JP5242906B2 - 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に所定の処理を施す基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体に関し、より詳細には、基板処理装置にて所定の処理を実行する際のフィードバック値の適正化に関する。
複数枚の基板に連続して所望の処理を施す際、処理中に生成される反応生成物が基板処理装置の内壁に徐々に付着するなどの理由により、基板処理装置内の雰囲気は徐々に変化していく。その変化に対応しながら常に精度良く基板処理を遂行するため、フィードフォワード制御およびフィードバック制御が従来から提案されている（たとえば、特許文献１を参照。）。
フィードバック制御では、たとえば、基板をエッチング処理する場合、その処理の前後における基板表面の状態を測定器に測定させ、測定させた処理前後の基板表面の状態から実際に削れた量が目標値からどれだけずれていたかを求め、求められたずれ量から、たとえばエッチング量／時間などのフィードバック値（以下、ＦＢ（Feed Back）値ともいう。）を算出し、算出されたフィードバック値を用いて目標値を更新する。このようにして、目標値は、現状の基板処理装置内の雰囲気の変化を反映するように常に最適化される。
フィードフォワード制御では、フィードバック制御により求められた最新の目標値を制御値として、この制御値に基づいて基板に所定の処理を施す。たとえば、目標値がエッチング量／時間である場合、基板処理装置内の雰囲気が徐々に変化しても、それに応じたエッチング量／時間にしたがって基板は良好に処理される。
特開２００４−２０７７０３号公報
ところで、特許文献１では、今回算出されたフィードバック値が、基板処理装置の性質上、基板処理装置により制御することができる限界値より大きい値になっている場合、算出されたフィードバック値は破棄されるようになっている。たとえば、フィードバック値が基板処理装置内に投入されるパワーを示す場合、最新のフィードバック値が基板処理装置に投入可能な最大パワーにより実現される値より大きければ、そのフィードバック値には大きな誤差が含まれると推定される。この場合、そのフィードバック値を用いて目標値を更新すると、目標値が現状の基板処理装置内の雰囲気を反映した値（理想値）から遠ざかる。そこで、特許文献１では、このような場合には、今回算出されたフィードバック値を破棄し、目標値をそのまま維持することにより、基板に対する処理の精度を良好に保つようになっている。
しかしながら、上述したフィードバック制御のみでは、なお目標値が理想値から遠ざかる場合がある。たとえば、前回算出されたフィードバック値に対する今回算出されたフィードバック値の変化が、誤差レベルと考えられる小さな変動である場合、今回のフィードバック値により目標値を更新してしまうと、目標値に誤差が混入することにより目標値が不必要に振動してしまい、目標値が現状の基板処理装置内の雰囲気を反映した理想値から遠ざかる。
また、前回算出されたフィードバック値に対する今回算出されたフィードバック値の変化が、突発的に大きな変動である場合、今回のフィードバック値により目標値を更新してしまうと、目標値に大きな誤差が混入することにより目標値が大きく変動してしまい、目標値が現状の基板処理装置内の雰囲気を反映した理想値から遠ざかる。
そこで、本発明は、フィードバック値の変化の程度に基づき、フィードフォワード制御時の制御値となる目標値をより精度良く算出する基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体を提供する。
すなわち、上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板に上記所定の処理を施す基板処理装置を制御する制御装置であって、基板に所定の処理を施すときの制御値となる所定の目標値を記憶する記憶部と、上記基板処理装置により処理される基板の処理状態を測定器に測定させ、測定させた情報を受信する通信部と、上記通信部により受信された測定情報のうち、今回処理する基板の処理前および処理後の測定情報に基づいて今回処理された基板の処理状態に応じたフィードバック値を算出し、今回より前に算出されたフィードバック値のいずれか対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出する演算部と、上記演算部により算出されたフィードバック値の変化値と所与の閾値とを比較することにより、上記今回算出されたフィードバック値を破棄するか否かを判定する判定部と、上記判定部により破棄しないと判定された場合、上記今回算出されたフィードバック値を用いて上記記憶部に記憶された目標値を更新する更新部とを備える基板処理装置の制御装置が提供される。
ここで、上記所定の目標値の一例としては、基板の処理時間（たとえば、エッチング量／時間）、基板処理装置内の圧力、基板処理装置に投入されるパワー、基板処理装置の所定位置（たとえば、上部電極、下部電極、ステージ、装置の側壁）の温度、上記基板処理装置に供給される複数ガスの混合比、基板処理装置に供給されるガスの流量等、プロセス条件となるパラメータが挙げられる。
フィードバック値の変化値は、今回より前に算出されたフィードバック値のいずれかに対する今回算出されたフィードバック値の変化値であればよく、たとえば、前回算出されたフィードバック値に対する今回算出されたフィードバック値の変化量であってもよく、目標値に対する今回算出されたフィードバック値の変化量であってもよい。
これによれば、フィードバック値の変化値に着目し、フィードバック値の変化値を基板処理装置内の雰囲気の変化に応じた値と捉える。すなわち、フィードバック値の変化値と、基板処理装置内の雰囲気の変化を反映しているかどうかを判定するための所与の閾値と、を比較することにより、フィードバック値の変化値が、基板処理装置内の雰囲気の変化を反映しているか否かが推定される。
比較の結果、フィードバック値の変化値が、基板処理装置内の雰囲気の変化を反映していると推定される場合、今回算出されたフィードバック値を用いて目標値は更新される。この結果、基板処理装置内の雰囲気の変化を反映していないフィードバック値により、目標値が現状の基板処理装置内の雰囲気に対応した理想値から遠ざかることを回避することができ、これにより、基板処理装置につぎに搬入される基板を精度良く処理することができる。
フィードバック値の変化値が、基板処理装置内の雰囲気の変化を反映していないと推定される一例としては、たとえば、上記所与の閾値が、第１の閾値を含み、上記第１の閾値は、上記測定器の性能に応じて上記測定器が測定可能な限界値より小さい値に予め定められていて、上記フィードバック値の変化値の絶対値が上記第１の閾値以下である場合が挙げられる。
たとえば、測定器が１ｎｍレベルまでしか誤差なく測定することができない場合、１ｎｍ未満の値の変動から生じるフィードバック値の変化には、測定上の誤差が多く含まれていると推測される。このような場合にも、今回算出されたフィードバック値により目標値を更新すると、目標値が測定上の誤差により不必要に振動してしまい、目標値が現状の基板処理装置内の雰囲気に対応した理想値から遠ざかってしまう。
そこで、かかる制御装置によれば、上記フィードバック値の変化値の絶対値が第１の閾値以下である場合、今回算出されたフィードバック値は破棄され、目標値は更新されず、そのまま維持される。これにより、測定時に発生する誤差に基づき、目標値が不必要に振動することを回避して、目標値を現状の基板処理装置内の雰囲気に応じて変化する理想値または理想値に近似した値に維持しておくことができる。この結果、基板処理装置につぎに搬入される基板に精度良く所定の処理を施すことができる。
フィードバック値の変化値が、基板処理装置内の雰囲気の変化を反映していないと推定される他の例としては、たとえば、上記所与の閾値が、第２の閾値を含み、上記第２の閾値は、上記基板処理装置内を制御するプロセス条件の変化値として許容可能な限界値に基づき上記フィードバック値の変化値として予測される限界値より大きい値に予め定められていて、上記フィードバック値の変化値の絶対値が上記第２の閾値以上である場合が挙げられる。
フィードバック値は、処理中に反応生成物が基板処理装置の内壁に徐々に堆積するなどの理由により、基板処理装置内の雰囲気が経時的にゆっくりと変化するのに応じて徐々に変化すると考えられる。このような理由から、たとえば、測定器による測定誤差や被処理体自体のバラツキにより、フィードバック値の変化値が、突発的に大きな値になる場合、そのフィードバック値には、大きな誤差が包まれると推定される。このような場合にも、今回算出されたフィードバック値により目標値を更新すると、目標値が大きく変動してしまい、目標値が現状の基板処理装置内の雰囲気に対応した理想値から遠ざかってしまう。
特に、目標値の算出には、平均を取る期間を徐々にずらしてその期間のフィードバック値の平均をとる方法（移動平均）が用いられるが、このうち、過去のフィードバック値よりも最近のフィードバック値を重要視するような重みを与えて指数平滑化する指数重み付き移動平均（ＥＷＭＡ：Exponentially weighted moving average）が用いられる場合、突発的に大きく変動したフィードバック値による誤差は、次回以降の目標値の算出に長期的に大きな影響を与えてしまう。
そこで、かかる制御装置によれば、上記フィードバック値の変化値の絶対値が上記第２の閾値以上である場合、上記今回算出されたフィードバック値は破棄され、目標値は、更新されずそのまま維持されるか、または上記第２の閾値に応じて更新される。この結果、大きな誤差を含んだフィードバック値により目標値を更新することによって、目標値が理想値から大きくずれることを回避し、これにより、基板に精度良く所定の処理を施すことができる。
