TW201351530A - 基板處理裝置、基板移載方法及半導體裝置的製造方法以及狀態檢測程式 - Google Patents

基板處理裝置、基板移載方法及半導體裝置的製造方法以及狀態檢測程式 Download PDF

Info

Publication number
TW201351530A
TW201351530A TW102106036A TW102106036A TW201351530A TW 201351530 A TW201351530 A TW 201351530A TW 102106036 A TW102106036 A TW 102106036A TW 102106036 A TW102106036 A TW 102106036A TW 201351530 A TW201351530 A TW 201351530A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
holding member
wafer
state
detection
Prior art date
Application number
TW102106036A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI611491B (zh
Inventor
Junichi Kawasaki
Hajime Abiko
Original Assignee
Hitachi Int Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Int Electric Inc filed Critical Hitachi Int Electric Inc
Publication of TW201351530A publication Critical patent/TW201351530A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI611491B publication Critical patent/TWI611491B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明的課題是即使基板被保持於安裝有保持構件的基板保持具時，還是可事前檢測前述保持構件的異常及前述基板的異常的發生。其解決手段為具備：基板保持具(7)，其係安裝載置基板2的保持構件；基板搬送部(17)，其係構成搬送複數片或一片的基板；檢測部(41)，其係檢測被安裝於前述基板保持具的前述保持構件的狀態；判定部(47)，其係比較藉由前述檢測部而取得之顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，判定前述保持構件本身的狀態；及搬送控制部(49)，其係按照前述判定部的判定結果來控制前述基板搬送部(17)。

Description

基板處理裝置、基板移載方法及半導體裝置的製造方法以及狀態檢測程式
本發明是有關對矽晶圓、玻璃基板等的基板進行薄膜的生成、氧化處理、雜質的擴散、退火處理、蝕刻等的處理，特別是基板及載置基板的保持構件的變形或破裂檢測可能的基板處理裝置、基板移載方法及半導體裝置的製造方法以及狀態檢測程式。
處理基板的處理裝置，有分批式的基板處理裝置，其係具備：縱型的反應爐、及以水平姿勢來多段保持所定數量的被處理基板(以下稱晶圓)之基板保持具的晶舟、及將晶圓移載至該晶舟的基板移載機，在前述晶舟保持晶圓的狀態下，於前述反應爐處理晶圓。
以往，在反應爐內的昇溫時，或從該反應爐取出時的冷却時，因熱應力而在晶圓產生破裂或彎曲、偏差等的異常時，以在晶圓發生異常的狀態下基板處理不會被繼續進行的方式，在基板處理裝置設置用以檢測晶圓的異常之晶圓破裂檢測機構。
該晶圓破裂檢測機構是具有光感測器，在離被保持於前述晶舟上的晶圓周緣5mm~10mm程度中心側，使光感測器照射於水平方向的光軸上下移動，根據所取得的光量的增減的波形來檢測各狹槽的晶圓的有無或破裂、脫落等。
當晶圓被正常地保持時，光軸會藉由晶圓，從晶圓的下端，光量開始減少，在上端，光量恢復，以此值是否存在於基準值內來判斷晶圓的狀態。當光軸與晶圓所重疊的領域存在晶圓以外的物時，晶圓以外的物會反映在光量的波形，判定成晶圓的狀態異常。
又，為了提升製程性能條件，亦有在前述晶舟上安裝環狀的保持構件，在該保持構件上載置晶圓的基板處理裝置，但在前述晶舟安裝保持構件的狀態下，該保持構件會存在於晶圓破裂檢測機構的光軸上，前述保持構件會影響光量的波形，因此會有無法使用前述晶圓破裂檢測機構的問題。
又，前述保持構件是在被安裝於前述晶舟的狀態下進行基板處理。因此，對於前述保持構件本身也會因熱而產生形狀的變化或偏差，所以被要求事前檢測該保持構件的變形或偏差的構造。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕 WO2005/31851號公報
有鑑於如此的實情，本發明的目的是在於提供一種在安裝有保持構件的基板保持具保持基板時，事前檢測前述保持構件的異常及前述基板的異常的發生之基板處理裝置、基板移載方法及半導體裝置的製造方法以及狀態檢測程式。
若根據本發明的一形態，則提供一種基板處理裝置，其特徵係具備：基板保持具，其係安裝載置基板的保持構件；基板搬送部，其係構成搬送複數片或一片的基板；檢測部，其係檢測被安裝於前述基板保持具的前述保持構件的狀態；判定部，其係比較藉由前述檢測部而取得之顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，判定前述保持構件本身的狀態；及搬送控制部，其係按照前述判定部的判定結果來控制前述基板搬送部。
若根據本發明的其他形態，則提供一種基板移載方法，係至少具有對於安裝有載置基板的保持構件之 基板保持具移載前述基板的移載工程者，其特徵係具有判定工程，該判定工程係比較顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，判定前述保持構件本身的狀態，按照前述判定工程的判定結果來將基板移載至前述基板保持具。
若根據本發明的另外其他形態，則提供一種半導體裝置的製造方法，係至少具有對於安裝有載置基板的保持構件之基板保持具移載前述基板的移載工程者，其特徵係具有判定工程，該判定工程係比較顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，判定前述保持構件本身的狀態，按照前述判定工程的判定結果來將基板移載至前述基板保持具。
若根據本發明的另外其他的形態，則提供一種基板處理裝置的保持構件狀態檢測程式，係使檢測保持構件的狀態之檢測部取得波形資料，使判定部由前述波形資料來取得顯示前述保持構件的下端及上端的資料，且使比較取得的各波形資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，藉此使判定前述保持構件的狀態，藉由判定來檢測出異常時，使處理中斷。
若根據本發明，則在基板被載置於基板保持具所安裝的保持構件時，可使兼顧前述保持構件的狀態檢 測及被載置於前述保持構件的基板的狀態檢測，因此可事前檢測起因於前述保持構件的異常發生及起因於前述基板的異常發生的雙方。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧晶圓
