TW202030470A - 光學堆疊沉積與機載量測法 - Google Patents

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Abstract

提供了一種用於形成具有均勻且精確的層的光學堆疊的方法和設備。用於形成光學堆疊的處理工具，在封閉環境中包括第一移送腔室、機載量測單元和第二移送腔室。第一複數個處理腔室耦接至第一移送腔室或第二移送腔室。機載量測單元佈置在第一移送腔室和第二移送腔室之間。機載量測單元被配置為量測光學堆疊的各個層的一個或多個光學特性，而不將各層暴露於周圍環境。

Description

光學堆疊沉積與機載量測法
本揭示內容的實施例大體係關於在處理工具中沉積和量測光學堆疊層。
處理工具可包括各種沉積室，沉積室用於在基板上沉積諸如介電層或膜之類的材料以形成光學堆疊。當形成光學堆疊時，大體盡可能均勻且準確地沉積膜。為了確定膜是否已經被均勻且準確地沉積，將堆疊從沉積腔室中移出以使用外部量測工具進行量測。然而，利用外部量測工具會使膜暴露於空氣，導致膜的性質不當地改變。膜性質的改變可能導致各種錯誤或缺陷，例如導致膜的表面或界面變質或不均勻。此外，從處理工具環境中移走堆疊以量測膜，可能相當耗時，這減少了生產時間並降低了產量。
因此，需要一種用於在處理工具內整合可靠、準確和精確的量測的設備和程序，以形成具有均勻層的光學堆疊，並使光學堆疊層內的錯誤或缺陷最小化。
提供了一種用於形成具有均勻且精確的層的光學堆疊的方法和設備。用於形成光學堆疊的處理工具，在封閉環境中包括第一移送腔室、機載量測單元和第二移送腔室。第一複數個處理腔室耦接至第一移送腔室或第二移送腔室。機載量測單元佈置在第一移送腔室和第二移送腔室之間。機載量測單元被配置為量測光學堆疊的各個層的一個或多個光學特性，而不將各層暴露於周圍環境。
在一個實施例中，一種處理工具包括：第一移送腔室、耦接至第一移送腔室的第二移送腔室、耦接至第一移送腔室或第二移送腔室的一個或多個處理腔室、以及設置在第一移送腔室和第二移送腔室之間的機載量測單元。第一移送腔室、第二移送腔室和機載量測單元被設置在封閉環境中。
在另一實施例中，一種形成光學堆疊的方法包括：在第一處理腔室中的基板上沉積第一層；使用機載量測單元量測第一層的一個或多個特性；確定第一層的一個或多個錯誤，以在隨後的層中進行校正；以及在第二處理腔室中在第一層上沉積第二層。方法還包括使用機載量測單元量測第二層的一個或多個性質。第一處理腔室、第二處理腔室和機載量測單元被設置在封閉環境中。
在又一個實施例中，一種處理工具包括工廠介面以及第一移送腔室，工廠介面耦接到一個或多個前開式晶圓傳送盒，第一移送腔室耦接到工廠介面。第一移送腔室包括第一組機械臂。處理工具還包括耦接至第一移送腔室的第二移送腔室。第二移送腔室包括第二組機械臂。處理工具還包括耦接至第一移送腔室或第二移送腔室的複數個腔室。複數個腔室包括第一複數個處理腔室和複數個支撐腔室。處理工具還包括設置在第一移送腔室和第二移送腔室之間的機載量測單元。第一移送腔室、第二移送腔室和機載量測單元被設置在真空環境中。
提供了一種用於形成具有均勻且精確的層的光學堆疊的方法和設備。用於形成光學堆疊的處理工具，在封閉環境中包括第一移送腔室、機載量測單元和第二移送腔室。第一複數個處理腔室耦接至第一移送腔室或第二移送腔室。機載量測單元佈置在第一移送腔室和第二移送腔室之間。機載量測單元被配置為量測光學堆疊的各個層的一個或多個光學特性，而不將各層暴露於周圍環境。
圖1示出了根據本揭示內容的實施方式的用於形成光學堆疊的示例性處理工具100的俯視圖。
