CN117248178A - 一种实时监测镜片面形的镀膜装置及镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种实时监测镜片面形的镀膜装置及镀膜方法，其中，实时监测镜片面形的镀膜装置包括机壳，机壳内设有用于放置镀膜基片的工件盘，工件盘上均匀放置有镀膜基片以及陪镀片，还包括光透组件、光探测设备、轰击组件、数据采集分析设备和修正板，光透组件包括激光发射器、准直透镜、分光镜和平晶。从而，在镀膜过程中通过对陪镀片上产生的干涉光信息实现实时监测镀膜后的镜片膜层的光学均匀性、表面平整度的参数。同时，依据数据采集分析设备获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数在镀膜过程中对修正板进行目标位置的调节及调节轰击组件的沉积速率，在镀膜过程中及时做出相应调整，使镀膜后的镜片膜层表面均匀平整。
Description
技术领域
本发明涉及光学设备技术领域，尤其涉及一种实时监测镜片面形的镀膜装置及镀膜方法。
背景技术
利用光波的干涉原理测量材料的光学特性，可以用仪器测量厚度、距离等，还能衡量材料内部的光学均匀性、折射率、表面平整度等更精密的参数。
现有的测量设备是将镜片镀制完成后再单独对镜片进行测量，然而镜片的光学均匀性、表面平整度的参数在镜片镀制过程中发生的变化对镜片的精密度有着非常大的影响，现有的测量设备无法在镀膜过程中测量出镜片膜层的光学均匀性、表面平整度的参数。而且，也无法在镀膜过程中根据测量出镜片膜层的光学均匀性、表面平整度的参数而调整镀膜过程中修正板的位置以及调节轰击组件的沉积速率，因此无法在镀膜过程中及时做出相应调整,使镜片膜层表面均匀平整。
为此，针对上述的技术问题还需进一步解决。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种实时监测镜片面形的镀膜装置及镀膜方法，以实现在镀膜过程中通过对陪镀片上产生的干涉光信息而实现实时监测镀膜后的镜片膜层的光学均匀性、表面平整度的参数。同时，依据数据采集分析设备获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数在镀膜过程中对修正板进行目标位置的调节以及调节轰击组件的沉积速率，从而能够在镀膜过程中及时做出相应调整，使镀膜后的镜片膜层表面均匀平整。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供如下技术方案：
本发明第一方面提供一种实时监测镜片面形的镀膜装置，包括机壳，所述机壳内设置有用于放置镀膜基片的工件盘，所述工件盘上均匀放置有所述镀膜基片以及将任一所述镀膜基片作为监测的陪镀片，还包括：
光透组件，与所述陪镀片光信号连接；
光探测设备，设置在所述机壳的透明窗口上，并且与所述光透单元光信号连接；
轰击组件，设置在所述机壳内；
数据采集分析设备，设置在所述机壳的外部，并且同时与所述光探测设备以及所述轰击组件通信连接；
修正板，穿过所述机壳并且与所述机壳相连接；
其中，所述光透组件包括：
激光发射器，设置在所述机壳内；
准直透镜，设置在所述机壳内，并且与所述激光发射器光信号连接；
分光镜，设置在所述机壳内，并且与所述准直透镜光信号连接；
平晶，设置在所述机壳内，并且分别与所述分光镜以及所述陪镀片光信号连接。
进一步地，所述准直透镜、所述分光镜和所述平晶以及所述陪镀片之间的光信号组成第一光信号路径。
进一步地，所述陪镀片、所述平晶和所述分光镜以及所述光探测设备之间的光信号组成第二光信号路径。
进一步地，所述轰击组件包括：
离子源，设置在所述机壳内，并且与所述数据采集分析设备通信连接；
靶材架，设置在所述机壳内；
靶材，设置在所述靶材架上，并且与所述离子源通过离子束流相连接。
进一步地，所述准直透镜、所述分光镜和所述平晶之间成一直线。
进一步地，所述修正板根据目标位置进行目标方向位移，位于所述机壳内的所述修正板的端部位于所述靶材和所述工件盘之间。
进一步地，所述机壳上设置有门件，所述工件盘设置在所述门件上；
在镀膜过程中，所述工件盘在所述机壳内旋转。
