JPH10247679A - 半導体処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体処理装置により例えばバッチ枚数毎の
基板を同時に処理するに際して、プロセスモジュールで
実際にプロセス処理される基板の枚数が、基板の欠落等
により前記バッチ枚数と異なってしまった場合であって
も、基板の品質を担保してプロセス処理を実行させる。 【解決手段】 例えば、バッチ枚数として２枚が設定さ
れている場合には、条件記憶手段９が基板が１枚の場合
に応じたプロセス処理の条件と基板が２枚の場合に応じ
たプロセス処理の条件とを予め保持しておく。そして、
基板の処理に際しては、基板を保持した基板格納手段Ｃ
Ｍ１からプロセスモジュールＰＭ１へ基板搬送手段ＴＭ
により搬送される基板の枚数をセンサ１０から構成され
る基板枚数検出手段が検出し、制御手段２が検出された
基板の枚数に応じた処理条件によりプロセスモジュール
ＰＭ１にプロセス処理を実行させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して所定
のプロセス処理を施すプロセスモジュールにより複数枚
の基板を同時にプロセス処理可能な半導体処理装置に関
し、特に、実際に処理する基板の枚数に応じたプロセス
処理の条件によりプロセスモジュールにプロセス処理を
実行させる半導体処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばクラスタ型枚葉式半導体製造装置
は、処理対象となる複数枚の半導体ウエハを順次処理し
ていく装置として知られており、この装置の一構成例を
図３に示す。同図に示したクラスタ型枚葉式半導体製造
装置２１には、ウエハに成膜処理等の所定のプロセス処
理を施すプロセスモジュール（ＰＭ）と、複数枚のウエ
ハを保持する基板格納手段であるカセットモジュール
（ＣＭ）と、カセットモジュールとプロセスモジュール
との間でウエハを搬送するロボットを備えたトランスポ
ートモジュール（ＴＭ）と、トランスポートモジュール
とトランスポートモジュールとの間を接続し、これらモ
ジュール間でウエハを交換する処理を行うドッキングモ
ジュール（ＤＭ）とが備えられている。

【０００３】また、上記したカセットモジュールには、
半導体製造装置２１の内部と外部とを隔てるドアが備え
られており、このドアを介して装置２１の内外でのウエ
ハの交換処理が行われる。また、上記したトランスポー
トモジュールと他のモジュールとの間には、両モジュー
ルでの雰囲気を分離するための境界面である例えばイン
タフェイスフランジから成るゲートバルブ（ＧＶ）が備
えられている。これにより、各モジュールは、外気遮断
と雰囲気を保持する容器であるチャンバとして用いるこ
とができる。また、上記した各種の機能を有したモジュ
ールは任意に組み合わせて用いることができ、図３に示
したように、必要なカセットモジュールやプロセスモジ
ュール等をトランスポートモジュールを介して接続し、
統合化された半導体製造装置を構成することにより、装
置外部とは環境的に隔離された生産システムを確立する
ことができる。

【０００４】このような半導体製造装置２１では、カセ
ットモジュールに保持された複数枚のウエハの中から所
定の複数枚（バッチ枚数）毎のウエハを同時にトランス
ポートモジュールにより取り出してプロセスモジュール
へ搬送し、これら搬送されたバッチ枚数のウエハをプロ
セスモジュールにより同時にプロセス処理するといった
バッチ方式によるウエハの処理が行われる場合がある。
ここで、バッチ枚数としては、装置２１の使用状況等に
よって例えば２枚や３枚といった枚数が設定される。

【０００５】また、一般に、上記した各モジュールでの
処理は、コンピュータ等の制御装置により制御されて行
われている。例えば図３に示した半導体製造装置２１で
は、同図に示すように、各プロセスモジュール毎に制御
を行うプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ）が接
続されており、また、各トランスポートモジュール及び
カセットモジュール毎に制御を行うトランスポート・カ
セットモジュールコントローラ（ＴＭ・ＣＭＣ）が接続
されている。また、上記した各モジュールコントローラ
は、これら各モジュールコントローラを統括的に制御す
るクラスタコントローラ（ＣＣ）２２と例えばイーサネ
ットＬＡＮ２３といった回線を介して接続されている。
そして、以上に示した各コントローラや上記した各モジ
ュールによりウエハの処理を制御及び実行する半導体処
理装置が構成されている。

