JP2002043394A - 位置ずれ検出装置及び処理システム - Google Patents

位置ずれ検出装置及び処理システム

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JP2002043394A
JP2002043394A JP2000219823A JP2000219823A JP2002043394A JP 2002043394 A JP2002043394 A JP 2002043394A JP 2000219823 A JP2000219823 A JP 2000219823A JP 2000219823 A JP2000219823 A JP 2000219823A JP 2002043394 A JP2002043394 A JP 2002043394A
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Masaki Kondo
昌樹 近藤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理体の製造誤差や熱伸縮に影響されるこ
となく被処理体の位置ずれの有無及び位置ずれ量を正確
に求めることができる位置ずれ検出装置を提供する。 【解決手段】 周辺部に方向認識切り欠き部OFを有す
る円盤状の被処理体Wの位置ずれを検出する装置におい
て、前記方向認識切り欠き部を除く前記被処理体の周辺
輪郭の位置を検出するように配置された3つの輪郭検出
センサ手段36−1〜36−3、38−1〜38−3
と、前記3つの輪郭検出センサ手段の各検出値に基づい
て前記被処理体の中心位置と基準原点との間のずれ量を
求めるずれ量演算部40とを備える。これにより、被処
理体の製造誤差や熱伸縮に影響されることなく被処理体
の位置ずれの有無及び位置ずれ量を正確に求める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体に対して所定の処理を施す処理システム及び搬
送途中に発生する位置ずれを検出する位置ずれ検出装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、IC等のような半導体集積回路
を製造するには、シリコン基板等の半導体ウエハの表面
に、成膜、酸化拡散、エッチング、アニール等の各種の
処理を繰り返し行なう必要がある。この場合、処理効率
を向上させるために、それぞれの処理を行なう処理室を
1つの共通搬送室に連結させて設けて、いわゆるクラス
タツール装置化し、ウエハを各処理室間に渡り歩くよう
に搬送しながら一連の上述したような処理を行なうよう
にしている。
【0003】図10は上述したような従来の処理システ
ムの一例を示す概略構成図である。図示するように、こ
の処理システム2は、例えば真空引き可能になされた共
通搬送室4にそれぞれゲートバルブ6A〜6Cを介して
複数、ここでは3つの処理室8A〜8Cを連結して構成
される。各処理室8A〜8C内には、例えば静電力でウ
エハを吸着保持する静電チャックを上面に配置した載置
台10A〜10Cが設けられる。また、この共通搬送室
4には、ゲートバルブ12A、12Bを介して、略円板
状の半導体ウエハを収容したカセットを収納する2つの
カセット室14A、14Bが連結される。そして、上記
共通搬送室4内に、旋回及び屈伸可能になされた例えば
多関節アームよりなる搬送機構16が設けられており、
この搬送機構16により半導体ウエハWを保持し、これ
を各カセット室14A、14Bと各処理室8A〜8Cと
の間及び各処理室8A〜8C間で受け渡して搬送するよ
うになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、載置台10
A〜10CからウエハWを受け取る際、ウエハWを十分
に除電するが、この除電が不十分の時には受け渡しの際
に、残留電荷によってウエハが跳ね上がって位置ズレを
生じたまま搬送機構に保持される場合がある。そのた
め、半導体ウエハWを搬送機構16で保持して搬送する
時には、この搬送機構16のアーム18の先端の保持中
心18Aに、半導体ウエハWの中心をかなり精度良く許
容量以内に一致させた状態で位置ずれをほとんど生じる
ことなくウエハWを移載する必要がある。
【0005】このために、従来にあっては、例えば特開
平10−223732号公報や特開平10−24768
1号公報や米国特許第5483138号公報等に開示さ
れたような位置ずれ検出装置が提案されている。この一
例として、例えば図10に示すような検出装置について
説明すると、共通搬送室4内において、各処理室8A〜
8Cのゲートバルブ6A〜6Cの近傍に所定の間隔を隔
ててそれぞれ一対のラインセンサ20、22を配置し、
ここにウエハWが通過する時に一旦これを所定の位置で
停止させてウエハの2箇所のエッジ(周辺輪郭の位置)
を検出し、この検出値に基づいてその時のウエハ中心が
基準原点からどの程度位置ずれを生じているかを求める
ようになっている。
【0006】しかしながら、円盤状の半導体ウエハに
は、僅かではあるが製造誤差が発生することは避けられ
ないことからその直径にばらつきが生じたり、また、前
工程が熱処理の場合にはその余熱のために、半導体ウエ
ハの直径が僅かに熱膨張している場合もある。このよう
な状況下において、上述したような、一対のラインセン
サ20、22を用いた従来の検出装置では、位置ずれの
発生及びその位置ずれ量を十分に検出できない場合があ
った。例えば搬送機構16に保持された半導体ウエハW
