JPH1012562A - ウエハ熱処理装置 - Google Patents
ウエハ熱処理装置Info
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- JPH1012562A JPH1012562A JP17854096A JP17854096A JPH1012562A JP H1012562 A JPH1012562 A JP H1012562A JP 17854096 A JP17854096 A JP 17854096A JP 17854096 A JP17854096 A JP 17854096A JP H1012562 A JPH1012562 A JP H1012562A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】横形のウエハ熱処理装置における反応管の熱変
形を確実に検出することができる機構を有するウエハ熱
処理装置を提供する。 【解決手段】ウエハ熱処理装置は、（イ）反応管１０、
（ロ）ウエハ３２を載置したウエハボート３０を該反応
管１０に搬入、搬出するためのウエハ搬送装置２０，２
２、及び（ハ）ウエハ３２若しくはウエハボート３０に
向けて光を射出するための発光手段２４と、ウエハ３２
若しくはウエハボート３０で反射された光を受光するた
めの受光手段２６を備えている。
形を確実に検出することができる機構を有するウエハ熱
処理装置を提供する。 【解決手段】ウエハ熱処理装置は、（イ）反応管１０、
（ロ）ウエハ３２を載置したウエハボート３０を該反応
管１０に搬入、搬出するためのウエハ搬送装置２０，２
２、及び（ハ）ウエハ３２若しくはウエハボート３０に
向けて光を射出するための発光手段２４と、ウエハ３２
若しくはウエハボート３０で反射された光を受光するた
めの受光手段２６を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウエハ熱処理装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のウエハプロセスにおける熱
処理工程には多くの種類があるが、その代表的な熱処理
工程として、酸化工程及び拡散工程を挙げることができ
る。酸化工程においては、表面洗浄されたウエハを高温
の酸化雰囲気に置くことによってウエハ表面にＳｉＯ2
膜が形成される。拡散工程においては、半導体基板に不
純物原子を導入し、その導電型や不純物プロファイルを
制御することでｐｎ接合を形成する。酸化工程及び拡散
工程においては種々の形式のウエハ熱処理装置が用いら
れているが、その内の１つとして、例えば石英から作製
された反応管（プロセスチューブ、あるいは炉心管とも
呼ばれる）を備えた横形のウエハ熱処理装置を挙げるこ
とができる。
処理工程には多くの種類があるが、その代表的な熱処理
工程として、酸化工程及び拡散工程を挙げることができ
る。酸化工程においては、表面洗浄されたウエハを高温
の酸化雰囲気に置くことによってウエハ表面にＳｉＯ2
膜が形成される。拡散工程においては、半導体基板に不
純物原子を導入し、その導電型や不純物プロファイルを
制御することでｐｎ接合を形成する。酸化工程及び拡散
工程においては種々の形式のウエハ熱処理装置が用いら
れているが、その内の１つとして、例えば石英から作製
された反応管（プロセスチューブ、あるいは炉心管とも
呼ばれる）を備えた横形のウエハ熱処理装置を挙げるこ
とができる。
【０００３】図７に模式的に示すこのような横形のウエ
ハ熱処理装置において酸化処理や拡散処理を行う場合、
複数のウエハ３２を載置したウエハボート３０（単にボ
ートとも呼ばれる）を反応管１０に搬入、搬出するため
にウエハ搬送装置が用いられる。ウエハボート３０は石
英やＳｉＣから作製されている。反応管１０は略円筒形
状であり、石英から作製されている。ウエハ搬送装置
は、ソフトランディング２０、及びソフトランディング
２０に取り付けられた石英製のフォーク２２（搬送アー
ムとも呼ばれる）から構成されている。ソフトランディ
ング２０は、反応管１０の内側に接触することなく反応
管１０にウエハボート３０を搬入、搬出する機能を有す
る装置であり、パーティクルの発生を抑制することがで
きる。
ハ熱処理装置において酸化処理や拡散処理を行う場合、
複数のウエハ３２を載置したウエハボート３０（単にボ
ートとも呼ばれる）を反応管１０に搬入、搬出するため
にウエハ搬送装置が用いられる。ウエハボート３０は石
英やＳｉＣから作製されている。反応管１０は略円筒形
状であり、石英から作製されている。ウエハ搬送装置