【０００６】ここで、このような半導体処理装置では、
ウエハに対するすべての処理が上記したクラスタコント
ローラ２２によって統括的に制御されているため、例え
ばバッチ方式によるウエハの処理が行われる場合には、
クラスタコントローラ２２には、上記したバッチ枚数や
このバッチ枚数のウエハを同時にプロセス処理するため
の温度や圧力といった処理の条件等が記憶されている。
そして、半導体処理装置は、上記のようにクラスタコン
トローラ２２に記憶された処理のスケジュールに従っ
て、バッチ枚数毎の単位でウエハの処理を自動的に実行
していく。

【０００７】このようなバッチ方式によるウエハの処理
の仕方を図４に示すクラスタ型枚葉式半導体製造装置２
４を用いて更に詳しく説明する。この半導体製造装置２
４には、６つのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６と、
２つのカセットモジュールＣＭ１〜ＣＭ２と、１つのト
ランスポートモジュールＴＭとが備えられている。ま
た、これら各モジュールには上記図３に示したような各
モジュールコントローラが接続されており、これら各モ
ジュールコントローラはクラスタコントローラによって
統括制御されている（図示せず）。また、図４に示すよ
うに、処理対象となる例えば２５枚のウエハが半導体製
造装置２４の外部に備えられた供給カセット２５の各ス
ロット位置（ウエハ位置）に格納されており、この供給
カセット２５に格納されたウエハがカセットモジュール
ＣＭ１に投入された後に、半導体製造装置２４における
ウエハの処理が実行される。

【０００８】例えば、上記した装置２４におけるウエハ
処理のバッチ枚数として２枚が予め指定されている場合
には、２枚のウエハを同時にプロセス処理するための処
理の条件が予めクラスタコントローラに記憶される。そ
して、ウエハの処理に際しては、まず、トランスポート
モジュールＴＭのロボットが、カセットモジュールＣＭ
１内の連続した２つのスロット位置から計２枚のウエハ
を取り出してプロセスモジュールＰＭ１へ搬送し、次い
で、例えば図４にプロセスモジュールＰＭ１の断面図２
６を示すように、搬送された２枚のウエハがプロセスモ
ジュールＰＭ１により上記した２枚のウエハに応じたプ
ロセス処理の条件によって同時に処理される。また、同
様に、カセットモジュールＣＭ１内に残っている未だ処
理されていないウエハについても、連続したスロット位
置から２枚毎に順次取り出されて搬送され、プロセスモ
ジュールにより２枚毎に順次処理されていく。

【０００９】しかしながら、上記のようなバッチ方式に
よるウエハの処理に際しては、例えば処理の行程中に或
るスロット位置のウエハが欠落してしまったためにプロ
セスモジュールに搬送されるウエハの枚数がバッチ枚数
よりも少なくなってしまうことがある。このような場合
に、バッチ枚数に満たない枚数のウエハをバッチ枚数に
応じて予め設定された処理の条件によりプロセス処理し
てしまうと、ウエハに施される処理の条件が実際のウエ
ハの枚数に適したものでないため、処理されるウエハの
膜質等といった品質が低下してしまうといったことが生
じてしまう。また、上記と同様なことは、カセットモジ
ュールに予め実装されたウエハの枚数がバッチ枚数で割
り切れない場合等にも生じてしまう。

【００１０】このような不具合を解決するため、従来で
は、或るスロット位置のウエハが欠落等によりなくなっ
てしまった場合には、このスロット位置にダミーウエハ
と呼ばれる実際には製品とはしないウエハを挿入するこ
とにより、ウエハの枚数をバッチ枚数に合わせて、処理
されるウエハの膜質等といった品質を担保することが行
われていた。

