JP2011009290A - ウェーハの処理方法、ウェーハの処理システム、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハの製造システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも、ウェーハの処理装置のロードロック室内に配したカセットに複数枚のウェーハを収納し、前記カセットから前記ウェーハを処理室に順次搬送して、該搬送した前記ウェーハに枚葉式で所定の処理を施すウェーハの処理方法において、前記カセットに移載装置によって前記ウェーハを投入する際に、前記ウェーハの投入枚数N1を計数する一方、前記カセットから前記処理室へウェーハを搬送した回数N2を計数し、前記N1と前記N2が一致するか否かを判定することを特徴とするウェーハの処理方法。
【選択図】図3
Description
このような気相エピタキシャル成長は、例えば枚葉式のエピタキシャルウェーハの製造装置を用いて行うことができる。
次に、ロードロック室内に投入したカセットのウェーハを装置が認識(マッピング)することにより該カセット内のどの位置にウェーハが搭載されているかを認識する。すなわち、カセット内のウェーハの位置及び数を認識する。
例えばエピタキシャル用のウェーハは、多くの場合ボロンまたはリンを高濃度に含んでいる。そして次工程で熱処理を施す場合、このような気相成長未処理のエピタキシャル層が形成されていないままのウェーハと共に気相成長処理済みのエピタキシャルウェーハを一括でバッチ処理すると、未処理のウェーハ表面からボロンやリンが外方拡散により炉内に拡散して炉内を汚染してしまうのみならず、エピタキシャルウェーハへ付着して悪影響を及ぼしてしまうという重大な問題がある。
この様な空処理が行われた場合、特許文献1に記載の方法では投入枚数よりも処理枚数が多いと判定してしまう問題がある。
ここで、枚葉式とは、1枚毎のウェーハに対して順次所定の処理を施す方式のことである。そしてこの所定の処理には、例えば各種気相成長や各種熱処理、スパッタリングなどが含まれる。また、各種気相成長には、ウェーハの主表面上への単結晶薄膜の気相エピタキシャル成長や、ウェーハの主表面上への多結晶薄膜の化学気相成長(CVD)、多結晶基板の主表面上への多結晶薄膜の気相成長などが含まれる。
このように、N1とN2が一致しない場合には不一致を報知することによって、未処理ウェーハの存在をより確実に検出することができ、未処理ウェーハに次工程処理(熱処理等)を行ってしまう等の問題が発生することをより確実に抑制することができる。
このように、制御装置による判定の結果、投入枚数と搬送回数が一致しない場合に、不一致を報知する発報装置を更に備えることによって、未処理ウェーハが存在するかどうかを更に確実に検出することができる。
このように、N1とN2が一致しない場合に不一致を報知することによって、単結晶薄膜が形成されていない処理漏れのウェーハの存在を更に確実に検出することができる。
このように、制御装置による判定の結果、投入枚数と搬送回数が一致しない場合に、不一致を報知する発報装置を更に備えることによって、単結晶薄膜が形成されていないウェーハをエピタキシャルウェーハとして扱う可能性を更に抑制することができ、不良の発生を更に低減することができる。
また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハの製造システムによれば、ロードロック室内の力セット内のウェーハが処理室に搬送された回数と、ロードロック室内のカセットに投入するウェーハの投入枚数との両計数結果が一致するか否かを判定するため、万一、ロードロック室に投入したウェーハの枚数と、処理室に搬送されたウェーハの枚数とが一致しない場合、この旨を認識できる。
従って、未処理のまま次工程へ投入してしまうということもなくなり、ウェーハの損失を防止できるだけでなく、バッチ単位での処理済みのウェーハの大きな損失、熱処理炉内への汚染等の問題が発生することを未然に防止できるようになる。
本実施の形態は、本発明に係るウェーハの処理方法の一例としてのエピタキシャルウェーハの製造方法および本発明に係るウェーハの処理システムの一例としてのエピタキシャルウェーハの製造システムについて説明を行うものである。
図1および図2に示すように、製造装置10は、複数枚のウェーハSを収納可能なカセット30が配されるロードロック室6,7と、ロードロック室6,7内のカセット30から順次搬送されるウェーハSの主表面上に枚葉式でエピタキシャル層(単結晶薄膜)を気相エピタキシャル成長(以下、単に気相成長ともいう。)するための処理室1と、搬送されたウェーハSを載置するためのサセプタ12と、ウェーハSならびに気相成長後のウェーハS、すなわちエピタキシャルウェーハEPWをロードロック室6,7と処理室1との間で搬送するためのハンドラ4と、このハンドラ4が備え付けられた搬送室3とを備えて略構成されている。
