KR20230014033A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판이 정상적으로 처리되었는지 여부를 검출 가능한 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램을 제공하는 것이다. 본 개시의 기판 처리 장치(1)는, 기판(200)의 처리를 행하는 처리실(136 내지 139)과, 레시피 정보, 프로세스 데이터, 변동 품질 데이터 및 비교 데이터를 기억하는 기억부(322)와, 프로세스 데이터를 모니터하는 모니터부(330)와, 변동 품질 데이터와 비교 데이터를 비교하여, 비교 데이터에 대한 재현성을 나타내는 재현 지수를 구하여, 재현 지수가 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 레시피 정보에 포함되는 설정 정보의 보정값을 산출하는 해석부(329)와, 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를 보정값으로 보정하는 것이 가능한 제어부(320)를 포함한다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
LSI(Large Scale Integrated circuit)나 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등의 반도체 장치(반도체 디바이스)를 제조할 때 사용되는 기판 처리 장치에 있어서, 실리콘(Si) 웨이퍼 등의 반도체 기판(이하, 단순히 「기판」이라고 함)에 각종 처리를 행할 때, 장치의 고장이나 프로세스 이상과 같은 각종 이상을 검출하기 위해서, 장치의 작동 상태 등의 감시를 행하는 것이 알려져 있다. 또한, 하기 특허문헌 1에는, 복수의 기판 처리 장치가 네트워크로 접속된 환경에서, 각 기판 처리 장치에서 동일한 처리를 실행하기 위해서, 하나의 기판 처리 장치의 각종 정보를 공유하고, 다른 기판 처리 장치에서는 하나의 기판 처리 장치에 의한 처리를 재현하도록 한 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2017-194951호 공보
상기 특허문헌 1에 기재된 것과 같이, 하나의 기판 처리 장치의 처리에 관한 정보를 다른 기판 처리 장치에서 공유하고, 다른 기판 처리 장치에서 하나의 기판 처리 장치에서의 처리를 재현할 경우, 다른 기판 처리 장치에 있어서, 하나의 기판 처리 장치에 의한 처리에 대한 재현성을 높게 유지하는 것이, 각 기판 처리 장치의 생산 품질을 정합시키는 점에서 바람직하다. 여기서, 기판 처리 장치의 생산 품질을 평가하는 방법으로서는, 예를 들어 각 기판 처리 장치에서 성막된 기판의 성막 측정을 행함으로써, 그 생산 품질을 평가하는 방법을 들 수 있다. 그러나, 이와 같은 성막 측정은 일반적으로 전용의 측정 장치를 사용하여 측정할 필요가 있다. 이러한 관점에서, 각 기판 처리 장치측에서 그 생산 품질을 평가할 수 있으면, 간이하게 각 기판 처리 장치의 생산 품질의 정합을 행할 수 있게 된다.
본 개시는, 그 생산 품질을 평가 가능한 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일 양태에 의하면,
기판의 처리를 행하는 처리실과, 기판의 처리를 실행하는 수순을 기재한 레시피 정보, 복수의 기판을 처리하는 동안에 축적되는 프로세스 데이터, 상기 프로세스 데이터로부터 산출되는 변동 품질 데이터, 및 상기 변동 품질 데이터와 비교되는 비교 데이터를 기억하는 기억부와, 상기 프로세스 데이터를 모니터하는 모니터부와, 상기 변동 품질 데이터와 상기 비교 데이터를 비교하여, 상기 비교 데이터에 대한 재현성을 나타내는 재현 지수를 구하여, 상기 재현 지수가 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보의 보정값을 산출하는 해석부와, 상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를 상기 보정값으로 보정하는 것이 가능한 제어부를 포함하는 구성이 제공된다.
본 개시에 의하면, 기판 처리 장치에 의한 처리의 생산 품질의 평가를 기판 처리 장치측에서 행할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 구성도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 제어하는 제어 시스템의 일례를 도시한 기능 블록도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 기판 처리 시스템의 일 양태를 도시한 개략도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 변동 품질 데이터의 생성 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 5는 일련의 기판 처리를 실행한 경우의, 기준 프로세스 데이터와 이 기준 프로세스 데이터와 비교하는 비교 대상의 프로세스 데이터의 온도 변화의 일례를 도시한 도면이다.
도 6은 도 4에 도시하는 변동 품질 데이터의 생성 방법을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 재현 지수의 산출 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 8은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기억부에 기억된 장치 파라미터 테이블의 일례를 도시한 도면이다.
도 9는 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를 보정하기 위한 조건 변경 지령 정보 테이블의 일례를 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 개시를 실시하기 위한 하나 내지 복수의 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 이하에서는 본 개시의 목적을 달성하기 위한 설명에 필요한 범위를 모식적으로 나타내며, 본 개시의 해당 부분의 설명에 필요한 범위를 주로 설명하는 것으로 하고, 설명을 생략하는 개소에 대해서는 공지 기술에 의한 것으로 한다.
<기판 처리 장치의 개략 구성>
도 1은, 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 구성도이며, 상세하게는, 이 기판 처리 장치를 상방에서 본 개략 단면도이다. 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 반도체 장치의 제조 방법의 적어도 일부를 실시하는 것이어도 된다. 기판 처리 장치(1)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 소위 클러스터형 기판 처리 장치(1)이며, 진공 상태 등, 대기압보다 낮은 부압 상태 하에서 동작하는 진공측 영역(도 1의 상측 부분)과 대기압 하에서 동작하는 대기측 영역(도 1의 하측 부분)으로 구획되어 있는 것이어도 된다. 또한, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)로서는, 반도체 장치의 제조 방법 중, 기판(200)에 성막 처리를 행하기 위한 장치를 예시하는 것으로 한다.
대기측 영역에는, 대기 반송실(121)과, 2개의 적재실(로드 로크실)(122, 123)과, 대기 반송 로봇(124)과, 로드 포트(IO 스테이지)(105)와, 노치 맞춤 장치(106)가 마련되어 있어도 된다. 이 중, 대기 반송실(121)은, 대기압 하에서 기판(200)을 반송할 수 있는 공간이면 된다. 이 대기 반송실(121) 내에는, 대기 반송 로봇(124)을 배치할 수 있다. 2개의 적재실(122, 123)은, 대기측 영역과 진공측 영역의 경계 부분에 배치되며, 2개의 영역간의 기판(200)의 반출입을 행할 때 통과하는 공간이다. 이 2개의 적재실(122, 123) 내는, 그 압력이 대기 반송실(121)의 압력과 후술하는 진공 반송실(103)의 압력에 맞춰서 변동 가능하게 되어 있으며, 그러기 위해서 부압 환경에도 견딜 수 있는 구조를 갖고 있으면 된다. 2개의 적재실(122, 123)과 대기 반송실(121)은, 게이트 밸브(128, 129)를 통해서 접속되어 있다. 대기 반송 로봇(124)은, 대기압 하에서 성막 전후의 기판(200)을 이동 탑재하기 위한 로봇이면 된다.
로드 포트(105)는, 대기 반송실(121)에 인접하도록 배치된 스테이지이며, 이 로드 포트(105)의 스테이지 상에는, FOUP(Front Open Unified Pod, 풉)이라고 불리는 격납 용기(이하, 단순히 「포드」라고 함)(100)가 복수 탑재된다. 이 포드(100)는, 그 내부에 복수매의 기판(200)을 격납할 수 있고, 기판(200)의 반송 캐리어로서 기능한다. 복수의 포드(100)는, 그 개구 부분이 대기 반송실(121)에 마련된 기판 반입 반출구(134)에 맞도록, 로드 포트(105) 상에 탑재된다. 그리고, 포드(100)의 개구에 마련된 덮개가, 기판 반입 반출구(134)를 개폐 가능하게 하는 포드 오프너(108)에 의해 개폐됨으로써, 기판(200)의 출입을 가능하게 한다. 또한, 포드(100)는, 도시하지 않은 반송 장치(예를 들어 OHS(Over Head Shuttle)나 OHT(Overhead Hoist Transport))에 의해, 로드 포트(105)에 공급되거나 혹은 로드 포트(105)로부터 배출된다. 또한 이 반송 장치에 의한 포드의 반송은, 예를 들어 후술하는 외부 컴퓨터로서의 호스트 컴퓨터에 의해 관리할 수 있다. 노치 맞춤 장치(106)는, 기판(200)의 위치를 기판(200)에 마련된 노치를 사용해서 맞추는 장치이다. 또한 노치 맞춤 장치(106) 대신에, 기준면 맞춤 장치를 채용할 수도 있다.
