JP5279627B2

JP5279627B2 - 基板処理方法及び記憶媒体

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Description

本発明は、基板処理方法及び記憶媒体に関し、特に、フィードフォワード制御及びフィードバック制御によって処理の適正を図る基板処理方法に関する。

基板処理装置を用いて複数の基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）に連続して所定の処理を施す際、処理容器（以下、「チャンバ」という。）内で、処理中に生成される反応生成物がチャンバの内壁面に徐々に付着するなどの理由により、チャンバ内の雰囲気が徐々に変化する。従って、チャンバ内雰囲気の変化に対応しながら精度良く基板処理を実行するために、フィードフォワード（ＦＦ）制御及びフィードバック（ＦＢ）制御が採用されている（例えば特許文献１参照）。

ところで、ウエハに形成された開口部の開口幅を所定値に整えるシュリンク処理におけるフィードフォワード制御は、予め処理前のウエハについて、ウエハの物性値として開口部の開口幅（以下、ＣＤ（ＣｒｉｔｉｃａｌＤｉｍｅｎｓｉｏｎ）値という。）を測定し、ＣＤ値を目標値にするための処理条件を求め、当該処理条件（フィードフォワード条件）でシュリンク処理が行われる。例えば、処理前のＣＤ値が５０ｎｍであり、目標値が２５ｎｍであれば、目標値と処理前実測値との差が２５ｎｍである。従って、シュリンク量が２５ｎｍとなるような条件でシュリンク処理が行われる。

一方、フィードバック制御では、処理後のウエハのＣＤ値を測定器によって測定し、得られた測定値と目標値との差を求め、この差に基づいて当該シュリンク処理におけるシュリンク量が目標とするシュリンク量からどれだけずれていたかを求め、このずれ量に基づいてフィードバック制御のオフセット値を算出し、算出したオフセット値を用い、次に処理するウエハについて予め測定したＣＤ値に基づいて決定したフィードフォワード条件を修正し、修正後のフィードフォワード条件に従って次に処理するウエハについて所定のシュリンク処理が施される。

例えば、処理後のウエハについて測定したＣＤ値が２７ｎｍであり、目標値である２５ｎｍとの差が２ｎｍである場合であって、次に処理するウエハの処理前ＣＤ値が７０ｎｍであり、当該シュリンク処理におけるフィードフォワード処理における目標シュリンク量が４５ｎｍである場合、このシュリンク量を、先の処理における目標値２５ｎｍと、処理後のＣＤ値である２７ｎｍとの差である２ｎｍで修正し、修正後の（４５＋２）ｎｍを目標シュリンク量として次のウエハに対してシュリンク処理を行う。これによって、基板処理装置内の雰囲気の変化等に起因する誤差をなくして処理の最適化を図ることができる。

ところで、フィードフォワード制御及びフィードバック制御に適用される基板処理装置は、基板処理の効率を高めるために、所定の処理を施すチャンバを備えたプロセスモジュール（ＰＭ）が複数設けられているが、ウエハの物性を測定する測定器は通常１基だけしか設けられていない。

このような基板処理装置において、複数連続処理されるウエハについてそれぞれ処理前後に、ウエハの物性値として、例えばＣＤ値を測定するような制御をしたのでは、測定器によるＣＤ値測定回数がＰＭ数×２（回）となって、被処理ウエハ数に対するＣＤ値測定回数が多くなり過ぎ、これによって、測定器によるＣＤ値測定速度がウエハ処理速度の律速となり、処理の効率化を図ることができないという問題がある。

そこで、全てのウエハに対して処理前後に物性値であるＣＤ値を測定することなく、ＣＤ測定回数を減少する工夫がなされている。すなわち、ウエハのＣＤ値を整えるシュリンク処理においては、処理前のＣＤ値を知ることは必須条件であるために、処理前のＣＤ値測定によるフィードフォワード測定（以下、「ＦＦ測定」という。）を省略することはできないが、フィードバックするオフセット値は、チャンバ内の状態が変化しなければ一定と考えられる。そして、チャンバ内の雰囲気は、処理時間の経過に伴って除々に変化するものである。従って、フィードバック制御のオフセット値は、チャンバ内状態が変化しない限り同一の値を用いるようにして更新を省略することができる。

すなわち、複数のウエハを連続的に処理する場合、ある一定枚数のウエハに対し、予め処理後にＣＤ値を測定するウエハを決定しておき、それ以外のウエハに対しては処理後のＣＤ値測定（以下、「ＦＢ測定」という。）を省略し、一定期間フィードバック制御のオフセット値を更新しないで同一のフィードバックオフセット値を使用する運用が可能である。

図１１は、このような従来技術におけるフィードフォワード制御及びフィードバック制御を行う際のＦＦ測定及びＦＢ測定の対象となるウエハを示す説明図である。図１１において、１ロット２５枚のウエハＷに対し、２５枚全てについてＦＦ測定を行い、予め指定した、例えば１枚目、８枚目、１６枚目、２０枚目、２２枚目及び２４枚目の合計６枚のウエハＷについてＦＢ測定を行うというフィードフォワード制御及びフィードバック制御が行われる。

特開２００４−２０７７０３号公報

しかしながら、このようなフィードフォワード制御とフィードバック制御を組み合わせた制御には、以下のような問題がある。

すなわち、ユーザが全てのウエハについて、処理するチャンバ、搬送経路等を予め指定するシリアル搬送処理においては、各ウエハが指定されたチャンバで処理されるときの当該チャンバにおける経過処理時間を事前に見積もることができるため、どのウエハをＦＢ測定の対象とすべきかが明確であり、特に問題が発生することはないと考えられる。一方、どのチャンバを適用するかについて、予めユーザが決定することをせず、ウエハの処理毎に基板処理装置が、処理を行っていない空きチャンバを検出し、順次空きチャンバを使用して複数のウエハに対して所定の処理、例えばＣＤ値のシュリンク処理を施すＯＲ搬送処理においては、各ウエハがどのチャンバ内で処理されるかが明確でない。従って、ＦＢ測定の対象となるウエハがどのチャンバで処理されるかが予測できないので全てのチャンバについて均等なフィードバック制御を行うことができず、チャンバ内雰囲気の変化の影響を小さくすることができないという問題がある。