は、ソフトランディング２０、及びソフトランディング
２０に取り付けられた石英製のフォーク２２（搬送アー
ムとも呼ばれる）から構成されている。ソフトランディ
ング２０は、反応管１０の内側に接触することなく反応
管１０にウエハボート３０を搬入、搬出する機能を有す
る装置であり、パーティクルの発生を抑制することがで
きる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】横形のウエハ熱処理装
置において、酸化処理や拡散処理を行う場合、反応管１
０は１２００゜Ｃ弱まで加熱される。それ故、或る程度
の期間、使用すると、図８に模式図で示すように、反応
管１０が熱変形する。このように反応管１０が熱変形し
た場合、フォーク２２を用いてウエハボート３０を反応
管１０の内部に搬入したとき、反応管１０の内部におけ
るウエハボート３０の位置が所定の位置からずれてしま
い、酸化処理や拡散処理されたウエハの特性（例えば、
不純物濃度ρs）が変化するという問題が生じる。ある
いは又、ウエハボート３０を反応管１０内から搬出でき
なくなる場合もある。通常、反応管１０はヒーター１２
で囲まれているので、反応管１０に熱変形が生じたかを
外部から知ることは困難であり、反応管１０の搬出入部
から内部を覗いて変形の有無を確認するしかない。
置において、酸化処理や拡散処理を行う場合、反応管１
０は１２００゜Ｃ弱まで加熱される。それ故、或る程度
の期間、使用すると、図８に模式図で示すように、反応
管１０が熱変形する。このように反応管１０が熱変形し
た場合、フォーク２２を用いてウエハボート３０を反応
管１０の内部に搬入したとき、反応管１０の内部におけ
るウエハボート３０の位置が所定の位置からずれてしま
い、酸化処理や拡散処理されたウエハの特性（例えば、
不純物濃度ρs）が変化するという問題が生じる。ある
いは又、ウエハボート３０を反応管１０内から搬出でき
なくなる場合もある。通常、反応管１０はヒーター１２
で囲まれているので、反応管１０に熱変形が生じたかを
外部から知ることは困難であり、反応管１０の搬出入部
から内部を覗いて変形の有無を確認するしかない。
【０００５】従って、本発明の目的は、横形のウエハ熱
処理装置における反応管の熱変形を確実に検出すること
ができる機構を有するウエハ熱処理装置を提供すること
にある。
処理装置における反応管の熱変形を確実に検出すること
ができる機構を有するウエハ熱処理装置を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のウエハ熱処理装置は、（イ）反応管、
（ロ）ウエハを載置したウエハボートを該反応管に搬
入、搬出するためのウエハ搬送装置、及び（ハ）ウエハ
若しくはウエハボートに向けて光を射出するための発光
手段と、ウエハ若しくはウエハボートで反射された光を
受光するための受光手段、を備えていることを特徴とす
る。
めの本発明のウエハ熱処理装置は、（イ）反応管、
（ロ）ウエハを載置したウエハボートを該反応管に搬
入、搬出するためのウエハ搬送装置、及び（ハ）ウエハ
若しくはウエハボートに向けて光を射出するための発光
手段と、ウエハ若しくはウエハボートで反射された光を
受光するための受光手段、を備えていることを特徴とす
る。
【０００７】ウエハ搬送装置は如何なる形式の装置とす
ることもできるが、ソフトランディング、及びソフトラ
ンディングに取り付けられた石英製のフォークから構成
することが好ましい。発光手段は、ウエハ若しくはウエ
ハボートに向けて光を確実に射出することができる位置
であれば、ウエハ熱処理装置のどこに取り付けてもよい
し、受光手段は、ウエハボートが反応管内に正常に載置
された状態で、ウエハ若しくはウエハボートで反射され
た光を確実に受光することができる位置であれば、ウエ
ハ熱処理装置のどこに取り付けてもよいが、これらをソ
フトランディングに取り付けることが最も望ましい。発
光手段は如何なる形式のものでもよく、例えばＨｅ−Ｎ
ｅレーザや半導体レーザを例示することができる。ま
た、受光手段も如何なる形式のものでもよく、ホトダイ
オード、ホトトランジスタ、固体イメージセンサを例示
することができる。本発明のウエハ熱処理装置において
は、例えばウエハの酸化処理や不純物の熱拡散処理を行
うことができる。ウエハとしては、シリコン半導体基板
やＧａＡｓ基板、ＳＯＩ技術に基づき得られた基板を例
示することができる。
ることもできるが、ソフトランディング、及びソフトラ
ンディングに取り付けられた石英製のフォークから構成
することが好ましい。発光手段は、ウエハ若しくはウエ