진공측 영역에는, 주로 진공 반송실(트랜스퍼 모듈)(103)과, 진공 반송 로봇(112)과, 복수의 처리실(136 내지 139)이 마련되어 있어도 된다. 이 중, 진공 반송실(103)은, 부압 하에서 기판(200)을 반송할 수 있는 공간이면 된다. 이 진공 반송실(103)은, 평면으로 보아 다각형(도 1에서는 육각형) 형상의 하우징으로 구성할 수 있으며, 그 중 2개의 측면에는 2개의 적재실(122, 123)이 게이트 밸브(126, 127)를 통해서 접속되어 있고, 다른 4개의 측면에는, 복수의 처리실(136 내지 139)이 접속되어 있다. 진공 반송실(103)과 각 처리실(136 내지 139)의 사이에도, 폐색 시에 공간끼리를 기밀하게 차단하는 게이트 밸브가 배치되면 된다. 진공 반송실(103)의 형상에 대해서는, 기판 처리 장치(1)가 구비하는 적재실이나 처리실의 수, 취급하는 기판(200)의 크기 등에 맞춰서 적절히 조정이 가능하다.
진공 반송 로봇(112)은, 진공 반송실(103)의 대략 중앙 위치에 배치되어, 적재실(122, 123)과 처리실(136 내지 139)의 사이, 혹은 처리실(136 내지 139)간의 기판(200)의 반송을 행할 수 있는 것이면 된다.
복수(도 1에서는 4개)의 처리실(136 내지 139)은, 반도체 장치의 제조 방법에서의 일 공정, 예를 들어 성막 공정을 실행하는 공간으로 할 수 있다. 각 처리실(136 내지 139)의 구체적인 구조 등은 특별히 한정되지 않지만, 이 각 처리실(136 내지 139)에서의 처리 내용으로서는, 예를 들어 기판 개질 처리나 성막 처리를 채용할 수 있고, 각 처리실(136 내지 139)에서의 처리 방식으로서는, 뱃치식 혹은 매엽식의 것을 채용할 수 있다. 또한, 각 처리실(136 내지 139)에서의 처리 내용은, 동일한 처리를 행하는 것이어도 되고, 다른 처리를 행하는 것이어도 된다.
<제어 시스템의 개략 구성>
도 2는, 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 제어하는 제어 시스템의 일례를 도시한 기능 블록도이다. 상술한 기판 처리 장치(1)는, 그 일련의 동작이 메인 컨트롤러로서 기능하는 제어 시스템(300)에 의해 제어 가능하면 된다. 이 제어 시스템(300)은 예를 들어 주지의 컴퓨터에 의해 구성할 수 있다. 당해 주지의 컴퓨터란, 적어도 휘발성 혹은 불휘발성 메모리(예를 들어 RAM(Random Access Memory)이나 HDD(Hard Disc Drive))와, CPU(Central Processing Unit)로 대표되는 프로세서를 포함하는 것으로 할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제어 시스템(300)이 기판 처리 장치(1)의 메인 컨트롤러를 구성하고 있는 것을 예시하지만, 이 제어 시스템(300)이 메인 컨트롤러와는 별도의 구성 요소로서 메인 컨트롤러와 병존하고 있어도 된다.
제어 시스템(300)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1) 전체를 제어함과 함께, 후술하는 레시피 정보를 보정하는 것이 가능한 제어부(320)와, 제어 시스템(300) 내에서 사용되는 각종 정보를 축적 보존하는 기억부(322)와, 반도체 메모리 등의 외부 기억 매체가 접속됨으로써 데이터의 송수신을 행하는 것이 가능한 외부 기억부(323)와, 기판 처리의 상황 등의 각종 정보를 표시하는 표시부(327a)와, 조작자(구체적으로는, 장치 오퍼레이터, 장치 관리자, 장치 엔지니어, 보수원 혹은 작업자 등)로부터의 각종 지시를 접수하는 조작부(327b)와, 외부 컴퓨터(예를 들어, 공장 내에 설치된 복수의 기판 처리 장치를 운용·감시하기 위한 상위 컴퓨터로서의 호스트 컴퓨터나 데이터 서버)나 다른 장치와 통신을 행하는 통신부(328)와, 후술하는 변동 품질 데이터나 재현 지수의 산출, 및 유효성 판정을 행하는 해석부(329)와, 반송계 컨트롤러, 프로세스계 컨트롤러로부터의 프로세스 데이터를 모니터링하는 모니터부(330)를 포함할 수 있다. 여기서, 모니터부(330)는, 모니터링 결과의 기억부(322)에의 축적을 요구해도 되고, 모니터부(330)에 의한 요구가 없어도, 기억부(322)가 모니터링 결과를 기억해도 된다.
표시부(327a) 및 조작부(327b)는, 다양한 유저 인터페이스로 구성할 수 있으며, 특히 그래피컬 유저 인터페이스(GUI)로 구성할 수 있다. 또한, 표시부(327a)에는, 장치 데이터나 레시피 정보의 편집 상황, 기판 처리 중의 프로세스 데이터나 반송계의 상태, 혹은 필요한 메시지를 표시할 수 있다. 또한, 해석부(329)는, 변동 품질 데이터의 생성이나 재현 지수의 산출을 행하기 위한 연산 수단을 구성하는 것이어도 된다. 변동 품질 데이터의 생성 및 재현 지수의 산출 방법에 대해서는 후술한다.
모니터부(330)가 접속된 반송계 컨트롤러는, 진공 반송 로봇(112)이나 대기 반송 로봇(124)과 같은 기판(200)을 반송하는 부재를 제어하기 위한 컨트롤러로 할 수 있다. 또한 프로세스계 컨트롤러는, 주로 처리실(136 내지 139) 내의 구성, 예를 들어 실내를 진공 배기하기 위한 펌프 및 밸브, 실내에 소정의 가스(예를 들어 처리 가스나, 퍼지 가스로서의 불활성 가스)를 공급하기 위한 밸브 혹은 기판(200)을 가열하는 히터와 같은 기판(200)을 처리할 때 사용되는 부재를 제어하기 위한 컨트롤러로 할 수 있다. 당연히, 이들 컨트롤러는 각종 센서(예를 들어 온도 센서, 압력 센서, 가스 유량 센서)를 포함하고 있어도 된다.
기억부(322)에 저장되는 정보는, 주로 기판(200)의 처리를 실행하는 수순을 기재한 레시피 정보와, 장치 파라미터와, 하나 내지 복수의 기판(200)을 처리하는 동안에 모니터부(330)에 의해 모니터링되어 축적되는 프로세스 데이터와, 이 프로세스 데이터로부터 산출되는 변동 품질 데이터와, 변동 품질 데이터와 비교하기 위한 비교 데이터를 포함할 수 있다.
프로세스 데이터는, 레시피 실행 중에 수집되는 장치 모니터 데이터이며, 예를 들어 레시피에 기초하는 처리의 개시부터 종료까지 각종 센서에 의해 검출된 생파형 데이터나, 레시피 내의 각 스텝의 통계량(최댓값, 최솟값, 평균값 등) 데이터를 포함할 수 있다. 이 프로세스 데이터는, 반송계 컨트롤러로부터 취득되는 반송계 프로세스 데이터와, 프로세스계 컨트롤러로부터 취득되는 프로세스계 프로세스 데이터를 포함할 수 있다. 본 실시 형태에서의 프로세스 데이터는, 구체적으로, 적어도 처리실(136 내지 139)에서의 처리 실행 시의 온도, 가스 유량 및 압력의 파형 데이터를 포함하고 있으며, 이들 데이터가 후술하는 재현 지수의 산출에 사용되고 있다.
