WO2006038584A1 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2006038584A1
WO2006038584A1 PCT/JP2005/018283 JP2005018283W WO2006038584A1 WO 2006038584 A1 WO2006038584 A1 WO 2006038584A1 JP 2005018283 W JP2005018283 W JP 2005018283W WO 2006038584 A1 WO2006038584 A1 WO 2006038584A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrates
boat
substrate
wafer
control unit
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/018283
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Makoto Hirano
Norichika Yamagishi
Akihiro Yoshida
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc. filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc.
Priority to JP2006539280A priority Critical patent/JP4555302B2/ja
Priority to US11/662,631 priority patent/US7751922B2/en
Publication of WO2006038584A1 publication Critical patent/WO2006038584A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a function of detecting the position of a substrate during a manufacturing process and a method of manufacturing a semiconductor device processed using the same.
  • a wafer state detection mechanism is provided in order to detect the position of a substrate, for example, a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a wafer) during a manufacturing process.
  • a wafer state detection mechanism compares the position of adjacent wafers and the position of wafers in other slots transferred to the boat with position information that has been preliminarily set to compare the wafer state during the manufacturing process. It is determined whether or not the power is normal.
  • the wafer pitch the distance between adjacent wafers transferred to the boat (hereinafter referred to as the wafer pitch) is compared with preset position information, and the gap between the positions is transferred by the wafer transfer machine. If it is less than the allowable error ⁇ t, it is judged as normal.
  • Patent Document 1 JP-A-7-142553
  • Patent Document 2 JP-A-5-41442
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 6-298315
  • the allowable error At is accumulated as the number of detected wafers increases. For example, when detecting the wafer state when n wafers are placed on a boat with a wafer pitch of 10 mm, the wafer pitch is 9.5 mm to 10.5 mm if the allowable error At is within ⁇ 0.5 mm. If it is within the range, it is judged as normal. Therefore, if the distance between the first wafer and the second wafer is 9.8mm, it is judged as normal. In addition, if the spacing force between the second and third wafers is S9.8mm, it is judged as normal.
  • the n-th wafer is detected and the interval between all wafers is 9.8 mm, the n-th wafer is displaced by ((n-1) X 0.2] mm from the reference position. Even in such a case, if the distance between adjacent wafers is normal, the positions of all the wafers are determined to be normal.
  • the eleventh wafer is displaced by 2 mm from the reference position.
  • the positions of all the wafers are determined to be normal. End up. In such a state, if the wafer transfer operation is performed by the wafer transfer machine, the back surface of the wafer is pulled by the twister and a back scratch is generated, or the twister collides with the wafer and damages the boat. Sometimes. Also, the wafer may be rubbed into the boat groove.
  • the conventional wafer state detection mechanism confirms the wafer pitch for the purpose of confirming that there is no interference even if the twister of the wafer transfer machine is inserted between the wafers transferred on the boat. As a result, no countermeasures are taken due to accumulated wafer errors. In addition, since the conventional wafer position detection method performs relative comparison between adjacent wafers, accurate position detection is possible unless the boat is loaded with all slots without empty slots! Can not do.
  • Patent Document 3 detects the inclination of the boat itself, and detects the position of the wafer loaded on the boat to determine the wafer mounting state on the boat. It is not something to detect. In other words, because quartz is a light-transmitting material, it is difficult to measure a quartz boat with an optical sensor using this technology. In addition, when detecting the wafer position and mounting state, it is necessary to provide two types of sensors, a wafer detection sensor for detecting the wafer state and a boat detection sensor for detecting the boat state. The cost of installation will be high.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and it is possible to accurately determine whether or not the wafer displacement is within an allowable range regardless of whether there is an empty slot in the boat. It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus provided with a wafer state detection mechanism capable of detecting, and a method of manufacturing a semiconductor device processed using the same.
  • a semiconductor manufacturing apparatus includes a processing furnace for performing predetermined heat treatment on a plurality of substrates, and stacking the plurality of substrates into the processing furnace.
  • a boat for carrying out a substrate detection sensor for detecting a substrate by changing a relative position with respect to the plurality of substrates stacked on the boat, a reference position of the plurality of substrates, and a plurality of substrates
  • a controller for registering an allowable displacement range with respect to a reference position, wherein the controller inputs position information of the plurality of substrates measured by the substrate detection sensor, and the position information of the plurality of substrates is the plurality of positions. If the allowable position deviation exceeds the reference position of the substrate!
  • the average value of the position information of the plurality of substrates is compared with the maximum value, and the position information of the plurality of substrates is compared. Compare mean and minimum The difference obtained by comparison of the respective is within the allowable range of the deviation of the substrate, characterized by determining the deviation of the boat stop position.
  • control unit outputs a fault signal indicating a shift of the boat stop position if the difference obtained by the comparison is within an allowable range of the shift of the substrate. .
  • control unit compares an average value and a maximum value of the position information of the substrate for a predetermined number of sheets with respect to a total number of the plurality of preset substrates, and the plurality of preset the plurality of substrates. An average value and a minimum value of the position information of the substrate for a predetermined ratio of the total number of substrates are compared.
  • control unit compares a predetermined number of preset sheets with an average value of the position information of the substrate and a maximum value, and compares the predetermined number of sheets with an average of the position information of the substrate. It is characterized by comparing the value with the minimum value.
  • control unit compares the average value and the maximum value of the position information of all the substrates with respect to the plurality of substrates, and the position information of all the substrates with respect to the plurality of substrates. The average value and the minimum value are compared.
  • the present invention provides a processing furnace for performing a predetermined heat treatment on a plurality of substrates, a boat for stacking and placing the plurality of substrates into and out of the processing furnace, and a stacking arrangement on the boat
  • a substrate detection sensor that detects a substrate by changing a relative position with respect to the plurality of substrates to be detected, a reference position of the plurality of substrates, and a positional deviation allowable range with respect to the reference position of the plurality of substrates are registered.
  • a control unit wherein the control unit inputs position information of the plurality of substrates measured by the substrate detection sensor, and the position information of the plurality of substrates is shifted relative to a reference position of the plurality of substrates. If the allowable range is exceeded, the substrate position gradually changes and the force is confirmed. If it is detected that the substrate position gradually changes, it is determined that the boat is deformed.
  • the present invention provides the method for manufacturing a semiconductor device processed using the semiconductor manufacturing apparatus, wherein the control unit inputs positional information of the plurality of substrates measured by the substrate detection sensor, If the position information of the substrate exceeds the allowable position deviation range with respect to the reference position of the plurality of substrates, the next processing is performed with the plurality of substrates stacked on the boat.
  • a plurality of substrates are exchanged, a boat in which a plurality of substrates to be processed next time is stacked and loaded into the processing furnace, and a predetermined heat treatment is performed on the plurality of substrates to be processed next time in the processing furnace. It is characterized by that.
  • control unit confirms the force with which the substrate position is gradually changed, and outputs a failure signal indicating that the boat is deformed when detecting that the substrate position is gradually changed. It is characterized by doing.
  • the present invention provides a processing furnace for performing a predetermined heat treatment on a plurality of substrates, a boat for stacking and mounting the plurality of substrates into the processing furnace, and stacking the boats on the boat.
  • a substrate detection sensor that detects a substrate by changing a relative position with respect to the plurality of substrates, and when the plurality of substrates are heated in the processing furnace, the boat is unloaded from the processing furnace. Or when the boat is unloaded from the processing furnace, the positions of the plurality of substrates are measured by the substrate detection sensor, and the measured values are compared with the registered reference positions.
  • a control unit that determines that the position of the substrate is abnormal when it exceeds the allowable positional deviation range of the plurality of substrates.
  • control unit outputs a failure signal when determining that the position of the substrate is abnormal.
  • the control unit measures the positions of the plurality of substrates by the substrate detection sensor and is registered with the measured values. Compared with the reference position, if there is a strong force exceeding the positional deviation allowable range of the plurality of substrates, replace the plurality of substrates stacked in the boat with a plurality of substrates to be processed next time, A boat in which a plurality of substrates to be processed next time are stacked is carried into the processing furnace, and a predetermined heat treatment is performed on the plurality of substrates to be processed next time in the processing furnace.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of a wafer state detection mechanism in a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing a processing furnace and its periphery in a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view of the wafer mounted on the transfer machine and boat shown in FIG.
  • FIG. 4 is a view showing a graph in which the acquired data of detected wafer positions is normal in all slots in the wafer state detection mechanism of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a graph in which the acquired data of the detected wafer position is abnormal in the wafer state detection mechanism of the present invention.
  • FIG. 6 In the wafer state detection mechanism of the present invention, the acquired data of the detected wafer position is abnormal. However, it is a figure which shows the graph which positioning of a boat elevator is required.
  • FIG. 7 is a diagram showing a graph in which the acquired data of the detected wafer position is an abnormal boat pitch in the wafer state detection mechanism of the present invention.
  • FIG. 8 is a first flowchart comparing a difference ⁇ Pn between reference position data and detected position data with an allowable error ⁇ t in the wafer state detection mechanism of the present invention.
  • FIG. 9 is a second flowchart comparing the difference ⁇ Pn between the reference position data and the detected position data with the allowable error ⁇ t in the wafer state detection mechanism of the present invention.
  • FIG. 10 is a conceptual diagram showing a comparison of wafer detection determination by a conventional wafer state detection mechanism and a wafer state detection mechanism of the present invention, where (a) is a wafer state detection mechanism, (b) is a conventional detection state, (C) shows the detection state of the present invention.
  • FIG. 11 is a view showing a state of transferring wafers to a boat in a semiconductor manufacturing apparatus that is generally used.
  • FIG. 12 is a conceptual diagram showing a state in which the main controller controls wafer transfer using a wafer map in the wafer state detection mechanism according to the present invention.
  • FIG. 13 is an external perspective view of a processing apparatus applied to the present invention.
  • FIG. 14 is a side view of the processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 15 is a sectional view showing a low pressure CVD furnace in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of a wafer state detection mechanism in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
  • the optical sensor 1 provided in the wafer state detection mechanism projects and receives the optical axis 2 by a light emitting element and a light receiving element.
  • the optical sensor 1 detects the transfer state of the wafer 3 (for example, the presence / absence of the wafer, the deviation from the reference position, etc.) by shielding the optical axis 2 from the wafer 3.
  • the arithmetic unit 4 calculates the position of the wafer 3 by transmitting information about the transfer state of the wafer 3 detected by the optical sensor 1 to the arithmetic unit 4.
  • the optical sensor 1 is not shown in the figure, and has a structure that can be raised and lowered along the vertical axis of the boat.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the processing furnace and its periphery in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
  • a processing furnace 12 is mounted on a casing 11, and a boat 13 on which a wafer 3 is placed, a transfer machine 14, and a twister 15 are placed inside the casing 11.
  • the arm 16 provided with the optical sensor 1 is housed in the tip portion.
  • a flag 17 is attached to the transfer machine 14, and a proximity switch 18 is provided at a position corresponding to the flag 17 on the casing 11 side (not shown). Z).
  • a flag 17 is attached to the transfer machine 14 in order to send a start signal for acquiring position data 3 of the UENO 3 and
  • the proximity switch 18 is fixed on the vertical axis along which the transfer machine 14 moves.
  • the transfer machine 14 having the arm 16 having the optical sensor 1 moves up and down along a vertical axis (not shown)
  • the proximity switch 18 is turned on when the flag 17 passes the proximity switch 18.