の中心が、基準原点よりも僅かに搬送機構16の中心方
向へ位置ずれしている場合であって、その半導体ウエハ
の直径が製造誤差によって基準直径よりも僅かに大きい
時には、ウエハWに位置ずれが生じているにもかかわら
ず、両ラインセンサ20、22の検出値に基づく演算で
は位置ずれなしであると認識されたり、或いは位置ずれ
量が誤って認識される、とった問題があった。
【0007】また、特開平10−247681号公報で
開示されている位置ずれ検出装置では、3つのセンサを
用いて、その内の1つのセンサはノッチ(V字状の切り
欠き)の部分を検出することとしているので、上述した
ようなウエハ製造誤差や熱伸縮等によるウエハ直径の変
動に対して十分に対応することが困難である。特に、半
導体装置の微細化がより進んだことから、現在の半導体
ウエハの製造では、その直径の誤差は±0.2mm程度
しか許容されておらず、その位置ずれ量を精度よく検出
し、且つそれを補正する必要がある。本発明は、以上の
ような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案さ
れたものである。本発明の目的は、被処理体の製造誤差
や熱伸縮に影響されることなく被処理体の位置ずれの有
無及び位置ずれ量を正確に求めることができる位置ずれ
検出装置及び処理システムを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明によ
れば、周辺部に方向認識切り欠き部を有する円盤状の被
処理体の位置ずれを検出する装置において、前記方向認
識切り欠き部を除く前記被処理体の周辺輪郭の位置を検
出するように配置された3つの輪郭検出センサ手段と、
前記3つの輪郭検出センサ手段の各検出値に基づいて前
記被処理体の中心位置と基準原点との間のずれ量を求め
るずれ量演算部とを備えるように構成したものである。
これにより、3つの輪郭検出センサ手段は、例えばノッ
チやオリエンテーションフラット等の方向認識切り欠き
部を除いた位置で被処理体の周辺輪郭を検出することが
できるので、これにより被処理体の直径の製造誤差や熱
伸縮に影響させることなく被処理体の中心位置を求める
ことができ、この結果、位置ずれの有無及び位置ずれ量
を高い精度で求めることができる。
【0009】この場合、例えば請求項2に規定するよう
に、前記3つの輪郭検出センサ手段は、前記基準原点を
中心として平面的に互いに実質的に120度離間させて
配置させるようにしてもよい。これによれば、位置ずれ
量の検出精度を一層高めることが可能となる。また、例
えば請求項3に規定するように、前記輪郭検出センサ手
段の設置位置は、前記方向認識切り欠き部の円周方向に
おける長さと前記被処理体に許容されている最大ずれ量
とを加味して決定されるようにする。これにより、被処
理体に許容されている最大ずれ量が発生していても、こ
れを十分に検出することが可能となる。
【0010】更に、例えば請求項4に規定するように、
前記輪郭検出センサ手段は、帯状の検査光を発する発光
素子と、前記被処理体の半径方向に沿って配置されたラ
イン状の受光素子とを有しており、前記受光素子の近傍
には前記帯状の検査光の端部の光を遮断するスリット板
が設けられている。これによれば、検出特性が劣化する
傾向にある帯状の検査光の端部をスリット板にて遮断し
てしまうので、位置ずれ量の検出精度を一層向上させる
ことが可能となる。
【0011】請求項5に係る発明は、上記位置ずれ検出
装置を用いた処理システムに係り、被処理体に対して所
定の処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理
室の搬出入口に共通に連結された共通搬送室と、この共
通搬送室内に設けられて前記各処理室との間で前記被処
理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされた
搬送機構とよりなる処理システムにおいて、前記共通搬
送室内に、前記処理室の内の少なくとも1つの処理室の
搬出入口に対応させて前記被処理体を一時的に待機させ
る待機位置を設け、前記待機位置に対応させて前記被処
理体の周辺輪郭の位置を検出するために上記位置ずれ検
出装置を設け、前記位置ずれ検出装置の検出値に基づい
て前記搬送機構に保持される前記被処理体の位置ずれ量
を求めてこの位置ずれを補正するように前記搬送機構を
制御する制御手段を設けたことを特徴とする処理システ
ムである。請求項6に係る発明は、被処理体に対して所
定の処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理
室の搬出入口に共通に連結された共通搬送室と、この共
通搬送室内に設けられて前記各処理室との間で前記被処
理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされた
搬送機構とよりなる処理システムにおいて、前記共通搬
送室に、位置ずれ検出室を連結させて設け、前記位置ず
れ検出室内に前記被処理体の周辺輪郭の位置を検出する
ための位置ずれ検出装置を設け、前記位置ずれ検出装置
の検出値に基づいて前記搬送機構に保持される前記被処
理体の位置ずれ量を求めてこの位置ずれを補正するよう
に前記搬送機構を制御する制御手段を設けたことを特徴
とする処理システムである。
【0012】請求項7に係る発明は、請求項6の処理シ
ステムにおいて、先の位置ずれ検出装置を用いている。
請求項8に規定するように、例えば前記位置ずれ検出室
には、前記被処理体を一時的に支持する支持手段が設け
