CN113061861A - 一种大曲率光学元件曲率半径控制方法 - Google Patents

一种大曲率光学元件曲率半径控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113061861A
CN113061861A CN201911284817.5A CN201911284817A CN113061861A CN 113061861 A CN113061861 A CN 113061861A CN 201911284817 A CN201911284817 A CN 201911284817A CN 113061861 A CN113061861 A CN 113061861A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
curvature radius
curvature
optical element
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911284817.5A
Other languages
English (en)
Inventor
李刚
吕起鹏
邓淞文
刘锐
王峰
金玉奇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian Institute of Chemical Physics of CAS
Original Assignee
Dalian Institute of Chemical Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalian Institute of Chemical Physics of CAS filed Critical Dalian Institute of Chemical Physics of CAS
Priority to CN201911284817.5A priority Critical patent/CN113061861A/zh
Publication of CN113061861A publication Critical patent/CN113061861A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/2441—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于薄膜应力精确控制大曲率光学元件曲率半径的加工方法。这种控制方法是传统光学加工技术与镀膜技术相结合的方法，可以实现光学元件曲率半径大小的精确控制，特别利用了薄膜应力特性，将这种薄膜镀制到光学元件表面上，薄膜应力可以改变元件曲率半径，最终达到精确控制光学元件曲率半径的目的。同时该发明优势在于，在不影响元件的光学特性的前提下，根据薄膜厚度与应变的线性关系，通过沉积不同厚度的薄膜可以精确控制不同曲率半径的光学元件。该发明可以有效减少生产时间，提高效率。