ハボートに向けて光を確実に射出することができる位置
であれば、ウエハ熱処理装置のどこに取り付けてもよい
し、受光手段は、ウエハボートが反応管内に正常に載置
された状態で、ウエハ若しくはウエハボートで反射され
た光を確実に受光することができる位置であれば、ウエ
ハ熱処理装置のどこに取り付けてもよいが、これらをソ
フトランディングに取り付けることが最も望ましい。発
光手段は如何なる形式のものでもよく、例えばＨｅ−Ｎ
ｅレーザや半導体レーザを例示することができる。ま
た、受光手段も如何なる形式のものでもよく、ホトダイ
オード、ホトトランジスタ、固体イメージセンサを例示
することができる。本発明のウエハ熱処理装置において
は、例えばウエハの酸化処理や不純物の熱拡散処理を行
うことができる。ウエハとしては、シリコン半導体基板
やＧａＡｓ基板、ＳＯＩ技術に基づき得られた基板を例
示することができる。
【０００８】本発明のウエハ熱処理装置においては、発
光手段と受光手段が備えられている。ウエハを載置した
ウエハボートの反応管への搬入が完了し、ウエハボート
が反応管内に載置されたとき、ウエハ若しくはウエハボ
ートで反射された光の反射量を受光手段によって測定す
る。反応管に熱変形が生じ、ウエハボートを載置する部
分に変形が生じた場合、ウエハ若しくはウエハボートで
反射された光の受光手段における受光量が変化する。か
かる変化量を検知することで、反応管に熱変形が生じた
かを判断することができる。あるいは又、ウエハを載置
したウエハボートを反応管から搬出する前に、反応管内
に載置されたウエハ若しくはウエハボートで反射された
光の反射量を受光手段によって測定する。反応管に熱変
形が生じ、ウエハボートを載置する部分に変形が生じた
場合、ウエハ若しくはウエハボートで反射された光の受
光手段における受光量が変化する。かかる変化量を検知
することで、反応管に熱変形が生じたかを判断すること
ができる。
光手段と受光手段が備えられている。ウエハを載置した
ウエハボートの反応管への搬入が完了し、ウエハボート
が反応管内に載置されたとき、ウエハ若しくはウエハボ
ートで反射された光の反射量を受光手段によって測定す
る。反応管に熱変形が生じ、ウエハボートを載置する部
分に変形が生じた場合、ウエハ若しくはウエハボートで
反射された光の受光手段における受光量が変化する。か
かる変化量を検知することで、反応管に熱変形が生じた
かを判断することができる。あるいは又、ウエハを載置
したウエハボートを反応管から搬出する前に、反応管内
に載置されたウエハ若しくはウエハボートで反射された
光の反射量を受光手段によって測定する。反応管に熱変
形が生じ、ウエハボートを載置する部分に変形が生じた
場合、ウエハ若しくはウエハボートで反射された光の受
光手段における受光量が変化する。かかる変化量を検知
することで、反応管に熱変形が生じたかを判断すること
ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、発明の実
施の形態に基づき本発明を説明する。
施の形態に基づき本発明を説明する。
【００１０】本発明のウエハ熱処理装置の一部を切り欠
いた模式図を図１に示す。ウエハ熱処理装置は、反応管
１０と、ウエハ３２を載置したウエハボート３０を反応
管１０に搬入、搬出するためのウエハ搬送装置から構成
されている。ウエハ搬送装置は、ソフトランディング２
０、及びソフトランディング２０に取り付けられた石英
製のフォーク２２から成る。尚、図１にては、ウエハボ
ート３０はフォーク２２に載置され、反応管１０内にウ
エハボート３０を搬入開始する直前の状態を示す。
いた模式図を図１に示す。ウエハ熱処理装置は、反応管
１０と、ウエハ３２を載置したウエハボート３０を反応
管１０に搬入、搬出するためのウエハ搬送装置から構成
されている。ウエハ搬送装置は、ソフトランディング２
０、及びソフトランディング２０に取り付けられた石英
製のフォーク２２から成る。尚、図１にては、ウエハボ
ート３０はフォーク２２に載置され、反応管１０内にウ
エハボート３０を搬入開始する直前の状態を示す。
【００１１】反応管１０は、一端が開閉自在であり、他
端が閉じた略円筒形状であり、石英から作製されてい
る。反応管１０はヒーター１２で囲まれている。温度制
御装置（図示せず）により制御されたヒーター１２によ
って、反応管１０内のウエハ３２を所望の温度に加熱す
ることができる。反応管１０は、配管（図示せず）を介
してガス供給システム（図示せず）に繋がれており、反
応管１０内を所望の圧力のガス雰囲気とすることができ
る。ウエハボート３０は石英やＳｉＣから作製されてい
る。