られている。これによれば、被処理体を支持手段に保持
させて待機した状態で、共通搬送室内の搬送機構は他の
被処理体の搬送を行なうことが可能となる。請求項9に
規定するように、例えば前記位置ずれ検出室の入口に
は、前記共通搬送室に対して連通及び遮断可能とする開
閉可能な開閉弁が設けられるようにしてもよい。これに
よれば、開閉弁を閉じることによって位置ずれ検出室内
のみのメンテナンスを行なうことが可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る位置ずれ検
出装置及び処理システムの一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。図1は本発明に係る処理システムを示す概
略平面図、図2は待機位置に設置された輪郭検出センサ
手段と被処理体との位置関係を示す拡大図、図3は位置
ずれ検出装置と搬送機構の制御系を示すブロック図、図
4は輪郭検出センサ手段の一例を示す図、図5は輪郭検
出センサ手段の特性曲線を示す図、図6は位置ずれ量の
算出方法の一例を説明するための説明図である。図10
にて説明した従来の処理システムと同一部分については
同一符号を付して説明する。図示するように、この処理
システム24は、真空引き可能になされた略六角形状の
共通搬送室4を有しており、この共通搬送室4には、そ
れぞれ搬出入口に設けたゲートバルブ6A〜6Dを介し
て複数、ここでは4つの処理室8A〜8Dが連結され
て、いわゆるクラスタツール装置になされている。各処
理室8A〜8D内には、例えば静電力で被処理体である
半導体ウエハWを吸着保持する静電チャックを上面に備
えた載置台10A〜10Dが設けられる。これらの各処
理室8A〜8Dは、ウエハに対してどのように処理を行
なう装置でもよく、プラズマ或いは熱CVD成膜処理、
アニール処理、プラズマ或いはプラズマレスエッチング
処理、酸化拡散処理等を必要に応じて行なう処理室を設
ける。
【0014】また、この共通搬送室4には、ゲートバル
ブ12A、12Bを介して略円盤状のウエハWを収容し
たカセットを収容する2つのカセット室14A、14B
が連結されている。そして、この共通搬送室4内の略中
央には、旋回及び屈伸可能になされた例えば多関節アー
ムよりなる搬送機構16が設けられており、この搬送機
構16のアーム18の先端に2つの爪部18Aを設け
て、この爪部18Aで半導体ウエハWを保持し、これを
各カセット室14A、14Bと各処理室8A〜8Dとの
間及び各処理室8A〜8D間で受け渡して搬送するよう
になっている。この場合、アーム18の先端の2つの爪
部18A間に位置する保持中心O2にウエハWの中心を
位置ずれがないように位置させてウエハWを保持するの
が好ましい。上記共通搬送室4内の上記カセット室14
A、14B側には、ウエハを保持して回転する回転テー
ブル26とこの時のウエハWの周縁部の輪郭の位置変動
を検出するラインセンサ28等を含む位置合わせ機構3
0が設けられており、ウエハWの位置合わせを行なうよ
うになっている。
【0015】そして、共通搬送室4内には、上記処理室
8A〜8Dの内の少なくとも1つ、図示例では時計回り
方向に1つ置きの処理室8A、8Cの搬出入口、すなわ
ちゲートバルブ6A、6Cの設置位置に対応させて搬送
時のウエハWを一時的に停止させて待機させる待機位置
32A、32Cを設けている。この待機位置32A、3
2Cは、図示例では便宜上ウエハと同じサイズの一点鎖
線の円形で示しているが、実際にはウエハが通過できる
単なる空間である。そして、この共通搬送室4に本発明
の特徴とする位置ずれ検出装置34を設け、この位置ず
れ検出装置34により上記各待機位置32A、32Cの
中心位置を基準原点OA、OCとし、後述するようにこ
の基準原点OA、OCからのウエハ中心のずれ量を位置
ずれ量として求めるようになっている。具体的には、上
記位置ずれ検出装置34は、上記各待機位置32A、3
2Cに対応させて配置したそれぞれ3つの輪郭検出セン
サ手段36−1〜36−3及び38−1〜38−3を有
しており、ウエハWの周辺輪郭(周辺エッジ)の位置を
検出するようになっている。
【0016】そして、図3にも示すように、各輪郭検出
センサ手段36−1〜36−3及び38−1〜38−3
は、例えばマイクロコンピュータ等よりなるずれ量演算
部40へ接続されて、上記位置ずれ検出装置34を構成
している。これにより、ウエハWが各待機位置32A、
32Cに位置された時における上記各輪郭検出センサ手
段36−1〜36−3及び38−1〜38−3の検出値
に基づいてウエハの中心位置と各基準原点OA、OCと
の間の位置ずれ量を求めるようになっている。そして、
図3に示すようにこのずれ量演算部40の出力であるず
れ量は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御手
段42に入力されており、この制御手段42は、このず
れ量を相殺するように、前記搬送機構16の駆動源であ
る駆動モータ系43を制御するようになっている。
【0017】上記3つで1組をなす輪郭検出センサ手段
36−1〜36−3及び38−1〜38−3は、それぞ
れ対応する処理室8A、8Cに対して全く同じ配列状態
で配置されており、この配列状態をここでは処理室8A
に対応する待機位置32Aに設けた輪郭検出センサ手段
36−1〜36−3を例にとって、図2を参照しつつ説
明する。図2において待機位置32AとウエハWの周辺
輪郭とは便宜上、重なって示されており、図示するよう
に、上記3つの輪郭検出センサ手段36−1〜36−3