Description

一种大曲率光学元件曲率半径控制方法
技术领域
本发明属于光学元件曲率半径控制领域。特别是涉及一种基于薄膜应力精确控制大曲率光学元件曲率半径的加工方法，特别利用了薄膜应力特性，将这种薄膜镀制到光学元件表面上，薄膜应力可以改变元件曲率半径，将这种薄膜镀制到光学元件表面上达到精确控制光学元件曲率半径的新方法。
背景技术
大曲率半径光学元件(曲率半径R>1000mm)除了汇聚光束、调节光路外，往往还在光路系统中承担着稳定光路、改善光束输出质量的作用，因此它在环形激光器(激光陀螺)、同步辐射加速器、光学振荡器等领域中有着广泛应用。这些应用对大曲率半径光学元件面形精度(低频误差)的要求越来越高，如在环形激光器中要求高面形精度(＜λ/5)。目前光学元件曲率半径精度一般是通过控制研抛过程中的光圈来实现的，但随着元件曲率半径变大，曲率半径精度对光圈的敏感度不断增加，通过控制光圈来调整曲率半径的方法难以保证大曲率半径的光学元件曲率半径精度。
根据文献报导我们知道，离子束溅射法制备的薄膜具有很高的应力，尤其是双离子束溅射技术制备的SiO2单层膜，由于在薄膜沉积过程中辅助离子源对沉积在基片上的薄膜进行轰击夯实，SiO2薄膜会产生非常高的应力。高的应力会严重引起基片曲率半径的变化。因此利用这个性质，我们可以精确控制基片曲率半径的大小。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出了薄膜应力控制光学元件曲率半径的新方法。本发明适用于所有大曲率半径光学元件。该方法操作简单，加工精度高。
本发明采用传统光学加工技术与镀膜技术相结合的方法精确控制光学元件曲率半径大小，特别利用了薄膜应力特性，完成大曲率光学元件曲率半径精确控制；
一种大曲率光学元件曲率半径控制方法由以下几个子步骤组成：原料准备、光学粗加工、计算应力控制层(薄膜)厚度、镀制应力控制层。
1)提供待加工光学元件，经细磨、粗磨等工序得到原料；
2)利用传统和数控加工方法粗加工光学元件，测量并计算出实际曲率半径与目标曲率半径的差值，即ΔR＝Rtarget-Rreal；
3)确定薄膜应变与厚度的关系，并计算相应的薄膜厚度；
4)将已加工的元件镀膜处理，薄膜厚度与ΔR相关，完成大曲率光学元件曲率半径精确控制。
这种控制方法是传统光学加工技术与镀膜技术相结合的方法，可以实现光学元件曲率半径大小的精确控制，特别利用了薄膜应力特性，将这种薄膜镀制到光学元件表面上，薄膜应力可以改变元件曲率半径，最终达到精确控制光学元件曲率半径的目的。同时该发明优势在于，在不影响元件的光学特性的前提下，根据薄膜厚度与应变的线性关系，通过沉积不同厚度的薄膜可以精确控制不同曲率半径的光学元件。该发明可以有效减少生产时间，提高效率。
本发明优点:
1)与传统或数控加工光学元件相比，本技术将传统或数控加工结合薄膜应力控制的方法控制光学元件曲率半径，可以实现精确控制光学元件曲率半径的目的。
2)本技术在不影响光学元件的光学特性的前提下，可以有效减少生产时间，提高效率。
3)本技术操作简单，适用范围广，为前期的传统或数控光学加工提供了更大的加工空间，且工艺可重复性强。
附图说明
图1控制原理图。
图2镀膜实验装置图。1：真空室；2：反应气体导管；3：12cm离子源；4：中和器；5：16cm离子源；6：加热灯；7：基片夹具；8：靶材
图3曲率半径、基片直径以及波前变化量的关系。
图4不同径厚比石英基片上SiO2单层膜薄膜面形精度变化与薄膜厚度的关系
图5应力控制前后光学元件曲率半径变化图。
具体实施方式
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。在薄膜生长过程中，薄膜应力的产生是不可避免的。薄膜应力通常分为张应力和压应力。通常双离子束溅射的方法制备得到的薄膜均呈现很高的压应力。薄膜应力的离线计算方式如下。附图1是基片直径、矢高以及曲率半径三者的关系以及曲率半径控制原理图。附图1(a)所示，基片直径、矢高以及曲率半径三者的关系可以表示为:
Figure BDA0002317710460000031
其中R为曲率半径，Ds为基片直径，h是矢高。
矢高与Power的关系为：
h＝2×632.8×Power (2)
通常薄膜应力造成的基片弯曲很小，因此，Power和曲率半径R的关系近似为：
Figure BDA0002317710460000032
其中，Ds为圆形基片的直径。
可以进一步得到：
Figure BDA0002317710460000033
在此定义ΔPower为镀膜前后(Power2、Power1)面形精度Power量的差值，R0和R1分别为镀膜前后基片的曲率半径。因此面形精度的变化量与薄膜应力的关系也可以写为：
Figure BDA0002317710460000034
tf为膜层厚度，可根据透过率光谱拟合得到。ts和tf分别为基片和薄膜的厚度，Es和Vs分别基片的的弹性模量和泊松比(参考文献[1]：S.W.Deng,F.Wang,S.F.Liu,Residualstress prediction and control of Ta2O5/SiO2 multilayer based on layerstructure designing,Chin.Opt.Lett.11(2013)10701.)，σ为薄膜应力。
薄膜应力产生之后会对基片造成弯曲变形。根据公式(4)，我们知道ΔPower与曲率半径的关系，即镀膜之后，由于应力的存在，通过测量得到基片弯曲量，就可以计算得到基片曲率半径的变化量。将曲率半径目标值反带入公式(5)就可以计算得到需要基片Power值产生多大的变化量。再根据薄膜厚度与波前变化量的关系可以得到薄膜的厚度。最终实现大曲率基片曲率半径的精确控制。图1(b)为大曲率光学元件曲率半径控制原理图。经过光学加工之后，如图所示，当曲率半径小于目标值，在基片的后表面镀制一层相应厚度的SiO2薄膜就可以实验曲率半径的控制。而当曲率半径大于目标值，在基片的前表面镀制一层相应厚度的SiO2薄膜就可以实验曲率半径的控制。然而在前表面镀制SiO2薄膜会影响薄膜的光谱特性，因此前表面镀制SiO2薄膜方法只适用于高反膜系的制备。
本发明具体实施例：待加工的大曲率半径光学元件的参数为：曲率半径R＝35.7m。
使用设备：
本实验的薄膜样品在双离子束溅射沉积系统上制备，实验装置如附图2所示，真空室内配有16cmRF主离子源和12cmRF辅助离子源，离子源的射频频率为13.56MHz。溅射靶材为金属铪靶，沉积镀膜时，金属铪与通入氧气反应得到氧化铪薄膜。
具体的工艺参数：
表1
Figure BDA0002317710460000041
先将石英的毛坯料进行车削、定心磨边等工艺，其具体规格为
Figure BDA0002317710460000042
待加工光学元件经粗磨、细磨等工序抛光预处理；再按照大曲率半径光学元件结构参数设计并加工曲率镜面，在通过研磨修正元件曲率半径。
接着采用传统加工或数控加工方法粗加工光学元件，并使用检测设备测试面形精度误差指导粗抛光。
当光学元件经粗抛光工艺，利用英国泰勒霍普森公司的LuphoScan高速非接触式3D非球面光学面形精度测量系统进行了曲率半径测试，测得其曲率半径达到34.52m，而目标曲率半径为35.65m，此时再继续使用传统加工或数控加工方法，其效率会明显降低。因此，将采用该发明方法进一步精确控制光学元件曲率半径。
具体计算过程如下:
首先计算得到加工后的光学元件曲率半径Rpolish与目标曲率半径Rtarget的差值ΔR＝Rtarget-Rpolish＝1.13m。
将R0和R1代入公式(1)和(2)，得ΔPower＝0.512λ，λ为主探测光波长，本例对应632.8nm。
再在实验基片上(具体规格为
Figure BDA0002317710460000053
)镀制五组不同厚度单层膜，优选薄膜厚度为0.5μm、5μm、10μm、20μm、30μm，并测量镀膜后基片的面形精度，将五组数据做线性回归拟合，即得到基片面形精度变化与薄膜厚度的对应关系，如图4所示。其具体关系式为：
Power＝-0.26562-1.58224×10-4tf (6)
再继续将公式(5)改写为：
σtf＝CsKsΔPower (7)
其中
Figure BDA0002317710460000051
其中，Cs是常数项，取决于基片材料。
Figure BDA0002317710460000052
其中，Ks是形状因子，取决于基片直径与厚度的比值，经计算，其中大曲率石英基片与实验基片的形状因子分别为1089和645.16。
最后由公式(6)和(7)计算得到所需薄膜厚度为2.7μm。
将石英片经过清洗干燥后放入设备真空室，抽真空至＜8×10-2Torr，开高阀、加热管，待温度稳定在80℃，真空抽至5×10-6Torr，开始沉积SiO2薄膜，具体参数见表1。待元件镀膜完成之后，测试结果如附图5所示，从图中可以看出，在应力控制之后光学元件的曲率半径由34.52mm变为35.66mm。
从附图4的对比可以看出，本发明的实施例解决了现有技术中存在的问题，获得了显著的技术效果。