なお、第２の閾値を定めるときに用いられるプロセス条件としては、基板処理装置内の圧力やパワー、基板処理装置の所定位置（たとえば、上部電極、下部電極、ステージ、装置の側壁）の温度、基板処理装置に供給される複数ガスの混合比、基板処理装置に供給されるガスの流量、エッチング量／時間などが挙げられる。
フィードバック値の変化値が、基板処理装置内の雰囲気の変化を反映していないと推定されるさらなる例としては、たとえば、上記所与の閾値が、第３の閾値を含み、上記第３の閾値は、上記基板処理装置の性能に応じて上記基板処理装置が制御可能な限界値より大きい値に予め定められていて、上記今回算出されたフィードバック値が上記第３の閾値以上である場合が挙げられる。
今回算出されたフィードバック値の絶対値が、基板処理装置の性質上、基板処理装置により制御することができる限界値より大きい値になっている場合、そのフィードバック値は、現状の基板処理装置内の雰囲気に対応した理想値とかけ離れた値となっていると推測される。たとえば、フィードバック値が基板処理装置内に投入されるパワーを示す場合、最新のフィードバック値が基板処理装置に投入可能な最大パワーにより実現される値より大きければ、フィードバック値には大きな誤差が含まれると推定される。このような場合にも、今回算出されたフィードバック値により目標値を更新すると、目標値が現状の基板処理装置内の雰囲気を反映した理想値から遠ざかる。
そこで、かかる制御装置によれば、今回算出されたフィードバック値の絶対値が第３の閾値以上である場合、今回算出されたフィードバック値は破棄され、目標値は、更新されずそのまま維持されるか、または第３の閾値に応じて更新される。この結果、大きな誤差を含んだフィードバック値により目標値を更新することによって、目標値が理想値から大きくずれることを回避し、これにより、基板に精度良く所定の処理を施すことができる。
以上のようにして、誤差を多く含むと予測されるフィードバック値を破棄することによって目標値を最適化することにより、フィードフォワード制御時、最適化された目標値に基づき、基板処理装置内の経時的変化に対応しながら、基板処理装置に搬入された基板に精度良く所定の処理を施すことができる。
さらに、制御装置は、複数の基板処理装置を制御してもよい。この場合、制御装置は、基板処理装置毎に上記目標値をそれぞれ設け、基板処理装置毎に上記今回算出されたフィードバック値により各目標値を更新するか否かを判定し、上記判定の結果定められた各目標値に基づいて各基板処理装置にそれぞれ搬入された基板をそれぞれフォードフォワード制御するようにしてもよい。
これによれば、たとえば、工場内の各エリアに設けられた複数の基板処理装置は、制御装置により個別独立して制御される。この結果、フィードバック制御時、基板処理装置毎に最適化された目標値をそれぞれ算出することにより、各基板処理装置にて基板に所定の処理を施す際、最適化された目標値に基づき、各基板処理装置内の経時的変化に対応しながら、各基板処理装置に搬入された基板に精度良く所定の処理を施すことができる。
なお、上記所定の処理は、エッチング処理であってもよい。また、他の例としては、成膜処理、アッシング処理、スパッタリング処理が挙げられる。
また、上記受信される測定情報は、基板のクリティカルディメンジョン（ＣＤ：Critical Dimension、臨海寸法）、エッチングレート、成膜速度の少なくともいずれかを算出するための情報であってもよい。なお、ＣＤとは、エッチング前のマスク寸法に対するエッチング後のパターン寸法のシフト量をいう。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、板に所定の処理を施す基板処理装置を制御する制御方法であって、基板に上記所定の処理を施すときの制御値となる所定の目標値を記憶部に記憶し、上記基板処理装置により処理された基板の処理状態を測定器に測定させ、測定させた情報を受信し、上記受信された測定情報のうち、今回処理する基板の処理前および処理後の測定情報に基づいて今回処理された基板の処理状態に応じたフィードバック値を算出し、今回より前に算出されたフィードバック値のいずれかに対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出し、上記算出されたフィードバック値の変化値と所与の閾値とを比較することにより、上記今回算出されたフィードバック値を破棄するか否かを判定し、上記破棄しないと判定された場合、上記今回算出されたフィードバック値により上記記憶部に記憶された目標値を更新する基板処理装置の制御方法が提供される。
さらに、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置の制御をコンピュータに実行させる制御プログラムを記憶した記憶媒体であって、基板に上記所定の処理を施すときの制御値となる所定の目標値を記憶部に記憶する処理と、上記基板処理装置により処理された基板の処理状態を測定器に測定させ、測定させた情報を受信する処理と、上記受信された測定情報のうち、今回処理する基板の処理前および処理後の測定情報に基づいて今回処理された基板の処理状態に応じたフィードバック値を算出し、今回より前に算出されたフィードバック値のいずれかに対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出する処理と、上記算出されたフィードバック値の変化値と所与の閾値とを比較することにより、上記今回算出されたフィードバック値を破棄するか否かを判定する処理と、上記破棄しないと判定された場合、上記今回算出されたフィードバック値により上記記憶部に記憶された目標値を更新する処理とをコンピュータに実行させる基板処理装置の制御プログラムを記憶した記憶媒体が提供される。
これらによれば、フィードバック値の変化値に基づいて、今回のフィードバック値により目標値を更新すべきか否かを判定することにより、目標値が現状の基板処理装置内の雰囲気に対応した理想値から遠ざかることを回避することができる。
以上説明したように、本発明によれば、フィードバック値の変化の程度に基づき、フィードフォワード制御時の制御値となる目標値をより精度良く算出することができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面において、同一の構成及び機能を有する構成要素については、同一符号を付することにより、重複説明を省略する。
なお、本明細書中１Ｔｏｒｒは（１０１３２５／７６０）Ｐａ、１ｓｃｃｍは（１０−６／６０）ｍ３／ｓｅｃとする。
まず、本発明の一実施形態にかかる制御装置を用いた基板処理システムについて、図１を参照しながらその概要を説明する。なお、本実施形態では、基板処理システムを用いてシリコンウエハ（以下、ウエハと称呼する。）をエッチング処理する例を挙げて説明する。
（基板処理システム）
基板処理システム１０は、ホストコンピュータ１００、装置コントローラ（以下、ＥＣ（Equipment Controller）２００と称呼する）、５つのマシーンコントローラ３００ａ〜３００ｅ（以下、ＭＣ（Machine Controller）３００とも称呼する）、２つのプロセスモジュール４００ａ、４００ｂ（以下、ＰＭ（Process Module）４００とも称呼する）、２つのロードロックモジュール５００ａ、５００ｂ（以下、ＬＬＭ（Load Lock Module）５００と称呼する）、１つの測定器（以下、ＩＭＭ（Integrated Metrology Module）６００と称呼する）、管理サーバ７００およびプロセス調整コントローラ（以下、ＴＬ（Tool Level）８００と称呼する）を有している。
（基板処理システム）
基板処理システム１０は、ホストコンピュータ１００、装置コントローラ（以下、ＥＣ（Equipment Controller）２００と称呼する）、５つのマシーンコントローラ３００ａ〜３００ｅ（以下、ＭＣ（Machine Controller）３００とも称呼する）、２つのプロセスモジュール４００ａ、４００ｂ（以下、ＰＭ（Process Module）４００とも称呼する）、２つのロードロックモジュール５００ａ、５００ｂ（以下、ＬＬＭ（Load Lock Module）５００と称呼する）、１つの測定器（以下、ＩＭＭ（Integrated Metrology Module）６００と称呼する）、管理サーバ７００およびプロセス調整コントローラ（以下、ＴＬ（Tool Level）８００と称呼する）を有している。
ホストコンピュータ１００とＥＣ２００との間および管理サーバ７００とＴL８００との間は、顧客側ＬＡＮ（Local Area Network）９００ａ、９００ｂによりそれぞれ接続されている。さらに、管理サーバ７００は、ＰＣ１０００などの情報処理機器と接続され、オペレータによりアクセス可能な状態になっている。
ＥＣ２００、ＭＣ３００ａ〜３００ｅ、ＰＭ４００ａ、４００ｂ、ＬＬＭ５００ａ、５００ｂ、ＩＭＭ６００は、工場内の所定エリアＱに設けられている。ＴＬ８００とＥＣ２００との間およびＥＣ２００と５つのＭＣ３００との間は、工場内ＬＡＮによりそれぞれ接続されている。各ＭＣ３００とＰＭ４００ａ、４００ｂ、ＬＬＭ５００ａ、５００ｂ、ＩＭＭ６００との間も、同様に工場内ＬＡＮにより接続されている。
ホストコンピュータ１００は、データ管理など基板処理システム１０全体を管理する。ＥＣ２００は、基板をエッチング処理するために使用するプロセスレシピを保持し、そのプロセスレシピにしたがってＰＭ４００ａ、４００ｂにて基板に所望のエッチング処理が施されるように各ＭＣ３００に指示信号を送信したり、使用されたプロセスレシピの履歴管理などを行う。
ＭＣ３００ａ〜３００ｄは、ＥＣ２００から送信された指示信号に基づいてＰＭ４００ａ、４００ｂおよびＬＬＭ５００ａ、５００ｂをそれぞれ制御することにより、ウエハＷの搬送制御とともに、ＰＭ４００ａ、４００ｂにてプロセスレシピにしたがったエッチング処理が実行されるように制御する。プロセス条件の変化（たとえば、温度、圧力およびガス流量などの経時変化）を示すデータは、ＭＣ３００ａ〜３００ｄからＥＣ２００を介してホストコンピュータ１００に送信される。