【００１１】ここで、このようなダミーウエハ方式によ
る処理の仕方を図面を参照して更に詳しく説明する。図
５には、図４に示した装置と同一の半導体製造装置２４
を示してあり、同図には更に、処理対象となるウエハを
格納した前記供給カセット２５と、処理が施された後の
ウエハを収納するための生産カセット２７と、ダミーウ
エハを格納したダミーウエハカセット２８と、これら３
つのカセットを収容するためのカセット棚２９と、供給
カセット２５或いはダミーウエハカセット２８に格納さ
れたウエハをカセットモジュールＣＭ１へ搬送するロボ
ット３０と、プロセス処理が施された後にカセットモジ
ュールＣＭ２に格納されたウエハを生産カセット２７或
いはダミーウエハカセット２８へ搬送するロボット３１
とが示されている。

【００１２】また、図６には、上記した供給カセット２
５、ダミーウエハカセット２８、カセットモジュールＣ
Ｍ１内のウエハの状態を示してあり、また、半導体製造
装置２４には、バッチ枚数として上記と同様に予め２枚
が設定されているとする。この場合、例えば図６に示す
ように、供給カセット２５の下から５番目のスロット位
置のウエハが欠落して抜けてしまった場合には、ロボッ
ト３０は、供給カセット２５に格納されている計２４枚
のウエハをカセットモジュールＣＭ１へ搬送するととも
に、ウエハが欠落した下から５番目のスロット位置に
は、ダミーウエハカセット２８から取り出した１枚のダ
ミーウエハを搬送して挿入する。

【００１３】また、この場合には、ダミーウエハを含め
て２５枚（奇数枚）のウエハをバッチ枚数である２枚毎
に処理することになるため、このままの状態で処理を行
うと最後の１枚のウエハが余ってしまい、この最後の１
枚のウエハには適切な処理を施すことができなくなって
しまう。このため、図６に示すように、カセットモジュ
ールＣＭ１の下から２６番目のスロット位置にも１枚の
ダミーウエハが挿入され、これにより、すべてのウエハ
に対してプロセス処理が適切に行われることが担保され
る。なお、上記のようなダミーウエハ方式によるウエハ
の処理では、処理対象となる各ウエハには識別子が付加
されているとともに、各ウエハのスロット位置も定めら
れているため、これらウエハの処理が実行されている間
は常に、各ウエハのスロット位置やダミーウエハを挿入
したスロット位置等が例えばクラスタコントローラによ
って記憶されている。

【００１４】そして、処理が施されたウエハはカセット
モジュールＣＭ２内の対応した各スロット位置に格納さ
れ、これら格納されたウエハがロボット３１により生産
カセット２７へ搬送される。また、この際、ウエハの枚
数を合わせるために挿入されたダミーウエハについて
は、ロボット３１により元のダミーウエハカセット２８
へ搬送される。なお、以上では、ダミーウエハを格納す
る構成として、カセット棚２９に収容されたダミーウエ
ハカセット２８によりダミーウエハを格納した場合につ
いて説明したが、このような構成ではなく、例えば上記
したカセットモジュールやプロセスモジュールと同様な
モジュールとして、ダミーウエハを格納するダミーウエ
ハカセットモジュールを備え、これによりダミーウエハ
を格納してウエハの処理を行う場合もある。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにダミーウエハを用いた場合の半導体処理装置にお
けるウエハ処理では、ウエハが欠落したスロット位置に
ダミーウエハを挿入するとともに、このダミーウエハを
挿入した位置を記憶しておき、処理が終了した後には挿
入したダミーウエハを取り出すといった処理を行う必要
があるため、ウエハの処理が複雑となってしまうといっ
た不具合があった。また、同様に、ダミーウエハを用い
た処理では、実際に処理されて製品となるウエハばかり
でなく、実際には製品とはならないダミーウエハをもロ
ボット等により搬送処理することが行われるため、搬送
処理の回数がダミーウエハを搬送する分多くなってしま
い、この点から、処理速度が遅くなってしまうといった
不具合があった。