Claims (9)

1.一种大曲率光学元件曲率半径控制方法，包括步骤：
1）待加工光学元件经粗磨、细磨等工序抛光预处理；
2）利用数控加工方法粗抛光光学元件，测量加工后的光学元件曲率半径Rpolish，并计算出其与目标曲率半径Rtarget的差值，即镀膜处理前后基片曲率半径的差值，ΔR=Rtarget-Rpolish；
3）确定镀膜处理前后基片曲率半径的差值ΔR与面形精度变化的关系，将基片曲率半径控制问题转化为求解并控制基片面形精度(弯曲度，Power)变化的问题，其具体过程为：根据基片曲率半径和基片矢高、基片矢高和基片面形精度的两个关系式
Figure RE-367714DEST_PATH_IMAGE001
；
Figure RE-209768DEST_PATH_IMAGE002
，其中R为曲率半径，
Figure RE-932873DEST_PATH_IMAGE003
为基片直径，h是矢高，将基片曲率半径与基片面形精度建立关联，利用步骤(2)得到的Rtarget和Rpolish，即可计算得到基片面形精度变化，镀膜前后Power量的差值ΔPower；
4）确定基片面形精度变化与单层膜厚度的关系,其具体过程为:分别在基片上镀制五组以上不同厚度待镀膜材料的单层膜，并测量镀膜后基片的面形精度，所述单层膜的薄膜厚度为0.01-100μm（优选薄膜厚度为0.5μm、5μm、10μm、20μm、30μm），将五组以上数据做线性回归拟合，即得到基片面形精度变化(ΔPower)与薄膜厚度的对应关系；
5）将已加工的元件镀膜处理，完成大曲率光学元件曲率半径精确控制,其具体过程为:经过步骤(1)-(4)，已知粗加工后的元件曲率半径、元件目标曲率半径，代入步骤(4)拟合关系中求解达到曲率半径目标值时所需的薄膜厚度，对待镀元件进行镀膜处理，完成曲率半径的精确控制。
2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，薄膜应力可以改变元件曲率半径，利用薄膜沉积在基片产生应力的特性实现大曲率光学元件曲率半径精确控制。
3.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述待加工光学元件材料可为石英片、硅片、玻璃基片等中的一种或二种以上。
4.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述镀膜方法可以是离子束溅射镀膜法、离子束辅助热蒸发沉积法等中的一种或二种以上。
5.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述薄膜可以是SiO2薄膜、Ta2O5薄膜、HfO2薄膜、TiO2薄膜、Nb2O5薄膜等中的一种或二种以上。
6.如权利要求1或5所述的控制方法，其特征在于，所述光学元件镀膜之后，薄膜不影响元件光学特性。
7.如权利要求1或3所述的控制方法，其特征在于，所述光学元件可以是透射光学元件或反射光学元件。
8.如权利要求1或5所述的控制方法，其特征在于，所述镀膜表面可以是光学元件正反表面或单面的正表面或反面。
9.如权利要求6、7或8所述的控制方法，其特征在于，所述镀膜表面为正表面时，只针对高反射膜系。
CN201911284817.5A 2019-12-13 2019-12-13 一种大曲率光学元件曲率半径控制方法 Pending CN113061861A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911284817.5A CN113061861A (zh) 2019-12-13 2019-12-13 一种大曲率光学元件曲率半径控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911284817.5A CN113061861A (zh) 2019-12-13 2019-12-13 一种大曲率光学元件曲率半径控制方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113061861A true CN113061861A (zh) 2021-07-02

