JP2011049432A - ダミー基板の使用方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダミー基板の反りを抑えることができる基板処理装置におけるダミー基板の使用方法を提供すること。
【解決手段】ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板の各々について、プロセスチャンバにて行われるプロセスレシピに基づき、成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴をコンピュータにより作成する工程と、膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データを用い、この曲率データとダミー基板の前記成膜履歴とに基づいて、当該ダミー基板の曲率をコンピュータにより求める工程と、求められたダミー基板の曲率と、曲率データと、成膜処理の膜の種別及び膜厚を含むプロセススケジュールと、に基づいて、ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する搬送スケジュールを作成する工程と、を実施する。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板処理装置におけるダミー基板の使用方法に関する。

半導体装置の製造工程においては、基板例えばウエハにＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）による成膜処理を行う場合があり、これらの処理は例えば共通の搬送室に複数の成膜処理モジュールを備えたシステムである半導体製造装置を用いて行われる。

ところで、この半導体製造装置においては、製品となるウエハ（製品ウエハと表記する）へ安定した成膜処理を行うために、テスト用ウエハであるダミーウエハが先に成膜モジュールに搬送され、そのダミーウエハに成膜処理が行われる。その後、製品ウエハのロットが、前記成膜モジュールに搬送され、その製品ウエハに成膜処理が行われる場合がある。このようにダミーウエハの運用を行うことで、製品ウエハに対して処理を行う前にモジュールを構成する処理容器内の雰囲気を安定化させることができる。このように製品ウエハに処理を行う前の他に、開発段階で種々の実験を行う場合にもダミーウエハが用いられ、このダミーウエハに成膜処理を行って膜質や膜厚の面内分布などを解析することにより、成膜モジュールの各パラメータの適正値の決定や、ハードウエアの改善などが行われる。

ダミーウエハは繰り返し成膜処理が行われることにより、その表面には膜が積層されていく。しかし、膜が積層されると、その膜の結晶性などの影響によりダミーウエハに応力が加わり、ダミーウエハが反ってしまう。周縁部が中央部よりも高くなるように反るか、中央部が周縁部よりも高くなるように反るかは成膜される膜の種類によるが、同種の膜の積算膜厚が大きくなるほどダミーウエハには同じ方向に大きく応力が加わり、反り量が大きくなる。

このようにダミーウエハの反り量が大きくなると、各モジュールでウエハを吸着保持する例えば静電チャックにダミーウエハの全面が均一に吸着されなくなる。そうなると、ＣＶＤを行う成膜モジュールではダミーウエハの裏面に成膜ガスがまわりこみ、またＰＶＤを行う成膜モジュールではターゲットから供給された原子がまわりこむ。このようにダミーウエハの裏面に成膜ガスや原子がまわりこむと、その裏面に成膜されるので、パーティクルが発生したり、静電チャックの温度が安定しなくなる。その結果として、製品ウエハの処理に影響が出たり、正常に実験が行えなくなってしまうおそれがある。更にまた、反りの程度が大きくなると、吸着時に無理な大きな力が加わってダミーウエハが破損する場合もある。

このような静電チャックへの吸着の不具合を抑えるために、通常ダミーウエハには使用回数制限値が設定されており、使用回数がその制限値に達したものについては破棄している。その使用回数制限値は、所定の膜を連続してダミーウエハに積層したときの反り量（曲率）を測定する事前実験を行い、その結果により決定された固定値である。しかし、その事前実験で成膜した膜とは異なる種類の膜や異なる膜厚で膜を積層したり、複数の種類の膜を積層すると、ダミーウエハの使用回数がその制限値に達したときにはまだ反り量が小さく、実際にはさらに多くの回数の膜を成膜することができるのに、そのダミーウエハを破棄してしまうことになる場合がある。このような事情から成膜モジュールを備えたシステムについて、ダミーウエハの反り量を抑えることができる運用方法が求められていた。なお、特許文献１には、装置の立ち上げ後に当該装置の処理を安定させるためにダミーウエハを用いて処理を行ったり、製品ウエハに成膜される膜をテストする目的でダミーウエハに成膜を行うことが記載されているが、上記の問題及びその解決手段については記載されていない。

特開平９−１４３６７４（段落０００８、００１３、００３９）

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、ダミー基板の反りを抑えることができる基板処理装置におけるダミー基板の使用方法を提供することである。

本発明のダミー基板の使用方法は、基板に対して成膜処理を行う複数のプロセスチャンバが基板搬送室に接続された基板処理装置におけるダミー基板の使用方法において、
ダミー基板格納部からダミー基板を取り出し、前記基板搬送室を介してプロセスチャンバ内に搬入し、成膜処理を行う工程と、
前記ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板の各々について、プロセスチャンバにて行われるプロセスレシピに基づき、成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴をコンピュータにより作成する工程と、
膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データを用い、この曲率データとダミー基板の前記成膜履歴とに基づいて、当該ダミー基板の曲率をコンピュータにより求める工程と、
この工程で求められたダミー基板の曲率と、曲率データと、前記プロセスチャンバにて予定されている成膜処理の膜の種別及び膜厚を含むプロセススケジュールと、に基づいて、当該ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する当該ダミー基板の搬送スケジュールを作成する工程と、を含むことを特徴とする。

また、他の発明のダミー基板の使用方法は、基板に対して成膜処理を行う複数のプロセスチャンバが基板搬送室に接続された基板処理装置におけるダミー基板の使用方法において、
ダミー基板格納部からダミー基板を取り出し、前記基板搬送室を介してプロセスチャンバ内に搬入し、成膜処理を行う工程と、
前記ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板を当該ダミー基板の向きを調整するためのアライメント室内に搬入し、前記複数のダミー基板の各々について反り検出器により曲率を求める工程と、
この工程で求められたダミー基板の曲率と、前記プロセスチャンバにて予定されている成膜処理の膜の種別を含むプロセススケジュールと、に基づいて、当該ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する当該ダミー基板の搬送スケジュールを作成する工程と、を含むことを特徴とする。この場合、前記基板格納部に格納されている複数のダミー基板についてアライメント室に搬入し、前記複数のダミー基板の各々について反り検出器により曲率を求める代わりに、各ダミー基板に成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴と、膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データと、に基づいてコンピュータにより曲率を求めてもよく、また前記プロセススケジュールは、予定されている成膜処理の膜の膜厚を含んでいてもよい。

ダミー基板の搬送スケジュールは、例えばオペレータが作成し、その場合曲率データは、例えばコンピュータの表示部に表示される。ダミー基板の搬送スケジュールは、コンピュータがプログラムにより作成されてもよい。