端が閉じた略円筒形状であり、石英から作製されてい
る。反応管１０はヒーター１２で囲まれている。温度制
御装置（図示せず）により制御されたヒーター１２によ
って、反応管１０内のウエハ３２を所望の温度に加熱す
ることができる。反応管１０は、配管（図示せず）を介
してガス供給システム（図示せず）に繋がれており、反
応管１０内を所望の圧力のガス雰囲気とすることができ
る。ウエハボート３０は石英やＳｉＣから作製されてい
る。
【００１２】ソフトランディング２０は、フォーク２２
を図１の左右の方向に移動させるためのモータと、フォ
ーク２２を図１の上下方向に移動させるためのモータ
と、図１の紙面の垂直方向におけるフォーク２２の向き
を修正するためにモータと、これらのモータの回転をフ
ォーク２２への動きに変換するための各種のギヤや駆動
力伝達系と、フォーク２２を図１の左右方向及び上下方
向への移動のためのガイドレール等から構成されてい
る。尚、ソフトランディングそのものは公知の装置であ
るが故に、詳細な図示は省略した。ソフトランディング
２０によって反応管１０の内側に接触することなく反応
管１０にウエハボート３０を搬入、搬出することがで
き、パーティクルの発生を抑制することができる。
を図１の左右の方向に移動させるためのモータと、フォ
ーク２２を図１の上下方向に移動させるためのモータ
と、図１の紙面の垂直方向におけるフォーク２２の向き
を修正するためにモータと、これらのモータの回転をフ
ォーク２２への動きに変換するための各種のギヤや駆動
力伝達系と、フォーク２２を図１の左右方向及び上下方
向への移動のためのガイドレール等から構成されてい
る。尚、ソフトランディングそのものは公知の装置であ
るが故に、詳細な図示は省略した。ソフトランディング
２０によって反応管１０の内側に接触することなく反応
管１０にウエハボート３０を搬入、搬出することがで
き、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００１３】例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザから成る発光手
段２４及びホトトランジスタから成る受光手段２６が、
ソフトランディング２０に取り付けられている。発光手
段２４及び受光手段２６はウエハ３２の反応管１０への
搬入、搬出に邪魔にならない位置であって、確実にウエ
ハ３２に向けて光を射出することができ、しかも、反応
管１０が正常な場合、ウエハ３２で反射された光を確実
に受光することができる位置に配設されている。
段２４及びホトトランジスタから成る受光手段２６が、
ソフトランディング２０に取り付けられている。発光手
段２４及び受光手段２６はウエハ３２の反応管１０への
搬入、搬出に邪魔にならない位置であって、確実にウエ
ハ３２に向けて光を射出することができ、しかも、反応
管１０が正常な場合、ウエハ３２で反射された光を確実
に受光することができる位置に配設されている。
【００１４】図１乃至図６を参照して、本発明のウエハ
熱処理装置の動作を説明する。尚、図１〜図４に示す状
態においては、反応管１０に熱変形は生じていない。
熱処理装置の動作を説明する。尚、図１〜図４に示す状
態においては、反応管１０に熱変形は生じていない。
【００１５】先ず、図１に模式図を示すように、複数の
ウエハ３２を載置したウエハボート３０をフォーク２２
に載置する。そして、ソフトランディング２０を作動さ
せ、ウエハボート３０を載置したフォーク２２を反応管
１０に向かって、図１の右手方向に移動させる（図２参
照）。このウエハボート３０の反応管１０内への搬入
中、反応管１０とウエハボート３０は接触することはな
い。ウエハボート３０を反応管１０内の所定の位置まで
移動させたならば、ソフトランディング２０の水平方向
の動作を停止し、次いで、ソフトランディング２０の下
方方向への動作によってウエハボート３０を下方に移動
させる。これによって、ウエハ３２を載置したウエハボ
ート３０は反応管１０内の所定の位置に置かれる。そし
て、発光手段２４を動作させて、ウエハ３２に向けて光
を射出する。ウエハ３２で反射された光は受光手段２６
によって受光される。この状態を図３の模式図に示す。
尚、反応管１０に熱変形は生じていない。従って、ウエ
ハ３２で反射された光は受光手段２６によって正常に受
光される。その後、ソフトランディング２０を作動さ
せ、フォーク２２を図３の左手方向に移動させ、フォー
ク２２を反応管１０から抜き出す（図４参照）。その
後、反応管１０の扉（図示せず）を閉じ、反応管１０の
内部を所望の圧力のガス雰囲気とし、ヒーター１２によ