Family

ID=76557834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911284817.5A Pending CN113061861A (zh) 2019-12-13 2019-12-13 一种大曲率光学元件曲率半径控制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113061861A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113655592A (zh) * 2021-08-20 2021-11-16 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 一种大口径高精度光学元件膜层应力形变调控方法
CN116497310A (zh) * 2023-04-04 2023-07-28 北京创思镀膜有限公司 一种光学薄膜元件及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064060A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置
JP2006308721A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nikon Corp 光学素子及び光学素子の製造方法
CN101075588A (zh) * 2006-05-16 2007-11-21 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构、半导体晶片及其制造方法
CN102002681A (zh) * 2009-08-28 2011-04-06 东京毅力科创株式会社 模型基板的使用方法
CN105448666A (zh) * 2015-12-02 2016-03-30 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 利用二氧化硅的应力来改变晶圆硅片基体弯曲度的方法
CN107664781A (zh) * 2017-08-30 2018-02-06 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于离子束溅射沉积薄膜的面形可控保偏分色片
CN109852930A (zh) * 2019-03-29 2019-06-07 中国科学院上海技术物理研究所 一种补偿中口径介质膜平面反射镜镀膜形变的方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064060A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置
JP2006308721A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nikon Corp 光学素子及び光学素子の製造方法
CN101075588A (zh) * 2006-05-16 2007-11-21 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构、半导体晶片及其制造方法
CN102002681A (zh) * 2009-08-28 2011-04-06 东京毅力科创株式会社 模型基板的使用方法
CN105448666A (zh) * 2015-12-02 2016-03-30 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 利用二氧化硅的应力来改变晶圆硅片基体弯曲度的方法
CN107664781A (zh) * 2017-08-30 2018-02-06 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于离子束溅射沉积薄膜的面形可控保偏分色片
CN109852930A (zh) * 2019-03-29 2019-06-07 中国科学院上海技术物理研究所 一种补偿中口径介质膜平面反射镜镀膜形变的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
QIPENG LV 等: "Effects of Annealing on Residual Stress in Ta2O5 Films Deposited by Dual Ion Beam Sputtering", 《COATINGS》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113655592A (zh) * 2021-08-20 2021-11-16 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 一种大口径高精度光学元件膜层应力形变调控方法
CN116497310A (zh) * 2023-04-04 2023-07-28 北京创思镀膜有限公司 一种光学薄膜元件及其制备方法
CN116497310B (zh) * 2023-04-04 2023-12-05 北京创思镀膜有限公司 一种光学薄膜元件及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113061861A (zh) 一种大曲率光学元件曲率半径控制方法
CN107893216B (zh) 一种修正石英监控法制备宽带增透膜沉积误差的方法
CN114182226B (zh) 基于预补偿的离子源辅助镀膜的介质反射镜面型控制方法
CN113151789A (zh) 一种光学塑料镜片离子源镀膜工艺
CN113655592B (zh) 一种大口径高精度光学元件膜层应力形变调控方法
CN104849861B (zh) 一种用于制备光学薄膜的方法
CN117305796A (zh) 一种实时监测折射率的镀膜装置及镀膜方法
CN117248178A (zh) 一种实时监测镜片面形的镀膜装置及镀膜方法
Scherer et al. High performance notch filter coatings produced with PIAD and magnetron sputtering
CN113584448B (zh) 一种光学滤光片镀膜方法
CN111500985B (zh) 一种用于低应力全介质光学薄膜的制备方法
Yusoh et al. Determination of the thickness and optical constants of ZrO2 by spectroscopic ellipsometry and spectrophotometric method
CN112817070B (zh) 一种平面光学元件的面形修正方法
CN112342506A (zh) 一种低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法
CN109782377B (zh) 一种高损伤阈值激光镜片及其制作方法
US11066741B2 (en) Film formation method for multilayer film
JPH0790583A (ja) 薄膜形成方法
Thöny et al. Improving film stress and surface roughness by using a plasma source in magnetron sputtering
CN105824119B (zh) 一种超高反射率光学扫描振镜及其制备方法
CN113881926B (zh) 一种提升光学薄膜沉积精度的方法
CN116590683B (zh) 一种光学薄膜及其制备方法、光学薄膜元件
Lv et al. Effects of oxygen flows on optical properties, micro-structure and residual stress of Ta2O5 films deposited by DIBS
Glocker et al. System for Sputtering Uniform Optical Coatings on Flat and Curved Surfaces Without Masks
CN114815130B (zh) 基于离子束的光学薄膜元件的面形控制方法
Liu et al. Analysis and fabrication of antireflection coating with ultralow residual reflectance for single wavelength

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210702