本発明によれば、ダミー基板の曲率と、膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データと、前記プロセスチャンバにて予定されている成膜処理の膜の種別及び膜厚を含むプロセススケジュールと、に基づいて、プロセスチャンバに対する当該ダミー基板の搬送スケジュールが作成される。従って当該ダミー基板の反りを抑えることができる。また、他の発明によればダミー基板の曲率と、前記プロセスチャンバにて予定されている成膜処理の膜の種別を含むプロセススケジュールと、に基づいて、プロセスチャンバに対するダミー基板の搬送スケジュールが作成される。従って当該ダミー基板の反りを抑えることができる。このように反りを抑えることで、ダミー基板が静電チャックなどのステージに吸着されなくなることによる不具合の発生を防ぐことができる。

本発明に用いられる基板処理装置である半導体製造装置の平面図である。 Ｃｕ膜及びＴｉ膜の膜厚の変化によるウエハの曲率変化を示した実験結果のグラフ図である。 ウエハがＣｕ膜及びＴｉ膜により変化する様子を示した説明図である。 前記半導体製造装置に設けられた成膜モジュールの縦断側面図である。 前記半導体製造装置に設けられた制御部の構成図である。 前記表示部の設定領域への入力例を示した説明図である。 ウエハの反り量が変化する様子を示した工程図である。 前記半導体製造装置に設けられた反り量を測定するモジュールの縦断側面図である 前記反り量を測定するモジュールの横断平面図である。 前記半導体製造装置に設けられた他の制御部の構成図である ウエハへの成膜回数とウエハの半径の変化との関係を示したグラフ図である。

（第１の実施形態）
本発明の実施の形態に係る、基板処理装置におけるダミー基板の使用方法について以下に説明するが、先ずこの方法に用いられる基板処理装置である半導体製造装置１の構成について図１を参照しながら説明する。半導体製造装置１は、ウエハＷのロード、アンロードを行うローダモジュールを構成する第１の搬送室１１と、ロードロック室１２、１３と、真空搬送室モジュールである第２の搬送室１４と、を備えている。第１の搬送室１１の正面には例えば２５枚のウエハＷを収納するキャリアＣが載置される載置台１５が設けられている。ここでいうウエハＷは特に記載しない限り、背景技術の項目で説明したダミーウエハ（ダミー基板）である。キャリアＣにはウエハＷが上下に積層されて配列されている。半導体製造装置１に搬入されるウエハＷは未使用の新品であり、この搬入時においてウエハＷは反りがないものとする。

第１の搬送室１１の正面壁には、前記キャリアＣが接続されてキャリアＣの蓋と一緒に開閉されるゲートドアＧＴが設けられている。そして第２の搬送室１４には、ウエハＷにＣｕ（銅）を成膜するＣｕ成膜モジュール３及びウエハＷにＴｉ（チタン）を成膜するＴｉ成膜モジュール５が気密に接続されている。

ここで、この第１の実施形態における半導体装置１の処理の概要を説明する。図２のグラフ中のプロットは実験により得られたデータであり、複数のウエハＷに夫々異なる膜厚のＣｕを成膜したときの各ウエハＷの曲率変化（反り量の変化）及び複数のウエハＷに夫々異なる膜厚のＴｉを成膜したときの各ウエハＷの曲率変化を示している。このグラフのデータに示されるようにＣｕを成膜したときと、Ｔｉを成膜したときとではウエハＷは互いに逆向きに反る。Ｃｕを成膜したときには図３（ａ）に示すように下向き（ウエハＷの中央部が周縁部に対して下方に位置する）に反り、Ｔｉを成膜したときには図３（ｂ）に示すように上向き（ウエハＷの中央部が周縁部に対して上方に位置する）に反る。また、この図２のグラフから明らかなように、各膜について積算膜厚が大きくなるほどウエハＷの曲率変化が大きくなる。この曲率変化はウエハＷに加わる応力に対応するので、各膜の積算膜厚が大きくなるほどウエハＷに加わる応力が大きくなる。

従って、膜が成膜されていないウエハＷがフラット（反りのない状態）である場合、曲率変化＋ａを与える膜厚のＣｕ膜と曲率変化−ａを与える膜厚のＴｉ膜とをウエハＷに積層すれば、互いの膜による曲率変化は（＋ａ）＋（−ａ）＝０となり、Ｃｕ膜、Ｔｉ膜夫々がウエハＷに与える応力が互いに打ち消し合って、ウエハＷが図３（ｃ）に示すようにフラットになる。このことを利用し、この半導体製造装置１では、後述するようにウエハＷの曲率に基づいてオペレータが、ウエハＷをフラットにするための搬送経路を設定するモードが実行される。なお、ウエハＷの曲率とは、図３（ａ）に示すウエハＷの中心部から見た周端部の高さをＬ１、図３（ｃ）に示すフラットであるときのウエハＷの直径をＬ２としたときにＬ１／Ｌ２で求められる値である。

図１に戻って半導体製造装置１の説明を続ける。第１の搬送室１１の側面には、アライメント室２が設けられている。アライメント室２は、後述のようにウエハＷを鉛直軸回りに回転させる回転駆動機構を備え、ウエハＷの周縁に形成されたノッチが所定の方向を向くように当該ウエハＷの向きを調整する役割を有する。そして、向きが調整されたウエハＷが、第１の搬送室１１に設けられた第１の搬送手段１６の予定する位置に受け渡され、偏心の調整がなされる。ロードロック室１２、１３には、図示しない真空ポンプとリーク弁とが設けられており、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えられるように構成されている。つまり、第１の搬送室１１及び第２の搬送室１４の雰囲気がそれぞれ大気雰囲気及び真空雰囲気に保たれているため、ロードロック室１２、１３は、それぞれの搬送室間において、ウエハＷを搬送する時に雰囲気を調整するためのものである。なお図中Ｇは、ロードロック室１２、１３と第１の搬送室１１または第２の搬送室１４との間、あるいは第２の搬送室１４と前記Ｃｕ成膜モジュール３またはＴｉ成膜モジュール５との間を仕切るゲートバルブ（仕切り弁）である。

第１の搬送室１１及び第２の搬送室１４には、それぞれ第１の搬送手段１６及び第２の搬送手段１７が設けられている。第１の搬送手段１６は、キャリアＣとロードロック室１２，１３との間及び第１の搬送室１１とアライメント室２との間でウエハＷの受け渡しを行うための多関節の搬送アームである。第２の搬送手段１７は、ロードロック室１２，１３とＣｕ成膜モジュール３及びＴｉ成膜モジュール５との間でウエハＷの受け渡しを行うための多関節の搬送アームである。