處理工具100大體包括工廠介面102，工廠介面102適於從前開式晶圓傳送盒（「 FOUP」）122接收要處理的一個或多個基板匣（例如，直徑為300mm的晶圓）。FOUP 122具有一個或多個基板載體，基板載體被配置為臨時且便攜地儲存基板。工廠介面102可包括未示出的各種組件，諸如大氣壓機器人、一個或多個裝載端口、保持站、鎖定裝載腔室和/或批量固化腔室等等。工廠介面102在工廠的周圍環境和包括複數個處理腔室108A-108G的處理工具100的內部封閉環境之間提供過渡。處理工具100的內部封閉環境可以是真空環境或加壓環境。處理工具100的內部封閉環境與包括空氣的周圍環境隔離。
工廠介面102耦合到一個或多個緩衝器104，緩衝器104被配置為當基板被傳送到工廠介面102或從工廠介面102傳送時支撐已處理和未處理的基板。一旦將一個或多個未處理的基板放置在緩衝器104上，就將第一組機械臂112配置為將基板傳輸到第一移送腔室106。第一組機械臂112可包括一個或多個臂。第一移送腔室106可耦接到一個或多個處理腔室108A-108B。第一移送腔室106進一步耦接到一個或多個支撐腔室124。一個或多個支撐腔室124可包括除氣腔室、儲存腔室、緩衝腔室、加熱和/或冷卻腔室等。第一組機械臂112被配置為將基板在第一移送腔室106以及一個或多個處理腔室108A-108B和支撐腔室124之間來回傳送。
第一組機械臂112還被配置為將基板從第一移送腔室106傳送到安裝在第一冷卻腔室120頂部或下方的機載量測（OBM）單元110。第二冷卻腔室114鄰近於第一冷卻腔室120，第一冷卻腔室120設置在OBM單元110上方或下方。OBM單元110、第一冷卻腔室120和第二冷卻腔室114設置在第一移送腔室106和第二移送腔室116之間。OBM 110、第一冷卻腔室120和第二冷卻腔室114可以設置在將第一移送腔室106連接到第二移送腔室116的中繼腔室(pass through chamber)中。第一移送腔室106、第二移送腔室116、第一冷卻腔室120和第二冷卻腔室114是均一主體。在一個實施例中，OBM單元110設置在與第一或第二移送腔室106、116耦接的單獨腔室中，諸如替換支撐腔室124或處理腔室108C。
第二移送腔室116包括第二組機械臂118。第二組機械臂118可以包括一個或多個臂。第二組機械臂118構造成將基板在第一冷卻腔室120和/或第二冷卻腔室114以及第二移送腔室116之間來回傳送。第二組機械臂118還被配置為將基板在第二移送腔室116以及耦接至第二移送腔室116的一個或多個處理腔室108C-108G之間來回傳送。一個或多個處理腔室108A-10G中的一個或多個處理腔室，可以僅耦接至第一移送腔室106或第二移送腔室116中的一個移送腔室。
處理腔室108A-108G被配置為在基板上沉積諸如介電膜的層，以形成光學堆疊。處理腔室108A-108G可以沉積具有高光學透明性的光學膜以形成光學堆疊。例如，膜可以包括TiO2 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、非晶或多晶矽、SiOx Ny 、AlOx Ny 、ITO等。每個膜可具有約5nm至500nm之間的厚度。
處理腔室108A-108G可以是任何類型的處理腔室，例如化學氣相沉積（CVD）腔室、原子層沉積（ALD）腔室、物理氣相沉積（PVD）腔室、離子金屬注入（IMP）腔室、電漿蝕刻腔室、退火腔室、其他爐腔室等等。在一種實施方式中，處理腔室108A-108G被配置用於在基板上沉積、退火、固化和/或蝕刻可流動的介電膜。在一種配置中，處理腔室108A-108G中的一個或多個處理腔室，可以用於將可流動的介電材料沉積在基板上。如果需要，這些處理腔室108A-108G中的任何一個處理腔室，或者一個或多個附加處理腔室，可與第一和第二移送腔室106、116耦接，並佈置成在應用時執行其他習知的半導體元件製造處理，諸如氧化、膜沉積、蝕刻、加熱、除氣、灰化、離子植入、量測等等。