  • FIG. 3 is a plan view of the transfer machine 14 and the wafer 3 placed on the boat shown in FIG. 2 as viewed from above.
  • three support posts 19a are arranged in the vertical direction (the direction of the back surface of the paper), and each wafer 3 is supported in parallel by the support groove 19b formed in the support posts 19a.
  • the transfer machine 14 includes a transfer machine body 14a that moves and rotates in the vertical direction, and a twister mounting portion 14b to which a twister 15 that reciprocates on the transfer machine body 14a is attached. .
  • a pair of optical sensors having two arms 16 extending in parallel from the transfer machine main body 14a, having a light emitting element at the tip of one arm 16 and a light receiving element at the tip of the other arm 16. Has one.
  • the amount of movement by the vertical movement axis of the transfer machine 14 can be obtained from a pulse count value by an encoder provided on a lifting / lowering rotary shaft (not shown).
  • This Nore count value is represented by an integer number from 00000 to 99999 in the f column, and increases or decreases as the rotation shaft rotates when the transfer machine moves up and down.
  • the vertical and vertical axis travel is 0.004mmZ pulse, the travel per pulse is extremely small, and the stop position accuracy is about 10 pulses (ie 0.04mm), which is very high accuracy. It is managed by.
  • the wafer state detection mechanism attached to the transfer machine 14 is configured so that each boat slot (groove provided in the support 19a has a groove when the start signal by the data acquisition start switch including the flag 17 and the proximity switch 18 is set to the origin position. 19b)
  • the distance traveled to the position is quite high so as not to affect the accuracy of detecting the abnormal state of the wafer position. For example, if the deviation from the criteria position of the wafer 3 is allowable range ⁇ 0. 25 mm is, in order to measure the moving distance of 10- 2 mm with high accuracy, at least 10- 3 mm order of detection Although accuracy is required, the detection accuracy of the wafer state detection mechanism according to the present invention sufficiently satisfies this condition.
  • the manufacturing specification of the boat 13 used in the substrate processing apparatus shown in FIG. 2 has an error of 0.3 mm or less with respect to a length of 1000 mm, and each pitch error of the boat slot is 0.05 mm. It is as follows. With the configuration of the wafer state detection mechanism as described above, the initial detection data for determining the reference position can be said to be high-precision absolute position data for comparison with the wafer position detection data.
  • the position data of wafer 3 acquired by the optical sensor 1 is amplified by the amplifier 5 and taken into the arithmetic unit 4.
  • the position data of the wafer 3 obtained here is a value indicating the distance from the origin position.
  • the distance is obtained by detecting the rotation amount of the motor that moves up and down the transfer machine 14 with an encoder (not shown), and using the detected amount (number of pulses) of the transfer machine 14 having the origin position force. Calculate the lift (position).
  • the movement distance ( mm ) per pulse output by the encoder is obtained in advance, the number of pulses of encoder force from the origin position to the position where wafer 3 is detected (position where the transfer machine stops)
  • the movement distance can be determined by counting.
  • the arithmetic unit 4 acquires wafer position (wafer detection) data from the wafer state detection data detected by the optical sensor 1, and records the data for each slot number (step Sl). . Further, the arithmetic unit 4 records data for each slot number in association with the number of pulses from the origin position detected by the start signal switch (proximity switch 18) (step S2).
  • the reference position data shall be acquired and stored with two or more wafers.
  • the wafer state detection data (that is, the wafer detection position data) and the reference position data recorded (stored) for each slot number are divided into the reference position data for each slot number.
  • the difference ⁇ P between the data and the detected position data is obtained, and the difference in the nth slot is plotted as ⁇ Pn (step S3).
  • a reference position of a plurality of substrates and an allowable error of substrate displacement with respect to the reference positions of the plurality of substrates are registered in the controller in advance.
  • the reference position of the plurality of substrates is the value of the distance from the origin position force to each slot. For example, it can be acquired under the following conditions (1) to (5), Register with.
  • the plurality of substrates stacked on the boat is heat-treated in the processing furnace, and the processing furnace After the boat has been unloaded, in order to detect the displacement of the substrate, the displacement of the boat origin, and the deformation of the boat, the height positions of a plurality of substrates stacked on the boat are measured.
  • the difference ( ⁇ ⁇ ) from the reference position registered in the controller is obtained, and even if a cumulative error or the like occurs, it is possible to reliably detect the positional deviation of the substrate.
  • the displacement of the substrate means that the position of the entire substrate of at least one substrate to be measured is displaced, or the position of a part of the substrate is displaced, or a part of the substrate is deformed. This includes any state (eg, the central portion of the main surface of the substrate hangs down due to thermal deformation).
  • Step S4 it is determined whether or not
  • it is determined that the wafer in the nth slot is normal, and if not
  • FIG. 4 shows a graph in which the acquired data of the detected wafer position is normal in all slots in the wafer state detection mechanism of the present invention. That is, as shown in FIG. 4, since the difference ⁇ Pn between the reference position data and the detected position data is less than the allowable error ⁇ t ( ⁇ 0.5 mm) in all slots, the wafer state is normal. Determined.
  • FIG. 5 shows a graph in which the acquired data of the detected wafer position is abnormal in the wafer state detection mechanism of the present invention. That is, as shown in FIG. 5, there is a slot in which the difference ⁇ Pn between the reference position data and the detected position data exceeds the allowable error ⁇ t ( ⁇ 0.5 mm) in all slots! Therefore, it is determined that the wafer state is abnormal.
  • FIG. 6 shows a graph in the wafer state detection mechanism of the present invention in which the acquired data of the detected wafer position is abnormal but the boat elevator needs to be positioned. That is, as shown in Fig. 6, the difference ⁇ ⁇ n between the reference position data and the detected position data exceeds the allowable error ⁇ t ( ⁇ 0.5mm) in all slots! Since ⁇ Pn has little variation and the reference position (Omm) force deviates by about + 1mm in the state! /, It is judged that the boat elevator stop position is abnormal. In this case the positioning of the boat elevator Need to be readjusted.
  • FIG. 7 shows a graph in which the acquired data of the detected wafer position is an abnormal boat pitch in the wafer state detection mechanism of the present invention. That is, as shown in FIG. 7, the reference position ( ⁇ Omm) force gradually shifts in the same direction as the detected position data, and eventually exceeds the allowable error ⁇ t ( ⁇ 0.5 mm). Therefore, it is necessary to announce the boat maintenance time in advance because the detection position data force may be due to thermal deformation of the boat. It should be noted that the thermal deformation of the boat is caused by the boat's struts becoming creeped by heat treatment (that is, in a soft state), and by repeatedly performing batch processing, the struts are gradually deformed to support the wafer. This is a phenomenon that occurs when the groove changes.
  • FIG. 8 is a first flowchart comparing the difference ⁇ between the reference position data and the detected position data with the allowable error At in the wafer state detection mechanism of the present invention.
  • the difference ⁇ ⁇ between the reference position and the detection position in the lot is obtained, and it is determined whether or not the absolute value of the difference ⁇ ⁇ and the absolute value of the allowable error At are I ⁇ ⁇ I and IA t I. (Step S11). If I ⁇ ⁇ I ⁇ IAt I (Yes in step SI 1), it is determined that the lot wafer state is normal (step S12). That is, the graph in Fig. 4 corresponds to this.
  • step S13 if the determination result in step S11 is not I ⁇ ⁇ I and I At i (No in step S11), it is determined that the wafer state in the n slot is abnormal (step S13).
  • the wafer transfer state is determined to be normal, and the allowable error At ( ⁇ 0.5mm) is Slots that exceed are determined to be abnormal.
  • FIG. 9 is a second flowchart comparing the difference ⁇ between the reference position data and the detected position data with the allowable error At in the wafer state detection mechanism of the present invention.
  • the difference ⁇ Pn between the reference position and the detection position in n slots is obtained, and the absolute value of the difference ⁇ Pn and the allowable value are obtained. It is determined whether or not the absolute value of the error At is I ⁇ ⁇ I but IA t I (step S21). Here, if
  • step S21 determines whether the wafer state in the n slot is abnormal (step S23), and further The difference ⁇ Pn (max) between the average value of ⁇ Pn and the maximum value of ⁇ Pn in all slots, and the difference ⁇ Pn (min) between the average value of ⁇ Pn and the minimum value of ⁇ Pn are less than the allowable error ⁇ t. (Step S24).
  • step S24 if A Pn (max) and ⁇ ⁇ (min) are equal to or smaller than the allowable error At (Yes in step S24), the deviation amount of each wafer is considered based on the average value of ⁇ Pn. Since it is within the range of the allowable error ⁇ t, in this case, it is determined that the position of the boat elevator is shifted (step S25). On the other hand, if ⁇ Pn (max) and ⁇ Pn (min) are not less than the allowable error ⁇ t (No in step S24), the wafer state is determined to be abnormal (step S26).
  • the deviation amount of each wafer is an allowable error of the average value of ⁇ Pn.
  • the position of the boat elevator is displaced as shown in the graph of FIG.
  • the variation of the acquired detection position data is within ⁇ 0.5mm, but it is shifted almost uniformly + lmm from the origin position ( ⁇ Omm).
  • the cause of the abnormality can be detected as an abnormality in the stop position of the boat elevator.
  • the upward shifting force does not matter in the wafer state detection mechanism of the present invention.
  • the boat charged with the wafers put into the heat treatment furnace is lowered by the boat elevator after the heat treatment is completed. Since the temperature at this time is usually several hundred degrees, the boat elevator adjacent to the boat receives high temperature heat while the boat is descending. As a result, failure in the position sensor of the boat elevator, thermal expansion of the boat elevator slide guides, etc. may cause a decrease in accuracy in the vertical direction, and stop position abnormalities may occur due to expansion and contraction of the slide guides.
  • the arithmetic unit 4 is Reference position information for individually determining the detected wafer position is stored. This makes it possible to always accurately detect the transfer state (that is, the shift amount) of the wafer 3 on the boat 13.
  • Fig. 10 is a conceptual diagram showing a comparison of a wafer state detection mechanism by a conventional wafer state detection mechanism and a wafer state detection mechanism of the present invention, where (a) is a wafer state detection mechanism, and (b) is a conventional one.
  • the detection state, (c) shows the detection state of the present invention.
  • n wafers 3 are arranged in the boat 13 with a wafer pitch of 10 mm, and the position of the wafer 3 is detected by the optical axis 2 from the optical sensor 1.
  • the allowable error At is set to ⁇ 0.5mm. (In other words, if the wafer pitch is 9.5mm to 10.5mm, the wafer position is normal o)
  • FIG. 11 is a diagram showing a transfer state of a wafer to a boat in a semiconductor manufacturing apparatus that is generally used.
  • FIG. 11 (a) shows a transfer state in which wafers are transferred to all slots of the boat divided at equal pitches. Usually, wafers are transferred at an equal pitch in this way.
  • FIG. 11 (b) shows a transfer state where there are no adjacent wafers. like this In some cases, the wafers are transferred with some slots, and the wafer pitch is constant in the entire boat area.
  • FIG. 11 (c) shows a transfer state in which the wafer is not partially transferred. In this way, the wafer may be used without being transferred to a partial area of the boat slot. That is, in the wafer state detection mechanism according to the present invention, as shown in FIGS. L l (a) to (c), the wafer position information can be accurately detected regardless of the transfer state.
  • FIG. 12 is a conceptual diagram showing a state in which the main controller controls wafer transfer using a wafer map in the wafer state detection mechanism according to the present invention.