장치 파라미터는, 기판 처리 장치(1)가 기판(200)을 처리할 때의 처리 온도, 처리 압력, 처리 가스의 유량과 같은 기판 처리에 관한 데이터나, 제조한 제품 기판의 품질(예를 들어, 성막한 막 두께 및 해당 막 두께의 누적값)에 관한 데이터, 혹은, 기판 처리 장치(1)의 구성 요소(석영 반응관, 히터, 밸브, 매스 플로우 컨트롤러 등)에 관한 데이터(예를 들어 그 설정값이나 실측값)를 포함하고 있어도 된다.
변동 품질 데이터는, 기판 처리 장치(1)의 품질의, 기준이 되는 품질에 대한 변동의 정도를 나타내는 데이터이며, 계산에 의해 구할 수 있는 것을 채용할 수 있다. 이 변동 품질 데이터의 산출 시에는, 모니터부(330)에 의해 모니터링되어 기억부(322)에 기억된 프로세스 데이터와, 비교원으로서의 기준 프로세스 데이터가 사용된다. 여기서, 기준 프로세스 데이터란, 소정 레벨 이상의 품질로 기판 처리를 행했을 때 얻어진 프로세스 데이터이면 된다. 또한, 이 기준 프로세스 데이터는, 비교하는 장치(예를 들어 가장 품질이 좋은 장치)로부터, 혹은 미리 행한 실험 등으로부터 추출된 프로세스 데이터이며, 1매의 기판(200)을 처리하는 동안에 축적되는 프로세스 데이터로 구성되는 것이면 된다. 상기 비교하는 장치로서는, 예를 들어 최초로 품질이 좋은 데이터를 갖는 장치나, 최초로 공장 등에 납입된 기준이 되는 장치(마스터 장치)를 채용할 수 있다. 또한, 실험 등으로부터 추출된 데이터란, 예를 들어 다양한 실험을 거쳐서 추출된 가장 좋은 데이터이면 된다. 또한, 이 변동 품질 데이터의 구체적인 산출 방법에 대해서는 후술한다.
비교 데이터는, 상술한 변동 품질 데이터와 비교되는 데이터이며, 비교하는 장치(예를 들어 가장 품질이 좋은 장치)나, 미리 행한 실험 등으로부터 추출된 데이터를 사용해서 산출된 변동 품질 데이터로 구성할 수 있다. 또한, 이 비교 데이터 및 상술한 기준 프로세스 데이터는, 재현 지수의 유효성 판단 등을 행하기 전에, 미리 기억부(322) 내에 기억되는 것이지만, 당해 데이터를 갖는 장치가 네트워크로 접속되어 있는 경우에는 네트워크 경유로 취득할 수 있고, 또한 외부 기억 매체를 사용해서 외부 기억부(323)를 경유해서 기억부(322)에 카피하는 것도 가능하다. 이하에 나타내는 본 실시 형태에서는, 비교 데이터는 비교하는 장치로부터 네트워크를 통해서 취득하고, 상술한 기준 프로세스 데이터는 미리 행한 실험 등으로부터 취득한 데이터를, 외부 기억부(323)를 통해서, 혹은 네트워크를 통해서 접속된 외부 컴퓨터 등으로부터 통신부(328)를 통해서 취득해서 기억부(322) 내에 기억하는 것을 예시하고 있다.
도 3은, 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 기판 처리 시스템의 일 양태를 도시한 개략도이다. 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같은, 복수(도 3에서는 7개)의 기판 처리 장치(1(0) 내지 1(6))가 네트워크를 통해서 서로 접속됨으로써 데이터의 송수신이 가능한 상태에서, 공장 등에 설치된 기판 처리 시스템(S)을 구성하는 것이면 된다. 그리고, 이들 복수의 기판 처리 장치(1(0) 내지 1(6))에서는, 공통되는 하드웨어 구성을 구비할 수 있어, 공통되는 처리 공정을 실시할 수 있다. 도 3에 도시하는 기판 처리 시스템(S) 중의 기판 처리 장치 중, 하나의 기판 처리 장치, 예를 들어 기판 처리 장치(1(0))는, 표준이 되는 장치 데이터를 갖는, 최초로 공장 등에 납입된 마스터 장치이다. 그리고, 다른 기판 처리 장치, 즉 다른 6개의 기판 처리 장치(1(1) 내지 1(6))는, 예를 들어 마스터 장치 후에 공장 등에 납입된 장치이며, 마스터 장치가 갖는 각종 정보를 마스터 장치로부터 직접, 또는 네트워크에 접속된 도시하지 않은 외부 컴퓨터 등으로부터 네트워크 경유로 수신함으로써, 마스터 장치와 마찬가지의 처리를 실현하는 리피트 장치이다. 이하의 설명에서는, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)가, 상기 복수의 기판 처리 장치 중, 하나의 리피트 장치(예를 들어 기판 처리 장치(1(1)))에 대응하는 것으로서 설명을 행한다. 또한, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)를 마스터 장치에 대응하는 것으로 할 수도 있다. 그 경우의 비교 데이터는, 실험 등으로부터 추출된 데이터 등을 채용하면 된다.
상술한 리피트 장치를 구성하는 기판 처리 장치(1)에서는, 상술한 비교 데이터로서, 이 기판 처리 장치(1)의 처리실에서 실행하는 처리와 공통의 처리를 실행한 마스터 장치의 처리실에서 산출된 변동 품질 데이터를 채용할 수 있다. 이와 같이, 비교 데이터로서 마스터 장치의 처리실의 변동 품질 데이터를 채용함으로써, 리피트 장치의 처리실에서의 마스터 장치의 처리에 대한 재현성을 평가할 수 있다. 이에 더하여, 리피트 장치에서 산출된 변동 품질 데이터와 마스터 장치에서 산출된 변동 품질 데이터를 비교함으로써, 양쪽 장치에서의 생산 품질을 맞출 수 있다. 이에 의해, 공장 내에서 제조되는 제품 기판의 품질을 정합시킬 수 있어, 그 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
<반도체 장치의 제조 방법>
변동 품질 데이터의 생성 방법에 대해서 설명하기 전에, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서 실시되는 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 설명한다. 또한, 여기에서 말하는 반도체 장치의 제조 방법(기판 처리 방법)은, 그 일부를 구성하는 기판 성막 공정을 가리키는 것으로서 이하에 설명을 행한다. 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)를 사용한 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 성막 공정에 한정되지 않고, 다른 공정이어도 된다.
우선, 상술한 반도체 장치의 제조 방법을 실시하기 위해서, 원하는 기판 처리 내용을 포함하는 레시피 정보(프로세스 레시피)가, 프로세스계 컨트롤러 내의 도시하지 않은 RAM 등의 메모리에 전개된다. 그리고, 필요에 따라, 제어 시스템(300)으로부터 프로세스계 컨트롤러나 반송계 컨트롤러에 동작 지시가 부여된다. 이와 같이 하여 실시되는 반도체 장치의 제조 방법은, 반입 공정과, 성막 공정과, 반출 공정을 적어도 갖고 있어도 된다.
우선, 제어 시스템(300)으로부터 반송계 컨트롤러에 대하여 대기 반송 로봇(124) 등에의 구동 지시가 발해져서, 반입 공정이 개시된다. 이에 의해, 대기 반송 로봇(124)은, 포드(100) 내의 기판(200)의, 적재실(122, 123)에의 이동 탑재 처리를 개시한다. 적재실(122, 123)에 기판(200)이 적재되면, 적재실(122, 123) 내가 진공 반송실(103)과 마찬가지의 부압으로 조정된 뒤, 진공 반송 로봇(112)에 의해, 원하는 처리실(예를 들어 처리실(136))에 기판(200)이 반입(로딩)된다.