在將膜或層沉積在光學堆疊上之後，第一組機械臂112和第二組機械臂118被配置為將堆疊放置在第一冷卻腔室120上的OBM單元110下方或上方，以量測所沉積物的一個或多個特性。OBM 110被配置為藉由將光照射到沉積層上，並收集從沉積層返回的反射光，來量測沉積層的一種或多種性質。OBM 110可以被封閉在內部封閉的環境中，使得可以在不破壞或損壞環境的情況下量測沉積層的性質。
在一個實施例中，OBM單元110包括反射儀和橢圓儀中的至少一者。OBM單元110可以包括複數個光學探針。OBM單元110被配置為量測每個沉積層的光反射光譜。OBM單元110還被配置為在處理基板之前和/或之後，量測各種膜性質，諸如膜厚度、光學反射光譜、光學透射光譜、光學吸收光譜、折射率、區別係數、成分、晶圓彎曲度和應力。回應於OBM單元110的結果，可以調整設置在處理工具100上的各種處理和硬體工程旋鈕（未示出）以精確地控制每個單獨層的均勻性、密度、平滑度、光學透明性、應力和顆粒計數。
OBM單元110還被配置為提供即時光學回應反饋，從而允許對隨後的層補償在所量測層中偵測到的任何錯誤。來自OBM單元110的結果，可以進一步用於開發用於前饋厚度校正的演算法，以確保最佳的光譜效能。例如，如果確定被測層具有不均勻的厚度或其他厚度錯誤，則隨後添加的層可以考慮被測層的不均勻厚度並補償這種錯誤。因此，隨後添加的層可以校正先前添加的層中的厚度錯誤。
藉由利用OBM單元110來量測每個沉積層，可以精確且準確地控制每個層的各種性質，諸如各個層的厚度、表面粗糙度、層均勻性、光反射光譜和其他光學性質。此外，由於OBM單元110與處理工具100整合在一起，因此量測各個層的性質不會損壞或破壞內部的封閉環境。因此，這些層將不會暴露於空氣或其他周圍環境，從而減少了顆粒問題/污染和表面/介面的劣化。另外，設置在處理工具100內的OBM單元110允許在形成光學堆疊、提高厚度精度和均勻性、以及增加產量的同時，獲得即時反饋。
圖2示出了根據一個實施例的形成具有均勻層的光學堆疊的方法200。方法200可以與圖1的處理工具100一起使用。
在操作202中，將基板放置在處理工具的處理腔室中。處理腔室可以是任何類型的處理腔室，例如CVD腔室、ALD腔室、PVD腔室、IMP腔室、電漿蝕刻腔室、退火腔室、另一爐腔室等等。
在操作204中，一層或多層沉積在基板上以形成光學堆疊。一層或多層可以包括具有高光學透明性的材料，諸如TiO2 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、非晶或多晶矽、SiOx Ny 、AlOx Ny 、ITO等。一層或多層的每一層可具有約5-500nm的厚度。
在操作206中，將堆疊從處理腔室中移出並運送到設置在處理工具內的中繼腔室中的OBM單元。因為OBM單元位於處理工具內，所以在處理腔室和OBM單元之間傳輸堆疊時，不會損壞或破壞內部封閉環境。因此，堆疊的各層將不會暴露於空氣或其他周圍環境，從而減少了顆粒問題/污染和表面/介面的劣化。
在操作208中，使用OBM單元量測堆疊的一層或多層的一個或多個性質。OBM單元被配置為藉由將光照射到一層或多層上並收集從一層或多層返回的反射光，來量測一層或多層的一種或多種性質。所量測的一種或多種性質可包括厚度、光學反射光譜、光學透射光譜、光學吸收光譜、折射率、區別係數、成分、晶圓彎曲度和應力。
在操作210中，基於所量測的特性來確定所量測的一層或多層的任何錯誤，以用於後續層的校正。即時確定錯誤，從而允許對後續層補償在一個或多個所量測層中偵測到的任何錯誤。錯誤可用於開發用於前饋厚度校正的演算法，以確保最佳的光譜效能。