7‧‧‧晶舟
17‧‧‧晶圓移載機
18‧‧‧處理爐
41‧‧‧檢測部
43‧‧‧光感測器
44‧‧‧控制裝置
46‧‧‧記憶部
47‧‧‧判定部
49‧‧‧搬送控制部
53‧‧‧保持構件狀態檢測程式
54‧‧‧基板狀態檢測程式
56‧‧‧環下基準值
57‧‧‧環上基準值
58‧‧‧環偏差容許範圍
61‧‧‧晶圓下基準值
62‧‧‧晶圓上基準值
63‧‧‧晶圓偏差容許範圍
圖1是表示本發明的實施例的基板處理裝置的立體圖。
圖2是表示本發明的實施例的基板處理裝置的剖面圖。
圖3是表示被使用在該基板處理裝置的基板保持具的立體圖。
圖4是表示被使用在本發明的實施例的基板處理裝置的處理爐及其周邊的剖面圖。
圖5是表示被使用在本發明的實施例的基板處理裝置的基板移載機的側面圖。
圖6是表示被使用在本發明的實施例的基板移載機的檢測部之狀態檢測的平面圖，(A)是表示未載置有基板的狀態，(B)是表示載置有基板的狀態。
圖7是表示藉由被使用在本發明的實施例的基板移載機的檢測部來只檢測保持構件時的說明圖。
圖8是表示藉由被使用在本發明的實施例的基板移載機的檢測部來檢測保持構件及被載置於該保持構件的基板時的說明圖。
圖9是說明本發明的實施例的基板處理的動作的流程圖。
圖10是說明本發明的實施例的保持構件的狀態檢測的流程圖。
圖11是說明本發明的實施例的保持構件及被載置於該保持構件的基板的狀態檢測的流程圖。
圖12是說明本發明的實施例的基板保持具的各狹槽的保持構件與被載置於該保持構件的基板的變形率的不同所造成狀態檢測的判定結果的不同的圖。
圖13是說明使用在本發明的實施例2的基板保持具的各狹槽的狀態檢測之容許值範圍的設定的圖。
圖14是說明將使用在本發明的實施例3的基板保持具的各狹槽的狀態檢測之容許值範圍對應於晶圓類別的設定的圖。
以下，一面參照圖面，一面說明本發明的實施例。
首先，在圖1、圖2中，說明有關本發明的實施例的基板處理裝置1。
另外，以下的說明是敘述有關適用具備對基板進行擴散處理或CVD處理等的縱型爐之縱型基板處理裝置作為基板處理裝置時。
用以將收納由矽等所構成的晶圓2等的基板 之密閉式的基板收納容器(FOUP)(以下卡匣3)從外部往框體4內搬入，及相反地從該框體4內往外部搬出之I/O平台(基板收納容器授受部)5是被設在前述框體4的前面，且在該框體4內設有用以保管被搬入的前述卡匣3之卡匣棚(保管手段)6。
又，晶圓2的搬送區域，設有成為後述的晶舟(基板保持具)7的裝載、卸載空間的氣密室8。
對晶圓2進行處理時的前述氣密室8的內部，為了防止晶圓2的自然氧化膜，形成充滿N2氣體等的惰性氣體。
前述卡匣3現在是以所謂FOUP的型式為主流使用，以蓋體(未圖示)來堵塞前述卡匣3的一側面所設的開口部，藉此可自大氣隔離晶圓2來搬送，藉由卸下前述蓋體，可使晶圓2往前述卡匣3內出入。為了卸下前述卡匣3的蓋體，使該卡匣3內與前述氣密室8連通，在該氣密室8的前面側設有複數組(圖示是2組)卡匣載置平台(基板收納容器載置手段)9，11，在前述氣密室8的前述卡匣載置平台9，11對峙部分分別設有卡匣開啟器12，13(開閉手段)。該卡匣開啟器12，13是可獨立驅動，可個別地開閉被載置於前述卡匣載置平台9，11的前述卡匣3。
前述卡匣載置平台9，11、前述卡匣棚6、及前述I/O平台5間的前述卡匣3的搬送是藉由卡匣搬送機14(載體搬送部)來進行。在前述卡匣搬送機14之前述 卡匣3的搬送空間15是形成使藉由設在前述框體4的清潔單元(未圖示)來清淨化的空氣流通。
在前述氣密室8的內部是設有：將複數的晶圓2裝載成水平多段的前述晶舟7、及使晶圓2的缺口(或Orientation Flat)的位置對準任意的位置之基板對位裝置16，並且在前述卡匣載置平台9，11上的前述卡匣3與前述基板對位裝置16和前述晶舟7之間設有1組進行晶圓2的搬送之晶圓移載機(基板搬送部)17。而且，在前述氣密室8的上部設有用以處理晶圓2的處理爐18，該處理爐18的下端開口部之爐口是藉由爐口閘閥19來開閉。在該爐口閘閥19的開狀態下，前述晶舟7是藉由晶舟升降機(昇降部)21來往前述處理爐18裝載，該處理爐18卸載，在晶圓2往前述晶舟7移載時是形成前述爐口閘閥19被關閉。
圖3是表示本實施例的前述晶舟7。
本實施例的晶舟7是環晶舟，圓板狀的頂板(未圖示)及底板(未圖示)是例如藉由石英、碳化矽等所構成的4根圓柱狀的支柱22來連結。在該支柱22是以所定的間隔來刻有安裝溝(未圖示)，藉由該安裝溝來形成安裝部的狹槽。形成在該狹槽安裝用以保持晶圓2的保持構件之大致環狀的板(以下稱晶圓保持環)23，該晶圓保持環23是以能夠成為水平或大致水平狀態的方式在垂直方向以所定的間隔層疊來多數安裝於前述支柱22。
前述晶圓保持環23是在插入晶圓2的側(圖 3中對於紙面而言是下側)形成有切開環的一部分的第1缺口部24，且在與該第1缺口部24對向的位置形成有突出至外周側的突出部25，該突出部25的內緣會被切開而形成第2缺口部26。
依據前述第1缺口部24及前述第2缺口部26，在前述晶圓保持環23上載置晶圓2時，前述晶圓移載機17的晶圓支持部(鑷子)不會接觸於前述晶圓保持環23。
圖4是表示前述處理爐18的周邊構成。該處理爐18是具有例如由石英(SiO2)等的耐熱性材料所構成的外管31。該外管31是有頂筒狀，在該外管31內是同心狀地配置有上端及下端被開放的內管32。並且，在前述外管31的外周是同心狀地配置有作為加熱手段的加熱器33，該加熱器33是經由加熱器基底34來保持於前述框體4上。
如在圖5也顯示般，前述晶舟7是在被安裝的前述晶圓保持環23上保持晶圓2。前述晶圓移載機17是具有：移動於上下方向，旋轉的移載機本體35、及在該移載機本體35上往復作動的主鑷子本體36。在該主鑷子本體36，例如板狀的4個鑷子37a，37b，37c，37d會被固定成延伸於平行。並且，在前述移載機本體35上，副鑷子本體38是被設成可與前述主鑷子本體36一體往復作動，且可與該主鑷子本體36獨立往復作動。在前述副鑷子本體38，鑷子37e會在前述4個鑷子37a~37d的下 位置平行固定。因此，如圖5所示般，前述晶圓移載機17可藉由5個的鑷子37a~37e來一次移載5片的晶圓2，且亦可利用最下段的前述鑷子37e來移載(單片移載)1片的監視晶圓。在移載監視晶圓時，如圖6所示般，將與一次移載的5片晶圓2之間打開1狹槽分，從與通常的晶圓2不同的卡匣3取出監視晶圓，插入5片的晶圓組間。
在前述卡匣3是例如收納有25片的晶圓2，藉由前述晶圓移載機17來將晶圓2移載於前述晶舟7所安裝的前述晶圓保持環23上，或從該晶圓保持環23上回收時，在載置有晶圓2的5個晶圓保持環23(狹槽群)之中無異常狀態的晶圓保持環23或無晶圓2時，藉由5個的鑷子37a~37e來一次移載或回收5片的晶圓2，在狹槽群之中有異常狀態的前述晶圓保持環23或有晶圓2時，可使用最下段的前述鑷子37e來只回收正常狀態的晶圓2。另外，有關前述監視晶圓，亦可與插入時同様，1片1片回收。
檢測出晶圓2、前述晶圓保持環23的檢測部41是被設在前述移載機本體35。該檢測部41是具有平行的2個臂42a，42b，該臂42a，42b是分別可旋轉地安裝於前述移載機本體35的兩側面，設成可一體地轉動。又，如圖6(A)(B)所示般，在該臂42a，42b的前端附件，一方由投光元件，另一方由受光元件所構成的透過型的光感測器43a，43b是被設成配置在前述晶舟7的前 面側，可藉由該光感測器43a，43b來檢測前述晶圓保持環23的狀態、及被載置於該晶圓保持環23上的晶圓2的狀態。