처리실(136) 내에 기판(200)이 반입되면, 제어 시스템(300)으로부터 프로세스계 컨트롤러에 대하여 레시피 정보에 기초한 구동 지시가 발해져서, 기판(200)의 반입로를 폐색하여 처리실(136)을 기밀 상태로 하고, 상기 레시피 정보에 따른 성막 공정이 개시된다. 성막 공정으로서는, 예를 들어 우선 소정의 성막 압력(진공도)으로 되도록 처리실(136) 내가 진공 배기된다. 그리고, 처리실(136) 내가 소정의 온도로 되도록 히터에 의해 가열된다. 계속해서, 처리실(136) 내를 소정의 압력 및 소정의 온도로 유지한 상태에서, 기판(200)을 회전시키면서 기판(200) 표면에 소정의 가스(처리 가스)를 공급하여, 기판(200)에의 성막을 행한다. 또한, 다음의 반출 공정 전에, 처리실(136) 내의 온도를 처리 온도로부터 강하시키거나, 기판(200)의 회전을 정지시키거나 하는 필요한 조정을 행하면 된다.
성막 공정이 완료되면, 제어 시스템(300)으로부터 반송계 컨트롤러에 대하여 진공 반송 로봇(112) 등에의 구동 지시가 발해져서, 반출 공정이 개시된다. 반출 공정에서는, 처리실(136) 내의 처리가 끝난 기판(200)을 진공 반송실(103)에 반출(언로딩)한다. 반출된 처리가 끝난 기판(200)은, 냉각 등을 행한 후, 적재실(122, 123) 및 대기 반송 로봇(124)을 경유해서 포드(100)에 복귀되어 이동 탑재된다.
여기서, 상기 성막 공정에서는, 성막 처리와 병행하여, 모니터부(330)에 의해 프로세스 데이터가 모니터링되고, 얻어진 데이터는 순차 기억부(322)에 기억된다. 그리고, 이 프로세스 데이터를 사용해서 변동 품질 데이터가 생성(산출)된다. 또한, 이 변동 품질 데이터를 기억부(322)에 기억된 비교 데이터와 비교함으로써 재현 지수가 구해지고, 이 재현 지수가 원하는 값에 미치지 못할 경우에는 실행한 레시피 정보에 포함되는 설정 정보의 보정값이 산출되어, 보정이 행하여진다. 그래서 이하에는, 상술한 변동 품질 데이터의 생성, 재현 지수의 산출, 재현 지수의 유효성 판정 및 레시피 정보 내의 설정 정보의 보정의 각 공정에 대해서 상세하게 설명한다.
<변동 품질 데이터의 생성 방법>
도 4는, 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 변동 품질 데이터의 생성 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다. 변동 품질 데이터는, 하나의 리피트 장치로서의 기판 처리 장치(1)에 있어서, 예를 들어 전원이 온 상태로 된 타이밍에, 혹은, 임의의 처리실 내에 기판(200)이 반입(로딩)되고, 처리실 내의 서셉터 혹은 보트 상에 적재되어, 처리 동작, 예를 들어 성막 공정이 개시 가능하게 된 타이밍에, 그 생성을 개시할 수 있다. 또한, 이하의 설명에서는, 기판을 처리하는 처리실로서 기판(200)에 소정의 성막 처리를 행하는 것이 가능한 매엽식 처리실을 사용한 것을 예시한다. 또한, 당해 처리실 내의 구체적인 구성 요소 등에 대해서는 주지의 것이어도 되기 때문에, 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하의 설명에서는 처리실 내에서 실행되는 기판 처리 시에 취득되는, 프로세스계 컨트롤러로부터의 데이터에 기초하여 변동 품질 데이터를 생성하는 것을 예시하고 있지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 반송계 컨트롤러로부터의 데이터에 기초하여 변동 품질 데이터를 생성하는 것이어도 되며, 데이터의 생성 대상에 맞춰서 적절히 조정할 수 있다.
변동 품질 데이터의 생성이 개시되면, 제어 시스템(300)은 우선, 통신부(328)를 통해서 기준 프로세스 데이터(y1)를 취득한다(S1). 이 기준 프로세스 데이터(y1)는, 예를 들어 외부 컴퓨터가 보유하는 이상적인 처리 프로세스를 실행한 경우의 파형 데이터로 구성할 수 있다. 파형 데이터는, 구체적으로는, 처리 프로세스 실행 시의 온도 변화에 관한 파형 데이터, 압력 변화에 관한 파형 데이터, 혹은 가스 유량(유입량 및 유출량을 포함함)에 관한 파형 데이터의 적어도 하나로 구성할 수 있다. 이하의 설명에서는, 기준 프로세스 데이터(y1)가 기판(혹은 처리실 내)의 온도 변화의 파형 데이터로 구성되어 있는 경우를 예시한다.
기준 프로세스 데이터(y1)를 취득한 후, 기판 처리 장치(1)에서는, 변동 품질 데이터를 생성하기 위해서, 처리실 내에 반입된 1매의 기판(200)에 대하여 레시피 정보에 따른 성막 처리가 개시된다. 이에 맞추어, 모니터부(330)가 동작해서 당해 처리에서의 프로세스 데이터의 모니터링이 개시된다. 그리고, 기판 처리 장치(1)에 있어서 1매의 기판(200)에 대한 성막 처리가 완료되면, 1매의 기판(200)의 처리에 관한 프로세스 데이터로서의 파형 데이터(이하, 「프로세스 파형 데이터」라고도 함)(y2)가 취득된다(S2). 여기서 취득된 프로세스 데이터(y2)는, 미리 취득한 기준 프로세스 데이터(y1)와 공통되는 파형 데이터, 예를 들어 기판의 온도 변화의 파형 데이터로 구성되어 있어도 된다. 그리고, 이 취득한 프로세스 데이터(y2)와 미리 취득한 기준 프로세스 데이터(y1)를 비교함으로써, 양자의 차분을 취득한다(S3).
도 5는, 일련의 기판 처리를 실행한 경우의, 기준 프로세스 데이터(y1)와 이 기준 프로세스 데이터와 비교하는 비교 대상의 프로세스 데이터(y2)의 온도 변화의 일례를 도시한 도면이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 기준 프로세스 데이터(y1)와 모니터부(330)에 의해 실측된 프로세스 데이터(y2)의 사이에는, 그 온도 변화에 차이가 생긴다. 이 온도 변화의 차이는, 기판 처리 장치(1)의 기계적인 이상의 발생이나 경년 열화 등에 기인해서 현저해지는 경향이 있다. 그래서, 이 온도 변화의 차이를 데이터의 차분으로서, 소정 시간 간격(t)(예를 들어 1초 간격)으로 취득한다. 여기서 취득한 차분의 값은, 이어서 합산함으로써 차분의 합을 산출한다(S4). 이 차분의 합(x1)의 산출은, 이하의 식을 사용해서 실현할 수 있다.
[수학식 1]
Figure pat00001
여기서, 이 차분의 합의 산출은, 기판 처리 장치(1)의 스텝 단위로 행해지는 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 스텝이란, 레시피 정보에 있어서 다른 설정값이 설정 가능한 공정의 부분을 가리키는 것이다. 구체적으로는, 처리실 내를 가온하는 가온 스텝, 기판에 성막을 행하는 성막 스텝, 불활성 가스로서의 N2(질소) 가스로 처리실 내를 퍼지(purge)하는 N2 퍼지 스텝, 처리 완료된 기판을 냉각하는 쿨링 스텝, 처리실 내에의 기판의 반입/반출을 행하는 로딩/언로딩 스텝, 처리실 내의 압력을 조정하기 위한 APC(Auto Pressure Controller) 밸브를 ON/OFF하는 APC 밸브 ON/OFF 스텝, 혹은 처리실 내를 진공화하는 진공화 스텝과 같은 스텝을 들 수 있다. 이 차분의 합의 산출은, 레시피 정보에 포함되는 모든 스텝에 대하여 반복해서 실행된다. 이와 같이, 스텝 단위로 차분의 합을 추출함으로써, 후술하는 보정값의 반영을 스텝 단위로 행할 수 있게 된다. 이에 의해, 설정 정보의 섬세한 조정을 실현할 수 있기 때문에, 재현성이 향상되기 쉬워진다.