【００１６】また、ダミーウエハを用いた処理では、例
えば上記したダミーウエハカセット２８のように、処理
に用いられるダミーウエハを格納するためのハードウェ
ア機構を半導体処理装置に備える必要があり、また、ダ
ミーウエハを搬送するためのハードウェア機構等も装置
に備える必要があるため、この点から、装置を構成する
ためのコストがかさんでしまうといった不具合があっ
た。

【００１７】本発明は、このような従来の課題を解決す
るためになされたもので、基板に対して所定のプロセス
処理を施すプロセスモジュールにより複数枚の基板を同
時にプロセス処理可能な半導体処理装置により基板の処
理を行うに際して、基板の欠落等により実際にプロセス
処理される基板の枚数が予め設定されていたバッチ枚数
とは異なってしまった場合であっても、上記のようなダ
ミーウエハ方式によらずとも、基板の膜質等といった品
質を担保して基板のプロセス処理をプロセスモジュール
に実行させることができる半導体処理装置を提供するこ
とを目的とする。更に具体的には、実際にプロセス処理
される基板の枚数に応じた処理の条件を選択し、この条
件によりプロセスモジュールに基板の処理を実行させる
ことにより、上記したダミーウエハを用いずとも、簡易
な方法により、基板の品質を担保してプロセスモジュー
ルにおけるプロセス処理を実行させることができる半導
体処理装置を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体処理装置では、プロセス処理さ
れる基板を保持した基板格納手段から基板搬送手段が基
板を取り出してプロセスモジュールへ搬送し、搬送され
た基板に対してプロセスモジュールにおいて所定のプロ
セス処理を施すに際して、次のようにしてプロセスモジ
ュールにおける基板のプロセス処理を制御する。ここ
で、本発明に係る半導体処理装置は、プロセスモジュー
ルにより複数枚の基板を同時にプロセス処理可能な装置
であり、例えば上記したバッチ方式により、バッチ枚数
として２枚が設定された場合の基板のプロセス処理の制
御について説明する。

【００１９】すなわち、この場合には、条件記憶手段が
基板が１枚の場合に応じたプロセス処理の条件と基板が
２枚の場合に応じたプロセス処理の条件とを予め保持し
ておく。そして、基板の処理に際しては、基板枚数検出
手段が基板搬送手段により搬送される基板の枚数を検出
し、制御手段が基板枚数検出手段による検出に基づい
て、基板の枚数が１枚であった場合には、条件記憶手段
に記憶されている基板が１枚の場合に応じたプロセス処
理の条件によりプロセスモジュールにプロセス処理を実
行させる一方、基板の枚数が２枚であった場合には、条
件記憶手段に記憶されている基板が２枚の場合に応じた
プロセス処理の条件によりプロセスモジュールにプロセ
ス処理を実行させる。

【００２０】従って、基板搬送手段によりプロセスモジ
ュールへ搬送される基板の枚数に対応したプロセス処理
の条件が選択されてプロセスモジュールにおけるプロセ
ス処理が行われるため、基板の欠落等により実際にプロ
セス処理される基板の枚数が予め設定されたバッチ枚数
とは異なってしまった場合であっても、基板の膜質等と
いった品質を担保してプロセスモジュールにプロセス処
理を実行させることができる。ここで、本発明に言う半
導体処理装置には、半導体ウエハを処理する装置のみな
らず、ＬＣＤ用のガラス基板等を処理する装置をも含ま
れ、本発明により処理される基板としても、同様に、半
導体ウエハのみならず、ＬＣＤ用のガラス基板等も含ま
れる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明に係る一実施例を図面を参
照して説明する。図１には、本発明に係る半導体処理装
置の一例を示してあり、この半導体処理装置には、上記
従来例において図４に示した半導体製造装置２４と同様
な構成から成るクラスタ型枚葉式半導体製造装置１と、
この半導体製造装置１に備えられた各プロセスモジュー
ル（ＰＭ１〜ＰＭ６）毎の処理を制御する各プロセスモ
ジュールコントローラ（ＰＭＣ）と、半導体製造装置１
に備えられたトランスポートモジュール（ＴＭ）及びカ
セットモジュール（ＣＭ１〜ＣＭ２）を制御するトラン
スポート・カセットモジュールコントローラ（ＴＭ・Ｃ
ＭＣ）と、これら各モジュールコントローラをイーサネ
ットＬＡＮ３を介して統括制御するクラスタコントロー
ラ（ＣＣ）２とが備えられている。ここで、本例では、
上記したクラスタコントローラ２や各モジュールコント
ローラは、ＣＰＵやＲＯＭ等を備えたコンピュータとし
て構成され、各コントローラに備えられたＣＰＵがＲＯ
Ｍに格納された制御プログラムをＲＡＭに展開すること
により、上記した各モジュールの制御等の処理を実行す
る。