ＩＭＭ６００は、エッチング処理前のウエハの表面の処理状態およびエッチング処理後のウエハの表面の処理状態を測定する。測定データは、ＭＣ３００ｅからＥＣ２００を介してＴＬ８００に送信される。なお、ウエハの表面の状態を測定する方法については後述する。
管理サーバ７００は、オペレータの操作によりＰＣ１０００から送信されたデータに基づいて、各装置の動作条件を設定したストラテジを生成する。すなわち、管理サーバ７００は、エリアＱ内に設置された各装置を制御するためのシステムレシピ、フィードバック制御を遂行するためフィードバックプランおよびフィードフォワード制御を遂行するためフィードフォワードプランに関するデータを保持したストラテジを生成する。
ＴＬ８００は、管理サーバ７００にて生成されたストラテジを保存する。ＴＬ８００は、フィードバックプランに基づきＩＭＭ６００により測定された測定情報に基づいて処理前ＣＤ値（ＣＤｂ）および処理後ＣＤ値（ＣＤａ）を算出し、各ＣＤ値を用いてフィードバック値を算出するとともに、ＥＷＭＡ（指数重み付き移動平均）を用いて、今回および今回より前に算出されたフィードバック値からフィードフォワード制御時の制御値となる目標値を算出する（フィードバック制御）。ＴＬ８００は、また、フィードフォワードプランに基づき、フィードバック制御時に算出された目標値にしたがい、つぎにＰＭ４００に搬入されるウエハへのエッチング処理を制御する（フィードフォワード制御）。
（ＰＭ、ＬＬＭ、ＩＭＭのハードウエア構成）
つぎに、工場内の所定エリアＱに設置されているＰＭ４００、ＬＬＭ５００、ＩＭＭ６００のハードウエア構成について、図２および図３を参照しながら説明する。工場内の所定エリアＱには、図２に示したように、第１のプロセスシップＱ１、第２のプロセスシップＱ２、搬送ユニットＱ３、位置合わせ機構Ｑ４およびカセットステージＱ５が設置されている。
第１のプロセスシップＱ１は、ＰＭ４００ａおよびＬＬＭ５００ａを有している。第２のプロセスシップＱ２は、第１のプロセスシップＱ１と平行に配設されていて、ＰＭ４００ｂ、ＬＬＭ５００ｂを有している。ＰＭ４００ａ、４００ｂは、プラズマを用いてウエハに所定の処理（たとえば、エッチング処理）を施す。ＰＭ４００は、基板に所定の処理を施す基板処理装置に相当する。ＴＬ８００は、その基板処理装置を制御する制御装置の一例である。なお、ＰＭ４００の内部構成の詳細については後述する。
ＬＬＭ５００ａ、５００ｂは、両端に設けられた気密に開閉可能なゲートバルブＶの開閉により真空状態にあるＰＭ４００ａ、４００ｂと大気中の搬送ユニットＱ３との間でウエハを搬送する。
搬送ユニットＱ３は、矩形の搬送室であり、第１のプロセスシップＱ１および第２のプロセスシップＱ２と接続されている。搬送ユニットＱ３には搬送アームＡｒｍが設けられていて、搬送アームＡｒｍを用いてウエハを第１のプロセスシップＱ１または第２のプロセスシップＱ２に搬送する。
搬送ユニットＱ３の一端には、ウエハの位置決めを行う位置合わせ機構Ｑ４が設けられている。位置合わせ機構Ｑ４は、ウエハを載置した状態で回転台Ｑ４ａを回転させながら、光学センサＱ４ｂによりウエハの周縁部の状態を検出することにより、ウエハの位置を合わせるようになっている。
搬送ユニットＱ３の他端には、ＩＭＭ６００が設けられている。ＩＭＭ６００は、図５の下部に示したように、光学部６０５を有している。光学部６０５は、発光器６０５ａ、偏光子６０５ｂ、検光子６０５ｃおよび受光器６０５ｄを有している。
発光器６０５ａは、白色光をウエハＷに向けて出力し、偏光子６０５ｂは、出力された白色光を直線偏光に変換した後、ステージＳに載置されたウエハＷに照射する。検光子６０５ｃは、ウエハＷを反射した楕円偏光のうち、特定の偏向角度をもつ偏向のみを透過させる。受光器６０５ｄは、たとえば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラ等から構成され、検光子６０５ｃを透過した偏光を受光し、受光した偏光を電気信号に変換し、変換した電気信号をＭＣ３００ｅに出力する。ＭＣ３００ｅに出力された電気信号は、ＥＣ２００を介してＴＬ８００に送信される。
再び図２に戻ると、搬送ユニットＱ３の側面には、カセットステージＱ５が設けられている。カセットステージＱ５には、３つのカセット容器ＬＰ１〜ＬＰ３が載置されている。各カセット容器ＬＰには、たとえば、最大で２５枚のウエハが多段に収容される。
かかる構成により、搬送ユニットＱ３は、カセットステージＱ５、位置合わせ機構Ｑ４、ＩＭＭ６００およびプロセスシップＱ１、Ｑ２との間でウエハを搬送する。
（ＰＭの内部構成）
つぎに、図３に模式的に示したＰＭ４００の縦断面図を参照しながら、ＰＭ４００の内部構成について説明する。
ＰＭ４００は、天井部の略中央部および底部の略中央部が開口された角筒形状の処理容器Ｃを有している。処理容器Ｃは、たとえば、表面が陽極酸化処理されたアルミニウムにより構成されている。
処理容器Ｃの内部には、その上方にて上部電極４０５が設けられている。上部電極４０５は、処理容器Ｃの上部の開口周縁に設けられた絶縁材４１０により処理容器Ｃに対して電気的に分離されている。上部電極４０５には、整合回路４１５を介して高周波電源４２０が接続されている。整合回路４１５には、その周囲にてマッチングボックス４２５が設けられていて、整合回路４１５の接地筐体となっている。
上部電極４０５には、また、ガスライン４３０を介して処理ガス供給部４３５が接続されていて、処理ガス供給部４３５から供給される所望のガスを複数のガス噴射孔Ａから処理容器Ｃ内に噴射する。このようにして、上部電極４０５は、ガスシャワーヘッドとしても機能するようになっている。上部電極４０５には、温度センサ４４０が設けられている。温度センサ４４０は、処理容器内の温度として上部電極４０５の温度を検出する。
処理容器Ｃの内部には、その下方にて下部電極４４５が設けられている。下部電極４４５は、ウエハＷを載置するサセプタとしても機能する。下部電極４４５は、絶縁材４５０を介して設けられた支持体４５５により支持されている。これにより、下部電極４４５は、処理容器Ｃに対して電気的に分離されている。
処理容器Ｃの底面に設けられた開口の外周近傍には、ベローズ４６０の一端が装着されている。ベローズ４６０の他端には、昇降プレート４６５が固着されている。かかる構成により、処理容器Ｃの底面の開口部は、ベローズ４６０および昇降プレート４６５によって密閉されている。また、下部電極４４５は、ウエハＷを載置する位置を処理プロセスに応じた高さに調整するために、ベローズ４６０および昇降プレート４６５と一体となって昇降する。
下部電極４４５は、導電路４７０、インピーダンス調整部４７５を介して昇降プレート４６５に接続されている。上部電極４０５および下部電極４４５は、カソード電極およびアノード電極に相当する。処理容器内部は、排気機構４８０によって所望の真空度まで減圧される。かかる構成により、ゲートバルブ４８５の開閉によって処理容器Ｃの気密を保ちながらウエハＷが処理容器Ｃの内部に搬送された状態にて、処理容器内部に供給されたガスが印加された高周波電力によりプラズマ化され、生成されたプラズマの作用によりウエハＷに所望のエッチングが施される。
（ＥＣ、ＭＣ、ＴＬのハードウエア構成）
つぎに、ＴＬ８００のハードウエア構成について、図４を参照しながら説明する。なお、ＥＣ２００、ＭＣ３００、管理サーバ７００およびホストコンピュータ１００のハードウエア構成はＴＬ８００と同様であるためここでは説明を省略する。
図４に示したように、ＴＬ８００は、ＲＯＭ８０５、ＲＡＭ８１０、ＣＰＵ８１５、バス８２０、内部インタフェース（内部Ｉ／Ｆ）８２５および外部インタフェース（外部Ｉ／Ｆ）８３０を有している。
ＲＯＭ８０５には、ＴＬ８００にて実行される基本的なプログラムや、異常時に起動するプログラム、各種レシピ等が記録されている。ＲＡＭ８１０には、各種プログラムやデータが蓄積されている。なお、ＲＯＭ８０５およびＲＡＭ８１０は、記憶装置の一例であり、ＥＥＰＲＯＭ、光ディスク、光磁気ディスクなどの記憶装置であってもよい。
ＣＰＵ８１５は、各種レシピにしたがって基板の処理を制御する。バス８２０は、ＲＯＭ８０５、ＲＡＭ８１０、ＣＰＵ８１５、内部インタフェース８２５および外部インタフェース８３０の各デバイス間でデータをやりとりする経路である。
内部インタフェース８２５は、データを入力し、必要なデータを図示しないモニタやスピーカ等に出力するようになっている。外部インタフェース８３０は、ＬＡＮ等のネットワークにより接続されている機器との間でデータを送受信するようになっている。
（ＴＬの機能構成）
つぎに、ＴＬ８００の各機能をブロックにて示した図５を参照しながら説明する。ＴＬ８００は、記憶部８５０、通信部８５５、データベース８６０、演算部８６５、判定部８７０、更新部８７５およびプロセス実行制御部８８０の各ブロックにより示される機能を有している。
図６に示したように、記憶部８５０には、各種プロセスを実行するための動作条件が設定されたストラテジが複数記憶されている。ここでは、ストラテジＡおよびストラテジＢが記憶されている。記憶部８５０は、管理サーバ７００との通信が確立した時点および新たなストラテジが利用可能になった時点で、管理サーバ７００から送られてくるストラテジを記憶する。また、記憶部８５０は、記憶していたストラテジのいずれかが利用不可能になった時点で、該当ストラテジを削除する。
各ストラテジには、フィードフォワード制御のための処理手順が示されたフィードフォワードプラン、フィードバック制御のための処理手順が示されたフィードバックプラン、およびウエハＷをエッチング処理するための手順を示したシステムレシピが保持されている。たとえば、ストラテジＡには、フィードフォワードプランＡ、フィードバックプランＡおよびシステムレシピＡが保持され、ストラテジＢには、フィードフォワードプランＢ、フィードバックプランＢおよびシステムレシピＢが保持されている。