続いてＣｕ成膜モジュール３について説明する。このＣｕ成膜モジュール３はＣＶＤによりＣｕを成膜するモジュールであり、処理容器３０を備えている。処理容器３０内には、ウエハＷを水平に載置するためのステージ３１が設けられており、このステージ３１の表面はウエハＷを静電吸着して保持する静電チャックとして構成されている。ステージ３１内にはウエハＷの温調手段をなすヒータ３１ａが設けられている。更にステージ３１には、昇降機構３３により昇降自在な３本の昇降ピン３２（便宜上２本のみ図示している）が設けられており、この昇降ピン３２を介して前記第２の搬送手段１７とステージ３１との間でウエハＷの受け渡しが行われる。

処理容器３０の底部には排気管３４の一端側が接続され、この排気管３４の他端側には圧力制御バルブ３５を介して真空ポンプ３６が接続されている。圧力制御バルブ３５は排気管３４の排気コンダクタンスを制御し、処理容器３０内の圧力を制御する。また処理容器３０の側壁には、ゲートバルブＧにより開閉される搬送口３７が形成されている。

更に処理容器３０の天井部にステージ３１に対向するようにガスシャワーヘッド４１が設けられている。ガスシャワーヘッド４１は、ガス室４２とガス供給孔４３とを備え、ガス室４２に供給されたガスはガス供給孔４３から処理容器３０内に供給される。そして、ガス室４２には、ガス供給路４３を介して、バルブやマスフローコントローラ及び成膜ガスの供給源などを含んだ成膜ガス供給手段４４が接続されている。

成膜処理時には、処理容器３０内が所定の圧力に排気され、ステージ３１に載置されたウエハＷが加熱された状態で、成膜ガス供給手段４４から所定の成膜ガスが当該ウエハＷに供給され、ウエハＷにＣｕが成膜される。Ｔｉ成膜モジュール５についてはウエハＷに供給される成膜ガスの種類が異なる他はＣｕ成膜モジュール３と同様に構成されている。

続いて制御部６についてその構成を示した図５を参照しながら説明する。制御部６は例えばコンピュータからなり、バス６１、ＣＰＵ６２、第１のメモリ６３及びプログラム６４を備えている。前記プログラム６４には制御部６から半導体製造装置１の各部に制御信号を送り、後述の各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。また、例えば第１のメモリ６３には処理温度、処理時間、各ガスの供給量または電力値などの処理パラメータの値が書き込まれる領域を備えており、ＣＰＵがプログラム６４の各命令を実行する際これらの処理パラメータが読み出され、そのパラメータ値に応じた制御信号がこの半導体製造装置１の各部に送られることになる。このプログラム６４（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部６のプログラム格納部６５にインストールされる。図５中、６０はレシピ設定部であり、ウエハＷに対して行われる成膜プロセスのレシピ（圧力、温度などのプロセス条件の時系列群）を格納するメモリと、成膜レシピを選択する画面とが含まれる。

また、６６はウエハＷの曲率データであり、成膜レシピのＩＤと、そのレシピで処理を行ったときに各成膜モジュールで成膜される膜の膜厚と、ウエハＷの曲率変化とが互いに対応付けられたデータである。なお、この曲率データはメモリに記憶されているが、便宜上曲率データに符号６６を付している。各レシピに対応付けられた膜厚及び曲率変化の関係は、図２で説明した実験結果に基づいて規定されており、図２のグラフのプロットから、ウエハＷに形成される各膜の膜厚と曲率変化とが互いに比例するものとみて、この対応関係が定義されている。例えば、成膜するＣｕの膜厚が１．５μｍ、３．０μｍ、４．５μｍであるときにウエハＷの曲率変化が＋０．００２ｍ^-1、＋０．００４ｍ^-1、＋０．００６ｍ^-1であり、成膜するＴｉの膜厚が１．８μｍ、３．７μｍ、５．５μｍであるときにウエハＷの曲率変化が−０．００２ｍ^-1、−０．００４ｍ^-1、−０．００６ｍ^-1である。

図５中６７はウエハＷの搬送モード設定部であり、通常搬送モードと反り補正モードとのいずれかを選択するためのものである。通常搬送モードとはキャリアＣの保持棚に保持されたウエハＷを例えば上から順番に取り出し、その順番で成膜処理を行うように搬送するモードである。例えば２つの成膜モジュールにおいて成膜モジュール３、成膜モジュール５の間で交互に成膜処理が行われるとするなら、ウエハＷ１を成膜モジュール３に搬入し、次のウエハＷ２を成膜モジュール５に搬入し、更に次のウエハＷ３を成膜モジュール３に搬入するといった搬送モードとなる。また反り補正モードとは、ウエハＷを通常搬送モードにより成膜モジュールに搬送して処理を行い、所定の時点でプログラム６４により求められたウエハＷの反り量（曲率）に応じてオペレータが搬送経路を設定するモードである。この搬送モード設定部６７は、具体的には搬送モードを選択する表示画面と、キーボードやマウスと、通常搬送モードを実行するためのプログラムと、反り補正モードを実行するプログラムとを備えている。反り補正モードの設定については、例えばオペレータが画面を見ながら各ウエハＷ毎に成膜モジュールの搬入順序を設定する画面に基づいて実行される。

また、バス６１には第２のメモリ６８が接続されている。第２のメモリ６８にはウエハＷのＩＤ（識別番号）と、ウエハＷに成膜されたＣｕの積算膜厚と、ウエハＷに成膜されたＴｉの積算膜厚と、ウエハＷの曲率とが対応付けられて記憶される。このウエハＷのＩＤは、キャリアＣが半導体製造装置１に搬入されると、プログラム６４が各キャリアＣごとに、そのキャリアＣ内でのウエハＷの配列順に従って割り振るものである。なお、各ウエハＷはキャリアＣから搬送された後、同じキャリアＣの同じ位置に戻され、割り振られたＩＤとウエハＷとの対応がずれないようになっている。そして、既述のようにウエハＷは半導体製造装置１の搬入時にはフラットであるため、第２のメモリ６８に記憶されるウエハＷの曲率は、Ｃｕの積算膜厚に対応する曲率変化と、Ｔｉの積算膜厚に対応する曲率変化との合計値である。ウエハＷに成膜処理が行われるたびに、プログラム６４は第２のメモリ６８に記憶されるＣｕの積算膜厚またはＴｉの積算膜厚及びウエハＷの曲率についての値を更新する。