【００２２】また、図１に示した半導体処理装置には、
上記従来例において図５に示したものと同様な供給カセ
ット４と、生産カセット５と、これら両カセット４及び
５を収容したカセット棚６と、供給カセット４に格納さ
れたウエハをカセットモジュールＣＭ１へ搬送するロボ
ット７と、カセットモジュールＣＭ２に格納されたウエ
ハを生産カセット５へ搬送するロボット８とが備えられ
ている。ここで、供給カセット４には、従来例で示した
場合と同様に、処理対象となる例えば２５枚のウエハが
格納され、これら格納されたウエハがロボット７により
カセットモジュールＣＭ１へ投入される。

【００２３】ここで、本例に係る半導体処理装置にはダ
ミーウエハが備えられていないため、供給カセット４の
いずれかのスロット位置にウエハの欠落等があった場合
には、カセットモジュールＣＭ１に投入されたウエハに
ついても前記欠落等があったスロット位置に対応したス
ロット位置のウエハが同様に欠落した状態となる。すな
わち、本発明では、トランスポートモジュールＴＭがカ
セットモジュールＣＭ１内の連続したスロット位置から
バッチ枚数毎のウエハを取り出すに際して、これらスロ
ット位置のいずれかにウエハの欠落等があった場合に
は、実際にプロセスモジュールへ搬送されるウエハの枚
数がこれら欠落したウエハの枚数分だけ少なくなること
になる。

【００２４】また、本例では更に、クラスタコントロー
ラ２には後述するように、各プロセスモジュールにおい
て行われる成膜処理等といった所定のプロセス処理につ
いて、同時に処理される基板の枚数に応じたプロセス処
理の条件を保持する条件記憶手段９がメモリとして備え
られている。また、上記したカセット棚６には更に、供
給カセット４の各スロットの位置にウエハが存在するか
否か（ウエハの状態）を検出するセンサ１０と、生産カ
セット５の各スロットの位置にウエハが存在するか否か
を検出するセンサ１１とが備えられており、これらのセ
ンサ１０及び１１は上記したイーサネットＬＡＮ３を介
してクラスタコントローラ２に接続されている。

【００２５】また、センサ１０及びセンサ１１は、上記
のようにして検出された各カセット４及び５のウエハの
状態をＬＡＮ３を介してクラスタコントローラ２に通知
し、これにより、クラスタコントローラ２は、各カセッ
ト４及び５の各スロット位置にウエハが存在するか否か
を把握する。本例では、供給カセット４でのウエハの状
態とこれらウエハが投入されたカセットモジュールＣＭ
１でのウエハの状態とが同じであると擬制することによ
り、クラスタコントローラ２は、上記のようにして把握
された供給カセット４内のウエハの状態からカセットモ
ジュールＣＭ１内のいずれのスロット位置にウエハが存
在して、いずれのスロット位置にウエハが存在しないか
を判定する。

【００２６】このため、本例では、ウエハの欠落等によ
り供給カセット４のいずれかのスロット位置のウエハが
抜け落ちてしまったために、カセットモジュールＣＭ１
内のいずれかのスロット位置にウエハの欠落等が生じて
しまった場合であっても、クラスタコントローラ２は、
トランスポートモジュールＴＭによってカセットモジュ
ールＣＭ１からプロセスモジュール（ＰＭ１〜ＰＭ６）
へ実際に搬送されるウエハの枚数を検出することができ
る。