进一步地，所述修正板与所述数据采集分析设备通信连接，所述数据采集分析设备内设置有控制所述修正板进行位移的控制模块。
本发明第二方面提供一种实时监测镜片面形的镀膜方法，包括：
轰击步骤，在机壳内设置真空环境，离子源轰击靶材，工件盘在旋转过程中，靶材轰击过程中产生的靶材原子沉积在位于工件盘上的镀膜基片以及陪镀片上；
透射步骤，激光光源发射器发射激光并且将激光入射至准直透镜中，准直透镜将激光光源发射器发射出的每一点的光线变成一束平行的准直光柱，光柱依次经过分光镜、平晶后入射到陪镀片的薄膜表面；
接收干涉光步骤，来自陪镀片薄膜表面的光与平晶平面之间反射的光线在陪镀片和平晶之间发生干涉产生干涉光，光探测设备将该干涉光接收后形成干涉图案信息并导入；
数据采集步骤，数据采集分析设备对光探测设备导入的干涉图案信息中的条纹形状信息和间隔信息进行分析后，获得陪镀片薄膜表面的缺陷信息，从而得到镀膜基片的面形数据信息；
调节步骤，根据获得的缺陷信息调整镀膜过程中修正板的位置而实现调节沉积在工件盘上靶材原子的数量，并且通过调整离子源的速率而实现调节镀膜的沉积速率。
进一步地，所述靶材上的镀膜材料分别为用于镀制SiO2层的SiO2以及用于镀制Ta2O5层的Ta2O5；
SiO2层的镀制过程为：采用射频离子源轰击SiO2靶材，使SiO2靶材原子沉积于工件盘的镀膜基片以及陪镀片上，机壳内的真空压力小于等于2*10-6Tor，通氩气、氧气压力设置到28Pa，SiO2的沉积速率为2.7nm/s，沉积温度设定为280℃，镀制时间为膜层厚度与沉积速率之间的比值；
Ta2O5层的镀制过程层为：采用射频离子源轰击Ta2O5靶材，使Ta2O5靶材粒子沉积于工件盘的镀膜基片以及陪镀片上，机壳内的真空压力小于等于2*10-6Tor,通上氩气和氧气后压力设置到30Pa，Ta2O5的沉积速率为3.5nm/s，镀制时间为膜层厚度与沉积速率之间的比值。
相较于现有技术，本发明第一方面提供的实时监测镜片面形的镀膜装置，轰击组件在轰击的过程中，激光发射器发出的激光依次穿过准直透镜、分光镜和平晶后，在陪镀片上产生干涉光并且该干涉光穿过平晶后通过分光镜折射在光探测设备上，光探测设备将获取到的干涉光信息通信传输至数据采集分析设备，数据采集分析设备对干涉光信息进行分析，从而实现了在镀膜过程中通过对陪镀片上产生的干涉光信息而实现实时监测镀膜后的镜片膜层的光学均匀性、表面平整度的参数。同时，依据数据采集分析设备获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数在镀膜过程中对修正板进行目标位置的调节以及调节轰击组件的沉积速率，从而能够在镀膜过程中及时做出相应调整，使镀膜后的镜片膜层表面均匀平整。
本发明第二方面提供的实时监测镜片面形的镀膜方法，与实时监测镜片面形的镀膜装置具有相同或相似的技术效果。
附图说明
通过参考附图阅读下文的详细描述，本发明示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本发明的若干实施方式，相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：
图1示意性地示出了实时监测镜片面形的镀膜装置的剖视图；
图2示意性地示出了实时监测镜片面形的镀膜方法的示意图；
图3示意性地示出了实时监测镜片面形的镀膜装置镀制窗口片的光谱图；
图4示意性地示出了普通离子溅射镀膜机镀制窗口片的光谱图；
图5示意性地示出了实时监测镜片面形的镀膜装置镀制窗口片的面形图；
图6示意性地示出了普通离子溅射镀膜机镀制窗口片的面形图；
附图标号说明：
1、机壳；11、门件；
2、工件盘；
3、光透组件；31、激光发射器；32、准直透镜；33、分光镜；34、平晶；
4、光探测设备；
5、数据采集分析设备；
6、轰击组件；61、离子源；62、靶材架；
7、修正板；
8、镀膜基片；
9、陪镀片。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。