７１は液晶パネルなどからなる表示部であり、既述の曲率データ６６等が表示される。なお図５では表示部７１と搬送モード設定部６７とを分けて表示しているが、搬送モード設定部６７の中には表示部７１の画面の一部が含まれることになる。表示部７１には第２のメモリ６８に記憶される各膜の積算膜厚とウエハＷの曲率とが表示される。

続いて装置メーカが半導体製造装置１を用いて装置性能の検討や改良といった作業を行う場合について、ダミーウエハの使用方法を含めた装置の運転について説明する。先ず、複数枚のウエハＷが格納されたキャリアＣが半導体製造装置１に搬送されて、載置台１５に載置され、第１の搬送室１１に接続される。次いで、プログラム６４がキャリアＣ内の各ウエハＷについてＩＤを割り振り、これらのウエハＷのＣｕ積算膜厚、Ｔｉ積算膜厚及びウエハＷの曲率について第２のメモリ６８に夫々ゼロと記憶させる。

一方、オペレータは搬送モード設定部６７によりウエハＷの搬送モードを通常搬送モードに設定すると共に各成膜モジュール３，５での成膜処理のレシピを設定する。このレシピの設定は、画面に表示されているレシピのＩＤを選択することで行われる。搬送モードとして通常搬送モードを設定したことにより、ウエハＷはキャリアＣ内での配列順にキャリアＣから搬出され、例えば既述のように成膜モジュール３、５を交互に搬送され、搬送先の成膜モジュールにて処理を受けた後、キャリアＣに戻される。例えばキャリアＣ内の最後のウエハＷが搬出されると、続いて最初に当該キャリアＣから搬出されたウエハＷから順に繰り返し搬出される。

前記搬送モード及びレシピの設定後、オペレータが搬送モード設定部６７により所定の処理を行うと、ゲートドアＧＴ及びキャリアＣの蓋が同時に開かれて、キャリアＣ内のウエハＷはその配列順に第１の搬送手段１６によって第１の搬送室１１に搬入される。然る後、ウエハＷはアライメント室２に搬送されて、その向きや偏心の調整が行われた後、ゲートバルブＧが開いて大気雰囲気に保たれたロードロック室１２に搬送される。ゲートバルブＧが閉じ、このロードロック室１２の圧力が調整されて、室内が真空雰囲気になると、ゲートバルブＧが開かれ、第２の搬送手段１７によって第２の搬送室１４に搬入される。

続いて、第２の搬送手段１７はウエハＷを交互に成膜モジュール３、５に搬送する。Ｃｕ成膜モジュール３に搬送されたウエハＷは、設定されたレシピで成膜処理を受け、そのレシピに応じた膜厚でＣｕ膜が成膜され、その膜厚に対応する曲率変化が起きる。そして、プログラム６４は、第２のメモリ６８に記憶されているＣｕの積算膜厚及びウエハＷの曲率の数値をゼロから前記レシピに対応した値に更新する。

また、Ｔｉ成膜モジュール５に搬送されたウエハＷは、設定されたレシピで処理を受け、そのレシピに応じた膜厚でＴｉ膜が成膜される。そして、その膜厚に対応する量でウエハＷの曲率が変化する。プログラム６４は、第２のメモリ６８に記憶されているＴｉの積算膜厚の数値及びウエハＷの曲率の数値をゼロから実行されたレシピに対応した値に更新する。このように、ウエハＷに処理が行われ第２のメモリ６８のデータが更新されると、表示部７１のそれに対応する表示も変化する。

各成膜モジュールでの成膜処理後、ウエハＷは第２の搬送手段１７により当該Ｔｉ成膜モジュール５から取り出され、ロードロック室１３に搬送された後、第１の搬送手段１６によりキャリアＣに戻される。キャリアＣに戻されたウエハＷは既述のように同様の経路で繰り返し搬送され、処理を受ける。そして、ウエハＷがＣｕ成膜モジュール３で処理を受けるたびに、第２のメモリ６８に記憶された前記ウエハＷのＣｕ積算膜厚の値及びウエハＷの曲率の値に、夫々設定されたレシピに対応する膜厚の値及び曲率変化の値が夫々加算され、これらＣｕ積算膜厚の値及びウエハＷの曲率の値が更新される。

また、前記ウエハＷがＴｉ成膜モジュール５で処理を受けるたびに、第２のメモリ６８に記憶されたＴｉ積算膜厚の値、ウエハＷの曲率の値に、夫々設定されたレシピに対応する膜厚の値及び曲率変化の値が夫々加算され、これらＴｉ積算膜厚の値及びウエハＷの曲率の値が更新される。そして、第２のメモリ６８のデータの更新に応じて、表示部７１のそれに対応する表示も変化する。

オペレータが任意のタイミングで搬送モード設定部６７より所定の操作を行うと、キャリアＣからのウエハＷの搬送が停止し、キャリアＣから半導体製造装置１に搬出されているウエハＷはキャリアＣに戻され、通常搬送モードが停止する。その後、オペレータは、表示部７１を見ながら、曲率が大きいウエハＷについて、搬送モード設定部６７から反り補正モードによる搬送を行うように設定する。そして、通常搬送モード実行時と同様に画面に表示されているレシピのＩＤを選択することで各成膜モジュール３、５における成膜レシピを設定し、表示部７１に表示される曲率データ６６に示されるその成膜レシピによるウエハＷの曲率変化と、前記曲率とに基づいて各成膜モジュールへの搬入順序を決定する。具体的に、その設定した成膜レシピによる曲率変化とウエハＷの曲率との合計がゼロないしは略ゼロになるようにこの搬入順序が設定される。

図６にはその成膜レシピ及び搬送経路が設定された状態の表示部７１の表示の一例を示している。図６に示したウエハＡ１については、通常搬送モード終了後の曲率が-０．０１１ｍ^-1であり、Ｃｕ成膜モジュール３にて曲率変化が+０．００４ｍ^-1であるレシピＮｏ．２で３回成膜処理を行った後、Ｔｉ成膜モジュール５にて曲率変化が-０．００１ｍ^-1であるレシピＮｏ．Ｃ１で成膜処理を行うように設定している。これにより、ウエハＡ１の反り補正後の曲率は、-０．０１１+０．００４+０．００４+０．００４-０．００１＝０．０００ｍ^-1となる。