在檢測被安裝於前述晶舟7的前述晶圓保持環23的狀態時，是將前述臂42a，42b轉動固定於前述晶舟7側，以前述光感測器43a，43b的光軸能夠通過前述晶圓保持環23的方式，使前述晶圓移載機17從前述晶舟7的下端移動至上端，監視前述光感測器43a，43b的檢測輸出。另一方面，藉由前述晶圓移載機17來將晶圓2移載至前述晶舟7時，前述臂42a，42b會轉動至前述晶舟7的相反側，防止前述臂42a，42b干擾前述晶舟7或前述晶圓保持環23。
並且，在檢測被載置於該晶圓保持環23上的晶圓2的狀態時，亦與前述晶圓保持環23時同様，以前述光感測器43a，43b的光軸能夠通過前述晶圓保持環23及被載置於該晶圓保持環23上的晶圓2之方式，使前述晶圓移載機17從前述晶舟7的下端移動至上端，監視前述光感測器43a，43b的檢測輸出。
如圖4所示般，從前述光感測器43a，43b輸出的類比訊號是被輸入至例如由PC等的電腦所構成的控制裝置44。
前述控制裝置44是具有：CPU等的運算控制部45；記憶部46，其係由記憶體或HDD等所構成； 判定部47，其係進行將藉由前述檢測部41所檢測的資料予以A/D變換等的訊號處理，而取得後述的檢測值，且比較該檢測值與被儲存於前述記憶部46的資料；及搬送控制部49，其係根據前述判定部47的判定結果，經由例如馬達等所構成的驅動部48來控制前述晶圓移載機17(基板搬送部)。
前述記憶部46是具有資料儲存領域51及程式儲存領域52，在前述資料儲存領域51是儲存有後述的標準資料等的各種資料。
並且，在前述程式儲存領域52是儲存有：保持構件狀態檢測程式53，其係用以藉由在前述判定部47進行標準資料與檢測值的比較來進行前述晶圓保持環23的狀態檢測；及基板狀態檢測程式54，其係用以藉由在前述判定部47進行標準資料與檢測值的比較來進行被載置於前述晶圓保持環23上的晶圓2的狀態檢測。
另外，雖未圖示，但實際用以進行晶圓2的基板處理之各種資料及各種程式也分別被儲存於前述資料儲存領域51及前述程式儲存領域52。
在進行前述晶圓保持環23的狀態檢測、及被載置於該晶圓保持環23上的晶圓2的狀態檢測時，首先用以前述判定部47進行判定的標準資料會被取得，且被儲存於前述資料儲存領域51。
首先，說明有關為了進行前述晶圓保持環23 的狀態檢測之第1標準資料的取得。將該晶圓保持環23安裝於前述晶舟7之後，在不載置晶圓2的狀態下使前述光感測器43a，43b由下往上移動，像圖7所示那樣取得有關前述晶圓保持環23的光量的波形資料(未載置波形資料)55，賦予每個被安裝於晶舟7的各狹槽的晶圓保持環23關聯性來儲存於前述資料儲存領域51。並且，前述判定部47會從各未載置波形資料55取得前述晶圓保持環23的下端，亦即光量開始減少的點的光量作為環下基準值56，取得前述晶圓保持環23的上端，亦即減少的光量恢復的點的光量作為環上基準值57，儲存於前述資料儲存領域51。
並且，設定前述晶圓保持環23的狀態視為正常的範圍，亦即可容許的偏差的容許範圍(環偏差容許範圍)58，且儲存於前述資料儲存領域51。藉由被儲存於前述資料儲存領域51的前述環下基準值56、前述環上基準值57、前述環偏差容許範圍58來構成第1標準資料，該第1標準資料是賦予前述晶舟7的各段的狹槽關聯性來儲存於前述資料儲存領域51。
其次，說明有關為了進行前述晶圓2的狀態檢測之第2標準資料的取得。將前述晶圓保持環23安裝於前述晶舟7之後，在前述晶圓保持環23上載置晶圓2的狀態下，使前述光感測器43a，43b由下往上移動，像圖8所示那樣按每個作為安裝部的狹槽來取得前述晶圓保持環23的波形資料及晶圓2的波形資料混合的波形資料 (載置波形資料)59，賦予前述狹槽關聯性來儲存於前述資料儲存領域51。並且，前述判定部47是從各載置波形資料59取得前述晶圓保持環23的下端，亦即光量開始減少的點的光量作為晶圓下基準值61，且取得晶圓2的上端，亦即減少的光量恢復的點的光量作為晶圓上基準值62，儲存於前述資料儲存領域51。另外，由於前述晶圓下基準值61是與前述環下基準值56相等，因此前述晶圓下基準值61亦可省略。
又，與第1標準資料同様，設定晶圓2的狀態視為正常的範圍，亦即可容許的偏差的容許範圍(晶圓偏差容許範圍)63，儲存於前述資料儲存領域51。
另外，不論前述晶圓保持環23上的晶圓2的有無，為了藉由前述光感測器43a，43b的光軸通過前述晶圓保持環23來取得波形資料，是無法單純地依據波形資料的有無來判定晶圓2的有無。因此，根據是否將晶圓2往前述晶舟7的各狹槽移載的設定之晶圓2的有無資訊也為必要。而且，藉由晶圓有無資訊、前述環下基準值56、前述環上基準值57、前述環偏差容許範圍58、前述晶圓下基準值61、前述晶圓上基準值62、及前述晶圓偏差容許範圍63來構成使用在晶圓2的有無或破裂、落下等的狀態檢測之第2標準資料，該第2標準資料是賦予前述晶舟7的各段的狹槽關聯性來儲存於前述資料儲存領域51。
(實施例1)
其次，利用圖9~圖11的流程圖來說明有關本發明的第一實施形態(實施例1)。圖9是說明本發明的實施例的基板處理裝置1的動作的流程圖。圖10是本發明的實施例的前述晶圓保持環23的狀態檢測處理的流程圖。圖11是說明有關本發明的實施例的前述晶圓保持環23及被載置於前述晶圓保持環23的晶圓2的狀態檢測處理的流程圖。另外，本實施形態的前述晶圓保持環23的狀態檢測處理及前述晶圓2的狀態檢測處理是藉由運算控制部45來分別實行被儲存於前述程式儲存領域52的前述保持構件狀態檢測程式53及前述基板狀態檢測程式54。
STEP：01基板處理裝置1的動作是首先藉由AGV或OHT等來從前述框體4的外部往前述I/O平台5載置前述卡匣3，藉此開始。被載置於前述I/O平台5的前述卡匣3是藉由前述卡匣搬送機14來搬送於前述卡匣載置平台9，11上，或一旦存在前述卡匣棚6之後搬送至前述卡匣載置平台9，11上。被搬送至前述卡匣載置平台9，11上的前述卡匣3是藉由前述卡匣開啟器12，13來卸下蓋體，前述卡匣3的內部環境會與前述氣密室8的環境連通。
STEP：02其次，藉由運算控制部45來啟動前述保持構件狀態檢測程式53。一旦被啟動，則進行圖10的流程圖所示之被安裝於前述晶舟7的前述晶圓保持環23的狀態檢測處理(以下，後述的STEP：11~ STEP17)。
STEP：11一旦開始晶圓保持環23的狀態檢測處理，則前述搬送控制部49會根據實行前述保持構件狀態檢測程式53的運算控制部45的指示，經由前述驅動部48來使前述晶圓移載機17驅動，藉由前述光感測器43a，43b來取得被安裝於前述晶舟7的每個狹槽的前述晶圓保持環23的波形資料，賦予各狹槽關聯性來儲存於前述資料儲存領域51。
STEP：12前述晶圓保持環23的波形資料取得後，由該波形資料來取得光量開始減少的點的光量之環下檢測值，藉由前述判定部47來比較環下檢測值與第1標準資料，判定環下檢測值與前述環下基準值56是否同等或前述環偏差容許範圍58的範圍內。
STEP：13當前述晶圓保持環23變形或未被安裝等，前述晶圓保持環23有異常時，判定成在STEP：12，環下檢測值為前述環偏差容許範圍58的範圍外，針對進行檢測之安裝有前述晶圓保持環23的狹槽輸出錯誤。
STEP：14在STEP：12被判定成環下檢測值為與前述環下基準值56同等或前述環偏差容許範圍58的範圍內之後，或在STEP：13輸出錯誤之後，由前述晶圓保持環23的波形資料來取得光量恢復的點的光量之環上檢測值，藉由前述判定部47來比較環上檢測值與第1標準資料，判定環上檢測值與前述環上基準值57是否為同 等或前述環偏差容許範圍58的範圍內。