は、基準原点OAを中心として放射状に配置され、且つ
平面的に互いに実質的に120度ずつ離間させて配置さ
れており、また、各センサ手段36−1〜36−3の一
部を構成する後述するライン状の受光素子、例えばライ
ンセンサ44−1〜44−3は適正位置に静止したウエ
ハ周辺輪郭と略直交するように上記基準原点OAに向け
て配置されている。
【0018】また、ウエハWには、一般的にその方向を
認識するための方向認識切り欠き部、例えば8インチウ
エハの場合にはウエハの一部を直線状に切り欠いてなる
オリエンテーションフラットが形成され、12インチウ
エハの場合にはウエハの一部を僅かにV字状に切り欠い
てなるノッチが形成される。図2に示す場合には、方向
認識切り欠き部としてオリエンテーションフラット(以
下、オリフラとも称す)OFが形成されている場合を示
してあり、オリフラOFは処理室8A側に位置されてい
る。ここで重要な点は、上記輪郭検出センサ手段36−
1〜36−3のいずれをも、上記オリフラOFの部分を
除外した位置に配列する、という点である。図示例で
は、輪郭検出センサ手段36−1がオリフラOFに最も
接近させて配置されており、この場合、輪郭検出センサ
手段36−1の処理室8Aの方向に対する偏向角度α
は、上記オリフラOFの円周方向における長さとこのウ
エハに対して許容されている最大ずれ量とを加味して決
定される。例えば8インチウエハの場合には、この偏向
角度αを22度以上となるように設定し、ウエハWが最
大ずれ量内でどのように位置ずれしても、オリフラOF
部分が輪郭検出センサ手段36−1(ラインセンサ44
−1)まで位置ずれしないようにしており、位置ずれ誤
差の発生を防止するようになっている。尚、当然のこと
として、12インチウエハの場合には、これに設けたノ
ッチは8インチウエハのオリフラOFに対してその長さ
が非常に短いので、上記偏向角度αの下限は、非常に小
さくなり、例えば3度程度となる。
【0019】ここで上記各輪郭検出センサ手段36−1
〜36−3及び38−1〜38−3は、全て同じ構造と
なっているので、ここでは代表として輪郭検出センサ手
段36−1を例にとって説明する。図4に示すように、
この輪郭検出センサ手段36−1は、例えば共通搬送室
4の天井部4Aに支持させた発光素子46−1とこれに
対向するように共通搬送室4の底部4Bに支持させた前
記受光素子、例えばラインセンサ44−1とにより主に
構成されており、位置ずれ量測定のために、上記発光素
子46−1とラインセンサ44−1との間にウエハWが
位置される。具体的には、上記発光素子46−1は、天
井部4Aに形成した開口に、Oリング等のシール部材5
1を介して設けた例えば石英等の光透過窓53の上面に
取り付けられており、また、上記ラインセンサ44−1
は、底部4Bに形成した開口に、同じくOリング等のシ
ール部材55を介して設けた例えば、石英等の光透過窓
57の下面に取り付けられている。上記発光素子46−
1は、帯状の検査光L1を照出するものであり、その長
さ方向を基準原点OA(図2参照)に向けて配置され
る。これに対向する上記ラインセンサ44−1も、前述
したようにその長さ方向を基準原点OAに向けて配置さ
れており、検査光L1を実際に検出するセンサ本体48
の受光位置、或いはウエハWによる遮光位置に応じてウ
エハWの周辺輪郭(エッジ部)の位置を検出するように
なっている。そして、このラインセンサ44−1の近傍
には、スリット板50が設けられており、このスリット
板50には、上記帯状の検査光L1の両端部の光を遮断
して上記帯状の検査光L1の内、中央部の光のみを通過
させる細長いスリット孔52が形成されており、検出精
度を向上させ得るようになっている。この検出精度の向
上について図5を参照して説明する。
【0020】図5は輪郭検出センサ手段の特性曲線を示
しており、横軸にウエハ輪郭の実際の位置を示し、縦軸
にウエハ輪郭の計算位置を示している。また、横軸には
スリット板50の平面図とセンサ本体48とを対応させ
て記載している。また、図5中の目盛り位置の一部を図
4中に対応させて記してある。一般的に、ウエハ輪郭の
位置検出は、センサ本体48における受光位置(遮光位
置)に応じてその時の光量を光電変換により電気に変換
してその時の電圧、或いは電流出力によって求めるが、
この特性は図5に示すように、センサ本体48の両端
部、例えばX1−X2の間、或いはX3−X4の間では
特性は曲線状となってしまうので、この部分においては
ウエハ輪郭の算出位置に誤差が含まれ易くなる。これに
対して、センサ本体48の中央部(X2−X3の間)で
は特性は略直線状となるので、この部分においてはウエ
ハ輪郭の算出位置の精度が非常に高くなる。そこで、本
実施例では上述のようにスリット孔52を設けることに
よって帯状の検査光L1の両端部の光を遮断しており、
これにより、検出精度を高めることが可能となる。
【0021】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、処理を行なうに先立っ
て、位置ずれ検出の基準となる各待機位置32A、32
Cの精密な値を装置の制御系に教え込むためのティーチ
ング操作を行なう。この操作は、載置台10A、10C
の静電チャックは用いないでこれをオフ状態としてお
き、この状態で載置台10A、10C上の適正な位置に
ウエハを精度良く一致させた状態で、すなわち位置ずれ
がない状態でウエハWを載置する。そして、各処理室8
A、8Cや共通搬送室4を真空状態にして搬送機構16