また、図６に示したウエハＡ２については、通常搬送モード終了後の曲率が+０．００５ｍ^-1であり、Ｔｉ成膜モジュール５にて曲率変化が-０．００６ｍ^-1であるレシピＮｏ．Ｃ４で成膜処理した後、Ｃｕ成膜モジュール３にて曲率変化が+０．００１ｍ^-1であるレシピＮｏ．４で成膜処理するように設定している。これにより、ウエハＡ２の反り補正後の曲率は、+０．００５-０．００６+０．００１＝０．０００ｍ^-1となる。また、図６のウエハＡ３については、通常搬送モード終了後の曲率が+０．０１３ｍ^-1であり、Ｔｉ成膜モジュール５にて曲率変化が-０．００６ｍ^-1であるレシピＮｏ．Ｃ４で２回成膜処理した後、曲率変化が-０．００１ｍ^-1であるレシピＮｏ．Ｃ１で成膜処理を行うように設定している。これにより、ウエハＡ３の反り補正後の曲率は、+０．０１３-０．００６-０．００６-０．００１＝０．０００ｍ^-1となる。

上記のようにレシピ及び搬送経路の設定後、オペレータが搬送モード設定部６７より所定の操作を行うと、反り補正モードが実行され、その反り補正モードで搬送を行うように設定されたウエハＷについてのみ、キャリアＣ内での配列順にキャリアＣから搬出され、通常搬送モード実行時と同様の経路で第２の搬送室１４に搬送される。そして、そのように第２の搬送室１４に搬送されたウエハＷについては、設定した順序で成膜モジュールに搬送され、設定されたレシピに応じた膜厚でＣｕまたはＴｉが成膜される。この反り補正モード実行時にも通常搬送モード実行時と同様に第２のメモリ６８に記憶されているＣｕ及びＴｉの積算膜厚及び曲率変化が、成膜処理が行われる度に更新され、その更新に応じて表示部７１の表示が変化する。

具体的に、図６に示したウエハＡ１が処理を受け、その曲率が変化する様子について、図７を参照しながら説明する。図７では反り補正モード実行前に成膜された膜を下層膜７７として示し、反り補正モードで成膜されるＣｕ膜、Ｔｉ膜を７８、７９として示している。ウエハＡ１は、既述のように設定された搬送経路に従って、そこで設定されたレシピＮｏ．２により３回成膜処理を受け、図７（ａ）の状態から図７（ｂ）に示すようにその曲率が変化する。図７（ｂ）に示したウエハＡ１の曲率は、-０．０１１+０．００４+０．００４+０．００４＝+０．００１ｍ^-1である。

その後、設定された搬送経路に従ってＴｉ成膜モジュール５に搬送され、そのＴｉ成膜モジュール５にて設定された前記Ｎｏ．Ｃ１のレシピで成膜処理を受け、Ｔｉ膜７９が成膜される。このＴｉ膜７９が成膜されると、これまでに積層されたＴｉ膜がウエハＷに与える応力、これまでに積層されたＣｕ膜がウエハＡ１に与える応力が互いに打ち消し合い、図７（ｃ）に示すようにウエハＡ１がフラットになる。

このように設定した処理が終わると、各ウエハＷは、通常搬送モード実行時と同様の経路でウエハＷはキャリアＣに戻される。然る後、オペレータは、搬送モード設定部６７により、通常搬送モードを再開する。

上記の実施の形態によれば、反り量が大きくなったウエハＷが静電チャックに均一に吸着されなくなる不具合が発生することを防ぐことができ、これら各成膜モジュール３、５の環境が安定しなくなる不具合やパーティクルが発生するという不具合が解消される。また、ウエハＷの繰り返し使用回数を増やすことができるため、ウエハＷの使用枚数を節約することができる。従って、半導体製造装置１の運用コストの削減を図ることができる。

（第１の実施形態の変形例）
上記の第１の実施形態においては、各ウエハＷについてＣｕ、Ｔｉの積算膜厚を管理し、反り補正モード実行前のウエハＷの曲率を計算により算出している。この他に第１の実施形態の変形例として、既述のようにウエハＷを例えば自動で成膜モジュール３、５に交互に搬送するような通常搬送モードを行った後、ウエハＷの曲率を反り検出器により測定し、その測定結果に基づいてオペレータが上記のようにウエハＷの成膜処理のレシピ及び搬送経路を設定して処理を行う反り補正モードを行ってもよい。このウエハＷの曲率の測定は、例えばアライメント室２にて行われる。

以下、そのように曲率を測定できるように構成されたアライメント室２について夫々その縦断側面図、横断平面図である図８、図９を参照しながら説明する。このアライメント室２は、ウエハＷを載置するための載置台２１を備えており、前記載置台２１は、回転駆動機構２２により鉛直軸回りに回転できるようになっている。また、載置台２１上に載置されたウエハＷの周縁部付近には３基の光学センサ２３がウエハＷの周方向に沿って設けられている。光学センサ２３は、ウエハＷの周縁部上に設けられた発光部２３ａとその下方に設けられた受光部２３ｂとにより構成されており、発光部２３ａは受光部２３ｂに光を照射する。そして、受光部２３ｂは、入射した光の光量を示す信号を制御部６に出力する。

また、アライメント室２内には水平方向に伸びるガイドレール２４と、そのガイドレールに沿って移動する移動部２５が設けられている。移動部２５にはガイドレール２４と直交するように水平に伸びたアーム２６が設けられ、アーム２６の先端には光学センサ２７が設けられている。光学センサ２３、２７は反り検出器を構成する。移動部２５はアーム２６の伸長方向に当該アーム２６を介して光学センサ２７を移動させる。光学センサ２７は下方のウエハＷに光を照射する発光部と、ウエハＷから反射された光を受光する受光部とを備えている。

この第１の実施形態の変形例の処理手順について第１の実施形態との差異点を中心に説明する。例えばオペレータが第１の実施形態と同様に通常搬送モードを実施中に所定の操作を行うと、キャリアＣからのウエハＷの搬送が停止する。そして、当該キャリアＣから半導体製造装置１に搬出されているウエハＷについて、既述した第１の搬送室１１→アライメント室２→第１の搬送室１１→ロードロック室１２→第２の搬送室１４→成膜モジュール３、５→ロードロック室１３→第１の搬送室１１の搬送経路の途中にあるものが、その下流側に向かって搬送されて一旦キャリアＣに戻され、通常搬送モードが停止する。そして、キャリアＣに戻されたウエハＷは、キャリアＣ内で例えば上から順番に取り出され、第１の搬送室１１を介してアライメント室２に搬送される。制御部６は、載置台２１にウエハＷが載置されると、回転駆動機構２２によってウエハＷを略一周回転させ、この間に受光部２３ｂに入射する光量の変化に基づいて、ウエハＷの半径と中心位置とを算出する。そして、この算出された半径と例えば予め制御部６の第１のメモリ６３に記憶されているウエハＷ本来の半径とからウエハＷの曲率の絶対値を算出する。さらに制御部６は光学センサ２７をウエハＷの中心上に位置させ、その発光部から光を照射させる。制御部６は、光学センサ２７の受光部が受光した光に基づき、光学センサ２７とウエハＷの中心部との距離を検出する。