本発明の目的は、チャンバを事前に指定することなく処理を行った場合にも、全てのウエハの処理後の物性値を測定することなく、各ウエハに対して適正な処理を施すことができる基板処理方法及びこの基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納した記憶媒体を提供することにある。

上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理方法は、ウエハに所定の処理を施す複数のチャンバと、前記ウエハのＣＤ値を測定する測定器とを備えた基板処理装置を用いて前記チャンバを事前に指定することなく複数のウエハに対して前記所定の処理を連続して施す基板処理方法において、前記ウエハを前記測定器に搬入して前記ウエハの処理前のＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、前記処理前測定ステップで得られたＣＤ値に基づいて前記ウエハに対して施されるシュリンク処理の処理条件をフィードフォワード制御によって作成する際に用いられるオフセット値を作成するオフセット値作成ステップと、前記ＣＤ値の測定後のウエハを前記チャンバに搬入し、前記ウエハに対して前記シュリンク処理を前記作成された処理条件に従って施す処理ステップと、前記処理ステップ終了後のウエハを前記測定器に搬入して前記ウエハの処理後のＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、前記処理後測定ステップで測定された前記ウエハのＣＤ値及び目標値の差に基づいて、前記オフセット値を更新するオフセット値更新ステップと、を有し、前記処理後測定ステップ及び前記オフセット値更新ステップを、各前記チャンバにおけるＲＦ印加累積時間が予め決められた所定値に到達するまで省略し、前記オフセット値は、各前記チャンバの過去所定期間内において実行された複数の前記処理後測定ステップで測定された前記ウエハのＣＤ値及び目標値のずれ量を、ＲＦ印加累積時間に従って変化させた重み付け係数を用いて移動平均した値であることを特徴とする。

請求項２記載の基板処理方法は、請求項１記載の基板処理方法において、前記処理後測定ステップを実行するか否かを判定する判定ステップをさらに有し、前記判定ステップでは、現在のＲＦ印加累積時間から前回オフセット値を更新した時のＲＦ印加累積時間を差し引いた差が所定のＲＦ印加積算時間を超えている場合、現在の実時間から前回オフセット値を更新した時の実時間を差し引いた差が所定の時間を超えている場合、及び処理対象の前記ウエハの容器におけるスロット番号が、前記処理後測定ステップを実行する旨の設定がなされている前記ウエハの容器におけるスロット番号と一致する場合のうちいずれかの条件を満たすときに、前記処理後測定ステップを実行すると判定することを特徴とする。

上記目的を達成するために、請求項８記載の記憶媒体は、ウエハに所定の処理を施す複数のチャンバと、前記ウエハのＣＤ値を測定する測定器とを備えた基板処理装置を用いて前記チャンバを事前に指定することなく複数のウエハに対して前記所定の処理を連続して施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納した記憶媒体であって、前記基板処理方法は、前記ウエハを前記測定器に搬入して前記ウエハの処理前のＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、前記処理前測定ステップで得られたＣＤ値に基づいて前記ウエハに対して施されるシュリンク処理の処理条件をフィードフォワード制御によって作成する際に用いられるオフセット値を作成するオフセット値作成ステップと、前記ＣＤ値の測定後のウエハを前記チャンバに搬入し、前記ウエハに対して前記シュリンク処理を前記作成された処理条件に従って施す処理ステップと、前記処理ステップ終了後のウエハを前記測定器に搬入して前記ウエハの処理後のＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、前記処理後測定ステップで測定された前記ウエハのＣＤ値及び目標値の差に基づいて、前記オフセット値を更新するオフセット値更新ステップと、を有し、前記処理後測定ステップ及び前記オフセット値更新ステップを、各前記チャンバにおけるＲＦ印加累積時間が予め決められた所定値に到達するまで省略し、前記オフセット値は、各前記チャンバの過去所定期間内において実行された複数の前記処理後測定ステップで測定された前記ウエハのＣＤ値及び目標値のずれ量を、ＲＦ印加累積時間に従って変化させた重み付け係数を用いて移動平均した値であることを特徴とする。

本発明によれば、処理前のウエハのＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、処理前のＣＤ値に基づいてウエハに対して施されるシュリンク処理の処理条件をフィードフォワード制御によって作成する際に用いられるオフセット値を作成するオフセット値作成ステップと、ウエハに対してシュリンク処理を作成された処理条件に従って施す処理ステップと、処理後のウエハのＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、処理後のＣＤ値及び目標値の差に基づいて、オフセット値を更新するオフセット値更新ステップと、を有する基板処理方法において、処理後測定ステップ及びオフセット値更新ステップを、各チャンバにおけるＲＦ印加累積時間が予め決められた所定値に到達するまで省略するので、チャンバにおけるＲＦ印加累積時間が予め決められた所定値に到達した後にオフセット値が更新される。その結果、チャンバを事前に指定することなく処理を行った場合にも、全てのウエハのＣＤ値を測定することなく各ウエハに対して適正な処理を施すことができる。
また、本発明によれば、オフセット値は、各チャンバの過去所定期間内において実行された複数の処理後測定ステップで測定されたウエハのＣＤ値及び目標値とのずれ量を重み付け係数を用いて移動平均した値であるので、複数の処理後測定ステップで測定されたＣＤ値におけるばらつきを吸収してオフセット値を最適化することができる。さらに、重み付け係数をＲＦ印加累積時間に従って変化させるので、チャンバ内の雰囲気変化に追従したオフセット値に基づいて処理条件を変更して適正なシュリンク処理を実施することができる。