需要注意的是，除非另有说明，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义。在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。术语“连接”、“相连”等术语应作广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以是通过中间媒介间接相连。术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本发明实施例提供了一种实时监测镜片面形的镀膜装置，如图1所示，实时监测镜片面形的镀膜装置包括机壳1，机壳1内设置有用于放置镀膜基片8的工件盘2，工件盘2上均匀放置有镀膜基片8以及将任一镀膜基片8作为监测的陪镀片9，还包括光透组件3、光探测设备4、轰击组件6、数据采集分析设备5和修正板7。光透组件3，与陪镀片9光信号连接。光探测设备4，设置在机壳1的透明窗口上，并且与光透单元光信号连接。轰击组件6，设置在机壳1内。数据采集分析设备5，设置在机壳1的外部，并且同时与光探测设备4以及轰击组件6通信连接。修正板7，穿过机壳1并且与机壳1相连接。
其中，光透组件3包括激光发射器31、准直透镜32、分光镜33和平晶34。激光发射器31，设置在机壳1内。准直透镜32，设置在机壳1内，并且与激光发射器31光信号连接。分光镜33，设置在机壳1内，并且与准直透镜32光信号连接。平晶34，设置在机壳1内，并且分别与分光镜33以及陪镀片9光信号连接。
在本实施例中，轰击组件6在轰击的过程中，激光发射器31发出的激光依次穿过准直透镜32、分光镜33和平晶34后，在陪镀片9上产生干涉光并且该干涉光穿过平晶34后通过分光镜33折射在光探测设备4上，光探测设备4将获取到的干涉光信息通信传输至数据采集分析设备5，数据采集分析设备5对干涉光信息进行分析，从而实现了在镀膜过程中通过对陪镀片9上产生的干涉光信息而实现实时监测镀膜后的镜片膜层的光学均匀性、表面平整度的参数。同时，依据数据采集分析设备5获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数在镀膜过程中对修正板7进行目标位置的调节以及调节轰击组件6的沉积速率，从而能够在镀膜过程中及时做出相应调整，使镀膜后的镜片膜层表面均匀平整。
在具体实施例中，准直透镜32、分光镜33和平晶34以及陪镀片9之间的光信号组成第一光信号路径。
在本实施例中，激光发射器31发出的激光沿第一光信号路径依次穿过准直透镜32、分光镜33和平晶34后照射在陪镀片9上。从而，使陪镀片9上反射的干涉光信息中具有陪镀片9的膜层信息。
在具体实施例中，陪镀片9、平晶34和分光镜33以及光探测设备4之间的光信号组成第二光信号路径。
在本实施例中，陪镀片9干涉后产生的干涉光信息沿第二光信号路径穿过平晶34后，被分光镜33折射至光探测设备4。从而，使干涉光被光探测设备4接收后形成干涉图案信息并导入。
更具体地，陪镀片9干涉后产生的干涉光信息沿第二光信号路径穿过平晶34后被分光镜33折射至光探测设备4，平晶34的参考面反射产生的参考波和陪镀片9的待测面反射产生的平面波发生干涉产生干涉光，会聚到光探测设备4上形成干涉图案，光探测设备4记录干涉图案，光探测设备4与数据采集分析设备5之间为通信连接，数据采集分析设备5存储并处理光探测设备4记录的干涉图案，数据采集分析设备5通信连接离子源61，也可以通信连接至修正板7，根据数据采集分析设备5获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数中缺陷信息，及时调整调节离子源61的速率而实现调节镀膜的沉积速率以及对修正板7进行目标位置的调节。
其中，干涉图案包含了参考面和待测面的信息，通过对干涉图案的处理，可以采用现有技术分别求出参考面和待测面的面形。
在具体实施例中，如图1所示，轰击组件6包括离子源61、靶材架62和靶材。离子源61，设置在机壳1内，并且与数据采集分析设备5通信连接。靶材架62，设置在机壳1内。靶材，设置在靶材架62上，并且与离子源61通过离子束流相连接。
在本实施例中，离子源61通过发射离子束流对位于靶材架62上的靶材进行轰击，使靶材的靶材原子向工件盘2上的镀膜基片8以及陪镀片9进行沉积。