を駆動して、上記各ウエハを載置台10A、10Cから
搬送し、これをそれぞれ対応する待機位置32A、32
Cで停止させ、この時の各輪郭検出センサ手段36−1
〜36−3及び38−1〜38−3の検出値をゼロ基準
とし、この時の各基準原点OA、OCをそれぞれ求め
る。以後、この値を基準としてウエハWの位置ずれ量を
検出することになる。
【0022】次に、半導体ウエハWの一般的な流れから
説明する。いずれか一方のカセット室、例えば14Aに
収容されている未処理の半導体ウエハWは、搬送機構1
6を旋回及び屈伸させることにより、開放されたゲート
バルブ12Aを介してアーム18の先端の爪部18Aに
保持され、共通搬送室4内に取り込む。そして、この搬
送機構16を旋回させることにより、このウエハWを位
置合わせ機構30の回転テーブル26上に載置して保持
させる。そして、このウエハWを回転させてラインセン
サ28にてそのエッジを検出することにより、ウエハの
位置ずれを求め、次に、このウエハをアーム18で保持
する時に、上記位置ずれを相殺するように保持し、これ
によりウエハは適正に位置合わせされた状態で爪部18
Aに保持される。この位置合わせされたウエハWは、搬
送機構16により所定の処理室、例えば8Aに方向付け
される。そして、この搬送機構16を伸ばして開放され
ているゲートバルブ6Aを介して処理室8A内にウエハ
Wを搬入し、これを載置台10A上に載置し、静電チャ
ックの吸引力で固定する。
【0023】このように、ウエハWの搬入が終了したな
らば、処理室8A内にてウエハWに対して所定の処理を
行なうことになる。この処理が終了したならば、搬送機
構を伸長させて、開放されたゲートバルブ6Aを介して
アーム18を処理室8A内に侵入させ、この先端の爪部
18Aに処理済みのウエハWを保持させる。そして、搬
送機構16を縮退させることにより、ウエハWを共通搬
送室4内に取り込む。この際、載置台10A上に静電チ
ャックを設けてある場合には、このチャック電源を切っ
てウエハWの除電を予め行なっておく。尚、この際、ウ
エハの除電が不十分でアーム18でウエハWを保持する
際にウエハWが跳ねて位置ずれを生じたままアーム18
に保持される場合やウエハWの直径が熱によって大きく
なっている場合がある。そして、搬送機構16を縮退さ
せる時、ウエハWを待機位置32Aで一旦停止し、この
待機位置32Aの基準原点OAに対するウエハWの中心
位置のずれ量を輪郭検出センサ手段36−1〜36−3
の検出値に基づいて求める。そして、このウエハWに対
して次の処理を施す場合には、搬送機構16を旋回させ
て、このウエハWを次の処理室、例えば8Bに方向付け
する。そして、先程、処理室8Aから搬出する時に、待
機位置32Aにて求めたウエハWの位置ずれ量を補正し
てこれを相殺するように搬送機構16の動作、すなわち
この回転量θや屈伸量Rを制御し、載置台10Bの適正
な位置にウエハWを載置することになる。
【0024】次に、この処理室8B内にてウエハWに対
して所定の処理を施したならば、このウエハWを搬送機
構16により取りに行き、共通搬送室4内に取り込む。
そして、このウエハWを次の処理のために処理室8内に
搬入する場合には、搬入を直前に、このウエハWを待機
位置32Cで一旦停止して待機させ、ここで輪郭検出セ
ンサ手段38−1〜38−3を用いて前述したと同様に
してこの待機位置32Cの基準原点OCに対するウエハ
Wの中心位置の位置ずれ量を求める。そして、ここで求
めた位置ずれ量を補正して相殺するように搬送機構16
の動作、すなわちこの回転角θや屈伸量Rを制御し、載
置台10Cの適正な位置にウエハWを載置することにな
る。そして、この処理室8C内で所定の処理が終了し
て、このウエハWを処理室8Cから処理室8Dへ移載す
る場合には、ウエハWを搬送機構16により処理室8C
から取り出した時に、このウエハWを上記待機位置32
Cで一旦停止させて、ここでウエハWの位置ずれ量を求
める。そして、この位置ずれ量を補正して相殺するよう
に上記搬送機構16の動作を制御し、これを処理室8D
内の載置台10D上に載置することになる。この時の関
係は、上記処理室8Aから処理室8BへウエハWを移載
する時と同じである。このようにして、完全にウエハW
の処理が完了したならば、この完全に処理済みのウエハ
Wを、例えば他方のカセット室12B内のカセットに収
容することになる。このように、各処理室8A〜8D内
にウエハWを搬入する前には必ず位置合わせ機構30或
いは本発明の位置ずれ検出装置34により位置ずれ量を
求める。尚、ここでは最後の処理室から取り出したウエ
ハをそのままカセットに戻す場合について説明したが、
そのウエハの位置ずれ量を位置ずれ検出装置34で検出
し、そのずれ量を補正してカセットに戻すようにしても
よい。この操作は、後述する装置例においても同様であ
る。
【0025】次に、図3乃至図6を参照して位置ずれ量
の検出及びその補正について説明する。各待機位置32
A、32Cに対応させて図3に示すように、輪郭検出セ
ンサ手段36−1〜36−3及び38−1〜38−3が
配置されているので、図4に一例として示すように、例
えば発光素子46−1とラインセンサ44−1との間に
存在するウエハWの周辺輪郭(エッジ部)の位置によ
り、その時のエッジ部のラインセンサ44−1上におけ
る座標(検出値)を特定することができる。そして、各
輪郭検出センサ手段36−1〜36−3或いは38−1
〜38−3の検出値をずれ量検出部40に入力すること
により、ここで各待機位置32A、或いは32Cにおけ
る基準原点OA或いはOCとウエハ中心との間の位置ず