  • the main controller 21 of the substrate processing apparatus 20 receives a normal / abnormal signal regarding the wafer transfer information output by the wafer state detection mechanism, and the main controller 21 holds it in advance. Compare with existing wafer transfer information (ie, wafer map). Then, the main controller 21 resets the slot that has not transferred the wafer to a force that satisfies the error condition without a wafer and is transferred to the wafer map so that no error occurs if it is a slot.
  • FIG. 12 (b) in the status acquisition data in the wafer status detection mechanism, the portion where the wafer cannot be detected is skipped without outputting an error, and the wafer is transferred only where the wafer can be detected.
  • the wafer state detection mechanism determines whether the wafer state is normal or abnormal.
  • the comparison data is acquired by an origin detection sensor (for example, an origin detection sensor comprising a flag 17 fixed to the transfer machine 14 and a proximity switch 18 fixed to the vertical movement of the flag 17). This can be realized by providing.
  • the reference position data and the wafer position data are compared. Difference from detection position data ⁇ P force It is determined whether it is within the allowable error ⁇ t that can be transported by the wafer transfer machine, or whether it is shifted upward or downward. I'll do it.
  • the difference between the above-described reference position data and the actually detected wafer detection position data If ⁇ ⁇ is larger than the allowable error ⁇ beam and all wafers are abnormally transferred, for example, by expressing the deviation amount and direction of the peak ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ as a scatter diagram, It can be determined whether or not the stop position is abnormal.
  • the wafer pitch is normal when the maximum ⁇ Pmax and the minimum ⁇ Pmin are within the allowable error ⁇ t with respect to the average value of the deviation amount ⁇ of all wafers. Thus, it can be automatically determined that the boat stop position is abnormal.
  • the transfer sensor 14 is raised or lowered by the optical sensor 1 provided in the transfer machine 14, and the optical sensor 1 and the wafer
  • the optical sensor 1 fixes the wafer 3 stacked on the boat 13 in a housing or the like at a position where it can be detected, and the boat 13 It is also possible to detect the wafer 3 by changing the relative positions of the optical sensor 1 and the wafer 3 when the boat is also carried out, that is, by the lowering operation of the boat 13.
  • the flag 17 serving as the origin position detection sensor for detecting the wafer position is provided in the boat elevator (not shown), and the proximity switch is set to a position where the flag 17 can be turned ON / OFF.
  • the flag 17 can be attached to the case 11 or the like.
  • the state of the wafer can be detected by the detection sensor that detects the position and mounting state of the wafer, and the wafer position data obtained by the detection can be analyzed.
  • the state of the boat can be determined uniquely.
  • the wafer position data can be acquired by a single detection operation, the manufacturing cost can be reduced and the throughput can be improved.
  • FIG. 13 is an external perspective view of a processing apparatus applied to the present invention. This figure is drawn as a perspective view. 14 shows the process shown in FIG. It is a side view of an apparatus. Therefore, the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.
  • the processing apparatus of the present invention is configured to insert a pod (substrate storage container) 100 containing a wafer (substrate) 200 that also has silicon isotropic force into the housing 101 and vice versa, and vice versa.
  • An IZO stage (holder holding member) 105 for feeding out from the outside is attached to the front surface of the housing 101, and a cassette shelf (mounting means) 109 for storing the inserted pod 100 in the housing 101.
  • a 2 purge chamber (airtight chamber) 102 serving as a loading / unloading space for a boat (substrate holding means) 217, which will be described later, is provided as a transfer area for the wafer 200.
  • the inside of the 2 purge chamber 102 is filled with an inert gas such as 2 gas in order to prevent the natural acid film on the wafer 200. It has become.
  • the FOUP type is currently used in the mainstream, and the opening provided on one side surface of the pod 100 is covered with a lid (not shown), so that the wafer 2 can be removed from the atmosphere.
  • 00 can be transported in isolation, and the wafer 200 can be moved into and out of the pod 100 by removing the lid.
  • a pod opener (opening / closing means) 108 is provided on the front side of the ⁇ 2 purge chamber 102 so that the lid of the pod 100 is removed and the atmosphere in the pod 100 communicates with the atmosphere of the 022 purge chamber 102. .
  • the transfer of the pod 100 between the pod opener 108, the cassette shelf 109, and the 1 / ⁇ stage 105 is performed by a cassette transfer machine 114.
  • the air transported by the cassette transfer device 114 to the pod 100 is made to flow clean air by a tandem unit (not shown) provided in the housing 101.
  • a board 217 for loading a plurality of wafers 200 in multiple stages Inside the purge chamber 102, a board 217 for loading a plurality of wafers 200 in multiple stages, and a substrate alignment device 106 for aligning the positions of the notches (or orientation flats) of the wafer 200 to arbitrary positions 106 And a woofer transfer device (conveying means) 112 that conveys the woofer 200 between the pod 100 on the pod opener 108, the substrate alignment device 106, and the boat 217.
  • a processing furnace 202 for processing the wafer 200 is provided in the upper part of the ⁇ ⁇ ⁇ 2 purge chamber 102, and the boat 217 is loaded into the processing furnace 202 by the boat elevator (lifting means) 115, or the processing furnace 202.
  • the pod 100 to which the external force of the casing 101 has been transferred by AGV, OHT, etc. is placed on the IZO stage 105.
  • the pod 100 placed on the stage 105 is transported directly onto the pod opener 108 by the cassette transfer machine 114, or is transported onto the pod opener 108 after being stocked on the cassette shelf 109.
  • the pod 100 transported onto the pod opener 108 is removed by the pod opener 108 and the internal atmosphere of the pod 100 is communicated with the atmosphere of the ⁇ 2 purge chamber 102.
  • the wafer 200 is also taken out of the pod 100 internal force in communication with the atmosphere of the ⁇ 2 purge chamber 102 by the wafer transfer device 112.
  • the extracted wafer 200 is aligned by the substrate alignment device 106 so that a notch is determined at an arbitrary position, and is transferred to the boat 217 after alignment.
  • the furnace logo 116 in the processing chamber 201 is opened, and the boat 217 loaded with the wafer 200 is loaded by the boat elevator 115. After loading, an arbitrary process is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the process, the wafer 200 and the pod 100 are discharged to the outside of the casing 101 in the reverse procedure described above.
  • the control unit described above executes the CVD process in a state in which the reference positions of the plurality of substrates on the boat and the allowable range of the positional deviation with respect to the reference positions of the plurality of substrates are registered in advance.
  • Conduct semiconductor manufacturing After that, the measured substrate position is compared with the registered value, and if the multiple substrates do not exceed the misalignment tolerance, the next substrate to be CVD-processed and the substrate that has been CVD-processed are exchanged. A plurality of unprocessed substrates are subjected to CVD and semiconductor manufacturing.
  • the outer tube (hereinafter referred to as the outer tube 205) is made of a heat resistant material such as quartz (Si02), and has a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened.
  • the inner tube (hereinafter referred to as the inner tube 204) has a cylindrical shape having openings at both ends of the upper end and the lower end, and is disposed concentrically within the end tube 205.
  • a space between the outer tube 205 and the inner tube 204 forms a cylindrical space 250. Is the upper opening of the inner tube 204? The gas thus raised passes through the cylindrical space 250 and is exhausted from the exhaust pipe 231.
  • a lower end of the outer tube 205 and the inner tube 204 is engaged with a male hold 209 made of, for example, stainless steel, and the outer tube 205 and the inner tube 204 are held on the male hold 209! .
  • the marhold 209 is fixed to a holding means (hereinafter referred to as a heater base 251).
  • An annular flange is provided at each of the lower end of the outer tube 205 and the upper opening end of the manifold 209, and an airtight member (hereinafter referred to as an O-ring 220) is disposed between these flanges. Hermetically sealed.
  • a disc-shaped lid made of, for example, stainless steel (hereinafter referred to as a seal cap 219) is detachably attached to the lower end opening of the holder 209 so as to be airtightly sealed through an O-ring 220.
  • the seal cap 219 is provided with a gas supply pipe 232 extending therethrough.
  • These gas supply pipes 232 supply processing gas into the outer tube 205.
  • These gas supply pipes 232 are connected to a gas flow rate control means (hereinafter referred to as mass flow controller (MFC) 241), and the MFC 241 is connected to a gas flow rate control unit. It can be controlled.
  • MFC mass flow controller
  • a pressure regulator for example, an APC (automatic pressure regulator), N2 no ⁇ last controller, hereinafter referred to as APC242), and an exhaust device (hereinafter referred to as a vacuum pump).
  • APC242 automatic pressure regulator
  • APC242 N2 no ⁇ last controller
  • a vacuum pump exhaust device
  • 246 is connected to the gas exhaust pipe 231 and the gas flowing through the cylindrical space 250 between the outer tube 205 and the inner tube 204 is discharged, and the pressure inside the outer tube 205 is controlled by the APC242.
  • the pressure detection means hereinafter referred to as pressure sensor 245 detects the pressure in a reduced pressure atmosphere at a predetermined pressure, and the pressure control unit controls it.
  • the seal cap 219 is connected to a rotating means (hereinafter referred to as a rotating shaft 254), and a substrate holding means (hereinafter referred to as a boat 217) and a substrate (hereinafter referred to as a wafer) held on the boat 217 by the rotating shaft 254. Rotate 200).
  • the seal cap 219 is connected to an elevating means (hereinafter referred to as a boat elevator 115), and elevates the boat 217.
  • the drive control unit controls the rotating shaft 254 and the boat elevator 115 so as to have predetermined speeds.
  • heating means hereinafter referred to as a heater 207) is concentrically arranged.
  • the heater 207 detects the temperature by temperature control means (hereinafter, thermocouple 263) so that the temperature in the outer tube 205 becomes a predetermined processing temperature, and controls it by the temperature control unit.
  • the outer tube 205 during the reduced pressure CVD process is evacuated through the exhaust pipe 231 and the pressure is controlled by the APC 242 so that a predetermined vacuum is obtained, and the reduced pressure CVD process is performed for a predetermined time.
  • the gas in the outer tube 205 to be transferred to the reduced pressure CVD process of the next wafer 200 is replaced with an inert gas, and the pressure is set to normal pressure.
  • the boat 217 is lowered by the boat elevator 115, and the boat 217 and the processed wafer 200 are taken out from the outer tube 205.
  • the reference positions of the plurality of wafers 200 on the boat 217 registered in the control unit in advance, the positional deviation allowable range with respect to the reference positions of the plurality of substrates, and the positions of the plurality of processed wafers 200 on the boat 217 are registered.
  • the CVD process is performed next time.
  • the processed weno 200 on the boat 217 taken out from the tube 205 is replaced and again raised into the outer tube 205 in the same manner as described above, and the reduced pressure CVD process is performed.
  • the processing conditions processed in the processing furnace of the present embodiment are those for forming the Si N film.