さらに、上側分室61,71には、それぞれ扉63,73の開放状態を検出するための扉開放状態検出スイッチ63s,73s(図3)が設けられている。
なお、下側分室62,72と搬送室3との間には、下側分室62,72と搬送室3との間を開閉するためのゲートバルブ64,74が設けられている。
さらに、ロードロック室6,7内には、カセット30内のウェーハSを装置が認識(マッピング)するための検出センサ66,76が設けられている。そして、昇降台65,75の下降動作に伴わせてカセット30を上側分室61,71から下側分室62,72に移動させる際に、カセット30内の各ウェーハSを検出センサ66,76により検出することによって、カセット30内のウェーハSを装置が認識(マッピング)することができるようになっている。ここで、マッピングとは、装置がウェーハSを認識することを言い、特にカセット30内のウェーハSの数及び位置を認識できるデータを作成することを言う。カセット30内のウェーハSの数及び位置は、例えば昇降台65,75を移動させて、検出センサ66,76のところをウェーハが通過する際に光を遮るので検出できるようになっている。
図1および図2に示すように、移載装置20は、口−ドロック室6,7の上側分室61,71に設けられた扉63,73の前に配設されている。
また、この移載装置20は、ロードロック室6,7の上側分室61,71の前に配した外部カセット35からウェーハSを一枚ずつ抜き取って、ロードロック室6,7の上側分室61,71内に配したカセット30に順次投入して収納させる移載ハンド(図示略)を備えている。
このうち、CPU41は、演算、判定および制御等を行うものである。ROM42は、CPU41による演算用、判定用および制御用の各プログラム等を記憶している。また、RAM43は、CPU41の作業領域や、カセット30に投入されるウェーハSの投入枚数のカウンタ値の記憶領域(以下、投入枚数カウンタともいう。)ならびにウェーハSを処理室へ搬送した回数(搬送回数)のカウンタ値の記憶領域(以下、搬送回数カウンタともいう。)等を有する。つまり、制御装置40は、本発明に係る投入枚数計数装置、搬送回数計数装置としての機能を備える。
すなわち、ロードロック室6内のカセット30に投入されるウェーハSの投入枚数をカウントするための第1の投入枚数カウンタと、ロードロック室7内のカセット30に投入されるウェーハSの投入枚数をカウントするための第2の投入枚数カウンタとが別個に設けられている。
また、同様に、搬送回数カウンタも、ロードロック室6,7に対応して1つずつ設けられている。すなわち、ロードロック室6内のカセット30のウェーハSを処理室へ搬送した回数をカウントするための第1の搬送回数カウンタと、ロードロック室7内のカセット30のウェーハSを処理室へ搬送した回数をカウントするための第2の搬送回数カウンタとが別個に設けられている。
また、例えばゲートバルブ64の開状態が検出開始されることにより、制御装置40では、ロードロック室6に対応する第1の搬送回数カウンタの値を初期化して「0」とするものとすることがより望ましい。
製造システム100は、例えば、以上のように構成されているものとなっている。
この際、1枚のウェーハSをカセット30に収納する毎に、投入信号が移載装置20から制御装置40に対し出力される。この投入信号が入力される毎に、制御装置40では、投入枚数カウンタのカウンタ値を「1」ずつ加算する(図4または図5)。なお、図4、図5では、簡単のため、投入信号および反応信号の数を2つ乃至1つと少なくしている。
ここで、タイミングt1からタイミングt2までの間、ウェーハSをロードロック室6内のカセット30に投入する毎に、第1の投入枚数カウンタのカウンタ値が順次加算された結果、タイミングt2の段階では該カウンタ値が前記所要数N1(ウェーハSの投入枚数と同じ)となっている。
そして、下部分室62と搬送室3との間のゲートバルブ64と、搬送室3と処理室1との間のゲートバルブ5とを開ける。すると、このうちゲートバルブ64の開状態を、ゲートバルブ開状態検出スイッチ64sが検出する。すると、図4または図5に示すように、ゲートバルブ開信号が出力状態に切り替わり(タイミングt3)、制御装置40がロードロック室6に対応する搬送回数計数装置として機能する状態となるとともに、第1の搬送回数カウンタの値が初期化されて「0」となる。