本実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理装置の構成を概略的に示す平面図である。図１における線II−IIに沿う断面図である。図１における測定器の構成を示す模式図である。システムコントローラの概略構成を示す図である。本発明の基板処理方法に適用される半導体ウエハの構成を概略的に示す断面図である。基板処理装置のシステムコントローラによって実行される基板処理方法の手順を示すフローチャートである。ウエハＷに対するシュリンク処理の工程図である。シュリンク処理を施したウエハＷについて測定したシュリンク量誤差に時間の経過に従って重み付けを行う際の処理枚数に対する重み付け係数の変化を示すグラフである。本実施の形態におけるシュリンク量誤差に対する重み付け係数とウエハを処理した際の経過時間（ＲＦ累積時間）との関係を示すグラフである。本実施の形態と従来方法との効果を比較して示す図である。従来技術におけるフィードフォワード制御及びフィードバック制御を行う際のＦＦ測定及びＦＢ測定の対象となるウエハを示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１は、本実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理装置の概略構成を示す平面図である。この基板処理装置は基板としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）にプラズマを用いたエッチング処理を施すように構成された複数のプロセスモジュールを備える。

図１において、基板処理装置１０は、被処理基板としてのウエハＷにＲＩＥ(Reaction Ion Etching)処理を施す２つのプロセスシップ１１と、２つのプロセスシップ１１がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としての大気搬送室（以下、「ローダーモジュール」という。）１３とを備える。

ローダーモジュール１３には、上述したプロセスシップ１１の他、例えば２５枚のウエハＷを収容する基板収納容器としてのフープ１４がそれぞれ載置される３つのフープ載置台１５と、フープ１４から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ１６と、処理前後のウエハＷについて物性値、例えばＣＤ値を測定する測定器１７とが接続されている。

２つのプロセスシップ１１は、ローダーモジュール１３の長手方向における側壁に接続されると共にローダーモジュール１３を挟んで３つのフープ載置台１５と対向するように配置され、オリエンタ１６はローダーモジュール１３の長手方向に関する一端に配置され、測定器１７はローダーモジュール１３の長手方向に関する他端に配置される。

ローダーモジュール１３は、内部に配置された、ウエハＷを搬送する基板搬送ユニットとしてのスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構１９と、各フープ載置台１５に対応するように側壁に配置されたウエハＷの投入口である３つのフープ接続口としてのロードポート２０とを有する。ロードポート２０には、それぞれ開閉扉が設けられている。搬送アーム機構１９は、フープ載置台１５に載置されたフープ１４からウエハＷをロードポート２０経由で取り出し、該取り出したウエハＷをプロセスシップ１１、オリエンタ１６や測定器１７へ搬出入する。

プロセスシップ１１は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施すプロセスモジュール２５と、該プロセスモジュール２５にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの搬送アーム２６を内蔵するロード・ロックモジュール２７とを有する。

プロセスシップ１１では、ローダーモジュール１３の内部の圧力は大気圧に維持される一方、プロセスモジュール２５の内部圧力は真空に維持される。そのため、ロード・ロックモジュール２７は、プロセスモジュール２５との連結部に真空ゲートバルブ２９を備えると共に、ローダーモジュール１３との連結部に大気ゲートバルブ３０を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。

ロード・ロックモジュール２７の内部には、略中央部に搬送アーム２６が設置され、該搬送アーム２６よりプロセスモジュール２５側に第１のバッファ３１が設置され、搬送アーム２６よりローダーモジュール１３側には第２のバッファ３２が設置される。第１のバッファ３１及び第２のバッファ３２は、搬送アーム２６の先端部に配置されたウエハＷを支持する支持部（ピック）３３が移動する軌道上に配置され、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷを一時的に支持部３３の軌道の上方に待避させることにより、ＲＩＥ未処理のウエハＷとＲＩＥ処理済みのウエハＷとのプロセスモジュール２５における円滑な入れ換えを可能とする。

また、基板処理装置１０は、プロセスシップ１１、ローダーモジュール１３、オリエンタ１６及び測定器１７（以下、まとめて「各構成要素」という。）の動作を制御するシステムコントローラ（図示省略）を備える。オリエンタ１６は、ウエハを載置した状態で回転台を回転させながら、光学センサによりウエハの周縁部の状態を検出することにより、ウエハの位置を合わせるようになっている。システムコントローラは、ＲＩＥ処理やウエハＷの搬送処理に対応するプログラムとしてのレシピに応じて各構成要素の動作を制御する。

図２は、図１における線II−IIに沿う断面図である。

図２において、プロセスモジュール２５は、チャンバ５２と、該チャンバ５２内に配置されたウエハＷの載置台５３と、チャンバ５２の上方において載置台５３と対向するように配置されたシャワーヘッド５４と、チャンバ５２内のガス等を排気するＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）５５と、チャンバ５２及びＴＭＰ５５の間に配置され、チャンバ５２内の圧力を制御する可変式バタフライバルブとしてのＡＰＣ（Adaptive Pressure Control）バルブ５６とを有する。

載置台５３には、第１の高周波電源５７が第１の整合器（Matcher）５８を介して接続されており、また、第２の高周波電源６５が第２の整合器（Matcher）６６を介して接続されている。第１の高周波電源５７は、比較的高い周波数、例えば６０ＭＨｚの高周波電力を励起用電力として載置台５３に印加し、第２の高周波電源６５は、比較的低い周波数、例えば２ＭＨｚの高周波電力をバイアスとして載置台５３に印加する。整合器５８及び６６は、それぞれ載置台５３からの高周波電力の反射を低減して高周波電力の供給効率を最大にする。

シャワーヘッド５４は円板状の下層ガス供給部５９及び円板状の上層ガス供給部６０からなり、下層ガス供給部５９に上層ガス供給部６０が重ねられている。下層ガス供給部５９及び上層ガス供給部６０はそれぞれ第１のバッファ室６１及び第２のバッファ室６２を有する。第１のバッファ室６１及び第２のバッファ室６２はそれぞれガス通気孔６３、６４を介してチャンバ５２内に連通する。

第１のバッファ室６１は、例えばＣＨＦ_３ガス供給系（図示省略）に接続されている。該ＣＨＦ_３ガス供給系は第１のバッファ室６１へＣＨＦ_３ガスを供給する。供給されたＣＨＦ_３ガスはガス通気孔６３を介してチャンバ５２内へ供給される。また、第２のバッファ室６２は、例えばＣＦ_４ガス供給系（図示省略）に接続されている。ＣＦ_４ガス供給系は第２のバッファ室６２へＣＦ_４ガスを供給する。供給されたＣＦ_４ガスはガス通気孔６４を介してチャンバ５２内へ供給される。シャワーヘッド５４には直流電源７５が接続されており、該直流電源７５によってシャワーヘッド５４に直流電圧が印加される。これにより、印加された直流電圧は、処理空間Ｓ内のイオン分布を制御する。