여기서 산출된 차분의 합은, 일시적으로 기억부(322)에 기억된다. 그리고, 변동 품질 데이터를 산출하기 위해서 필요한 기판 처리 매수로서 미리 설정된 기판 처리 매수(「Run수」라고도 함)(n)에 도달했는지 여부를 판단하고(S5), 도달하지 않은 경우(S5에서 "아니오")에는, 처리 대상물로서의 기판을 변경한 뒤에, 기판 처리를 계속한다(S6). 기판 처리가 계속되고 있는 동안에, 모니터부(330)에 의한 프로세스 데이터(y2)의 취득(S2)이나 차분 및 차분의 합의 산출(S3 및 S4)은 계속적으로 실행된다. 또한, 기판 처리 매수(n)의 값은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 복수매로 설정하면 된다. 기판 처리 매수(n)를 복수매로 함으로써, 복수의 프로세스 데이터를 사용해서 변동 품질 데이터를 산출할 수 있기 때문에, 기판 처리 장치(1)의 기판 처리 능력을 보다 정확하게 파악할 수 있게 된다.
기판 처리가 소정의 매수(n)에 도달할 때까지 계속되면(S5에서 "예"), 프로세스 데이터 및 이것에 관련하는 차분의 합의 값도 기판의 매수(n)분만큼 기억부(322) 내에 축적된다. 그래서, 이어서 이 축적된 n매분의 기판의 차분의 합(x1, x2, x3, …, xn)의 값의 평균값(x￣)(엑스 바)을 산출한다(S7). 평균값의 산출은 이하의 식을 사용해서 실현할 수 있다.
[수학식 2]
Figure pat00002
평균값이 산출되면, 이어서 불편 분산(s2)을 산출한다(S8). 불편 분산의 산출은 이하의 식을 사용해서 실현할 수 있다.
[수학식 3]
Figure pat00003
또한, 여기에서 산출되는 평균값 및 불편 분산의 값은 모두, 차분의 합의 산출과 마찬가지로 스텝 단위로 산출되면 된다.
그리고, 상술한 공정에 의해 산출된 평균값(x￣) 및 불편 분산(s2)을, 이 기판 처리 장치(1)의 하나의 처리실의 Run수(n)에서의 (스텝마다의) 변동 품질 데이터로서 기억부(322)에 기억한다. 이에 의해, 기판 처리 장치(1)의 하나의 처리실의 변동 품질 데이터의 생성을 완료한다. 또한, 상술한 변동 품질 데이터의 산출 방법에 있어서는, 프로세스 데이터가 온도 변화의 파형 데이터로 구성되어 있는 경우만을 설명했지만, 이것과는 별도로, 혹은 병행하여, 다른 프로세스 데이터, 예를 들어 가스 유량의 파형 데이터나 압력 변화의 파형 데이터를 사용해서 변동 품질 데이터를 산출하는 것이 가능하다. 그리고, 기판 처리 장치(1)의 하나의 처리실에서의 변동 품질 데이터를 복수 산출해 두는 것은, 후술하는 재현 지수를 다른 데이터에 기초하여 복수 산출할 수 있게 되어, 바람직하다. 또한, 당해 다른 프로세스 데이터를 사용한 변동 품질 데이터의 산출 방법은, 상술한 것과 거의 마찬가지이므로, 중복을 피하기 위해서 여기에서는 설명을 생략한다.
도 6은, 도 4에 도시하는 변동 품질 데이터의 생성 방법을 모식적으로 도시한 도면이다. 상술한 일련의 변동 품질 데이터의 생성 방법은, 도 6에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)(예를 들어 기판 처리 장치(1(1)))의 하나의 처리실(예를 들어 처리실(136))에 대해서만 생성되는 것은 아니고, 다른 처리실에서도 마찬가지로 생성되는 것이어도 된다. 다른 처리실이란, 기판 처리 장치(1) 내의 공통의 처리를 행하는 다른 처리실이나, 마스터 장치 혹은 다른 리모트 장치를 구성하는 다른 기판 처리 장치(1(0), 1(2) 내지 1(6)) 내의 처리실 중, 상기 하나의 처리실과 공통의 처리를 행하는 처리실을 포함할 수 있다. 여기서, 상술한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 비교 데이터로서 마스터 장치를 구성하는 기판 처리 장치(1(0))의 처리실의 변동 품질 데이터를 채용하고 있기 때문에, 기판 처리 장치(1(0))의 하나의 처리실에 있어서, 변동 품질 데이터의 산출이 미리 실시되어 있으면 된다.
<재현 지수의 산출 방법>
상기에 이어서, 이하에는, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서 재현 지수를 산출하는 방법, 및 산출한 재현 지수를 사용한 기판 처리 장치(1)에서의 처리의 유효성 판정 방법에 대해서 설명을 행한다. 재현 지수란, 기판 처리 장치(1)에 의해 실행된 기판 처리가, 비교 대상이 되는 원하는 기판 처리를 어느 정도 정확하게 재현할 수 있는지를 나타내는 지수이면 된다. 이 재현 지수를 사용함으로써, 장치간 혹은 처리실간의 프로세스의 차를 정량적으로 나타내는 것이 가능하게 되어, 재현성을 용이하게 인식할 수 있게 된다. 본 실시 형태에서는, 마스터 장치에서 행하여진 기판 처리를 기판 처리 장치(1)에서 재현한 경우의 재현 정도를 나타내는 값이, 당해 재현 지수에 대응하고 있다. 또한, 이하에 나타내는 공정은, 기판 처리 장치(1)의 해석부(329)에 의해 주로 실현할 수 있다.
도 7은, 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 재현 지수의 산출 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다. 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 재현 지수를 산출할 경우에는, 우선, 비교 데이터로서, 마스터 장치로서의 기판 처리 장치(1(0))의 변동 품질 데이터를 취득한다(S11). 이 마스터 장치로서의 기판 처리 장치(1(0))의 변동 품질 데이터의 취득은, 예를 들어 통신부(328)를 사용해서 네트워크를 통해서 행할 수 있고, 여기에서 취득된 데이터는, 기억부(322) 내에 기억된다. 또한, 여기에서 취득한 비교 데이터 및 기판 처리 장치(1)에서 생성된 변동 품질 데이터는, 모두 스텝 단위로 생성된 것이다. 따라서, 이들 데이터에 기초하여 산출되는 재현 지수도 스텝 단위로 특정되는 것이다.
비교 데이터의 기억이 이루어지면, 이어서 이 비교 데이터와, 미리 산출해 둔 기판 처리 장치(1)의 변동 품질 데이터로부터 재현 지수를 특정하기 위해서, t 검정을 실행한다(S12). 이 t 검정은, 이하의 식을 사용해서 실현할 수 있다.
[수학식 4]
Figure pat00004
단,
[수학식 5]
Figure pat00005
여기서, t는 t 검정값, x1￣는 비교 데이터로서의 차분의 합의 평균값, n1은 비교 데이터로서의 Run수, s1 2은 비교 데이터로서의 불편 분산, x2￣는 (이 기판 처리 장치(1)의) 변동 품질 데이터로서의 차분의 합의 평균값, n2는 변동 품질 데이터로서의 Run수, s2 2은 변동 품질 데이터로서의 불편 분산, s2은 풀한 분산(2개의 표본의 불편 분산을 하나로 통합한 것)을 각각 가리키는 것이다.
상술한 식에 의해 t 검정값을 특정하면, 이어서 이 t 검정값으로부터 확률값(p-Value)(p)을 산출한다(S13). 확률값(p)의 산출은, 예를 들어 t 검정값으로 나타내지는 t 분포표로부터 구할 수 있다.