【００２７】すなわち、本例では、上記したように供給
カセット４でのウエハの状態とカセットモジュールＣＭ
１でのウエハの状態とが同じ状態であると擬制すること
により、クラスタコントローラ２に備えられたＣＰＵが
ＲＯＭに格納された制御プログラムをＲＡＭに展開し
て、トランスポートモジュールＴＭにより実際に搬送さ
れるウエハの枚数を検出することにより基板枚数検出手
段が構成される。ここで、ウエハの状態を検出するセン
サ等の手段は、必ずしも本例のようにカセット棚６に備
えられる必要はなく、例えばカセットモジュールＣＭ１
にセンサ等を備えることにより、カセットモジュールＣ
Ｍ１内のウエハの状態を検出するようにしてもよい。ま
た、ウエハを搬送するトランスポートモジュールＴＭの
ロボットにセンサ等を備えることにより、トランスポー
トモジュールＴＭにより搬送されるウエハの枚数を直接
的に検出してもよく、要は、トランスポートモジュール
ＴＭによってプロセスモジュールへ実際に搬送され、プ
ロセスモジュールにおいて実際にプロセス処理されるウ
エハの枚数を検出することができればよい。

【００２８】また、本例では、カセット棚６にセンサ１
１を備えることにより、生産カセット５でのウエハの状
態、すなわち上記した各モジュールでの処理が施された
後のウエハの状態をも検出することができるようにした
が、このセンサ１１は、必ずしも半導体処理装置に備え
られている必要はなく、要は、供給カセット４に格納さ
れたウエハの状態、すなわち、プロセス処理が施される
前のウエハの状態を検出することができればよい。ま
た、本例では、クラスタコントローラ２に備えられたＣ
ＰＵがＲＯＭに格納された制御プログラムをＲＡＭに展
開し、上記した基板枚数検出手段による検出結果に基づ
いて、実際にプロセス処理されるウエハの枚数に応じた
処理の条件によりプロセスモジュールにウエハの処理を
実行させることにより制御手段が構成される。

【００２９】次に、以上の構成から成る半導体処理装置
により行われるウエハの処理を図２を用いて説明する。
なお、本例では、バッチ方式によるウエハの処理におけ
るバッチ枚数として、２枚が設定されている場合につい
て説明する。また、このバッチ枚数に対応して、本例で
は、上記した条件記憶手段９により、各プロセスモジュ
ールにおけるウエハの処理について、ウエハが１枚であ
るときのプロセス処理の条件（例えば、プロセスレシピ
１）と、ウエハが２枚であるときのプロセス処理の条件
（例えば、プロセスレシピ２）とが処理プログラムとし
て予め記憶されている。

【００３０】また、条件記憶手段９には、上記した処理
プログラムと共に、例えば図２に示す入力テーブル１２
のように、カセットモジュールＣＭ１内の各スロット位
置（スロット１、スロット２、スロット３、・・・）に
格納されるウエハに対して、処理を行うべきプロセスモ
ジュール（処理チャンバ）の名称と、ウエハの枚数に応
じた処理プログラムの名称（プロセスレシピ名称）とが
予め記憶されている。ここで、図２に示した入力テーブ
ル１２では、各スロット位置のウエハに対して、処理チ
ャンバとしてプロセスモジュールＰＭ１が指定されてお
り、また、プロセスレシピ名称としては、ウエハの枚数
に応じて、上記したプロセスレシピ１（Ｒｅｓｉｐｅ
１）或いはプロセスレシピ２（Ｒｅｓｉｐｅ２）が指定
されている。

【００３１】上記のような処理条件が設定された半導体
処理装置によりウエハの処理を行うに際しては、まず、
供給カセット４に格納されているウエハをロボット７に
より搬送してカセットモジュールＣＭ１へ投入するとき
に（ステップＳ１）、センサ１０が供給カセット４の各
スロット位置にセットされているウエハの状態（ウエハ
マップ）を検出（センス）し（ステップＳ２）、この検
出結果をクラスタコントローラ２に通知する。本例で
は、供給カセット４のウエハの状態として、スロット５
の位置のウエハが欠落していた場合について説明し、こ
の場合には、例えば図２に示すウエハマップテーブル１
３のように、スロット５の位置にはウエハが存在せず
（ウエハ無し）、他のスロット位置にはウエハが存在す
る（ウエハ有り）といったウエハの状態がクラスタコン
トローラ２の記憶エリアに記憶される。