STEP：15當前述晶圓保持環23變形、未被安裝等的前述晶圓保持環23異常，或載置有晶圓2時，判定成在STEP：14，環上檢測值為前述環偏差容許範圍58的範圍外，針對進行檢測的前述狹槽輸出錯誤。
STEP：16在STEP：14被判定成環上檢測值為與前述環上基準值57同等或前述環偏差容許範圍58的範圍內之後，或在STEP：15輸出錯誤之後，針對全狹槽判斷是否被進行前述晶圓保持環23的狀態檢測，當在全狹槽未進行狀態檢測時，針對被安裝於其次的狹槽之前述晶圓保持環23進行STEP：12~STEP：15的處理。
STEP：17若被判斷成在STEP：16針對全狹槽進行前述晶圓保持環23的狀態檢測，則會判斷是否存在輸出錯誤的狹槽，當輸出錯誤的狹槽不存在時，繼續進行基板處理，當有輸出錯誤的狹槽存在時，基板處理會被中斷，藉由作業者來進行前述晶圓保持環23的更換等的恢復處理。
STEP：03在STEP：02的前述晶圓保持環23的狀態檢測處理未被檢測出異常時，繼續進行基板處理，藉由前述晶圓移載機17來從與前述氣密室8的環境連通的狀態的前述卡匣3內取出晶圓2。被取出的晶圓2是藉由前述基板對位裝置16來進行對位，而使缺口或定位平面能夠定於任意的位置，對位後，往前述晶舟7搬送。
STEP：04一旦晶圓2被移載至該晶舟7，則 前述基板狀態檢測程式54會被啟動，進行圖11的流程圖所示之被載置於前述晶圓保持環23上的晶圓2的狀態檢測處理(STEP21~STEP32)。
STEP：21一旦開始晶圓2的狀態檢測處理，則前述搬送控制部49會根據實行前述基板狀態檢測程式54的運算控制部45的指示，經由前述驅動部48來使前述晶圓移載機17驅動，藉由前述光感測器43a，43b來取得前述晶圓保持環23及被載置於該晶圓保持環23上的晶圓2的光量的波形資料，賦予分別安裝有前述晶圓保持環23的各狹槽關聯性來儲存於前述資料儲存領域51。
STEP：22前述波形資料的取得後，由該波形資料來取得光量開始減少的點的光量之晶圓下檢測值，藉由前述判定部47來比較晶圓下檢測值與第2標準資料，判定晶圓下檢測值與前述晶圓下基準值61是否為同等或前述晶圓偏差容許範圍63的範圍內。
STEP：23當前述晶圓保持環23有異常時，判定成在STEP：22，晶圓下檢測值為前述晶圓偏差容許範圍63的範圍外，針對進行檢測的狹槽輸出錯誤。
STEP：24在STEP：22被判定成晶圓下檢測值為與前述晶圓下基準值61同等或前述晶圓偏差容許範圍63的範圍內之後，或在STEP：23輸出錯誤之後，根據晶圓有無資訊，判斷是否為在前述晶圓保持環23上載置有晶圓2的狹槽。
STEP：25若在STEP：24被判斷成在前述晶 圓保持環23上未載置有晶圓2的狹槽，則由前述晶圓保持環23的波形資料來取得光量恢復的點的光量之環上檢測值，藉由前述判定部47來比較環上檢測值與第2標準資料，判定環上檢測值與前述環上基準值57是否為同等或前述環偏差容許範圍58的範圍內。
STEP：26當前述晶圓保持環23有異常，或載置有晶圓2時，判定成在STEP：25，環上檢測值為前述環偏差容許範圍58的範圍外，針對進行狀態檢測的狹槽輸出錯誤。
STEP：27若在STEP：24被判斷成在前述晶圓保持環23上載置有晶圓2的狹槽，則由前述晶圓保持環23及被載置於該晶圓保持環23上的晶圓2的波形資料來取得光量恢復的點的光量之晶圓上檢測值。藉由前述判定部47來比較晶圓上檢測值與第2標準資料，判定晶圓上檢測值是否與前述環上基準值57同等或前述環偏差容許範圍58的範圍內。
STEP：28當在前述晶圓保持環23上未載置有晶圓2時，判定成在STEP：27，晶圓上檢測值為與前述環上基準值57同等或前述環偏差容許範圍58的範圍內，針對進行狀態檢測的狹槽輸出錯誤。
STEP：29在STEP：27被判定成晶圓上檢測值為前述環偏差容許範圍58外之後，或在STEP：28輸出錯誤之後，藉由前述判定部47來比較晶圓上檢測值與第2標準資料，判定晶圓上檢測值是否與前述晶圓上基準 值62同等或前述晶圓偏差容許範圍63的範圍內。
STEP：30當晶圓2從前述晶圓保持環23落下，在晶圓2產生破裂等晶圓2有異常時，判定成在STEP：29，晶圓上檢測值為前述晶圓偏差容許範圍63的範圍外，針對進行狀態檢測的狹槽輸出錯誤。
STEP：31在STEP：25被判定成環上檢測值為前述環上基準值57的範圍內之後，或在STEP：26輸出錯誤之後，或在STEP：29被判定成晶圓上檢測值為前述晶圓偏差容許範圍63內之後，或在STEP：30輸出錯誤之後，針對全狹槽判斷是否晶圓2的狀態檢測被進行，當在全狹槽未被進行狀態檢測時，針對被安裝於其次的狹槽之前述晶圓保持環23上所載置的晶圓2進行STEP：22~STEP：30的處理。
STEP：32一旦被判斷成在STEP：31針對全狹槽進行前述晶圓保持環23的狀態檢測，則會判斷是否有輸出錯誤的狹槽，當輸出錯誤的狹槽不存在時，繼續進行基板處理，當輸出錯誤的狹槽存在時，基板處理會被中斷，藉由作業者來進行前述晶圓保持環23的更換、晶圓2的取出等的恢復處理。
STEP：05在STEP：04的晶圓2的狀態檢測處理未被檢測出異常時，繼續進行基板處理。其次，將前述處理爐18的前述爐口閘閥19開放，藉由前述晶舟升降機21來將移載晶圓2的前述晶舟7裝載於前述處理爐18內之後，在前述處理爐18對晶圓2實施所定的處理。
STEP：06在前述處理爐18內對晶圓2實施所定的處理之後，從前述處理爐18內卸載前述晶舟7，冷卻至所定的溫度。然後，前述基板狀態檢測程式54會被啟動，對晶圓2再度進行狀態檢測處理，亦即圖11的STEP：21~STEP：32的處理。
STEP：07在STEP：06的晶圓2的狀態檢測處理未被檢測出異常時，繼續進行基板處理，藉由前述晶圓移載機17來從前述晶舟7回收晶圓2，被回收的晶圓2會被搬送至前述卡匣3內。
STEP：08在晶圓2被回收後，前述保持構件狀態檢測程式53會再度啟動，對被安裝於前述晶舟7的前述晶圓保持環23再度進行狀態檢測處理，亦即圖10的STEP：11~STEP：17的處理。
STEP：09在STEP：08的前述晶圓保持環23的狀態檢測處理未被檢測出異常時，繼續進行基板處理，藉由前述卡匣搬送機14來從前述卡匣載置平台9，11經由前述I/O平台5往前述框體4的外部釋出，完成基板處理。
另外，本實施例1中，在前述晶圓保持環23的狀態檢測處理，晶圓2的狀態檢測處理，檢測異常時，中斷基板處理，但亦可例如只對於未被檢測出異常的前述晶圓保持環23移載晶圓2或回收，或將未被檢測異常的晶圓2從前述晶舟7回收至前述卡匣3。
在本發明的第一實施形態(實施例1)中，取 得以下的效果。
本發明的第一實施形態是在被安裝於晶舟7的前述晶圓保持環23載置晶圓2時，可兼顧前述晶圓保持環23的狀態檢測及被載置於前述晶圓保持環23的晶圓2的狀態檢測，因此可事前檢測前述晶圓保持環23所引起的異常發生及前述晶圓2所引起的異常發生雙方。
又，本發明的第一實施形態是使判定部47比較判定前述晶圓保持環23的檢測值與包含正常的該晶圓保持環23的基準值等的第1標準資料，藉此進行前述晶圓保持環23的狀態檢測，若該晶圓保持環23有異常，則中斷處理，因此可防止前述晶圓移載機17的鑷子37a~37e衝突於被檢測出異常的該晶圓保持環23而造成粒子的發生，前述晶舟7的顛倒等。