在操作212中，將堆疊從OBM單元移出並且放置在處理工具中的另一個處理腔室中。處理腔室可以是在操作202中使用的相同腔室，或者處理腔室可以是處理工具內的不同腔室。處理腔室可以是任何類型的處理腔室，例如CVD腔室、ALD腔室、PVD腔室、IMP腔室、電漿蝕刻腔室、退火腔室、另一爐腔室等等。
在操作214中，將一層或多層沉積在所量測的堆疊的一層或多層上，以補償在操作210中確定的錯誤（如果有的話）。在一實施例中，所沉積的一層或多層的材料，具有與所量測的一層或多層的材料不同的折射率。一層或多層可以包括具有高光學透明性的材料，諸如TiO2 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、非晶或多晶矽、SiOx Ny 、AlOx Ny 、ITO等。一層或多層的每一層可具有約5-500nm的厚度。
在操作216中，將操作206-214重複一次或多次以量測並添加層，直到完全形成光學堆疊為止。每次將一個或多個層添加到堆疊中時，將堆疊放置在OBM單元中以量測所添加層的一個或多個屬性。然後，基於所量測的特性來確定所量測層的任何錯誤，以在後續層中進行校正。隨後將堆疊放置在另一個沉積腔室（或先前的沉積腔室）中，然後將一個或多個層再次添加到量測的層上，並補償任何先前確定的錯誤。因此，處理工具連續地量測堆疊層的性質，確定層的任何錯誤，並且向堆疊添加額外的層，並補償任何錯誤。當重複操作206-214時，操作206-210是可選的並且可以被跳過。這樣，可以將附加層添加到堆疊中，而不必每次都由OBM單元進行量測。一旦完全形成光學堆疊，方法200結束，並且將光學堆疊從處理工具移除。
圖3A-3B示出了根據一個實施例的利用外部量測組件形成的光學堆疊300的各種視圖。為了形成圖3A-3B的光學堆疊300，將第一層304沉積在基板302上，並且使用外部量測組件將堆疊300從處理工具中移除以量測第一層304的特性。在量測第一層304之後，堆疊300重新進入處理工具的內部環境，並且第二層306沉積在第一層304上。然後將堆疊300從處理工具移除，以使用外部量測組件來量測第二層306的特性。在量測第二層306之後，堆疊300重新進入處理工具的內部環境，並且第三層308沉積在第二層306上。然後將堆疊300從處理工具移除，以使用外部量測組件來量測第三層308的特性。每次量測層304、306、308之一時，內部環境就被損壞或破壞，並且層304、306、308暴露於空氣或其他周圍環境。
圖3A示出了使用外部量測工具形成的光學堆疊300的無放大視圖。第一層304、第二層306和第三層308可以全部包括不同的材料，或者第二層306可以包括與第一層304和第三層308不同的材料。如圖3A所示，每個層304、306、308之間的介面310看起來是筆直的，表明層304、306、308是均勻沉積的。
圖3B示出了圖3A中標記為3B的盒子內的堆疊300的一部分的放大或放大視圖。堆疊300的放大圖示出了第一層304的一部分、第三層308的一部分和第二層306。如圖3B所示，層304、306、308之間的介面310是不平坦的並且不是直的，這表明層304、306、308實際上沒有被均勻地沉積或具有粗糙的表面。當使用外部量測組件進行量測時，介面310的不均勻性和粗糙度，可能是暴露於空氣或其他周圍環境的結果。將堆疊300的層304、306、308暴露於空氣，可導致層304、306、308或介面310被污染或劣化，這繼而導致介面310變得不均勻或不一致。