このプロセスモジュール２５のチャンバ５２内では、載置台５３が処理空間Ｓに高周波電力を印加することにより、シャワーヘッド５４から処理空間Ｓに供給された処理ガスを高密度のプラズマにしてイオンやラジカルを発生させ、該イオンやラジカルによってウエハＷにエッチング処理を施す。

また、図３は、図１における測定器１７の構成を示す模式図である。図３において、測定器（ＩＭＭ（Integrated Metrology Module））は、光学部としての発光器１７ａ、偏光子１７ｂ、検光子１７ｃおよび受光器１７ｄを有している。

発光器１７ａは、例えば白色光をウエハＷに向けて出力し、偏光子１７ｂは、出力された白色光を直線偏光に変換した後、ステージＳＴに載置されたウエハＷに照射する。検光子１７ｃは、ウエハＷを反射した楕円偏光のうち、特定の偏向角度をもつ偏向のみを透過させる。受光器１７ｄは、たとえば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラ等から構成され、検光子１７ｃを透過した偏光を受光し、受光した偏光を電気信号に変換し、変換した電気信号をマシンコントローラ（ＭＣ）に出力する。マシンコントローラに出力された電気信号は、装置コントローラを介してプロセス調整コントローラに送信される。これによって、ウエハＷの例えばＣＤ値が測定される。マシンコントローラ、装置コントローラ及びプロセス調整コントローラについては後述する。

次に、基板処理装置の各構成要素の動作を制御するシステムコントローラのシステム構成について説明する。

図４は、システムコントローラの概略構成を示す図である。

図４において、システムコントローラ１００は、ホストコンピュータ１０１、装置コントローラ１０２、５つのマシンコントローラ１０５ａ〜１０５ｅ、管理サーバ１１０およびプロセス調整コントローラ１１５を有している。５つのマシンコントローラ１０５ａ〜１０５ｅは、それぞれ２つのプロセスモジュール２５ａ、２５ｂ、２つのロード・ロックモジュール２７ａ、２７ｂ、及び１つの測定器（以下、「ＩＭＭ」という。）１７に対応して設けられている。

ホストコンピュータ１０１と装置コントローラ１０２との間および管理サーバ１１０とプロセス調整コントローラ１１５との間は、顧客側ＬＡＮ（Local Area Network）１２０ａ、１２０ｂによりそれぞれ接続されている。さらに、管理サーバ１１０は、ＰＣ１２５などの情報処理機器と接続され、オペレータによりアクセス可能な状態になっている。

装置コントローラ１０２、マシンコントローラ１０５ａ〜１０５ｅ、プロセスモジュール２５ａ、２５ｂ、ロード・ロックモジュール２７ａ、２７ｂ、ＩＭＭ１７は、工場内の所定エリアに設けられている。各構成要素は、それぞれＬＡＮにより接続されている。

ホストコンピュータ１０１は、基板処理装置１０全体を管理する。装置コントローラ１０２は、ウエハをＲＩＥ処理するために使用するプロセスレシピを保持し、そのプロセスレシピにしたがってプロセスモジュール２５ａ、２５ｂにてウエハに所望のＲＩＥ処理が施されるように各マシンコントローラ１０５ａ〜１０５ｅに指示信号を送信したり、使用されたプロセスレシピの履歴管理などを行う。

マシンコントローラ１０５ａ〜１０５ｄは、装置コントローラ１０２から送信された指示信号に基づいてプロセスモジュール２５ａ、２５ｂおよびロード・ロックモジュール２７ａ、２７ｂをそれぞれ制御することにより、ウエハＷの搬送制御とともに、プロセスモジュール２５ａ、２５ｂにてプロセスレシピにしたがったＲＩＥ処理が実行されるように制御する。

ＩＭＭ１７は、ＲＩＥ処理前のウエハの表面の処理状態およびＲＩＥ処理後のウエハの表面の処理状態、例えば、ＣＤ値を測定する（ＦＦ測定、ＦＢ測定）。測定されたＣＤ値は、マシンコントローラ１０５ｅから装置コントローラ１０２を介してプロセス調整コントローラ１１５に送信される。

管理サーバ１１０は、オペレータの操作によりＰＣ１２５から送信されたデータに基づいて、各装置の動作条件を設定した処理条件（ストラテジ）を生成する。

プロセス調整コントローラ１１５は、管理サーバ１１０にて生成されたストラテジを保存する。また、プロセス調整コントローラ１１５は、測定されたＣＤ値に基づいてＲＩＥ処理、例えば、後述するシュリンク処理の処理条件をフィードフォワード制御によって作成する際に用いるオフセット値を作成、更新し、該オフセット値を用いて作成された処理条件に基づいてシュリンク処理を実行する。

プロセス調整コントローラ１１５では、ＦＦ測定及びＦＢ測定によって得られたＣＤ値が目標値（所望のＣＤ値）からどれだけずれていたかを算出し、算出したずれ量からオフセット値を算出する。

本実施の形態では、ＦＦ測定は全てのウエハＷについて行うものの、ＦＢ測定は全てのウエハＷについて行わない。すわなち、ＦＢ測定は或るタイミングに従って実行される。ＦＢ測定を実行するタイミングを規定するために、プロセス調整コントローラ１１５はプロセスモジュール２５ａ、２５ｂのそれぞれについて設定されたＦＢ測定実行ＲＦ（高周波電力）印加積算時間を有する。

本実施の形態では、各プロセスモジュール２５ａ、２５ｂにおいて、ウエハＷにシュリンク処理が施される事に処理空間Ｓに高周波電力が印加された時間を積算し、該積算された高周波電力の印加時間（経過処理時間）がＦＢ測定実行ＲＦ印加積算時間（所定値）を越えると、プロセス調整コントローラ１１５がその時点でシュリンク処理が施されたウエハＷについてＦＢ測定を行い、さらに、該ＦＢ測定によって得られたＣＤ値に基づいてオフセット値を算出する。