ってウエハ３２を加熱する。これによって、ウエハ３２
には酸化処理あるいは拡散処理が施される。反応管１０
からウエハ３２を搬出する場合には、今までの説明の逆
の手順を踏めばよい。
ウエハ３２を載置したウエハボート３０をフォーク２２
に載置する。そして、ソフトランディング２０を作動さ
せ、ウエハボート３０を載置したフォーク２２を反応管
１０に向かって、図１の右手方向に移動させる（図２参
照）。このウエハボート３０の反応管１０内への搬入
中、反応管１０とウエハボート３０は接触することはな
い。ウエハボート３０を反応管１０内の所定の位置まで
移動させたならば、ソフトランディング２０の水平方向
の動作を停止し、次いで、ソフトランディング２０の下
方方向への動作によってウエハボート３０を下方に移動
させる。これによって、ウエハ３２を載置したウエハボ
ート３０は反応管１０内の所定の位置に置かれる。そし
て、発光手段２４を動作させて、ウエハ３２に向けて光
を射出する。ウエハ３２で反射された光は受光手段２６
によって受光される。この状態を図３の模式図に示す。
尚、反応管１０に熱変形は生じていない。従って、ウエ
ハ３２で反射された光は受光手段２６によって正常に受
光される。その後、ソフトランディング２０を作動さ
せ、フォーク２２を図３の左手方向に移動させ、フォー
ク２２を反応管１０から抜き出す（図４参照）。その
後、反応管１０の扉（図示せず）を閉じ、反応管１０の
内部を所望の圧力のガス雰囲気とし、ヒーター１２によ
ってウエハ３２を加熱する。これによって、ウエハ３２
には酸化処理あるいは拡散処理が施される。反応管１０
からウエハ３２を搬出する場合には、今までの説明の逆
の手順を踏めばよい。
【００１６】反応管１０に熱変形が生じた場合、上記の
説明において、ウエハボート３０の搬入時、ソフトラン
ディング２０の水平方向の動作を停止し、次いで、フォ
ーク２２を下方に移動させ、ウエハ３２を載置したウエ
ハボート３０を反応管１０内の所定の位置に置いたと
き、ウエハボート３０は傾いた状態となる。次いで、発
光手段２４を動作させて、ウエハ３２に向けて光を射出
する。ウエハボート３０が傾いた状態となっているの
で、ウエハ３２で反射された光は受光手段２６によって
受光されなくなる。あるいは又、受光手段２６における
受光量が減少する。この状態を図５の模式図に示す。受
光手段２６の出力を例えば警報器に入力すれば、警報を
発することができる。
説明において、ウエハボート３０の搬入時、ソフトラン
ディング２０の水平方向の動作を停止し、次いで、フォ
ーク２２を下方に移動させ、ウエハ３２を載置したウエ
ハボート３０を反応管１０内の所定の位置に置いたと
き、ウエハボート３０は傾いた状態となる。次いで、発
光手段２４を動作させて、ウエハ３２に向けて光を射出
する。ウエハボート３０が傾いた状態となっているの
で、ウエハ３２で反射された光は受光手段２６によって
受光されなくなる。あるいは又、受光手段２６における
受光量が減少する。この状態を図５の模式図に示す。受
光手段２６の出力を例えば警報器に入力すれば、警報を
発することができる。
【００１７】反応管１０内でウエハの熱処理中に反応管
１０に熱変形が発生した場合、ウエハボート３０の搬出
開始時、図６に模式図を示すように、発光手段２４を動
作させて、ウエハ３２に向けて光を射出する。ウエハボ
ート３０が傾いた状態となっているので、ウエハ３２で
反射された光は受光手段２６によって受光されなくな
る。あるいは又、受光手段２６における受光量が減少す
る。受光手段２６の出力を例えば警報器に入力すれば、
警報を発することができる。
１０に熱変形が発生した場合、ウエハボート３０の搬出
開始時、図６に模式図を示すように、発光手段２４を動
作させて、ウエハ３２に向けて光を射出する。ウエハボ
ート３０が傾いた状態となっているので、ウエハ３２で
反射された光は受光手段２６によって受光されなくな
る。あるいは又、受光手段２６における受光量が減少す
る。受光手段２６の出力を例えば警報器に入力すれば、
警報を発することができる。
【００１８】以上、本発明を、発明の実施の形態に基づ
き説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。ウエハ熱処理装置の構造や形式は例示であり、適宜
変更することができる。発明の実施の形態においては、
発光手段２４からウエハ３２に向けて光を射出したが、
その代わりにウエハボート３０に向けて光を射出しても
よい。尚、ウエハボートの構造により光を適切に反射で
きない場合、ウエハボートに適切な光反射板を取り付け
るかあるいは設ければよい。また、場合によっては、反