확률값(p)이 산출되면, 이어서 이 확률값(p)을 사용해서 재현 지수를 산출한다(S14). 이 재현 지수는, 재현 지수=(1-p)×100으로 나타낼 수 있다. 또한, 상술한 t 검정에 있어서 s가 0일 때는 t를 산출할 수 없다. 따라서 이 경우에는 p=0으로 하고, 재현 지수는 100으로 한다.
도 8은, 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 기억부에 기억된 장치 파라미터 테이블의 일례를 도시한 도면이다. 상기 공정에서 재현 지수가 산출되면, 해석부(329)는, 재현 지수의 유효성을 판정하기 위한 하한값을 취득한다(S15). 이 하한값은, 도 8에 도시하는 바와 같이, 기억부(322) 내에 기억된 장치 파라미터를 구성하는 장치 파라미터 테이블 내의 적소에 저장되어 있어도 된다. 또한 이 하한값은, 관리자 등에 의해 미리 정해진 값이며, 재현 지수의 역치로서 기능하는 것이다.
이어서, 취득한 하한값과 산출된 재현 지수를 비교하여, 재현 지수의 유효성 판정을 행한다(S16). 구체적으로는, 재현 지수의 값이 하한값보다도 큰지 여부를 판정한다. 재현 지수가 하한값 이상인 경우(S16에서 "예")에는, 기판 처리 장치(1)에 의한 기판 처리의 (마스터 장치에서의 처리에 대한) 재현성은 높다고 판단되어, 당해 처리는 정상적으로 이루어지고 있는 것으로 해서 도 7에 도시하는 처리를 종료한다.
반대로, 재현 지수가 하한값보다도 낮은 경우(S16에서 "아니오")에는, 기판 처리 장치(1)에 의한 기판 처리의 재현성은 낮다고 판단되어, 당해 처리는 이상을 포함할 우려가 있다고 인정된다. 이 경우, 해석부(329)는, 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를 보정하기 위한 보정값을 산출한다(S17). 이 보정값의 산출 방법에 있어서는, 재현 지수의 값에 더하여, 재현 지수를 산출했을 때 사용한 프로세스 데이터의 종류나 대응하는 처리실 내의 설비가 고려되어, 자동적으로 산출되도록 설정되어 있으면 된다. 구체예를 들면, 온도 변화에 관한 프로세스 데이터에 기초하여 재현 지수를 산출한 결과, 당해 재현 지수가 하한값을 하회한다는 판단 결과가 얻어진 경우에는, 해석부(329)는, 해당 처리실에서의 해당 스텝에서 동작하는 히터의, 임의의 시점에서의 목표 온도를 상승 혹은 하강시키기 위한 보정값을 자동적으로 산출하도록 미리 설정되어 있으면 된다. 이와 같이, 대상의 프로세스 종별이나, 대상 스텝, 현재의 설정값 및 보정값을 자동으로 인식·산출함으로써, 장치의 조정에 요하는 시간을 단축할 수 있게 된다. 또한, 구체적인 보정값의 결정은, 해석부(329)가 자동적으로 행할 필요가 반드시 있는 것은 아니다. 예를 들어, 재현 지수가 하한값보다도 낮은 것을 검출한 시점에서 임의의 조작자에게 그 취지를 통보하여, 조작부(327b)를 통한 보정값의 입력을 요구함으로써, 보정값이 특정되도록 해도 된다. 이때, 표시부(327a)에 보정값을 특정하기 위한 각종 정보를 표시하면 된다.
도 9는, 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를 보정하기 위한 조건 변경 지령 정보 테이블의 일례를 도시한 도면이다. 해석부(329)에 의해 보정값이 산출되면, 제어부(320)가 당해 보정값을 프로세스계 컨트롤러에 통지함으로써, 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를 보정한다(S18). 이 보정 시에는, 도 9에 도시한 조건 변경 지령 정보 테이블을 사용하면 바람직하다. 이 조건 변경 지령 정보 테이블은, 도 9에 도시하는 바와 같이, 보정 대상이 되는 처리실 번호와, 레시피 명칭과, 스텝 번호와, 변경하는 프로세스 종별 정보와, 구체적인 보정값을 적어도 포함함으로써, 프로세스계 컨트롤러측에서의 적절한 보정을 실현할 수 있다. 또한, 이 조건 변경 지령 정보 테이블은, 기억부(322) 내에 기억되어 있으면 된다.
레시피 정보에 포함되는 설정 정보가 보정되면, 기판 처리 장치(1)는 그 취지를 통보하고(S19), 도 7에 도시하는 처리를 종료한다. 이 통보 방법으로서는, 다양한 것을 채용할 수 있다. 예를 들어, 제어 시스템(300)의 표시부(327a)에 보정 내용 등에 관한 메시지를 표시하거나, 혹은, 음성 혹은 시각 효과를 사용해서 보정을 행한 것 혹은 이상이 검출된 것을 조작자 등에게 전달하는 것을 채용할 수 있다. 또한, 이상이 발생한 취지, 보정을 행한 취지, 혹은 레시피 정보의 보정 결과 등의 정보를 포함하는 메시지를, 통신부(328)를 통해서 외부 컴퓨터에 송신하여, 외부 컴퓨터, 예를 들어 호스트 컴퓨터에 당해 메시지를 표시함으로써, 관리자 등에게 보정 사실을 전달하는 것을 채용할 수도 있다. 또한, 도 7에서는 보정을 행한 후에 조작자 등에의 통보를 행하는 것을 예시하고 있지만, 당해 통보를 보정을 행하기 전의 타이밍, 예를 들어 산출된 재현 지수가 하한값을 하회하는 것(S16에서 "아니오")이 검지된 타이밍에 행하도록 해도 된다.
상술한 재현 지수는, 다른 종류(예를 들어, 온도 모니터 데이터와 가스 유량 모니터 데이터와 압력 모니터 데이터의 3종류)의 프로세스 데이터에 기초하여 생성된 변동 품질 데이터 및 비교 데이터를 사용함으로써 복수개 산출되면 바람직하다. 단일한 처리실에 대하여 산출된 복수개의 재현 지수 각각에 대하여 유효성 판정을 실시함으로써, 기판 처리 장치(1)에 의한 기판 처리의 재현성을 다각적으로 평가할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 변동 품질 데이터 및 비교 데이터가 스텝 단위로 산출됨으로써, 재현 지수도 스텝 단위로 산출되기 때문에, 하한값보다도 낮은 재현 지수가 검출되었을 때, 보정을 요하는 대상을 해당하는 1스텝에 한정할 수 있다. 따라서, 섬세한 조정이 가능하게 됨과 함께, 보정값을 비교적 용이하게 특정할 수 있게 된다.
또한, 상술한 일련의 반도체 장치의 제조 방법은, 컴퓨터, 예를 들어 제어 시스템(300)을 구성하는 컴퓨터나 호스트 컴퓨터의 메모리 내에 저장 가능한 프로그램을 실행함으로써, 프로세서에 의해 실행시킬 수 있다. 또한, 이 프로그램은, 네트워크 상에 배치된 서버 장치나, 클라우드 베이스의 데이터 처리 플랫폼이 제공하는 애플리케이션의 형식으로 제공되어도 되고, 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 저장된 형태로 제공되어도 된다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 의하면, 기판 처리 장치에 의한 처리의 생산 품질을, 별도의 측정 장치 등을 사용하지 않고 평가하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 간이하게 다른 기판 처리 장치와의 사이의 생산 품질의 정합을 실현할 수 있다. 또한, 재현 지수의 유효성 판정을 행함으로써, 처리의 재현성 저하를 검지할 수 있어, 이상을 검출 혹은 예견할 수 있다. 또한, 재현 지수가 미리 설정된 값을 하회하는 것이 검출된 경우에는, 일련의 판정 경과로부터, 보정이 필요한 프로세스 종별, 설정값에 더하여, 최적의 보정값도 특정할 수 있기 때문에, 이상이 발생했을 때의 조정 시간을 단축할 수 있게 된다.