  • the wafer temperature is 770 ° C
  • the gas species supply is dichlorosilane (SiH CI), 180 sccm,

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

　複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入・搬出するためのボートと、該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を検出する基板検出センサと、前記複数の基板の基準位置、および前記複数の基板の基準位置に対する位置ずれ許容範囲を登録する制御部とを備え、前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ずれ許容範囲を超えていた場合は、前記複数の基板の位置情報の平均値と最大値とを比較すると共に、前記複数の基板の位置情報の平均値と最小値とを比較し、前記それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれの許容範囲内であれば、ボート停止位置のずれと判断する。

Description

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、製造工程中における基板の位置を検出する機能を有する半導体製造 装置及びそれを用いて処理する半導体装置の製造方法に関するものである。
背景技術
[0002] 従来より、半導体製造装置においては、製造工程中における基板、例えば半導体 基板 (以下ウェハという）の位置を検出するためにウェハ状態検出機構が設けられて いる。このようなウェハ状態検出機構は、隣り合うウェハ間の位置やボートに移載され た他のスロットのウェハの位置などをあら力じめ設定した位置情報と比較し、製造ェ 程中におけるウェハ状態が正常である力否かを判定している。つまり、従来のウェハ 状態検出方法では、ボートに移載された隣同士のウェハ間隔 (以下、ウェハピッチと いう）をあらかじめ設定した位置情報と比較し、位置ずれの間隔がウェハ移載機にて 搬送可能な許容誤差 Δ t以下である場合は正常状態と判定して 、る。
[0003] また、半導体製造装置において、ウェハの位置を検出しながら所定の半導体製造 処理を行う技術は多く報告されている。例えば、ボートの最下段部分の 3段において あら力じめウェハの位置データの取得を行 、、ボートの溝位置が許容範囲以内であ るカゝ否かを判定し、移載位置を登録し、搬送している技術が開示されている（例えば 、特許文献 1参照)。また、ボート上のウェハの位置検知において、ボートの原点位置 を検知開始位置とする技術も開示されている (例えば、特許文献 2参照)。さらに、位 置センサによってボート本体の位置を確認してボートの傾きを検出する技術も開示さ れて 、る（例えば、特許文献 3)。
特許文献 1 :特開平 7— 142553号公報
特許文献 2 :特開平 5— 41442号公報
特許文献 3 :特開平 6— 298315号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題 [0004] し力しながら、ウェハはボートに多段に移載されているため、上記の許容誤差 A tは 検出するウェハの枚数が増えるにしたがって累積される。例えば、ボート上にウェハピ ツチ 10mmで n枚のウェハが載置されているときのウェハ状態検出する場合、許容誤 差 A tの範囲を ±0.5mmとすれば、ウェハピッチが 9.5mm〜10.5mmの範囲にあれ ば正常と判定される。したがって、 1枚目のウェハと 2枚目のウェハとの間隔が 9.8mm であった場合は正常と判定される。さらに、 2枚目のウェハと 3枚目のウェハとの間隔 力 S9.8mmであった場合も正常と判定される。同様にして、 n枚目のウェハまで検出し て全てのウェハ間隔が 9.8mmであったとすると、 n番目のウェハは基準位置より〔（n - 1) X 0.2〕 mmずれることになる。し力し、このような場合でも隣同士のウェハの間隔 が正常であると、全てのウェハの位置は正常であると判定されてしまう。
[0005] 例えば、上記の例に従えば、 11番目のウェハは基準位置より 2mmずれることにな る力 従来のウェハ状態検出機構による判定方法では全てのウェハの位置は正常で あると判定されてしまう。このような状態においてウェハ移載機でウェハの搬送作業を 行うと、ウェハの裏面をツイ一ザが引つかいてバックスクラッチを生じたり、ツイ一ザが ウェハに衝突してボートを破損させたりすることがある。また、ウェハがボート溝にこす られることもある。すなわち、従来のウェハ状態検出機構は、ウェハ移載機のツイ一ザ がボート上に移載されたウェハ間に挿入されても干渉しないことを確認することを目 的として、ウェハピッチを確認しているものであるので、ウェハの累積誤差による対策 は何ら行われていない。また、従来のウェハ位置検出方法では、隣り合うウェハ同士 の相対比較を行っているため、ボート内が空きスロットなしで全スロットにウェハが載 置されて!、る状態でなければ正確な位置検知を行うことはできな 、。
[0006] さらに、前記の特許文献 3の技術は、ボートそのものの傾きを検出しているものであ つて、ボートに装填されたウェハの位置を検出してボート上におけるウェハの載置状 態を検出するものではない。つまり、石英は光透過性の材料であるので、この技術で は石英製のボートを光センサで測ることは難しい。また、ウェハの位置や載置状態を 検出する場合には、ウェハの状態を検出するウェハ検出センサとボートの状態を検出 するボート検出センサの 2種類のセンサを設けなければならないので、半導体製造装 置のコストが高くなつてしまう。 [0007] 本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、ボート内に空きスロット があるなしに関わらず、ウェハの位置ずれが許容範囲内にある力否かを正確に検知 することができるウェハ状態検出機構を備えた半導体製造装置及びそれを用いて処 理する半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
[0008] 上述した課題を解決するため、本発明に係る半導体製造装置は、複数の基板に所 定の加熱処理を施す処理炉と、前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入 •搬出するためのボートと、該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対 位置を変化させて基板を検出する基板検出センサと、前記複数の基板の基準位置、 および前記複数の基板の基準位置に対する位置ずれ許容範囲を登録する制御部と を備え、前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情 報を入力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記 位置ずれ許容範囲を超えて!/、た場合は、前記複数の基板の位置情報の平均値と最 大値とを比較すると共に、前記複数の基板の位置情報の平均値と最小値とを比較し 、前記それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれの許容範囲内であれ ば、ボート停止位置のずれと判断することを特徴とする。
[0009] また、前記制御部は、前記それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれ の許容範囲内であれば、ボート停止位置のずれを示す障害信号を出力することを特 徴とする。
[0010] また、前記制御部は、予め設定された前記複数の基板の全枚数に対する所定割合 枚数分の前記基板の位置情報の平均値と最大値とを比較すると共に、予め設定され た前記複数の基板の全枚数に対する所定割合枚数分の前記基板の位置情報の平 均値と最小値とを比較することを特徴とする。
[0011] また、前記制御部は、予め設定された所定枚数分を前記基板の位置情報の平均 値と最大値とを比較すると共に、予め設定された所定枚数分を前記基板の位置情報 の平均値と最小値とを比較することを特徴とする。
[0012] さらに、前記制御部は、前記複数の基板に対する全ての前記基板の位置情報の平 均値と最大値とを比較すると共に、前記複数の基板に対する全ての基板の位置情報 の平均値と最小値とを比較することを特徴とする。
[0013] また、本発明は、複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、前記複数の基板 を積層配置して前記処理炉へ搬入'搬出するためのボートと、該ボートに積層配置さ れる前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を検出する基板検出セン サと、前記複数の基板の基準位置、および前記複数の基板の基準位置に対する位 置ずれ許容範囲を登録する制御部とを備え、前記制御部は、前記基板検出センサ の測定した前記複数の基板の位置情報を入力し、前記複数の基板の位置情報が前 記複数の基板の基準位置に対し前記位置ずれ許容範囲を超えて 、た場合は、前記 基板位置が漸次変化して 、る力確認し、前記基板位置が漸次変化して 、ることを検 出すれば、ボート変形であると判断することを特徴とする。
[0014] また、本発明は、前記半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法 において、前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置 情報を入力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前 記位置ずれ許容範囲を超えて!/ヽなカゝつた場合は、前記ボートに積層配置された前記 複数の基板と次回に処理する複数の基板とを交換し、前記処理炉に前記次回に処 理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前記処理炉にて前記次回に処理 する複数の基板に所定の加熱処理を施すことを特徴とする。
[0015] また、前記制御部は、前記基板位置が漸次変化して 、る力確認し、前記基板位置 が漸次変化していることを検出すれば、ボート変形であることを示す障害信号を出力 することを特徴とする。
[0016] また、本発明は、複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、前記複数の基板 を積層配置して前記処理炉へ搬入'搬出するためのボートと、該ボートに積層配置さ れる前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を検出する基板検出セン サと、前記処理炉で前記複数の基板が加熱処理されると、前記ボートが前記処理炉 から搬出されてから、又は前記ボートが前記処理炉から搬出される際に、前記基板 検出センサにより前記複数の基板の位置を測定し、この測定値と登録されている前 記複数の基準位置とを比較し、前記複数の基板の位置ずれ許容範囲を超えて ヽる 場合は前記基板の位置が異常であると判断する制御部とを具備することを特徴とす る。
[0017] また、前記制御部は、前記基板の位置が異常であると判断した場合には、障害信 号を出力することを特徴とする。
また、前記半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、 前記制御部が、前記基板検出センサにより前記複数の基板の位置を測定し、この測 定値と登録されて 、る前記複数の基準位置とを比較し、前記複数の基板の位置ずれ 許容範囲を超えて ヽな力つた場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基板 と次回に処理する複数の基板とを交換し、前記処理炉に前記次回に処理する複数 の基板を積層配置したボートを搬入し、前記処理炉にて前記次回に処理する複数の 基板に所定の加熱処理を施すことを特徴とする。
発明の効果
[0018] 以上に詳述したように、本発明によれば、基板の基準位置に対して各基板 (ウエノ、） のずれを検知して 、るので、ボートの上段にお!、てもウェハの検知位置ずれが累積 されることはなくなる。したがって、ウェハの処理工程中においてツイ一ザの挿入作業 を行っても、ウェハにバックスクラッチが生じたり、ツイ一ザがウェハと衝突したりするこ とがなくなる。これによつて、ウェハの製品歩留りが一段と向上するので、品質管理レ ベルの高い半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。 図面の簡単な説明
[0019] [図 1]本発明の半導体製造装置におけるウェハ状態検出機構の構成を示す概念図 である。
[図 2]本発明の半導体製造装置における処理炉及びその周辺を示す基板処理装置 の断面図である。
[図 3]図 2に示す移載機及びボートに載置されたウェハを上力も見た平面図である。
[図 4]本発明のウェハ状態検出機構において、全スロットで検知ウェハ位置の取得デ ータが正常であるグラフを示す図である。
[図 5]本発明のウェハ状態検出機構において、検知ウェハ位置の取得データが異常 であるグラフを示す図である。
[図 6]本発明のウェハ状態検出機構において、検知ウェハ位置の取得データは異常 であるが、ボートエレベータの位置決めが必要であるグラフを示す図である。
[図 7]本発明のウェハ状態検出機構において、検知ウェハ位置の取得データはボート ピッチ異常であるグラフを示す図である。
[図 8]本発明のウェハ状態検出機構において、基準位置データと検知位置データと の差分 Δ Pnと、許容誤差 Δ tとを比較した第 1のフローチャートである。
[図 9]本発明のウェハ状態検出機構において、基準位置データと検知位置データと の差分 Δ Pnと、許容誤差 Δ tとを比較した第 2のフローチャートである。
[図 10]従来のウェハ状態検出機構と本発明のウェハ状態検出機構によるウェハ検知 判定の比較を示す概念図であり、（a)はウェハ状態検出機構、（b)は従来の検知状 態、（c)は本発明の検知状態を示す。
[図 11]一般に使用される半導体製造装置におけるボートへのウェハの移載状態を示 す図である。
[図 12]本発明によるウェハ状態検知機構において、メインコントローラがウェハマップ を用いてウェハ移載を制御する状態を示す概念図である。
[図 13]本発明に適用される処理装置の外観斜視図である。
[図 14]図 13に示す処理装置の側面図である。
[図 15]本発明の半導体製造装置における減圧 CVD炉を示す断面図である。
符号の説明
1 光センサ（基板検出センサ）
2 光軸
3 ウェハ
4 演算ユニット (制御部）
5 アンプ
11 筐体
12 処理炉
13 ボート
14 移載機
14a 移載機本体 15 ツイ一ザ
16 アーム
17 フラグ
18 近接スィッチ
19a 支柱
19b 支持溝
発明を実施するための最良の形態
[0021] 以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、以下 の説明では、理解を容易にするために必要に応じて従来技術と対比しながら本発明 について説明する。