フィードフォワードプランＡ、Ｂには、ウエハＷにエッチング処理を施すときの制御値となる目標値ｆ（ｆａ、ｆｂ）が保持されている。本実施形態では、目標値ｆａ、ｆｂは、エッチング量／時間である。システムレシピＡ、Ｂには、ストラテジＡ、ＢにおけるウエハＷの搬送ルートおよび対象プロセスレシピのリンク情報が格納されている。たとえば、システムレシピＡは、搬送ルートに基づき、ウエハＷは、ＩＭＭ（１）（＝ＩＭＭ６００）に搬送され、つぎにＰＭ１（＝ＰＭ４００ａ）に搬送され、最後に再びＩＭＭ（１）に搬送されることを指示する。また、システムレシピＡは、対象プロセスレシピのリンク情報に基づき、一例として図７に示したプロセスレシピＡの処理手順にしたがってウエハＷをエッチング処理すること指示する。
通信部８５５は、上述したようにＩＭＭ６００にて測定され、電気信号に変換されたウエハ表面の処理状態を示す測定情報をＭＣ３００ｅ、ＥＣ２００を介して受信する。具体的には、システムレシピにて指示された搬送ルートに基づき、ウエハＷがＩＭＭ６００に搬送されるたびに測定され、変換される電気信号を測定情報として受信する。したがって、搬送ルートがＩＭＭ（１）−ＰＭ１−ＩＭＭ（１）の場合、通信部８５５は、各ウエハＷについて、ＰＭ１によりエッチング処理される前のウエハの状態を測定情報として受信するとともに、ＰＭ１によりエッチング処理された後のウエハの状態を測定情報として受信する。通信部８５５により受信された測定情報は、データベース８６０に保存され、蓄積される。
演算部８６５は、通信部８５５により受信され、データベース８６０に蓄積された測定情報のうち、今回処理されるエッチング処理前後の測定情報に基づいて今回処理されたウエハＷの処理状態に応じたフィードバック値ｆｘを算出する。
フィードバック値ｆｘを算出するために、まず、演算部８６５は、エッチング処理前の測定情報から処理前のＣＤ値（図９ＡのＣＤｂ）を算出し、エッチング処理後の測定情報から処理後のＣＤ値（図９ＧのＣＤａ）を算出する。
具体的には、演算部８６５は、測定情報に含まれる入射光と反射光との位相差Δおよび振幅の変位ψから、次の式に基づいてエリプソメトリ法によりウエハＷの表面の構造を判別し、ＣＤ値を算出する。
位相差Δ＝（Ｗｐ−Ｗｓ）反射光−（Ｗｐ−Ｗｓ）入射光
ただし、Ｗｐは、入射光または反射光のｐ成分波の位相であり、Ｗｓは、入射光または反射光のｓ成分波の位相である。
振幅の変位ψ＝ｔａｎ−１[Ｒｐ／Ｒｓ]、Ｒｐ＝（Ｉ反射光／Ｉ入射光）ｐ、Ｒｓ＝（Ｉ反射光／Ｉ入射光）ｓ
ただし、Ｉｐは、入射光または反射光のｐ成分波の強度であり、Ｉｓは、入射光または反射光のｓ成分波の強度であり、Ｒｐは、ｐ成分波の反射率であり、Ｒｓは、ｓ成分波の反射率である。
演算部８６５は、このようにして判別されたウエハＷの表面の構造から、処理前後のＣＤ値を求め、求められたＣＤ値から実際に削れた量が目標値からどれだけずれていたかを算出し、算出したずれ量から最適なエッチング量／時間をフィードバック値として算出する。また、目標値の算出には、平均を取る期間を徐々にずらしてその期間のフィードバック値の平均をとる方法（移動平均）のうち、指数重み付き移動平均（ＥＷＭＡ）が用いられる。このＥＷＭＡは、過去のフィードバック値よりも最近のフィードバック値を重要視するような重みを与えて指数平滑化する方法である。
判定部８７０は、演算部８６５により算出されたフィードバック値の変化値ΔＦＢと所与の閾値とを比較することにより、今回算出されたフィードバック値ｆｘを破棄するか否かを判定する。所与の閾値には、第１の閾値、第２の閾値、第３の閾値が含まれている。
第１の閾値は、ＩＭＭ６００の性能に応じてＩＭＭ６００が測定可能な限界値より小さい値（最小変化値Ｄｅｄ）に予め定められている。たとえば、ＩＭＭ６００が１ｎｍレベルまでしか誤差なく測定することができない場合、第１の閾値は、１ｎｍ未満の所定の値に設定される。
第２の閾値は、ＰＭ４００内を制御するプロセス条件の変化値として予測される限界値に基づきフィードバック値の変化値として予測される限界値より大きい値（最大変化値ＭｘＣ）に予め定められている。なお、プロセス条件となるパラメータは、ウエハＷのエッチング量／時間、圧力、パワー、ＰＭ４００の所定位置の温度、複数種類のガスの混合比、ガスの流量の少なくともいずれかであればよい。
第３の閾値は、ＰＭ４００の性能に応じてＰＭ４００が制御可能な限界値より大きい値（最大限界値ＭｘＬよび最小限界値ＭｎＬ）に予め定められている。すなわち、第３の閾値は、ＰＭ４００の性能上、実行が不可能な値に設定される。
判定部８７０により今回算出されたフィードバック値を破棄しないと判定された場合、更新部８７５は、そのフィードバック値により目標値を更新する。一方、判定部８７０により今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定された場合、更新部８７５は、目標値をそのまま維持するか、所定の閾値に応じて更新する。なお、具体的な更新方法については、後程、フローチャートを用いて詳細に説明する。
プロセス実行制御部８８０は、指定されたストラテジに設定されているシステムレシピ内のプロセスレシピに定義された手順に基づき、指定されたＰＭ４００内でウエハＷに対してエッチング処理を実行する。このエッチング処理では、目標値を制御値として、目標値（エッチング量／時間）から目標となるエッチング量を達成できる時間だけ、ウエハＷに対してエッチング処理が施される。
以上に説明した各部の機能によれば、演算部８６５、判定部８７０および更新部８７５の機能により、フィードバック制御が実行され、すなわち、今回算出されたフィードバック値に基づいてフィードフォワード制御時の制御値となる目標値が最適化される。
また、プロセス実行制御部８８０の機能により、フィードフォワード制御が実行され、すなわち、最適化された目標値にしたがい、つぎにＰＭ４００に搬入されるウエハＷへのエッチング処理が制御される。
なお、以上に説明したＴＬ８００の各部の機能は、実際には、図４のＣＰＵ８１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラム（レシピを含む）を記憶したＲＯＭ８０５やＲＡＭ８１０などの記憶媒体からプログラム読み出し、プログラムを解釈して実行することにより達成される。たとえば、本実施形態では、演算部８６５、判定部８７０、更新部８７５、プロセス実行制御部８８０の各機能は、実際には、ＣＰＵ８１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラムを実行することにより達成される。
（トリミング処理）
ＦＦ／ＦＢ制御処理について説明する前に、本実施形態にて実行されるトリミング処理について説明する。トリミング処理は、ウエハＷ上により細かく配線する場合に有効である。すなわち、通常、ウエハＷに所定のパターンを形成する場合、露光工程および現像工程の技術的限界により、０．０７μｍ程度以下の線幅のマスク層を形成することは困難である。しかし、予めマスク層の線幅を本来形成した幅よりも広く設定しておき、この縁幅をエッチング工程により狭くする（すなわち、トリミングする）ことにより、マスク層の露光工程および現像工程においてマスク層の線幅を無理に狭くすることなく、線幅の狭い配線を形成することができる。
図８Ａ〜図８Ｅは、図２に示したシステムをさらに簡略かつ模式化した図を用いてウエハＷの搬送ルートを段階的に示した図である。また、図９Ａ〜図９Ｇは、ポリシリコン（Poly-Si）により形成されたゲート電極のトリミング処理を段階的に示した図である。
オペレータが、ロット投入に際し、図６のストラテジＡを特定した場合、ストラテジＡのシステムレシピＡによれば、搬送ルートはＩＭＭ（１）−ＰＭ１−ＩＭＭ（１）（＝ＩＭＭ６００−ＰＭ４００ａ−ＩＭＭ６００）である。そこで、図８Ａに示したように、プロセス実行制御部８８０は、最初に、アームＡｒｍを用いて該当ウエハＷをＬＰから取り出して把持し、搬送ユニットＱ３を搬送してＩＭＭ６００のステージＳに載置する。
載置されたウエハＷは、図９Ａに示したように、基板９００上に、Ｈigh−ｋ層９０５、ポリシリコンにより形成されたゲート電極９１０、有機系反射防止膜９１５が順に積層され、有機系反射防止膜９１５の上にパターン化されたフォトレジスト膜９２０が形成されている。
ＩＭＭ６００は、図５に示した光学部６０５を用いて、図９Ａに示したウエハＷの表面の形状を測定し、測定情報を通信部８５５に向けて送信する。通信部８５５は、測定情報を受信し、データベース８６０に保存する。演算部８６５は、データベース８６０に保存された測定情報を用いて、上述したエリプソメトリ法に基づき、ウエハＷの表面の構造を判別し、エッチング前のＣＤ値（図９ＡのＣＤｂ）を算出する。たとえば、エッチング前のＣＤ値（ＣＤｂ）が１２０ｎｍだとする。目標値のＣＤが１００ｎｍの場合、プロセス実行制御部８８０は、さらに２０ｎｍエッチングが必要であると判断する。
ＩＭＭ６００によるウエハ処理前の測定後、図８Ｂに示したように、プロセス実行制御部８８０は、ウエハＷをシステムレシピの搬送ルートにしたがってＰＭ４００ａ（ＰＭ１）に搬送し、プロセスレシピＡにしたがってウエハＷをエッチングする。
このとき、プロセス実行制御部８８０は、ストラテジＡにて指示されたフィードフォワードプランＡに内包された目標値ｆａ（ｎ−１番目の目標値）を用いてＰＭ４００ａに搬入されたウエハＷをフィードフォワード制御する。その結果、図９Ｂに示したように、ゲート電極９１０および有機系反射防止膜９１５が削られる。つぎに、図９Ｃに示したように、プロセス実行制御部８８０は、プロセスレシピＡにしたがって、アッシング等によりフォトレジスト膜９２０および有機系反射防止膜９１５を取り除く。