また、プロセス調整コントローラ１１５は、処理中でなく空き状態のプロセスモジュール２５によってウエハＷに対してシュリンク処理を実行する。このシュリンク処理はオフセット値によって修正したフィードフォワード用の処理条件に基づいて実行される。ここでは、各ウエハＷについて、ＦＦ測定によって得られたＣＤ値及び所望のＣＤ値の差分に、オフセット値を加算することによって目標シュリンク量を算出する。

図５は、本発明の基板処理方法が適用される半導体ウエハの構成を概略的に示す断面図である。

図５において、ウエハＷはシリコン基材８０の表面に形成された処理対象層としてのアモルファスカーボン膜（下層レジスト膜）８１と、アモルファスカーボン膜８１上に形成されたＳｉＯＮ膜（ハードマスク）８２と、ＳｉＯＮ膜８２上に形成された反射防止膜（ＢＡＲＣ膜）８３と、反射防止膜８３上に形成されたフォトレジスト膜８４（マスク層）とを有する。

シリコン基材８０はシリコンからなる円板状の薄板であり、例えばＣＶＤ処理を施すことによって表面にアモルファスカーボン膜５１が形成される。アモルファスカーボン膜８１は、下層レジスト膜として機能する。アモルファスカーボン膜８１上に、ＣＶＤ処理又はＰＶＤ処理等が施されて表面にＳｉＯＮ膜８２が形成され、該ＳｉＯＮ膜８２上に、例えば塗布処理によって反射防止膜８３が形成される。反射防止膜８３はある特定の波長の光、例えば、フォトレジスト膜８４に向けて照射されるＡｒＦエキシマレーザ光を吸収する色素を含む高分子樹脂からなり、フォトレジスト膜８４を透過したＡｒＦエキシマレーザ光がＳｉＯＮ膜８２によって反射されて再びフォトレジスト膜８４に到達するのを防止する。フォトレジスト膜８４は、反射防止膜８３上に例えばスピンコータ（図示省略）を用いて形成される。フォトレジスト膜８４はポジ型の感光性樹脂からなり、ＡｒＦエキシマレーザ光に照射されるとアルカリ可溶性に変質する。

このような構成のウエハＷに対し、所定のパターンに反転するパターンに対応したＡｒＦエキシマレーザ光がステッパー（図示省略）によってフォトレジスト膜８４に照射されて、フォトレジスト膜８４におけるＡｒＦエキシマレーザ光が照射された部分がアルカリ可溶性に変質する。その後、フォトレジスト膜８４に強アルカリ性の現像液が滴下されてアルカリ可溶性に変質した部分が除去される。これにより、フォトレジスト膜８４から所定のパターンに反転するパターンに対応した部分が取り除かれるため、ウエハＷ上には所定のパターンを呈する、例えば、ビアホールを形成する位置に開口部８５を有するフォトレジスト膜８４が残る。

ところで、半導体デバイスの小型化要求を満たすためには、小さい寸法、具体的には開口幅（ＣＤ（ＣｒｉｔｉｃａｌＤｉｍｅｎｓｉｏｎ）値）が、例えば２５〜３０ｎｍ程度の開口部（ビアホールやトレンチ）をエッチング対象の膜に形成する必要がある。

そこで、ＣＦ系のデポ性ガス、例えばＣＨＦ_３ガスを使用して所定条件でプラズマ処理を施し、ウエハＷの開口部の開口幅を２５ｎｍ乃至３０ｎｍとするシュリンク処理を施す。

以下、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理方法についてウエハＷの開口部の開口幅を縮小させるシュリンク処理を実行する場合を例として詳述する。

この基板処理方法は、ウエハＷのフォトレジスト膜８４に形成された開口部８５の開口幅をプラズマ処理に基づくデポを開口部５５の側壁面に付着させて縮小させるものであり、開口幅縮小ステップと、開口幅縮小後に、開口幅が小さくなった開口部８５のパターンを、処理対象層であるアモルファスカーボン膜８１に転写するエッチングステップを有する。

図６は、基板処理装置１０のシステムコントローラによって実行される基板処理方法の手順を示すフローチャートである。

図６において、まず、シュリンク処理が開始されると、まず、フープ１４からウエハＷを搬出し、ＩＭＭ１７に搬入する（ステップＳ１）。次いで、ＩＭＭ１７に搬入したウエハＷのＣＤ値を測定する（ステップＳ２）（ＦＦ測定）。次いで、ＣＤ値を測定したウエハＷをプロセスモジュール（以下、「ＰＭ」という。）２５のチャンバ内に搬入するが、このとき、現在処理中でなく、空いているＰＭを選択して、該空いているＰＭのチャンバ５２内にウエハＷを搬入する。すなわち、システムコントローラ（以下、単に「コントローラ」ともいう。）は、ＰＭ２５ａが空いているか否かを判定する（ステップＳ３）。そして、ＰＭ２５ａが空いている場合は、ウエハＷをＰＭ２５ａのチャンバ５２内に搬入する（ステップＳ４）。

その後、コントローラは、ＰＭ２５ａのチャンバ内で、ＩＭＭ１７で測定したＣＤ値及びオフセット値に基づいて決定されたフィードフォワード制御用の処理条件に従ってウエハＷに対してシュリンク処理を施す。

図７は、ウエハＷに対するシュリンク処理の工程図である。

図７において、ウエハＷの開口部の開口幅を縮小させるシュリンク処理は、以下のように実施される。

すなわち、図５に示したウエハＷをＰＭ２５ａのチャンバ５２内に搬入し（図７（Ａ）参照）、載置台５３上に載置した後、チャンバ５２内の圧力を例えば１×１０Ｐａ（７５ｍＴｏｒｒ）に設定する。また、ウエハＷの温度を例えば５０℃に設定する。そして、シャワーヘッド５４の下層ガス供給部５９からＣＨＦ_３ガスを流量、例えば３００ｓｃｃｍでチャンバ５２内へ供給する。そして、載置台５３に励起用電力として７５０Ｗ、バイアス電力として３００Ｗを供給すると共に、シャワーヘッド５４に−３００Ｖの直流電圧を印加する。このとき、ＣＨＦ_３ガスが処理空間Ｓに印加された高周波電力によって励起されてプラズマになり、イオンやラジカルが発生する（図７（Ｂ））。これらのイオンやラジカルはフォトレジスト膜８４の表面又は開口部側壁面と衝突、反応し、当該部分にデポ８６を堆積させる（図７（Ｃ））。