[0022] 図 1は、本発明の半導体製造装置におけるウェハ状態検出機構の構成を示す概念 図である。ウェハ状態検出機構に具備される光センサ 1は、発光素子と受光素子とに よって光軸 2を投光 '受光している。光センサ 1は、ウェハ 3が光軸 2を遮光することに よってウェハ 3の移載状態 (例えば、ウェハの有無や位置や基準位置からのずれ等） を検出する。そして、光センサ 1が検出したウェハ 3の移載状態の情報を演算ユニット 4へ送信することによって、演算ユニット 4はウェハ 3の位置を演算する。尚、光センサ 1は図示しな!、ボートの垂直方向の軸に沿って昇降可能な構成になつて 、る。
[0023] 図 2は、本発明の半導体製造装置における処理炉及びその周辺を示す基板処理 装置の断面図である。図 2 (a)に示すように、筐体 11の上に処理炉 12が搭載され、 筐体 11の内部には、ウェハ 3の載置されたボート 13、移載機 14、ツイ一ザ 15、先端 部分に光センサ 1を備えるアーム 16などが収納されている。また、図 2 (b)の A部詳細 図に示すように、移載機 14にはフラグ 17が取り付けられ、フラグ 17に対応する位置 には近接スィッチ 18が筐体 11側の部材（図示せず）に固定されている。
[0024] すなわち、本発明の半導体製造装置によるウェハ状態検出機構においては、ゥェ ノ、 3の位置データ取得の開始信号を送出するために、移載機 14にフラグ 17が取り付 けられ、近接スィッチ 18が移載機 14の移動する鉛直方向軸上に固定されている。そ して、光センサ 1を有するアーム 16を具備した移載機 14が図示しない鉛直軸に沿つ て昇降する際、フラグ 17が近接スィッチ 18を通過するときに近接スィッチ 18が ONさ れて位置データ取得のための開始信号が送信できるようになって!/、る。この開始信 号が基準位置データを算出する上での原点位置として用いられる。
[0025] 図 3は、図 2に示す移載機 14及びボートに載置されたウェハ 3を上から見た平面図 である。図 3に示すように、 3本の支柱 19aが鉛直方向（紙面の裏力 表の方向）に配 置され、それらの支柱 19aに形成された支持溝 19bに各ウェハ 3が平行に支えられて いる。移載機 14は、上下方向に移動及び回転する移載機本体 14aと、この移載機本 体 14a上で往復動するツイ一ザ 15が取付けられるツイ一ザ取付部 14bとを備えてい る。また、移載機本体 14aからは 2本のアーム 16が平行に延びていて、一方のアーム 16の先端に発光素子を有し、他方のアーム 16の先端に受光素子を有した一対の光 センサ 1を備えている。このような構成により、移載機 14が支柱 19aに沿って鉛直方 向に移動すると、光センサ 1の光軸 2がウェハ 3によって遮られることによってウェハ 3 を検出する。
[0026] なお、図 2に示す基板処理装置において、移載機 14の鉛直移動軸による移動量は 、図示しない昇降用の回転軸に設けられるエンコーダによるパルスカウント値により 得ることができる。このノ レスカウント値は、 f列えば、 00000〜99999の整数〖こよって 表され、移載機が昇降する場合にその回転軸が回転するに伴って増減する。例えば 、鉛直垂直軸の移動量は 0.004mmZパルスであって、 1パルス当りの移動量は極 めて小さぐかつ、停止位置精度も 10パルス（すなわち、 0.04mm)程度であって非 常に高精度で管理されている。
[0027] 移載機 14に取り付けられたウェハ状態検出機構は、フラグ 17と近接スィッチ 18から なるデータ取得開始スィッチによる開始信号を原点位置にしたとき、各ボートスロット（ 支柱 19aに設けられた溝 19b)位置まで移動する距離は、ウェハ位置の異常状態を 検出する精度に影響が出ないようにかなり高精度となっている。例えば、ウェハ 3の基 準位置からのずれは ±0. 25mmが許容範囲であるとすれば、 10— 2mmの移動距離 を高精度に測定するためには、少なくとも 10—3mmオーダの検出精度が必要があるが 、本発明によるウェハ状態検出機構の検出精度は充分にこの条件を満足している。
[0028] また、図 2に示す基板処理装置で使用されるボート 13の製作仕様は 1000mmの長 さに対してその誤差が 0.3mm以下であり、ボートスロットの各ピッチ誤差は 0.05mm 以下となっている。以上のようなウェハ状態検出機構の構成によって、基準位置を決 めるイニシャル検知データは、ウェハ位置の検出データの比較対象とするための高 精度な絶対位置データであると言える。
[0029] 次に、図 1を用いて、ウェハ位置の検出データの比較対象とするための基準位置デ ータとウェハ位置データの取得の流れについて説明する。光センサ 1で取得されたゥ ェハ 3の位置データはアンプ 5で増幅されて演算ユニット 4に取り込まれる。このとき、 開始信号スィッチ (近接スィッチ 18)が ONすることによって原点位置が求められるの で、原点位置を基準としたウェハの位置が求められる。ここで求められたウェハ 3の位 置データは、原点位置からの距離を示す値である。距離の求め方は、上述したように 、移載機 14を昇降するモータの回転量をエンコーダ（図示せず)で検出し、その検出 量 (パルス数）により原点位置力もの移載機 14の上昇量 (位置)を演算する。即ち、ェ ンコーダが出力する 1パルスあたりの移動距離 (mm)を予め求めておけば、原点位 置からウェハ 3を検出する位置 (移載機が停止する位置）までのエンコーダ力 のパ ルス数をカウントすることで、その移動距離が分かる。
[0030] 言い換えると、演算ユニット 4は、光センサ 1で検出されたウェハ状態検知データより ウェハ位置（ウェハ検知）データを取得し、各スロット No.ごとにデータを記録して行く（ ステップ Sl)。さらに、演算ユニット 4は、開始信号スィッチ (近接スィッチ 18)で検出さ れた原点位置からのパルス数と対応付けて各スロット No.ごとにデータを記録して行く (ステップ S2)。尚、基準位置データは 2枚以上の複数枚のウェハによって取得して 格納するものとする。
[0031] そして、各スロット No.ごとに記録 (格納）されたウェハ状態検知データ（つまり、ゥェ ハの検知位置データ）と基準位置データは、各スロット No.ごとに分けて、基準位置デ 一タと検知位置データとの差分 Δ Pを求め、 nスロット目の差分を Δ Pnとしてプロットし て行く（ステップ S3)。ここで、コントローラには、予め複数の基板の基準位置及びこの 複数の基板の基準位置に対する基板ずれの許容誤差が登録されている。ここで、複 数の基板の基準位置とは、前記原点位置力 各スロットまでの距離の値であり、例え ば、次の（1)〜（5)の条件で取得することができ、予めコントローラに登録しておく。
[0032] そして、処理炉でボートに積層配置された複数の基板を加熱処理して、処理炉から ボートが搬出された後に、基板の位置ずれ、ボート原点位置のずれ、ボート変形を検 出するために、ボートに積層配置された複数の基板の高さ位置を測定し、その測定 値と前記予めコントローラに登録している基準位置との差（Δ Ρη)を求めておき、累積 誤差等が生じても、確実に基板の位置ずれを検出できる。
ここで、基板の位置ずれとは、その測定対象となる少なくとも一枚の基板の基板全 体の位置がずれること、または、基板の一部の位置がずれること、または、基板の一 部が変形すること (例えば、熱変形により基板の主面中心部分が垂れること)のうちい ずれの状態をも含む。
(1)上下端 2枚ウェハを検知し、その 2枚の間に入るウェハの位置情報は計算により 取得する。以下は、この（1)に比較して記述される。
(2)上下端どちら力載置した 1枚のウェハ検知を行い、その 1枚のデータを元に他ゥ ハ位置情報を計算する。
なお、ボート製作の際、作製図面記載における公差の誤差は必ず存在するため、 1 スロットのみでは設計上ボートピッチが誤差無く連続していると仮定した上の計算とな る。上記（1)のように上下端、若しくは途中スロットに複数ウェハを載せ、理論位置デ ータを取得した方がその信頼性は高くなる。
(3)任意に設定した段の夫々にウェハを載置し、その検知結果力 全ウェハ位置情 報を算出する（3枚以上であってもよ 、)。
任意スロットでのデータ取得は可能である。但し、任意スロットは仮に隣合うスロット 若しくは比較的近 、スロットでは複数枚載せることの意味はな 、。離れたスロットにゥ ェハを載せその間を等分する方が好ましい。又ウェハ間隔が非常に広く更に理論位 置データの精度を上げるために、ウェハ間にもう一枚ウェハを追加すると良いが、実 際にウェハ検出機構にて検出可能な分解能 (0. 5mmずれ)とボート製作公差 ±0. lmmを比較すると（1)の方法で十分精度よい理論位置データを取得することが可能 であり、複数枚載せる必要はない。
(4)全段にウェハを載置し、全部の段のウェハ検知を行い、計算を行わない。
なお、ここでは製品用のウェハに相当する高い精度のウェハが全スロット分必要とな る。 (5)ウェハは全く用いず、ボート駆動軸 (昇降軸)のホーム位置情報とボートの設計寸 法とを用い、計算上だけで全ウェハ位置情報を取得する方法。
[0034] 以上のようにして得られた、 Δ Pnを nスロット目の基準位置データと検知位置データ との差分、 Atを許容誤差としたとき、 | Δ Ρη | < | At |である力否かを判定する（ ステップ S4)。ここで、 | Δ Ρη |く | At |であれば nスロット目のウェハは正常であ ると判定し、 | Δ Ρη | < | At |でなければ nスロット目のウェハは異常であると判定 して、それぞれの判定結果を出力する (ステップ S5)。
[0035] 次に、具体的な実施例として、ボートスロット数が 100スロットの場合において、各ス ロット No.と、上記の nスロット目の基準位置データと検知位置データとの差分 Δ Pnの 関係を図 4、図 5、図 6、及び図 7のグラフに示して説明する。尚、何れの図のグラフも 横軸にボートスロット No.を示し、縦軸に基準位置に対する検知ウェハ位置のずれ量 を示している。また、検知ウェハ位置のずれ量は、 +が上方ずれ、一が下方ずれを示 している。さらに、基準位置は、ずれ量が ±0mmであり、検知ウェハ位置のずれ量（ つまり、許容誤差 Δ t)は ± 0.5mm以下が正常範囲とする。
[0036] 図 4は、本発明のウェハ状態検出機構において、全スロットで検知ウェハ位置の取 得データが正常であるグラフを示している。すなわち、図 4に示すように、全スロットに お 、て基準位置データと検知位置データとの差分 Δ Pnは許容誤差 Δ t ( ± 0.5mm) を下回っているので、ウェハ状態は正常であると判定される。
[0037] 図 5は、本発明のウェハ状態検出機構において、検知ウェハ位置の取得データが 異常であるグラフを示している。すなわち、図 5に示すように、全スロットの中で基準位 置データと検知位置データとの差分 Δ Pnが許容誤差 Δ t ( ±0.5mm)を上回って!/ヽ るスロットが存在して 、るので、ウェハ状態は異常であると判定される。
[0038] 図 6は、本発明のウェハ状態検出機構において、検知ウェハ位置の取得データは 異常であるが、ボートエレベータの位置決めが必要であるグラフを示している。すな わち、図 6に示すように、全スロットで基準位置データと検知位置データとの差分 Δ Ρ nが許容誤差 Δ t ( ±0.5mm)を上回って!/、るが、全ての差分 Δ Pnにお!/、てばらつき の少な 、状態で基準位置（士 Omm)力 約 + 1mm程度ずれて!/、るので、ボートエレ ベータの停止位置異常であると判断される。この場合はボートエレベータの位置決め の再調整が必要である。但し、全てのスロットとしたが、例えば所定割合 (例えば 95% )以上、又は所定枚数 (例えば 95枚)以上であれば、該当するスロットのみ基準位置 力ものずれを見ても良い。但し、この場合所定割合又は所定枚数を設定する必要が ある。
[0039] 図 7は、本発明のウェハ状態検出機構において、検知ウェハ位置の取得データは ボートピッチ異常であるグラフを示している。すなわち、図 7に示すように、検知位置 データが次第に基準位置（±Omm)力も同一方向にずれて行き、やがて許容誤差 Δ t (±0.5mm)を上回って行く。したがって、この検知位置データ力もボートの熱変形 が考えられるので、事前にボートメンテナンス時期をアナウンスする必要がある。尚、 ボートの熱変形は、ボートの支柱が熱処理によってクリープ状になって（つまり、軟ら かい状態になって)行き、バッチ処理を繰り返すことによって徐々に支柱が変形してゥ ェハの支持溝が変化することによって生じる現象である。
[0040] 次に、フローチャートを用いて上記の図 4〜図 7に示した 4つのグラフ特性を判定し てみる。図 8は、本発明のウェハ状態検出機構において、基準位置データと検知位 置データとの差分 Δ Ρηと、許容誤差 A tとを比較した第 1のフローチャートである。ま ず、 ロットにおける基準位置と検出位置との差分 Δ Ρηを求め、差分 Δ Ρηの絶対 値と許容誤差 A tの絶対値が、 I Δ Ρη Iく I A t Iであるか否かを判定する (ステツ プ S11)。ここで、 I Δ Ρη I < I A t Iであれば (ステップ SI 1で Yes)、 ロットのゥ ェハ状態は正常であると判断する (ステップ S12)。すなわち、図 4のグラフがこれに 相当する。
[0041] 一方、ステップ S11の判定結果において、 I Δ Ρη Iく I A t Iでなければ (ステツ プ S11で No)、 nスロットのウェハ状態は異常であると判断する（ステップ S13)。すな わち、図 5のグラフにおいて、許容誤差 A t (±0.5mm)より小さな差分 Δ Ρのスロット については、ウェハ移載状態は正常と判定され、許容誤差 A t (±0.5mm)を超えた スロットについては異常と判定される。
[0042] 図 9は、本発明のウェハ状態検出機構において、基準位置データと検知位置デー タとの差分 Δ Ρηと、許容誤差 A tとを比較した第 2のフローチャートである。まず、 nス ロットにおける基準位置と検出位置との差分 Δ Pnを求め、差分 Δ Pnの絶対値と許容 誤差 A tの絶対値が、 I Δ Ρη I く I A t Iであるか否かを判定する (ステップ S21)。 ここで、 | Δ Ρη | く | A t |であれば (ステップ S21で Yes)、 nスロットのウェハ状態 は正常であると判断する (ステップ S22)。
[0043] 一方、ステップ S21の判定結果において、 | Δ Ρη | く | A t |でなければ (ステツ プ S21で No)、 nスロットのウェハ状態は異常であると判断し (ステップ S23)、さらに、 全スロットにおける Δ Pnの平均値と Δ Pnの最大値の差分 Δ Pn(max)、及び Δ Pnの 平均値と Δ Pnの最小値の差分 Δ Pn (min)が許容誤差 Δ t以下であるか否かを判定 する（ステップ S 24)。