10…製造装置、 11…搬送状態検出スイッチ、 12…サセプタ、
20…移載装置、
30…カセット、 35…外部カセット、
40…制御装置、 41…CPU、 42…ROM、 43…RAM、
50…表示装置、 50a…表示画面、 51,52…セル、
61,71…上側分室、 62,72…下側分室、 63,73…扉、 63s,73s…扉開放状態検出スイッチ、 64,74…ゲートバルブ、 64s,74s…ゲートバルブ開状態検出スイッチ、 65,75…昇降台、 66,76…検出センサ、 67,77…ゲートバルブ、
80…発報装置、
100…製造システム、
S…ウェーハ。
Claims (8)
- 少なくとも、ウェーハの処理装置のロードロック室内に配したカセットに複数枚のウェーハを収納し、前記カセットから前記ウェーハを処理室に順次搬送して、該搬送した前記ウェーハに枚葉式で所定の処理を施すウェーハの処理方法において、
前記カセットに移載装置によって前記ウェーハを投入する際に、前記ウェーハの投入枚数N1を計数する一方、前記カセットから前記処理室へウェーハを搬送した回数N2を計数し、前記N1と前記N2が一致するか否かを判定することを特徴とするウェーハの処理方法。 - 前記判定において、前記N1と前記N2が一致しない場合に、不一致を報知することを特徴とする請求項1に記載のウェーハの処理方法。
- 少なくとも、複数枚のウェーハを収納可能なカセットが配されるロードロック室と、該ロードロック室内の前記カセットから順次搬送されるウェーハに枚葉式で所定の処理を施すための処理室を備えるウェーハの処理装置と、
前記ロードロック室内に配した前記カセットに複数枚のウェーハを順次投入して収納させる移載装置と、
該移載装置により前記カセットに投入される前記ウェーハの投入枚数を計数する投入枚数計数装置と、
前記ロードロック室内に配したカセットから前記処理室へウェーハを搬送した回数を計数する搬送回数計数装置と、
前記投入枚数計数装置により計数される投入枚数と、前記搬送回数計数装置により計数される搬送回数とが一致するか否かを判定する制御装置とを備えることを特徴とするウェーハの処理システム。 - 前記制御装置による判定の結果、前記投入枚数と前記搬送回数が一致しない場合に、不一致を報知する発報装置を更に備えることを特徴とする請求項3に記載のウェーハの処理システム。
- 少なくとも、エピタキシャルウェーハ製造装置のロードロック室内に配したカセットに複数枚のウェーハを収納し、前記カセットから前記ウェーハを順次処理室に搬送して、該搬送した前記ウェーハに枚葉式で前記ウェーハの主表面上に単結晶薄膜を気相エピタキシャル成長することによってエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記カセットに移載装置によって前記ウェーハを投入する際に、前記ウェーハの投入枚数N1を計数する一方、前記カセットから前記気相エピタキシャル処理室へ前記ウェーハを搬送した回数N2を計数し、前記N1と前記N2が一致するか否かを判定することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記判定において、前記N1と前記N2が一致しない場合に、不一致を報知することを特徴とする請求項5に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 少なくとも、複数枚のウェーハを収納可能なカセットが配されるロードロック室と、該ロードロック室内の前記カセットから順次搬送されるウェーハの主表面上に枚葉式で単結晶薄膜を気相エピタキシャル成長するための処理室を備えるエピタキシャルウェーハの製造装置と、
前記ロードロック室内に配したカセットに複数枚のウェーハを順次投入して収納させる移載装置と、
該移載装置により前記カセットに投入される前記ウェーハの投入枚数を計数する投入枚数計数装置と、
前記ロードロック室内に配したカセットから前記処理室へウェーハを搬送した回数を計数する搬送回数計数装置と、
前記投入枚数計数装置により計数される投入枚数と、前記搬送回数計数装置により計数される搬送回数とが一致するか否かを判定する制御装置とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造システム。 - 前記制御装置による判定の結果、前記投入枚数と前記搬送回数が一致しない場合に、不一致を報知する発報装置を更に備えることを特徴とする請求項7に記載のエピタキシャルウェーハの製造システム。
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