れ量が求められる。そして、この位置ずれ量を参照し
て、制御手段42は上記位置ずれ量を補正して相殺する
ように駆動モータ系43に指令信号を出力し、搬送機構
16の回転角度θ及び屈伸量Rを制御する。
【0026】ここで図6を用いて上記位置ずれ量を求め
る時の演算手法の一例を、待機位置32Aを例にとって
説明する。ここで基準原点OAを座標の原点とし、ウエ
ハWの実際の中心WOの座標を(X、Y)とし、更に、
各輪郭検出センサ手段36−1〜36−3の各検出値の
座標を、それぞれ(x1、y1)、(x2、y2)及び
(x3、y3)とする。このような図において、上記各
検出値の3点の内の任意の2組の点を結ぶ各線分をそれ
ぞれ垂直2等分する2つの線分の交点が、座標(X、
Y)となるので、X、Yは以下の式である数1、数2の
ように表すことができる。
【0027】
【数1】
【0028】
【数2】
【0029】従って、原点(0、0)と座標(X、Y)
を結ぶ線分56が、適正位置ウエハに対する位置ずれウ
エハの位置ずれ量となる。そして、上述したように、こ
の位置ずれ量56を相殺するように、制御手段42は駆
動モータ系43を制御することになる。ここで、本実施
例では1つの待機位置、例えば32Aに対して3個の輪
郭検出センサ手段36−1〜36−3を配置し、且つこ
れらのセンサ手段36−1〜36−3のいずれもが方向
認識切り欠き部、例えばオリフラOFの位置から外れる
ように位置されているので、ウエハWの位置ずれを正確
に検出することができるのは勿論のこと、例えば製造誤
差によりウエハ直径にばらつきが生じていたり、或いは
熱処理時の残留熱によってウエハ直径が僅かに伸縮して
いるような場合にあっても、これらに影響させることな
く、正確にウエハWの中心位置を求めてその位置ずれ量
を適正に求めることができる。この点をより詳しく説明
すると、例えば図10に示す従来装置のように2つのラ
インセンサ20、22を用いてウエハ中心を検出してい
る場合には、ウエハ直径が基準よりも僅かに大きくて、
且つこの中心がセンサ20、22の配列方向に対して直
交する方向に僅かに位置ずれしているような場合には、
両ラインセンサ20、22には、適正サイズのウエハを
位置ずれなしで設置されている時と同様な検出値が出力
される場合があり、従って、この時には”位置ずれな
し”として誤って判断されてしまう場合が生ずる。
【0030】これに対して、本発明装置の場合には、オ
リフラOFの部分を除いたウエハ輪郭の3点で位置検出
を行なっているので、上述したように位置ずれしている
場合には、これを適正に且つ正確に認識することが可能
となる。また、3つの位置ずれ検出装置、例えば36−
1〜36−3を互いに120度間隔で配置する必要はな
いが、特に、本実施例のように上記3つの位置ずれ検出
装置、例えば36−1〜36−3を平面内にてそれぞれ
互いに略120度離間させて載置するように構成すれ
ば、ウエハWの位置ずれがいずれの方向に発生しても、
その検出誤差を最も少なくすることができ、この場合に
は、検出精度を大幅に向上させることができる。
【0031】また、更には、図4及び図5に示すように
ラインセンサ、例えば44−1の近傍にスリット板50
を設けて特性が良好でない帯状検査光L1の両端部の光
を遮断するようにしたので、その検出精度を一層向上さ
せることが可能となる。また、上記実施例にあっては、
図1中において、各処理室8A〜8Dの内、時計回り方
向に1つ置きに待機位置32A、32C及び3個1組の
輪郭検出センサ手段36−1〜36−3及び38−1〜
38−3を設けたが、これに限定されず、4つの処理室
の内、少なくとも1つの処理室に対応させて3個1組の
輪郭検出センサ手段を設けるようにすればよい。また、
半導体ウエハの搬送経路は、各処理室8A〜8Dに対し
て順に時計回りの方向で処理を行なう場合を例にとって
説明したが、これは単に一例を示したに過ぎない。
【0032】更には、上記実施例では共通搬送室4内に
輪郭検出センサ手段36−1〜36−3及び38−1〜
38−3を設けるようにしたが、これに限定されず、複
数の処理室8A〜8Dの内の一部の処理室に代えて位置
ずれの検査を行なう位置ずれ検出室を連結するようにし
てもよい。図7はこのような他の実施例に係る処理シス
テムを示す概略平面図、図8は上記位置ずれ検出室を示
す断面図である。図7に示すように、ここでは図1中の
処理室8Dに代えて、例えばアルミニウム製の位置ずれ
検出室60を開閉弁としてのゲートバルブ6Dを介して
共通搬送室4に連結されている。尚、このゲートバルブ
6Dを設けずに、共通搬送室4内と位置ずれ検出室60
内とを常時連通状態としてもよい。そして、この位置ず
れ検出室60内に、ウエハWの待機位置32Eを設定
し、ここに、例えば待機位置32Aに設けたように輪郭
検出センサ手段36−1〜36−3と全く同じ構成の輪
郭検出センサ手段39−1〜39−3を設けるようにす
る。尚、図7中において、図4中に示す構成部分と同一
構成部分については同一参照符号を付してあり、例えば
各輪郭検出センサ手段39−1〜39−3は、発光素子
46−1〜46−3、ラインセンサ44−1〜44−3
及びスリット板(図示せず)をそれぞれ有している。こ
の場合には、共通搬送室4内には、位置合わせ機構30
を除き、他の輪郭検出センサ手段36−1〜36−3及
び38−1〜38−3を設けないようにしてもよい。
【0033】この実施例にあっては、位置合わせ機構3
0にて位置合わせした場合を除き、例えば各処理室8
B、8C内へウエハを搬入する直前に、この位置ずれ検