[0044] ここで、 A Pn (max)、 Δ Ρη (min)が許容誤差 A t以下であれば (ステップ S24で Y es)、各ウェハのずれ量は Δ Pnの平均値を基準に考えれば許容誤差 Δ tの範囲内で あるので、この場合にはボートエレベータの位置ずれと判定する（ステップ S25)。一 方、 Δ Pn (max)、 Δ Pn (min)が許容誤差 Δ t以下でなければ (ステップ S24で No) 、ウェハ状態は異常と判断される (ステップ S26)。
[0045] すなわち、ステップ S25のような、各ウェハのずれ量が Δ Pnの平均値の許容誤差
A tの範囲内にある場合は、図 6のグラフに示すようにボートエレベータの位置ずれと 判定される。言い換えれば、図 6のグラフに示すように、取得した検知位置データの ばらつき量は ±0. 5mm以内であるが、原点位置（± Omm)からほぼ均一に + lmm 程度シフトしているので、ウェハ異常の原因はボートエレベータの停止位置の異常と 検知することができる。尚、図 6では上方にシフトしている力 本発明のウェハ状態検 出機構では、上方、下方のシフトを問わない。
[0046] ここで、ボートエレベータ停止位置の異常についてさらに詳しく説明する。熱処理炉 に投入されたウェハをチャージしたボートは、熱処理終了後にボートエレベータによ つて降下する。この時の温度は通常は数百度程度であるので、ボートの下降中にボ ートに近接するボートエレベータは高温の熱を受ける。この結果、ボートエレベータの 位置決めセンサの故障や、ボートエレベータのスライドガイド等が熱膨張することによ つて鉛直方向の精度低下が生じたりスライドガイドの伸縮によって停止位置異常が発 生する。
[0047] 以上述べたように、本発明によるゥヱハ状態検出機構によれば、演算ユニット 4が、 検出したウェハ位置に対して個別に判定を行うための基準位置情報を格納している 。これによつて、ボート 13上のウェハ 3の移載状態（つまり、ずれ量)を常に正確に検 知することができる。
[0048] 図 10は、従来のウェハ状態検出機構と本発明のウェハ状態検出機構によるウエノ、 検知判定の比較を示す概念図であり、（a)はウェハ状態検出機構、（b)は従来の検 知状態、（c)は本発明の検知状態を示す。図 10 (a)に示すように、ボート 13内に n枚 のウェハ 3がウェハピッチ 10mmで配置され、光センサ 1からの光軸 2によってウェハ 3 の位置が検出されている。また、許容誤差 A tを ±0.5mmに設定されている。（すな わち、ウェハピッチが 9.5mm〜10.5mmであればウェハ位置は正常であるとしている o )
[0049] 図 10 (b)に示す従来技術では、各ウェハ間隔が 9.8mmであるので全てのウェハ位 置は正常と判定される。しかし、実際には、最上段のウェハ位置は、基準位置を原点 とすると 3.2mmずれていることになる力 正常と判定されてしまう。このため、ツイ一ザ 15を挿入するとウェハ 3の裏面を擦ってしまい、ウェハ 3にバックスクラッチを生じてし まつことがある。
[0050] 一方、図 10 (c)に示す本発明では、基準位置に対して各ウェハ位置の許容誤差 Δ tが ±0.25mmであれば正常であるとすると、最下段から 2段目までは基準位置との ずれ量が 0.2mm以下に入っているので正常と判定される力 それ以上の上段は 基準位置とのずれ量が— 0.25mmを超えるので全て異常と判定される。これによつ て、何れの段のウェハ 3にツイ一ザ 15を挿入してもウェハ 3の裏面を擦ってしまうおそ れはない。尚、隣り合うウェハ 3がそれぞれ最大限近づくとウェハピッチは 9.5mmとな り、最大限遠ざかるとウェハピッチは 10.5mmとなるので、ウェハピッチの範囲は 9.5 mm〜10.5mmとなる。
[0051] ここで、ウェハの移載状態のバリエーションについて説明する。図 11は、一般に使 用される半導体製造装置におけるボートへのウェハの移載状態を示す図である。す なわち、図 11 (a)は、等ピッチに区切られたボートの全スロットにウェハを移載してい る移載状態を示している。通常は、このように等ピッチでウェハが移載される。また、 図 11 (b)は、隣り合うウェハがないところが存在する移載状態を示している。このよう に、部分的にスロットを空けてウェハを移載し、ウェハピッチがボート全領域で一定し て 、な 、移載状態の場合もある。
[0052] さらに、図 11 (c)は部分的にウェハが移載されていない移載状態を示している。こ のように、ボートスロットの一部の領域にウェハを移載しないで使用する場合もある。 すなわち、本発明によるウェハ状態検出機構では、図 l l (a)〜(c)に示すように、ゥ ェハが如何なる移載状態にあっても正確にウェハの位置情報を検知することができる
[0053] 図 12は、本発明によるウェハ状態検知機構において、メインコントローラがウェハマ ップを用いてウェハ移載を制御する状態を示す概念図である。図 12 (a)に示すように 、基板処理装置 20のメインコントローラ 21が、ウェハ状態検知機構により出力された ウェハ移載情報に関する正常 '異常の信号を受け取り、あらかじめメインコントローラ 2 1が保持しているウェハ移載情報（つまり、ウェハマップ）と比較する。そして、メインコ ントローラ 21は、ウェハを移載していないスロットに関しては、ウェハなしのエラー条件 を充たす力 ウェハマップに移載指定されて ヽな 、スロットであればエラーが起きな いようリセットする。これによつて、図 12 (b)に示すように、ウェハ状態検知機構での状 態取得データは、ウェハ検出できないところはエラー出力しないでスキップし、ウェハ 検出できるところのみウェハを移載する。
[0054] また、本発明によれば、ウェハ状態検知機構にてウェハ状態を正常'異常判断する 比較対照データの取得方法を実現することもできる。このとき、比較対照データの取 得は、原点検出センサ (例えば、移載機 14に固定したフラグ 17とフラグ 17の鉛直移 動に対して固定されている近接スィッチ 18とからなる原点検出センサ）を設けることに よって実現することができる。
[0055] また、前述で取得した基準位置データと、基板処理装置の通常運用時にウェハ状 態検知機構にて検知して取得したウェハ位置データとを比較することにより、基準位 置データとウェハの検知位置データとの差 Δ P力 ウェハ移載機にて搬送可能な許 容誤差 Δ t以内であるか否か、または上方 ·下方の何れの方向にずれて 、るかを判 定することちでさる。
[0056] さらに、前述した基準位置データと実際に検知したウェハの検知位置データとの差 Δ Ρが、許容誤差 Δはり大きぐかつ、全ウェハが異常移載であると判定された場合 は、例えば、ピークの Δ Ρのずれ量及びずれ方向を散布図として表すことによって、 ボートエレベータの停止位置異常であるか否かの判定を行うことができる。また、計算 によるウェハ状態判定方法の一例として、全ウェハのずれ量 Δ Ρの平均値に対して、 最大の Δ Pmaxと最小の Δ Pminが許容誤差 Δ t以内である場合はウェハピッチは正 常であって、ボート停止位置の異常であると自動的に判定することができる。
[0057] また、上記で異常判定された場合は、ウェハのずれ量 Δ Ρが上下どちらかの方向に ずれていて、かつ、次第にそのずれ量が大きくなる場合は、熱処理炉内での熱変形 及び経年変化によるボートピッチ異常であると判定することができる。
処理炉で複数の基板が加熱処理され、ボートが処理炉から搬出されると移載機 14 に設けられた光センサ 1により、移載機 14が上昇、又は下降して、光センサ 1とウェハ 3の相対位置を変化させる実施例について説明した力 これに限らず、光センサ 1は 例えば筐体等にボート 13に積層されたウェハ 3を検知可能な位置に固定して、ボート 13が処理炉カも搬出される際、即ちボート 13の下降動作により、光センサ 1とウェハ 3の相対位置を変化させ、ウェハ 3を検知することも可能である。但し、この場合は、ゥ ェハ位置を検出するための原点位置検出用のセンサをなすフラグ 17はボート昇降機 (図示せず）に設け、近接スィッチはフラグ 17により ON'OFF可能な位置に、例えば 筐体 11等に取付けられる。
[0058] 以上説明したように、本発明の半導体製造装置では、ウェハの位置や載置状態を 検知する検知センサによってウェハの状態を検出することができ、検出によって取得 したウェハ位置データを解析すれば、一義的にボートの状態も判断することができる 。し力も、ウェハ位置データの取得動作は一度の検出操作で済むので、製造コストを 低減させることができると共にスループットも向上する。
[0059] 次に、本発明における半導体製造装置の具体的な実施例を基板処理装置に適用 して図面を参照しながら詳細に説明する。尚、以下の説明では、基板処理装置として 基板に拡散処理や CVD処理などを行う縦型の装置（以下、単に処理装置と 、う）を 適用した場合について述べる。図 13は、本発明に適用される処理装置の外観斜視 図である。尚、この図は透視図として描かれている。また、図 14は図 13に示す処理 装置の側面図である。したがって、図 13と図 14を用いて本発明に係る基板処理装置 を説明する。
[0060] 本発明の処理装置は、シリコン等力もなるウェハ（基板） 200を収納したポッド (基板 収納容器） 100を、外部力も筐体 101内へ挿入するため、およびその逆に筐体 101 内から外部へ払出すための IZOステージ (保持具授受部材） 105が筐体 101の前面 に付設され、筐体 101内には挿入されたポッド 100を保管するためのカセット棚 (載 置手段） 109が敷設されている。また、ウェハ 200の搬送エリアであり、後述のボート（ 基板保持手段） 217のローデイング、アンローデイング空間となる Ν2パージ室 (気密 室） 102が設けられている。ウェハ 200に処理を行うときの Ν2パージ室 102の内部は 、ウェハ 200の自然酸ィ匕膜を防止するために Ν2ガスなどの不活性ガスが充満される ように、 Ν2パージ室 102は密閉容器となっている。
[0061] 上述したポッド 100としては、現在 FOUPというタイプが主流で使用されており、ポッ ド 100の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず)で塞ぐことで大気からウェハ 2 00を隔離して搬送でき、蓋体を取り去ることでポッド 100内へウェハ 200を入出させる ことができる。このポッド 100の蓋体を取外し、ポッド 100内の雰囲気と Ν2パージ室 1 02の雰囲気とを連通させるために、 Ν2パージ室 102の前面側には、ポッドオーブナ (開閉手段） 108が設けられている。ポッドオーブナ 108、カセット棚 109、および 1/ Οステージ 105間のポッド 100の搬送は、カセット移載機 114によって行なわれる。こ のカセット移載機 114によるポッド 100の搬送空間には、筐体 101に設けられたタリー ンユニット（図示せず）によって清浄ィ匕した空気をフローさせるようにして 、る。
[0062] Ν2パージ室 102の内部には、複数のウェハ 200を多段に積載するボート 217と、ゥ ヱハ 200のノッチ（又はオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合わせる基 板位置合わせ装置 106と、ポッドオーブナ 108上のポッド 100と基板位置合わせ装 置 106とボート 217との間でゥヱハ 200の搬送を行うゥヱハ移載機 (搬送手段） 112と が設けられている。また、 Ν2パージ室 102の上部にはウェハ 200を処理するための 処理炉 202が設けられており、ボート 217はボートエレベータ（昇降手段） 115によつ て処理炉 202へローデイング、又は処理炉 202からアンローデイングすることができる [0063] 次に、図 13、図 14に示す処理装置の動作について説明する。先ず、 AGVや OH Tなどにより筐体 101の外部力も搬送されてきたポッド 100は、 IZOステージ 105に 載置される。 ΙΖΟステージ 105に載置されたポッド 100は、カセット移載機 114によつ て、直接ポッドオーブナ 108上に搬送される力、または、ー且カセット棚 109にストック された後にポッドオーブナ 108上に搬送される。ポッドオーブナ 108上に搬送された ポッド 100は、ポッドオーブナ 108によってポッド 100の蓋体を取外され、ポッド 100 の内部雰囲気が Ν2パージ室 102の雰囲気と連通される。
[0064] 次に、ウェハ搬送機 112によって、 Ν2パージ室 102の雰囲気と連通した状態のポ ッド 100内力もウェハ 200を取出す。取出されたウェハ 200は、基板位置合わせ装置 106によって任意の位置にノッチが定まる様に位置合わせが行なわれ、位置合わせ 後、ボート 217へ搬送される。
[0065] ボート 217へのウェハ 200の搬送が完了したならば、処理室 201の炉ロシャツタ 11 6を開けて、ボートエレベータ 115によりウェハ 200を搭載したボート 217をローデイン グする。ローデイング後は、処理炉 202にてウェハ 200に任意の処理が実施され、処 理後は上述の逆の手順で、ウェハ 200およびポッド 100は筐体 101の外部へ払出さ れる。
[0066] 図 15に示した減圧 CVD処理炉について説明する。
なお、この処理炉において、上述した制御部は、予めボート上の複数の基板の基 準位置及びこの複数の基板の基準位置に対する位置ずれの許容範囲が登録されて いる状態で CVD処理を実行し、半導体製造を行う。その後、測定された基板位置と 登録値とを比較し、複数の基板が位置ずれ許容範囲を越えていない場合に、次回に CVD処理する複数の基板と CVD処理済の基板とを交換し、次回の未処理の複数の 基板に対し、 CVD処理を実行し、半導体製造を行う。
外管（以下アウターチューブ 205)は例えば石英（Si02)等の耐熱性材料からなり、 上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管 (以下インナーチ ユーブ 204)は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、了ウタ 一チューブ 205内に同心円状に配置されている。アウターチューブ 205とインナーチ ユーブ 204の間の空間は筒状空間 250を成す。インナーチューブ 204の上部開口か ら上昇したガスは、筒状空間 250を通過して排気管 231から排気されるようになって いる。
[0067] アウターチューブ 205およびインナーチューブ 204の下端には、例えばステンレス 等よりなるマ-ホールド 209が係合され、このマ-ホールド 209にアウターチューブ 2 05およびインナーチューブ 204が保持されて!、る。このマ-ホールド 209は保持手 段（以下ヒータベース 251)に固定される。アウターチューブ 205の下端部およびマ二 ホールド 209の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフ ランジ間には気密部材 (以下 Oリング 220)が配置され、両者の間が気密にシールさ れている。