続いて制御部６は検出されたウエハＷの半径に基づいて、光学センサ２７をウエハＷの周端部上に位置させ、その発光部から光を照射させる。制御部６は、光学センサ２７の受光部が受光した光に基づき、光学センサ２７とウエハＷの周端部との距離を検出する。そして、制御部６は、光学センサ２７からウエハＷの中心部、周縁部の夫々の距離に基づいてウエハＷの反りの向きを検出し、この反りの向きと、前記曲率の絶対値とからウエハＷの曲率を決定する。この曲率決定後、ウエハＷはアライメント室２から第１の搬送室１１を介してキャリアＣに戻される。曲率は上記の実施形態と同様に表示部７１にウエハＷごとに表示され、オペレータがそれに基づいて各成膜モジュールでのレシピの設定及び反り補正モードの搬送経路の設定を行う。

（第２の実施形態）
ところで、既述の第１の実施形態では、反り補正モードを実行するにあたり、オペレータが成膜モジュールのレシピを設定し、さらにそのレシピに基づいて、当該オペレータが、各ウエハＷについて曲率がゼロになるように搬送経路を設定しているが、プログラムが自動で搬送経路を設定してもよい。第１の実施形態で説明した成膜を行う度に曲率データ６６に基づいてウエハＷの曲率が演算され、第２のメモリ６８のデータが更新される半導体製造装置１において、そのようにプログラムが自動で搬送経路を設定する例を説明する。この例では、既述の装置との差異点として、制御部６の第２のメモリ６８に、ウエハＷの搬送先を決定する基準となる曲率の第１のしきい値、第２のしきい値が夫々記憶されており、第１のしきい値は第２のしきい値より大きい。第１のしきい値及び第２のしきい値は設定自在なパラメータであり、装置始動時、あるいは装置毎に設定することができる。

ここでは第１のしきい値は０．００１０ｍ^-1、第２のしきい値は０．０００２ｍ^-1に夫々設定されているものとする。先ず、オペレータは既述のように例えばウエハＷを成膜モジュール３、５に交互に自動で搬送する通常搬送モードによるウエハＷの搬送を行った後、その通常搬送モードの停止処理を行い、成膜モジュール３、５で行うレシピを夫々設定する。そして、オペレータが反り補正モードの開始処理を行うと、キャリアＣ内のウエハＷは、通常搬送モードの実行時と同様に上に配置されているものから順に、既述の経路で第２の搬送室１４へと搬送される。そして、プログラム６４はウエハＷが第２の搬送室１４に搬送されるまでに、第２のメモリ６８に記憶されている当該ウエハＷの曲率が０．００１０ｍ^-1（第１のしきい値）を超えているか、０．０００２ｍ^-1（第２のしきい値）より大きく０．００１０ｍ^-1以下の範囲であるか、０．０００２ｍ^-1以下であるか、の判定を行う。

ウエハＷの曲率が０．００１０ｍ^-1を超えていると判定された場合、プログラム６４は、第２のメモリ６８に曲率が第１のしきい値を超えたというデータ（第１の属性データとする）をそのウエハのＩＤに対応付けて書き込む。そして、プログラム６４は、ウエハＷをＴｉ成膜モジュール５に搬送し、当該ウエハＷが成膜処理を受ける。それによって、そのウエハＷは前記判定時に反っている方向とは逆方向に向かって反る。つまり、曲率が０に近づくか−側に向かうように反る。

ウエハＷの曲率が０．０００２ｍ^-1より大きく０．００１０ｍ^-1以下の範囲であると判定された場合、プログラム６４は、第２のメモリ６８に曲率がそのような範囲内であるというデータ（第２の属性データとする）を、そのウエハのＩＤに対応付けて書き込む。そして、プログラム６４は、ウエハＷをＣｕ成膜モジュール３に搬送して、当該ウエハＷが成膜処理を受ける。それによって、前記ウエハＷは前記判定時に反っている方向と同方向に向かって反る。つまり、曲率が＋側に大きくなるように反る。

ウエハＷの曲率が０．０００２ｍ^-1以下であると判定された場合、プログラム６４は、第２のメモリ６８に曲率が第２のしきい値以下であるというデータ（第３の属性データとする）をそのウエハのＩＤに対応付けて書き込む。そして、プログラム６４は、前記ウエハＷをＣｕ成膜モジュール３に搬送して、成膜処理が行われ、ウエハＷはその曲率が＋側に向かうか、＋側に大きくなるように反る。

各成膜モジュール３、５で処理後、ウエハＷは既述の経路で各成膜モジュール３、５からキャリアＣに戻される。キャリアＣに戻された後、繰り返しウエハＷはキャリアＣから既述の経路で第２の搬送室１４へ向けて搬送される。そして、第１の属性データが付されているウエハＷについて、プログラム６４はウエハＷの曲率が０．０００２ｍ^-1以下であるかどうか判定し、０．０００２ｍ^-1以下である場合には、その属性データを第３の属性データに書き換えると共にＣｕ成膜モジュール３にウエハＷを搬送して、そこで成膜処理が行われる。０．０００２ｍ^-1以下ではない場合にはプログラム６４は属性データの書き換えを行わず、ウエハＷをＴｉ成膜モジュール５に搬送して、成膜処理が行われる。

そして、第２の搬送室１４へ向かうウエハＷで第２の属性データが付されているものについて、プログラム６４はウエハＷの曲率が０．００１０ｍ^-1以上であるかどうか判定する。そして、０．００１０ｍ^-1以上であると判定した場合には、その属性データを第１の属性データに書き換え、ウエハＷをＴｉ成膜モジュール５に搬送する。そして、当該Ｔｉ成膜モジュール５で成膜処理が行われる。また、０．００１０ｍ^-1以上ではないと判定した場合には、プログラム６４は属性データの書き換えを行わず、ウエハＷをＣｕ成膜モジュール３に搬送する。そして、当該Ｃｕ成膜モジュール３で前記ウエハＷに成膜処理が行われる。