又，本發明的第一實施形態是藉由蓄積前述晶圓保持環23的狀態檢測資料，可利用在基板處理後或處理次數所產生的前述晶圓保持環23的變形的解析，可根據該解析結果來決定前述晶圓保持環23的更換等的維修週期的基準值。而且，決定用以進行維修的基準值，在前述晶圓保持環的狀態檢測處理被檢測出超過前述基準值的異常時，以警報通知作業者，藉此可不白費進行維修，可使作業性提升。
又，本發明的第一實施形態，是使在判定部47比較判定晶圓2的檢測值與包含正常的晶圓2或前述晶圓保持環23的基準值等的第2標準資料，因此晶圓2 被載置於前述晶圓保持環23上時，也可進行晶圓2的狀態檢測。
又，本發明的第一實施形態，是只要在晶圓2有破裂或變形等的異常，便會中斷處理，因此可防止前述鑷子37a~37e與破裂、變形的晶圓2衝突而造成前述晶舟7的顛倒等。
而且，本發明的第一實施形態，是可以和前述晶圓保持環23的狀態檢測同様的構成來檢測晶圓2的狀態，因此為了晶圓2的狀態檢測，不需要另外追加機構，可謀求成本的降低。
(實施例2)
其次，利用圖12及圖13來說明有關本發明的第二實施形態(實施例2)。另外，在本實施例(實施例2)中，以下，有關與實施例1同構成的基板處理裝置1及控制裝置44，以及說明與實施例1同流程的圖9及圖10所示的狀態檢測之流程圖等，有時使用相同的符號，且有時省略說明。
首先，利用圖12來說明有關晶舟7的各狹槽的變形率的不同。
作為保持構件的晶圓保持環23的變形檢測或前述晶圓保持環23上的晶圓2的破裂檢測是算出標準資料與實測後的檢測資料的差，然後，使用檢測容許值(在實施例1是分別相當於環偏差容許範圍58、晶圓偏差容 許範圍)來判斷所被算出的結果。在前述晶圓保持環23的變形檢測或前述晶圓保持環23上的晶圓2的破裂檢測中，當晶舟7的中心部與頂上部(頂部)及下端部(底部)等發生變形量的差異，被固定在作為參數(標準資料)保持的1個容許值(環偏差容許範圍58、晶圓偏差容許範圍63)時產生無法判斷的事例。在由如此的狀況來環晶舟23的變形檢測或環晶舟23上的晶圓2的破裂檢測中，需要按晶舟7的每個狹槽(或被安裝於每個狹槽的環晶舟23)來判斷的構造。
首先，說明有關前述晶圓保持環23的變形檢測。前述晶圓保持環23的變形檢測時，現狀是實測的檢測資料與標準資料比較否為檢測容許值範圍(環偏差容許範圍58)內來檢測變形異常，但由於檢測容許值為1個，因此當安裝於每個狹槽的晶圓保持環23的變形量有差異時，有時無法正確地檢測晶圓保持環23的變形異常。
圖13是使用對於晶舟7的全狹槽設定的檢測容許值設定模式(pattern)，進行前述晶圓保持環23的變形檢測及前述晶圓保持環23上的晶圓2的破裂檢測時設定檢測容許值的圖。雖未被圖示，但實際預先在記憶部46(資料儲存領域51)內儲存有各檢測容許值設定模式、及各檢測容許值模式。
在本實施形態中，是對於晶舟7的全狹槽，準備環檢測容許值設定模式，可設定環檢測容許值模式 No，在該模式No設定0時是使用既存的檢測容許值，設定0以外時是使用該當的環檢測容許值模式所設定的容許值之方式。藉此，可按每個狹槽設定檢測容許值，且可變更環檢測容許值模式的容許值，藉此可對設定同模式的狹槽全體設定容許值。另外，有關晶圓保持環23的變形檢測處理是與實施例1同様實行圖9所示的流程圖。由於與實施例1同處理，所以在此省略詳細說明。
其次，在本實施形態中，晶圓保持環23上的晶圓2破裂檢測時也同様，對於全狹槽準備晶圓破裂檢測容許值設定模式，可設定晶圓破裂檢測容許值模式No，在模式No設定0時是使用既存的檢測容許值，設定0以外時是使用該當的晶圓破裂檢測容許值模式所設定的容許值。藉此，可按每個狹槽設定檢測容許值，且可變更晶圓破裂檢測容許值模式的容許值，藉此可對設定同模式的狹槽全體設定容許值。另外，有關晶圓保持環23上的晶圓2的破裂檢測處理是與實施例1同様實行圖10所示的流程圖。由於與實施例1同處理，所以在此省略詳細說明。
使用本實施形態的各檢測容許值模式(環破裂檢測容許值模式、晶圓破裂檢測容許值模式)的方式是有關前述晶圓保持環23的變形檢測的微上．微下、前述晶圓保持環23上的晶圓2的破裂檢測的微上．微下分別可藉由持容許值設定模式及容許值模式來設定。
在本發明的第二實施形態(實施例2)中，加上上述第一實施形態的效果，還取得以下的效果。
在環變形檢測、晶圓破裂檢測處理中，無關狹槽的位置，可對晶舟7的所有狹槽設定檢測容許值，藉此可進行在各狹槽中變形量不同時的檢測。
由於可進行晶舟7的環變形檢測及晶圓破裂檢測，因此在各狹槽的變形量不同所造成的誤檢測會消失，因此無不必要的錯誤發生，無謂地使基板處理停止的情況會消失。
(實施例3)
其次，利用圖14來說明有關本發明的第三實施形態(實施例3)。另外，在本實施例(實施例3)中，以下，有關與實施例1同構成的基板處理裝置1及控制裝置44，以及說明與實施例1同流程的圖9及圖10所示的狀態檢測之流程圖等，有時使用相同的符號，且有時省略說明。
其次，利用圖14來說明有關考慮晶圓類別所產生的變形率的差之厚度基準值模式。有關晶圓保持環23上的晶圓2破裂檢測是依晶圓2的種類而厚度不同，因此有時判定出現差異，所以指定成可按每個晶圓類別設定厚度基準值模式的基準值。亦即，以檢測資料是否為標準資料+每個晶圓類別的厚度基準值+每個狹槽的檢測容許值及標準資料+每個晶圓類別的厚度基準值-每個狹槽的檢測容許值的範圍內來判定。有關晶圓2的破裂檢測處理是與實施例1同様實行圖10所示的流程圖。另外，與實施 例1不同的是僅圖10的容許範圍替換成上述計算式，之後的處理是與實施例1同處理，所以在此省略詳細說明。
藉此，在前述晶圓保持環23上的晶圓2破裂檢測的判定時，藉由判斷該當的狹槽的晶圓類別，加算此厚度基準值，可使晶圓類別的不同所造成的檢測誤差消失。此方式是在不使用環晶舟之以往的晶圓破裂檢測的每個狹槽的晶圓變形檢測判定中也可使用。
在本發明的第三實施形態(實施例3)中，加上上述第一實施形態(實施例1)及第二實施形態(實施例2)的效果，還取得以下的效果。
晶圓破裂檢測時，藉由加算晶圓類別的厚度基準值，可使晶圓類別的不同所造成的檢測誤差消失。
此方式是在不使用環晶舟之以往的晶圓破裂檢測的每個狹槽的晶圓變形檢測判定中也可使用，不必使用特別的構成，因此可壓低改造成本。
另外，本發明的實施形態的前述基板處理裝置1是不僅半導體製造裝置，也可適用在處理LCD裝置之類的玻璃基板的裝置，或當然也可適用在曝光裝置、光微影(Lithography)裝置、塗佈裝置、利用電漿的處理裝置等的各種裝置。
而且，成膜處理亦可實施CVD、PVD、ALD或形成氧化膜、氮化膜的處理、形成含金屬的膜的處理。
(附記)
又，本發明是包含以下的實施形態。
(附記1)若根據本發明的一實施形態，則可提供一種基板處理裝置，其係具備：保持構件，其係載置基板；基板保持具，其係安裝前述保持構件來保持基板；基板搬送部，其係構成搬送複數片或一片的基板；檢測部，其係檢測被安裝於前述基板保持具的前述保持構件的狀態；判定部，其係比較藉由前述檢測部而取得之顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，判定前述保持構件本身的狀態；及搬送控制部，其係按照前述判定部的判定結果來控制前述基板搬送部。
(附記2)若根據本發明的其他形態，則可提供一種基板處理裝置的保持構件狀態檢測程式，其係使檢測保持構件的狀態之檢測部取得波形資料，使判定部由前述波形資料取得顯示前述保持構件的下端及上端的資料，且使比較取得的各波形資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，藉此使判定前述保持構件的狀態，藉由判定來檢測出異常時，使處理中斷。