此外，依据数据采集分析设备5获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数，在镀膜过程中调节离子源61的速率而实现调节镀膜的沉积速率，从而能够在镀膜过程中及时做出相应调整，使镀膜后的镜片膜层表面均匀平整。
为了更进一步地使激光发射器31发出的激光沿第一光信号路径进行穿透，在具体实施例中，如图1所示，准直透镜32、分光镜33和平晶34之间成一直线。
激光发射器31用于发射激光，激光光源为激光可见光波段。准直透镜32将激光发射器31发射出的每一点的光线变成一束平行的准直光柱。分光镜33为一面透射一面反射，将入射激光透过，并将陪镀片9上产生的干涉光反射到光探测设备4中。平晶34的上表面和下表面之间不平行，以保证平晶34上表面的反光不参与干涉条纹的形成。
在具体实施例中，如图1所示，修正板7根据目标位置进行目标方向位移，位于机壳1内的修正板7的端部位于靶材和工件盘2之间。
在本实施例中，依据数据采集分析设备5获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数，在镀膜过程中对修正板7进行目标位置的调节，从而能够在镀膜过程中及时做出相应调整，使镀膜后的镜片膜层表面均匀平整。
通过对修正板7进行目标位置的调节，以实现靶材原子沉积在位于工件2盘上镀膜基片8和陪镀片9数量。
更具体地，可依据数据采集分析设备5获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数，在镀膜过程中，同时对修正板7进行目标位置的调节以及调节离子源61的速率而实现调节镀膜的沉积速率，从而能够在镀膜过程中及时做出相应调整，使镀膜后的镜片膜层表面均匀平整。
在具体实施例中，如图1所示，机壳1上设置有门件11，工件盘2设置在门件11上。在镀膜过程中，工件盘2在机壳1内旋转。
在本实施例中，门件11可打开，便于镀膜前在工件盘2上放置镀膜基片8和陪镀片9，以及在镀膜后在工件盘2上取出镀膜基片8和陪镀片9。
工件盘2在机壳1内旋转，使靶材原子在沉积过程中增加向镀膜基片8和陪镀片9进行沉积的均匀度。
在具体实施例中，如图1所示，修正板7与数据采集分析设备5通信连接，数据采集分析设备5内设置有控制修正板7进行位移的控制模块。
在本实施例中，在镀膜过程中，位于数据采集分析设备5内的控制模块通过控制系统对修正板7进行目标位置的调节，从而能够在镀膜过程中及时做出相应调整，使镀膜后的镜片膜层表面均匀平整。
示例性地，对修正板7进行目标位置的调节，也可以依据数据采集分析设备5获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数而进行手动调节。
其中，采用现有技术中的控制模块和控制系统。
在本发明中，在真空条件下，镀膜基片8放置于工件盘2上，在镀制过程中，离子源61发射离子束轰击靶材，靶材原子沉积在镀膜基片8上形成光学薄膜。根据镀膜材料的光学特性，设计镀膜曲线与膜层厚度，沉积的时间越长膜层越厚。镀制过程中，靶材原子沉积的速率会影响膜层均匀性与平整度，通过实时的面形监测实时调整离子源61的速率而实现调节镀膜的沉积速率以及对修正板7进行目标位置的调节，可以提高靶材原子沉积在镀膜基片8上的均匀性和平整度。
实施例1
本发明实施例还提供了一种实时监测镜片面形的镀膜方法，如图2所示，包括轰击步骤、透射步骤、接收干涉光步骤、数据采集步骤和调节步骤。
轰击步骤，在机壳内设置真空环境，离子源轰击靶材，工件盘在旋转过程中，靶材轰击过程中产生的靶材原子沉积在位于工件盘上的镀膜基片以及陪镀片上。
透射步骤，激光光源发射器发射激光并且将激光入射至准直透镜中，准直透镜将激光光源发射器发射出的每一点的光线变成一束平行的准直光柱，光柱依次经过分光镜、平晶后入射到陪镀片的薄膜表面。
接收干涉光步骤，来自陪镀片薄膜表面的光与平晶平面之间反射的光线在陪镀片和平晶之间发生干涉产生干涉光，光探测设备将该干涉光接收后形成干涉图案信息并导入。
数据采集步骤，数据采集分析设备对光探测设备导入的干涉图案信息中的条纹形状信息和间隔信息进行分析后，获得陪镀片薄膜表面的缺陷信息，从而得到镀膜基片的面形数据信息。