デポ８６の厚さは、処理開始時から次第に厚くなり、処理開始３分後には、例えば３５ｎｍ（開口幅：２５ｎｍ）となる。このシュリンク処理によって、開口部８５の開口幅を、６０ｎｍから２５ｎｍまで縮小することができる。

次いで、シュリンク処理によって、開口幅が２５ｎｍに縮小された開口部８５を有するフォトレジスト膜８４を備えたウエハＷに対して、フォトレジスト膜８４に形成された開口部を処理対象層であるアモルファスカーボン膜８１に転写するＲＩＥ処理を施す。

すなわち、フォトレジスト膜８４の開口部８５の開口幅が２５ｎｍに縮小されたウエハＷを収容するプロセスモジュールのチャンバ５２内の圧力を例えば１×１０Ｐａ（７５ｍＴｏｒｒ）に設定し、ウエハＷの温度を例えば５０℃に設定した後、シャワーヘッド４４の下層ガス供給部５９からＣＦ_４ガスを流量２２０ｓｃｃｍでチャンバ５２内へ供給すると共に、上層ガス供給部６０からＣＨＦ_３ガスを流量２５０ｓｃｃｍでチャンバ５２内へ供給する。そして、載置台５３に励起用電力として７５０Ｗ、バイアス電力として０Ｗを供給すると共に、シャワーヘッド５４に−３００Ｖの直流電圧を印加する。このとき、ＣＦ_４ガス及びＣＨＦ_３ガスが処理空間Ｒに印加された高周波電力によってプラズマになり、イオンやラジカルが発生する。これらのイオンやラジカルは反射防止膜８３におけるフォトレジスト膜８４によって覆われていない部分と衝突、反応し、反射防止膜８３及びその下層のＳｉＯＮ膜８２の当該部分をエッチングする（図７（Ｄ））。当該部分の反射防止膜８３及びＳｉＯＮ膜８２はアモルファスカーボン膜８１が露出するまでエッチングされる（図７（Ｅ））。

このようにして、フォトレジスト膜８４の開口部８５の開口幅が縮小されると共に、反射防止膜８３及びＳｉＯＮ膜８２がエッチングされたウエハＷに対して同一ＰＭ内又は隣接する別のＰＭに移してアッシング処理を施す。すなわち、チャンバ内の圧力を、例えば２．６Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）に設定し、シャワーヘッドの下層ガス供給部からＯ_２ガスを流量１８０ｓｃｃｍでチャンバ内へ供給すると共に、上層ガス供給部からＮ_２ガスを流量２０ｓｃｃｍでチャンバ内へ供給する。そして、載置台に１０００Ｗの励起用電力を供給し、バイアス電力を０Ｗとする。このとき、Ｏ_２ガス及びＮ_２ガスが処理空間Ｓに印加された高周波電力によってプラズマになり、イオンやラジカルが発生する。これらのイオンやラジカルはアモルファスカーボン膜８１における、フォトレジスト膜８４、該フォトレジスト膜８４の開口部８５の側壁面に堆積したデポ８６、並びに反射防止膜８３及びＳｉＯＮ膜８２によって覆われていない部分と衝突、反応し、当該部分をエッチングする（図７（Ｆ））。当該部分のアモルファスカーボン膜８１はシリコン基材８０が露出するまでエッチングされ、アモルファスカーボン膜８１に、幅が２５ｎｍの開口部が形成される。このとき、フォトレジスト膜８４及び該フォトレジスト膜８４の開口部８５の側壁面及び上面に堆積したデポ８６並びに反射防止膜８３が同時に除去される（図７（Ｇ））。

このようにして、ウエハＷに対するシュリンク処理（ステップＳ５）が終了した後、コントローラは、ウエハＷについてＦＢ測定を行うか否か判定する（ステップＳ６）。

ここでは、ＦＢ測定が行われ、シュリンク処理後のウエハＷについてＩＭＭ１７によってＣＤ値が測定されると、測定された処理後ＣＤ値に基づいて現在のオフセット値が更新される。

ＦＢ測定を行うか否かの判定（ステップＳ６）は、当該ＰＭ２５ａのチャンバが次の３条件のうちいずれか１つを満足するか否かによって行う。すなわち、現在のＲＦ時間（高周波電力印加積算時間）から前回オフセット値を更新した時のＲＦ時間を差し引いた差が、所定のＦＢ測定実行ＲＦ印加積算時間、例えば１５分を超えている場合（条件１）、現在の実時間から前回オフセット値を更新した時の実時間を差し引いた差が、所定の時間、例えば６時間を超えている場合（条件２）、処理対象のウエハＷのスロット番号が、ＦＢ測定を行う旨の設定がなされているウエハＷのスロット番号と一致する場合（条件３）のうちいずれかの条件を満たす場合は、ＦＢ測定を行うことを決定し（ステップＳ６において「ＹＥＳ」の場合）、シュリンク処理後のウエハＷをＩＭＭ１３に搬入する（ステップＳ７）。

次いで、ＩＭＭ１７に搬入したウエハＷのＣＤ値を測定し（ステップＳ８）、その後、ウエハＷを、例えば、フープの所定のスロットに収納する（ステップＳ９）。このとき、測定された処理後のＣＤ値に基づいて現在のオフセット値が更新され、該更新されたオフセット値は、次にシュリンク処理するウエハＷのフィードフォワード制御による処理条件を算出する際に、ＦＦ測定によるＣＤ値とともに用いられる。

次いで、次に処理するウエハＷが存在するか否かを判定し（ステップＳ１０）、次に処理するウエハＷが存在する場合は、ステップＳ１に戻る。一方、次に処理するウエハＷが存在しない場合は、本処理を終了する。