また、第２の搬送室１４へ向かうウエハＷで第３の属性データが付されているものについて、プログラム６４はウエハＷの曲率が０．０００２ｍ^-1以上であるかどうか判定し、０．０００２ｍ^-1以上であると判定した場合には、その属性データを第２の属性データに書き換え、ウエハＷをＣｕ成膜モジュール３に搬送して、そこで成膜処理が行われる。０．０００２ｍ^-1以上でないと判定した場合には、プログラム６４は属性データの書き換えを行わず、ウエハＷをＣｕ成膜モジュール３に搬送し、そこで前記ウエハＷに成膜処理が行われる。

各成膜モジュール３、５で処理を行ったウエハＷは既述の経路でキャリアＣに戻される。その後も繰り返し、第２の搬送室１４に向けて搬送され、属性データと曲率に応じて成膜モジュール３、５へ振り分けられて処理を受けた後、キャリアＣに戻される。このように繰り返し搬送及び成膜処理を行った後、オペレータが搬送停止処理を行うと、各ウエハＷの搬送が停止し、各ウエハＷはキャリアＣに戻され、各ウエハＷについて記憶されている属性データについては消去される。この第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

上記の例においてはウエハＷの曲率が第２のしきい値である０．０００２ｍ^-1より低い場合、ウエハＷの曲率が第１のしきい値である０．００１０ｍ^-1を超えるまで繰り返しＣｕ膜が成膜され、また、ウエハＷの曲率が第１のしきい値である０．００１０ｍ^-1より高い場合、ウエハＷの曲率が第２のしきい値である０．０００２ｍ^-1以下になるまで繰り返しＴｉ膜が成膜されるが、第１のしきい値、第２のしきい値の設定によっては１回ごとに逆方向にウエハＷが反るように搬送及び成膜処理を制御することも可能になり、常に反りの少ないウエハＷへの成膜処理が可能になる。なお、曲率が０．０００２ｍ^-1（第２のしきい値）以下と判定された場合の搬送経路は上記の例に限られず任意であり、例えばウエハＷの曲率が正である場合にはＴｉ成膜モジュール５に、ウエハＷの曲率が負である場合にはＣｕ成膜モジュール３に搬送するようにしてもよい。また、アライメント室２でウエハの曲率を測定する第１の実施形態の変形例にも、上記のようにプログラム６４が搬送制御を行うことを適用することができる。

（第３の実施形態）
続いて第３の実施形態について、第１の実施形態及び第２の実施形態との差異点を中心に説明する。この第３の実施形態において、半導体製造装置１としては、第１の実施形態の変形例で説明したようにアライメント室２でウエハＷの曲率を測定するものが用いられる。この第３の実施形態では膜厚と曲率変化とを規定した曲率データ６６を利用せずに搬送制御を行う。

オペレータは、予め成膜モジュール３、５で行うレシピを設定しておく。そして、オペレータが処理の開始手続きを行うと、ウエハＷがキャリアＣ内での配列順に既述の経路で、アライメント室２に搬送され、その曲率が測定される。測定の結果、プログラム６４は曲率が−であればウエハＷをＣｕ成膜モジュール３に、曲率が０または＋であればウエハＷをＴｉ成膜モジュール５に既述の経路で夫々搬送する。そして、各成膜モジュール３，５にてＣｕ、Ｔｉが夫々成膜され、ウエハＷは前記曲率測定時に反っている方向とは逆方向に向かって反る。成膜処理後、ウエハＷは既述の経路でキャリアＣに戻される。キャリアＣに戻されたウエハＷは、繰り返しアライメント室２への搬送、曲率の測定、測定結果に基づいた成膜モジュール３または５への搬送、搬送先の成膜モジュールでの成膜処理及びキャリアＣへの搬送処理をこの順に受ける。オペレータが処理の停止手続きを行うと、ウエハＷの搬送及び成膜処理が停止する。

この第３の実施形態においても同じ方向へ過度にウエハＷが反ることが抑えられるため、第１及び第２の実施形態と同様の効果が得られる。また、この第３の実施形態は、ウエハＷの曲率の測定値に基づいて、成膜モジュール３，５に対する当該ウエハＷの振り分け（搬送スケジュール）を自動で行い、ウエハＷの使用寿命を延ばそうとするものであるが、その手法としては上述の例に限られない。例えば曲率の値にしきい値を設定し、ウエハＷの曲率が例えば＋側のしきい値を超えた場合（この場合は＋側の曲率が大きくなった場合である）、当該ウエハＷに対して例えば予め設定した回数だけ続けて、ウエハＷの曲率が−側に向かう処理を行うＴｉ成膜モジュール５に、当該ウエハＷを例えば予め設定した回数だけ搬入するようにしてもよい。

そしてまた、ウエハＷの成膜モジュール３，５に対する振り分けを行う場合、各成膜モジュールで行われる膜厚の情報を利用しなくてもよい。更にまた、このようにウエハＷの曲率を求め、その結果に基づいて搬送スケジュールを決める場合、曲率を求める手段として反り検出器を用いる代わりに第１の実施形態で述べたようにコンピュータが、そのウエハＷの成膜履歴に基づいて、曲率を推定するようにしてもよい。この場合には、例えばウエハＷがキャリアＣから取り出されるときにコンピュータが当該ウエハＷの曲率を求め、その値に基づいて使用すべき成膜モジュールが決定されることになる。

ところで各実施形態において、ウエハＷはキャリアＣにより半導体製造装置１に搬送されるようになっているが、例えば第１の搬送室１１に複数枚のウエハＷを保持する保持棚（保持部）が設けられ、キャリアＣからウエハＷが取り出される代わりにこの保持棚からウエハＷが取り出されてもよい。

（第４の実施形態）
続いて第４の実施形態について第１の実施形態との差異点を中心に説明する。この第４の実施形態では、通常搬送モードにおいて、キャリアＣのウエハＷは成膜モジュール３，５へ搬送される前にその曲率及び曲率の変化量が計測される。そして、それらの曲率及び曲率の変化量が制御部８に設定されたしきい値を超えたものについては、成膜モジュール３，５への搬送が中止される。なお、反り補正モードはこの第４の実施形態では実行されない。

この第４の実施形態において、アライメント室２は第１の実施形態の変形例と同様に構成されている。図１０には、この第４の実施形態における制御部８の構成ついて示している。制御部８はメモリ８１を備えており、メモリ８１では、ウエハのＩＤと、各ウエハＷ毎に測定された最新の曲率（反り量）と、前回測定された曲率と、これらの曲率の差分である曲率の変化値と、が互いに対応付けられて記憶される。また、制御部８はメモリ８２を備えており、メモリ８２には曲率のしきい値と、曲率の変化量のしきい値とが記憶されている。