调节步骤，根据获得的缺陷信息调整镀膜过程中修正板的位置而实现调节沉积在工件盘上靶材原子的数量，并且通过调整离子源的速率而实现调节镀膜的沉积速率。
在本实施例中，依次经过轰击步骤与透射步骤后，接收干涉光步骤中产生的干涉光被光探测设备接收后形成干涉图案信息并导入，数据采集步骤中数据采集分析设备对光探测设备导入的干涉图案信息中的条纹形状信息和间隔信息进行分析后，获得陪镀片薄膜表面的缺陷信息，从而得到镀膜基片的面形数据信息，调节步骤中根据获得的缺陷信息调整镀膜过程中修正板的位置并且调整离子源的速率。从而实现了在镀膜过程中，通过对陪镀片上产生的干涉光信息而实现实时监测镀膜后的镜片膜层的光学均匀性、表面平整度的参数。以及，依据数据采集分析设备获取到的镜片膜层光学均匀性、表面平整度的参数在镀膜过程中对修正板进行目标位置的调节以及调节轰击组件的沉积速率，从而能够在镀膜过程中及时做出相应调整，使镀膜后的镜片膜层表面均匀平整。
更进一步地，根据实际工作需求，可继续重复轰击步骤、透射步骤、接收干涉光步骤、数据采集步骤和调节步骤，以达到调整光学均匀性，表面平整度的效果。
在具体实施例中，靶材上的镀膜材料分别为用于镀制SiO2层的SiO2以及用于镀制Ta2O5层的Ta2O5。
SiO2层的镀制过程为：采用射频离子源轰击SiO2靶材，使SiO2靶材原子沉积于工件盘的镀膜基片以及陪镀片上，机壳内的真空压力小于等于2*10-6Tor，通氩气、氧气压力设置到28Pa，SiO2的沉积速率为2.7nm/s，沉积温度设定为280℃，镀制时间为膜层厚度与沉积速率之间的比值。
Ta2O5层的镀制过程层为：采用射频离子源轰击Ta2O5靶材，使Ta2O5靶材粒子沉积于工件盘的镀膜基片以及陪镀片上，机壳内的真空压力小于等于2*10-6Tor,通上氩气和氧气后压力设置到30Pa，Ta2O5的沉积速率为3.5nm/s，镀制时间为膜层厚度与沉积速率之间的比值。
在本实施例中，SiO2层和Ta2O5层的镀制过程还可应用于沉积窗口片过程中，该窗口片的沉积条件为：输入中心波长为632.8nm，反射率R小于0.01％，沉积的镀膜基片为微晶玻璃，镀制Ta2O5层和SiO2层的厚度为1/4光学厚度，计算公式为：
λ0为中心波长，nH/L为Ta2O5和SiO2在中心波长处的折射率，两种材料交替进行沉积，镀制出该万分之一反射率窗口片的光谱图如图3所示，其面形图如图5所示。其中，窗口片为本实施例中沉积条件下的已经对镀膜基片镀完膜的完整镜片。
对比实施例1
在型号为BSV1030的普通离子溅射镀膜机上沉积万分之一反射率的窗口片，该窗口片的沉积条件为：输入中心波长为632.8nm，反射率R小于0.01％，沉积的镀膜基片为微晶玻璃，镀膜材料选用低折射率材料为SiO2以及高折射率材料为Ta2O5，镀制Ta2O5层和SiO2层的厚度为1/4光学厚度，计算公式为：
λ0为中心波长，nH/L为Ta2O5和SiO2在中心波长处的折射率，两种材料交替进行沉积，镀制出该万分之一反射率窗口片的光谱图如图4所示，其面形图如图6所示。
SiO2层的镀制过程为：采用射频离子源轰击SiO2靶材，使SiO2靶材原子沉积于工件盘的镀膜基片以及陪镀片上，机壳内的真空压力小于等于2*10-6Tor，通氩气、氧气压力设置到28Pa，SiO2的沉积速率为2.7nm/s，沉积温度设定为280℃，镀制时间为膜层厚度与沉积速率之间的比值。
Ta2O5的镀制过程层为：采用射频离子源轰击Ta2O5靶材，使Ta2O5靶材粒子沉积于工件盘的镀膜基片以及陪镀片上，机壳内的真空压力小于等于2*10-6Tor,通上氩气和氧气后压力设置到30Pa，Ta2O5的沉积速率为3.5nm/s，镀制时间为膜层厚度与沉积速率之间的比值。
将本发明实施例与对比实施例1所沉积的632.8nm镜片，使用光谱仪分别检测其镜片的反射率，检测结果如表1所示：
| 光学薄膜 | 测量值 | 反射率设计值 |
| 实施例1 | R<0.01％ | R<0.01％ |
| 对比实施例1 | R>2％ | R<0.01％ |
表1