(附記3)若根據本發明的其他形態，則可提供一種基板處理裝置，其係具備：保持構件，其係載置基板； 基板保持具，其係安裝前述保持構件來保持基板；檢測部，其係檢測被安裝於前述基板保持具的前述保持構件及被載置於前述保持構件的基板的狀態；判定部，其係比較藉由前述檢測部而取得的檢測資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件及被載置於該保持構件的基板而取得之成為基準的第2標準資料，判定基板的狀態；及基板搬送部，其係按照前述判定部的判定結果來進行往前述基板保持具之基板的移載。
(附記4)如附記1或附記3的基板處理裝置，其中，前述基板保持具更設有所定數量用以安裝前述保持構件的安裝部，前述判定部的比較係僅前述安裝部的數量重複進行。
(附記5)如附記4的基板處理裝置，其中，若前述判定部的判定結果無異常，則對前述保持構件重複進行基板的搬送。
(附記6)如附記4的基板處理裝置，其中，若前述判定部的判定結果有異常，則前述基板搬送部係構成待機至解除在前述安裝部發生的異常之處理終了為止。
(附記7)若根據本發明的另外其他形態，則可一種基板處理裝置的基板狀態檢測程式，其係使檢測保持構件及被載置於該保持構件的基板的狀態之檢測部取得波形資料，使判定部由前述波形資料取得顯示前述保持構件的下端及基板的上端的資料，且使比較取得的資料及預 先檢測正常狀態的前述保持構件及被載置於該保持構件的基板而取得之成為基準的第2標準資料，藉此使判定前述保持構件及基板的狀態，藉由判定來檢測出異常時，使處理中斷。
(附記8)若根據本發明的另外其他形態，則可提供一種基板移載方法，係至少具有對於安裝有保持構件的基板保持具移載前述基板的移載工程者，其特徵係具有：資料取得工程，其係使檢測手段取得在前述保持構件載置有基板的狀態之顯示前述保持構件的下端及基板的上端之資料；及判定工程，其係使判定部比較在前述資料取得工程所取得的資料及預先檢測正常狀態的前述保持構件及被載置於該保持構件的基板而取得之成為基準的第2標準資料，藉此使判定前述保持構件及基板的狀態，在前述判定工程檢測出異常時，中斷處理。
(附記9)若根據本發明的另外其他形態，則可提供一種半導體裝置的製造方法，係至少具有對於安裝有保持構件的基板保持具移載前述基板的移載工程者，其特徵係具有：資料取得工程，其係使檢測部取得在前述保持構件載置有基板的狀態之顯示前述保持構件的下端及基板的上端之資料；及判定工程，其係使判定手段比較在前述資料取得工程 所取得的資料及預先檢測正常狀態的前述保持構件及被載置於該保持構件的基板而取得之成為基準的第2標準資料，藉此使判定前述保持構件及基板的狀態，在前述判定工程檢測出異常時，中斷處理。
(附記10)如附記1的基板處理裝置，其中，更具備記憶部，該記憶部係儲存至少具有成為前述保持構件的位置的基準的資料之第1標準資料及至少具有成為被載置於前述基板保持構件的基板的位置的基準的資料之第2標準資料。
(附記11)如附記10的基板處理裝置，其中，前述記憶部係儲存用以微調整對於基板保持具的全狹槽所設定的檢測容許值之檢測容許值設定模式及用以設定前述檢測容許值之檢測容許值模式。
(附記12)如附記10或附記11的基板處理裝置，其中，前述記憶部係儲存用以按照基板的類別來變更檢測容許值之基準值模式。
2‧‧‧晶圓
4‧‧‧框體
7‧‧‧晶舟
8‧‧‧氣密室
17‧‧‧晶圓移載機
18‧‧‧處理爐
22‧‧‧支柱
31‧‧‧外管
32‧‧‧內管
33‧‧‧加熱器
34‧‧‧加熱器基底
35‧‧‧移載機本體
36‧‧‧主鑷子本體
37a~37e‧‧‧鑷子
41‧‧‧檢測部
43‧‧‧光感測器
44‧‧‧控制裝置
45‧‧‧運算控制部
46‧‧‧記憶部
47‧‧‧判定部
48‧‧‧驅動部
49‧‧‧搬送控制部
51‧‧‧資料儲存領域
52‧‧‧程式儲存領域
53‧‧‧保持構件狀態檢測程式
54‧‧‧基板狀態檢測程式

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具備：基板保持具，其係安裝載置基板的保持構件；基板搬送部，其係構成搬送複數片或一片的基板；檢測部，其係檢測被安裝於前述基板保持具的前述保持構件的狀態；判定部，其係比較藉由前述檢測部而取得之顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，判定前述保持構件本身的狀態；及搬送控制部，其係按照前述判定部的判定結果來控制前述基板搬送部。
  2. 一種基板移載方法，係至少具有對於安裝有載置基板的保持構件之基板保持具移載前述基板的移載工程者，其特徵係具有判定工程，該判定工程係比較顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，判定前述保持構件本身的狀態，按照前述判定工程的判定結果來將基板移載至前述基板保持具。
  3. 一種半導體裝置的製造方法，係至少具有對於安裝有載置基板的保持構件之基板保持具移載前述基板的移載工程者，其特徵係具有判定工程，該判定工程係比較顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，判定前述保持構 件本身的狀態，按照前述判定工程的判定結果來將基板移載至前述基板保持具。
  4. 一種可讀取保持構件狀態檢測程式的記憶媒體，係可讀取在基板處理裝置所被實行的保持構件狀態檢測程式，該基板處理裝置係至少具有：安裝載置基板的保持構件之基板保持具、及構成搬送複數片或一片的基板之基板搬送部、及控制前述基板搬送部的搬送控制部，其特徵為可讀取保持構件狀態檢測程式，該保持構件狀態檢測程式係使檢測保持構件的狀態之檢測部取得波形資料，使判定部由前述波形資料取得顯示前述保持構件的下端及上端的資料，且使比較取得的各波形資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的標準資料，藉此使判定前述保持構件的狀態，藉由判定來檢測出異常時，使處理中斷。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述基板保持具更設有所定數量用以安裝前述保持構件的安裝部，前述判定部的比較係僅前述安裝部的數量重複進行。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，若前述判定部的判定結果無異常，則對前述保持構件重複進行基板的搬送。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，若前述判定部的判定結果有異常，則前述基板搬送部係構成待機至解除在前述安裝部發生的異常之處理終了為止。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備儲存前述標準資料的記憶部，前述記憶部係儲存用以微調整對於基板保持具的全狹槽所設定的檢測容許值之檢測容許值設定模式及用以設定前述檢測容許值之檢測容許值模式。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，前述記憶部係儲存用以按照基板的類別來變更檢測容許值之基準值模式。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備記憶部，該記憶部係儲存用以按照基板的類別來變更檢測容許值之基準值模式。