또한, 상기 보정은, 장치의 경년 열화에 수반하는 메인터넌스에서의 보정에도 대응할 수 있다. 또한, 마스터 장치와 동일한 조건에서 동작하는 리피트 장치의 조정에 사용함으로써 당해 조정이 용이하게 되어, 조기 생산 개시에 공헌할 수 있다.
<본 개시의 바람직한 양태>
이하, 본 개시의 바람직한 양태에 대해서 부기한다.
(부기 1)
본 개시의 일 양태에 의하면,
기판의 처리를 행하는 처리실과,
기판의 처리를 실행하는 수순을 기재한 레시피 정보와, 복수의 기판을 처리하는 동안에 축적되는 프로세스 데이터와, 상기 프로세스 데이터로부터 산출되는 변동 품질 데이터와, 상기 변동 품질 데이터와 비교되는 비교 데이터를 기억하는 기억부와,
상기 프로세스 데이터를 모니터함과 함께, 상기 기억부에 상기 프로세스 데이터의 기억을 요구하는 모니터부와,
상기 변동 품질 데이터와 상기 비교 데이터를 비교하여, 상기 비교 데이터에 대한 재현성을 나타내는 재현 지수를 구하여, 상기 재현 지수가 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보의 보정값을 산출하는 해석부와,
상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를 상기 보정값으로 보정하는 것이 가능한 제어부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기 2)
부기 1에 기재된 장치이며,
외부 컴퓨터 또는 다른 외부 장치와의 사이에서 통신을 행하는 통신부를 더 구비하고,
상기 비교 데이터는, 상기 통신부를 통해서 상기 외부 컴퓨터 또는 다른 외부 장치로부터 수신하여, 상기 기억부에 기억되도록 구성된다.
(부기 3)
부기 1에 기재된 장치이며,
상기 변동 품질 데이터는, 1매의 기판을 처리하는 동안에 축적되는 프로세스 데이터와 기준이 되는 프로세스 데이터로부터, 단위 시간당의 차분의 합을 구하여, 복수매의 기판에서 반복 처리를 행하여 얻은 상기 기판 복수매분의 상기 차분의 합으로부터 평균값과 불편 분산을 구한 것이며,
기준이 되는 상기 프로세스 데이터는, 소정 레벨 이상의 품질로 기판 처리를 행하는 장치로부터 취득한 프로세스 데이터이며,
상기 평균값은, 상기 차분의 합을 처리한 기판의 매수로 나눈 결과이며,
상기 불편 분산은, 처리한 기판 매수분의 차분의 합과 평균값으로부터 산출한 결과이다.
(부기 4)
부기 1에 기재된 장치이며,
상기 레시피 정보는 적어도 하나 이상의 스텝을 갖고,
상기 스텝에서는 온도 설정값이나 가스 유량 설정값, 압력 설정값 중 적어도 어느 것을 포함하는 프로세스 정보마다의 데이터의 설정을 행할 수 있고,
상기 프로세스 데이터는, 온도, 가스 유량, 압력 제어 중 적어도 하나 이상의 프로세스 데이터이며, 상기 기판 1매의 상기 처리를 행하는 동안에 상기 모니터부로부터 축차 보고되는 프로세스 모니터 데이터이며,
상기 변동 품질 데이터는, 상기 프로세스 데이터가 상기 스텝 단위로 산출된다.
(부기 5)
부기 1에 기재된 장치이며,
상기 변동 품질 데이터와 상기 비교 데이터를 사용해서 t 검정과 확률값(p-Value)을 산출하고,
산출한 상기 확률값으로부터 상기 재현 지수를 구한다.
(부기 6)
부기 1에 기재된 장치이며,
상기 재현 지수의 유효성 판정은, 상기 미리 정해져 있는 값에 의해 행한다.
(부기 7)
부기 1에 기재된 장치이며,
상기 미리 정해져 있는 값이란, 상기 기억부에 기억된 장치 파라미터에 기술되어 있는 상기 재현 지수의 역치를 나타낸다.
(부기 8)
부기 1에 기재된 장치이며,
상기 기판의 처리 상황을 표시 가능한 표시부를 더 갖는다.
(부기 9)
부기 8에 기재된 장치이며,
상기 표시부는, 상기 재현 지수가 상기 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 해당하는 메시지 데이터를 표시한다.
(부기 10)
부기 1에 기재된 장치이며,
상기 제어부는, 상기 재현 지수가 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 상기 보정값을 사용하여, 기억부에 기억되어 있는 대상의 레시피의 설정값의 변경을 행한다.
(부기 11)
부기 2에 기재된 장치이며,
상기 통신부는, 상기 재현 지수가 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 해당하는 메시지를 상기 외부 컴퓨터 또는 다른 외부 장치에 송신한다.
(부기 12)
부기 1에 기재된 장치이며,
상기 해석부는, 상기 재현 지수가 미리 정해져 있는 값과 동일하거나 또는 상회한 경우, 상기 비교 데이터에 대하여 재현성이 있다고 판단한다.
(부기 13)
본 개시의 다른 양태에 의하면,
기판을 처리실에 반입하는 공정과,
기판의 처리를 실행하는 수순을 기재한 레시피 정보에 기초하여, 처리실에서 상기 기판을 처리함과 함께, 프로세스 데이터의 모니터와, 상기 프로세스 데이터의 기억부에의 기억을 행하는 공정과,
복수의 상기 프로세스 데이터로부터 변동 품질 데이터를 산출하는 공정과,
상기 변동 품질 데이터와 상기 기억부에 기억된 비교 데이터를 비교하여, 상기 비교 데이터에 대한 재현성을 나타내는 재현 지수를 구하고,
상기 재현 지수가 미리 정한 값을 하회한 경우, 상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보의 보정값을 산출하는 공정과,
상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를, 상기 보정값으로 보정을 행하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법, 혹은 기판 처리 방법이 제공된다.
(부기 14)
본 개시의 또 다른 양태에 의하면,
기판을 처리실에 반입하는 수순과,
상기 기판의 처리를 실행하는 수순을 기재한 레시피 정보에 기초하여, 상기 처리실에서 상기 기판을 처리함과 함께, 프로세스 데이터의 모니터와, 상기 프로세스 데이터의 기억부에의 기억을 행하는 수순과,
복수의 상기 프로세스 데이터로부터 변동 품질 데이터를 산출하고,
상기 변동 품질 데이터와 상기 기억부에 기억된 비교 데이터를 비교하여, 상기 비교 데이터에 대한 재현성을 나타내는 재현 지수를 구하고,
상기 재현 지수가 미리 정한 값을 하회한 경우, 상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보의 보정값을 산출하는 수순과,
상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를, 상기 보정값으로 보정을 행하는 수순을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램, 또는, 해당 프로그램을 기록한 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
상술한 실시 형태는 일례를 나타낸 것에 지나지 않으며, 따라서 본 개시는 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 본 개시의 주지를 일탈하지 않는 범위 내에서 다양하게 변경해서 실시하는 것이 가능하다. 그리고, 그것들은 모두, 본 개시의 기술 사상에 포함되는 것이다. 또한, 본 개시에 있어서, 각 구성 요소는, 모순이 생기지 않는 한 1개만 존재해도 2개 이상 존재해도 된다.