根据表1中的检测结果可知：采用本发明的实时监测镜片面形的镀膜装置沉积的窗口片表面平滑光洁，无过多干涉条纹，如图5。在普通离子溅射镀膜机上沉积的窗口片出现光斑以及牛顿环，如图6所示。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种实时监测镜片面形的镀膜装置，包括机壳，所述机壳内设置有用于放置镀膜基片的工件盘，所述工件盘上均匀放置有所述镀膜基片以及将任一所述镀膜基片作为监测的陪镀片，其特征在于，还包括：
光透组件，与所述陪镀片光信号连接；
光探测设备，设置在所述机壳的透明窗口上，并且与所述光透单元光信号连接；
轰击组件，设置在所述机壳内；
数据采集分析设备，设置在所述机壳的外部，并且同时与所述光探测设备以及所述轰击组件通信连接；
修正板，穿过所述机壳并且与所述机壳相连接；
其中，所述光透组件包括：
激光发射器，设置在所述机壳内；
准直透镜，设置在所述机壳内，并且与所述激光发射器光信号连接；
分光镜，设置在所述机壳内，并且与所述准直透镜光信号连接；
平晶，设置在所述机壳内，并且分别与所述分光镜以及所述陪镀片光信号连接。
2.根据权利要求1所述的实时监测镜片面形的镀膜装置，其特征在于，所述准直透镜、所述分光镜和所述平晶以及所述陪镀片之间的光信号组成第一光信号路径。
3.根据权利要求2所述的实时监测镜片面形的镀膜装置，其特征在于，所述陪镀片、所述平晶和所述分光镜以及所述光探测设备之间的光信号组成第二光信号路径。
4.根据权利要求1所述的实时监测镜片面形的镀膜装置，其特征在于，所述轰击组件包括：
离子源，设置在所述机壳内，并且与所述数据采集分析设备通信连接；
靶材架，设置在所述机壳内；
靶材，设置在所述靶材架上，并且与所述离子源通过离子束流相连接。
5.根据权利要求1所述的实时监测镜片面形的镀膜装置，其特征在于，所述准直透镜、所述分光镜和所述平晶之间成一直线。
6.根据权利要求4所述的实时监测镜片面形的镀膜装置，其特征在于，所述修正板根据目标位置进行目标方向位移，位于所述机壳内的所述修正板的端部位于所述靶材和所述工件盘之间。
7.根据权利要求6所述的实时监测镜片面形的镀膜装置，其特征在于，
所述机壳上设置有门件，所述工件盘设置在所述门件上；
在镀膜过程中，所述工件盘在所述机壳内旋转。
8.根据权利要求6所述的实时监测镜片面形的镀膜装置，其特征在于，所述修正板与所述数据采集分析设备通信连接，所述数据采集分析设备内设置有控制所述修正板进行位移的控制模块。
9.一种实时监测镜片面形的镀膜方法，其特征在于，包括：
轰击步骤，在机壳内设置真空环境，离子源轰击靶材，工件盘在旋转过程中，靶材轰击过程中产生的靶材原子沉积在位于工件盘上的镀膜基片以及陪镀片上；
透射步骤，激光光源发射器发射激光并且将激光入射至准直透镜中，准直透镜将激光光源发射器发射出的每一点的光线变成一束平行的准直光柱，光柱依次经过分光镜、平晶后入射到陪镀片的薄膜表面；
接收干涉光步骤，来自陪镀片薄膜表面的光与平晶平面之间反射的光线在陪镀片和平晶之间发生干涉产生干涉光，光探测设备将该干涉光接收后形成干涉图案信息并导入；
数据采集步骤，数据采集分析设备对光探测设备导入的干涉图案信息中的条纹形状信息和间隔信息进行分析后，获得陪镀片薄膜表面的缺陷信息，从而得到镀膜基片的面形数据信息；
调节步骤，根据获得的缺陷信息调整镀膜过程中修正板的位置而实现调节沉积在工件盘上靶材原子的数量，并且通过调整离子源的速率而实现调节镀膜的沉积速率。
10.根据权利要求9所述的实时监测镜片面形的镀膜方法，其特征在于，所述靶材上的镀膜材料分别为用于镀制SiO2层的SiO2以及用于镀制 Ta2O5层的Ta2O5；
SiO2层的镀制过程为：采用射频离子源轰击SiO2靶材，使SiO2靶材原子沉积于工件盘的镀膜基片以及陪镀片上，机壳内的真空压力小于等于2*10-6Tor，通氩气、氧气压力设置到28Pa，SiO2的沉积速率为2.7nm/s，沉积温度设定为280℃，镀制时间为膜层厚度与沉积速率之间的比值；
Ta2O5层的镀制过程层为：采用射频离子源轰击Ta2O5靶材，使Ta2O5靶材粒子沉积于工件盘的镀膜基片以及陪镀片上，机壳内的真空压力小于等于2*10-6Tor,通上氩气和氧气后压力设置到30Pa，Ta2O5的沉积速率为3.5nm/s，镀制时间为膜层厚度与沉积速率之间的比值。
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