その後、プロセス実行制御部８８０は、図９Ｄのトリミング処理を実行する。すなわち、反応性ガスを等方向に噴射させることにより、露出したゲート電極９１０の表面が反応性ガスと反応し、これにより形成された反応層９１０ａを除去した結果、図９Ｅに示したように、ゲート電極９１０の線幅は狭くなる。このようにして、このトリミング処理を繰り返す（図９Ｆおよび図９Ｇ）ことにより、ゲート電極９１０の線幅をプロセスレシピＡにしたがって所定の幅まで狭くする。
たとえば、先程、演算部８６５によりさらに２０ｎｍエッチングが必要と判断されていることから、プロセス実行制御部８８０は、目標値ｆａ（２０ｎｍ／３０秒＝エッチング量／時間）に基づき２０ｎｍエッチングするには３０秒エッチングすることが必要であると予測する。そこで、エッチングガスとしてよく知られたＣｌ２、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＣＦ４、ＳＦ６の少なくとも１つを含む混合ガスにて、３０秒間、ウエハＷをエッチングする。
以上に説明した一連のプラズマ処理をウエハＷに施した後、プロセス実行制御部８８０は、システムレシピＡの搬送ルートに基づき、図８Ｃに示したように、ウエハＷを再びＩＭＭ６００に搬送する。ＩＭＭ６００は、再び、光学部６０５を用いて、図９Ｇに示したウエハＷの表面の形状を測定し、測定情報を通信部８５５に向けて送信する。通信部８５５は、測定情報を受信し、データベース８６０に保存する。演算部８６５は、データベース８６０に保存された測定情報を用いて、上述したエリプソメトリ法に基づき、ウエハＷの表面の構造を判別し、エッチング後のＣＤ値（図９ＧのＣＤａ）を算出する。
たとえば、エッチング後のＣＤ値（ＣＤａ）が、９０ｎｍだとする。この結果、判定部８７０は、３０秒間のエッチングで３０ｎｍエッチングされたと判定する。そこで、更新部８７５は、最新の目標値ｆ（フィードバック値）を２０ｎｍ／３０秒から３０ｎｍ／３０秒に更新（フィードバック）する。
その後、図８Ｄに示したように、プロセス実行制御部８８０は、処理済のウエハＷをふたたびＬＰに戻し、つぎのウエハＷを搬出して、まず、ＩＭＭ６００にて処理前のウエハ状態を測定した後、図８Ｅに示したように、ＰＭ４００ａに搬送して、フィードバック制御処理により最適化された最新の目標値ｆａもしくは最新の目標値ｆｂ（ｎ番目の目標値）に基づいてウエハＷにフィードフォワード制御を施す。
（ＴＬの動作）
以上に説明したトリミング処理を含むプラズマ処理の間に、ＴＬ８００により実行される測定情報蓄積処理の動作について、図１０に示したフローチャートを参照しながら説明するとともに、その間に、ＴＬ８００により実行されるフィードバック制御処理およびフィードフォワード制御処理（プロセス実行制御処理）の動作について、図１１を参照しながら説明する。
なお、フィードバック制御処理を開始する前、フィードフォワード制御処理時にプロセスを制御するための制御値となる目標値ｆａ、ｆｂは、プロセス条件に基づいて予め所定のエッチング量／時間（初期値）に設定されている。また、図１０の測定情報蓄積処理と図１１のＦＦ／ＦＢ制御処理とは、それぞれ予め定められた所定時間毎に繰り返し処理が開始される。
オペレータが、ストラテジＡの実行を特定してロットスタートボタンを「オン」すると、該当ロットが投入され、そのロットに含まれる２５枚のウエハが順に搬送される。このタイミングにあわせて、図１０のステップ１０００から測定情報蓄積処理が開始されるとともに、図１１のステップ１１００からＦＦ／ＦＢ制御処理が開始される。
（測定情報蓄積処理）
通信部８５５は、所定時間経過毎に、ステップ１００５にてＩＭＭ６００により測定された測定情報を受信し、ステップ１０１０にて受信した測定情報をデータベース８６０に格納し、ステップ１０９５にて本処理を一旦終了する。
（ＦＦ／ＦＢ制御処理）
通信部８５５は、所定時間経過毎に、ステップ１１０５にてウエハ処理後の測定情報を受信したか否かを判定する。この時点では、一枚目のウエハは処理されていない。そこで、ステップ１１１０に進み、通信部８５５は、ウエハ処理前の測定情報を受信したか否かを判定し、受信していない場合には、ステップ１１９５に進んで本処理を終了する。一方、受信している場合には、ステップ１１１５に進み、プロセス実行制御部８８０は、記憶部８５０に記憶されたストラテジのうち、オペレータにより特定されたストラテジＡのシステムレシピＡにて指定されているプロセスレシピＡ、フィードフォワードプランＡにしたがって、該当ＰＭ４００に搬入されたウエハＷにエッチング処理を実行（フィードフォワード制御）した後、ステップ１１９５に進んで本処理を終了する。
その後、通信部８５５が、ウエハ処理後の測定情報を受信すると、ステップ１１２０に進み、演算部８６５、判定部８７０および更新部８７５は、記憶部８５０に記憶された該当フィードバックプランＡにしたがって、ステップ１１２０にて呼び出される図１２のフィードバック（ＦＢ）制御処理を実行し、その後、ステップ１１９５に進んで本処理を終了する。
以上のように、フィードフォワード制御時、最適化された目標値に基づき、つぎに搬入されるウエハＷをエッチング処理する。このようにして、ＰＭ４００内の雰囲気の変化に合わせてウエハＷを精度良く処理することができる。なお、一枚目のウエハＷに対しては、予め定められた目標値により制御しているため、フィードバック制御により適正化された目標値に基づき、実質的にフィードフォワード（ＦＦ）制御が開始されるのは二枚目以降のウエハＷからである。
（ＦＢ制御処理）
図１２に示されたフィードバック（ＦＢ）制御処理は、ステップ１２００から処理が開始され、ステップ１２０５にて演算部８６５は、ウエハ処理前の測定情報およびウエハ処理後の測定情報に基づき、ウエハ処理前およびウエハ処理後の基板表面の状態を表すＣＤａ、ＣＤｂを算出する。つぎに、ステップ１２１０に進んで、演算部８６５は、実際に削れた量が目標値からどれだけずれていたかを求め、求められたずれ量から適正と推定されるエッチング量／時間をフィードバック値として算出する。
つぎに、ステップ１２１５にて、演算部８６５は、前回算出されたフィードバック値と今回算出されたフィードバック値との差分をフィードバック値の変化量ΔＦＢとして求め、ステップ１２２０に進みＦＢ値調整処理を呼び出す。
図１３に示されたＦＢ値調整処理は、ステップ１３００から処理が開始され、ステップ１３０５にて判定部８７０は、判定フラグに「０」をセット（判定フラグの初期化）し、ステップ１３１０の微少変化調整処理（図１４）、ステップ１３１５の最大変化調整処理（図１６）、ステップ１３２０の限界調整処理（図１８）を実行する。
（微少変化調整処理）
図１４の微少変化調整処理は、ステップ１４００から処理が開始され、判定部８７０は、ステップ１４０５にて微小変化調整パラメータが有効か否かを判定する。微小変化調整パラメータは、オペレータの操作により有効／無効が予め設定されている。微小変化調整パラメータが有効の場合、ステップ１４１０に進んで、判定部８７０は、ΔＦＢ（ＦＢ値の変化量）の絶対値が、予め定められた最小変化値Ｄｅｄ以下か否かを判定する。最小変化値Ｄｅｄ（第１の閾値に相当）は、ＩＭＭ６００が測定可能な限界値より小さい値に予め定められている。ΔＦＢが最小変化値Ｄｅｄ以下である場合、判定部８７０は、ステップ１４１５にて、今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定したことを示すために、判定フラグに「１」をセットし、ステップ１４９５に進んで本処理を終了する。
たとえば、ＩＭＭ６００が１ｎｍレベルまでしか誤差なく測定することができない場合、１ｎｍ未満の値の変動から生じるフィードバック値の変化には、測定上の誤差が多く含まれていると推測される。このような場合にも、今回算出されたフィードバック値により目標値を更新すると、たとえば、図１５のウエハＮｏ．５〜７に示したように、測定上の誤差により、理想値に対して目標値が不必要に振動してしまい、目標値が現状のＰＭ４００内の雰囲気に対応した理想値から遠ざかってしまう。
そこで、微小変化調整処理にて、ＴＬ８００の判定部８７０は、フィードバック値の変化値の絶対値ΔＦＢが最小変化値Ｄｅｄ以下である場合、今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定する。これにより、測定時に発生する誤差に基づき、目標値が不必要に振動することを回避して、目標値を現状のＰＭ４００内の雰囲気に応じて変化する理想値または理想値に近似した値に維持しておくことができる。これにより、最適化された目標値に基づき、ＰＭ４００につぎに搬入されるウエハＷに精度良くエッチング処理を施すことができる。
なお、ステップ１４０５にて微小変化調整パラメータが無効に設定されている場合、または、ステップ１４１０にてフィードバック値の変化量ΔＦＢの絶対値が最小変化値Ｄｅｄより大きい場合には、フィードバック値の微小変化に対する調整の必要がないので直ちに本処理を終了する。
（最大変化調整処理）
微小変化調整処理終了後に実行される図１６の最大変化調整処理は、ステップ１６００から処理が開始され、判定部８７０は、ステップ１６０５にて最大変化調整パラメータが有効か否かを判定する。最大変化調整パラメータは、オペレータの操作により有効／無効が予め設定されている。最大変化調整パラメータが有効の場合、ステップ１６１０に進んで、判定部８７０は、ΔＦＢ（ＦＢ値の変化量）の絶対値が、予め定められた最大変化値ＭｘＣ以上か否かを判定する。最大変化値ＭｘＣ（第２の閾値に相当）は、ＰＭ４００内を制御するプロセス条件の変化値として許容可能な限界値に基づきフィードバック値の変化値として予測される限界値より大きい値に予め定められている。