続いて、この第４の実施形態における処理工程について説明する。先ず、オペレータが第１の実施形態の通常モードの設定時と同様に成膜モジュール３、５のレシピについて設定する。なお、ここでは例えば第１の実施形態と同様にウエハＷは成膜モジュール３、５を交互に搬送されるものとする。

先ず、キャリアＣが半導体製造装置１に搬送され、その後キャリアＣ内での配列順に従って、ウエハＷが第１の実施形態と同様にアライメント室２に順次搬送される。そこで既述のように制御部８により曲率が測定され、その値が最新の曲率としてメモリ８１に記憶される（ステップＴ１）。然る後、ウエハＷは成膜モジュール３または５に搬送されて成膜処理を受けた後、キャリアＣに戻される（ステップＴ２）。その後、ウエハＷはキャリアＣから再びアライメント室２に搬送されて、その曲率が測定される。曲率が測定されると、制御部８は、そのウエハＷについての、メモリ８１に記憶された最新の曲率を前回測定された曲率とし、今回測定された曲率を最新の曲率として更新する（ステップＴ３）。

そして、制御部８は、最新の曲率から前回測定された曲率を引き、その計算値を曲率の変化量としてメモリ８１に記憶する（ステップＴ４）。続いて、制御部８は最新の曲率、曲率の変化量がメモリ８２に記憶されたしきい値を夫々超えているか否かを判定する（ステップＴ５）。ステップＴ５で曲率及び曲率の変化量がいずれもしきい値を超えていないと判定された場合は、ステップＴ３以降のステップが実行され、成膜処理が繰り返し行われる。そして、ステップＴ５で曲率または曲率の変化量がしきい値を超えたと判定された場合は、ウエハＷは成膜モジュール３、５に搬送されず、キャリアＣに戻される（ステップＴ６）。そして、制御部８は、表示部７１にそのように判定されたウエハＷのＩＤと曲率または曲率の変化量のいずれがしきい値を超えたかを表示する。そして、このようにキャリアＣに戻されたウエハＷは、そのウエハＷを搬送される順番が来てもキャリアＣから搬送されない。

このように第４の実施形態においては、曲率または曲率の変化量がしきい値を超えるまではウエハＷを再使用する運用が可能である。これにより第１の実施形態と同様に曲率が大きくなったウエハＷが静電チャックに均一に吸着されなくなる不具合が発生することを防ぐことができる。また、第４の実施形態においては曲率の他に曲率の変化量も管理しているので、これに基づいてウエハＷの劣化、損傷具合についても監視することができるため有利である。

上記の各実施形態では成膜モジュールを、ＣＶＤを行うモジュールとしたが、ＰＶＤを行うモジュールとしてもよい。

（参考試験）
Ｓｉ（シリコン）からなるダミーウエハ１〜３について、ＰＶＤを行う成膜モジュールによりＴｉを成膜した。この成膜モジュールにおいて、１回の成膜処理により１０ｎｍの膜厚で成膜が行われるようにレシピを設定した。そしてウエハ１〜３について夫々１００回ずつ成膜処理を繰り返し行い、成膜処理を行う度にそのウエハＷの半径を測定した。この試験では同じウエハを連続して１００回成膜モジュールに搬送して処理を行ってから、次のウエハを成膜モジュールに搬送している。

図１１はこの試験の結果を示しており、グラフの縦軸にはウエハの半径を、横軸には前記成膜モジュールでの処理回数を示している。この図に示すように処理回数、即ち膜厚に比例してウエハ１〜３の半径が変化している。従って、図２で説明したようにＴｉの膜厚とウエハの曲率変化には相関があることが分かる。

Ｃ キャリア
Ｗ ウエハ
１ 半導体製造装置
１１ 第１の搬送室
１２、１３ ロードロック室
１４ 第２の搬送室
１６ 第１の搬送手段
１７ 第２の搬送手段
２ アライメント室
３、５ 成膜モジュール
６ 制御部
６０ レシピ設定部
６３ 第１のメモリ
６４ プログラム
６７ 搬送モード設定部
６８ 第２のメモリ
７１ 表示部
８ 制御部
８１、８２ メモリ

Claims (7)

1. 基板に対して成膜処理を行う複数のプロセスチャンバが基板搬送室に接続された基板処理装置におけるダミー基板の使用方法において、
   ダミー基板格納部からダミー基板を取り出し、前記基板搬送室を介してプロセスチャンバ内に搬入し、成膜処理を行う工程と、
   前記ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板の各々について、プロセスチャンバにて行われるプロセスレシピに基づき、成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴をコンピュータにより作成する工程と、
   膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データを用い、この曲率データとダミー基板の前記成膜履歴とに基づいて、当該ダミー基板の曲率をコンピュータにより求める工程と、
   この工程で求められたダミー基板の曲率と、曲率データと、前記プロセスチャンバにて予定されている成膜処理の膜の種別及び膜厚を含むプロセススケジュールと、に基づいて、当該ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する当該ダミー基板の搬送スケジュールを作成する工程と、を含むことを特徴とするダミー基板の使用方法。
2. 基板に対して成膜処理を行う複数のプロセスチャンバが基板搬送室に接続された基板処理装置におけるダミー基板の使用方法において、
   ダミー基板格納部からダミー基板を取り出し、前記基板搬送室を介してプロセスチャンバ内に搬入し、成膜処理を行う工程と、
   前記ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板を当該ダミー基板の向きを調整するためのアライメント室内に搬入し、前記複数のダミー基板の各々について反り検出器により曲率を求める工程と、
   この工程で求められたダミー基板の曲率と、前記プロセスチャンバにて予定されている成膜処理の膜の種別を含むプロセススケジュールと、に基づいて、当該ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する当該ダミー基板の搬送スケジュールを作成する工程と、を含むことを特徴とするダミー基板の使用方法。
3. 前記基板格納部に格納されている複数のダミー基板についてアライメント室に搬入し、前記複数のダミー基板の各々について反り検出器により曲率を求める代わりに、各ダミー基板に成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴と、膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データと、に基づいてコンピュータにより曲率を求めることを特徴とする請求項２記載のダミー基板の使用方法。
4. 前記プロセススケジュールは、予定されている成膜処理の膜の膜厚を含むことを特徴とする請求項２または３記載のダミー基板の使用方法。
5. ダミー基板の搬送スケジュールは、オペレータが作成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のダミー基板の使用方法。
6. 曲率データは、コンピュータの表示部に表示されることを特徴とする請求項５記載のダミー基板の使用方法。
7. ダミー基板の搬送スケジュールは、コンピュータがプログラムにより作成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のダミー基板の使用方法。

Images