応管１０の内部に発光手段２４から射出された光を反射
させる光反射部を設けてもよい。これによっても、反応
管１０が熱変形したとき、発光手段２４から射出された
光の光反射部による反射光が適切に受光手段２６に入射
しなくなる結果、反応管の熱変形の発生を検出すること
ができる。更には、ウエハボート３０の搬送中におけ
る、例えばソフトランディング２０とウエハボート３０
（若しくはフォーク２２）との間の距離を測定する機能
を付加し、反応管１０の所定の位置にウエハボート３０
が到達したか否かを判定することもできる。この距離の
測定は、フォーク２２を図１の右手方向に移動させるた
めのモータの回転量、フォーク２２を図１の左右方向へ
移動させるためのガイドレール上に設けられた近接スイ
ッチ等、ウエハボート３０の移動量を測定するためのレ
ーザ干渉計や超音波を用いた距離計、非点収差法を応用
した距離計等によって実現することが可能である。
き説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。ウエハ熱処理装置の構造や形式は例示であり、適宜
変更することができる。発明の実施の形態においては、
発光手段２４からウエハ３２に向けて光を射出したが、
その代わりにウエハボート３０に向けて光を射出しても
よい。尚、ウエハボートの構造により光を適切に反射で
きない場合、ウエハボートに適切な光反射板を取り付け
るかあるいは設ければよい。また、場合によっては、反
応管１０の内部に発光手段２４から射出された光を反射
させる光反射部を設けてもよい。これによっても、反応
管１０が熱変形したとき、発光手段２４から射出された
光の光反射部による反射光が適切に受光手段２６に入射
しなくなる結果、反応管の熱変形の発生を検出すること
ができる。更には、ウエハボート３０の搬送中におけ
る、例えばソフトランディング２０とウエハボート３０
（若しくはフォーク２２）との間の距離を測定する機能
を付加し、反応管１０の所定の位置にウエハボート３０
が到達したか否かを判定することもできる。この距離の
測定は、フォーク２２を図１の右手方向に移動させるた
めのモータの回転量、フォーク２２を図１の左右方向へ
移動させるためのガイドレール上に設けられた近接スイ
ッチ等、ウエハボート３０の移動量を測定するためのレ
ーザ干渉計や超音波を用いた距離計、非点収差法を応用
した距離計等によって実現することが可能である。
【００１９】
【発明の効果】本発明のウエハ熱処理装置は、発光手段
及び受光手段を備えることで、反応管の熱変形発生を容
易に且つ確実に検知することができる。それ故、半導体
装置の特性変化による製造歩止まりの低下を防止するこ
とができるだけでなく、反応管の熱変形に起因した半導
体装置の製造ラインの停止時間を出来る限り短縮化する
ことが可能となる。
及び受光手段を備えることで、反応管の熱変形発生を容
易に且つ確実に検知することができる。それ故、半導体
装置の特性変化による製造歩止まりの低下を防止するこ
とができるだけでなく、反応管の熱変形に起因した半導
体装置の製造ラインの停止時間を出来る限り短縮化する
ことが可能となる。
【図１】ウエハボートをフォークに載置し、反応管内に
ウエハボートを搬入開始する直前の状態を示す本発明の
ウエハ熱処理装置の模式図である。
ウエハボートを搬入開始する直前の状態を示す本発明の
ウエハ熱処理装置の模式図である。
【図２】フォークを反応管に搬入した状態を示す本発明
のウエハ熱処理装置の模式図である。
のウエハ熱処理装置の模式図である。
【図３】ウエハを載置したウエハボートを反応管内の所
定の位置に置き、発光手段を動作させた状態を示す本発
明のウエハ熱処理装置の模式図である。
定の位置に置き、発光手段を動作させた状態を示す本発
明のウエハ熱処理装置の模式図である。
【図４】フォークを反応管から抜き出した状態を示す本
発明のウエハ熱処理装置の模式図である。
発明のウエハ熱処理装置の模式図である。
【図５】反応管に熱変形が生じた場合の状態を示す本発
明のウエハ熱処理装置の模式図である。
明のウエハ熱処理装置の模式図である。
【図６】反応管に熱変形が生じた場合の状態を示す本発
明のウエハ熱処理装置の模式図である。
明のウエハ熱処理装置の模式図である。
【図７】従来の横形のウエハ熱処理装置の模式図であ
る。
る。
【図８】従来の横形のウエハ熱処理装置における問題点
を説明するためのウエハ熱処理装置の模式図である。
を説明するためのウエハ熱処理装置の模式図である。
１０・・・反応管、１２・・・ヒーター、２０・・・ソ
フトランディング、２２・・・フォーク、２４・・・発