圖4A-4B示出了根據一個實施例的利用OBM單元形成的光學堆疊400的各種視圖。具有OBM單元110的處理工具100可以用於形成堆疊400。為了形成圖4A-4B的光學堆疊400，在基板402上沉積第一層404，並且將堆疊400移動到處理工具內的OBM單元以量測第一層404的特性。在量測第一層404之後，確定第一層404的任何錯誤，並且第二層406被沉積在第一層404上，並補償所確定的錯誤。然後將堆疊400移動到處理工具內的OBM單元，以量測第二層406的性質。在量測第二層406之後，確定第二層406的任何錯誤，並且第三層408被沉積在第一層404上，並補償所確定的錯誤。然後將堆疊400移動到處理工具內的OBM單元，以量測第三層408的性質。在量測第三層408之後，確定第三層408的任何錯誤。每次量測層404、406、408之一時，堆疊400保持在處理工具的內部封閉環境內，並且堆疊400不暴露於空氣。
圖4A示出了利用OBM單元形成的光學堆疊400的無放大圖。第一層404、第二層406和第三層408可以全部包括不同的材料，或者第二層406可以包括與第一層404和第三層408不同的材料。如圖4A所示，每個層404、406、408之間的介面410看起來是筆直的，這表明層404、406、408被均勻地沉積並且具有光滑的平坦表面。
圖4B示出了圖4A中標記為4B的盒子內的堆疊400的一部分的放大或放大視圖。圖4B的放大水平與圖3B相同。堆疊400的放大圖示出了第一層404的一部分、第三層408的一部分和第二層406。如圖4B所示，層404、406、408之間的介面410是筆直的，幾乎沒有不平整，表明層404、406、408被均勻地沉積。在處理工具內利用OBM單元可防止堆疊400暴露於空氣或其他周圍環境，這繼而防止可能導致層404、406、408和/或介面410不均勻的劣化或污染。
藉由利用處理工具內的OBM單元來量測每個沉積層，可以精確且準確地控制每個層的各種性質，諸如各個層的厚度、表面粗糙度、層均勻性、光反射光譜和其他光學性質。此外，由於OBM單元設置在處理工具內，因此量測各個層的性質不會損壞或破壞內部的封閉環境。因此，這些層將不會暴露於空氣或其他周圍環境，從而減少了顆粒問題/污染和表面/介面的劣化。另外，將OBM單元設置在處理工具內，允許在形成光學堆疊、提高厚度精度和均勻性、以及增加產量的同時，獲得即時反饋。
在一個實施例中，一種處理工具包括：第一移送腔室、耦接至第一移送腔室的第二移送腔室、耦接至第一移送腔室或第二移送腔室的一個或多個處理腔室、以及設置在第一移送腔室和第二移送腔室之間的機載量測單元。第一移送腔室、第二移送腔室和機載量測單元被設置在封閉環境中。
機載量測單元可以包括反射儀。機載量測單元可以包括橢圓儀。機載量測單元可以被配置為量測光學堆疊的一層或多層的一個或多個光學性質。所量測的一種或多種光學性質，可選自由以下所組成之群組：厚度、光學反射光譜、光學透射光譜、光學吸收光譜、折射率、區別係數、成分、晶圓彎曲度和應力。耦接到第一移送腔室或第二移送腔室的一個或多個處理腔室中的至少一個處理腔室，可以是物理氣相沉積腔室。耦接到第一移送腔室或第二移送腔室的一個或多個處理腔室中的至少一個處理腔室，可以是化學氣相沉積腔室。
在另一實施例中，一種形成光學堆疊的方法包括：在第一處理腔室中的基板上沉積第一層；使用機載量測單元量測第一層的一個或多個特性；確定第一層的一個或多個錯誤，以在隨後的層中進行校正；以及在第二處理腔室中在第一層上沉積第二層。方法還包括使用機載量測單元量測第二層的一個或多個性質。第一處理腔室、第二處理腔室和機載量測單元被設置在封閉環境中。
機載量測單元可以包括反射儀和橢圓儀中的一個或多個。一種或多種光學性質，可選自由以下所組成之群組：厚度、光學反射光譜、光學透射光譜、光學吸收光譜、折射率、區別係數、成分、晶圓彎曲度和應力。第一層的材料可以具有與第二層的材料不同的折射率。方法可以進一步包括在第一處理腔室或第二處理腔室中的第二層上沉積一個或多個附加層。每次沉積附加層時，可以使用機載量測單元量測此附加層的一個或多個性質，並且可以確定此附加層的一個或多個錯誤，以在隨後的附加層中進行校正。