出室60内へ搬送機構16によりウエハWを搬入して一
時的に停止させ、ウエハWの位置ずれ量を検出するよう
にすればよい。この実施例の場合には、若干はウエハの
搬送速度が遅くなるが前述した装置例と同様な作用効果
を発揮することができる。また、ゲートバルブ6Dを設
けている場合には、この開閉弁であるゲートバルブ6D
を閉じて共通搬送室4内と位置ずれ検出室60内の連絡
を断つようにすれば、共通搬送室4内を大気開放するこ
となく、この位置ずれ検出室60内を大気開放してこの
メンテナンス作業を行なうことが可能となる。この場
合、位置ずれ検出室60に対して、N2 供給系や真空排
気系が独立して設けられる。
【0034】また、図8に示す位置ずれ検出室60内
に、図9に示すように、この中へ搬入された半導体ウエ
ハWを一時的に支持する支持手段70を設けるようにし
てもよい。この支持手段70は、ウエハWの裏面を支持
する例えば石英製の3本の支持ピン72を有しており、
この3本の支持ピン72を共通に昇降ロッド74に連結
し、この昇降ロッド74を、位置ずれ検出室60の底部
60Aに設けたロッド孔76を貫通させて下方に延出
し、この昇降ロッド74を昇降駆動機構78により上下
移動可能としている。そして、上記昇降ロッド74の周
囲を覆うようにして、上記底部60Aと昇降駆動機構7
8との間は、伸縮可能になされた金属製のベローズ80
が設けられており、位置ずれ検出室60の気密性を維持
しつつ上記昇降ロッド74及び支持ピン72の上下移動
を可能としている。
【0035】5この場合には、ウエハWを上記支持手段
70の支持ピン72に支持させた状態で、このウエハの
位置ずれ量を検出することができるので、この時に搬送
機構16(図7参照)は他の半導体ウエハの搬送を行な
うことができ、その分、搬送効率を向上させて搬送速度
を上げることが可能となる。尚、図8乃至図9に示すよ
うに、位置ずれ検出室60を設けた場合には、これに設
ける位置ずれ検出装置は、例えば図2乃至図5にて説明
したような本発明の位置ずれ検出装置に限定されず、例
えば図10に示したような従来の位置ずれ検出装置を設
けるようにしてもよい。また、上記の実施例では、一の
処理室から取り出したウエハを他の処理室で処理する際
に位置ずれを検出する場合について述べた。しかし、カ
セットから取り出したウエハを一の処理室で処理をし
て、その後、他の処理室を介さずにカセットに戻す処理
のみをする場合もある。かかる装置では位置ずれ検出装
置は設けられていない場合もある。このような装置にお
いて、事後的に実施例で説明した連続処理をするように
処理手順が変更された場合、位置ずれ検出室60を、既
設の処理システムの共通搬送室4の空きのポートに接続
して追加することにより、容易に上記実施例と同様な効
果を得ることができる。以上の各実施例にあっては、被
処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、略
円盤形状であればこれに限定されず、例えばLCD基
板、ガラス基板にも本発明を適用できるのは勿論であ
る。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の位置ずれ
検出装置及び処理システムによれば、次のように優れた
作用効果を発揮することができる。請求項1、3、5、
7に係る発明によれば、3つの輪郭検出センサ手段は、
例えばノッチやオリエンテーションフラット等の方向認
識切り欠き部を除いた位置で被処理体の周辺輪郭を検出
することができるので、これにより被処理体の直径の製
造誤差や熱伸縮に影響させることなく被処理体の中心位
置を求めることができ、この結果、位置ずれの有無及び
位置ずれ量を高い精度で求めることができる。請求項2
に係る発明によれば、各輪郭検出センサ手段は、基準原
点を中心として平面的に互いに略120度離間されてい
るので、位置ずれ量の検出精度を一層高めることができ
る。請求項4に係る発明によれば、検出特性が劣化する
傾向にある帯状の検査光の端部をスリット板にて遮断し
てしまうので、位置ずれ量の検出精度を一層向上させる
ことができる。請求項8に係る発明によれば、被処理体
を支持手段の支持ピンに支持させた状態で、この被処理
体の位置ずれ量を検出することができるので、この時に
搬送機構は他の被処理体の搬送を行なうことができ、そ
の分、搬送効率を向上させて搬送速度を上げることがで
きる。請求項9に係る発明によれば、開閉弁であるゲー
トバルブを閉じて共通搬送室内と位置ずれ検出室内の連
絡を断つようにすれば、共通搬送室内を大気開放するこ
となく、この位置ずれ検出室内を大気開放してこのメン
テナンス作業を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る処理システムを示す概略平面図で
ある。
【図2】待機位置に設置された輪郭検出センサ手段と被
処理体との位置関係を示す拡大図である。
【図3】位置ずれ検出装置と搬送機構の制御系を示すブ
ロック図である。
【図4】輪郭検出センサ手段の一例を示す図である。
【図5】輪郭検出センサ手段の特性曲線を示す図であ
る。
【図6】位置ずれ量の算出方法の一例を説明するための
説明図である。
【図7】他の実施例に係る処理システムを示す概略平面
図である。
【図8】位置ずれ検出室を示す断面図である。
【図9】本発明の更に他の実施例の処理システムの位置
ずれ検出室を示す構成図である。
【図10】従来の処理システムの一例を示す概略構成図
である。
【符号の説明】