ΔＦＢが最大変化値ＭｘＣ以上である場合、判定部８７０は、ステップ１６１５にて、ＭｘＣ更新パラメータが有効か否かを判定する。ＭｘＣ更新パラメータは、オペレータの操作により有効／無効が予め設定されている。ＭｘＣ更新パラメータが有効の場合、ステップ１６２０に進んで、判定部８７０は、ＦＢ値の変化量ΔＦＢが０以上であるか否かを判定する。ＦＢ値の変化量ΔＦＢが０以上の場合、更新部８７５は、ステップ１６２５に進み、前回算出されたＦＢ値に最大変化値ＭｘＣを加算した値を今回のＦＢ値とし、ステップ１６９５にて本処理を終了する。一方、ＦＢ値の変化量ΔＦＢが０より小さい場合、更新部８７５は、ステップ１６３０に進み、前回算出されたＦＢ値から最大変化値ＭｘＣを減算した値を今回のＦＢ値とし、ステップ１６９５にて本処理を終了する。
フィードバック値は、反応生成物がＰＭ４００の内壁に徐々に堆積するなどの理由により、ＰＭ４００内の雰囲気が経時的にゆっくりと変化するのに応じて徐々に変化すると考えられる。このような理由から、たとえば、ＩＭＭ６００による測定誤差や処理中のウエハＷ自体のバラツキにより、フィードバック値の変化値が、突発的に大きな値になる場合、そのフィードバック値には、大きな誤差が包まれると推定され、このような場合にも、今回算出されたフィードバック値により目標値を更新すると、目標値が大きく変動してしまい、目標値が現状のＰＭ４００内の雰囲気に対応した理想値から遠ざかってしまう。
特に、フィードバック値の算出には、過去のフィードバック値よりも最近のフィードバック値を重要視するような重みを与えて指数平滑化する指数重み付き移動平均（ＥＷＭＡ）が用いられるため、突発的に大きく変動したフィードバック値による誤差は、次回以降のフィードバック値の算出に長期的に影響を与えてしまう。
そこで、たとえば、図１７のウエハＮｏ．３に示したように、フィードバック値の変化値ΔＦＢの絶対値が最大変化値ＭｘＣ以上である場合、変化値ΔＦＢが最大変化値ＭｘＣになるように今回のＦＢ値を限定する。これにより、目標値が、理想値から大きくずれることを回避することができる。この結果、最適化された目標値に基づき、ＰＭ４００につぎに搬入されるウエハＷに精度良くエッチング処理を施すことができる。
なお、ステップ１６０５にて最大変化調整パラメータが無効に設定されている場合、または、ステップ１６１０にてフィードバック値の変化量ΔＦＢの絶対値が最大変化値ＭｘＣより小さい場合には、フィードバック値の最大変化に対する調整の必要がないので直ちにステップ１６９５に進んで本処理を終了する。また、ステップ１６１５にてＭｘＣ更新パラメータが無効である場合には、ステップ１６３５にて、判定部８７０は、今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定したことを示すために、判定フラグに「１」をセットし、ステップ１６９５に進んで本処理を終了する。
（限界調整処理）
図１８の限界調整処理は、ステップ１８００から処理が開始され、ステップ１８０５にて判定部８７０は、限界調整パラメータが有効か否かを判定する。限界調整パラメータは、オペレータの操作により有効／無効が予め設定されている。限界調整パラメータが有効の場合、判定部８７０は、ステップ１８１０に進んで、今回のＦＢ値が、予め定められた最大限界値ＭｘＬ以上か否かを判定する。最大限界値ＭｘＬ（第３の閾値に相当）は、ＰＭ４００の性能に応じてＰＭ４００が制御可能な最大限界値より大きい値に予め定められている。
今回のＦＢ値が、最大限界値ＭｘＬ以上である場合、判定部８７０は、ステップ１８１５にて、ＭＬ更新パラメータが有効か否かを判定する。ＭＬ更新パラメータは、オペレータの操作により有効／無効が予め設定されている。ＭＬ更新パラメータが有効の場合、更新部８７５は、ステップ１８２０に進んで、今回のＦＢ値を最大限界値ＭｘＬの値に限定し、ステップ１８９５にて本処理を終了する。一方、ＭＬ更新パラメータが無効である場合、ステップ１８２５に進み、更新部８７５は、今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定したことを示すために、判定フラグに「１」をセットし、ステップ１８９５に進んで本処理を終了する。
一方、今回のＦＢ値が、最大限界値ＭｘＬより小さい場合、判定部８７０は、ステップ１８３０にて、今回のＦＢ値が、予め定められた最小限界値ＭｎＬ以下か否かを判定する。最小限界値ＭｎＬ（第３の閾値に相当）は、ＰＭ４００の性能に応じてＰＭ４００が制御可能な最小限界値より小さい値に予め定められている。今回のＦＢ値が、最小限界値ＭｎＬ以下である場合、判定部８７０は、ステップ１８３５にて、ＭＬ更新パラメータが有効か否かを判定する。ＭＬ更新パラメータが有効の場合、更新部８７５は、ステップ１８４０に進んで、今回のＦＢ値を最小限界値ＭｎＬの値に限定し、ステップ１８９５にて本処理を終了する。一方、ＭＬ更新パラメータが無効である場合、ステップ１８２５に進み、更新部８７５は、今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定したことを示すために、判定フラグに「１」をセットし、ステップ１８９５に進んで本処理を終了する。
今回算出されたフィードバック値の絶対値が、ＰＭ４００の性質上、ＰＭ４００により制御することができる最大限界値より大きい値になっている場合若しくはＰＭ４００により制御することができる最小限界値より小さい値になっている場合、そのフィードバック値は、現状のＰＭ４００内の雰囲気に対応した理想値とかけ離れた値となっていると推測される。たとえば、フィードバック値がＰＭ４００内に投入されるパワーを示す場合、今回のフィードバック値が、ＰＭ４００に投入可能な最大パワーにより実現される値より大きければ、そのフィードバック値には大きな誤差が含まれると推定される。この場合、そのフィードバック値を反映して目標値を更新すると、目標値が現状のＰＭ４００内の雰囲気を反映した理想値から遠ざかる。
そこで、たとえば、図１９のウエハＮｏ．１に示したように、今回のフィードバック値が最小限界値ＭｎＬ以下である場合、今回のＦＢ値を最小限界値ＭｎＬに限定する。これにより、後述するステップ１３２５にて更新される目標値が、理想値から大きくずれることを回避することができる。この結果、最適化された目標値に基づき、ＰＭ４００につぎに搬入されるウエハＷに精度良くエッチング処理を施すことができる。
なお、ステップ１８０５にて限界調整パラメータが無効に設定されている場合、または、ステップ１８３０にて今回のフィードバック値が最小限界値ＭｎＬより大きい場合には、フィードバック値を限界調整する必要がないので直ちに本処理を終了する。
以上に説明した各種調整処理後、図１３のステップ１３２５に進み、更新部８７５は、判定フラグが０か否かを判定する。判定フラグが０の場合、更新部８７５は、ステップ１３３０に進んで、今回のＦＢ値を用いてフィードバック制御の制御値として使用する目標値（本実施形態では、つぎのウエハＷをエッチング処理するときのエッチング量／時間）を算出する。具体的には、更新部８７５は、ＥＷＭＡにより今回のフィードバック値を含むある期間のフィードバック値群に所定の重み付けをしてその平均を取ることにより目標値を算出する。その後、ステップ１３９５にて本処理を終了する。
一方、判定フラグが０でない場合、更新部８７５は、今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定されたと判断し、ステップ１３３５にて今回のＦＢ値を破棄し、目標値を更新せずにそのまま維持する。その後、ステップ１３９５にて本処理を終了する。
以上、本実施形態によれば、フィードバック値の変化値に基づいて、今回のフィードバック値により目標値を更新すべきか否かを判定することにより、目標値が現状のＰＭ４００内の雰囲気に対応した理想値から遠ざかることを回避することができる。この結果、フィードバック値の変化の程度に基づき、フィードフォワード制御時の制御値となる目標値をより精度良く算出することができる。
なお、ＦＢ値調整処理としては、微小変化調整処理、最大変化調整処理のいずれか一方のみを実行してもよい。また、最大変化調整処理を実行することなく微小変化調整処理および限界調整処理のみを実行してもよく、微小変化調整処理を実行することなく最大変化調整処理および限界調整処理のみを実行してもよい。
また、上記実施形態では、フィードバック値の変化値ΔＦＢは、フィードバック値の今回より前に算出されたフィードバック値に対する今回算出されたフィードバック値の差分として求められた。しかし、フィードバック値の変化値ΔＦＢは、これに限られず、フィードバック値の変化の程度を示す値であればよく、たとえば、今回より前に算出されたフィードバック値に対する今回算出されたフィードバック値の比率であってもよい。
また、上記実施形態では、フィードバック値の変化値ΔＦＢとして、前回算出されたフィードバック値に対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出したが、今回より前に算出されたいずれかのフィードバック値に対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出することにより変化値ΔＦＢを求めてもよい。たとえば、変化値ΔＦＢは、目標値に対する今回算出されたフィードバック値の変化値であってもよい。
また、上記実施形態では、ＴＬ８００は、ＰＭ４００ａのみを制御した。しかし、ＴＬ８００は、ＰＭ４００ａ、４００ｂを制御し、ＰＭ４００ａ、４００ｂ毎に目標値をそれぞれ設け、ＰＭ４００ａ、４００ｂ毎に今回算出されたフィードバック値により各目標値を更新するか否かを判定し、前記判定の結果定められた各目標値に基づいて各ＰＭ４００ａ、４００ｂにそれぞれ搬入されたウエハＷをそれぞれフィードフォワード制御することができる。
また、通信部８５５により受信される測定情報は、ウエハＷのクリティカルディメンジョン（ＣＤ）に限られず、エッチングレートや成膜速度であってもよい。
また、所定の目標値は、プロセス条件となるパラメータであればよく、その一例としては、基板の処理時間、圧力、パワー、上記基板処理装置の所定位置の温度、複数種類のガスの混合比、ガスの流量が挙げられる。
（エリアＱ内における各装置の配置の変形例１）