光手段、２６・・・受光手段、３０・・・ウエハボー
ト、３２・・・ウエハ
フトランディング、２２・・・フォーク、２４・・・発
光手段、２６・・・受光手段、３０・・・ウエハボー
ト、３２・・・ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】（イ）反応管、 （ロ）ウエハを載置したウエハボートを該反応管に搬
入、搬出するためのウエハ搬送装置、及び （ハ）ウエハ若しくはウエハボートに向けて光を射出す
るための発光手段と、ウエハ若しくはウエハボートで反
射された光を受光するための受光手段、を備えているこ
とを特徴とするウエハ熱処理装置。 - 【請求項２】前記ウエハ搬送装置は、ソフトランディン
グ、及び該ソフトランディングに取り付けられた石英製
のフォークから成ることを特徴とする請求項１に記載の
ウエハ熱処理装置。 - 【請求項３】前記発光手段及び受光手段は、前記ソフト
ランディングに取り付けられていることを特徴とする請
求項２に記載のウエハ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17854096A JPH1012562A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | ウエハ熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17854096A JPH1012562A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | ウエハ熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012562A true JPH1012562A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16050271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17854096A Pending JPH1012562A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | ウエハ熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012562A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334301B1 (ko) * | 1998-07-02 | 2002-05-03 | 니시무로 타이죠 | 가열 장치, 가열 장치의 평가법 및 패턴 형성 방법 |
| WO2006038584A1 (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-06-19 JP JP17854096A patent/JPH1012562A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334301B1 (ko) * | 1998-07-02 | 2002-05-03 | 니시무로 타이죠 | 가열 장치, 가열 장치의 평가법 및 패턴 형성 방법 |
| WO2006038584A1 (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2006038584A1 (ja) * | 2004-10-06 | 2008-05-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| US7751922B2 (en) | 2004-10-06 | 2010-07-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing of a semiconductor device |
| JP4555302B2 (ja) * | 2004-10-06 | 2010-09-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、及び検出方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040305 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040316 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040706 |