4 共通搬送室 8A〜8D 処理室 10A〜10D 載置台 14A,14B カセット室 16 搬送機構 18 アーム 24 処理システム 32A,32C,32E 待機位置 34 位置ずれ検出装置 36−1〜36−3,38−1〜38−3,39−1〜
39−3 輪郭検出センサ手段 40 ずれ量演算部 42 制御手段 44−1〜44−3 ラインセンサ(受光素子) 46−1〜46−3 発光素子 48 センサ本体 50 スリット板 52 スリット孔 60 位置ずれ検出室 70 支持手段 72 支持ピン L1 検査光 OA 基準原点 OC 基準原点 OF オリフラ(方向認識切り欠き部) W 半導体ウエハ(被処理体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA12 AA17 AA20 AA51 BB03 BB27 CC19 EE00 FF02 HH05 HH13 HH15 JJ02 JJ05 JJ09 JJ25 LL28 NN20 PP11 PP12 PP13 QQ00 QQ28 TT01 TT08 3F022 AA08 CC02 EE05 KK10 KK18 NN01 NN12 QQ12 5F031 CA02 DA17 FA01 FA11 FA12 GA43 JA03 JA05 JA17 JA27 JA29 JA34 JA35 KA11 KA13 KA14 MA04 MA24 MA28 MA29 MA30 MA32 NA09

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 周辺部に方向認識切り欠き部を有する円
    盤状の被処理体の位置ずれを検出する装置において、前
    記方向認識切り欠き部を除く前記被処理体の周辺輪郭の
    位置を検出するように配置された3つの輪郭検出センサ
    手段と、前記3つの輪郭検出センサ手段の各検出値に基
    づいて前記被処理体の中心位置と基準原点との間のずれ
    量を求めるずれ量演算部とを備えたことを特徴とする位
    置ずれ検出装置。
  2. 【請求項2】 前記3つの輪郭検出センサ手段は、前記
    基準原点を中心として平面的に互いに実質的に120度
    離間させて配置されていることを特徴とする請求項1記
    載の位置ずれ検出装置。
  3. 【請求項3】 前記輪郭検出センサ手段の設置位置は、
    前記方向認識切り欠き部の円周方向における長さと前記
    被処理体に許容されている最大ずれ量とを加味して決定
    されていることを特徴とする請求項1または2記載の位
    置ずれ検出装置。
  4. 【請求項4】 前記輪郭検出センサ手段は、帯状の検査
    光を発する発光素子と、前記被処理体の半径方向に沿っ
    て配置されたライン状の受光素子とを有しており、前記
    受光素子の近傍には前記帯状の検査光の端部の光を遮断
    するスリット板が設けられることを特徴とする請求項1
    乃至3のいずれかに記載の位置ずれ検出装置。
  5. 【請求項5】 被処理体に対して所定の処理を施すため
    の複数の処理室と、前記複数の処理室の搬出入口に共通
    に連結された共通搬送室と、この共通搬送室内に設けら
    れて前記各処理室との間で前記被処理体を保持して搬送
    すべく旋回及び屈伸可能になされた搬送機構とよりなる
    処理システムにおいて、前記共通搬送室内に、前記処理
    室の内の少なくとも1つの処理室の搬出入口に対応させ
    て前記被処理体を一時的に待機させる待機位置を設け、
    前記待機位置に対応させて前記被処理体の周辺輪郭の位
    置を検出するために請求項1乃至4のいずれかに規定す
    る位置ずれ検出装置を設け、前記位置ずれ検出装置の検
    出値に基づいて前記搬送機構に保持される前記被処理体
    の位置ずれ量を求めてこの位置ずれを補正するように前
    記搬送機構を制御する制御手段を設けたことを特徴とす
    る処理システム。
  6. 【請求項6】 被処理体に対して所定の処理を施すため
    の複数の処理室と、前記複数の処理室の搬出入口に共通
    に連結された共通搬送室と、この共通搬送室内に設けら
    れて前記各処理室との間で前記被処理体を保持して搬送
    すべく旋回及び屈伸可能になされた搬送機構とよりなる
    処理システムにおいて、前記共通搬送室に、位置ずれ検
    出室を連結させて設け、前記位置ずれ検出室内に前記被
    処理体の周辺輪郭の位置を検出するための位置ずれ検出
    装置を設け、前記位置ずれ検出装置の検出値に基づいて
    前記搬送機構に保持される前記被処理体の位置ずれ量を
    求めてこの位置ずれを補正するように前記搬送機構を制
    御する制御手段を設けたことを特徴とする処理システ
    ム。
  7. 【請求項7】 前記位置ずれ検出装置は、請求項1乃至
    4のいずれかに規定する位置ずれ検出装置であることを
    特徴とする請求項6記載の処理システム。
  8. 【請求項8】 前記位置ずれ検出室には、前記被処理体
    を一時的に支持する支持手段が設けられていることを特
    徴とする請求項6または7記載の処理システム。
  9. 【請求項9】 前記位置ずれ検出室の入口には、前記共
    通搬送室に対して連通及び遮断可能とする開閉可能な開
    閉弁が設けられることを特徴とする請求項6乃至8のい
    ずれかに記載の処理システム。
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