[0068] マ-ホールド 209の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体（ 以下シールキャップ 219)が Oリング 220を介して気密シール可能に着脱自在に取り 付けられている。シールキャップ 219には、ガスの供給管 232が貫通するよう設けら れている。これらのガスの供給管 232により、処理用のガスがアウターチューブ 205 内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管 232はガスの流量制御手段 (以下マスフローコントローラ（MFC) 241)に連結されており、 MFC241はガス流量 制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定の領に制御し得る。
[0069] マ-ホールド 209の上部には、圧力調節器 (例えば APC (自動圧力調節器）、 N2 ノ《ラスト制御器があり、以下ここでは APC242とする)及び、排気装置 (以下真空ボン プ 246)に連結されたガスの排気管 231が接続されており、アウターチューブ 205とィ ンナーチューブ 204との間の筒状空間 250を流れるガスを排出し、アウターチューブ 205内を APC242により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にす るよう圧力検出手段 (以下圧力センサ 245)により検出し、圧力制御部により制御する
[0070] シールキャップ 219には、回転手段（以下回転軸 254)が連結されており、回転軸 2 54により、基板保持手段 (以下ボート 217)及びボート 217上に保持されている基板（ 以下ウェハ 200)を回転させる。又、シールキャップ 219は昇降手段（以下ボートエレ ベータ 115)に連結されていて、ボート 217を昇降させる。回転軸 254、及びボートェ レベータ 115を所定のスピードにするように、駆動制御部により制御する。 [0071] アウターチューブ 205の外周には加熱手段（以下ヒータ 207)が同心円状に配置さ れている。ヒータ 207は、アウターチューブ 205内の温度を所定の処理温度にするよ う温度制御手段 (以下熱電対 263)により温度を検出し、温度制御部により制御する
[0072] 図 15に示した処理炉による減圧 CVD処理方法の一例を説明すると、まず、ボート エレベータ 115【こよりボー卜 217を下降させる。ボー卜 217【こ複数枚のウエノヽ 200を保 持する。次いで、ヒータ 207により加熱しながら、アウターチューブ 205内の温度を所 定の処理温度にする。ガスの供給管 232に接続された MFC241により予めアウター チューブ 205内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ 115により、ボート 2 17を上昇させてアウターチューブ 205内に移し、アウターチューブ 205の内部温度 を所定の処理温度に維持する。アウターチューブ 205内を所定の真空状態まで排気 した後、回転軸 254により、ボート 217及びボート 217上に保持されているゥヱハ 200 を回転させる。同時にガスの供給管 232から処理用のガスを供給する。供給されたガ スは、アウターチューブ 205内を上昇し、ウェハ 200に対して均等に供給される。
[0073] 減圧 CVD処理中のアウターチューブ 205内は、排気管 231を介して排気され、所 定の真空になるよう APC242により圧力が制御され、所定時間減圧 CVD処理を行う
[0074] このようにして減圧 CVD処理が完了すると、次のゥヱハ 200の減圧 CVD処理に移 るべぐアウターチューブ 205内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧 にし、その後、ボートエレベータ 115によりボート 217を下降させて、ボート 217及び 処理済のウェハ 200をアウターチューブ 205から取出す。この際、予め制御部に登録 されたボート 217上の複数のウェハ 200の基準位置とこの複数の基板の基準位置に 対する位置ずれ許容範囲と、ボート 217上の処理済の複数のウェハ 200の位置の測 定値とを比較し、処理済の複数のウエノ、 200が位置ずれ許容範囲を越えて 、な 、正 常な場合に、次回に CVD処理を実行する未処理の複数のウェハ 200とアウターチュ ーブ 205から取出されたボート 217上の処理済のウエノ、 200は、交換され、再度前述 同様にしてアウターチューブ 205内に上昇され、減圧 CVD処理が成される。
[0075] なお、一例まで、本実施例の処理炉にて処理される処理条件は、 Si N膜の成膜に おいて、ウェハ温度 770°C、ガス種供給量はジクロロシラン（SiH CI )、 180sccm、ァ
2 2
ンモ-ァ（NH )、 1800sccm、処理圧力は 55Paである。

Claims

請求の範囲
[1] 複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、
前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入'搬出するためのボートと、 該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を 検出する基板検出センサと、
前記複数の基板の基準位置、および前記複数の基板の基準位置に対する位置ず れ許容範囲を登録する制御部とを備え、
前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入 力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ず れ許容範囲を超えて!/、た場合は、前記複数の基板の位置情報の平均値と最大値と を比較すると共に、前記複数の基板の位置情報の平均値と最小値とを比較し、前記 それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれの許容範囲内であれば、ボ ート停止位置のずれと判断する半導体製造装置。
[2] 前記制御部は、前記それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれの許容 範囲内であれば、ボート停止位置のずれを示す障害信号を出力する請求項 1の半 導体製造装置。
[3] 前記制御部は、予め設定された前記複数の基板の全枚数に対する所定割合枚数 分の前記基板の位置情報の平均値と最大値とを比較すると共に、予め設定された前 記複数の基板の全枚数に対する所定割合枚数分の前記基板の位置情報の平均値 と最小値とを比較する請求項 2の半導体製造装置。
[4] 前記制御部は、予め設定された所定枚数分を前記基板の位置情報の平均値と最 大値とを比較すると共に、予め設定された所定枚数分を前記基板の位置情報の平 均値と最小値とを比較する請求項 2の半導体製造装置。
[5] 前記制御部は、前記複数の基板に対する全ての前記基板の位置情報の平均値と 最大値とを比較すると共に、前記複数の基板に対する全ての基板の位置情報の平 均値と最小値とを比較する請求項 2の半導体製造装置。
[6] 複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、
前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入'搬出するためのボートと、 該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を 検出する基板検出センサと、
前記複数の基板の基準位置、および前記複数の基板の基準位置に対する位置ず れ許容範囲を登録する制御部とを備え、
前記制御部は、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入 力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ず れ許容範囲を超えていた場合は、前記基板位置が漸次変化しているカゝ確認し、前記 基板位置が漸次変化して 、ることを検出すれば、ボート変形であると判断する半導体 製造装置。
[7] 請求項 1の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、 前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入 力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ず れ許容範囲を超えて!/、なカゝつた場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基 板と次回に処理する複数の基板とを交換し、
前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前 記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施す半導体装 置の製造方法。
[8] 請求項 6の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、 前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入 力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ず れ許容範囲を超えて!/、なカゝつた場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基 板と次回に処理する複数の基板とを交換し、
前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前 記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施す半導体装 置の製造方法。
[9] 前記制御部は、前記基板位置が漸次変化して 、る力確認し、前記基板位置が漸 次変化していることを検出すれば、ボート変形であることを示す障害信号を出力する 請求項 6の半導体製造装置。
[10] 複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、
前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入'搬出するためのボートと、 該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を 検出する基板検出センサと、
前記処理炉で前記複数の基板が加熱処理されると、前記ボートが前記処理炉から 搬出されてから、又は前記ボートが前記処理炉から搬出される際に、前記基板検出 センサにより前記複数の基板の位置を測定し、この測定値と登録されている前記複 数の基準位置とを比較し、
Figure imgf000026_0001
、る場合 は前記基板の位置が異常であると判断する制御部とを具備する半導体製造装置。
[11] 前記制御部は、前記基板の位置が異常であると判断した場合には、障害信号を出 力する請求項 10の半導体製造装置。
[12] 請求項 10の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、 前記制御部が、前記基板検出センサにより前記複数の基板の位置を測定し、この 測定値と登録されて 、る前記複数の基準位置とを比較し、前記複数の基板の位置ず れ許容範囲を超えて!/、なカゝつた場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基 板と次回に処理する複数の基板とを交換し、
前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前 記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施す半導体装 置の製造方法。
PCT/JP2005/018283 2004-10-06 2005-10-03 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 WO2006038584A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006539280A JP4555302B2 (ja) 2004-10-06 2005-10-03 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、及び検出方法
US11/662,631 US7751922B2 (en) 2004-10-06 2005-10-03 Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing of a semiconductor device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004293244 2004-10-06
JP2004-293244 2004-10-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006038584A1 true WO2006038584A1 (ja) 2006-04-13

Family

ID=36142657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/018283 WO2006038584A1 (ja) 2004-10-06 2005-10-03 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7751922B2 (ja)
JP (1) JP4555302B2 (ja)
WO (1) WO2006038584A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056469A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及び熱処理方法並びに記憶媒体
JP2010129811A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体製造方法
JP2011060924A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP2012060059A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理システム、及び基板処理装置並びに基板処理装置の表示方法
JP2014175608A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板処理装置、基板取出方法および記憶媒体
WO2018179496A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP7312927B1 (ja) 2023-03-30 2023-07-21 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板搬送機構の動作判定方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7991521B2 (en) * 2006-02-01 2011-08-02 Jervis B. Webb Company Variable path automated guided vehicle