【００３２】次に、クラスタコントローラ２により半導
体製造装置１の自動運転が開始（スタート）されると
（ステップＳ３）、トランスポートモジュールＴＭがカ
セットモジュールＣＭ１の連続した２つ毎のスロット位
置からウエハを順次取り出して、取り出したウエハを指
定されたプロセスモジュールへ搬送する。すなわち、ト
ランスポートモジュールＴＭは、まず、スロット１及び
スロット２からウエハを取り出してプロセスモジュール
ＰＭ１へ搬送し、この際、クラスタコントローラ２が、
上記したウエハマップテーブル１３を参照して、プロセ
スモジュールＰＭ１へ搬送されるウエハの枚数が２枚で
あることを判定する（ステップＳ４）。

【００３３】次いで、クラスタコントローラ２が、プロ
セスモジュールＰＭ１へ搬送されるウエハが２枚である
と判定したことに対応して、上記したプロセスレシピ２
によりプロセスモジュールＰＭ１に２枚のウエハに対応
したプロセス処理を実行させる（ステップＳ５）。上記
のようにしてスロット１及びスロット２についての処理
の制御が終了すると、クラスタコントローラ２は、実行
済みスロット位置であるスロット１及びスロット２のス
ロット番号である”１”及び”２”にそれぞれ２を加え
て、次に処理すべきスロットの位置、すなわちスロット
３及びスロット４を検出する（ステップＳ６）。なお、
この際、カセットモジュールＣＭ１に格納された処理対
象のウエハのすべてが既に処理されていた場合には（ス
テップＳ７）、ウエハの処理を終了させる（ステップＳ
８）。

【００３４】本例では、上記したスロット１及びスロッ
ト２に続くスロット３及びスロット４についても共にウ
エハが存在するため、上記したスロット１及びスロット
２の場合と同様な処理（ステップＳ４〜Ｓ６）が実行さ
れる。次いで、これに続くスロット５及びスロット６に
ついては、スロット５の位置にはウエハが格納されてい
ないため、クラスタコントローラ２は、プロセスモジュ
ールＰＭ１へ搬送されるウエハの枚数が１枚であると判
定し（ステップＳ４）、これに応じて、プロセスモジュ
ールＰＭ１におけるプロセス処理を上記したプロセスレ
シピ１により実行させる（ステップＳ９）。

【００３５】そして、これらスロット５及びスロット６
に続くスロット７以降についても、上記した処理の手順
と同様に、ウエハが１枚の時にはプロセスレシピ１によ
り処理を実行させ、ウエハが２枚の時にはプロセスレシ
ピ２により処理を実行させていく。なお、例えばスロッ
ト７及びスロット８といった連続したスロット位置のい
ずれにもウエハが存在しないことが検出された場合に
は、処理対象となるウエハが１枚も存在しないことにな
るため、必ずしもクラスタコントローラ２はプロセスモ
ジュールにプロセス処理を実行させる必要はない。

【００３６】以上のように、本発明では、バッチ枚数毎
のウエハを同時に処理するに際して、或るスロット位置
の基板が欠落等により抜け落ちてしまった場合であって
も、プロセスモジュールにより実際にプロセス処理され
る基板の枚数が検出され、この検出結果に応じたプロセ
ス処理の条件により基板の処理が行われるため、基板の
膜質等といった品質を担保して基板の処理を実行させる
ことができる。また、本発明に係る半導体処理装置で
は、上記従来例で示したダミーウエハ方式のように複雑
な処理を行う必要がなく、また、ダミーウエハの搬送処
理等も行う必要がないため、この点から処理速度を向上
させることができる。また、本発明では、ダミーウエハ
を格納するためのダミーウエハカセット等を半導体処理
装置に備える必要がないため、装置のコストを削減する
ことができる。