  11. 一種基板處理裝置，其特徵係具備：保持構件，其係載置基板；基板保持具，其係安裝前述保持構件來保持基板；檢測部，其係檢測被安裝於前述基板保持具的前述保持構件及被載置於前述保持構件的基板的狀態；判定部，其係比較藉由前述檢測部而取得的檢測資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的第1標準資料及檢測被載置於該保持構件的基板而取得之成為基準的第2標準資料，判定基板的狀態；及基板搬送部，其係按照前述判定部的判定結果來進行往前述基板保持具之基板的移載。
  12. 一種基板移載方法，係至少具有對於安裝有載置基板的保持構件之基板保持具移載前述基板的移載工程 者，其特徵係具有判定工程，該判定工程係比較顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的第1標準資料及檢測被載置於該保持構件的基板而取得之成為基準的第2標準資料，判定前述保持構件本身的狀態及被載置於該保持構件的基板的狀態，按照前述判定工程的判定結果來將基板移載至前述基板保持具。
  13. 一種半導體裝置的製造方法，係至少具有對於安裝有載置基板的保持構件之基板保持具移載前述基板的移載工程者，其特徵係具有判定工程，該判定工程係比較顯示前述保持構件的狀態之資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的第1標準資料及檢測被載置於該保持構件的基板而取得之成為基準的第2標準資料，判定前述保持構件本身的狀態及被載置於該保持構件的基板的狀態，按照前述判定工程的判定結果來將基板移載至前述基板保持具。
  14. 一種可讀取保持構件狀態檢測程式的記憶媒體，係可讀取在基板處理裝置所被實行的保持構件狀態檢測程式，該基板處理裝置係至少具有：安裝載置基板的保持構件之基板保持具、及構成搬送複數片或一片的基板之基板搬送部、及控制前述基板搬送部的搬送控制部，其特徵為可讀取保持構件狀態檢測程式，該保持構件狀態檢測程式係使檢測保持構件的狀態之檢測部取得波形資料，使判定部由前述波形資料取得顯示前述保持構件的下端及上端的 資料，且使比較取得的各波形資料與預先檢測正常狀態的前述保持構件而取得之成為基準的第1標準資料及檢測被載置於該保持構件的基板而取得之成為基準的第2標準資料，藉此使判定前述保持構件的狀態及被載置於該保持構件的基板的狀態，藉由判定來檢測出異常時，使處理中斷。
  15. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，前述基板保持具更設有所定數量用以安裝前述保持構件的安裝部，前述判定部的比較係僅前述安裝部的數量重複進行。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，若前述判定部的判定結果無異常，則對前述保持構件重複進行基板的搬送。
  17. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，若前述判定部的判定結果有異常，則前述基板搬送部係構成待機至解除在前述安裝部發生的異常之處理終了為止。
  18. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，更具備記憶部，該記憶部係儲存至少具有成為前述保持構件的位置的基準的資料之第1標準資料及至少具有成為被載置於前述基板保持構件的基板的位置的基準的資料之第2標準資料。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板處理裝置，其中，前述記憶部係儲存用以微調整對於基板保持具的全狹 槽所設定的檢測容許值之檢測容許值設定模式及用以設定前述檢測容許值之檢測容許值模式。
  20. 如申請專利範圍第18項之基板處理裝置，其中，前述記憶部係儲存用以按照基板的類別來變更檢測容許值之基準值模式。
  21. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更具備記憶部，該記憶部係儲存用以按照基板的類別來變更檢測容許值之基準值模式。
TW102106036A 2012-03-08 2013-02-21 基板處理裝置、基板移載方法及半導體裝置的製造方法以及狀態檢測程式 TWI611491B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012052046 2012-03-08
JP2013014548A JP6185722B2 (ja) 2012-03-08 2013-01-29 基板処理装置、基板移載方法及び半導体装置の製造方法並びに状態検知プログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201351530A true TW201351530A (zh) 2013-12-16
TWI611491B TWI611491B (zh) 2018-01-11

Family

ID=49114791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102106036A TWI611491B (zh) 2012-03-08 2013-02-21 基板處理裝置、基板移載方法及半導體裝置的製造方法以及狀態檢測程式

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9558976B2 (zh)
JP (1) JP6185722B2 (zh)
TW (1) TWI611491B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI641932B (zh) * 2016-03-29 2018-11-21 日商國際電氣股份有限公司 Processing device, device management controller, and recording medium
US11966210B2 (en) 2016-03-29 2024-04-23 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, device management controller, and recording medium

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8882431B2 (en) * 2008-10-07 2014-11-11 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate transfer robot and substrate transfer system
JP6098217B2 (ja) * 2013-02-20 2017-03-22 株式会社村田製作所 回路基板およびその製造方法
CN105789082B (zh) * 2016-05-18 2018-04-06 上海柏凌电子科技有限公司 一种硅片隐裂检测系统
JP6610518B2 (ja) * 2016-11-30 2019-11-27 株式会社ダイフク 検査装置
