 2014-12-25 2015-12-22 기판 처리 장치， 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9824861B2 (ko)
JP (1) JP6415971B2 (ko)
KR (1) KR102423378B1 (ko)
TW (1) TWI679721B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113496908B (zh) * 2020-04-08 2024-04-16 中国科学院微电子研究所 半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004241428A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014090013A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043394A (ja) 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd 位置ずれ検出装置及び処理システム
JP4786925B2 (ja) * 2005-04-04 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2007251090A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置の搬送位置合わせ方法、真空処理装置及びコンピュータ記憶媒体
JP5242906B2 (ja) * 2006-10-17 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP6013792B2 (ja) 2012-06-12 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板搬送装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004241428A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014090013A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201635417A (zh) 2016-10-01
US9824861B2 (en) 2017-11-21
JP2016122775A (ja) 2016-07-07
TWI679721B (zh) 2019-12-11
JP6415971B2 (ja) 2018-10-31
US20160190024A1 (en) 2016-06-30
KR20160078901A (ko) 2016-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102386557B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
US10290523B2 (en) Wafer processing apparatus, recording medium and wafer conveying method
CN105529293B (zh) 用于传送晶片的设备前端模块以及传送晶片的方法
JP5007359B2 (ja) 基板処理装置、基板搬送方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法及びコントローラ
US9773690B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system, and method of detecting abnormality in transport container
TWI728981B (zh) 半導體製造裝置及基板運送方法
JP6185722B2 (ja) 基板処理装置、基板移載方法及び半導体装置の製造方法並びに状態検知プログラム
KR20100016329A (ko) 처리 장치, 처리 방법, 피처리체의 인식 방법 및 기억 매체
CN110690139B (zh) 基板处理系统、基板搬送方法以及存储介质
JP5463066B2 (ja) ロット処理開始判定方法及び制御装置
TW201436085A (zh) 基板處理裝置、基板裝置之運用方法及記憶媒體
KR101715440B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 기판의 반송 제어 방법
KR102423378B1 (ko) 기판 처리 장치， 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 기록한 기록 매체
JPWO2016017685A1 (ja) 基板処理装置、基板搬送方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体
KR20160066824A (ko) 기판 이송 방법
US9818629B2 (en) Substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
US10269605B2 (en) Processing system and processing program
KR101141521B1 (ko) 웨이퍼 정렬장치 및 이를 포함하는 로드락 챔버
US20060112978A1 (en) Apparatus and method for wet-treating wafers
JP2002329770A (ja) 基板検出装置、基板処理装置及びその運転方法。
US20220037176A1 (en) Transfer detection method and substrate processing apparatus
JP2014116341A (ja) 基板処理システム及び基板処理装置の縮退運用方法
KR20060117621A (ko) 반도체 제조설비 및 그의 제어방법
US20220324659A1 (en) Method of teaching transfer device, and transfer system
JP2011009290A (ja) ウェーハの処理方法、ウェーハの処理システム、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハの製造システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant