TWI679721B - 基板處理裝置、基板處理方法及記錄有基板處理程式的記錄媒體 - Google Patents

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Yoshikazu Ishikawa
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佐藤淳哉
Junya Sato
小林俊之
Toshiyuki Kobayashi
男武昌一
Shouichi Otake
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Abstract

本發明旨在抑制基板搬送至位置檢測器，而謀求產量之提高。 本發明提供一種基板處理裝置，其包含有處理模組、位置檢測器及控制部，該處理模組用以處理基板；該位置檢測器用以檢測基板之位置；該控制部將該位置檢測器控制為測定從在同一處理模組內處理之基板中按所設定的處理模組之測定間隔所選擇的基板之位置。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記錄有基板處理程式的記錄媒體
本發明係有關於基板處理裝置、基板處理方法及記錄有基板處理程式的記錄媒體。
隨著靜電吸盤等基板處理裝置內之零件的歷時變化，有半導體晶圓(以下稱為晶圓。)之位置在處理模組內偏移的情形。是故，提出了可檢測位置有無偏移及位置之偏移量的位置檢測器(例如參照專利文獻1、2)。位置檢測器於晶圓搬入處理模組前及晶圓從處理模組搬出後測定晶圓之位置，來檢測位置之偏移量。位置檢測器依據所檢測出之位置偏移量，修正晶圓之位置後將之搬送至下個處理模組。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利公開公報2002-43394號 [專利文獻2] 日本專利公開公報2013-258260號
[發明所欲解決的問題] 然而，晶圓在處理模組搬入搬出時，當使所有晶圓經過位置檢測器，進行位置之測定及位置偏移之修正時，對大致不產生位置偏移的製程之晶圓也會經過位置檢測器，而導致產量降低。
針對上述問題，依本發明一觀點，其目的在於抑制將基板搬送至位置檢測器來謀求產量之提高。 [解決問題的手段]
為解決上述問題，根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置，其包含有處理模組、位置檢測器及控制部，該處理模組用以處理基板；該位置檢測器用以檢測基板之位置；該控制部將該位置檢測器控制為測定從在同一處理模組內處理之基板中按所設定的處理模組之測定間隔所選擇的基板之位置。 [發明的功效]
根據本發明之一觀點，可抑制將基板搬送至位置檢測器而謀求產率之提高。
[用以實施發明之形態] 以下，就用以實施本發明之形態，參照圖式來說明。此外，在本說明書及圖式中，藉對實質上相同之結構附上同一符號，而省略重複之說明。
[基板處理裝置之全體結構] 首先，就本發明一實施形態之基板處理裝置10的全體結構，一邊參照圖1，一邊說明。圖1顯示本實施形態之基板處理裝置10的全體結構之一例。基板處理裝置10包含有對晶圓施行處理之處理部12、用以在處理部12將晶圓搬入及搬出之搬入搬出部14、用以控制基板處理裝置10之控制部20。本實施形態之基板處理裝置10為集束型(多室型)基板處理裝置。惟，基板處理裝置10不限集束型。
處理部12具有對晶圓施行既定處理之處理模組1、2。以下，也將處理模組稱為PM。PM1、2分別具有構造成可將內部減壓至既定真空度之腔室。在腔室內，可對晶圓進行成膜處理及蝕刻處理等處理。PM1、2藉由閘閥G連接於傳送模組。以下，也將傳送模組稱為TM。
於TM內部配置有以機器人手臂搬送晶圓之搬送裝置13。搬送裝置13在PM1、PM2、負載鎖定模組1及負載鎖定模組2之間進行晶圓之搬送。以下，也將負載鎖定模組稱為LLM。
又，於TM之內部裝備有用以檢測晶圓之位置的位置檢測器11。隨著靜電吸盤等基板處理裝置10內之零件的歷時變化，有晶圓之位置在PM內偏移之情形。是故，基板處理裝置10於將晶圓搬入PM1、2前及從PM1、2搬出晶圓後，以既定之間隔選擇經過位置檢測器11的晶圓。位置檢測器11測定所選擇之晶圓的位置偏移量，修正晶圓之位置偏移後，將晶圓搬送至下個PM或LLM。
在本實施形態中，控制部20計算在同一PM內處理之晶圓的處理次數，以所設定之既定測定間隔(具體為每測定間隔之倍數的處理次數)選擇晶圓，使位置檢測器11測定該晶圓之位置。
搬入搬出部14具有搬入搬出室15。搬入搬出室15將內部調壓至大約大氣壓。搬入搬出室15具有安裝FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓傳送盒)之載入埠1~3。以下，也將載入埠稱為LP。於LP1~LP3安裝收容有晶圓之FOUP或空FOUP。再者，搬入搬出室15具有用以對準晶圓之方向的預對準器16。
於搬入搬出室15之內部配置有以機器人手臂搬送晶圓之搬送裝置17。搬送裝置17進行LP1~LP3、預對準器16、及LLM1、2之間的晶圓之搬送。
於處理部12與搬入搬出部14之間設有2個LLM1、2。LLM1、2分別可將內部切換成既定真空度、及大氣壓或接近大氣壓。LLM1、2分別藉由閘閥G連接於TM及搬入搬出室15。此外，PM、LLM、LP之個數不限本實施形態所示之個數。
控制部20具有CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)21、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)22、RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)23、HDD(Hard Disk Drive：硬磁碟驅動機)24等記憶區域、輸入輸出介面(I/F)25、顯示器26。此外，控制部20不限HDD24，亦可具有SSD(Solid State Drive：固體狀態驅動機)等其他記憶區域。
CPU21根據設定了製程之程序及製程之條件的配方，控制各PM之晶圓的處理。儲存配方之記憶區域亦可為ROM22、RAM23及HDD24任一者。亦可於HDD24或RAM23記憶用以執行後述位置檢測處理及檢測位置時之判定處理的程式。配方、用以執行位置檢測處理及檢測位置時之判定處理的程式亦可儲存於記憶媒體來提供。又，該等配方及程式亦可透過網路從外部裝置提供。此外，控制部20之功能亦可藉使用軟體來運作而實現，亦可藉使用硬體來運作而實現。
輸入輸出介面(I/F)25具有從操作員為了管理基板處理裝置10而進行的指令操作獲得輸入輸出資訊之介面的功能。顯示器26將基板處理裝置10之運轉狀況可視化來顯示，或為使操作員設定而顯示位置檢測條件之設定畫面。
圖2將圖1之基板處理裝置10的搬入搬出部14放大來顯示。於LP1~LP3分別設有擋門18。當將收納有晶圓W或空的FOUP30安裝於LP1~LP3時，擋門18便落下。藉此，可防止外部空氣侵入，並且連通FOUP30之內部與搬入搬出室15之內部。
搬送裝置17為可沿著長向行走之雙臂型多關節臂式機器人。於多關節臂17a之前端安裝保持晶圓W之下側抓取器17c，於多關節17b之前端安裝有上側抓取器17d。該等抓取器17c、17d藉多關節臂17a、17b旋繞，而進行前進後退動作。再者，藉多關節臂17a、17b升降，抓取器17c、17d進行升降動作。如此，藉抓取器17c、17d前進後退及升降，搬送裝置17可在LP1~LP3、16及預對準器LLM1、2之間，進行晶圓之搬送。
[位置檢測方法] 接著，就本實施形態之晶圓的位置檢測方法作說明。首先，就位置檢測條件之設定，一邊參照圖3，一邊說明後，就本實施形態之位置檢測處理，一邊參照圖4，一邊說明。
(位置檢測條件之設定) 操作員從顯示於顯示器26之設定畫面設定位置檢測條件。圖3顯示一實施形態之位置檢測條件的設定畫面之一例。圖3(a)顯示顯示於顯示器26之設定畫面中僅設定全體計數器之位置檢測條件的情形。全體計數器具有下述功能，前述功能係不論配方之種類，皆計算在同一PM內處理之晶圓的處理次數(處理之晶圓的片數)，將之作為累計值來記憶於RAM23等。圖1所示之基板處理裝置10亦可分別設有PM1之全體計數器、PM2之全體計數器。此時，各全體計數器分別計算在各PM內處理之晶圓的處理次數。
操作員設定測定間隔作為位置檢測條件之一。控制部20亦可依據顯示開啟基板處理裝置10之電源後在同一PM內處理之晶圓的處理次數之累計值及所設定之PM的測定間隔，選擇使位置檢測器11測定位置之晶圓。控制部20藉使顯示在關掉基板處理裝置10之電源前在同一PM內處理的晶圓之處理次數的累計值記憶於SRAM等記憶媒體，可於開啟電源後沿用前次關掉電源前所計算之累計值。此時，控制部20可將再次啟動電源後在同一PM內處理之晶圓的處理次數加至所沿用的累計值，依據該累計值與所設定之PM的測定間隔，選擇使位置檢測器11測定位置之晶圓。
位置檢測器11從在同一PM內處理之基板中測定所選擇之晶圓的位置。
舉例而言，為圖3(a)所示之畫面時，控制部20按所設定之測定間隔為「100」，使累計值到達100之倍數時的晶圓經過位置檢測器11。每當累計值達到100之倍數時，位置檢測器11便檢測所選擇之晶圓的位置偏移。位置檢測器11將位置修正為在下個要搬入之PM將晶圓置於靜電吸盤的中心後，搬送至下個處理模組。
圖3(b)顯示顯示於顯示器26之設定畫面中全體計數器為無效而設定了個別計數器之位置檢測條件的情形。可於個別計數器設定製程配方名稱及測定間隔。操作員設定製程配方名稱及測定間隔作為位置檢測條件之一。當在同一PM根據複數種配方以不同之製程處理晶圓時，根據配方來執行配置於基板處理裝置10內之靜電吸盤等零件的歷時變化大之製程。舉例而言，在對載置晶圓之台施加的高頻電力高之配方中，晶圓之溫度會上升。藉此，有晶圓會熱膨脹而對台上之靜電吸盤的歷時變化造成很大之影響的情形。如此，依配方之種類，有零件之歷時變化大的製程及零件之歷時變化幾乎沒有的製程。是故，對適用零件之歷時變化大的製程用之配方的晶圓，宜將位置檢測條件設定為以既定測定間隔進行位置檢測。另一方面，對適用零件之歷時變化幾乎沒有的製程用之配方的晶圓，亦可將該配方之個別計數器設定為無效而不進行位置檢測。藉此，可不對根據零件之歷時變化小或幾乎不產生的製程用配方處理之晶圓進行位置檢測。
如以上，本實施形態中，可個別指定與零件之歷時變化大的製程用配方相關之位置檢測條件。零件之歷時變化大的製程用配方可舉下述配方為例，前述配方不僅因靜電吸盤之歷時變化也因對焦環等腔室內的零件之歷時變化而產生諸如對晶圓之位置偏移造成影響的磨損或反應生成物附著。
為個別計數器時，計算在同一PM內處理之晶圓中以製程配方名稱一致的配方處理之晶圓的處理次數，將之作為累計值來記憶於RAM23等。
控制部20在開啟基板處理裝置10之電源後在同一PM內處理的晶圓中根據晶圓以所設定之既定配方處理了幾次，來選擇經過位置檢測器11之晶圓。舉例而言，為圖3(b)之畫面所示的「個別計數器1」時，對應製程配方名稱為「RecipeClass/Recipe1」的測定間隔為「20」。控制部20按所設定之測定間隔，選擇個別計數器1之累計值達到20的倍數時之晶圓，使其搬送至位置檢測器11。
同樣地，對應個別計數器2之製程配方名稱為「RecipeClass/Recipe2」的測定間隔為「40」。控制部20按設定於個別計數器2之測定間隔，選擇個別計數器2之累計值達到40的倍數時之晶圓，使其搬送至位置檢測器11。
如此，全體計數器與個別計數器這2種計數器的使用區別為例如量產工序是在同一PM內反覆進行相同之製程。此時，宜使用全體計數器。相對於此，在同一PM內各式各樣之工序進行不同之製程時，宜使用個別計數器。又，當量產工序與各式各樣之工序混合存在時，宜併用全體計數器及個別計數器。
圖3(c)顯示為了併用全體計數器與個別計數器而設定全體計數器之位置檢測條件及個別計數器的位置檢測條件之例。圖3(d)係設定全體計數器之位置檢測條件及個別計數器之位置檢測條件的另一畫面例。如圖3(b)及圖3(d)所示，操作員可個別設定全體計數器之測定間隔(亦即PM之測定間隔)的設定及個別計數器之測定間隔(亦即既定配方之測定間隔)的設定有效或無效。控制部20按設定為有效之全體計數器的測定間隔及設定為有效之個別計數器的測定間隔，選擇測定位置之晶圓。
不論上述位置檢測條件之設定的時間點，皆可隨時設定及變更。不論基板處理裝置10是在運轉中，或閒置中，皆可進行配方名稱之指定、測定間隔之輸入、及各計數器之有效/無效的設定。惟，設定及變更之位置檢測條件是對晶圓從FOUP搬出後保存至晶圓從LLM搬出前的條件適用。而晶圓從LLM搬出後之變更等則從下個晶圓起適用。是故，根據保存至晶圓從LLM搬出前之位置檢測條件，執行晶圓之選擇，對所選擇之晶圓執行位置檢測器11所作之位置偏移的檢測及修正。
此外，位置檢測器11亦可自動進行位置檢測條件設定。此時，控制部20使操作員所作之位置檢測條件設定及位置檢測器11所作之位置偏移量的檢測結果具相關性來儲存。控制部20對在各PM處理之晶圓儲存位置偏移量與測定間隔之相關關係的資料。控制部20亦可對在同一PM內處理之晶圓依各配方儲存位置偏移量與測定間隔之相關關係的資料。位置檢測器11可依據所儲存之相關關係的資料，自動進行位置檢測條件之設定及更新。
(位置檢測處理) 就本實施形態之位置檢測處理的一例，一邊參照圖4，一邊說明。本實施形態之位置檢測處理以控制部20控制。藉此，以控制部20選擇經過位置檢測器11來進行位置檢測的晶圓。
首先，控制部20計算在同一PM內處理之晶圓的處理次數(全體計數：步驟S10)。其次，控制部20在同一PM內處理之晶圓中依各所設定之配方計算晶圓之處理次數(個別計數：步驟S12)。
接著，控制部20判定全體計數之設定條件是否為「有效」(步驟S14)。當控制部20判定全體計數之設定條件為「有效」時，判定全體計數數(累計值)是否為所設定之測定間隔的倍數(步驟S16)。當控制部20判定全體計數數(累計值)為所設定之測定間隔的倍數時，便選擇檢測位置偏移之晶圓。藉此，位置檢測器11對所選擇之晶圓檢測在同一PM之搬入前的位置與搬出後的位置，測定晶圓之位置偏移量(步驟S18)。接著，控制部20將晶圓之位置偏移量記錄於HDD24等(步驟S20)後，前進至步驟S22。
另一方面，當控制部20在步驟S14，判定全體計數之位置檢測條件設定為「無效」時，便直接前進至步驟S22。又，當控制部20在步驟S16，判定全體計數數(累計值)非所設定之測定間隔的倍數時，便前進至步驟S22。藉此，可選擇不經過位置檢測器11之晶圓，而可謀求藉不過度進行位置檢測，來提高產量。
接著，控制部20判定是否有個別計數之設定條件為「有效」的配方(步驟S22)。當控制部20判定無個別計數之設定條件為「有效」的配方時，便結束本處理。
另一方面，當控制部20判定有個別計數之設定條件為「有效」之配方時，判定個別計數數(累計值)是否為所設定之測定間隔的倍數(步驟S24)。當控制部20判定個別計數數(累計值)為所設定之測定間隔的倍數時，便選擇檢測位置偏移之晶圓。藉此，位置檢測器11對所選擇之晶圓檢測在同一PM搬入前之位置與搬出後之位置，測定晶圓之位置偏移量(步驟S26)。接著，控制部20將晶圓之位置偏移量記錄於HDD24等(步驟S28)後，前進至步驟S30。
當控制部20在步驟S24判定個別計數數(累計值)非所設定之測定間隔的倍數時，便前進至步驟S30。
控制部20在步驟S30，判定是否有個別計數之設定條件為「有效」的其他配方。當控制部20判定無個別計數之設定條件為「有效」的其他配方時，便結束本處理。當控制部20判定有個別計數之設定條件為「有效」的其他配方時，則返回步驟S24，反覆進行步驟S24~S30之處理。步驟S24~S30之處理反覆進行至不再有個別計數之設定條件為「有效」的其他配方為止。
此外，在本處理中，當全體計數數為測定間隔之倍數(在步驟S16為「是」)，且個別計數數為測定間隔之倍數(在步驟S24為「是」)時，對同一晶圓進行2次位置檢測器11所作之位置的測定(步驟S18、S26)及位置偏移量之記錄(步驟S20、S28)的處理。是故，亦可對進行了步驟S18、S20之處理的晶圓，省略步驟S26、S28之處理。
根據本實施形態之基板處理裝置10及以基板處理裝置10執行之位置檢測處理，當全體計數器或個別計數器達測定間隔之倍數時，便在PM搬入及搬送晶圓之前後，測定晶圓之位置，而可從其差分檢測在PM內之晶圓的位置偏移。藉如此進行於PM搬入及搬出時，測定晶圓之位置偏移，可追蹤在PM內之位置偏移的變化。藉此，可推定PM內之零件的歷時變化。
又，根據本實施形態之位置檢測處理，按所設定之測定間隔，與處理之晶圓以一定間隔拉開來選擇晶圓。所選擇之晶圓搬送至位置檢測器11，來測定位置。藉此，可抑制過度搬送晶圓至位置檢測器11，而謀求產量之提高。
舉例而言，如圖5所示，所設定之測定間隔在全體計數器為「5次」，在個別計數器1為「2次」，在個別計數器2為「3次」。此時，依據全體計數器之累計值，以處理之晶圓為第5片、第10片、第15片…這樣來選擇全體計數器之測定間隔的倍數時之晶圓，搬送至位置檢測器11，進行晶圓之位置檢測及位置之修正。
又，依據個別計數器1之累計值，以用對個別計數器1指定之配方處理的晶圓為第2片、第4片、第6片…這樣來選擇個別計數器1之測定間隔的倍數時之晶圓，以位置檢測器11進行位置之檢測及修正。
同樣地，依據個別計數器2之累計值，以用對個別計數器2指定之配方處理的晶圓為第3片、第6片…這樣來選擇個別計數器2之測定間隔的倍數時之晶圓，以位置檢測器11進行位置之檢測及修正。結果，可抑制晶圓搬送至位置檢測器11，而謀求產量之提高。
又，如圖6所示，從LLM搬出之晶圓W(在圖6以「W」顯示)以上游側PM亦即PM1、下游側PM亦即PM2之順序搬送，且PM1之全體計數器設定為有效，PM2之全體計數器設定為無效，所有個別計數器設定為無效時，不在PM2進行晶圓之位置偏移的驗證。而在PM1，則依據所設定之測定間隔，對以一定間隔選擇之晶圓在搬入PM1前及從PM1搬出後，進行位置偏移之驗證。結果，可抑制在PM2處理之晶圓搬送至位置檢測器11，而謀求產量之提高。
[變形例] 接著，參照圖7及圖8，就上述實施形態之變形例的檢測位置時之判定處理作說明。
晶圓在PM內位置偏移之一例推測是在將晶圓從靜電吸盤剝離時產生。剝離晶圓之際無法將晶圓平順地脫離時，晶圓彈開而使晶圓的位置偏離。又，當晶圓大幅彈開時，晶圓破裂或破損之風險便增大。
因而，在本實施形態之變形例的檢測位置時之判定處理中，在每PM，檢查在PM搬入搬出時之晶圓的位置偏移量，當在各PM搬入搬出時之位置偏移超過各自之容許範圍時，便進行既定處理。既定處理可舉向操作員通知或互鎖來使搬送裝置13停止為例。藉此，可迅速因應基板處理裝置10之異常。
舉例而言，本變形例之檢測位置時的判定處理宜在圖7(1)~(3)之搬送時間點執行。 (1)從LLM1、2經由TM搬送至PM1、2之際 (2)從PM1經由TM搬送至PM2之際(從PM2經由TM搬送至PM1之際) (3)從PM1、2經由TM搬送至LLM1、2之際 在本變形例中，晶圓之位置偏移量的容許範圍亦即閾值可依各PM設定。閾值設定為顯示PM之歷時變化超過容許範圍之偏移量的值。又，可依各PM設定搬入晶圓時之閾值及搬出晶圓時之閾值。搬入及搬出晶圓時之閾值顯示不應將晶圓放入下個PM之位置偏移量的界限值。又，搬入及搬出晶圓時之閾值亦可顯示左右、上下及旋轉方向的晶圓之位置偏移量。根據本變形例，依各PM設定搬入時之閾值及搬出時之閾值。如此藉依各PM在搬入及搬出時精細地控制晶圓之位置偏移，可更安全地使用基板處理裝置10。
(檢測位置時之判定處理) 就本實施形態之檢測位置時的判定處理之一例，一邊參照圖8，一邊說明。本實施形態之位置檢測處理以控制部20控制。執行本處理前，依各PM預先設定了搬入時之位置偏移的閾值及搬出時之位置偏移的閾值。舉例而言，將搬入PM1時之位置偏移的閾值設定為閾值「A」，將從PM1搬出時之位置偏移的閾值設定為閾值「B」。同樣地，將搬入PM2時之位置偏移的閾值設定為閾值「C」，將從PM2搬出時之位置偏移的閾值設定為閾值「D」。
開始圖8之處理，首先，控制部20判定搬入PM1前位置檢測器11所測定之晶圓的位置之測定值(例如參照圖7(1))是否超過搬入PM1時容許之閾值A(步驟S50)。當判定為所測定之晶圓的位置之測定值超過閾值A時，便通知操作員(步驟S52)，結束本處理。另一方面，當判定為所測定之晶圓的位置之測定值未超過閾值A時，則前進至步驟S54。
接著，控制部20判定從PM1搬出後位置檢測器11所測定之晶圓的位置之測定值(例如參照圖7(2))是否超過從PM1搬出時容許之閾值B(步驟S54)。當判定為所測定之晶圓的位置之測定值超過閾值B時，便通知操作員(步驟S56)，結束本處理。另一方面，當判定為所測定之晶圓的位置之測定值未超過閾值B時，則前進至步驟S58。
然後，判定搬入PM2前位置檢測器11所測定之晶圓的位置之測定值(例如參照圖7(2))是否超過搬入PM2時容許之閾值C(步驟S58)。當判定為所測定之晶圓的位置之測定值超過閾值C時，便通知操作員(步驟S60)，結束本處理。另一方面，當判定為所測定之晶圓的位置之測定值未超過閾值C時，則前進至步驟S62。
接著，判定從PM2搬出後位置檢測器11所測定之晶圓的位置之測定值(例如參照圖7(3))是否超過從PM2搬出時容許之閾值D(步驟S62)。當判定為所測定之晶圓的位置之測定值超過閾值D時，便通知操作員(步驟S64)，結束本處理。另一方面，當判定為所測定之晶圓的位置之測定值未超過閾值D時，則直接結束本處理。
根據本變形例，當晶圓產生超過搬入各PM前在各PM設定之閾值的位置偏移時，不進行晶圓搬入至各PM，而對操作員進行通知，藉此，可通知操作員位置偏移超過容許範圍。藉此，可防止將晶圓搬入下個PM來進行製程，而可防止因位置偏移引起之晶圓從靜電吸盤彈開或破損。收到通知的操作員以目視確認晶圓之位置偏移的狀態，而可迅速地進行對策。
舉例而言，從PM1搬出時之檢測位置之際，對操作員進行通知，因收到通知之操作員的判斷，而有中止晶圓之處理的指示時，不進行晶圓搬入PM2而將晶圓送回LP。在本變形例中，閾值A~D不需為顯示搬送界限之值，對小於搬送界限之位置偏移亦可簡單地採取對策。此外，在將晶圓送回LP之際在搬送路徑有其他零件與晶圓干擾之危險性時，亦可採取將系統互鎖等手段。此外，在本變形例使用之閾值亦可於基板處理裝置10開始運轉時設定。
[基板處理裝置之其他結構] 本實施形態之基板處理裝置10不限圖1所示之集束型基板處理裝置10。舉例而言，本實施形態之基板處理裝置10亦可為圖9所示之結構的基板處理裝置10。
就圖9之基板處理裝置10的全體結構簡單地說明。圖9之基板處理裝置10係於傳送腔室(TC)將負載鎖定模組(LLM1、LLM2)及處理模組(PM1、PM2)並設成可裝卸。TC、LLM及PM之功能與上述實施形態之TM、LLM及PM各自之功能相同。於LLM1設有搬送臂19a，於LLM2設有搬送臂19b。又，於TC裝備有搬送裝置17。又，於TC設有用以對準晶圓之方向的預對準器16。
在圖9之基板處理裝置10中，可依必要之處理，進行從例如LP1~LP3任一個之FOUP連續將晶圓搬送至複數之PM(PM1、PM2)的所謂連續搬送。又，基板處理裝置10可進行從LP1~LP3中2個以上的FOUP將晶圓W並列搬送至複數之PM的所謂平行搬送。再者，基板處理裝置10可進行從LP1~LP3任一個的FOUP將晶圓W搬送至1個PM之OR搬送。在圖9之基板處理裝置10中，亦可與圖1同樣地以控制部控制晶圓之處理及搬送。
隨著靜電吸盤等基板處理裝置10內之零件的歷時變化，有在PM內晶圓之位置偏移的情形。是故，可檢測有無位置偏移及位置偏移量之位置檢測器11裝備於TC內。以上，就一實施形態及其變形例之基板處理裝置10及在該基板處理裝置10進行的位置檢測處理作了說明。
當對所有晶圓以位置檢測器11進行位置之測定及位置偏移的修正時，晶圓對不對靜電吸盤等零件造成影響之製程搬入及搬出時也經過位置檢測器11，而在位置檢測器11進行位置檢測等處理，導致產量降低。
是故，根據本實施形態之基板處理裝置、基板處理方法及記錄有基板處理程式的記錄媒體，可以控制部20以既定間隔自動選擇根據對靜電吸盤等PM內之零件造成影響的製程用之配方處理的晶圓。所選擇之晶圓即為位置檢測器11所作之位置檢測的對象。藉此，可抑制過度地將晶圓搬送至位置檢測器11，而可使產量提高。
以上，以上述實施形態說明了基板處理裝置、基板處理方法及記錄有基板處理程式的記錄媒體，本發明之基板處理裝置、基板處理方法及記錄有基板處理程式的記錄媒體不限上述實施形態，可在本發明之範圍內進行各種變形及改良。記載於上述複數之實施形態的事項可在不矛盾之範圍組合。
舉例而言，本發明之基板處理裝置所包含之PM亦可為電容耦合式電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)裝置、感應耦合式電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)、使用放射狀線槽孔天線之電漿處理裝置、螺旋微波式電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)裝置、電子迴旋共振電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)裝置等。
又，以本發明之基板處理裝置處理的基板不限晶圓，亦可為例如平板顯示器(Flat Panel Display)用大型基板、EL元件或太陽電池用基板。
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧位置檢測器
12‧‧‧處理部
13‧‧‧搬送裝置
14‧‧‧搬入搬出部
15‧‧‧搬入搬出室
16‧‧‧預對準器
17‧‧‧搬送裝置
17a‧‧‧多關節臂
17b‧‧‧多關節臂
17c‧‧‧下側抓取器
17d‧‧‧上側抓取器
18‧‧‧擋門
20‧‧‧控制部
21‧‧‧CPU
22‧‧‧ROM
23‧‧‧RAM
24‧‧‧HDD
25‧‧‧輸入輸出I/F
26‧‧‧顯示器
30‧‧‧FOUP
G‧‧‧閘閥
LLM‧‧‧負載鎖定模組
LLM1‧‧‧負載鎖定模組1
LLM2‧‧‧負載鎖定模組2
LP‧‧‧載入埠
LP1‧‧‧載入埠1
LP2‧‧‧載入埠2
LP3‧‧‧載入埠3
PM‧‧‧處理模組
PM1‧‧‧處理模組1
PM2‧‧‧處理模組2
S10‧‧‧步驟
S12‧‧‧步驟
S14‧‧‧步驟
S16‧‧‧步驟
S18‧‧‧步驟
S20‧‧‧步驟
S22‧‧‧步驟
S24‧‧‧步驟
S26‧‧‧步驟
S28‧‧‧步驟
S30‧‧‧步驟
S50‧‧‧步驟
S52‧‧‧步驟
S54‧‧‧步驟
S56‧‧‧步驟
S58‧‧‧步驟
S60‧‧‧步驟
S62‧‧‧步驟
S64‧‧‧步驟
TC‧‧‧傳送腔室
TM‧‧‧傳送模組
圖1係顯示一實施形態之基板處理裝置的全體結構之一例的圖。 圖2係顯示一實施形態之基板處理裝置的搬入搬出部之圖。 圖3(a)~(d)係顯示一實施形態之位置檢測條件的設定畫面之一例的圖。 圖4係顯示一實施形態之位置檢測處理的一例之流程圖 圖5係用以說明一實施形態之位置檢測時間點的圖。 圖6係用以說明對一實施形態之複數的PM之測定時間點的圖。 圖7係用以說明一實施形態之基板搬送與位置檢測的關係之圖。 圖8係顯示一實施形態之檢測位置時的判定處理之一例的流程圖。 圖9係顯示一實施形態之基板處理裝置的另一結構之一例的圖。

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，其包含有：處理模組，其用以處理基板；位置檢測器，其用以檢測基板之位置；控制部，其控制該位置檢測器，以對於從在同一處理模組內處理之基板中按所設定的處理模組之測定間隔所選擇的基板之位置，加以測定；且該處理模組根據設定於複數的配方中之任一配方的程序，來處理基板，該控制部，控制該位置檢測器，以對於從在該同一處理模組內處理之基板中以既定配方來處理的基板當中按所設定之既定配方的測定間隔所選擇之基板的位置，加以測定，並控制該位置檢測器，以對該同一處理模組內處理之基板，基於依各配方所儲存之位置偏移量與測定間隔之相關關係的資料，自動進行位置檢測條件之設定或更新。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該控制部控制該位置檢測器，以對於依據依各該處理模組所設定之搬入時及搬出時的各自之位置偏移的閾值，在該處理模組搬入時及搬出時至少任一者的基板之位置，加以測定；當該所測定之基板的位置偏移大於閾值時，便進行通知。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理裝置，其中，該控制部設定：該處理模組之測定間隔的設定及該配方之測定間隔的設定的有效或無效，並控制該位置檢測器，以對於按該設定為有效之處理模組的測定間隔及該既定配方之測定間隔所選擇之基板的位置，加以測定。
  4. 一種基板處理方法，其係基板處理裝置之基板處理方法，該基板處理裝置包含有用以處理基板之處理模組、用以檢測基板之位置的位置檢測器、及控制部，該基板處理方法藉由該控制部控制該位置檢測器，以對於從在同一處理模組內處理之基板中按所設定的處理模組之測定間隔所選擇的基板之位置，加以測定；且該處理模組根據設定於複數的配方中之任一配方的程序，來處理基板，且控制該位置檢測器，以對於從在該同一處理模組內處理之基板中以既定配方來處理的基板當中按所設定之既定配方的測定間隔所選擇之基板的位置，加以測定，並控制該位置檢測器，以對該同一處理模組內處理之基板，基於依各配方所儲存之位置偏移量與測定間隔之相關關係的資料，自動進行位置檢測條件之設定或更新。
  5. 一種記錄有基板處理程式的記錄媒體，基板處理程式係使用一基板處理裝置而令電腦執行之，該基板處理裝置包含有用以處理基板之處理模組、用以檢測基板之位置的位置檢測器、及控制部，該基板處理程式係使電腦執行下述處理：藉由該控制部控制該位置檢測器，以對於從在同一處理模組內處理之基板中按所設定的處理模組之測定間隔所選擇的基板之位置，加以測定；且該處理模組根據設定於複數的配方中之任一配方的程序，來處理基板，且控制該位置檢測器，以對於從在該同一處理模組內處理之基板中以既定配方來處理的基板當中按所設定之既定配方的測定間隔所選擇之基板的位置，加以測定，並控制該位置檢測器，以對該同一處理模組內處理之基板，基於依各配方所儲存之位置偏移量與測定間隔之相關關係的資料，自動進行位置檢測條件之設定或更新。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113496908B (zh) * 2020-04-08 2024-04-16 中国科学院微电子研究所 半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004241428A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014090013A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043394A (ja) 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd 位置ずれ検出装置及び処理システム
JP4786925B2 (ja) * 2005-04-04 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2007251090A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置の搬送位置合わせ方法、真空処理装置及びコンピュータ記憶媒体
JP5242906B2 (ja) * 2006-10-17 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP6013792B2 (ja) 2012-06-12 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板搬送装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004241428A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014090013A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

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