【００３７】ここで、上記実施例では、プロセッサやメ
モリ等を備えたクラスタコントローラが制御プログラム
を実行することにより、上記した基板の枚数に応じたプ
ロセス条件の設定処理を制御する構成としたが、本発明
では、当該処理を実行するための各機能手段を独立した
ハードウェア回路として構成してもよい。また、本発明
は上記の制御プログラムを格納したフロッピーディスク
やＣＤ−ＲＯＭ等の記憶媒体として把握することもで
き、当該制御プログラムを記憶媒体からコンピュータに
入力してプロセッサに実行させることにより、本発明に
係る処理を遂行させることができる。

【００３８】また、上記実施例では、本発明に係る半導
体処理装置をクラスタ型枚葉式半導体製造装置を用いて
構成した場合の例を示したが、本発明に係る半導体処理
装置としては、任意の装置から構成されてよく、要は、
構成された半導体処理装置が、プロセスモジュールによ
り複数枚の基板を同時にプロセス処理することができる
装置であればよい。また、プロセスモジュールにより処
理される基板としても、必ずしも上記実施例のように半
導体ウエハが用いられなくてもよく、例えばＬＣＤ用の
ガラス基板といった任意の基板が用いられてもよい。

【００３９】また、上記実施例では、バッチ枚数として
２枚が設定された場合の例を示したが、バッチ枚数とし
ては任意の枚数が設定されてもよい。また、上記実施例
では、バッチ枚数が２枚であることに対応して、基板の
枚数に対応したプロセス処理の条件として、基板が１枚
の時の条件と基板が２枚の時の条件とを半導体処理装置
に記憶させたが、例えばバッチ枚数が３枚であるときに
は基板が１枚の時と２枚の時と３枚の時とのプロセス処
理の条件を記憶させておく等、要は、設定されたバッチ
枚数に基づいて、プロセスモジュールにおいて実際に処
理される可能性のある基板の枚数に応じた処理の条件が
半導体処理装置に記憶させられればよい。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体処理装置によると、基板に対して所定のプロセス処理
を施すプロセスモジュールにより複数枚の基板を同時に
プロセス処理する例えばバッチ方式による処理を行うに
際して、基板の欠落等により実際にプロセス処理される
基板の枚数が予め設定されていたバッチ枚数とは異なっ
てしまった場合であっても、実際にプロセス処理される
基板の枚数を検出して、この検出結果に応じたプロセス
処理の条件により基板の処理を実行させるようにしたた
め、従来行われていたダミーウエハ方式によらずとも、
簡易な方法により、基板の膜質等といった品質を担保し
て基板のプロセス処理を実行させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る半導体処理装置の構成
例である。

【図２】本発明に係る半導体処理装置による処理の一例
である。

【図３】クラスタ型枚葉式半導体製造装置及びコントロ
ーラの一構成例である。

【図４】バッチ方式による基板の処理を説明するための
図である。

【図５】ダミーウエハ方式を用いた半導体製造装置の一
構成例である。

【図６】ダミーウエハ方式による基板の処理を説明する
ための図である。

【符号の説明】

１・・クラスタ型枚葉式半導体製造装置、 ２・・クラ
スタコントローラ、３・・ＬＡＮ、 ４・・供給カセッ
ト、 ５・・生産カセット、６・・カセット棚、 ７・
・ロボット、 ８・・ロボット、９・・条件記憶手段、
１０・・センサ、 １１・・センサ、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して所定のプロセス処理を施す
   プロセスモジュールと、プロセス処理される基板を保持
   する基板格納手段と、基板格納手段から基板を取り出し
   てプロセスモジュールへ搬送する基板搬送手段とを備
   え、同一のプロセスモジュールにより複数枚の基板を同
   時にプロセス処理可能な半導体処理装置において、 基板の枚数に応じたプロセス処理の条件を保持した条件
   記憶手段と、 基板搬送手段により搬送される基板の枚数を検出する基
   板枚数検出手段と、 基板枚数検出手段による検出に基づいて条件記憶手段に
   記憶されている対応する条件によりプロセスモジュール
   におけるプロセス処理を実行させる制御手段と、 を備えたことを特徴とする半導体処理装置。