また、ステップＳ３において、ＰＭ２５ａのチャンバが空いていない場合（ステップＳ３で「ＮＯ」の場合）は、ＰＭ２５ｂのチャンバが空いているか否かを判定し（ステップＳ１１）、空いている場合は、ＰＭ２５ｂのチャンバ内にウエハＷを搬入し（ステップＳ１２）、以下、ＰＭ２５ａを使用する場合と同様にウエハＷに対してシュリンク処理を施す（ステップＳ５〜Ｓ１０）。なお、ステップＳ１１において、ＰＭ２５ｂのチャンバが空いていない場合は、ステップＳ３に戻る。

また、ステップＳ６において、ＦＢ測定を行わない場合、すなわち上述したＦＢ測定の３条件のうちいずれも満足しない場合は、ステップＳ７及びステップＳ８をスキップし、処理後のウエハＷを直接フープに戻す（ステップＳ９）。この場合、オフセット値は更新されることがなく、また、次にシュリンク処理するウエハＷのフィードフォワード制御による処理条件を算出する際に、当該更新されていないオフセット値が用いられる。

図６の処理によれば、シュリンク処理後のウエハＷについてＦＢ測定を行うか否かを判定し（ステップＳ６）、ＦＢ測定するための要件を満たした場合のみ、処理後のウエハＷをＩＭＭ１７に搬入してウエハＷについてＣＤ値を測定し、それ以外の場合は、ウエハＷに対する処理後測定ステップ（ステップＳ８）をスキップするようにしたので、全てのウエハＷについてＦＢ測定を行う処理に比べて、スループットを改善することができる。また、ＦＢ測定の要件として、現在のＲＦ時間から前回オフセット値を更新した時のＲＦ時間を差し引いた差が、所定のＦＢ測定実行ＲＦ印加積算時間を超えているか否か（条件１）、現在の実時間から前回ＦＢオフセット値を更新した時の実時間を差し引いた差が、所定の装置稼働時間を超えているか否か（条件２）を採用したので、ＯＲ搬送処理によってシュリンク処理を実行した場合であっても、各ＰＭのオフセット値を最適なタイミングで更新でき、最適なオフセット値を得ることができる。その結果、チャンバ内雰囲気の変動を加味した最適処理を各ウエハＷに施すことができる。

なお、プロセス調整コントローラ１１５はプロセスモジュール２５ａ、２５ｂのそれぞれで実行されるプロセスレシピ毎に設定されたＦＢ測定実行ＲＦ印加積算時間を有していてもよい。この場合、プロセスモジュール２５ａ、２５ｂのそれぞれにおいて複数種のシュリンク処理が実行される場合であっても、各シュリンク処理において最適なオフセット値を得ることができる。

次に、本実施の形態の変形例（第２の実施の形態）について説明する。

第１の実施の形態においては、オフセット値を更新する場合、直前に実施した１回のＦＢ測定で得られたＣＤ値に基づいてオフセット値を算出しており、処理後のＣＤ測定値のばらつきが考慮されていなかった。これに対して本実施の形態においては、過去の所定期間、例えば、今回行ったＦＢ測定から過去に行われたＦＢ測定におけるＣＤの測定値とＣＤの目標値とのずれ量を移動平均処理することによってずれ量からばらつきの影響を取り除き、該ずれ量から算出されるオフセット値の最適化を行う。

以下、本実施の形態におけるオフセット値の求め方を、従来技術によるオフセット値の求め方との差異を明らかにすることによって詳細に説明する。

すなわち、過去の一連のＦＢ測定の測定結果に基づいて、オフセット値を更新する方法として、チャンバ内雰囲気の変化に起因する処理後のＣＤ値と目標値とのずれ量（シュリンク量誤差）を指数関数の重み付け係数を用いて移動平均化する方法があり、移動平均を行うことによって短期的なノイズを減少させ、且つ重み付けをすることによって長期的なチャンバ内雰囲気の変化を加味できることが、従来から知られていた。

以下に、従来のシュリンク量誤差を指数関数の重み付け係数を用いて移動平均化する方法について説明する。

図８は、シュリンク処理を施したウエハＷについてのシュリンク量誤差に重み付けを行う際の処理済み枚数（最近処理した新しいウエハＷか以前に処理した古いウエハＷか）に対する重み付け係数の変化を示すグラフである。

図８において、最近処理した新しいウエハＷほど重み付け係数が大きくなっており、オフセット値の更新において新しいウエハＷのシュリンク量誤差ほど大きな影響力を有するので、長期的なチャンバ内雰囲気に変化に追従した処理が可能となっている。

また、図８の重み付けを加味したオフセット値の移動平均を求めるための計算式は次式（式１）によって表される。オフセット値Ｆ（ｉ）はｉ枚目のウエハＷをシュリンク処理する際のフィードフォワード用の処理条件である、目標シュリンク量を算出するために用いられるものである。

しかしながら、このような従来方法は、単に処理済み枚数のみに応じた重み付け係数を採用するために、チャンバ内の雰囲気の変化を忠実に捉え、これを加味した移動平均値を算出するうえで問題があった。すなわち、上述の従来方法によれば、例えば１枚前のウエハＷにおけるシュリンク量誤差は、その１日前のデータであっても、１ヶ月前のデータであっても同じ重み付け係数が使用されるために、現実のチャンバ内雰囲気の変化に対する追従性の点で問題がある。

本実施の形態においては、このような従来方法の問題点を解消するために、シュリンク量誤差をＲＦ印加累積時間に従って変化させた重み付け係数を用いて移動平均値を算出する。

図９は、本実施の形態におけるシュリンク量誤差に対する重み付け係数とウエハを処理した際の経過時間（ＲＦ印加累積時間）との関係を示すグラフである。

図９において、重み付け係数は、処理済み枚数ではなく、現在との時間差、すなわち、当該チャンバにおける過去所定期間における各オフセット値が算出されてから、今回オフセット値を更新しようとするまでのＲＦ印加累積時間（経過処理時間）に応じる。これによって、次にオフセット値を更新する際に、過去の各シュリンク量誤差に当該シュリンク量誤差が得られてから経過した時間、換言すれば、チャンバ内雰囲気の変化を正確に加味することができる。