また、工場内の所定エリアＱにおける各装置の配置は、図２に示した配置に限られず、たとえば、図２０に示した配置であってもよい。図２０では、エリアＱには、カセットチャンバ（Ｃ／Ｃ）４００ｕ１、４００ｕ２、トランスファチャンバ（Ｔ／Ｃ）４００ｕ３、プリアライメント（Ｐ／Ａ）４００ｕ４、プロセスチャンバ（Ｐ／Ｃ）（＝ＰＭ）４００ｕ５、４００ｕ６が配置されている。
カセットチャンバ４００ｕ１、４００ｕ２には、処理前の製品基板（ウエハＷ）および処理済の製品基板が収容されるとともに、ダミー処理用の非製品基板が、カセットの最下段にたとえば３枚収容されている。プリアライメント４００ｕ４は、ウエハＷの位置決めを行う。
トランスファチャンバ４００ｕ３には、屈伸および旋回可能な多関節状のアーム４００ｕ３１が設けられている。アーム４００ｕ３１は、アーム４００ｕ３１の先端に設けられたフォーク４００ｕ３２上にウエハＷを保持し、適宜屈伸および旋回しながらカセットチャンバ４００ｕ１、４００ｕ２とプリアライメント４００ｕ４とプロセスチャンバ４００ｕ５、４００ｕ６との間でウエハＷを搬送するようになっている。
このような配置の各装置を制御する場合においても、図示しないＩＭＭにより測定された測定情報に基づいて、ＦＢ値調整処理を含んだフィードバック制御およびフィードフォワード制御が実行される。
（エリアＱ内における各装置の配置の変形例２）
さらに、工場内の所定エリアＱにおける各装置の配置は、たとえば、図２１に示した配置であってもよい。所定エリアＱ内には、ウエハＷを搬送する搬送システムＨとウエハＷに対して成膜処理またはエッチング処理等の基板処理を行う処理システムＳとが配置されている。搬送システムＨと処理システムＳとは、ロードロック室（ＬＬＭ：Load Lock Module）４００ｔ１、４００ｔ２を介して連結されている。
搬送システムＨは、カセットステージ４００Ｈ１と搬送ステージ４００Ｈ２とを有している。カセットステージ４００Ｈ１には、容器載置台Ｈ１ａが設けられていて、容器載置台Ｈ１ａには、４つのカセット容器Ｈ１ｂ１〜Ｈ１ｂ４が載置されている。各カセット容器Ｈ１ｂは、処理前の製品基板（ウエハＷ）、処理済の製品基板およびダミー処理用の非製品基板を多段に収容することができる。
搬送ステージ４２０には、屈伸および旋回可能な２本の搬送アームＨ２ａ１、Ｈ２ａ２が、磁気駆動によりスライド移動するように支持されている。搬送アームＨ２ａ１、Ｈ２ａ２は、先端に取り付けられたフォーク上にウエハＷを保持するようになっている。
搬送ステージ４００Ｈ２の一端には、ウエハＷの位置決めを行う位置合わせ機構Ｈ２ｂが設けられている。位置合わせ機構Ｈ２ｂは、ウエハＷを載置した状態で回転台Ｈ２ｂ１を回転させながら、光学センサＨ２ｂ２によりウエハＷの周縁部の状態を検出することにより、ウエハＷの位置を合わせるようになっている。
ロードロック室４００ｔ１、４００ｔ２には、その内部にてウエハＷを載置する載置台がそれぞれ設けられているとともに、その両端にて気密に開閉可能なゲートバルブｔ１ａ、ｔ１ｂ、ｔ１ｃ、ｔ１ｄがそれぞれ設けられている。かかる構成により、搬送システムＨは、カセット容器Ｈ１ｂ１〜Ｈ１ｂ３とロードロック室４００ｔ１、４００ｔ２と位置合わせ機構Ｈ２ｂとの間でウエハＷを搬送するようになっている。
処理システムＳには、トランスファチャンバ（Ｔ／Ｃ）４００ｔ３および６つのプロセスチャンバ（Ｐ／Ｃ）４００ｓ１〜４００ｓ６（＝ＰＭ１〜ＰＭ６）が設けられている。トランスファチャンバ４００ｔ３は、気密に開閉可能なゲートバルブｓ１ａ〜ｓ１ｆを介してプロセスチャンバ４００ｓ１〜４００ｓ６とそれぞれ接合されている。トランスファチャンバ４００ｔ３には、屈伸および旋回可能なアームＳａが設けられている。
かかる構成により、処理システムは、アームＳａを用いてウエハＷをロードロック室４００ｔ１、４００ｔ２からトランスファチャンバ４００ｔ３を経由してプロセスチャンバ４００ｓ１〜４００ｓ６に搬入し、ウエハＷに対してエッチング処理などのプロセスが施された後、再び、トランスファチャンバ４００ｔ３を経由してロードロック室４００ｔ１、４００ｔ２へ搬出するようになっている。
このような配置の各装置を制御する場合においても、上述したように図示しないＩＭＭにより測定された測定情報に基づいて、ＦＢ値調整処理を含んだフィードバック制御およびフィードフォワード制御が実行される。
（ＰＭの内部構成の変形例）
さらに、ＰＭの内部構成の変形例として、たとえば、図２２の縦断面図に示したように、ＰＭ４００は構成されていてもよい。
図２２のＰＭ４００は、気密に構成された略円筒状の処理容器ＣＰを備えており、処理容器ＣＰの内部には、前述したようにウエハＷを載置するサセプタ１４００が設けられている。処理容器ＣＰ内には、ウエハＷを処理する処理室Ｕが形成されている。サセプタ１４００の内部には、ステージヒータ１４００ａおよび下部電極１４００ｂが埋め込まれている。ステージヒータ１４００ａには、処理容器ＣＰの外部に設けられた交流電源１４０５が接続されていて、交流電源１４０５から出力された交流電圧によりウエハＷを所定の温度に保持するようになっている。サセプタ１４００の外縁部には、ウエハＷをガイドするとともにプラズマをフォーカシングするガイドリング１４１０が設けられている。サセプタ１４００は、円筒状の支持部材１４１５により支持されている。
処理容器ＣＰの天井部には、絶縁部材１４２０を介してシャワーヘッド１４２５が設けられている。シャワーヘッド１４２５は、上段ブロック体１４２５ａ、中段ブロック体１４２５ｂおよび下段ブロック体１４２５ｃから構成されている。各ブロック体１４２５ａ、１４２５ｂ、１４２５ｃに形成された２系統のガス通路は、下段ブロック１４２５ｃに交互に形成された噴射孔Ａおよび噴射孔Ｂとそれぞれ連通している。
ガス供給機構１４３０は、各種ガスを選択的に処理容器ＣＰ内に供給する。すなわち、ガス供給機構１４３０は、所定のガスを選択的にガスライン１４３５ａに通し、噴射孔Ａから処理容器ＣＰ内に供給する。また、ガス供給機構１４３０は、所定のガスを選択的にガスライン１４３５ｂに通し、噴射孔Ｂから処理容器ＣＰ内に供給する。
シャワーヘッド１４２５には、整合器１４４０を介して高周波電源１４４５が接続されている。一方、シャワーヘッド１４２５の対向電極としてサセプタ１４００内部に設けられた下部電極１４００ｂには、整合器１４５５を介して高周波電極１４６０が接続されていて、高周波電源１４６０から出力された高周波電力により下部電極１４００ａに所定のバイアス電圧を印加するようになっている。処理容器ＣＰ内は、排気管１４６５に連通する図示しない排気機構により所定の真空度に保持されるようになっている。
かかる構成により、ガス供給機構１４３０からシャワーヘッド１４２５を介して処理容器ＣＰに噴射されたガスは、高周波電源１４４５からシャワーヘッド１４２５に供給された高周波電力によりプラズマ化され、そのプラズマによりウエハＷに所望の薄膜が形成される。
以上に説明した変形例１，２にかかる各装置の配置および変形例にかかるＰＭ４００の内部構成によっても、フィードバック値の変化値に基づいて、今回のフィードバック値により目標値を更新すべきか否かを判定することにより、目標値が現状のＰＭ４００内の雰囲気に対応した理想値から遠ざかることを回避することができる。この結果、フィードバック値の変化の程度に基づき、フィードフォワード制御時の制御値となる目標値をより精度良く算出することができる。
上記実施形態において、各部の動作はお互いに関連しており、互いの関連を考慮しながら、一連の動作として置き換えることができ、これにより、基板処理装置の制御装置の実施形態を、基板処理装置の制御方法の実施形態とすることができる。また、上記各部の動作を、各部の処理と置き換えることにより、基板処理装置の制御方法の実施形態を、基板処理装置の制御プログラムの実施形態とすることができる。また、基板処理装置の制御プログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶させることにより、基板処理装置の制御プログラムの実施形態をプログラムに記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の実施形態とすることができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
たとえば、本発明にかかる基板処理装置は、マイクロ波プラズマ基板処理装置、誘導結合型プラズマ基板処理装置および容量結合型プラズマ基板処理装置のいずれであってもよい。
また、本発明にかかる基板処理装置では、成膜処理に限られず、熱拡散処理、エッチング処理、アッシング処理、スパッタリング処理等のあらゆる基板処理が実行可能である。
本発明にかかる制御装置は、ＴＬ８００のみにより具現化されてもよいし、ＴＬ８００とＥＣ２００とＭＣ３００とから具現化されていてもよい。