在又一個實施例中，一種處理工具包括工廠介面以及第一移送腔室，工廠介面耦接到一個或多個前開式晶圓傳送盒，第一移送腔室耦接到工廠介面。第一移送腔室包括第一組機械臂。處理工具還包括耦接至第一移送腔室的第二移送腔室。第二移送腔室包括第二組機械臂。處理工具還包括耦接至第一移送腔室或第二移送腔室的複數個腔室。複數個腔室包括第一複數個處理腔室和複數個支撐腔室。處理工具還包括設置在第一移送腔室和第二移送腔室之間的機載量測單元。第一移送腔室、第二移送腔室和機載量測單元被設置在真空環境中。
機載量測單元可以包括反射儀。機載量測單元可以包括橢圓儀。機載量測單元可以被配置為量測光學堆疊的一層或多層的一個或多個光學性質。一種或多種光學性質，可選自由以下所組成之群組：厚度、光學反射光譜、光學透射光譜、光學吸收光譜、折射率、區別係數、成分、晶圓彎曲度和應力。第一複數個處理腔室或第二複數個處理腔室中的至少一個處理腔室，可以是物理氣相沉積腔室。第一複數個處理腔室或第二複數個處理腔室中的至少一個處理腔室，可以是化學氣相沉積腔室。
雖然前述內容係關於本揭示內容的具體實施例，但可發想其他與進一步的具體實施例而不脫離前述內容的基本範圍，且前述內容的範圍係由下列申請專利範圍決定。
100:處理工具 100:示例性處理工具 102:工廠介面 104:緩衝器 106:第一移送腔室 110:OBM單元 112:機械臂 114:第二冷卻腔室 116:第二移送腔室 118:機械臂 120:第一冷卻腔室 124:支撐腔室 200:方法 202:操作 204:操作 206:操作 208:操作 210:操作 212:操作 214:操作 216:操作 300:光學堆疊 302:基板 304:第一層 306:第二層 308:第三層 310:介面 400:光學堆疊 400:堆疊 402:基板 404:第一層 406:第二層 408:第三層 410:介面 108A–108G:處理腔室
可參考多個具體實施例以更特定地說明以上簡要總結的本揭露內容，以更詳細瞭解本揭露內容的上述特徵，附加圖式圖示說明了其中一些具體實施例。然而應注意到，附加圖式僅說明示例性具體實施例，且因此不應被視為限制具體實施例的範圍，並可承認其他等效的具體實施例。
圖1示出了根據一個實施例的用於形成光學堆疊的處理工具。
圖2示出了根據一個實施例的利用機載量測單元形成光學堆疊的方法。
圖3A-3B示出了根據一個實施例的利用外部量測工具形成的光學堆疊的各種視圖。
圖4A至圖4B示出了根據另一實施例的利用機載量測單元形成的光學堆疊的各種視圖。
為了協助瞭解，已盡可能使用相同的元件符號標定圖式中共有的相同元件。已思及到，一個具體實施例的元件與特徵可被有益地併入其他具體實施例中而無須贅述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:處理工具
100:示例性處理工具
102:工廠介面
104:緩衝器
106:第一移送腔室
110:OBM單元
112:機械臂
114:第二冷卻腔室
116:第二移送腔室
118:機械臂

Claims (20)

  1. 一種處理工具，包括： 一第一移送腔室； 一第二移送腔室，該第二移送腔室耦合至該第一移送腔室，其中一個或多個處理腔室耦接至該第一移送腔室或該第二移送腔室；和 一機載量測單元，該機載量測單元設置在該第一移送腔室與該第二移送腔室之間，其中該第一移送腔室、該第二移送腔室與該機載量測單元被設置在一封閉環境中。
  2. 如請求項1所述之處理工具，其中該機載量測單元包含一反射儀。
  3. 如請求項1所述之處理工具，其中該機載量測單元包含一橢圓儀。
  4. 如請求項1所述之處理工具，其中該機載量測單元被配置為量測一光學堆疊的一層或多層的一個或多個光學性質。