1: 기판 처리 장치
100: 포드
103: 진공 반송실
112: 진공 반송 로봇
121: 대기 반송실
124: 대기 반송 로봇
136 내지 139: 처리실
200: 기판
300: 제어 시스템
320: 제어부
322: 기억부
323: 외부 기억부
327a: 표시부
327b: 조작부
328: 통신부
329: 해석부
330: 모니터부

Claims (14)

  1. 기판의 처리를 행하는 처리실과,
    기판의 처리를 실행하는 수순을 기재한 레시피 정보, 복수의 기판을 처리하는 동안에 축적되는 프로세스 데이터, 상기 프로세스 데이터로부터 산출되는 변동 품질 데이터, 및 상기 변동 품질 데이터와 비교되는 비교 데이터를 기억하는 기억부와,
    상기 프로세스 데이터를 모니터하는 모니터부와,
    상기 변동 품질 데이터와 상기 비교 데이터를 비교하여, 상기 비교 데이터에 대한 재현성을 나타내는 재현 지수를 구하여, 상기 재현 지수가 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보의 보정값을 산출하는 해석부와,
    상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를 상기 보정값으로 보정하는 것이 가능한 제어부를 구비하는,
    기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 외부 컴퓨터 또는 다른 외부 장치와의 사이에서 통신을 행하는 통신부를 더 구비하고,
    상기 비교 데이터는, 상기 통신부를 통해서 상기 외부 컴퓨터 또는 다른 외부 장치로부터 수신하여, 상기 기억부에 기억되도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 변동 품질 데이터는, 1매의 기판을 처리하는 동안에 축적되는 프로세스 데이터와 기준 프로세스 데이터의 사이의 단위 시간당의 차분의 합을 구하는 처리를 복수매의 기판에서 반복해서 행하여 얻은 상기 기판 복수매분의 상기 차분의 합으로부터, 평균값과 불편 분산을 구함으로써 얻어지는 데이터이며, 상기 기준 프로세스 데이터는, 소정 레벨 이상의 품질로 기판 처리를 행했을 때 얻어진 프로세스 데이터이며, 상기 평균값은, 상기 기판 복수매분의 상기 차분의 합을, 처리한 기판의 매수로 나누어서 얻어진 값이며, 상기 불편 분산은, 처리한 기판의 매수분의 상기 차분의 합과 상기 평균값으로부터 산출되는 값인, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 레시피 정보는 적어도 하나 이상의 스텝을 갖고, 상기 스텝에서는 온도 설정값이나 가스 유량 설정값, 압력 설정값 중 적어도 어느 것을 포함하는 프로세스 정보마다의 데이터의 설정을 행할 수 있고, 상기 프로세스 데이터는, 온도, 가스 유량, 압력 제어 중 적어도 하나 이상의 프로세스 데이터이며, 상기 기판 1매의 상기 처리를 행하는 동안에 상기 모니터부로부터 축차 보고되는 프로세스 모니터 데이터이며, 상기 변동 품질 데이터는 상기 프로세스 데이터가 상기 스텝 단위로 산출되는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 변동 품질 데이터와 상기 비교 데이터로부터, t 검정을 사용해서 확률값(p-Value)을 산출하고, 산출한 상기 확률값으로부터 상기 재현 지수를 구하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 재현 지수의 유효성 판정은, 상기 미리 정해져 있는 값에 의해 행하는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 미리 정해져 있는 값이란, 상기 기억부에 기억된 장치 파라미터에 기술되어 있는 상기 재현 지수의 역치를 나타내는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판의 처리 상황을 표시 가능한 표시부를 더 구성하는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 표시부는, 상기 재현 지수가 상기 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 해당하는 메시지 데이터의 표시를 행하는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 재현 지수가 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 상기 보정값을 사용하여, 기억부에 기억되어 있는 대상의 레시피의 설정값의 변경을 행하는, 기판 처리 장치.
  11. 제2항에 있어서, 상기 통신부는, 상기 재현 지수가 미리 정해져 있는 값을 하회한 경우, 해당하는 메시지를 상기 외부 컴퓨터 또는 상기 다른 외부 장치에 송신을 행하는, 기판 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 해석부는, 상기 재현 지수가 미리 정해져 있는 값과 동일하거나 또는 상회한 경우, 상기 비교 데이터에 대하여 재현성이 있다고 판단을 행하는, 기판 처리 장치.
  13. 기판을 처리실에 반입하는 공정과,
    상기 기판의 처리를 실행하는 수순을 기재한 레시피 정보에 기초하여, 상기 처리실에서 상기 기판을 처리함과 함께, 프로세스 데이터의 모니터와, 상기 프로세스 데이터의 기억부에의 기억을 행하는 공정과,
    복수의 상기 프로세스 데이터로부터 변동 품질 데이터를 산출하는 공정과,
    상기 변동 품질 데이터와 상기 기억부에 기억된 비교 데이터를 비교하여, 상기 비교 데이터에 대한 재현성을 나타내는 재현 지수를 구하여, 상기 재현 지수가 미리 정한 값을 하회한 경우, 상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보의 보정값을 산출하는 공정과,
    상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를, 상기 보정값으로 보정하는 공정을 구비하는,
    반도체 장치의 제조 방법.
  14. 기판을 처리실에 반입하는 수순과,
    상기 기판의 처리를 실행하는 수순을 기재한 레시피 정보에 기초하여, 상기 처리실에서 상기 기판을 처리함과 함께, 프로세스 데이터의 모니터와, 상기 프로세스 데이터의 기억부에의 기억을 행하는 수순과,
    복수의 상기 프로세스 데이터로부터 변동 품질 데이터를 산출하는 수순과,
    상기 변동 품질 데이터와 상기 기억부에 기억된 비교 데이터를 비교하여, 상기 비교 데이터에 대한 재현성을 나타내는 재현 지수를 구하고,
    상기 재현 지수가 미리 정한 값을 하회한 경우, 상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보의 보정값을 산출하는 수순과,
    상기 레시피 정보에 포함되는 설정 정보를, 상기 보정값으로 보정하는 수순을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램을 기록한 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7304692B2 (ja) * 2018-12-13 2023-07-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013135044A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置
KR20150073975A (ko) * 2012-10-24 2015-07-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 보정값 산출 장치, 보정값 산출 방법 및 컴퓨터 프로그램
JP2017194951A (ja) 2016-04-19 2017-10-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置、装置管理コントローラ、及びプログラム
JP2018206847A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7624003B2 (en) * 2005-01-10 2009-11-24 Applied Materials, Inc. Split-phase chamber modeling for chamber matching and fault detection
US9245768B2 (en) * 2013-12-17 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Method of improving substrate uniformity during rapid thermal processing
JP6342670B2 (ja) * 2014-02-17 2018-06-13 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
KR102308587B1 (ko) * 2014-03-19 2021-10-01 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6254929B2 (ja) * 2014-11-26 2017-12-27 東京エレクトロン株式会社 測定処理装置、基板処理システム、測定用治具、測定処理方法、及びその記憶媒体
JP6579974B2 (ja) * 2015-02-25 2019-09-25 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、温度センサ及び半導体装置の製造方法
CN107305855B (zh) * 2016-04-19 2021-05-07 株式会社国际电气 衬底处理装置、装置管理控制器及装置管理方法
US20210157312A1 (en) * 2016-05-09 2021-05-27 Strong Force Iot Portfolio 2016, Llc Intelligent vibration digital twin systems and methods for industrial environments
US10579041B2 (en) * 2017-12-01 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Semiconductor process control method
US20190198405A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 International Business Machines Corporation Statistical framework for tool chamber matching in semiconductor manufacturing processes
WO2019163295A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
JP7124103B2 (ja) * 2018-09-27 2022-08-23 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP7204478B2 (ja) * 2018-12-26 2023-01-16 キヤノン株式会社 情報処理装置およびその制御方法
US11133204B2 (en) * 2019-01-29 2021-09-28 Applied Materials, Inc. Chamber matching with neural networks in semiconductor equipment tools
JP6857675B2 (ja) * 2019-03-06 2021-04-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6999616B2 (ja) * 2019-08-07 2022-01-18 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013135044A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置
KR20150073975A (ko) * 2012-10-24 2015-07-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 보정값 산출 장치, 보정값 산출 방법 및 컴퓨터 프로그램
JP2017194951A (ja) 2016-04-19 2017-10-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置、装置管理コントローラ、及びプログラム
JP2018206847A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置

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