本発明の一実施形態にかかる基板処理システムを示す図である。 同実施形態にかかる工場エリアＱ内の各装置の配置図である。 同実施形態にかかるＰＭの縦断面を模式的に示した図である。 同実施形態にかかるＴＬ等のハードウエア構成図である。 同実施形態にかかるＴＬの機能構成図である。 記憶部に保存されているデータの一部を例示した図である。 プロセスレシピに含まれるデータの一部を例示した図である。 ウエハＷの搬送ルートを段階的に示した図である。 ウエハＷの搬送ルートを段階的に示した図である。 ウエハＷの搬送ルートを段階的に示した図である。 ウエハＷの搬送ルートを段階的に示した図である。 ウエハＷの搬送ルートを段階的に示した図である。 ポリシリコンにより形成されたゲート電極のトリミング処理を段階的に示した図である。 ポリシリコンにより形成されたゲート電極のトリミング処理を段階的に示した図である。 ポリシリコンにより形成されたゲート電極のトリミング処理を段階的に示した図である。 ポリシリコンにより形成されたゲート電極のトリミング処理を段階的に示した図である。 ポリシリコンにより形成されたゲート電極のトリミング処理を段階的に示した図である。 ポリシリコンにより形成されたゲート電極のトリミング処理を段階的に示した図である。 ポリシリコンにより形成されたゲート電極のトリミング処理を段階的に示した図である。 同実施形態にて実行される測定情報蓄積処理ルーチンを示したフローチャートである。 同実施形態にて実行されるＦＦ／ＦＢ制御処理ルーチンを示したフローチャートである。 同実施形態にて実行されるＦＢ制御処理ルーチンを示したフローチャートである。 同実施形態にて実行されるＦＢ値調整処理ルーチンを示したフローチャートである。 ＦＢ値調整処理ルーチンにて呼び出される微小変化調整処理ルーチンを示したフローチャートである。 微小変化調整処理による目標値の推移を説明するための図である。 ＦＢ値調整処理ルーチンにて呼び出される最大変化調整処理ルーチンを示したフローチャートである。 最大変化調整処理による目標値の推移を説明するための図である。 ＦＢ値調整処理ルーチンにて呼び出される限界調整処理ルーチンを示したフローチャートである。 限界調整処理による目標値の推移を説明するための図である。 工場エリアＱ内の各装置の配置図の他の一例である。 工場エリアＱ内の各装置の配置図の他の一例である。 ＰＭの他の内部構成の縦断面を模式的に示した図である。
符号の説明
１００ ホストコンピュータ
２００ ＥＣ
３００、３００ａ〜３００ｅ ＭＣ
４００、４００ａ、４００ｂ ＰＭ
６００ ＩＭＭ
６０５ 光学部
７００ 管理サーバ
８００ ＴＬ
８５０ 記憶部
８５５ 通信部
８６０ データベース
８６５ 演算部
８７０ 判定部
８７５ 更新部
８８０ プロセス実行制御部
Ｄｅｄ 最小変化値
ＭｘＣ 最大変化値
ＭｘＬ 最大限界値
ＭｎＬ 最小限界値

Claims (14)

  1. 基板に所定の処理を施す基板処理装置を制御する制御装置であって、
    基板に前記所定の処理を施すときの制御値となる所定の目標値を記憶する記憶部と、
    前記基板処理装置により処理される基板の処理状態を測定器に測定させ、測定させた情報を受信する通信部と、
    前記通信部により受信された測定情報のうち、今回処理する基板の処理前および処理後の測定情報に基づいて今回処理された基板の処理状態に応じたフィードバック値を算出し、今回より前に算出されたフィードバック値のいずれかに対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出する演算部と、
    前記演算部により算出されたフィードバック値の変化値と所与の閾値とを比較することにより、前記今回算出されたフィードバック値を破棄するか否かを判定する判定部と、
    前記判定部により破棄しないと判定された場合、前記今回算出されたフィードバック値を用いて前記記憶部に記憶された目標値を更新する更新部とを備える基板処理装置の制御装置。
  2. 前記所与の閾値は、第１の閾値を含み、
    前記第１の閾値は、前記測定器の性能に応じて前記測定器が測定可能な限界値より小さい値に予め定められ、
    前記判定部は、
    前記フィードバック値の変化値の絶対値が前記第１の閾値以下である場合、前記今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定し、
    前記更新部は、
    前記今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定された場合、前記目標値を更新せずにそのまま維持する請求項１に記載された基板処理装置の制御装置。
  3. 前記所与の閾値は、第２の閾値を含み、
    前記第２の閾値は、前記基板処理装置内を制御するプロセス条件の変化値として許容可能な限界値に基づき前記フィードバック値の変化値として予測される限界値より大きい値に予め定められ、
    前記判定部は、
    前記フィードバック値の変化値の絶対値が前記第２の閾値以上である場合、前記今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定し、
    前記更新部は、
    前記今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定された場合、前記目標値を更新せずにそのまま維持するか、または前記目標値を前記第２の閾値に応じて更新する請求項１または請求項２のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
  4. 前記所与の閾値は、第３の閾値を含み、
    前記第３の閾値は、前記基板処理装置の性能に応じて前記基板処理装置が制御可能な限界値より大きい値に予め定められ、
    前記判定部は、
    前記今回算出されたフィードバック値が前記第３の閾値以上である場合、前記今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定し、
    前記更新部は、
    前記今回算出されたフィードバック値を破棄すると判定された場合、前記目標値を更新せずにそのまま維持するかまたは前記目標値を前記第３の閾値に応じて更新する請求項２または請求項３のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
  5. 基板に前記所定の処理を施す際、前記記憶部に記憶された目標値に基づき前記基板処理装置に搬入された基板をフィードフォワード制御するプロセス実行制御部をさらに備える請求項１〜４のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
  6. 前記制御装置は、前記基板処理装置を複数制御し、
    基板処理装置毎に前記目標値をそれぞれ設け、基板処理装置毎に前記今回算出されたフィードバック値により各目標値を更新するか否かを判定し、前記判定の結果定められた各目標値に基づいて各基板処理装置にそれぞれ搬入された基板をそれぞれフィードフォワード制御する請求項５に記載された基板処理装置の制御装置。
  7. 前記演算部は、前回算出されたフィードバック値に対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出する請求項１〜６のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
  8. 前記演算部は、前記目標値に対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出する請求項１〜６のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
  9. 前記受信される測定情報は、基板のクリティカルディメンジョン（ＣＤ）、エッチングレート、成膜速度の少なくともいずれかを算出するための情報である請求項１〜８のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置
  10. 前記目標値は、プロセス条件となるパラメータである請求項１〜９のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
  11. 前記プロセス条件となるパラメータは、
    基板の処理時間、圧力、パワー、前記基板処理装置の所定位置の温度、複数種類のガスの混合比、ガスの流量の少なくともいずれかである請求項１０に記載された基板処理装置の制御装置。
  12. 前記所定の処理は、エッチング処理である請求項１〜１１のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
  13. 基板に所定の処理を施す基板処理装置を制御する制御方法であって、
    基板に前記所定の処理を施すときの制御値となる所定の目標値を記憶部に記憶し、
    前記基板処理装置により処理された基板の処理状態を測定器に測定させ、測定させた情報を受信し、
    前記受信された測定情報のうち、今回処理する基板の処理前および処理後の測定情報に基づいて今回処理された基板の処理状態に応じたフィードバック値を算出し、今回より前に算出されたフィードバック値のいずれかに対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出し、
    前記算出されたフィードバック値の変化値と所与の閾値とを比較することにより、前記今回算出されたフィードバック値を破棄するか否かを判定し、
    前記破棄しないと判定された場合、前記今回算出されたフィードバック値により前記記憶部に記憶された目標値を更新する基板処理装置の制御方法。
  14. 基板に所定の処理を施す基板処理装置の制御をコンピュータに実行させる制御プログラムを記憶した記憶媒体であって、
    基板に前記所定の処理を施すときの制御値となる所定の目標値を記憶部に記憶する処理と、
    前記基板処理装置により処理された基板の処理状態を測定器に測定させ、測定させた情報を受信する処理と、
    前記受信された測定情報のうち、今回処理する基板の処理前および処理後の測定情報に基づいて今回処理された基板の処理状態に応じたフィードバック値を算出し、今回より前に算出されたフィードバック値のいずれかに対する今回算出されたフィードバック値の変化値を算出する処理と、
    前記算出されたフィードバック値の変化値と所与の閾値とを比較することにより、前記今回算出されたフィードバック値を破棄するか否かを判定する処理と、
    前記破棄しないと判定された場合、前記今回算出されたフィードバック値により前記記憶部に記憶された目標値を更新する処理とをコンピュータに実行させる基板処理装置の制御プログラムを記憶した記憶媒体。
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