本実施の形態におけるオフセット値の移動平均値を求めるための計算式は次式（式２）によって表される。なお、本計算式では重み付け計数から時間の絶対値の影響を取り除くために規格化を行う。

以下に、本実施の形態におけるオフセット値を用いた場合と、従来方法を行った場合の効果を比較する。

図１０は、本実施の形態と従来方法との効果を比較して示す図である。図１０では、「◆」が実測したシュリンク量誤差を示し、「●」が本実施の形態におけるオフセット値を示し、「■」が従来方法におけるオフセット値を示す。

図１０において、任意のシュリンク量誤差に対する、従来方法と本実施の形態とのオフセット値の変化を比較して示したところ、オフセット値の更新が頻繁に行われている状況（図１０中のＡ）では、従来方法と本実施の形態との差は顕著でなく、共に実測したシュリンク量誤差に追従したオフセット値が得られた。また、理論上、従来方法の方がチャンバ内雰囲気の変化に良好に追従すると考えられる、オフセット値が更新されない期間があり、その間にチャンバ内雰囲気が変化しない場合（図１０中のＣ）であっても、両者に特に差異は認められなかった。

しかしながら、オフセット値が更新されない一定の期間があり、その間にチャンバ内雰囲気が変化した場合（図１０中のＢ）においては、本実施の形態のオフセット値が実測したシュリンク量誤差に追従するまでの時間は、従来方法のオフセット値が同シュリンク量誤差に追従するまでの時間よりもはるかに短くなっていることが分かった。すなわち、本実施の形態を採用することによって、チャンバ内の雰囲気変化により正確に追従したオフセット値によって、より正確なシュリンク処理を実現できることが分かった。

上述した各実施の形態において、プラズマ処理が施される基板は半導体デバイス用のウエハに限られず、ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）を含むＦＰＤ（ＦｌａｔＰａｎｅｌＤｉｓｐｌａｙ）等に用いる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。

また、本発明の目的は、上述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても達成される。

この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した各実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。

また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。

また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した各実施の形態の機能が実現されるだけではなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。

さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。

１０基板処理装置
１１プロセスチップ
１４フープ
１７測定器（ＩＭＭ）
２５プロセスモジュール（ＰＭ）
２７ロード・ロックモジュール（ＬＬＭ）
５２チャンバ
１００システムコントローラ
１１５プロセス調整コントローラ

Claims

ウエハに所定の処理を施す複数のチャンバと、前記ウエハのＣＤ値を測定する測定器とを備えた基板処理装置を用いて前記チャンバを事前に指定することなく複数のウエハに対して前記所定の処理を連続して施す基板処理方法において、
前記ウエハを前記測定器に搬入して前記ウエハの処理前のＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、
前記処理前測定ステップで得られたＣＤ値に基づいて前記ウエハに対して施されるシュリンク処理の処理条件をフィードフォワード制御によって作成する際に用いられるオフセット値を作成するオフセット値作成ステップと、
前記ＣＤ値の測定後のウエハを前記チャンバに搬入し、前記ウエハに対して前記シュリンク処理を前記作成された処理条件に従って施す処理ステップと、
前記処理ステップ終了後のウエハを前記測定器に搬入して前記ウエハの処理後のＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、
前記処理後測定ステップで測定された前記ウエハのＣＤ値及び目標値の差に基づいて、前記オフセット値を更新するオフセット値更新ステップと、を有し、
前記処理後測定ステップ及び前記オフセット値更新ステップを、各前記チャンバにおけるＲＦ印加累積時間が予め決められた所定値に到達するまで省略し、
前記オフセット値は、各前記チャンバの過去所定期間内において実行された複数の前記処理後測定ステップで測定された前記ウエハのＣＤ値及び目標値のずれ量を、ＲＦ印加累積時間に従って変化させた重み付け係数を用いて移動平均した値であることを特徴とする基板処理方法。
前記処理後測定ステップを実行するか否かを判定する判定ステップをさらに有し、
前記判定ステップでは、現在のＲＦ印加累積時間から前回オフセット値を更新した時のＲＦ印加累積時間を差し引いた差が所定のＲＦ印加積算時間を超えている場合、現在の実時間から前回オフセット値を更新した時の実時間を差し引いた差が所定の時間を超えている場合、及び処理対象の前記ウエハの容器におけるスロット番号が、前記処理後測定ステップを実行する旨の設定がなされている前記ウエハの容器におけるスロット番号と一致する場合のうちいずれかの条件を満たすときに、前記処理後測定ステップを実行すると判定することを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
ウエハに所定の処理を施す複数のチャンバと、前記ウエハのＣＤ値を測定する測定器とを備えた基板処理装置を用いて前記チャンバを事前に指定することなく複数のウエハに対して前記所定の処理を連続して施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
前記ウエハを前記測定器に搬入して前記ウエハの処理前のＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、
前記処理前測定ステップで得られたＣＤ値に基づいて前記ウエハに対して施されるシュリンク処理の処理条件をフィードフォワード制御によって作成する際に用いられるオフセット値を作成するオフセット値作成ステップと、
前記ＣＤ値の測定後のウエハを前記チャンバに搬入し、前記ウエハに対して前記シュリンク処理を前記作成された処理条件に従って施す処理ステップと、
前記処理ステップ終了後のウエハを前記測定器に搬入して前記ウエハの処理後のＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、
前記処理後測定ステップで測定された前記ウエハのＣＤ値及び目標値の差に基づいて、前記オフセット値を更新するオフセット値更新ステップと、を有し、
前記処理後測定ステップ及び前記オフセット値更新ステップを、各前記チャンバにおけるＲＦ印加累積時間が予め決められた所定値に到達するまで省略し、
前記オフセット値は、各前記チャンバの過去所定期間内において実行された複数の前記処理後測定ステップで測定された前記ウエハのＣＤ値及び目標値のずれ量を、ＲＦ印加累積時間に従って変化させた重み付け係数を用いて移動平均した値であることを特徴とする記憶媒体。