US7643897B2 (en) * 2007-06-07 2010-01-05 United Microelectronics Corp. Method for automatically checking sequence of loading boats and batches for semiconductor manufacturing process
US8135485B2 (en) * 2007-09-28 2012-03-13 Lam Research Corporation Offset correction techniques for positioning substrates within a processing chamber
JP4486692B2 (ja) * 2008-03-14 2010-06-23 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP6098217B2 (ja) * 2013-02-20 2017-03-22 株式会社村田製作所 回路基板およびその製造方法
WO2016017685A1 (ja) * 2014-07-30 2016-02-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体
JP6316742B2 (ja) * 2014-12-24 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および基板搬送方法
JP6315285B2 (ja) * 2015-04-29 2018-04-25 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置
IT201700100484A1 (it) * 2017-09-07 2019-03-07 Fosber Spa Metodo di diagnosi predittiva per un impianto di produzione di cartone ondulato
KR102014926B1 (ko) * 2017-10-31 2019-08-27 에스케이실트론 주식회사 실리콘 웨이퍼의 산화물층의 두께 예측 방법
CN110797277B (zh) * 2018-08-01 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 硅片位置检测方法及装置、半导体加工设备
JP7151318B2 (ja) * 2018-09-21 2022-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板搬送モジュール
JP7336877B2 (ja) * 2019-05-21 2023-09-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN111933549B (zh) * 2020-07-28 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备及检测滑片的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03181124A (ja) * 1989-12-11 1991-08-07 Kokusai Electric Co Ltd ボート位置検出方法及び装置
JPH06227626A (ja) * 1993-02-02 1994-08-16 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置のボート位置検出装置
JPH07147314A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ搬送装置
JPH1012562A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Sony Corp ウエハ熱処理装置
JPH11297790A (ja) * 1998-04-10 1999-10-29 Kokusai Electric Co Ltd 基板搬送方法及び半導体製造装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61280631A (ja) * 1985-06-06 1986-12-11 Canon Inc ウエハ位置検出装置
US5153841A (en) * 1990-11-21 1992-10-06 Advanced Micro Devices Method of and apparatus for semi-conductor wafer selection
JPH0541442A (ja) 1991-08-02 1993-02-19 Kokusai Electric Co Ltd ウエーハ計数方法及びその装置
JP3181124B2 (ja) 1992-12-28 2001-07-03 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 指向性アンテナ
JP3623522B2 (ja) 1993-04-13 2005-02-23 株式会社日立国際電気 半導体製造装置における被処理物移載方法
JPH07142553A (ja) 1993-06-29 1995-06-02 Kokusai Electric Co Ltd ボート側ウェーハ位置検知方法及び装置
JP3674063B2 (ja) * 1994-06-21 2005-07-20 東芝機械株式会社 ウェハ搬送装置
JPH10154744A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置のボート変形測定装置
JPH10326819A (ja) * 1997-05-27 1998-12-08 Toshiba Corp 位置ずれ検出装置と検出方法
US6632068B2 (en) * 2000-09-27 2003-10-14 Asm International N.V. Wafer handling system
JP3964662B2 (ja) * 2001-12-03 2007-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板の取り出し方法
JP4260423B2 (ja) * 2002-05-30 2009-04-30 ローツェ株式会社 円盤状物の基準位置教示方法、位置決め方法および搬送方法並びに、それらの方法を使用する円盤状物の基準位置教示装置、位置決め装置、搬送装置および半導体製造設備
US6900877B2 (en) * 2002-06-12 2005-05-31 Asm American, Inc. Semiconductor wafer position shift measurement and correction

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03181124A (ja) * 1989-12-11 1991-08-07 Kokusai Electric Co Ltd ボート位置検出方法及び装置
JPH06227626A (ja) * 1993-02-02 1994-08-16 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置のボート位置検出装置
JPH07147314A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ搬送装置
JPH1012562A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Sony Corp ウエハ熱処理装置
JPH11297790A (ja) * 1998-04-10 1999-10-29 Kokusai Electric Co Ltd 基板搬送方法及び半導体製造装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056469A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及び熱処理方法並びに記憶媒体
US8423175B2 (en) 2008-08-29 2013-04-16 Tokyo Electron Limited Thermal processing apparatus, thermal processing method, and storage medium
US8565911B2 (en) 2008-08-29 2013-10-22 Tokyo Electron Limited Thermal processing apparatus, thermal processing method, and storage medium
JP2010129811A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体製造方法
JP2011060924A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP2012060059A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理システム、及び基板処理装置並びに基板処理装置の表示方法
JP2014175608A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板処理装置、基板取出方法および記憶媒体
US9184080B2 (en) 2013-03-12 2015-11-10 Tokyo Electron Limited Apparatus for transferring substrate, substrate processing system, method for transferring substrate and memory medium
KR101817959B1 (ko) * 2013-03-12 2018-01-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치, 기판 처리 장치, 기판 취출 방법 및 기억 매체
WO2018179496A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JPWO2018179496A1 (ja) * 2017-03-28 2019-11-21 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US11553565B2 (en) 2017-03-28 2023-01-10 Kokusai Electric Corporation Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and non-transitory computer-readable recording medium
JP7312927B1 (ja) 2023-03-30 2023-07-21 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板搬送機構の動作判定方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7751922B2 (en) 2010-07-06
US20080127467A1 (en) 2008-06-05
JP4555302B2 (ja) 2010-09-29
JPWO2006038584A1 (ja) 2008-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006038584A1 (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US11049742B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and thermocouple support
JP6403431B2 (ja) 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム
KR101554768B1 (ko) 열처리 장치 및 이것에 기판을 반송하는 기판 반송 방법
US9558976B2 (en) Substrate processing apparatus, method of transferring substrate, method of manufacturing semiconductor device, and state detecting program
US10062592B2 (en) Substrate processing apparatus
CN108109939B (zh) 处理装置、排气系统及半导体器件的制造方法
JPWO2007018139A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
CN104364888A (zh) 基板处理装置、温度计测系统、处理装置的温度计测方法、输送装置以及记录介质
JP2011171337A (ja) 基板処理装置
JP2010219460A (ja) 基板処理装置
JP2011181817A (ja) 基板処理装置
CN113614884B (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质
KR102260747B1 (ko) 기판 처리 장치, 제어 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법
KR100772846B1 (ko) 반도체 소자 제조를 위한 종형 확산로의 웨이퍼 검출장치와방법
TWI783171B (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式
JP2011146412A (ja) 基板処理装置
JP2004296484A (ja) 基板処理装置
JP2010245422A (ja) 半導体製造装置
KR20090110621A (ko) 반도체 제조 설비 및 그의 처리 방법
KR20050045339A (ko) 웨이퍼 이송장치
JP2007258632A (ja) 基板処理装置
KR20060084926A (ko) 웨이퍼 가공 장치
JP2013239656A (ja) 基板処理装置
KR20210092906A (ko) 기판 이송 방법 및 기판 이송 장치

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006539280

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11662631

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11662631

Country of ref document: US