  5. 如請求項4所述之處理工具，其中該一個或多個光學性質可選自由以下所組成之群組：厚度、光學反射光譜、光學透射光譜、光學吸收光譜、折射率、區別係數、成分、晶圓彎曲度和應力。
  6. 如請求項1所述之處理工具，其中耦接到該第一移送腔室或該第二移送腔室的該一個或多個處理腔室中的至少一個處理腔室，是一物理氣相沉積腔室。
  7. 如請求項1所述之處理工具，其中耦接到該第一移送腔室或該第二移送腔室的該一個或多個處理腔室中的至少一個處理腔室，是一化學氣相沉積腔室。
  8. 一種形成一光學堆疊的方法，包含以下步驟： 在一第一處理腔室中的一基板上沉積一第一層； 使用一機載量測單元量測該第一層的一個或多個性質； 確定該第一層的一個或多個錯誤以在隨後的層中進行校正； 在一第二處理腔室中在該第一層上沉積一第二層；和 使用該機載量測單元量測該第二層的一個或多個性質，其中該第一處理腔室、該第二處理腔室和該機載量測單元被設置於封閉環境中。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該機載量測單元包括一反射儀和一橢圓儀中的一個或多個。
  10. 如請求項8所述之方法，其中該一個或多個性質可選自由以下所組成之群組：厚度、光學反射光譜、光學透射光譜、光學吸收光譜、折射率、區別係數、成分、晶圓彎曲度和應力。
  11. 如請求項8所述之方法，其中該第一層的材料具有與該第二層的材料不同的一折射率。
  12. 如請求項8所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該第一處理腔室或該第二處理腔室中的該第二層上沉積一個或多個附加層， 其中每次沉積一附加層時，使用該機載量測單元量測該附加層的一個或多個性質，並且確定該附加層的一個或多個錯誤，以在隨後的附加層中進行校正。
  13. 如請求項8所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 確定該第二層的一個或多個錯誤以在隨後的層中進行校正； 在一第三處理腔室中在該第二層上沉積一第三層；和 使用該機載量測單元量測該第三層的一個或多個性質。
  14. 一種處理工具，包括： 一工廠介面，該工廠介面耦接到一個或多個前開式晶圓傳送盒； 一第一移送腔室，該第一移送腔室耦接到該工廠介面，該第一移送腔室包括一第一組機械臂； 一第二移送腔室，該第二移送腔室耦接到該第一移送腔室，該第二移送腔室包括一第二組機械臂； 耦接至該第一移送腔室或該第二移送腔室的複數個腔室，該複數個腔室包括一第一複數個處理腔室和複數個支撐腔室；以及 一機載量測單元，該機載量測單元設置在該第一移送腔室與該第二移送腔室之間，其中該第一移送腔室、該第二移送腔室與該機載量測單元被設置在一真空環境中。
  15. 如請求項14所述之處理工具，其中該機載量測單元包含一反射儀。
  16. 如請求項14所述之處理工具，其中該機載量測單元包含一橢圓儀。
  17. 如請求項14所述之處理工具，其中該機載量測單元被配置為量測一光學堆疊的一層或多層的一個或多個光學性質。
  18. 如請求項17所述之處理工具，其中該一個或多個光學性質可選自由以下所組成之群組：厚度、光學反射光譜、光學透射光譜、光學吸收光譜、折射率、區別係數、成分、晶圓彎曲度和應力。
  19. 如請求項14所述之處理工具，其中該第一複數個處理腔室或該第二複數個處理腔室中的至少一個處理腔室，可以是一物理氣相沉積腔室。
  20. 如請求項14所述之處理工具，其中該第一複數個處理腔室或該第二複數個處理腔室中的至少一個處理腔室，可以是一化學氣相沉積腔室。
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