TWI618165B (zh) * 2016-12-28 2018-03-11 中美矽晶製品股份有限公司 晶片檢測裝置及其檢測方法
JP6794880B2 (ja) * 2017-03-14 2020-12-02 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置の運転方法
WO2019021465A1 (ja) * 2017-07-28 2019-01-31 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP7336877B2 (ja) * 2019-05-21 2023-09-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN112864035A (zh) * 2020-12-28 2021-05-28 天津爱旭太阳能科技有限公司 一种太阳能电池片自动下料机及其控制方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5409348A (en) * 1992-05-15 1995-04-25 Tokyo Electron Limited Substrate transfer method
JP3100252B2 (ja) * 1992-05-26 2000-10-16 東京エレクトロン株式会社 被処理体用ボート及びそれを用いた被処理体の移し換え方法ならびに熱処理装置
US20060183070A1 (en) * 2003-09-25 2006-08-17 Hitachi Kosusai Electric Inc. Substrate processing device and method of producing substrates
JP2005142244A (ja) 2003-11-05 2005-06-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2007201417A (ja) * 2005-12-28 2007-08-09 Tokyo Electron Ltd 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置
JP5131094B2 (ja) * 2008-08-29 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法並びに記憶媒体
JP5356956B2 (ja) * 2009-09-09 2013-12-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI641932B (zh) * 2016-03-29 2018-11-21 日商國際電氣股份有限公司 Processing device, device management controller, and recording medium
US11237538B2 (en) 2016-03-29 2022-02-01 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, device management controller, and recording medium
US11966210B2 (en) 2016-03-29 2024-04-23 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, device management controller, and recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
TWI611491B (zh) 2018-01-11
JP2013214723A (ja) 2013-10-17
US9558976B2 (en) 2017-01-31
JP6185722B2 (ja) 2017-08-23
US20130238113A1 (en) 2013-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201351530A (zh) 基板處理裝置、基板移載方法及半導體裝置的製造方法以及狀態檢測程式
JP6403431B2 (ja) 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム
TWI511075B (zh) 管理裝置、基板處理系統、資料分析方法以及電腦可讀取記錄媒體
WO2006038584A1 (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US10062592B2 (en) Substrate processing apparatus
TW201436085A (zh) 基板處理裝置、基板裝置之運用方法及記憶媒體
CN110945638B (zh) 半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质
TWI409901B (zh) 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
TWI461869B (zh) 基板處理裝置暨其控制方法、狀態遷移方法與保養方法，半導體元件之製造方法，狀態遷移程式之儲存記錄媒體與執行之電腦，及控制器
JP2010219460A (ja) 基板処理装置
US10607869B2 (en) Substrate processing system and control device
US11060190B2 (en) Substrate processing apparatus and control system
US9679794B2 (en) Spacer, spacer transferring method, processing method and processing apparatus
KR101388226B1 (ko) 서셉터의 변형을 검출하는 원자층 증착장비
CN115440637A (zh) 信息处理装置、移载位置校正方法及基板处理装置
JP2008028206A (ja) 半導体製造装置およびボート載置台
JP5921859B2 (ja) 基板処理システム及び制御装置及びプログラム及び半導体装置の製造方法
KR102260747B1 (ko) 기판 처리 장치, 제어 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법
TW202209535A (zh) 晶圓盒裝置、半導體處理機台和晶圓檢測方法
US6444974B1 (en) Method for transferring a dummy wafer
KR20050045339A (ko) 웨이퍼 이송장치
JP2013074039A (ja) 群管理装置
KR20060084926A (ko) 웨이퍼 가공 장치
JP2012146809A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007258632A (ja) 基板処理装置